PoE电源模块不输出？可能是MOS管故障，解决方法请拿走~

思睿达小妹妹

作者：屈工有话说

% W9 G( K  v3 p9 m! ]PoE（Power over Ethernet）是一种有线以太网供电技术，网线传输数据的同时具备直流供电能力。全面应用于POE交换机、IP摄像头、IP电话、无线AP、便携设备充电器、刷卡机、数据采集等供需端产品。而TT9930是一款用于以太网供电系统（POE，power over Ethernet）的DC/DC控制器，采用原边控制模式，内置200V高压MOS，具有较高的系统效率。

工程师在使用TT9930样机时发现，样机正常老化时，突然没有输出。经过排查后，怀疑MOS故障，本文将分享解决思路和要点。以下图片为该样机图片：
8 B) `, {5 a' u9 j5 {: _4 y3 O
" @1 F2 q4 y4 z! B- ~

TT9930 样机图片

【应用】视频监控/无线AP/IP电话等
+ W/ k  C6 k  T9 g! z: l【规格】12V2A
4 Q2 L5 ?  Q, g7 p* M' C1 O【控制IC】TT9930
1 V) W% n' ^$ G* y/ ?, t; S8 P
【问题描述】
1 G4 s4 V( f3 `* l
样机正常老化时，突然没有输出。经过排查后，发现MOS管击穿且MOS管很烫，怀疑MOS烧坏，于是对其进行点温测试。以下是样机的测试图片：
& o0 Z4 b# T+ g6 }- n

点温测试：测试重要元器件的温度，该测试的元器件分别有三个IC（主控TT9930、XS2100S、同步CR85V25RSA）、MOS管、输入大电容、两个输出电容、变压器磁芯和变压器线圈。

1 [1 B$ L  s& Q% x  d6 |6 e9 {9 P

6 D" i! }% r( A3 F( r* X6 Q5 ~1 y如上图为测试环境，该测试在尽量密闭环境中进行，不会有大量空气流入，从而使得各元器件能快速达到温度平衡的状态。
# C; L& c( G8 P1 I1 |
  T7 l+ [( u/ ?7 H5 r8 C: J【解决思路】

2 H$ Y1 d0 X# e) B" W1 ^  l" n5 {1、重新设计电源

首先，分析导致温度过高的原因，对电源进行重新设计。可以采用更高效的散热解决方案，例如增加散热片表面积、改善风道设计等。

2、更换元器件
% u! y) G! _4 F
应优先选择低内阻、低损耗、高效率的元器件，同时可以适当增加元器件数量及规格。
7 C  O7 ~) ], x# j4 j
3、优化PCB布局

5 D0 F7 w, x  h/ D  `: f合理的PCB布局有助于减小电路电磁干扰，降低损耗和温升，减少系统噪声，提高抗干扰性。

; V/ t% W3 h$ g' L6 ~" ]! M4、优化散热设计

6 k" K0 Q& o  m通过优化散热设计来降低温度，如增加散热片面积、优化风道设计、增加风扇数量和转速等。
  Q# ], |; I/ @- p
5、加强制造与测试管理

" A& B# Z  s7 n% b6 [! J加强制造工艺控制和良品率管理，确保产品符合规范要求。并且加强产品的温升测试，在生产过程中对电源进行多次测试，及时发现不合格产品，以便及早调整。
4 b7 D5 s; J8 s+ ^
【调通要点】
! I* ?) K& O6 B

3 @/ q% ^5 L$ l) P- W/ N9 m如上图首先通过对各元器件进行点温，观察各元器件的温度变化，如图04号元器件为MOS管，点温才不到几分钟后，MOS的温度就达到了93.7度，而其它元器件温度较为正常，初步判定MOS管出现了问题。

如上图为再经过几分钟后的元器件温度（01-08为各元器件测试温度），继续观察。
% H1 C9 ]1 S0 Y/ [  y" }* a9 _
" i6 ^; _# C/ h# K5 {$ B

5 v* F0 P9 `: F1 Y5 q如上图可以明显看到，虽然所有的元器件（01-08为各元器件测试温度）温度都在持续上升，但都没有特别大的异常，唯独MOS高达116的温度，可以基本确定是MOS烧坏而导致样机老化时突然没有输出。

$ \, ]* L# H5 [. W* C: U【最终结果】

经过测试后发现，测试元器件的温度都在正常范围内，唯独MOS管的温度变化格外异常（01为输出电容、02为同步IC CR85V25RSA、03为变压器磁芯、04为MOS管、05为IC XS2100S、06为主控IC TT9930、07为输入电容、08为变压器线圈、09为环温），经过不断尝试更换一颗同规格但不同厂家的MOS管，然后再进行老化及温度测试，样机正常工作。以下为替换MOS后的温升测试图片：
) q! R% ~1 s) o+ q7 l" [

3 X6 N2 D# }8 n该图为样机老化6小时后的温度，各器件温度已经稳定，全都在合理范围内。04号MOS温度稳定在72.2度左右，离击穿温度还有很大的余量，完全满足客户需求。如果更换MOS后温度还是没有改善，则需要考虑是否为布局问题，可能要重新设计。
3 C1 f7 U4 A9 \
) O9 _2 O- V( h1 W