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本帖最后由 思睿达小妹妹 于 2023-6-21 10:23 编辑 3 r" x3 \. e, Q* v! m3 U2 m# y
# v4 P; z: U: z9 h2 j* {8 z( Q作者:屈工有话说1 `0 J! J5 W4 |( w( F
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PoE(Power over Ethernet)是一种有线以太网供电技术,网线传输数据的同时具备直流供电能力。全面应用于POE交换机、IP摄像头、IP电话、无线AP、便携设备充电器、刷卡机、数据采集等供需端产品。而TT9930是一款用于以太网供电系统(POE,power over Ethernet)的DC/DC控制器,采用原边控制模式,内置200V高压MOS,具有较高的系统效率。
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工程师在使用TT9930样机时发现,样机正常老化时,突然没有输出。经过排查后,怀疑MOS故障,本文将分享解决思路和要点。以下图片为该样机图片:- x6 B5 I6 p3 ?+ `4 w. @5 ]
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TT9930 样机图片 - p0 u0 m, J" x+ q! W1 h- _% ?
【应用】视频监控/无线AP/IP电话等
3 x# E1 |9 m0 w9 y0 x# b7 X$ d【规格】12V2A* z4 H, J+ J, M% K" L
【控制IC】TT99305 C1 r; v, _2 ~+ R5 J
3 R3 P- V9 V2 y; K$ }【问题描述】
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样机正常老化时,突然没有输出。经过排查后,发现MOS管击穿且MOS管很烫,怀疑MOS烧坏,于是对其进行点温测试。以下是样机的测试图片:) w0 O2 H* \7 m+ v
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点温测试:测试重要元器件的温度,该测试的元器件分别有三个IC(主控TT9930、XS2100S、同步CR85V25RSA)、MOS管、输入大电容、两个输出电容、变压器磁芯和变压器线圈。1 }( Y( ]* A7 f; X* ~* u; d% a! ]
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如上图为测试环境,该测试在尽量密闭环境中进行,不会有大量空气流入,从而使得各元器件能快速达到温度平衡的状态。
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1 u1 ]1 _" E2 ^: A* N( ^【解决思路】
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7 j" ]) m6 l) F: t/ V1、重新设计电源
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3 Q/ J" l! H* L/ e% o首先,分析导致温度过高的原因,对电源进行重新设计。可以采用更高效的散热解决方案,例如增加散热片表面积、改善风道设计等。
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! F: Z7 w+ V h1 B# t/ B2、更换元器件
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$ g1 J1 ^; `& y! P* Q应优先选择低内阻、低损耗、高效率的元器件,同时可以适当增加元器件数量及规格。
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3、优化PCB布局
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合理的PCB布局有助于减小电路电磁干扰,降低损耗和温升,减少系统噪声,提高抗干扰性。8 Q: }1 G' V. ^. N( M; U0 }# G6 j; R
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4、优化散热设计
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' B. J" e8 M$ J# N y$ M3 E+ I& c- i通过优化散热设计来降低温度,如增加散热片面积、优化风道设计、增加风扇数量和转速等。
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$ }0 n" l3 f" O6 ?5、加强制造与测试管理% H1 I k8 `( z( F1 F1 `
# J+ a& B* p( D5 @加强制造工艺控制和良品率管理,确保产品符合规范要求。并且加强产品的温升测试,在生产过程中对电源进行多次测试,及时发现不合格产品,以便及早调整。0 J; h& g8 v& c: S" Q
" x; \' j+ O& g/ L' }# F# O【调通要点】
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如上图首先通过对各元器件进行点温,观察各元器件的温度变化,如图04号元器件为MOS管,点温才不到几分钟后,MOS的温度就达到了93.7度,而其它元器件温度较为正常,初步判定MOS管出现了问题。. W) C/ X6 [ r7 z! L6 K
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如上图为再经过几分钟后的元器件温度(01-08为各元器件测试温度),继续观察。
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如上图可以明显看到,虽然所有的元器件(01-08为各元器件测试温度)温度都在持续上升,但都没有特别大的异常,唯独MOS高达116的温度,可以基本确定是MOS烧坏而导致样机老化时突然没有输出。6 h- a4 ~/ c1 s4 S9 P' Z0 c; H
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【最终结果】$ e* j$ |( s' y( m, A" J
& R0 u1 {: O) Y0 s/ M6 D经过测试后发现,测试元器件的温度都在正常范围内,唯独MOS管的温度变化格外异常(01为输出电容、02为同步IC CR85V25RSA、03为变压器磁芯、04为MOS管、05为IC XS2100S、06为主控IC TT9930、07为输入电容、08为变压器线圈、09为环温),经过不断尝试更换一颗同规格但不同厂家的MOS管,然后再进行老化及温度测试,样机正常工作。以下为替换MOS后的温升测试图片:
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& \, ?+ I, J8 K, ~9 R1 V, W0 j该图为样机老化6小时后的温度,各器件温度已经稳定,全都在合理范围内。04号MOS温度稳定在72.2度左右,离击穿温度还有很大的余量,完全满足客户需求。如果更换MOS后温度还是没有改善,则需要考虑是否为布局问题,可能要重新设计。; z* O! P: N$ z5 N. `% }
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