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PoE电源模块不输出?可能是MOS管故障,解决方法请拿走~

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发表于 2023-6-21 10:21:57 | 显示全部楼层 |阅读模式
本帖最后由 思睿达小妹妹 于 2023-6-21 10:23 编辑
4 y% |7 R. M6 }/ Z( F) {+ h+ {
5 z! j/ T7 Z- W作者:屈工有话说! K0 a. j4 ~% ?" ]3 V

( p% `6 d$ @* D& B3 c# F( S" dPoE(Power over Ethernet)是一种有线以太网供电技术,网线传输数据的同时具备直流供电能力。全面应用于POE交换机、IP摄像头、IP电话、无线AP、便携设备充电器、刷卡机、数据采集等供需端产品。而TT9930是一款用于以太网供电系统(POE,power over Ethernet)的DC/DC控制器,采用原边控制模式,内置200V高压MOS,具有较高的系统效率。' H9 }( }' `3 C

2 [% ~0 l. E7 U+ A; [; H% W5 N工程师在使用TT9930样机时发现,样机正常老化时,突然没有输出。经过排查后,怀疑MOS故障,本文将分享解决思路和要点。以下图片为该样机图片:
) @1 H8 v: R9 b) z0 K' x
' I* c: L4 S" r. b
TT9930 样机图片
! a. @+ h# p5 G' d$ j' J! X2 l
【应用】视频监控/无线AP/IP电话等
% ]9 O* Y( A6 k. G0 ?6 l" S【规格】12V2A7 |" V5 k/ K7 ^5 |/ t* P( R9 b/ K
【控制IC】TT9930: H4 w5 n: z9 k1 F. o3 [
5 P  C( d' b( r; g; U3 Q' r
【问题描述】
! F9 Z1 F5 ~6 j, [& C4 \$ V  Q+ o- R) z) s- {. l
样机正常老化时,突然没有输出。经过排查后,发现MOS管击穿且MOS管很烫,怀疑MOS烧坏,于是对其进行点温测试。以下是样机的测试图片:
5 o  d( h% N6 Z1 S
/ U( _) R& g" o. O

! @& j. Z) o6 j, @- z. j8 _' c4 z- W点温测试:测试重要元器件的温度,该测试的元器件分别有三个IC(主控TT9930、XS2100S、同步CR85V25RSA)、MOS管、输入大电容、两个输出电容、变压器磁芯和变压器线圈。
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' S3 L; d8 N  n) @4 y% r
如上图为测试环境,该测试在尽量密闭环境中进行,不会有大量空气流入,从而使得各元器件能快速达到温度平衡的状态。
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【解决思路】
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1、重新设计电源
+ [1 p) J$ M; z1 G
2 l( [7 l* N! P* d首先,分析导致温度过高的原因,对电源进行重新设计。可以采用更高效的散热解决方案,例如增加散热片表面积、改善风道设计等。! T. K6 A3 R) |+ A
+ m( S4 P! P/ ~2 Y
2、更换元器件
# @' k5 v1 |; ^, U: U
5 j3 Q& P  `% t; o3 u/ Y  p应优先选择低内阻、低损耗、高效率的元器件,同时可以适当增加元器件数量及规格。# e) C5 ~4 A( S' S

! Z3 G$ G7 W' N9 m+ G4 ]5 @; G( k3、优化PCB布局
; M$ T  m+ Q% K' X. d! v7 J
# {, L+ ]2 O; k9 o1 M* }合理的PCB布局有助于减小电路电磁干扰,降低损耗和温升,减少系统噪声,提高抗干扰性。
4 ], O# _$ H+ _2 O0 Q* p6 d* @- f% {% v  G( f
4、优化散热设计
' W# X, ^. u7 ^; z8 D
1 p8 M3 n( G% X; C0 a' M通过优化散热设计来降低温度,如增加散热片面积、优化风道设计、增加风扇数量和转速等。9 P4 P& b+ v- G8 W$ A

2 r- d7 t" }0 Z: o# y5、加强制造与测试管理. B3 h& U9 t% v) E# x" \5 I1 S
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加强制造工艺控制和良品率管理,确保产品符合规范要求。并且加强产品的温升测试,在生产过程中对电源进行多次测试,及时发现不合格产品,以便及早调整。  J5 Y& F, Q, Q8 F, o8 |+ h& c

* l& Q& X( ?! K3 ?【调通要点】* y% k, E6 n* r( Z* i$ V! O
( l7 r/ d( p. A3 y# x
如上图首先通过对各元器件进行点温,观察各元器件的温度变化,如图04号元器件为MOS管,点温才不到几分钟后,MOS的温度就达到了93.7度,而其它元器件温度较为正常,初步判定MOS管出现了问题。* B( d0 O9 b- w; ~0 q! }

  l+ T' J" |# d. }

+ ]6 a; u* ^3 c! N/ \9 g如上图为再经过几分钟后的元器件温度(01-08为各元器件测试温度),继续观察。
" \4 i8 k5 Q2 Y/ U- v+ @: f7 r
+ ~! o0 g1 z4 x4 t: K
, [( m4 X: F7 ]7 D2 y2 F: p
如上图可以明显看到,虽然所有的元器件(01-08为各元器件测试温度)温度都在持续上升,但都没有特别大的异常,唯独MOS高达116的温度,可以基本确定是MOS烧坏而导致样机老化时突然没有输出。& Z7 l+ v+ j4 \2 v2 H
1 m& [& }/ Z, ~& c1 `9 ]0 n4 z
【最终结果】
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经过测试后发现,测试元器件的温度都在正常范围内,唯独MOS管的温度变化格外异常(01为输出电容、02为同步IC CR85V25RSA、03为变压器磁芯、04为MOS管、05为IC XS2100S、06为主控IC TT9930、07为输入电容、08为变压器线圈、09为环温),经过不断尝试更换一颗同规格但不同厂家的MOS管,然后再进行老化及温度测试,样机正常工作。以下为替换MOS后的温升测试图片:
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. ?! x& G/ z( X$ k  }该图为样机老化6小时后的温度,各器件温度已经稳定,全都在合理范围内。04号MOS温度稳定在72.2度左右,离击穿温度还有很大的余量,完全满足客户需求。如果更换MOS后温度还是没有改善,则需要考虑是否为布局问题,可能要重新设计。
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