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PoE电源模块不输出?可能是MOS管故障,解决方法请拿走~

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发表于 2023-6-21 10:21:57 | 显示全部楼层 |阅读模式
本帖最后由 思睿达小妹妹 于 2023-6-21 10:23 编辑 8 T& ?; [* u- N! ~$ g  u4 ~% M
: m4 C1 I' z5 t5 [  A
作者:屈工有话说0 s" r- Q7 [$ f. D( `$ m
, s& P1 S9 X1 Q& H9 f3 X) z7 s
PoE(Power over Ethernet)是一种有线以太网供电技术,网线传输数据的同时具备直流供电能力。全面应用于POE交换机、IP摄像头、IP电话、无线AP、便携设备充电器、刷卡机、数据采集等供需端产品。而TT9930是一款用于以太网供电系统(POE,power over Ethernet)的DC/DC控制器,采用原边控制模式,内置200V高压MOS,具有较高的系统效率。! g) g  i; A; _, K* ~

3 W$ R  b" ]0 o4 C$ D" }工程师在使用TT9930样机时发现,样机正常老化时,突然没有输出。经过排查后,怀疑MOS故障,本文将分享解决思路和要点。以下图片为该样机图片:
$ U. s8 `2 U+ T9 [
5 B( H% Y# X& E% D0 x, }  ~# D* T
TT9930 样机图片
5 z: b& y" V3 B; U% G$ E
【应用】视频监控/无线AP/IP电话等) |1 a& O# V; l0 y- e
【规格】12V2A( P( b5 j! R; p3 n# x
【控制IC】TT9930
7 `2 S& Y! ]1 m  u4 j4 @
5 X- G& i$ v9 S【问题描述】
2 {  Z- U6 j5 K6 Y% q1 |- H% {4 j' j. Q- w, W" J9 u; K" ]( v
样机正常老化时,突然没有输出。经过排查后,发现MOS管击穿且MOS管很烫,怀疑MOS烧坏,于是对其进行点温测试。以下是样机的测试图片:
& V$ b) j+ R0 r" m; V; i; C4 c" w4 t1 w9 i# L' p

# T) j& P+ S9 D( {& j0 }4 R# v( d点温测试:测试重要元器件的温度,该测试的元器件分别有三个IC(主控TT9930、XS2100S、同步CR85V25RSA)、MOS管、输入大电容、两个输出电容、变压器磁芯和变压器线圈。
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+ w1 \5 d" a# D2 \4 _9 D  {如上图为测试环境,该测试在尽量密闭环境中进行,不会有大量空气流入,从而使得各元器件能快速达到温度平衡的状态。$ e- R/ U. q! r7 k& m

$ g+ G5 \8 N( J9 F  b【解决思路】' Q! v2 ?! W# ?

" k$ |+ T8 w  Z5 |  s1、重新设计电源
( l- r9 _  R2 ]. \- q- }
. {0 l8 O( U* N8 d( j首先,分析导致温度过高的原因,对电源进行重新设计。可以采用更高效的散热解决方案,例如增加散热片表面积、改善风道设计等。5 B# H6 ^! c3 ?% j  \7 }, U- r

0 @( F! I# c, }% }; K! F4 ?  O. u2、更换元器件/ A- O6 I0 w  j- s
1 `/ m" @0 H* Z' u$ A  l
应优先选择低内阻、低损耗、高效率的元器件,同时可以适当增加元器件数量及规格。6 R- D5 c' I: ]# L

4 q  d- O2 P/ Q6 y$ ^/ X% E3、优化PCB布局
6 s& Q, f1 E" v. X' T3 ~: b
* p" a! d/ C% @5 U合理的PCB布局有助于减小电路电磁干扰,降低损耗和温升,减少系统噪声,提高抗干扰性。
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4、优化散热设计
) Z3 ?$ f; C2 N% f) c# x8 R
( c$ b4 {7 e+ Q6 J3 o+ R- u3 n" h通过优化散热设计来降低温度,如增加散热片面积、优化风道设计、增加风扇数量和转速等。- l5 c6 g3 B9 ?5 _
- M- S# m# X) O# W. {
5、加强制造与测试管理
5 {: E8 k" k5 t$ \# q& W  }! P0 I+ p  Z* h" {/ y$ P7 l
加强制造工艺控制和良品率管理,确保产品符合规范要求。并且加强产品的温升测试,在生产过程中对电源进行多次测试,及时发现不合格产品,以便及早调整。
7 i6 s3 j* q9 |/ J2 r: @& }2 j
, S% ]- u7 u4 k8 J/ D" J  V【调通要点】
# J  C8 |5 n" s! `/ W

6 v  E6 K! n- n1 H/ Y如上图首先通过对各元器件进行点温,观察各元器件的温度变化,如图04号元器件为MOS管,点温才不到几分钟后,MOS的温度就达到了93.7度,而其它元器件温度较为正常,初步判定MOS管出现了问题。
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8 W, y2 N& ^1 o0 @/ W+ Q; b
0 {1 ?* j0 O- a# [& |0 ]
如上图为再经过几分钟后的元器件温度(01-08为各元器件测试温度),继续观察。4 b1 D' ^2 o' z% |7 m9 c

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* M" U8 s; q# C6 F. v6 R
如上图可以明显看到,虽然所有的元器件(01-08为各元器件测试温度)温度都在持续上升,但都没有特别大的异常,唯独MOS高达116的温度,可以基本确定是MOS烧坏而导致样机老化时突然没有输出。
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【最终结果】- a; G: U$ Q& T6 G- O
  e$ Q& Y$ c6 V4 _
经过测试后发现,测试元器件的温度都在正常范围内,唯独MOS管的温度变化格外异常(01为输出电容、02为同步IC CR85V25RSA、03为变压器磁芯、04为MOS管、05为IC XS2100S、06为主控IC TT9930、07为输入电容、08为变压器线圈、09为环温),经过不断尝试更换一颗同规格但不同厂家的MOS管,然后再进行老化及温度测试,样机正常工作。以下为替换MOS后的温升测试图片:. d) _/ T- e  U; {% @
; a* S6 h' y1 y

: K- M7 n0 Y/ M( P" [该图为样机老化6小时后的温度,各器件温度已经稳定,全都在合理范围内。04号MOS温度稳定在72.2度左右,离击穿温度还有很大的余量,完全满足客户需求。如果更换MOS后温度还是没有改善,则需要考虑是否为布局问题,可能要重新设计。% h$ x! d' G1 J$ i9 [, t
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