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PoE电源模块不输出?可能是MOS管故障,解决方法请拿走~

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发表于 2023-6-21 10:21:57 | 显示全部楼层 |阅读模式
本帖最后由 思睿达小妹妹 于 2023-6-21 10:23 编辑
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6 `+ P8 z) ^% y9 H/ [& }作者:屈工有话说. D, _, y1 p! i7 N
; d1 ?; B+ ^# }( y4 @: c
PoE(Power over Ethernet)是一种有线以太网供电技术,网线传输数据的同时具备直流供电能力。全面应用于POE交换机、IP摄像头、IP电话、无线AP、便携设备充电器、刷卡机、数据采集等供需端产品。而TT9930是一款用于以太网供电系统(POE,power over Ethernet)的DC/DC控制器,采用原边控制模式,内置200V高压MOS,具有较高的系统效率。  P* n  T; v! X* r* m5 z

8 C! [1 E9 I/ T! j' U工程师在使用TT9930样机时发现,样机正常老化时,突然没有输出。经过排查后,怀疑MOS故障,本文将分享解决思路和要点。以下图片为该样机图片:
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. D' r3 x# N$ X) J! y3 {- ^) |' P6 O
TT9930 样机图片

1 ^  F9 L( w* @: V  K1 U【应用】视频监控/无线AP/IP电话等2 p+ q  `. @) l6 d
【规格】12V2A- A: i5 ~% l8 B# N
【控制IC】TT9930. Y* D4 W' o9 q; B7 u" |
5 c3 b8 X1 l" D% o5 b
【问题描述】' b" C0 n- c( W# ?5 ]" Q% B
! {% _# H$ U; D. G( [* z7 @
样机正常老化时,突然没有输出。经过排查后,发现MOS管击穿且MOS管很烫,怀疑MOS烧坏,于是对其进行点温测试。以下是样机的测试图片:
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. m* l$ t8 o" I( _点温测试:测试重要元器件的温度,该测试的元器件分别有三个IC(主控TT9930、XS2100S、同步CR85V25RSA)、MOS管、输入大电容、两个输出电容、变压器磁芯和变压器线圈。
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" Q3 o1 Y) O% V% t. y$ v7 z: j
1 ]3 u) o6 x: {- N  O
如上图为测试环境,该测试在尽量密闭环境中进行,不会有大量空气流入,从而使得各元器件能快速达到温度平衡的状态。' }$ f( H6 K' P+ t

5 b) O) Z; ~8 y2 }% l# }【解决思路】
; R* x% }5 P* j( e: [2 Q% y$ i" l
$ @' `- h# R/ _, J. g1、重新设计电源
9 X. y" N" H0 Y% J# r! D2 X
; @* O- A8 v+ F* a- Y0 p, m6 O首先,分析导致温度过高的原因,对电源进行重新设计。可以采用更高效的散热解决方案,例如增加散热片表面积、改善风道设计等。2 j) E5 O+ ]  q( v; i
3 I+ a# N. g  K4 I2 X9 V
2、更换元器件, J9 b  }% h. V6 |) Z& q6 g

- O" l7 @( S# w$ x应优先选择低内阻、低损耗、高效率的元器件,同时可以适当增加元器件数量及规格。
4 H5 T  b0 v5 t' N* T/ Z* J/ A
) {- b3 K% f% t* ~3、优化PCB布局
+ r) Y, x9 x$ U4 p; C; V6 Q. y0 o- P' v! A6 ^# c2 b
合理的PCB布局有助于减小电路电磁干扰,降低损耗和温升,减少系统噪声,提高抗干扰性。" w7 D8 Z; i% B6 t4 j) A2 ]

. B( Q2 S- I  S1 o' Z1 `4、优化散热设计4 P- X) S5 F, r% @9 L9 A# r

" `6 M+ l+ R9 f! Y5 ?0 m- ?通过优化散热设计来降低温度,如增加散热片面积、优化风道设计、增加风扇数量和转速等。
  n5 U9 u" y: K4 V: }8 R
# W# L+ X& f% V+ [# m* m& I" \! y5、加强制造与测试管理
' P" \. b9 f8 g, n) K% c# E
/ S9 o6 i6 `' `; D; c加强制造工艺控制和良品率管理,确保产品符合规范要求。并且加强产品的温升测试,在生产过程中对电源进行多次测试,及时发现不合格产品,以便及早调整。
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【调通要点】5 A, _. K. t# _! G
, f8 t" d- R4 k6 q- X  I
如上图首先通过对各元器件进行点温,观察各元器件的温度变化,如图04号元器件为MOS管,点温才不到几分钟后,MOS的温度就达到了93.7度,而其它元器件温度较为正常,初步判定MOS管出现了问题。& x7 w0 X% J4 P& u0 U% b+ D/ S
& N5 N9 V; j8 ?" P) |

2 b8 ^' M4 _( }# |- t; k& g如上图为再经过几分钟后的元器件温度(01-08为各元器件测试温度),继续观察。4 n7 L; c: j: z. i; t5 y

1 x; j4 @4 u" C. w5 b, S) U1 f0 ^7 a
6 n) q" K$ u" q7 K" ^
如上图可以明显看到,虽然所有的元器件(01-08为各元器件测试温度)温度都在持续上升,但都没有特别大的异常,唯独MOS高达116的温度,可以基本确定是MOS烧坏而导致样机老化时突然没有输出。' k6 O4 m* w6 C' F% F

& b7 ?1 Z8 K. p& s2 O+ p+ ?+ ?【最终结果】
1 K- _7 m! O3 x8 c5 n0 \' y8 @9 D. h
经过测试后发现,测试元器件的温度都在正常范围内,唯独MOS管的温度变化格外异常(01为输出电容、02为同步IC CR85V25RSA、03为变压器磁芯、04为MOS管、05为IC XS2100S、06为主控IC TT9930、07为输入电容、08为变压器线圈、09为环温),经过不断尝试更换一颗同规格但不同厂家的MOS管,然后再进行老化及温度测试,样机正常工作。以下为替换MOS后的温升测试图片:
: I+ U) U8 k5 {1 W& P, G5 p) w9 S( ?# U7 G$ b1 g) ^- V
) \- J# F& F6 Y, L, C' X# O1 K
该图为样机老化6小时后的温度,各器件温度已经稳定,全都在合理范围内。04号MOS温度稳定在72.2度左右,离击穿温度还有很大的余量,完全满足客户需求。如果更换MOS后温度还是没有改善,则需要考虑是否为布局问题,可能要重新设计。2 E! ]: L; y; {; k$ N

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