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PoE电源模块不输出?可能是MOS管故障,解决方法请拿走~

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发表于 2023-6-21 10:21:57 | 显示全部楼层 |阅读模式
本帖最后由 思睿达小妹妹 于 2023-6-21 10:23 编辑
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作者:屈工有话说* `/ W! [: ?" Z" U% _
! r5 ]: D$ e7 e0 g; x
PoE(Power over Ethernet)是一种有线以太网供电技术,网线传输数据的同时具备直流供电能力。全面应用于POE交换机、IP摄像头、IP电话、无线AP、便携设备充电器、刷卡机、数据采集等供需端产品。而TT9930是一款用于以太网供电系统(POE,power over Ethernet)的DC/DC控制器,采用原边控制模式,内置200V高压MOS,具有较高的系统效率。
( R! C% J5 P. v0 W& j
" {1 {* ?, P7 v, \$ X4 F工程师在使用TT9930样机时发现,样机正常老化时,突然没有输出。经过排查后,怀疑MOS故障,本文将分享解决思路和要点。以下图片为该样机图片:
. B$ }7 i% _( {0 X4 Q' i6 q7 N7 d  y) e' `' L
TT9930 样机图片
8 C& x  r" D$ h2 y' G0 V" {9 {& J
【应用】视频监控/无线AP/IP电话等- J" X$ S( |' c* V( ^: m% ~+ _
【规格】12V2A6 n  O- p. u0 R' ~9 p6 I+ q
【控制IC】TT99303 ~5 p, ]# D2 `4 \' Y. A1 ]  y
* Q! P. y% Z- Q7 q
【问题描述】
0 B' m  P6 e6 |! J$ W0 }; s  W# x9 {
6 a- ]' u) `6 L6 Q! e- }8 ?样机正常老化时,突然没有输出。经过排查后,发现MOS管击穿且MOS管很烫,怀疑MOS烧坏,于是对其进行点温测试。以下是样机的测试图片:/ d7 z0 {: H$ i0 _% ]# j% r$ l
5 |8 F+ C. K1 e: H

& @5 i0 K# Z6 x* `点温测试:测试重要元器件的温度,该测试的元器件分别有三个IC(主控TT9930、XS2100S、同步CR85V25RSA)、MOS管、输入大电容、两个输出电容、变压器磁芯和变压器线圈。3 b2 C; u8 {5 O+ y) x

) d1 K8 q3 o8 D& N8 G5 m

( y  G0 q% M. E8 U9 ~: V如上图为测试环境,该测试在尽量密闭环境中进行,不会有大量空气流入,从而使得各元器件能快速达到温度平衡的状态。/ I' N! _, r% u) H8 R4 z$ n1 u

. S( R8 _  d5 L2 l8 h1 t# Q% I【解决思路】9 C  w7 c- W9 q% d! b" a5 c% _
' w* G5 W- z. x# \
1、重新设计电源( y1 H  c' _+ _% c% ~) N3 }
9 b0 Q, q4 I9 r0 N. Q
首先,分析导致温度过高的原因,对电源进行重新设计。可以采用更高效的散热解决方案,例如增加散热片表面积、改善风道设计等。8 Y1 ~1 `+ o/ D( p  \. v! L
+ t7 T) w6 \! ~7 @* X. c4 ~0 c
2、更换元器件
) s, h$ J9 T9 r
3 U: l! a( b9 p- S4 |  o/ {9 Y  q应优先选择低内阻、低损耗、高效率的元器件,同时可以适当增加元器件数量及规格。
4 j) p; [- |3 R! I( W# H  q# N" j
) {  s0 _3 R3 D2 r- V! n" p3、优化PCB布局
8 M. _. L, V- Q$ i- P" y- L& N. Q* G1 u+ V
合理的PCB布局有助于减小电路电磁干扰,降低损耗和温升,减少系统噪声,提高抗干扰性。8 C  @0 ~* s& S% s8 z9 l: ]3 V; H

1 g& i. P# _/ w& J: y% W4、优化散热设计9 m2 l; k! Q* j: g7 B+ ]
* h$ u6 C8 B$ I* D( v. U
通过优化散热设计来降低温度,如增加散热片面积、优化风道设计、增加风扇数量和转速等。
8 J5 o! D$ }6 A: ?+ m  L9 B
( h. |  ^7 d% I! L5、加强制造与测试管理
2 r$ i. [) g2 j9 r% T2 M7 H  A4 g; Q4 i' N  x  o
加强制造工艺控制和良品率管理,确保产品符合规范要求。并且加强产品的温升测试,在生产过程中对电源进行多次测试,及时发现不合格产品,以便及早调整。* A- ?2 o) ^% K4 _

, i- A& W" J! o; A+ Y【调通要点】
5 n3 `8 e# n6 ?0 Q! @6 Z' C* N

% T) g3 a9 ]/ Q  O0 n如上图首先通过对各元器件进行点温,观察各元器件的温度变化,如图04号元器件为MOS管,点温才不到几分钟后,MOS的温度就达到了93.7度,而其它元器件温度较为正常,初步判定MOS管出现了问题。; F, u8 Q0 p$ Y4 g2 N% p
' W) e% J) W% \' M3 @/ Z: p' ]

) K  j/ Z- E( k3 d! n如上图为再经过几分钟后的元器件温度(01-08为各元器件测试温度),继续观察。. B: v$ ^# a! g% t* n  ?$ E0 E* ?1 C

  n: i* h+ d+ y

7 J: Q( ~0 G0 G2 H* k- r如上图可以明显看到,虽然所有的元器件(01-08为各元器件测试温度)温度都在持续上升,但都没有特别大的异常,唯独MOS高达116的温度,可以基本确定是MOS烧坏而导致样机老化时突然没有输出。+ z- ^. b& N. I+ z
' D& |0 U, g4 ^, J
【最终结果】  m/ K  j! |/ I' U4 d2 \9 E+ T$ {/ ]
" h% T" n( ^! \. j! q. K/ n& \
经过测试后发现,测试元器件的温度都在正常范围内,唯独MOS管的温度变化格外异常(01为输出电容、02为同步IC CR85V25RSA、03为变压器磁芯、04为MOS管、05为IC XS2100S、06为主控IC TT9930、07为输入电容、08为变压器线圈、09为环温),经过不断尝试更换一颗同规格但不同厂家的MOS管,然后再进行老化及温度测试,样机正常工作。以下为替换MOS后的温升测试图片:
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( Y, P$ O, r) u9 W2 j3 v
/ P, j$ b6 k: A  B( s+ j
该图为样机老化6小时后的温度,各器件温度已经稳定,全都在合理范围内。04号MOS温度稳定在72.2度左右,离击穿温度还有很大的余量,完全满足客户需求。如果更换MOS后温度还是没有改善,则需要考虑是否为布局问题,可能要重新设计。7 Z# B9 p( g1 A' L

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