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本帖最后由 思睿达小妹妹 于 2023-6-21 10:23 编辑 7 P9 }. M( `. u5 V' j& `& _
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作者:屈工有话说
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PoE(Power over Ethernet)是一种有线以太网供电技术,网线传输数据的同时具备直流供电能力。全面应用于POE交换机、IP摄像头、IP电话、无线AP、便携设备充电器、刷卡机、数据采集等供需端产品。而TT9930是一款用于以太网供电系统(POE,power over Ethernet)的DC/DC控制器,采用原边控制模式,内置200V高压MOS,具有较高的系统效率。
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P' u( @& x+ G/ f' ^6 V+ ]工程师在使用TT9930样机时发现,样机正常老化时,突然没有输出。经过排查后,怀疑MOS故障,本文将分享解决思路和要点。以下图片为该样机图片:
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TT9930 样机图片 + |. a8 L# G: I& I- `( ^
【应用】视频监控/无线AP/IP电话等, J" b5 E$ F+ O! j% ~. w
【规格】12V2A
: }4 Z3 o2 m4 ^0 r0 c【控制IC】TT9930
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- U5 h4 P, @; Z7 S# L# ~. r【问题描述】* g3 \/ [3 `9 p
( k6 [, L# r, q+ F$ S- `样机正常老化时,突然没有输出。经过排查后,发现MOS管击穿且MOS管很烫,怀疑MOS烧坏,于是对其进行点温测试。以下是样机的测试图片:
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点温测试:测试重要元器件的温度,该测试的元器件分别有三个IC(主控TT9930、XS2100S、同步CR85V25RSA)、MOS管、输入大电容、两个输出电容、变压器磁芯和变压器线圈。' s1 }1 h" R) K% m# \, N3 P' F
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如上图为测试环境,该测试在尽量密闭环境中进行,不会有大量空气流入,从而使得各元器件能快速达到温度平衡的状态。- e# w! z, v/ Q7 ~$ Y- L
7 w" T, l$ T& l& a3 n! O0 M) k9 p【解决思路】; O2 l' H8 p! Y4 t j
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1、重新设计电源
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" ?3 ?* n$ g4 [9 K首先,分析导致温度过高的原因,对电源进行重新设计。可以采用更高效的散热解决方案,例如增加散热片表面积、改善风道设计等。: Z x; {4 H4 w P- W6 L% o
1 I/ }4 j' |$ X9 M: V. c1 a2、更换元器件" P6 @4 T1 L# f1 R3 e; g
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应优先选择低内阻、低损耗、高效率的元器件,同时可以适当增加元器件数量及规格。- P/ C' p! v1 Y4 o x1 j# H, L
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3、优化PCB布局
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1 K$ v7 |8 _- [/ c合理的PCB布局有助于减小电路电磁干扰,降低损耗和温升,减少系统噪声,提高抗干扰性。
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4、优化散热设计
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通过优化散热设计来降低温度,如增加散热片面积、优化风道设计、增加风扇数量和转速等。6 ^4 K& j4 v) V' A1 a \& ]8 V4 C
. b9 k% p2 F, @1 V/ w8 A" u5、加强制造与测试管理
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加强制造工艺控制和良品率管理,确保产品符合规范要求。并且加强产品的温升测试,在生产过程中对电源进行多次测试,及时发现不合格产品,以便及早调整。, A& s1 f3 y6 Q
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【调通要点】
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如上图首先通过对各元器件进行点温,观察各元器件的温度变化,如图04号元器件为MOS管,点温才不到几分钟后,MOS的温度就达到了93.7度,而其它元器件温度较为正常,初步判定MOS管出现了问题。. t0 P k0 C( N& n( T3 z
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, m4 m% D# N# j5 E6 q5 E" F" i如上图为再经过几分钟后的元器件温度(01-08为各元器件测试温度),继续观察。% S# ^) H) P: O y/ m+ e- ]
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如上图可以明显看到,虽然所有的元器件(01-08为各元器件测试温度)温度都在持续上升,但都没有特别大的异常,唯独MOS高达116的温度,可以基本确定是MOS烧坏而导致样机老化时突然没有输出。1 r" y! s% [6 K {! L7 Y t
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【最终结果】7 U' S" I( U. ^' [6 E6 b
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经过测试后发现,测试元器件的温度都在正常范围内,唯独MOS管的温度变化格外异常(01为输出电容、02为同步IC CR85V25RSA、03为变压器磁芯、04为MOS管、05为IC XS2100S、06为主控IC TT9930、07为输入电容、08为变压器线圈、09为环温),经过不断尝试更换一颗同规格但不同厂家的MOS管,然后再进行老化及温度测试,样机正常工作。以下为替换MOS后的温升测试图片:; N. ]9 H9 F9 t2 l5 U7 T
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~6 v4 t ^4 t' P' I/ A该图为样机老化6小时后的温度,各器件温度已经稳定,全都在合理范围内。04号MOS温度稳定在72.2度左右,离击穿温度还有很大的余量,完全满足客户需求。如果更换MOS后温度还是没有改善,则需要考虑是否为布局问题,可能要重新设计。
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