|
|
本帖最后由 思睿达小妹妹 于 2023-6-21 10:23 编辑
: ^. K1 Y0 k; n- ^* V* w: f ~ f/ D: s3 P9 j- `' H6 S
作者:屈工有话说
" i$ G4 s& n0 \; j5 A. m0 r2 k
1 K! F) E- X9 N9 G( d! sPoE(Power over Ethernet)是一种有线以太网供电技术,网线传输数据的同时具备直流供电能力。全面应用于POE交换机、IP摄像头、IP电话、无线AP、便携设备充电器、刷卡机、数据采集等供需端产品。而TT9930是一款用于以太网供电系统(POE,power over Ethernet)的DC/DC控制器,采用原边控制模式,内置200V高压MOS,具有较高的系统效率。
p7 Z- f$ I4 V& C. ^! E( J7 C( i* S: ?$ T6 h& Z
工程师在使用TT9930样机时发现,样机正常老化时,突然没有输出。经过排查后,怀疑MOS故障,本文将分享解决思路和要点。以下图片为该样机图片:
" F. i9 l. j& v9 c2 Z& c1 t; `% ^# M" f, k' d; Y. `
TT9930 样机图片 . x) E0 `& _: ?! A* Q% C6 v
【应用】视频监控/无线AP/IP电话等2 ?# S" p9 F. q
【规格】12V2A
. p+ w" H \7 g- @【控制IC】TT9930
4 u8 b0 }$ Z3 }+ P! | T$ ^2 @4 E5 H, F4 E1 Y i1 A
【问题描述】- c$ o0 _5 T3 v+ j
7 B( ~) J' H" \3 G" C! K- p9 O5 Y) M样机正常老化时,突然没有输出。经过排查后,发现MOS管击穿且MOS管很烫,怀疑MOS烧坏,于是对其进行点温测试。以下是样机的测试图片:$ Y8 H3 X8 B4 w% ]) Z4 Z
' v) s9 R! Q" [4 _ ~# b
4 f9 n) {+ A+ a: Y点温测试:测试重要元器件的温度,该测试的元器件分别有三个IC(主控TT9930、XS2100S、同步CR85V25RSA)、MOS管、输入大电容、两个输出电容、变压器磁芯和变压器线圈。& k2 J; w' Y( s7 D
- I6 T) z9 l8 l! K0 @5 u n( ^8 |
. z( m/ _6 c7 o7 r3 N3 r5 P4 X; ?如上图为测试环境,该测试在尽量密闭环境中进行,不会有大量空气流入,从而使得各元器件能快速达到温度平衡的状态。
3 m( T& o9 L7 @% F. u6 I) E5 @3 `0 c @5 g: p3 Z6 H
【解决思路】
5 A; }4 a5 s# d0 Q* { |
# T# p _, }1 G0 J1、重新设计电源
$ a; {( H( W' W6 O. U7 G3 q$ s' |, E3 _% y
首先,分析导致温度过高的原因,对电源进行重新设计。可以采用更高效的散热解决方案,例如增加散热片表面积、改善风道设计等。
, C1 h' ^0 ?2 Q9 Z4 {+ N2 w* n9 b( k. G& \. a' p3 |
2、更换元器件
9 m9 t; O' Z& Z$ ?: H- s5 \' A6 G4 g& P# t* d0 z) Z: `
应优先选择低内阻、低损耗、高效率的元器件,同时可以适当增加元器件数量及规格。
! |. H" P' c& w) L' Q0 N: _) z _, N+ o+ T# w2 O+ @6 ?
3、优化PCB布局9 q7 Y) P$ T& q: R8 D% h
: D7 `1 d: g3 u, z( Q
合理的PCB布局有助于减小电路电磁干扰,降低损耗和温升,减少系统噪声,提高抗干扰性。
$ B& y- f0 n' i1 n
* x4 h4 F5 O4 ]' l' ?: J4、优化散热设计
0 T* g: q& N v, e7 n
* f3 e& F# l+ e5 A2 W通过优化散热设计来降低温度,如增加散热片面积、优化风道设计、增加风扇数量和转速等。
; N5 p, S2 |+ X/ C8 ~6 H5 L6 x9 Q1 v+ k3 d; S9 z- N& y; b; R
5、加强制造与测试管理
. T5 t1 j( {+ E# s9 U7 `; H* p# t: j/ a1 k( O& n/ n* Z
加强制造工艺控制和良品率管理,确保产品符合规范要求。并且加强产品的温升测试,在生产过程中对电源进行多次测试,及时发现不合格产品,以便及早调整。. ]* T4 i- F' F* G
. ~3 {4 b" X) Q. @0 G) m1 V
【调通要点】
& {0 w4 c3 ]5 s9 S
1 T! S1 p: ~# e) }如上图首先通过对各元器件进行点温,观察各元器件的温度变化,如图04号元器件为MOS管,点温才不到几分钟后,MOS的温度就达到了93.7度,而其它元器件温度较为正常,初步判定MOS管出现了问题。$ {% e/ L* h7 T5 l/ h$ X- a' V) L
. ] C9 n$ i1 p$ P' p/ R3 H$ M8 Q
, d1 q5 G6 N3 c8 R% ?如上图为再经过几分钟后的元器件温度(01-08为各元器件测试温度),继续观察。4 @' i8 S$ V) G; i
1 N3 d/ V4 x/ s
: l8 }! \6 R! q% R+ D
如上图可以明显看到,虽然所有的元器件(01-08为各元器件测试温度)温度都在持续上升,但都没有特别大的异常,唯独MOS高达116的温度,可以基本确定是MOS烧坏而导致样机老化时突然没有输出。% f6 r8 W* R/ _+ M2 I: ~# y0 o9 l
* q0 R4 Z: Y2 [5 V' ~0 E( i【最终结果】4 w) J p; Z6 _; r% `
+ q2 {6 C/ j6 m" l" }/ H
经过测试后发现,测试元器件的温度都在正常范围内,唯独MOS管的温度变化格外异常(01为输出电容、02为同步IC CR85V25RSA、03为变压器磁芯、04为MOS管、05为IC XS2100S、06为主控IC TT9930、07为输入电容、08为变压器线圈、09为环温),经过不断尝试更换一颗同规格但不同厂家的MOS管,然后再进行老化及温度测试,样机正常工作。以下为替换MOS后的温升测试图片:
* h$ s1 x& c0 s6 }" e0 q
3 Q! M. C& m- c4 G, `6 S6 [) w: R* v5 a( g
该图为样机老化6小时后的温度,各器件温度已经稳定,全都在合理范围内。04号MOS温度稳定在72.2度左右,离击穿温度还有很大的余量,完全满足客户需求。如果更换MOS后温度还是没有改善,则需要考虑是否为布局问题,可能要重新设计。% @2 m! f. L% E) d& R& {$ l5 A
0 A( I* m- }( {) z+ a8 v
|
本帖子中包含更多资源
您需要 登录 才可以下载或查看,没有帐号?注册
x
|