|
|
本帖最后由 思睿达小妹妹 于 2023-6-21 10:23 编辑 6 V- k- R4 K1 |+ f1 t1 l. z
G5 x. X! R& J$ s/ }, z作者:屈工有话说
2 L2 z0 L) G9 b. r+ M0 E8 ^, q/ c- P0 Z7 B) Y! D0 { `
PoE(Power over Ethernet)是一种有线以太网供电技术,网线传输数据的同时具备直流供电能力。全面应用于POE交换机、IP摄像头、IP电话、无线AP、便携设备充电器、刷卡机、数据采集等供需端产品。而TT9930是一款用于以太网供电系统(POE,power over Ethernet)的DC/DC控制器,采用原边控制模式,内置200V高压MOS,具有较高的系统效率。
0 x: V* m4 y6 ]* _4 ]4 I1 Z+ z3 w) Q( u
工程师在使用TT9930样机时发现,样机正常老化时,突然没有输出。经过排查后,怀疑MOS故障,本文将分享解决思路和要点。以下图片为该样机图片:% {; ^3 Q' x* f0 D
1 B* |2 m( j. `. c XTT9930 样机图片
9 L8 q7 A$ u6 m3 r& b【应用】视频监控/无线AP/IP电话等
# x1 {; k3 N! q2 e) f【规格】12V2A
0 e0 e K* e f4 Y【控制IC】TT99307 {; @' K# f3 o
# _$ c& J9 V$ ^2 M【问题描述】) O' N' V( P7 a$ z; |/ W |
/ v* f; U: ^8 _# n样机正常老化时,突然没有输出。经过排查后,发现MOS管击穿且MOS管很烫,怀疑MOS烧坏,于是对其进行点温测试。以下是样机的测试图片:' X! f7 ], s' p, j! z. R) j
# y1 N" x' l& l/ o2 w
9 p: J4 Y" Y" z( Y
点温测试:测试重要元器件的温度,该测试的元器件分别有三个IC(主控TT9930、XS2100S、同步CR85V25RSA)、MOS管、输入大电容、两个输出电容、变压器磁芯和变压器线圈。+ }/ V( w8 E5 F* Y
$ c9 A# Y6 l0 ]0 @) s! f! X
8 ]" a& J8 Z v, n. N+ R如上图为测试环境,该测试在尽量密闭环境中进行,不会有大量空气流入,从而使得各元器件能快速达到温度平衡的状态。
8 {( Q5 g4 _! l6 b! f
2 O+ ^* v; _3 K& u9 X/ u3 F/ ^【解决思路】, y9 \) {; N2 F. s2 x
8 ~, e# V5 J( V, i' K2 J! t1、重新设计电源
! P+ z1 f w% G- H7 R( o1 Y8 {+ e* l* e4 Q. S& S% V
首先,分析导致温度过高的原因,对电源进行重新设计。可以采用更高效的散热解决方案,例如增加散热片表面积、改善风道设计等。
- u+ M4 q M1 _+ {2 n2 b$ F, p, b, f2 c* ], b. E5 j7 M3 L4 I2 g* n
2、更换元器件
! ]3 w4 R# j5 U! G
. R! A5 i; F, q4 A应优先选择低内阻、低损耗、高效率的元器件,同时可以适当增加元器件数量及规格。/ N+ `# {7 f1 O# j
b7 T( z5 c7 R t8 k" ?3 s: @! @3、优化PCB布局
/ a" {8 {0 w6 H
. H" y5 e6 ?1 {2 a6 b6 K2 y' d7 ]合理的PCB布局有助于减小电路电磁干扰,降低损耗和温升,减少系统噪声,提高抗干扰性。
) Q/ |4 J2 S4 Y/ p) }' A7 [1 g* C
4、优化散热设计; ]* z! b1 {8 I: c" `. H
3 _. D3 k! t$ O' A: r, ^6 {! ?通过优化散热设计来降低温度,如增加散热片面积、优化风道设计、增加风扇数量和转速等。
4 {0 Z) l/ q6 Y( z! `) c. p- v
# D/ d, T$ r: V; H" H% H5、加强制造与测试管理0 p% m5 b: V& M% m( D
5 E5 B* F6 H3 g加强制造工艺控制和良品率管理,确保产品符合规范要求。并且加强产品的温升测试,在生产过程中对电源进行多次测试,及时发现不合格产品,以便及早调整。
" h1 O Z: F3 ~- X' D
/ @0 E, K( ?4 Q1 F/ X8 I- G% f% H2 S4 [3 Q【调通要点】
0 f4 p; v( ~; W, S6 H7 S8 y3 n: L( }' n/ d0 T( `6 Q
如上图首先通过对各元器件进行点温,观察各元器件的温度变化,如图04号元器件为MOS管,点温才不到几分钟后,MOS的温度就达到了93.7度,而其它元器件温度较为正常,初步判定MOS管出现了问题。# K8 y% ^* Z/ N
1 ?3 ]; F8 ?+ }* |) a- C
# B1 [' P- h4 P1 S5 v3 e( d如上图为再经过几分钟后的元器件温度(01-08为各元器件测试温度),继续观察。
1 Y8 D6 L q+ `' v
9 y, l% L7 @/ a8 a( [
( L& K& i5 H5 ^# H/ \" U如上图可以明显看到,虽然所有的元器件(01-08为各元器件测试温度)温度都在持续上升,但都没有特别大的异常,唯独MOS高达116的温度,可以基本确定是MOS烧坏而导致样机老化时突然没有输出。$ `/ Y1 T; S; P- v' J, ]; |
/ O1 p+ X9 z5 _& w0 d' [【最终结果】" G5 c, |) O4 N
7 C7 L1 L' W& r- L% L- ^
经过测试后发现,测试元器件的温度都在正常范围内,唯独MOS管的温度变化格外异常(01为输出电容、02为同步IC CR85V25RSA、03为变压器磁芯、04为MOS管、05为IC XS2100S、06为主控IC TT9930、07为输入电容、08为变压器线圈、09为环温),经过不断尝试更换一颗同规格但不同厂家的MOS管,然后再进行老化及温度测试,样机正常工作。以下为替换MOS后的温升测试图片:
8 u( [( O3 V3 W% ]3 V
- E+ R% r; F3 E+ ^; x( u/ l' p6 D) e2 Z2 M; G x# o; U. N
该图为样机老化6小时后的温度,各器件温度已经稳定,全都在合理范围内。04号MOS温度稳定在72.2度左右,离击穿温度还有很大的余量,完全满足客户需求。如果更换MOS后温度还是没有改善,则需要考虑是否为布局问题,可能要重新设计。9 w) j c0 ^5 |# Y6 C4 q
$ h9 e: j8 N1 }( h- N
|
本帖子中包含更多资源
您需要 登录 才可以下载或查看,没有帐号?注册
x
|