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PoE电源模块不输出?可能是MOS管故障,解决方法请拿走~

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发表于 2023-6-21 10:21:57 | 显示全部楼层 |阅读模式
本帖最后由 思睿达小妹妹 于 2023-6-21 10:23 编辑 ) E, L+ \% ^) t2 T" {  t
( [, ^5 O# y( p$ O' W& r
作者:屈工有话说0 X1 ^) r7 A# |! p9 `& ~% I5 ~+ z: A4 E
4 [0 v) M8 Z. |3 K# A& g
PoE(Power over Ethernet)是一种有线以太网供电技术,网线传输数据的同时具备直流供电能力。全面应用于POE交换机、IP摄像头、IP电话、无线AP、便携设备充电器、刷卡机、数据采集等供需端产品。而TT9930是一款用于以太网供电系统(POE,power over Ethernet)的DC/DC控制器,采用原边控制模式,内置200V高压MOS,具有较高的系统效率。6 ~1 o+ D8 ?8 U8 \+ j% p+ }/ \

* K9 W5 g1 w3 N) E! n7 e. X- C& }工程师在使用TT9930样机时发现,样机正常老化时,突然没有输出。经过排查后,怀疑MOS故障,本文将分享解决思路和要点。以下图片为该样机图片:
9 Q; n8 u3 K1 M
* P, }' d. D6 Y
TT9930 样机图片

. G/ X% v1 M2 [- `$ h$ V6 [) W【应用】视频监控/无线AP/IP电话等
  r/ \8 a* t4 V: q$ h【规格】12V2A
; @' C* l; `' \【控制IC】TT9930
+ r; R4 t6 o( n8 t, J+ M# \- |3 X( Z- i& o
【问题描述】
$ E3 z" |) e3 j+ s' C* V7 D- J1 H- H5 m6 s1 V
样机正常老化时,突然没有输出。经过排查后,发现MOS管击穿且MOS管很烫,怀疑MOS烧坏,于是对其进行点温测试。以下是样机的测试图片:
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+ ~8 z4 f( }" T* S) A. Z8 q& L* q

* W8 I0 B; p) n% C* y点温测试:测试重要元器件的温度,该测试的元器件分别有三个IC(主控TT9930、XS2100S、同步CR85V25RSA)、MOS管、输入大电容、两个输出电容、变压器磁芯和变压器线圈。" \& A  Z; F0 s* L

$ H- b% z5 f" C8 a

4 t' S! C! Q1 l/ }0 D1 ^: s: E3 r如上图为测试环境,该测试在尽量密闭环境中进行,不会有大量空气流入,从而使得各元器件能快速达到温度平衡的状态。
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5 m- t( Z) v- G/ O& o8 o# ^【解决思路】; A9 C, [) `9 L4 I+ H

$ G. h0 q# H; G5 e2 b1、重新设计电源
( l: Q+ F0 ]$ w& ?2 d& ^: X
2 }0 |2 ]2 b6 _; X4 M首先,分析导致温度过高的原因,对电源进行重新设计。可以采用更高效的散热解决方案,例如增加散热片表面积、改善风道设计等。
: v  v* M) t5 I  L+ i) H$ M2 y3 i8 j' N- C: }" @% _+ B; A
2、更换元器件
' P: i. k. L- x' T5 |, E- D) y" A" L' P, P- L) c1 d; {
应优先选择低内阻、低损耗、高效率的元器件,同时可以适当增加元器件数量及规格。
3 p8 m5 Z* _; E
2 p  D! r* W! L  u! h' X' U' Y) U3、优化PCB布局
( ]8 |1 d, ^9 s! L8 O" t8 s1 B5 l/ {) t' ~6 J
合理的PCB布局有助于减小电路电磁干扰,降低损耗和温升,减少系统噪声,提高抗干扰性。, o# q$ J% p" q; C8 Q+ s$ _, @
" H1 G: [5 e! n" U# U- A* w
4、优化散热设计# e) ~0 ]! L/ R5 C& X
; F! R  I$ h% L4 U
通过优化散热设计来降低温度,如增加散热片面积、优化风道设计、增加风扇数量和转速等。0 [+ h/ @  `/ X

( x" p/ u2 u' q- V5、加强制造与测试管理$ J1 {' h1 z( @3 P% {" `) D

1 G" N2 N! E( `8 C加强制造工艺控制和良品率管理,确保产品符合规范要求。并且加强产品的温升测试,在生产过程中对电源进行多次测试,及时发现不合格产品,以便及早调整。
1 Q' ?+ z7 w' i  F; b' v" q# f. a
2 r- B* C, Z6 Q+ C0 G- M【调通要点】' K0 L: o; M, s5 q
' r( V% {3 q: _2 h* s+ K4 ?
如上图首先通过对各元器件进行点温,观察各元器件的温度变化,如图04号元器件为MOS管,点温才不到几分钟后,MOS的温度就达到了93.7度,而其它元器件温度较为正常,初步判定MOS管出现了问题。' v  U2 R' R0 p4 k8 p! F
0 J, K1 u+ L. S

& o/ c; ~) b2 M* L) @7 m$ W如上图为再经过几分钟后的元器件温度(01-08为各元器件测试温度),继续观察。
' R/ H$ J: j: @" _) M
5 A. C. v; p5 h  q: V
  r7 p0 z! S9 p( f
如上图可以明显看到,虽然所有的元器件(01-08为各元器件测试温度)温度都在持续上升,但都没有特别大的异常,唯独MOS高达116的温度,可以基本确定是MOS烧坏而导致样机老化时突然没有输出。' x8 r( }( U2 B0 }- j5 T
/ C4 s- O& {$ ~% s' Y, k
【最终结果】5 Y3 t5 h* c3 Q0 c# Z

3 {; U" C) T3 q( S6 s经过测试后发现,测试元器件的温度都在正常范围内,唯独MOS管的温度变化格外异常(01为输出电容、02为同步IC CR85V25RSA、03为变压器磁芯、04为MOS管、05为IC XS2100S、06为主控IC TT9930、07为输入电容、08为变压器线圈、09为环温),经过不断尝试更换一颗同规格但不同厂家的MOS管,然后再进行老化及温度测试,样机正常工作。以下为替换MOS后的温升测试图片:7 M& y. c& S* X# ?& O  J8 ?, o% w
; v0 b$ A& p) A! O) i" [

: {1 W$ G4 R7 n9 ]6 ?0 N+ O. M该图为样机老化6小时后的温度,各器件温度已经稳定,全都在合理范围内。04号MOS温度稳定在72.2度左右,离击穿温度还有很大的余量,完全满足客户需求。如果更换MOS后温度还是没有改善,则需要考虑是否为布局问题,可能要重新设计。
: v2 m. s2 E, R$ O
/ ^: p0 J: l4 `, x& g2 L

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