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PoE电源模块不输出?可能是MOS管故障,解决方法请拿走~

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发表于 2023-6-21 10:21:57 | 显示全部楼层 |阅读模式
本帖最后由 思睿达小妹妹 于 2023-6-21 10:23 编辑
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- w0 r! m$ x2 [* L. H: a1 w作者:屈工有话说
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  D* d$ U8 g; |! y7 APoE(Power over Ethernet)是一种有线以太网供电技术,网线传输数据的同时具备直流供电能力。全面应用于POE交换机、IP摄像头、IP电话、无线AP、便携设备充电器、刷卡机、数据采集等供需端产品。而TT9930是一款用于以太网供电系统(POE,power over Ethernet)的DC/DC控制器,采用原边控制模式,内置200V高压MOS,具有较高的系统效率。
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工程师在使用TT9930样机时发现,样机正常老化时,突然没有输出。经过排查后,怀疑MOS故障,本文将分享解决思路和要点。以下图片为该样机图片:1 T# A: y$ o( Q3 P3 O  g- r7 g/ H

9 X) r& s0 r& {6 I+ K6 R# a
TT9930 样机图片
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【应用】视频监控/无线AP/IP电话等
# v& K" X$ d/ x* ]) F/ o  F/ G【规格】12V2A
4 y2 S4 z5 l" {6 C( \' M+ u2 }4 d8 y【控制IC】TT9930: B" Z7 y8 s$ e- V- C

) G: C! G- ^5 J【问题描述】8 B( V$ _! ]1 A  C) G- x/ x

0 i; y) m% q1 C0 h0 Q# g样机正常老化时,突然没有输出。经过排查后,发现MOS管击穿且MOS管很烫,怀疑MOS烧坏,于是对其进行点温测试。以下是样机的测试图片:
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点温测试:测试重要元器件的温度,该测试的元器件分别有三个IC(主控TT9930、XS2100S、同步CR85V25RSA)、MOS管、输入大电容、两个输出电容、变压器磁芯和变压器线圈。, x% @& O4 a  k# j( B

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) b) L9 ]; C/ r0 v如上图为测试环境,该测试在尽量密闭环境中进行,不会有大量空气流入,从而使得各元器件能快速达到温度平衡的状态。
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【解决思路】3 B$ K* t+ v, k; L- s6 w- Y

, q9 p7 S2 R6 f4 r* q1、重新设计电源7 r6 @* X. h, J, c4 |% `1 [

  H- Q* B; w' n" W0 t9 Q9 c首先,分析导致温度过高的原因,对电源进行重新设计。可以采用更高效的散热解决方案,例如增加散热片表面积、改善风道设计等。
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2、更换元器件
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% N5 L8 L! c9 K8 [, C应优先选择低内阻、低损耗、高效率的元器件,同时可以适当增加元器件数量及规格。3 r, m2 c" [* f2 p8 c

2 t/ Y9 T5 b( K6 ^2 M; G, R  L3、优化PCB布局
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& k* u7 w: o3 ^8 c, ?合理的PCB布局有助于减小电路电磁干扰,降低损耗和温升,减少系统噪声,提高抗干扰性。
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4、优化散热设计
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通过优化散热设计来降低温度,如增加散热片面积、优化风道设计、增加风扇数量和转速等。
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5、加强制造与测试管理6 @9 T5 @& M9 ~8 d" K, G7 m$ P
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加强制造工艺控制和良品率管理,确保产品符合规范要求。并且加强产品的温升测试,在生产过程中对电源进行多次测试,及时发现不合格产品,以便及早调整。
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1 e+ ]& J" u/ O" t+ @# B" u【调通要点】
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) b! |. T) x' C2 M! ^& g如上图首先通过对各元器件进行点温,观察各元器件的温度变化,如图04号元器件为MOS管,点温才不到几分钟后,MOS的温度就达到了93.7度,而其它元器件温度较为正常,初步判定MOS管出现了问题。/ }- F& ?4 j! |8 q7 x+ d$ {. o& j  u
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如上图为再经过几分钟后的元器件温度(01-08为各元器件测试温度),继续观察。% e3 o& w+ \: k' r& w( A

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. w- d, w5 I. D如上图可以明显看到,虽然所有的元器件(01-08为各元器件测试温度)温度都在持续上升,但都没有特别大的异常,唯独MOS高达116的温度,可以基本确定是MOS烧坏而导致样机老化时突然没有输出。5 p, L0 q* b0 S2 \  h" h7 u, U

. f' S  q7 R8 W【最终结果】
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经过测试后发现,测试元器件的温度都在正常范围内,唯独MOS管的温度变化格外异常(01为输出电容、02为同步IC CR85V25RSA、03为变压器磁芯、04为MOS管、05为IC XS2100S、06为主控IC TT9930、07为输入电容、08为变压器线圈、09为环温),经过不断尝试更换一颗同规格但不同厂家的MOS管,然后再进行老化及温度测试,样机正常工作。以下为替换MOS后的温升测试图片:8 y9 J: A) X, U; L8 A/ b

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该图为样机老化6小时后的温度,各器件温度已经稳定,全都在合理范围内。04号MOS温度稳定在72.2度左右,离击穿温度还有很大的余量,完全满足客户需求。如果更换MOS后温度还是没有改善,则需要考虑是否为布局问题,可能要重新设计。
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