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PoE电源模块不输出?可能是MOS管故障,解决方法请拿走~

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发表于 2023-6-21 10:21:57 | 显示全部楼层 |阅读模式
本帖最后由 思睿达小妹妹 于 2023-6-21 10:23 编辑
. j' C+ G. e. J! B  A* T* ~
5 @6 O( g, f5 L3 P8 A作者:屈工有话说# G  S, {" T$ |, W

, g/ O9 Y) Z& L8 `PoE(Power over Ethernet)是一种有线以太网供电技术,网线传输数据的同时具备直流供电能力。全面应用于POE交换机、IP摄像头、IP电话、无线AP、便携设备充电器、刷卡机、数据采集等供需端产品。而TT9930是一款用于以太网供电系统(POE,power over Ethernet)的DC/DC控制器,采用原边控制模式,内置200V高压MOS,具有较高的系统效率。: B( s1 R) k6 L% ]( p

( M8 g0 o# ?& K工程师在使用TT9930样机时发现,样机正常老化时,突然没有输出。经过排查后,怀疑MOS故障,本文将分享解决思路和要点。以下图片为该样机图片:1 b/ x. C" B- a. Q+ j  I

. j& |, L1 Z! J3 s+ e( p4 _: d
TT9930 样机图片
: ~" W) e+ s( o3 o3 N
【应用】视频监控/无线AP/IP电话等
: A9 M, w- v/ Y7 P! N- F【规格】12V2A
1 b& i4 R# z- F% _8 h【控制IC】TT9930
: _* R, j  J: v
" B- c6 q! G1 A7 _: K: {【问题描述】5 h- y4 l/ t& S4 [
+ b$ x: }4 |: J. [& |
样机正常老化时,突然没有输出。经过排查后,发现MOS管击穿且MOS管很烫,怀疑MOS烧坏,于是对其进行点温测试。以下是样机的测试图片:1 @. d( q, d+ K4 K
6 ]: f6 `3 R# n' ?
* P% o$ I/ ~$ H( i% l( v
点温测试:测试重要元器件的温度,该测试的元器件分别有三个IC(主控TT9930、XS2100S、同步CR85V25RSA)、MOS管、输入大电容、两个输出电容、变压器磁芯和变压器线圈。
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" C# z1 N/ ^+ t" r/ k  r: e

& }8 c! x* R) Z4 D5 l如上图为测试环境,该测试在尽量密闭环境中进行,不会有大量空气流入,从而使得各元器件能快速达到温度平衡的状态。
1 i6 L4 H. g  `+ m2 |+ f3 r' A  X$ n
6 v2 k/ Y6 M# n# G2 U【解决思路】
3 O; ^8 V- y1 {
- a7 H. H: q( D, Y- [1、重新设计电源
/ u& b; a6 y8 s# Q/ K  }
/ d, ]6 k# N2 [  {& S& x首先,分析导致温度过高的原因,对电源进行重新设计。可以采用更高效的散热解决方案,例如增加散热片表面积、改善风道设计等。
+ p/ @( F! W+ ?- s; T0 ^3 d. X) ]3 Q! O
2、更换元器件1 }4 `% d9 ^" Z' B

2 H% L0 q& D* i$ ^; @$ z应优先选择低内阻、低损耗、高效率的元器件,同时可以适当增加元器件数量及规格。8 S( w& \$ b4 @8 r: J

: n" I! ~3 z1 H$ k' Y: o) s3、优化PCB布局) ]! a3 j; g4 w6 D& z- ]! k
' I2 r- N4 o# [; u
合理的PCB布局有助于减小电路电磁干扰,降低损耗和温升,减少系统噪声,提高抗干扰性。, K1 V# ?; O( E) J+ d

* Q! {/ ?  K" t. v. g% c4、优化散热设计5 `7 |7 _! q+ F, e

# l8 o  F/ [8 R1 q+ V6 N通过优化散热设计来降低温度,如增加散热片面积、优化风道设计、增加风扇数量和转速等。$ l; G" Z& ^9 S2 l6 P0 }  G6 P9 b
# G5 z# Y2 x2 e4 J9 S9 G
5、加强制造与测试管理+ S* V/ |6 M+ I, y9 \, I# ~. Z

/ |5 T* k! W( ?( z$ l0 F加强制造工艺控制和良品率管理,确保产品符合规范要求。并且加强产品的温升测试,在生产过程中对电源进行多次测试,及时发现不合格产品,以便及早调整。
. L# ]. T. y9 t1 E" k& X  R0 |3 J! f
+ _6 r% t' l2 H/ i【调通要点】
1 i, G6 _* P7 x
; i; s! }- j% B3 e. n" H
如上图首先通过对各元器件进行点温,观察各元器件的温度变化,如图04号元器件为MOS管,点温才不到几分钟后,MOS的温度就达到了93.7度,而其它元器件温度较为正常,初步判定MOS管出现了问题。' B1 ~) m% z. _. K' \7 H
7 Q5 X* o- _/ ?9 z. v

6 H+ ?1 ?; Q3 Y$ n$ p( H. `如上图为再经过几分钟后的元器件温度(01-08为各元器件测试温度),继续观察。- w8 [% C) J2 i, @  A, q1 R
. q: ~. ^" v$ Y3 d; \
+ s5 E. v8 w" d9 Q  z
如上图可以明显看到,虽然所有的元器件(01-08为各元器件测试温度)温度都在持续上升,但都没有特别大的异常,唯独MOS高达116的温度,可以基本确定是MOS烧坏而导致样机老化时突然没有输出。! K: w# }* Y0 j) i
5 j( M8 t! x: {- d
【最终结果】
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经过测试后发现,测试元器件的温度都在正常范围内,唯独MOS管的温度变化格外异常(01为输出电容、02为同步IC CR85V25RSA、03为变压器磁芯、04为MOS管、05为IC XS2100S、06为主控IC TT9930、07为输入电容、08为变压器线圈、09为环温),经过不断尝试更换一颗同规格但不同厂家的MOS管,然后再进行老化及温度测试,样机正常工作。以下为替换MOS后的温升测试图片:
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3 y5 D: |- K8 {' G7 a. f  y: I

2 S8 O4 K+ R1 O7 y% |3 o( w# C该图为样机老化6小时后的温度,各器件温度已经稳定,全都在合理范围内。04号MOS温度稳定在72.2度左右,离击穿温度还有很大的余量,完全满足客户需求。如果更换MOS后温度还是没有改善,则需要考虑是否为布局问题,可能要重新设计。* I+ E* {' O( Q8 \2 f
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