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本帖最后由 思睿达小妹妹 于 2023-6-21 10:23 编辑
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; X S/ g ^( ?7 d$ |, [作者:屈工有话说, V1 b8 ~4 {% U! G& j! H0 g
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PoE(Power over Ethernet)是一种有线以太网供电技术,网线传输数据的同时具备直流供电能力。全面应用于POE交换机、IP摄像头、IP电话、无线AP、便携设备充电器、刷卡机、数据采集等供需端产品。而TT9930是一款用于以太网供电系统(POE,power over Ethernet)的DC/DC控制器,采用原边控制模式,内置200V高压MOS,具有较高的系统效率。# z- U2 Y5 e7 k& z! f' C
- p$ k5 A; i6 j4 [# }+ ^工程师在使用TT9930样机时发现,样机正常老化时,突然没有输出。经过排查后,怀疑MOS故障,本文将分享解决思路和要点。以下图片为该样机图片:
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TT9930 样机图片 , V) U, ?* v% ~& _4 a! p7 S3 e; ?7 C, i
【应用】视频监控/无线AP/IP电话等
f9 |, {4 }( I7 i, F$ Y【规格】12V2A4 Q6 W" m8 [1 l0 k
【控制IC】TT9930
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【问题描述】% D( S6 h1 v: [- H) I
9 @; w7 o w; {8 F" P! {- x样机正常老化时,突然没有输出。经过排查后,发现MOS管击穿且MOS管很烫,怀疑MOS烧坏,于是对其进行点温测试。以下是样机的测试图片:2 Y: V# z2 }: y7 R
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/ t3 Z& }) D- n, m% F点温测试:测试重要元器件的温度,该测试的元器件分别有三个IC(主控TT9930、XS2100S、同步CR85V25RSA)、MOS管、输入大电容、两个输出电容、变压器磁芯和变压器线圈。, V1 Y$ @4 |9 Q3 B3 F
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如上图为测试环境,该测试在尽量密闭环境中进行,不会有大量空气流入,从而使得各元器件能快速达到温度平衡的状态。. ]0 d4 @% f8 b$ O6 Q. Z6 s" I8 C
" H6 [8 j I6 E+ w4 \5 L3 s【解决思路】
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* X1 @" Y; m7 @1、重新设计电源 b8 m' i8 M5 _
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首先,分析导致温度过高的原因,对电源进行重新设计。可以采用更高效的散热解决方案,例如增加散热片表面积、改善风道设计等。0 j: o v% a" _' C
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2、更换元器件
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# V, Q& Y4 ?/ Y8 P& x, i应优先选择低内阻、低损耗、高效率的元器件,同时可以适当增加元器件数量及规格。
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, h, G X3 g5 u z" M3、优化PCB布局) b0 r1 W8 x1 B( ]9 I. Z
4 p& ?9 ^% R. E合理的PCB布局有助于减小电路电磁干扰,降低损耗和温升,减少系统噪声,提高抗干扰性。9 F, ^6 D( _, L- }, Y
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4、优化散热设计# V$ {$ V$ {3 Q$ R# Y/ K! N6 u
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通过优化散热设计来降低温度,如增加散热片面积、优化风道设计、增加风扇数量和转速等。+ w* y: z1 `0 H2 H
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5、加强制造与测试管理
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加强制造工艺控制和良品率管理,确保产品符合规范要求。并且加强产品的温升测试,在生产过程中对电源进行多次测试,及时发现不合格产品,以便及早调整。4 g4 ]% v5 i+ L; j" u
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【调通要点】
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3 I) @- p7 H% e4 [7 Y! p" K如上图首先通过对各元器件进行点温,观察各元器件的温度变化,如图04号元器件为MOS管,点温才不到几分钟后,MOS的温度就达到了93.7度,而其它元器件温度较为正常,初步判定MOS管出现了问题。
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如上图为再经过几分钟后的元器件温度(01-08为各元器件测试温度),继续观察。) x% k' W U$ O; r! ?& |: C/ N
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3 {7 J+ P1 D! C4 ]如上图可以明显看到,虽然所有的元器件(01-08为各元器件测试温度)温度都在持续上升,但都没有特别大的异常,唯独MOS高达116的温度,可以基本确定是MOS烧坏而导致样机老化时突然没有输出。
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【最终结果】
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; U2 ]4 t9 _ p: F& t0 s x1 G经过测试后发现,测试元器件的温度都在正常范围内,唯独MOS管的温度变化格外异常(01为输出电容、02为同步IC CR85V25RSA、03为变压器磁芯、04为MOS管、05为IC XS2100S、06为主控IC TT9930、07为输入电容、08为变压器线圈、09为环温),经过不断尝试更换一颗同规格但不同厂家的MOS管,然后再进行老化及温度测试,样机正常工作。以下为替换MOS后的温升测试图片:) T$ A* \) i1 Q& l. N3 ~9 y9 K/ a
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) t. z8 p2 D1 e1 D7 Z: S0 u该图为样机老化6小时后的温度,各器件温度已经稳定,全都在合理范围内。04号MOS温度稳定在72.2度左右,离击穿温度还有很大的余量,完全满足客户需求。如果更换MOS后温度还是没有改善,则需要考虑是否为布局问题,可能要重新设计。5 u) `& Z) s I' |- A4 t% ~4 i
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