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本帖最后由 思睿达小妹妹 于 2023-6-21 10:23 编辑
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/ Q, V7 H3 r% Q4 h" z4 [作者:屈工有话说
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5 u) }5 y3 L7 E) ~! D& lPoE(Power over Ethernet)是一种有线以太网供电技术,网线传输数据的同时具备直流供电能力。全面应用于POE交换机、IP摄像头、IP电话、无线AP、便携设备充电器、刷卡机、数据采集等供需端产品。而TT9930是一款用于以太网供电系统(POE,power over Ethernet)的DC/DC控制器,采用原边控制模式,内置200V高压MOS,具有较高的系统效率。
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; V# f$ y: ?& i( Y工程师在使用TT9930样机时发现,样机正常老化时,突然没有输出。经过排查后,怀疑MOS故障,本文将分享解决思路和要点。以下图片为该样机图片:, E% @6 z( O! n d. O2 L
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TT9930 样机图片
, @ l) x) t# l* E t' z3 x0 D* Z【应用】视频监控/无线AP/IP电话等
* W% n7 R8 Q H- G$ k) _7 n. \【规格】12V2A5 {/ w/ T5 `- w S; |
【控制IC】TT9930& x( ?3 h3 k6 Q6 W& j6 A
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【问题描述】
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样机正常老化时,突然没有输出。经过排查后,发现MOS管击穿且MOS管很烫,怀疑MOS烧坏,于是对其进行点温测试。以下是样机的测试图片:
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: o$ j7 q, x w* t9 {6 K% |点温测试:测试重要元器件的温度,该测试的元器件分别有三个IC(主控TT9930、XS2100S、同步CR85V25RSA)、MOS管、输入大电容、两个输出电容、变压器磁芯和变压器线圈。9 a% n0 _- Q; B* O9 |4 F
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8 {7 E9 M6 l7 Y如上图为测试环境,该测试在尽量密闭环境中进行,不会有大量空气流入,从而使得各元器件能快速达到温度平衡的状态。" E& i$ D+ x5 t& P N8 x
: C4 b# j5 a7 q" q, K% U ~( B3 H【解决思路】3 q: b# [6 w4 |2 o0 B" d5 V6 Y
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1、重新设计电源
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. l; ~% @2 \4 M: ^9 G6 u0 y& p首先,分析导致温度过高的原因,对电源进行重新设计。可以采用更高效的散热解决方案,例如增加散热片表面积、改善风道设计等。+ j0 ?# y4 _8 c7 D* J+ e- V5 L1 P& o
1 O; ^- P, [6 C& E) v3 z2、更换元器件 u; V+ w9 O" T$ q W: n$ G* T
) t1 K& ] v3 {9 Y1 n应优先选择低内阻、低损耗、高效率的元器件,同时可以适当增加元器件数量及规格。
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3、优化PCB布局$ F+ M& G) r. w' u: a" F, \/ w0 ~# t
5 Y3 o. z. J- M% S6 Q合理的PCB布局有助于减小电路电磁干扰,降低损耗和温升,减少系统噪声,提高抗干扰性。
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4、优化散热设计1 P" ~& M( v3 z: ]
! p/ C: y4 t2 J2 X通过优化散热设计来降低温度,如增加散热片面积、优化风道设计、增加风扇数量和转速等。; G+ x2 V- h. a5 y$ ?4 G
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5、加强制造与测试管理/ D: X+ S5 c- U0 d% C
* f/ ^5 r8 ~7 s4 D# P( n加强制造工艺控制和良品率管理,确保产品符合规范要求。并且加强产品的温升测试,在生产过程中对电源进行多次测试,及时发现不合格产品,以便及早调整。) t/ _& k' H; ?- v: b4 t" S
0 Q5 ^5 b0 c) H0 G【调通要点】1 w8 Q4 a9 G6 V" B2 c
2 f6 _5 w9 h$ }, K* e; {6 V! F( E" z4 t如上图首先通过对各元器件进行点温,观察各元器件的温度变化,如图04号元器件为MOS管,点温才不到几分钟后,MOS的温度就达到了93.7度,而其它元器件温度较为正常,初步判定MOS管出现了问题。
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如上图为再经过几分钟后的元器件温度(01-08为各元器件测试温度),继续观察。( ] @; s& \+ f4 z( @% }0 H
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如上图可以明显看到,虽然所有的元器件(01-08为各元器件测试温度)温度都在持续上升,但都没有特别大的异常,唯独MOS高达116的温度,可以基本确定是MOS烧坏而导致样机老化时突然没有输出。* e0 M% |8 ?- c8 X& E: z8 ?
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【最终结果】( Z8 Z5 ^1 M2 o3 d0 ^
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经过测试后发现,测试元器件的温度都在正常范围内,唯独MOS管的温度变化格外异常(01为输出电容、02为同步IC CR85V25RSA、03为变压器磁芯、04为MOS管、05为IC XS2100S、06为主控IC TT9930、07为输入电容、08为变压器线圈、09为环温),经过不断尝试更换一颗同规格但不同厂家的MOS管,然后再进行老化及温度测试,样机正常工作。以下为替换MOS后的温升测试图片:
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) }+ C w( A1 K: ^- b3 r该图为样机老化6小时后的温度,各器件温度已经稳定,全都在合理范围内。04号MOS温度稳定在72.2度左右,离击穿温度还有很大的余量,完全满足客户需求。如果更换MOS后温度还是没有改善,则需要考虑是否为布局问题,可能要重新设计。9 a r6 ? S7 c
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