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PoE电源模块不输出?可能是MOS管故障,解决方法请拿走~

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发表于 2023-6-21 10:21:57 | 显示全部楼层 |阅读模式
本帖最后由 思睿达小妹妹 于 2023-6-21 10:23 编辑
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1 y1 [5 E2 D/ P2 n4 b作者:屈工有话说
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PoE(Power over Ethernet)是一种有线以太网供电技术,网线传输数据的同时具备直流供电能力。全面应用于POE交换机、IP摄像头、IP电话、无线AP、便携设备充电器、刷卡机、数据采集等供需端产品。而TT9930是一款用于以太网供电系统(POE,power over Ethernet)的DC/DC控制器,采用原边控制模式,内置200V高压MOS,具有较高的系统效率。$ l! }3 u* x, O" U
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工程师在使用TT9930样机时发现,样机正常老化时,突然没有输出。经过排查后,怀疑MOS故障,本文将分享解决思路和要点。以下图片为该样机图片:$ Y3 Q! o5 O* Q. H  P7 G* K

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TT9930 样机图片
( P0 _/ I9 |5 }5 x5 ^" L! L! I; \. g* Q
【应用】视频监控/无线AP/IP电话等
) g$ X6 a4 O. [' ]7 P; f【规格】12V2A
; V. i' L' b# r7 p& {. [【控制IC】TT9930
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【问题描述】2 w+ M) w" Y( ~1 C. v1 S+ [  K5 ?  D# ?
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样机正常老化时,突然没有输出。经过排查后,发现MOS管击穿且MOS管很烫,怀疑MOS烧坏,于是对其进行点温测试。以下是样机的测试图片:
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) e0 A4 F- X5 |. E) ^, Q点温测试:测试重要元器件的温度,该测试的元器件分别有三个IC(主控TT9930、XS2100S、同步CR85V25RSA)、MOS管、输入大电容、两个输出电容、变压器磁芯和变压器线圈。
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如上图为测试环境,该测试在尽量密闭环境中进行,不会有大量空气流入,从而使得各元器件能快速达到温度平衡的状态。4 D2 ?/ ^/ R8 u) g$ ^( i4 ?: r3 |

9 f5 S& {" n8 x$ r  W' X$ f【解决思路】
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6 R/ K% w# M- J1、重新设计电源% p* y6 Z, g5 f; L/ e; ?
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首先,分析导致温度过高的原因,对电源进行重新设计。可以采用更高效的散热解决方案,例如增加散热片表面积、改善风道设计等。
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2、更换元器件
! G' t( X7 L/ {- `- e9 ^
" S  r, H) [$ j( M# Z  o应优先选择低内阻、低损耗、高效率的元器件,同时可以适当增加元器件数量及规格。
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3、优化PCB布局5 q& P  |# s2 m: L+ W0 }5 L

. P5 M- ^  H4 O! j7 ~% j合理的PCB布局有助于减小电路电磁干扰,降低损耗和温升,减少系统噪声,提高抗干扰性。
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4、优化散热设计: w1 X- Y" M6 Y! E5 P6 L. i' F

, z# C/ O1 Y  y9 v通过优化散热设计来降低温度,如增加散热片面积、优化风道设计、增加风扇数量和转速等。
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5、加强制造与测试管理, a) i8 j+ w3 ^3 }
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加强制造工艺控制和良品率管理,确保产品符合规范要求。并且加强产品的温升测试,在生产过程中对电源进行多次测试,及时发现不合格产品,以便及早调整。; ]' H. \! f; U7 x- q, X3 X  y, ^

% j( T4 Z7 T7 s+ U0 u【调通要点】
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如上图首先通过对各元器件进行点温,观察各元器件的温度变化,如图04号元器件为MOS管,点温才不到几分钟后,MOS的温度就达到了93.7度,而其它元器件温度较为正常,初步判定MOS管出现了问题。
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0 {  c7 ]6 M7 t1 y2 \如上图为再经过几分钟后的元器件温度(01-08为各元器件测试温度),继续观察。$ C7 ?' j/ V8 Y0 O# ^% R* o' ^5 S
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如上图可以明显看到,虽然所有的元器件(01-08为各元器件测试温度)温度都在持续上升,但都没有特别大的异常,唯独MOS高达116的温度,可以基本确定是MOS烧坏而导致样机老化时突然没有输出。% H0 p: p& H' ^& h

8 m* D7 D+ T+ P  m【最终结果】0 ?. d. Y$ X- a8 _$ h

$ I; l" a2 R& N7 g# c经过测试后发现,测试元器件的温度都在正常范围内,唯独MOS管的温度变化格外异常(01为输出电容、02为同步IC CR85V25RSA、03为变压器磁芯、04为MOS管、05为IC XS2100S、06为主控IC TT9930、07为输入电容、08为变压器线圈、09为环温),经过不断尝试更换一颗同规格但不同厂家的MOS管,然后再进行老化及温度测试,样机正常工作。以下为替换MOS后的温升测试图片:
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0 K  G8 O; I2 {! i9 B6 z2 u6 Y该图为样机老化6小时后的温度,各器件温度已经稳定,全都在合理范围内。04号MOS温度稳定在72.2度左右,离击穿温度还有很大的余量,完全满足客户需求。如果更换MOS后温度还是没有改善,则需要考虑是否为布局问题,可能要重新设计。
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