|
|
本帖最后由 思睿达小妹妹 于 2023-6-21 10:23 编辑 0 y. p% u- u1 k* w5 R5 c; B/ D0 N
, Q% d/ I. U9 J" k$ C作者:屈工有话说0 A' d' o; z2 n: O; j
4 N9 e: a5 }& H( ?) uPoE(Power over Ethernet)是一种有线以太网供电技术,网线传输数据的同时具备直流供电能力。全面应用于POE交换机、IP摄像头、IP电话、无线AP、便携设备充电器、刷卡机、数据采集等供需端产品。而TT9930是一款用于以太网供电系统(POE,power over Ethernet)的DC/DC控制器,采用原边控制模式,内置200V高压MOS,具有较高的系统效率。
! D! m. _5 c8 X; P2 ^) l% f8 L- `
工程师在使用TT9930样机时发现,样机正常老化时,突然没有输出。经过排查后,怀疑MOS故障,本文将分享解决思路和要点。以下图片为该样机图片:
& f0 _7 O/ n) T/ v/ F' a. w# h. z" P) t/ g# X
TT9930 样机图片 / k( F) q& t8 A/ H( U& l/ O
【应用】视频监控/无线AP/IP电话等- F/ X; p. N* q! S7 o! Z
【规格】12V2A
0 [& ^3 w* H }6 p【控制IC】TT9930
* u8 {, I$ |5 \6 a9 W( p' M3 N4 d$ q1 z
【问题描述】
- @ x/ }$ J. U! O
- s/ N) I+ }. l3 {! W% l: v6 X8 U样机正常老化时,突然没有输出。经过排查后,发现MOS管击穿且MOS管很烫,怀疑MOS烧坏,于是对其进行点温测试。以下是样机的测试图片:) y" f7 b) a; I! k. o
0 c, Y+ W6 ^# r3 ]1 W
3 P E; B# g% o点温测试:测试重要元器件的温度,该测试的元器件分别有三个IC(主控TT9930、XS2100S、同步CR85V25RSA)、MOS管、输入大电容、两个输出电容、变压器磁芯和变压器线圈。$ p3 Q' G& [. O, |0 X* u+ k
# e$ Z& }, |" L2 q
* O1 N1 T- P t, @* R4 s8 G' I如上图为测试环境,该测试在尽量密闭环境中进行,不会有大量空气流入,从而使得各元器件能快速达到温度平衡的状态。
& ]: K; y& }5 @- F7 a
+ J+ ^1 u, w% G' z7 |【解决思路】
$ t( Q4 ]' @2 }! O
' F9 H. K6 p( c6 D: N1 Z: \& M1、重新设计电源+ F: L+ w- K& }! j9 b$ M& F( L
2 p) Q1 ^( ] g. E' X! l# k. s首先,分析导致温度过高的原因,对电源进行重新设计。可以采用更高效的散热解决方案,例如增加散热片表面积、改善风道设计等。
8 C4 m. v8 \# }+ q0 N4 c. o, \+ D1 O9 P! {8 u) p/ U4 x/ c
2、更换元器件
6 y4 i; _6 N c; e" h" _# {: G8 p- P6 d, B7 D- C
应优先选择低内阻、低损耗、高效率的元器件,同时可以适当增加元器件数量及规格。- o& m+ ^4 H# E& i( T
9 v t" n" g6 ~* o3、优化PCB布局
% J& v2 x. w: }- q
7 w8 J5 z% k! y6 B1 j6 {合理的PCB布局有助于减小电路电磁干扰,降低损耗和温升,减少系统噪声,提高抗干扰性。( z: p1 L5 w3 h4 N4 l' Y) w
4 S1 Z5 f4 X% j3 A+ W9 X4、优化散热设计4 C9 Y: s$ Q% u' O. `! x
& h: i, C* ]8 d通过优化散热设计来降低温度,如增加散热片面积、优化风道设计、增加风扇数量和转速等。
, A- w! Z* ]9 s5 L" P
, S. G% X! d: D' Y5 c; k5、加强制造与测试管理
2 z1 i9 a! s+ P- K* I, S0 F/ ]2 T# O( g5 g0 v% v4 N$ F% \8 O) X
加强制造工艺控制和良品率管理,确保产品符合规范要求。并且加强产品的温升测试,在生产过程中对电源进行多次测试,及时发现不合格产品,以便及早调整。
( ?, E) [0 {( y4 F0 M5 T. ?) L7 T) V( a7 C- M; i0 F
【调通要点】
( F% R4 a* {. U# w4 ~! B
! e) E" a: U* m; [如上图首先通过对各元器件进行点温,观察各元器件的温度变化,如图04号元器件为MOS管,点温才不到几分钟后,MOS的温度就达到了93.7度,而其它元器件温度较为正常,初步判定MOS管出现了问题。
( l4 h0 h0 `) t$ g4 |# ~- h' S
; X, s) i. V+ k" J. T' O
% G2 Y( \+ S8 K+ D: H如上图为再经过几分钟后的元器件温度(01-08为各元器件测试温度),继续观察。4 g1 p+ e- X: ^& w2 G" m
# Y; J) j7 X5 `8 g/ S- j# o
5 c; c% l" [* m) m3 m' b% ~ {如上图可以明显看到,虽然所有的元器件(01-08为各元器件测试温度)温度都在持续上升,但都没有特别大的异常,唯独MOS高达116的温度,可以基本确定是MOS烧坏而导致样机老化时突然没有输出。
/ s2 Z: C5 t o6 l3 c$ a3 X9 t5 q0 p3 d/ ~, U3 |- P, s, Y7 g+ I
【最终结果】/ @5 C7 z3 b0 n
z! U& ^+ S; K/ ^
经过测试后发现,测试元器件的温度都在正常范围内,唯独MOS管的温度变化格外异常(01为输出电容、02为同步IC CR85V25RSA、03为变压器磁芯、04为MOS管、05为IC XS2100S、06为主控IC TT9930、07为输入电容、08为变压器线圈、09为环温),经过不断尝试更换一颗同规格但不同厂家的MOS管,然后再进行老化及温度测试,样机正常工作。以下为替换MOS后的温升测试图片:% K9 f$ P+ y5 f
- P" C" Z& d/ l# W* X4 Y5 Q
* g! O% u9 K" c8 E
该图为样机老化6小时后的温度,各器件温度已经稳定,全都在合理范围内。04号MOS温度稳定在72.2度左右,离击穿温度还有很大的余量,完全满足客户需求。如果更换MOS后温度还是没有改善,则需要考虑是否为布局问题,可能要重新设计。
3 d+ O. c0 j$ D* s) H3 e9 L; O: V. a/ Z. l; |- @
|
本帖子中包含更多资源
您需要 登录 才可以下载或查看,没有帐号?注册
x
|