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PoE电源模块不输出?可能是MOS管故障,解决方法请拿走~

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发表于 2023-6-21 10:21:57 | 显示全部楼层 |阅读模式
本帖最后由 思睿达小妹妹 于 2023-6-21 10:23 编辑 & Q$ r) }7 N9 j$ }& E

& A( S1 u/ c6 Y; S( d# q1 i作者:屈工有话说
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PoE(Power over Ethernet)是一种有线以太网供电技术,网线传输数据的同时具备直流供电能力。全面应用于POE交换机、IP摄像头、IP电话、无线AP、便携设备充电器、刷卡机、数据采集等供需端产品。而TT9930是一款用于以太网供电系统(POE,power over Ethernet)的DC/DC控制器,采用原边控制模式,内置200V高压MOS,具有较高的系统效率。
  m1 s7 Q4 a: c0 Z9 f9 B9 E. o" F# l) ]: K/ R# V& g, ?
工程师在使用TT9930样机时发现,样机正常老化时,突然没有输出。经过排查后,怀疑MOS故障,本文将分享解决思路和要点。以下图片为该样机图片:- P* d' c5 y7 w! b+ N& }# p! U

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TT9930 样机图片
( ?+ q9 T+ a- M( A! e/ }
【应用】视频监控/无线AP/IP电话等
% a+ ~0 ~# ~; A* P【规格】12V2A
+ d2 Z. E8 g0 W. w7 {2 n' `【控制IC】TT9930$ x$ \7 j9 H" C4 Z% G6 f8 [

* x. X8 K6 C5 g4 c; k5 p【问题描述】
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样机正常老化时,突然没有输出。经过排查后,发现MOS管击穿且MOS管很烫,怀疑MOS烧坏,于是对其进行点温测试。以下是样机的测试图片:! l) ?5 O/ j% o  M9 P0 {9 r# G0 Y/ v

% F& a) c' A2 k6 `% \+ G
5 k. s4 K( A; V4 v/ s9 ?
点温测试:测试重要元器件的温度,该测试的元器件分别有三个IC(主控TT9930、XS2100S、同步CR85V25RSA)、MOS管、输入大电容、两个输出电容、变压器磁芯和变压器线圈。  _; V! u9 _* j
- @& x2 ?; C" o" _! L

2 Y, E0 @) b4 _6 G如上图为测试环境,该测试在尽量密闭环境中进行,不会有大量空气流入,从而使得各元器件能快速达到温度平衡的状态。
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【解决思路】
2 C2 [# P% i) |$ K
  v- n1 z" C3 X- p: |2 L7 _1、重新设计电源
& q  r) k5 |" g, p- c7 |# k; r4 `, s; `5 `# E7 `6 c$ K
首先,分析导致温度过高的原因,对电源进行重新设计。可以采用更高效的散热解决方案,例如增加散热片表面积、改善风道设计等。
# K( k5 J2 O0 ?. l' O- D& \8 }2 T/ H( K0 F8 e: _
2、更换元器件
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应优先选择低内阻、低损耗、高效率的元器件,同时可以适当增加元器件数量及规格。: V; X- L) `# `
. X* t" e, T" U, A+ C( t- m
3、优化PCB布局
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合理的PCB布局有助于减小电路电磁干扰,降低损耗和温升,减少系统噪声,提高抗干扰性。" v2 t9 L. ^' E8 P; Z% r

$ s4 @9 v7 @/ k3 r+ R! @/ z7 t& X4、优化散热设计6 ^, ^/ G) m! f' W. S" a- a4 S

0 w8 d% w; u" z% v通过优化散热设计来降低温度,如增加散热片面积、优化风道设计、增加风扇数量和转速等。
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+ }0 d6 s  c8 p$ r9 R0 Z0 Q! a6 Q5、加强制造与测试管理' M7 T+ J/ h: ~6 Z* T7 p
: m: U2 A& Q& F; {- N
加强制造工艺控制和良品率管理,确保产品符合规范要求。并且加强产品的温升测试,在生产过程中对电源进行多次测试,及时发现不合格产品,以便及早调整。
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【调通要点】
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0 C2 J+ R7 q, o- l0 S9 k如上图首先通过对各元器件进行点温,观察各元器件的温度变化,如图04号元器件为MOS管,点温才不到几分钟后,MOS的温度就达到了93.7度,而其它元器件温度较为正常,初步判定MOS管出现了问题。
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如上图为再经过几分钟后的元器件温度(01-08为各元器件测试温度),继续观察。
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如上图可以明显看到,虽然所有的元器件(01-08为各元器件测试温度)温度都在持续上升,但都没有特别大的异常,唯独MOS高达116的温度,可以基本确定是MOS烧坏而导致样机老化时突然没有输出。# w# p( ^: ?; _: W$ k/ B

* N. Z2 E3 o) Z: ~9 n7 Q7 K【最终结果】) {* P9 Q0 a4 ^$ Q2 |) \* w  C/ E' Z

) J& ?5 Q1 r3 _0 Q/ b! R1 Q0 |4 i经过测试后发现,测试元器件的温度都在正常范围内,唯独MOS管的温度变化格外异常(01为输出电容、02为同步IC CR85V25RSA、03为变压器磁芯、04为MOS管、05为IC XS2100S、06为主控IC TT9930、07为输入电容、08为变压器线圈、09为环温),经过不断尝试更换一颗同规格但不同厂家的MOS管,然后再进行老化及温度测试,样机正常工作。以下为替换MOS后的温升测试图片:  Z, |. i8 K: h
$ q, b5 _/ j- ^2 e: O& v. H

# _# W% _6 I4 X  D% i该图为样机老化6小时后的温度,各器件温度已经稳定,全都在合理范围内。04号MOS温度稳定在72.2度左右,离击穿温度还有很大的余量,完全满足客户需求。如果更换MOS后温度还是没有改善,则需要考虑是否为布局问题,可能要重新设计。) c5 x5 y# v, |  c5 W2 K

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