中国安防论坛

 找回密码
 注册
查看: 11969|回复: 0

PoE电源模块不输出?可能是MOS管故障,解决方法请拿走~

[复制链接]

安防偶像

Rank: 7Rank: 7Rank: 7

积分
1715
发表于 2023-6-21 10:21:57 | 显示全部楼层 |阅读模式
本帖最后由 思睿达小妹妹 于 2023-6-21 10:23 编辑 : Y# r9 e% H& ~" U. Y' X5 b
& i+ E$ L3 T/ a' B
作者:屈工有话说8 e* v% K7 D( u2 \  _

" Q' Q# A% x/ e4 X8 D$ j1 dPoE(Power over Ethernet)是一种有线以太网供电技术,网线传输数据的同时具备直流供电能力。全面应用于POE交换机、IP摄像头、IP电话、无线AP、便携设备充电器、刷卡机、数据采集等供需端产品。而TT9930是一款用于以太网供电系统(POE,power over Ethernet)的DC/DC控制器,采用原边控制模式,内置200V高压MOS,具有较高的系统效率。
$ J% i. b, w( P0 h7 V
) n3 K0 ]9 ~# z; c2 L, }8 l  U" _工程师在使用TT9930样机时发现,样机正常老化时,突然没有输出。经过排查后,怀疑MOS故障,本文将分享解决思路和要点。以下图片为该样机图片:
! b$ L0 g$ |! l5 l# X/ P9 _9 i! E
6 _4 a& z) n1 U( t- D; e$ O5 n) N
TT9930 样机图片

0 E+ [" Y! s/ H3 F  f" x【应用】视频监控/无线AP/IP电话等
0 ~$ r; b& f3 o! I. P【规格】12V2A
5 a/ j+ S5 U, L4 r4 p/ [【控制IC】TT9930( e0 w: k3 J! @) z* Z% h
2 {- t4 a/ w' u% ?( y* ~8 E4 _
【问题描述】1 X% Y  H6 Z  i' V$ @
8 h+ i+ [" {- j, ]$ _
样机正常老化时,突然没有输出。经过排查后,发现MOS管击穿且MOS管很烫,怀疑MOS烧坏,于是对其进行点温测试。以下是样机的测试图片:
7 T& s( ]$ z% b/ j. N, Z2 v- ^$ d6 C7 e4 U0 t, l2 p" Y& O, }

6 U- c$ t  |6 \0 q点温测试:测试重要元器件的温度,该测试的元器件分别有三个IC(主控TT9930、XS2100S、同步CR85V25RSA)、MOS管、输入大电容、两个输出电容、变压器磁芯和变压器线圈。
! A$ [; j9 K! Q9 E, B& \' U, {4 w. ?' M; K, x7 O/ D& M

8 @% {6 e* N, D( `: }% J( H  ^5 X如上图为测试环境,该测试在尽量密闭环境中进行,不会有大量空气流入,从而使得各元器件能快速达到温度平衡的状态。
8 r# s/ e' A% f8 T8 d6 A
/ `8 F% I- \# U% s4 n0 e& V9 U/ g【解决思路】" E0 j5 U5 V" R7 V, O( ]% m
7 |" C( T& d8 M' e: w% \7 ]9 {' q5 m
1、重新设计电源5 \- _; I* F7 S" P9 f
/ c( X. O) I* J, n; V3 I
首先,分析导致温度过高的原因,对电源进行重新设计。可以采用更高效的散热解决方案,例如增加散热片表面积、改善风道设计等。2 n! M! y' p: [" A. K

- N& r7 w& `" C+ V% y2、更换元器件  Y! X3 Y1 l0 z" I  A
  ?1 Y0 d/ E+ n( ^& @2 |6 F
应优先选择低内阻、低损耗、高效率的元器件,同时可以适当增加元器件数量及规格。
4 n% c7 [) z, M/ Y0 E1 i) w) o- \
. y9 q! C% v$ e! `4 i: p3、优化PCB布局
% M2 m! X. R, l8 R0 s) n5 N" B, p( j/ X2 l; M& R
合理的PCB布局有助于减小电路电磁干扰,降低损耗和温升,减少系统噪声,提高抗干扰性。* C  G6 z8 g1 S8 C5 Z* c' {

: ^6 f8 t' Y5 _; @4、优化散热设计( W  R/ r$ Z( s# l

, r2 m: c0 l! i/ N) I! T" O通过优化散热设计来降低温度,如增加散热片面积、优化风道设计、增加风扇数量和转速等。/ z4 `. n9 ?# k

0 }4 N5 \1 ]6 x8 q0 ^' L5、加强制造与测试管理
3 M- ~* p0 M, H/ Y  ~2 L' u( R5 W: z
加强制造工艺控制和良品率管理,确保产品符合规范要求。并且加强产品的温升测试,在生产过程中对电源进行多次测试,及时发现不合格产品,以便及早调整。4 e: w0 L8 ]. S9 \8 i
( Z1 y0 a. Y2 P6 Q: w
【调通要点】1 e4 U( {& [1 o5 b2 `. G" {& X

4 K# Z9 ~5 r7 k4 t6 D0 L) a8 N! ?如上图首先通过对各元器件进行点温,观察各元器件的温度变化,如图04号元器件为MOS管,点温才不到几分钟后,MOS的温度就达到了93.7度,而其它元器件温度较为正常,初步判定MOS管出现了问题。
+ q! t- R9 r" o/ G  E% p; S/ C; v* w
' @2 C% n5 {! C+ g- y" q6 Y

" j# m5 g: m# w" b$ ?/ L如上图为再经过几分钟后的元器件温度(01-08为各元器件测试温度),继续观察。
' s4 E( U( r4 S) L. x& B! x9 P6 b9 F* X; K; G, `: k' e

2 B) |; i/ N1 U1 T$ U如上图可以明显看到,虽然所有的元器件(01-08为各元器件测试温度)温度都在持续上升,但都没有特别大的异常,唯独MOS高达116的温度,可以基本确定是MOS烧坏而导致样机老化时突然没有输出。
3 n) F* Y% T% S- k$ X& T- C" x
: i& U7 O  K/ W4 R+ f2 o: h【最终结果】
2 P  k$ x7 C5 U  Y/ x2 e2 X1 W* Y; x% B0 o
经过测试后发现,测试元器件的温度都在正常范围内,唯独MOS管的温度变化格外异常(01为输出电容、02为同步IC CR85V25RSA、03为变压器磁芯、04为MOS管、05为IC XS2100S、06为主控IC TT9930、07为输入电容、08为变压器线圈、09为环温),经过不断尝试更换一颗同规格但不同厂家的MOS管,然后再进行老化及温度测试,样机正常工作。以下为替换MOS后的温升测试图片:+ s- p. ~: ?" Q$ H% t6 l/ t  F3 m

! F- L& B  A7 k

. s* I# Y- o" V! A$ \该图为样机老化6小时后的温度,各器件温度已经稳定,全都在合理范围内。04号MOS温度稳定在72.2度左右,离击穿温度还有很大的余量,完全满足客户需求。如果更换MOS后温度还是没有改善,则需要考虑是否为布局问题,可能要重新设计。
2 p3 V# u1 T! m, n. u# \( J: K- i9 V

本帖子中包含更多资源

您需要 登录 才可以下载或查看,没有帐号?注册

x
思睿达联系人:何工 18923426660,欢迎来电咨询,申请样品。
您需要登录后才可以回帖 登录 | 注册

本版积分规则

安豆网|Archiver|手机版|中国安防论坛 ( 粤ICP备09063021号 )

GMT+8, 2026-8-2 00:11 , Processed in 0.058567 second(s), 21 queries .

Powered by Discuz! X3.4 Licensed

© 2001-2017 Comsenz Inc.

快速回复 返回顶部 返回列表