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PoE电源模块不输出?可能是MOS管故障,解决方法请拿走~

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发表于 2023-6-21 10:21:57 | 显示全部楼层 |阅读模式
本帖最后由 思睿达小妹妹 于 2023-6-21 10:23 编辑
: Y6 Z+ i% E, E' t# c0 j0 x- X) D/ E9 b& a: r. n. W
作者:屈工有话说/ A- Y/ Q5 }6 c! S) G2 |
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PoE(Power over Ethernet)是一种有线以太网供电技术,网线传输数据的同时具备直流供电能力。全面应用于POE交换机、IP摄像头、IP电话、无线AP、便携设备充电器、刷卡机、数据采集等供需端产品。而TT9930是一款用于以太网供电系统(POE,power over Ethernet)的DC/DC控制器,采用原边控制模式,内置200V高压MOS,具有较高的系统效率。( I0 ^& h/ [( j

  H7 G+ \3 `! O' t. b工程师在使用TT9930样机时发现,样机正常老化时,突然没有输出。经过排查后,怀疑MOS故障,本文将分享解决思路和要点。以下图片为该样机图片:- y6 C0 R2 ]  l! n6 V: s* K; l

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TT9930 样机图片
" V2 |; }: Y/ R4 H, k
【应用】视频监控/无线AP/IP电话等
4 B' Q# q( i: A3 o& A. ^【规格】12V2A
( J8 E0 K1 j2 P# f  o. g( @【控制IC】TT9930$ k1 X8 I9 Y8 T# j4 c
& j, F. k9 F1 Q% p+ @  I* h
【问题描述】
- E4 J) D7 E1 b; c1 T; {4 O4 n9 e/ k6 g) d$ n5 K( ?4 d# J
样机正常老化时,突然没有输出。经过排查后,发现MOS管击穿且MOS管很烫,怀疑MOS烧坏,于是对其进行点温测试。以下是样机的测试图片:
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& U( B& j2 |& [6 z7 S0 J
点温测试:测试重要元器件的温度,该测试的元器件分别有三个IC(主控TT9930、XS2100S、同步CR85V25RSA)、MOS管、输入大电容、两个输出电容、变压器磁芯和变压器线圈。
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/ |2 C! n+ i* i. {: I8 c: u6 b如上图为测试环境,该测试在尽量密闭环境中进行,不会有大量空气流入,从而使得各元器件能快速达到温度平衡的状态。" I& I2 ?" s* i- r

6 a& _; K4 r7 z【解决思路】* L2 X( H" G( P- V8 D

( [! r) S$ L& p' W) J1、重新设计电源1 g) h6 v) u) @9 ~8 ?

: a- T& }2 F8 \. q+ t首先,分析导致温度过高的原因,对电源进行重新设计。可以采用更高效的散热解决方案,例如增加散热片表面积、改善风道设计等。
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( q, Z3 Z& l# h; z' C2、更换元器件
3 i6 G8 E6 s4 x! @! R7 d/ r' I8 i* r; x' ~6 g
应优先选择低内阻、低损耗、高效率的元器件,同时可以适当增加元器件数量及规格。
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3、优化PCB布局
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合理的PCB布局有助于减小电路电磁干扰,降低损耗和温升,减少系统噪声,提高抗干扰性。
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/ u2 `: A4 S5 i  u6 d, D4、优化散热设计
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通过优化散热设计来降低温度,如增加散热片面积、优化风道设计、增加风扇数量和转速等。
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5 H6 |# O5 q8 R) K; [6 K% m. @2 d5、加强制造与测试管理
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加强制造工艺控制和良品率管理,确保产品符合规范要求。并且加强产品的温升测试,在生产过程中对电源进行多次测试,及时发现不合格产品,以便及早调整。
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【调通要点】8 l- \3 J# g, {' w$ v
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如上图首先通过对各元器件进行点温,观察各元器件的温度变化,如图04号元器件为MOS管,点温才不到几分钟后,MOS的温度就达到了93.7度,而其它元器件温度较为正常,初步判定MOS管出现了问题。
) ]& C4 ~' s' {$ P. e; Y
& H( z* N$ c, n6 I# K
$ h2 n$ E  P7 u: w$ D' W8 t
如上图为再经过几分钟后的元器件温度(01-08为各元器件测试温度),继续观察。% v6 K1 x' b4 H/ {6 t

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如上图可以明显看到,虽然所有的元器件(01-08为各元器件测试温度)温度都在持续上升,但都没有特别大的异常,唯独MOS高达116的温度,可以基本确定是MOS烧坏而导致样机老化时突然没有输出。
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% t& L2 m' n- }【最终结果】4 i1 u! H/ u. x2 W$ R( i: ^

: Y$ r( R) @0 X; p& ~经过测试后发现,测试元器件的温度都在正常范围内,唯独MOS管的温度变化格外异常(01为输出电容、02为同步IC CR85V25RSA、03为变压器磁芯、04为MOS管、05为IC XS2100S、06为主控IC TT9930、07为输入电容、08为变压器线圈、09为环温),经过不断尝试更换一颗同规格但不同厂家的MOS管,然后再进行老化及温度测试,样机正常工作。以下为替换MOS后的温升测试图片:/ z  b7 w9 f( j/ a" F8 A

% u4 k, r  D5 H5 Y) P

3 ]3 \5 I- W+ Q% k/ S该图为样机老化6小时后的温度,各器件温度已经稳定,全都在合理范围内。04号MOS温度稳定在72.2度左右,离击穿温度还有很大的余量,完全满足客户需求。如果更换MOS后温度还是没有改善,则需要考虑是否为布局问题,可能要重新设计。& u3 C; N) v/ o

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