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PoE电源模块不输出?可能是MOS管故障,解决方法请拿走~

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发表于 2023-6-21 10:21:57 | 显示全部楼层 |阅读模式
本帖最后由 思睿达小妹妹 于 2023-6-21 10:23 编辑
6 }. G. t6 G" z2 E( T
; V3 b; Z% {. Z0 `' r4 B+ p作者:屈工有话说2 A, G# m4 g/ z" h1 m
/ L7 n. P' [1 l2 u
PoE(Power over Ethernet)是一种有线以太网供电技术,网线传输数据的同时具备直流供电能力。全面应用于POE交换机、IP摄像头、IP电话、无线AP、便携设备充电器、刷卡机、数据采集等供需端产品。而TT9930是一款用于以太网供电系统(POE,power over Ethernet)的DC/DC控制器,采用原边控制模式,内置200V高压MOS,具有较高的系统效率。, G7 C+ I% I; s- u( j/ m  |$ K# m# M) J

) ~% P0 o8 `8 i: H4 `% L5 f工程师在使用TT9930样机时发现,样机正常老化时,突然没有输出。经过排查后,怀疑MOS故障,本文将分享解决思路和要点。以下图片为该样机图片:2 d, s3 o+ @% s! q5 U& S1 y- }
' M% O& i7 Y6 A5 }* m
TT9930 样机图片

+ e7 M" |/ o$ N! O  }4 k! k2 `1 E8 j) O7 y【应用】视频监控/无线AP/IP电话等
( R1 A- S, O. ]: Y9 w8 V【规格】12V2A; B9 D1 Z* v+ k/ ]% o
【控制IC】TT99308 p) x  L+ @/ \* K* ?
! u# |4 |6 E$ L2 |: W! I
【问题描述】7 O3 L* M6 }4 ]# @7 j8 e
! L# f# E. V- F3 p
样机正常老化时,突然没有输出。经过排查后,发现MOS管击穿且MOS管很烫,怀疑MOS烧坏,于是对其进行点温测试。以下是样机的测试图片:
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5 A0 o4 E2 y# \6 l. H. [" o

' O" v! [8 V/ [) ~8 G点温测试:测试重要元器件的温度,该测试的元器件分别有三个IC(主控TT9930、XS2100S、同步CR85V25RSA)、MOS管、输入大电容、两个输出电容、变压器磁芯和变压器线圈。) I/ p# a7 G4 a* G8 X
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如上图为测试环境,该测试在尽量密闭环境中进行,不会有大量空气流入,从而使得各元器件能快速达到温度平衡的状态。& G' s% I" I& W0 y% D. R

7 C3 T  \: l* E, `【解决思路】' n0 p1 T( z/ j% F- N7 u* s
. C, X& l8 Q0 K
1、重新设计电源
# C# K9 S: f4 Y: b8 ~1 K
  t2 ]& L% T+ j) e首先,分析导致温度过高的原因,对电源进行重新设计。可以采用更高效的散热解决方案,例如增加散热片表面积、改善风道设计等。
% Y2 A. M+ i  u) B9 ^
3 P7 B* B( ^1 T1 U5 y2、更换元器件
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应优先选择低内阻、低损耗、高效率的元器件,同时可以适当增加元器件数量及规格。8 i& Y! |) A8 Z' Y" _

- e4 ^) g; o4 \3 k3、优化PCB布局% C' d5 C! }; u. i- d9 c

' p- h; Q- x4 g2 D( z0 D/ \9 J3 i合理的PCB布局有助于减小电路电磁干扰,降低损耗和温升,减少系统噪声,提高抗干扰性。4 `. V1 _8 U% j4 i. E9 O, C
+ w- r7 \. I, Q; C8 V7 p; ]
4、优化散热设计! b; D5 P# m7 G; q. G

& I6 \+ e! ]. |( `通过优化散热设计来降低温度,如增加散热片面积、优化风道设计、增加风扇数量和转速等。, ?& B$ @- l" e5 o- [

1 z. r, {. g7 f0 b* g; A5、加强制造与测试管理
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& J* p  A1 G; C& a5 o加强制造工艺控制和良品率管理,确保产品符合规范要求。并且加强产品的温升测试,在生产过程中对电源进行多次测试,及时发现不合格产品,以便及早调整。. ?1 X0 s4 _/ K% o% R. D8 H& @
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【调通要点】
8 F* W* _7 ~# W8 O# }  \4 T

" ]; e5 {3 c9 ?5 r# R  B  ^5 m7 E如上图首先通过对各元器件进行点温,观察各元器件的温度变化,如图04号元器件为MOS管,点温才不到几分钟后,MOS的温度就达到了93.7度,而其它元器件温度较为正常,初步判定MOS管出现了问题。% U2 v5 _9 o" T+ q6 b% _
: c8 c% X# P+ ~6 X$ ]
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如上图为再经过几分钟后的元器件温度(01-08为各元器件测试温度),继续观察。9 v7 U( q. G. B, b1 _

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+ S. Z8 X+ a# P% z9 S' D5 O( o3 k
如上图可以明显看到,虽然所有的元器件(01-08为各元器件测试温度)温度都在持续上升,但都没有特别大的异常,唯独MOS高达116的温度,可以基本确定是MOS烧坏而导致样机老化时突然没有输出。
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【最终结果】" z& o" \  A  ]+ ^2 Y$ {3 _  y, Q
1 a0 s8 N- B7 t& V% i! Y! K) h- R
经过测试后发现,测试元器件的温度都在正常范围内,唯独MOS管的温度变化格外异常(01为输出电容、02为同步IC CR85V25RSA、03为变压器磁芯、04为MOS管、05为IC XS2100S、06为主控IC TT9930、07为输入电容、08为变压器线圈、09为环温),经过不断尝试更换一颗同规格但不同厂家的MOS管,然后再进行老化及温度测试,样机正常工作。以下为替换MOS后的温升测试图片:
2 X% Q0 E& `8 }* W0 X* D6 ]7 }) [, l( d  \1 w' y

& B' ?6 F9 Z1 E- M0 I- \' T' r该图为样机老化6小时后的温度,各器件温度已经稳定,全都在合理范围内。04号MOS温度稳定在72.2度左右,离击穿温度还有很大的余量,完全满足客户需求。如果更换MOS后温度还是没有改善,则需要考虑是否为布局问题,可能要重新设计。/ h. ~, k8 Y( O5 G6 v1 N! Y

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