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PoE电源模块不输出?可能是MOS管故障,解决方法请拿走~

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发表于 2023-6-21 10:21:57 | 显示全部楼层 |阅读模式
本帖最后由 思睿达小妹妹 于 2023-6-21 10:23 编辑
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作者:屈工有话说
( {: Q9 C2 p4 S
% S! n4 N* a8 M% D+ PPoE(Power over Ethernet)是一种有线以太网供电技术,网线传输数据的同时具备直流供电能力。全面应用于POE交换机、IP摄像头、IP电话、无线AP、便携设备充电器、刷卡机、数据采集等供需端产品。而TT9930是一款用于以太网供电系统(POE,power over Ethernet)的DC/DC控制器,采用原边控制模式,内置200V高压MOS,具有较高的系统效率。/ |. t7 ~" u/ \* \. ]

- l! x+ H; E8 i工程师在使用TT9930样机时发现,样机正常老化时,突然没有输出。经过排查后,怀疑MOS故障,本文将分享解决思路和要点。以下图片为该样机图片:. v1 s: V6 N; J; n* w) |; h) \3 f
" ~" O  B* q' j0 T5 Q3 g, {1 N' q, l
TT9930 样机图片

( x6 }7 I+ e, O- D( l【应用】视频监控/无线AP/IP电话等; Z6 n0 d% k" S. z0 ~
【规格】12V2A1 a3 Z& y2 T9 u' r
【控制IC】TT9930
! B. R3 x# v* t% V- O
0 w5 S) @9 M/ i. N【问题描述】
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' `7 c! X6 B% V7 G样机正常老化时,突然没有输出。经过排查后,发现MOS管击穿且MOS管很烫,怀疑MOS烧坏,于是对其进行点温测试。以下是样机的测试图片:# c% w, G6 V6 a: P

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0 c7 K6 u" x8 y
点温测试:测试重要元器件的温度,该测试的元器件分别有三个IC(主控TT9930、XS2100S、同步CR85V25RSA)、MOS管、输入大电容、两个输出电容、变压器磁芯和变压器线圈。! w; d0 D) t- k% X1 B
3 }0 y" W( m' x) ]+ M

7 W: d9 b* _6 f: h/ e9 s如上图为测试环境,该测试在尽量密闭环境中进行,不会有大量空气流入,从而使得各元器件能快速达到温度平衡的状态。
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6 w/ W' z2 R' ^; r2 g【解决思路】
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1、重新设计电源
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首先,分析导致温度过高的原因,对电源进行重新设计。可以采用更高效的散热解决方案,例如增加散热片表面积、改善风道设计等。
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2、更换元器件
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应优先选择低内阻、低损耗、高效率的元器件,同时可以适当增加元器件数量及规格。% q' V% E4 {) {, C  q

5 s0 ]+ m' F" g3、优化PCB布局! P: P) }/ q5 C& o4 v" Q

( ]0 L- t4 N6 \合理的PCB布局有助于减小电路电磁干扰,降低损耗和温升,减少系统噪声,提高抗干扰性。+ ^8 F' n8 C" S. @& Z0 X6 z# O! I
" ^) A& Z5 s$ i, [( k0 d5 ?# e6 v- E
4、优化散热设计7 P4 m4 L  f; r" d
7 ~3 v8 Q' Y# ?
通过优化散热设计来降低温度,如增加散热片面积、优化风道设计、增加风扇数量和转速等。
5 c+ R% R3 Y- n& p
. D$ o6 U0 |7 d# F5、加强制造与测试管理% F1 q0 ?! ]  w" |; Y- r5 t4 ]) ^

5 W' n$ ^9 ?" _0 e* k- y5 w加强制造工艺控制和良品率管理,确保产品符合规范要求。并且加强产品的温升测试,在生产过程中对电源进行多次测试,及时发现不合格产品,以便及早调整。  q2 B4 X: g  P& X$ i! w: `
3 t, }1 e9 j3 ?( m7 K1 r
【调通要点】7 O# x6 g' G; J* [! S) {! n* w/ Y

" @9 C6 W: }5 X  R  e& d如上图首先通过对各元器件进行点温,观察各元器件的温度变化,如图04号元器件为MOS管,点温才不到几分钟后,MOS的温度就达到了93.7度,而其它元器件温度较为正常,初步判定MOS管出现了问题。
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! u5 Q' e: u, F: H/ `! ?$ u
4 O; t8 G( O, Q( }0 @5 Z9 {% F
如上图为再经过几分钟后的元器件温度(01-08为各元器件测试温度),继续观察。. z2 r2 U! i4 I
; V! U( n# W) ?4 ]' E" h

; b2 |: ^* k, y: Q  w. S6 E0 W如上图可以明显看到,虽然所有的元器件(01-08为各元器件测试温度)温度都在持续上升,但都没有特别大的异常,唯独MOS高达116的温度,可以基本确定是MOS烧坏而导致样机老化时突然没有输出。
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【最终结果】3 b* o3 W+ ?* q; t1 u3 \
: N1 t' h1 g& V3 h, q
经过测试后发现,测试元器件的温度都在正常范围内,唯独MOS管的温度变化格外异常(01为输出电容、02为同步IC CR85V25RSA、03为变压器磁芯、04为MOS管、05为IC XS2100S、06为主控IC TT9930、07为输入电容、08为变压器线圈、09为环温),经过不断尝试更换一颗同规格但不同厂家的MOS管,然后再进行老化及温度测试,样机正常工作。以下为替换MOS后的温升测试图片:+ H2 f4 w) ^( h. a6 W# b

. W$ v1 T( {* y2 V
0 o6 M( R/ h! H5 o
该图为样机老化6小时后的温度,各器件温度已经稳定,全都在合理范围内。04号MOS温度稳定在72.2度左右,离击穿温度还有很大的余量,完全满足客户需求。如果更换MOS后温度还是没有改善,则需要考虑是否为布局问题,可能要重新设计。
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