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PoE电源模块不输出?可能是MOS管故障,解决方法请拿走~

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发表于 2023-6-21 10:21:57 | 显示全部楼层 |阅读模式
本帖最后由 思睿达小妹妹 于 2023-6-21 10:23 编辑
; L& T# e+ m3 o- m6 V5 S+ E
, G6 a9 O, |! ]8 p作者:屈工有话说- Y4 t7 i. _* F2 Q
' B& }7 \8 v  R5 T" Q
PoE(Power over Ethernet)是一种有线以太网供电技术,网线传输数据的同时具备直流供电能力。全面应用于POE交换机、IP摄像头、IP电话、无线AP、便携设备充电器、刷卡机、数据采集等供需端产品。而TT9930是一款用于以太网供电系统(POE,power over Ethernet)的DC/DC控制器,采用原边控制模式,内置200V高压MOS,具有较高的系统效率。6 t: t6 n9 m+ _* K9 Y
4 t9 i0 B' H8 \( Z1 Q
工程师在使用TT9930样机时发现,样机正常老化时,突然没有输出。经过排查后,怀疑MOS故障,本文将分享解决思路和要点。以下图片为该样机图片:* B) P3 a/ @  R3 Z. K: h4 D5 J

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TT9930 样机图片
% _# f- j  S6 o. R: l$ |
【应用】视频监控/无线AP/IP电话等- ]+ p' ]% I% `# ]+ t, j$ s
【规格】12V2A
" _+ S3 U( m/ X0 L, C【控制IC】TT9930) l3 F; U) g  ~& J0 H

7 g% N( ]; ^. M- p' P2 T" f5 E【问题描述】' H( t8 S. w) L+ S1 i* N
' V" l+ {3 i) w8 `, B4 A3 b
样机正常老化时,突然没有输出。经过排查后,发现MOS管击穿且MOS管很烫,怀疑MOS烧坏,于是对其进行点温测试。以下是样机的测试图片:3 a, M  g3 A( D! D$ d4 d

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' t, f$ J' U9 b6 u  u8 ?
点温测试:测试重要元器件的温度,该测试的元器件分别有三个IC(主控TT9930、XS2100S、同步CR85V25RSA)、MOS管、输入大电容、两个输出电容、变压器磁芯和变压器线圈。
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5 c  y' ?$ z3 p, Q, }
如上图为测试环境,该测试在尽量密闭环境中进行,不会有大量空气流入,从而使得各元器件能快速达到温度平衡的状态。* z, C$ ^. q6 C" j9 j' b" [
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【解决思路】# t) K' t3 T/ P$ v5 i( F

; y* G, ?9 q0 y4 {1、重新设计电源
5 E! b& f- z. e* n/ t8 N: {" J: P3 |7 F
首先,分析导致温度过高的原因,对电源进行重新设计。可以采用更高效的散热解决方案,例如增加散热片表面积、改善风道设计等。
1 ], W# T6 R( v8 ?1 w$ G$ @2 A- |% O+ L# b% ?+ Z" H
2、更换元器件
7 I$ Z, a+ x6 q- n) K# x( M' Z, L3 f( \( U
应优先选择低内阻、低损耗、高效率的元器件,同时可以适当增加元器件数量及规格。
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3、优化PCB布局- D2 x% S2 t' s  P- _
& t4 |5 B% M3 a& L. h% ~
合理的PCB布局有助于减小电路电磁干扰,降低损耗和温升,减少系统噪声,提高抗干扰性。% u; c9 e/ q, y# y5 N

9 M6 I7 o+ J+ K% O3 a! J% m, d- ~4、优化散热设计
; D/ B; z1 I5 f8 ^) g# L7 R6 [2 {3 R2 L7 \% y8 T
通过优化散热设计来降低温度,如增加散热片面积、优化风道设计、增加风扇数量和转速等。
+ P+ \0 l- u( M7 g& o% I' c7 j7 }3 E; A8 N+ g+ B
5、加强制造与测试管理
* m/ B0 K- w4 y1 }* V% S
4 Y0 K  }9 S& _" G9 ]加强制造工艺控制和良品率管理,确保产品符合规范要求。并且加强产品的温升测试,在生产过程中对电源进行多次测试,及时发现不合格产品,以便及早调整。
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【调通要点】
( e% U6 U, l% i* p% p: o

# E  E: P! U' t如上图首先通过对各元器件进行点温,观察各元器件的温度变化,如图04号元器件为MOS管,点温才不到几分钟后,MOS的温度就达到了93.7度,而其它元器件温度较为正常,初步判定MOS管出现了问题。6 k% f/ z3 k) n6 J8 {; A3 Y' y

. c7 ]( j$ Y) b0 ~4 c" w
' X7 Q5 |7 S7 Q& W# m
如上图为再经过几分钟后的元器件温度(01-08为各元器件测试温度),继续观察。
* h  T: k  r3 k0 v4 D2 |& d& N8 X$ b
# n4 Y: O$ |0 x3 c: F

1 i$ }9 w# g9 {5 Q( K如上图可以明显看到,虽然所有的元器件(01-08为各元器件测试温度)温度都在持续上升,但都没有特别大的异常,唯独MOS高达116的温度,可以基本确定是MOS烧坏而导致样机老化时突然没有输出。4 z0 c9 Q* V0 W/ _" c# {% b3 x
! O$ a) C# R0 V$ _* j
【最终结果】
: C1 e2 R0 R' @3 K. U+ `
2 ~) k# k1 ]0 _: L( b4 _8 u+ U经过测试后发现,测试元器件的温度都在正常范围内,唯独MOS管的温度变化格外异常(01为输出电容、02为同步IC CR85V25RSA、03为变压器磁芯、04为MOS管、05为IC XS2100S、06为主控IC TT9930、07为输入电容、08为变压器线圈、09为环温),经过不断尝试更换一颗同规格但不同厂家的MOS管,然后再进行老化及温度测试,样机正常工作。以下为替换MOS后的温升测试图片:
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" L; x# ]* a9 N* Y0 U/ G5 a
该图为样机老化6小时后的温度,各器件温度已经稳定,全都在合理范围内。04号MOS温度稳定在72.2度左右,离击穿温度还有很大的余量,完全满足客户需求。如果更换MOS后温度还是没有改善,则需要考虑是否为布局问题,可能要重新设计。
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