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本帖最后由 思睿达小妹妹 于 2023-6-21 10:23 编辑 . S% b0 V3 N" c& K: i
4 B$ L9 Q- }* J/ u( j作者:屈工有话说
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PoE(Power over Ethernet)是一种有线以太网供电技术,网线传输数据的同时具备直流供电能力。全面应用于POE交换机、IP摄像头、IP电话、无线AP、便携设备充电器、刷卡机、数据采集等供需端产品。而TT9930是一款用于以太网供电系统(POE,power over Ethernet)的DC/DC控制器,采用原边控制模式,内置200V高压MOS,具有较高的系统效率。6 ^+ k5 {% ]* ^2 I& w
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工程师在使用TT9930样机时发现,样机正常老化时,突然没有输出。经过排查后,怀疑MOS故障,本文将分享解决思路和要点。以下图片为该样机图片:
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7 C6 a$ s/ `- L8 jTT9930 样机图片 6 J7 c( o# g7 S
【应用】视频监控/无线AP/IP电话等) g% I H4 l1 t9 C: p
【规格】12V2A5 f6 [% F/ H V2 s
【控制IC】TT99307 K4 N% X( e8 a+ t
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【问题描述】
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样机正常老化时,突然没有输出。经过排查后,发现MOS管击穿且MOS管很烫,怀疑MOS烧坏,于是对其进行点温测试。以下是样机的测试图片:
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5 B; {5 E L* M& b5 j* P" v点温测试:测试重要元器件的温度,该测试的元器件分别有三个IC(主控TT9930、XS2100S、同步CR85V25RSA)、MOS管、输入大电容、两个输出电容、变压器磁芯和变压器线圈。- r: t% X& m9 z& Z* I# G& e
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如上图为测试环境,该测试在尽量密闭环境中进行,不会有大量空气流入,从而使得各元器件能快速达到温度平衡的状态。
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. ?" e0 I2 F/ t" Q8 @! G【解决思路】6 t) m7 m, m; r R! L
( p0 A7 l% i$ O* e; ?1、重新设计电源; j" U$ g* f3 @! Y3 s( ^. W
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首先,分析导致温度过高的原因,对电源进行重新设计。可以采用更高效的散热解决方案,例如增加散热片表面积、改善风道设计等。6 T4 V. k% A4 R2 x5 ?+ q
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2、更换元器件
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应优先选择低内阻、低损耗、高效率的元器件,同时可以适当增加元器件数量及规格。% O5 l+ M6 }# Q- |
& d9 m1 D( x. s$ }, i3、优化PCB布局
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6 h: h+ g6 i; E. \ s' B合理的PCB布局有助于减小电路电磁干扰,降低损耗和温升,减少系统噪声,提高抗干扰性。
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4、优化散热设计
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' b L$ k/ z# y/ q+ I3 ~' a; k通过优化散热设计来降低温度,如增加散热片面积、优化风道设计、增加风扇数量和转速等。- @! J5 d8 n; B" N$ j
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5、加强制造与测试管理# z5 L6 ]* I$ r F l) G- u1 c# s* Z1 ^
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加强制造工艺控制和良品率管理,确保产品符合规范要求。并且加强产品的温升测试,在生产过程中对电源进行多次测试,及时发现不合格产品,以便及早调整。- ]5 E! e& W+ a+ I* m1 d" J ]
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【调通要点】9 y/ t/ k/ }7 R$ s
9 k8 g% l' Y9 K9 P* @1 J如上图首先通过对各元器件进行点温,观察各元器件的温度变化,如图04号元器件为MOS管,点温才不到几分钟后,MOS的温度就达到了93.7度,而其它元器件温度较为正常,初步判定MOS管出现了问题。9 r8 H8 q5 n: H- E: _* @) s8 r. }
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9 f8 Z1 l! O. x如上图为再经过几分钟后的元器件温度(01-08为各元器件测试温度),继续观察。
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. Y8 z% V/ ^+ }& T如上图可以明显看到,虽然所有的元器件(01-08为各元器件测试温度)温度都在持续上升,但都没有特别大的异常,唯独MOS高达116的温度,可以基本确定是MOS烧坏而导致样机老化时突然没有输出。
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【最终结果】
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经过测试后发现,测试元器件的温度都在正常范围内,唯独MOS管的温度变化格外异常(01为输出电容、02为同步IC CR85V25RSA、03为变压器磁芯、04为MOS管、05为IC XS2100S、06为主控IC TT9930、07为输入电容、08为变压器线圈、09为环温),经过不断尝试更换一颗同规格但不同厂家的MOS管,然后再进行老化及温度测试,样机正常工作。以下为替换MOS后的温升测试图片:- X4 s6 J9 h$ U% O+ ~: O7 u+ D
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* v; e4 Y4 j; M1 S5 `该图为样机老化6小时后的温度,各器件温度已经稳定,全都在合理范围内。04号MOS温度稳定在72.2度左右,离击穿温度还有很大的余量,完全满足客户需求。如果更换MOS后温度还是没有改善,则需要考虑是否为布局问题,可能要重新设计。5 H9 D1 S0 Y/ m) U% [: Y
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