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本帖最后由 思睿达小妹妹 于 2023-6-21 10:23 编辑 0 a9 u3 D3 D5 R& q7 y; _
. c0 z: q) i9 ^0 |# L作者:屈工有话说
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PoE(Power over Ethernet)是一种有线以太网供电技术,网线传输数据的同时具备直流供电能力。全面应用于POE交换机、IP摄像头、IP电话、无线AP、便携设备充电器、刷卡机、数据采集等供需端产品。而TT9930是一款用于以太网供电系统(POE,power over Ethernet)的DC/DC控制器,采用原边控制模式,内置200V高压MOS,具有较高的系统效率。
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工程师在使用TT9930样机时发现,样机正常老化时,突然没有输出。经过排查后,怀疑MOS故障,本文将分享解决思路和要点。以下图片为该样机图片:. y5 O) E) d& \9 v2 U1 C/ M D7 u( [
1 H* b C$ ~5 B, j! n) bTT9930 样机图片 $ C0 _4 o# c- Q& `, P) u7 A
【应用】视频监控/无线AP/IP电话等
" `0 C$ {+ ]. E0 l0 k$ K【规格】12V2A
% P6 D3 E; W. R2 ?2 f! a【控制IC】TT9930
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& j, J" H; n: y2 L+ ]6 |7 _% W4 \【问题描述】
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样机正常老化时,突然没有输出。经过排查后,发现MOS管击穿且MOS管很烫,怀疑MOS烧坏,于是对其进行点温测试。以下是样机的测试图片:7 K; B# p$ o6 ]% ]
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; @& |2 s% k+ l; ]0 a点温测试:测试重要元器件的温度,该测试的元器件分别有三个IC(主控TT9930、XS2100S、同步CR85V25RSA)、MOS管、输入大电容、两个输出电容、变压器磁芯和变压器线圈。6 C+ f2 Q* v3 M0 c5 w
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0 ~2 M' ^$ P8 \如上图为测试环境,该测试在尽量密闭环境中进行,不会有大量空气流入,从而使得各元器件能快速达到温度平衡的状态。
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& K) r* p T& m( `# k$ S【解决思路】% L, g* h0 f: z2 A9 u
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1、重新设计电源
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首先,分析导致温度过高的原因,对电源进行重新设计。可以采用更高效的散热解决方案,例如增加散热片表面积、改善风道设计等。
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2、更换元器件" x( C& |! d Y6 h! I6 d! X$ Y2 \
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应优先选择低内阻、低损耗、高效率的元器件,同时可以适当增加元器件数量及规格。. N3 N$ O" G1 R+ F
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3、优化PCB布局
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' a s2 w7 [9 e7 F+ S+ |+ i3 a合理的PCB布局有助于减小电路电磁干扰,降低损耗和温升,减少系统噪声,提高抗干扰性。! z% F5 V0 ^+ N; } U
* p6 |+ X! a6 F5 F h# f4、优化散热设计
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通过优化散热设计来降低温度,如增加散热片面积、优化风道设计、增加风扇数量和转速等。5 H* q) ^1 ?1 z O, w6 L
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5、加强制造与测试管理. l9 s6 r5 W* Y, J/ \: o3 D$ ^8 u
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加强制造工艺控制和良品率管理,确保产品符合规范要求。并且加强产品的温升测试,在生产过程中对电源进行多次测试,及时发现不合格产品,以便及早调整。
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4 \5 }1 u# I) S, a2 N* _, I【调通要点】8 v5 r- r# x+ n |; z: ^. s* e
! @! i" Z$ b P7 g+ Q% d3 q/ W; |如上图首先通过对各元器件进行点温,观察各元器件的温度变化,如图04号元器件为MOS管,点温才不到几分钟后,MOS的温度就达到了93.7度,而其它元器件温度较为正常,初步判定MOS管出现了问题。7 [- Q* U9 v* d: d
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如上图为再经过几分钟后的元器件温度(01-08为各元器件测试温度),继续观察。
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如上图可以明显看到,虽然所有的元器件(01-08为各元器件测试温度)温度都在持续上升,但都没有特别大的异常,唯独MOS高达116的温度,可以基本确定是MOS烧坏而导致样机老化时突然没有输出。
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/ O+ Z4 |* c) P- M【最终结果】
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经过测试后发现,测试元器件的温度都在正常范围内,唯独MOS管的温度变化格外异常(01为输出电容、02为同步IC CR85V25RSA、03为变压器磁芯、04为MOS管、05为IC XS2100S、06为主控IC TT9930、07为输入电容、08为变压器线圈、09为环温),经过不断尝试更换一颗同规格但不同厂家的MOS管,然后再进行老化及温度测试,样机正常工作。以下为替换MOS后的温升测试图片:
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6 J# _6 e0 B/ P! H7 [7 D, N该图为样机老化6小时后的温度,各器件温度已经稳定,全都在合理范围内。04号MOS温度稳定在72.2度左右,离击穿温度还有很大的余量,完全满足客户需求。如果更换MOS后温度还是没有改善,则需要考虑是否为布局问题,可能要重新设计。9 P- M9 q' n* F; _
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