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PoE电源模块不输出?可能是MOS管故障,解决方法请拿走~

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发表于 2023-6-21 10:21:57 | 显示全部楼层 |阅读模式
本帖最后由 思睿达小妹妹 于 2023-6-21 10:23 编辑 $ w7 T- y; O; W+ a8 N* o  B! }
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作者:屈工有话说* r+ |, J" y% [( l3 m- r
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PoE(Power over Ethernet)是一种有线以太网供电技术,网线传输数据的同时具备直流供电能力。全面应用于POE交换机、IP摄像头、IP电话、无线AP、便携设备充电器、刷卡机、数据采集等供需端产品。而TT9930是一款用于以太网供电系统(POE,power over Ethernet)的DC/DC控制器,采用原边控制模式,内置200V高压MOS,具有较高的系统效率。
  H- X6 i+ l1 O  n0 ?2 v7 d4 i' S' ~1 p$ v2 f& Z4 v$ _: J
工程师在使用TT9930样机时发现,样机正常老化时,突然没有输出。经过排查后,怀疑MOS故障,本文将分享解决思路和要点。以下图片为该样机图片:, M7 m8 k0 D- L$ Y  h/ |
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TT9930 样机图片

2 [# m! ~3 n3 D( W; m: \【应用】视频监控/无线AP/IP电话等! r' d- p1 q! _1 J$ J# N$ t
【规格】12V2A1 c1 D! ]  H9 s5 c
【控制IC】TT9930
. S; V. G& |7 {" t* W# p9 B
: `6 R; \" \+ x& C% Q【问题描述】2 K  T' h: E) Q1 b1 I, y+ @! L
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样机正常老化时,突然没有输出。经过排查后,发现MOS管击穿且MOS管很烫,怀疑MOS烧坏,于是对其进行点温测试。以下是样机的测试图片:+ y& S1 n4 {. O+ t9 ~/ C

0 F/ o6 k; ]; K. ]$ O# C
- `! g/ \- i! w
点温测试:测试重要元器件的温度,该测试的元器件分别有三个IC(主控TT9930、XS2100S、同步CR85V25RSA)、MOS管、输入大电容、两个输出电容、变压器磁芯和变压器线圈。
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) {! }/ ]$ {" e  n8 B

8 ?; J0 }, M- T; S( q1 |如上图为测试环境,该测试在尽量密闭环境中进行,不会有大量空气流入,从而使得各元器件能快速达到温度平衡的状态。" p, {+ c( b  R7 M( L$ U: {9 c" u

. @( L7 z! V( q% _) V5 w, n【解决思路】) E) @9 I4 y2 @" n1 N
1 R! I3 O# h  T' I9 Q7 H' c/ [
1、重新设计电源
2 [4 L+ C! \, S$ H& E
: k4 N5 o# Q+ q; w( [2 c- \首先,分析导致温度过高的原因,对电源进行重新设计。可以采用更高效的散热解决方案,例如增加散热片表面积、改善风道设计等。! L0 J& N  W. l6 r

& @2 H& f5 s, c2、更换元器件5 O# c8 z( B3 T/ }
+ e. J) t4 `  C! P( S3 Z, l
应优先选择低内阻、低损耗、高效率的元器件,同时可以适当增加元器件数量及规格。
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+ R9 ?, v4 |0 y3 C' P- C3、优化PCB布局5 |5 B9 X/ F: \
2 b  Q+ a% l! H" P, l
合理的PCB布局有助于减小电路电磁干扰,降低损耗和温升,减少系统噪声,提高抗干扰性。
8 R6 c" N1 g4 W- x# e. H) T$ g/ c2 S" y9 g/ w  K' w) G; Y4 i
4、优化散热设计7 {# m3 P: D+ |) Y- }( }& s

0 M: g9 ^6 ^: x5 `' A# Q5 |4 B通过优化散热设计来降低温度,如增加散热片面积、优化风道设计、增加风扇数量和转速等。3 f/ i0 K( D8 {0 X& v
  d) O4 f0 a1 {  v6 X
5、加强制造与测试管理
- i3 p# t" c0 ^+ I0 K2 A# G6 V0 B# R% H5 n* X$ l' D
加强制造工艺控制和良品率管理,确保产品符合规范要求。并且加强产品的温升测试,在生产过程中对电源进行多次测试,及时发现不合格产品,以便及早调整。, y% G0 V+ S" q9 C% F! {

+ O( @# a2 @% T' ?【调通要点】
* f. u" a- r7 E) O: ]! x

* i! @9 Y+ x7 z$ r; j7 c  K如上图首先通过对各元器件进行点温,观察各元器件的温度变化,如图04号元器件为MOS管,点温才不到几分钟后,MOS的温度就达到了93.7度,而其它元器件温度较为正常,初步判定MOS管出现了问题。# i6 J: f/ I3 t: ~. R" c
3 g9 g* I3 v" l- `1 g: T
; i# I' J2 d3 Y: y8 I- T
如上图为再经过几分钟后的元器件温度(01-08为各元器件测试温度),继续观察。* t( ~7 g5 p* L' N: o* U/ S
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+ @# i( t$ H' i' _6 M+ T1 l
如上图可以明显看到,虽然所有的元器件(01-08为各元器件测试温度)温度都在持续上升,但都没有特别大的异常,唯独MOS高达116的温度,可以基本确定是MOS烧坏而导致样机老化时突然没有输出。6 x, N- k# o" z( ]- }

) B$ M" q4 L2 T【最终结果】, e% Q  ~% O6 d- h, D  ^' K
+ f) r* }/ n9 Y* H+ j/ ?4 W7 S& D2 ^
经过测试后发现,测试元器件的温度都在正常范围内,唯独MOS管的温度变化格外异常(01为输出电容、02为同步IC CR85V25RSA、03为变压器磁芯、04为MOS管、05为IC XS2100S、06为主控IC TT9930、07为输入电容、08为变压器线圈、09为环温),经过不断尝试更换一颗同规格但不同厂家的MOS管,然后再进行老化及温度测试,样机正常工作。以下为替换MOS后的温升测试图片:4 i! f1 M( g9 I$ {5 {) N! j. Y

8 E) j) G: ]& ~! i* s# ~
: v- J  ~; G# f( S' c$ r
该图为样机老化6小时后的温度,各器件温度已经稳定,全都在合理范围内。04号MOS温度稳定在72.2度左右,离击穿温度还有很大的余量,完全满足客户需求。如果更换MOS后温度还是没有改善,则需要考虑是否为布局问题,可能要重新设计。
/ p, l7 v( G, i: A* _
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