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本帖最后由 思睿达小妹妹 于 2023-6-21 10:23 编辑 $ |' K! L4 @% u7 M! H0 i; H# A
* y3 F: R* E$ ]+ _6 l1 [- d作者:屈工有话说: |, O/ Q8 O9 @& u
! q& @* @4 Z3 O! U' t4 T6 N1 |PoE(Power over Ethernet)是一种有线以太网供电技术,网线传输数据的同时具备直流供电能力。全面应用于POE交换机、IP摄像头、IP电话、无线AP、便携设备充电器、刷卡机、数据采集等供需端产品。而TT9930是一款用于以太网供电系统(POE,power over Ethernet)的DC/DC控制器,采用原边控制模式,内置200V高压MOS,具有较高的系统效率。
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工程师在使用TT9930样机时发现,样机正常老化时,突然没有输出。经过排查后,怀疑MOS故障,本文将分享解决思路和要点。以下图片为该样机图片:/ O4 X1 L9 u; V% E% F6 f
9 a8 D0 h1 C. o9 GTT9930 样机图片
2 H) s' D4 A+ ?3 [【应用】视频监控/无线AP/IP电话等
; L% O1 `1 @9 [8 Z. K$ j; M) }【规格】12V2A
+ k. A2 |, ~& M, V. A【控制IC】TT9930
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- w. i5 D: t( L+ c. K5 z0 p【问题描述】
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样机正常老化时,突然没有输出。经过排查后,发现MOS管击穿且MOS管很烫,怀疑MOS烧坏,于是对其进行点温测试。以下是样机的测试图片:
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* a- j3 a$ o! V+ h1 Y @点温测试:测试重要元器件的温度,该测试的元器件分别有三个IC(主控TT9930、XS2100S、同步CR85V25RSA)、MOS管、输入大电容、两个输出电容、变压器磁芯和变压器线圈。
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* t. D; H) ]# d' _如上图为测试环境,该测试在尽量密闭环境中进行,不会有大量空气流入,从而使得各元器件能快速达到温度平衡的状态。
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【解决思路】
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1、重新设计电源
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首先,分析导致温度过高的原因,对电源进行重新设计。可以采用更高效的散热解决方案,例如增加散热片表面积、改善风道设计等。! \0 Y2 x n+ T% i% h5 M" @
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2、更换元器件
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9 _% @" d; m9 L0 T% G应优先选择低内阻、低损耗、高效率的元器件,同时可以适当增加元器件数量及规格。! p8 Q1 r6 |4 a: M- f) N+ g
+ l% ^# {. k5 S" m6 B7 H- R3、优化PCB布局
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合理的PCB布局有助于减小电路电磁干扰,降低损耗和温升,减少系统噪声,提高抗干扰性。- P; s, c7 Y" c) E; D
3 D: ~. E& V( q$ T# B3 A1 k4、优化散热设计: e3 F8 M1 S' c: O) C ^7 _
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通过优化散热设计来降低温度,如增加散热片面积、优化风道设计、增加风扇数量和转速等。* d+ I" E4 f* U0 z4 U4 [
$ L/ \. l+ q B0 Q7 H5、加强制造与测试管理0 A& a% m1 h$ M) x
8 O \1 z8 B2 K( {加强制造工艺控制和良品率管理,确保产品符合规范要求。并且加强产品的温升测试,在生产过程中对电源进行多次测试,及时发现不合格产品,以便及早调整。" d7 q8 O6 l2 J
* ~ d3 ?0 `" l" ]+ `" O% I9 |5 Y【调通要点】
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如上图首先通过对各元器件进行点温,观察各元器件的温度变化,如图04号元器件为MOS管,点温才不到几分钟后,MOS的温度就达到了93.7度,而其它元器件温度较为正常,初步判定MOS管出现了问题。
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如上图为再经过几分钟后的元器件温度(01-08为各元器件测试温度),继续观察。2 [( N; l+ k" X5 O
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+ k& K# w& m N, I1 Z5 B如上图可以明显看到,虽然所有的元器件(01-08为各元器件测试温度)温度都在持续上升,但都没有特别大的异常,唯独MOS高达116的温度,可以基本确定是MOS烧坏而导致样机老化时突然没有输出。* D/ ?/ L7 H8 r! N& P9 a6 Y( s
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【最终结果】1 K' @0 M# D7 c' ^
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经过测试后发现,测试元器件的温度都在正常范围内,唯独MOS管的温度变化格外异常(01为输出电容、02为同步IC CR85V25RSA、03为变压器磁芯、04为MOS管、05为IC XS2100S、06为主控IC TT9930、07为输入电容、08为变压器线圈、09为环温),经过不断尝试更换一颗同规格但不同厂家的MOS管,然后再进行老化及温度测试,样机正常工作。以下为替换MOS后的温升测试图片:5 K+ t% a7 c: R1 K
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. H+ m, U) _% M g该图为样机老化6小时后的温度,各器件温度已经稳定,全都在合理范围内。04号MOS温度稳定在72.2度左右,离击穿温度还有很大的余量,完全满足客户需求。如果更换MOS后温度还是没有改善,则需要考虑是否为布局问题,可能要重新设计。
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