中国安防论坛

 找回密码
 注册
查看: 11492|回复: 0

PoE电源模块不输出?可能是MOS管故障,解决方法请拿走~

[复制链接]

安防偶像

Rank: 7Rank: 7Rank: 7

积分
1715
发表于 2023-6-21 10:21:57 | 显示全部楼层 |阅读模式
本帖最后由 思睿达小妹妹 于 2023-6-21 10:23 编辑 & v) D! c% \9 @" i  \* \
2 _4 c" V5 F7 o9 |
作者:屈工有话说
: o5 v" @* r& M. e* P0 j
2 z. T6 t! N+ X1 j3 c/ TPoE(Power over Ethernet)是一种有线以太网供电技术,网线传输数据的同时具备直流供电能力。全面应用于POE交换机、IP摄像头、IP电话、无线AP、便携设备充电器、刷卡机、数据采集等供需端产品。而TT9930是一款用于以太网供电系统(POE,power over Ethernet)的DC/DC控制器,采用原边控制模式,内置200V高压MOS,具有较高的系统效率。
' S) {9 `1 _. [
' b) h+ s! O( I工程师在使用TT9930样机时发现,样机正常老化时,突然没有输出。经过排查后,怀疑MOS故障,本文将分享解决思路和要点。以下图片为该样机图片:
1 y  t- J/ P5 I. N5 v
# f  Y. P2 R8 A% k' A
TT9930 样机图片
% ^( n0 q- w: y5 f7 @
【应用】视频监控/无线AP/IP电话等. i( A- v4 X- I# b' X
【规格】12V2A
8 v1 q( g% B4 r3 E6 X9 \【控制IC】TT9930
/ |! L8 H4 n) G( J6 h) X$ k+ ?5 O+ h8 V1 E; Z
【问题描述】
2 \$ J+ h* f) D2 I& K& X+ _0 _  p' a7 @% E- a; v( T2 N" h/ V
样机正常老化时,突然没有输出。经过排查后,发现MOS管击穿且MOS管很烫,怀疑MOS烧坏,于是对其进行点温测试。以下是样机的测试图片:
+ J4 U6 [4 L3 O1 _9 N( P4 {8 m  N9 B) E# a; o4 N7 ^+ j
8 V! W. d+ q6 I1 O
点温测试:测试重要元器件的温度,该测试的元器件分别有三个IC(主控TT9930、XS2100S、同步CR85V25RSA)、MOS管、输入大电容、两个输出电容、变压器磁芯和变压器线圈。
$ Q, ~3 y: ~6 v, K1 v; z( ?: |/ w. |. o" p, Y, d! z4 _

/ y! J! _- a  I3 X+ P6 H) N如上图为测试环境,该测试在尽量密闭环境中进行,不会有大量空气流入,从而使得各元器件能快速达到温度平衡的状态。" Y9 w9 H: T5 i

2 s# \+ B& M$ `8 w3 e* H【解决思路】
/ Z6 i5 n% }8 l
+ }' u2 b! e, k- M- S; u1、重新设计电源
3 n4 D( s" k8 x2 y) J5 l) [: Q2 p# T6 s0 g, b# v
首先,分析导致温度过高的原因,对电源进行重新设计。可以采用更高效的散热解决方案,例如增加散热片表面积、改善风道设计等。
- J# {; t5 `2 V: [& y$ T. |2 ?8 a( P3 x9 S. e2 {
2、更换元器件; L. F& H: [$ y- f

. v8 j! Y  J5 F" v& k应优先选择低内阻、低损耗、高效率的元器件,同时可以适当增加元器件数量及规格。
2 [& x* M7 {9 |, B( m) F5 d3 I4 w# J5 J- m4 n$ f' Q. P
3、优化PCB布局% [) v" v+ k5 Y

$ ~1 K0 C4 @) ^" y1 r合理的PCB布局有助于减小电路电磁干扰,降低损耗和温升,减少系统噪声,提高抗干扰性。
; _: E' t/ r' }" c- m, C* L) t! |: h8 {# i$ z- ^& j
4、优化散热设计
& D0 u( P4 f2 k# s- d  a/ z9 k7 m
) N5 X2 |1 B' H通过优化散热设计来降低温度,如增加散热片面积、优化风道设计、增加风扇数量和转速等。. N: ?1 i* @- ]. y+ a- n; Z: k! q
% w: `( A1 W7 ?6 e  |
5、加强制造与测试管理% z. f' I7 A$ v+ W" A
* A3 m+ |9 [" x" w7 _) z
加强制造工艺控制和良品率管理,确保产品符合规范要求。并且加强产品的温升测试,在生产过程中对电源进行多次测试,及时发现不合格产品,以便及早调整。* h! ]# I- Z2 p1 Y! U; f8 q% L4 \' |# Q

  g: c9 {6 \% l- y; T; D  Z: |【调通要点】
7 e& v5 |3 [$ L$ Q; O7 ~/ ^8 F
" J& r- S) A' ^+ _  `& x; m
如上图首先通过对各元器件进行点温,观察各元器件的温度变化,如图04号元器件为MOS管,点温才不到几分钟后,MOS的温度就达到了93.7度,而其它元器件温度较为正常,初步判定MOS管出现了问题。
- \/ D4 ^% ~) @* ^9 o
$ X& c, U' S5 N; Q# @9 Q

5 O, t3 d- r, N6 F' Q  Y6 p如上图为再经过几分钟后的元器件温度(01-08为各元器件测试温度),继续观察。
% p" O2 M. s% L- K/ R
$ S5 n. ^2 K2 i' m

7 T; l0 Q& w4 C; j! e如上图可以明显看到,虽然所有的元器件(01-08为各元器件测试温度)温度都在持续上升,但都没有特别大的异常,唯独MOS高达116的温度,可以基本确定是MOS烧坏而导致样机老化时突然没有输出。1 e5 f3 W# e% l7 {2 n
+ l5 o9 g  ~0 D
【最终结果】; s% l; P; E# Z0 c8 a$ ]# O. z

  K# R9 K# [: j6 A% l7 q# C0 V- b经过测试后发现,测试元器件的温度都在正常范围内,唯独MOS管的温度变化格外异常(01为输出电容、02为同步IC CR85V25RSA、03为变压器磁芯、04为MOS管、05为IC XS2100S、06为主控IC TT9930、07为输入电容、08为变压器线圈、09为环温),经过不断尝试更换一颗同规格但不同厂家的MOS管,然后再进行老化及温度测试,样机正常工作。以下为替换MOS后的温升测试图片:
+ ]) r4 B. b; B; B& T" h8 I. a5 M, i! a. }
4 Z4 ]9 Q6 \' \' N
该图为样机老化6小时后的温度,各器件温度已经稳定,全都在合理范围内。04号MOS温度稳定在72.2度左右,离击穿温度还有很大的余量,完全满足客户需求。如果更换MOS后温度还是没有改善,则需要考虑是否为布局问题,可能要重新设计。3 B6 r* H$ o# s; ?# |8 u

5 y8 ?0 E) k8 C/ a

本帖子中包含更多资源

您需要 登录 才可以下载或查看,没有帐号?注册

x
思睿达联系人:何工 18923426660,欢迎来电咨询,申请样品。
您需要登录后才可以回帖 登录 | 注册

本版积分规则

安豆网|Archiver|手机版|中国安防论坛 ( 粤ICP备09063021号 )

GMT+8, 2026-5-28 06:54 , Processed in 0.106831 second(s), 23 queries .

Powered by Discuz! X3.4 Licensed

© 2001-2017 Comsenz Inc.

快速回复 返回顶部 返回列表