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PoE电源模块不输出?可能是MOS管故障,解决方法请拿走~

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发表于 2023-6-21 10:21:57 | 显示全部楼层 |阅读模式
本帖最后由 思睿达小妹妹 于 2023-6-21 10:23 编辑 0 \$ N6 w' A; l2 J9 K0 P/ \

3 `- }5 }7 q+ u作者:屈工有话说- r6 v+ c0 j+ Y; O; u. m4 b- \

2 D" }) U. b) P+ D9 FPoE(Power over Ethernet)是一种有线以太网供电技术,网线传输数据的同时具备直流供电能力。全面应用于POE交换机、IP摄像头、IP电话、无线AP、便携设备充电器、刷卡机、数据采集等供需端产品。而TT9930是一款用于以太网供电系统(POE,power over Ethernet)的DC/DC控制器,采用原边控制模式,内置200V高压MOS,具有较高的系统效率。
/ [' s9 F7 f* n+ g( C, h& r
; Z# `9 Z8 d+ ^8 L- E( K; I工程师在使用TT9930样机时发现,样机正常老化时,突然没有输出。经过排查后,怀疑MOS故障,本文将分享解决思路和要点。以下图片为该样机图片:3 S) Q: C; A4 I% z
/ r. y& ^6 X5 O
TT9930 样机图片
0 R$ g) u" M% L) o; T
【应用】视频监控/无线AP/IP电话等
, }0 h7 Z) B2 s; k【规格】12V2A
, z' s, r, r0 ]! [【控制IC】TT9930; l: _( F7 @3 N, Z5 ^

# C) V. K- i7 f! z+ Y' E【问题描述】0 K) K1 m: F" |- _

6 N8 X  a8 X1 M# H  x  [% w" `样机正常老化时,突然没有输出。经过排查后,发现MOS管击穿且MOS管很烫,怀疑MOS烧坏,于是对其进行点温测试。以下是样机的测试图片:. d- p6 _( i9 p" {

! h5 \! ?/ ^8 k
5 x4 z- m  [9 x. ~! G, `
点温测试:测试重要元器件的温度,该测试的元器件分别有三个IC(主控TT9930、XS2100S、同步CR85V25RSA)、MOS管、输入大电容、两个输出电容、变压器磁芯和变压器线圈。1 Q9 V, v, U/ y: Z8 d- u+ l

1 H6 t% Y" W0 v# v- `( K

8 n* ]* e% x5 D& @2 ~  l/ `# i如上图为测试环境,该测试在尽量密闭环境中进行,不会有大量空气流入,从而使得各元器件能快速达到温度平衡的状态。
6 n3 [2 X- T; p' U$ F6 e' ]0 ]- [  m1 P& m: I1 X: T  H3 g. ^
【解决思路】
) y8 C6 r- X+ f5 g% q. e+ U( I' _( L9 ?* k0 `' T
1、重新设计电源
8 b0 o" w+ y2 b, Z7 i
# o3 v5 m3 k0 ~7 ^! A  ^首先,分析导致温度过高的原因,对电源进行重新设计。可以采用更高效的散热解决方案,例如增加散热片表面积、改善风道设计等。7 u) q- b& c: Z! M1 j/ g7 M

  \! _8 a2 L5 f, s& L4 k2、更换元器件
/ N: t& k* J$ L% p) [; c- l" X8 d8 ]$ A
应优先选择低内阻、低损耗、高效率的元器件,同时可以适当增加元器件数量及规格。
! T- U7 s  Z5 |6 Y0 ~
0 e3 H+ O  Z( O* k# b4 v3、优化PCB布局
( ?0 ^' o3 |( G1 a* ~
. u$ L7 Y% e) O2 A/ e$ G合理的PCB布局有助于减小电路电磁干扰,降低损耗和温升,减少系统噪声,提高抗干扰性。
/ A8 S2 k) T5 v6 [+ a* \. m$ G" \
2 @2 }3 i/ f1 p( _9 }  d' Q4、优化散热设计
. N! G1 p% ], y+ P7 k+ G2 j
4 s$ }! _  q, [( d6 {2 u. W通过优化散热设计来降低温度,如增加散热片面积、优化风道设计、增加风扇数量和转速等。
. G2 R) E5 o' U3 B2 T* c3 _. S: S, r4 Q7 ?- J# @7 X, v* k
5、加强制造与测试管理- b2 o7 J) t9 h, E9 e

. e' t/ C4 E' b9 @加强制造工艺控制和良品率管理,确保产品符合规范要求。并且加强产品的温升测试,在生产过程中对电源进行多次测试,及时发现不合格产品,以便及早调整。
5 \4 N1 E; B- O4 _) v
) f$ q' P" a* `; |【调通要点】
, V1 `7 ]5 [$ b  P( _5 x" p2 e

) r+ R! K1 ~$ v: l如上图首先通过对各元器件进行点温,观察各元器件的温度变化,如图04号元器件为MOS管,点温才不到几分钟后,MOS的温度就达到了93.7度,而其它元器件温度较为正常,初步判定MOS管出现了问题。/ ]8 O) l' X1 p3 }
% q% z1 a5 h& \2 m( f% Z
5 T; X4 ^9 Z; T  `" P$ f
如上图为再经过几分钟后的元器件温度(01-08为各元器件测试温度),继续观察。+ O2 g: z/ |, |3 j6 P) w0 ?

9 p0 |/ J" Y# [& o. m- s$ V
4 n+ X1 Q2 L4 ?; T9 g
如上图可以明显看到,虽然所有的元器件(01-08为各元器件测试温度)温度都在持续上升,但都没有特别大的异常,唯独MOS高达116的温度,可以基本确定是MOS烧坏而导致样机老化时突然没有输出。7 f+ _; ]- x- P; f9 F8 a

  Q6 h! r4 h- F: d& U% }  w7 i【最终结果】
& b) E: Z& _9 [. ?9 V" F0 V. l  V1 t8 p* `% j. g4 R
经过测试后发现,测试元器件的温度都在正常范围内,唯独MOS管的温度变化格外异常(01为输出电容、02为同步IC CR85V25RSA、03为变压器磁芯、04为MOS管、05为IC XS2100S、06为主控IC TT9930、07为输入电容、08为变压器线圈、09为环温),经过不断尝试更换一颗同规格但不同厂家的MOS管,然后再进行老化及温度测试,样机正常工作。以下为替换MOS后的温升测试图片:
* n) c4 S9 j% U7 k) K0 W) i  j3 ~4 {- v# ?' P* c3 n2 `

* Z' t7 ]1 N3 [  L( l1 m3 A/ G4 u该图为样机老化6小时后的温度,各器件温度已经稳定,全都在合理范围内。04号MOS温度稳定在72.2度左右,离击穿温度还有很大的余量,完全满足客户需求。如果更换MOS后温度还是没有改善,则需要考虑是否为布局问题,可能要重新设计。4 R; n# x# [  q$ G/ B+ f( W
/ r! e, Q" Y& F9 X+ ?" ?- I2 T1 ?

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