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PoE电源模块不输出?可能是MOS管故障,解决方法请拿走~

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发表于 2023-6-21 10:21:57 | 显示全部楼层 |阅读模式
本帖最后由 思睿达小妹妹 于 2023-6-21 10:23 编辑
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作者:屈工有话说4 i: h; E) G* `" W1 [

. P8 ^2 q2 x* e& {PoE(Power over Ethernet)是一种有线以太网供电技术,网线传输数据的同时具备直流供电能力。全面应用于POE交换机、IP摄像头、IP电话、无线AP、便携设备充电器、刷卡机、数据采集等供需端产品。而TT9930是一款用于以太网供电系统(POE,power over Ethernet)的DC/DC控制器,采用原边控制模式,内置200V高压MOS,具有较高的系统效率。4 t9 b9 B; @0 e

! T- N4 Y) g+ S4 y1 r5 e工程师在使用TT9930样机时发现,样机正常老化时,突然没有输出。经过排查后,怀疑MOS故障,本文将分享解决思路和要点。以下图片为该样机图片:
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TT9930 样机图片

) r& F6 K% y" z$ _, w  _& H9 c【应用】视频监控/无线AP/IP电话等
" D* j; M' V" D3 H( R【规格】12V2A" n5 n$ W6 Y2 i* Y; [* ]
【控制IC】TT99307 a0 g. Q# n- K, @9 X6 N

8 ?+ k- o* h, f9 Z0 M【问题描述】  s5 q- d& Y) U! F* h
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样机正常老化时,突然没有输出。经过排查后,发现MOS管击穿且MOS管很烫,怀疑MOS烧坏,于是对其进行点温测试。以下是样机的测试图片:
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! w1 V8 R2 d; s9 @点温测试:测试重要元器件的温度,该测试的元器件分别有三个IC(主控TT9930、XS2100S、同步CR85V25RSA)、MOS管、输入大电容、两个输出电容、变压器磁芯和变压器线圈。$ X0 `1 g% p3 U6 I8 t! J- s

0 t& Z: {( l6 Z6 v1 |0 v7 B
  h! y/ `9 G% s! s
如上图为测试环境,该测试在尽量密闭环境中进行,不会有大量空气流入,从而使得各元器件能快速达到温度平衡的状态。( t% i" w, z  {9 B5 N$ y

" M( Q5 z# g* ^6 W  I3 {8 b7 v/ G【解决思路】
( U# z% P" k( {( O) k! F& t# U. R; ]/ M- b1 i
1、重新设计电源
" c# I+ u6 y* y! c& H' F3 X  [) j) M* Z
首先,分析导致温度过高的原因,对电源进行重新设计。可以采用更高效的散热解决方案,例如增加散热片表面积、改善风道设计等。
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# s8 S; v8 S% q9 U2、更换元器件) C- x( k/ Q1 a1 \

5 }6 Y/ _- b; D应优先选择低内阻、低损耗、高效率的元器件,同时可以适当增加元器件数量及规格。+ U- o) }' e' X. n+ h2 o6 I
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3、优化PCB布局" g/ n1 y, S3 d. h0 ]/ ~6 p

% H2 W5 W* T; [6 Y' T+ P合理的PCB布局有助于减小电路电磁干扰,降低损耗和温升,减少系统噪声,提高抗干扰性。9 I2 v  }$ {/ Y' `
) r7 x' w5 E& p, I. E
4、优化散热设计. d/ }1 G; `2 {" Z: r9 d# u
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通过优化散热设计来降低温度,如增加散热片面积、优化风道设计、增加风扇数量和转速等。+ Y+ }' S5 I: ~) }

5 r0 R0 r1 R$ |8 V( O5、加强制造与测试管理
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加强制造工艺控制和良品率管理,确保产品符合规范要求。并且加强产品的温升测试,在生产过程中对电源进行多次测试,及时发现不合格产品,以便及早调整。6 j2 H5 \! Z! @6 M/ P7 b5 h! M
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【调通要点】
+ P7 @# @# Z+ S0 N# c; O+ e
8 ]( S8 c: B* }  w# b
如上图首先通过对各元器件进行点温,观察各元器件的温度变化,如图04号元器件为MOS管,点温才不到几分钟后,MOS的温度就达到了93.7度,而其它元器件温度较为正常,初步判定MOS管出现了问题。$ L3 @' |1 V& S0 J: D1 U3 z+ M

. [7 [" O  s2 w8 s
: j3 I+ n% F" T, Y
如上图为再经过几分钟后的元器件温度(01-08为各元器件测试温度),继续观察。4 q) T6 l! n; b+ S: W( Z, L1 m1 h

* ^" |# M; V% P

  I$ f9 v: M% ^, x7 n( R2 H如上图可以明显看到,虽然所有的元器件(01-08为各元器件测试温度)温度都在持续上升,但都没有特别大的异常,唯独MOS高达116的温度,可以基本确定是MOS烧坏而导致样机老化时突然没有输出。! ]$ W( d( E: K0 M1 C( F

# G. R& N, [3 k) F/ y# N【最终结果】
! T, p8 h1 B' O) G* d' N* L8 {( @9 A1 v+ i! x
经过测试后发现,测试元器件的温度都在正常范围内,唯独MOS管的温度变化格外异常(01为输出电容、02为同步IC CR85V25RSA、03为变压器磁芯、04为MOS管、05为IC XS2100S、06为主控IC TT9930、07为输入电容、08为变压器线圈、09为环温),经过不断尝试更换一颗同规格但不同厂家的MOS管,然后再进行老化及温度测试,样机正常工作。以下为替换MOS后的温升测试图片:1 d$ x; m" o' q* M, x! M
" W& _. O3 O# I+ Z8 k
  x9 h8 L8 K: I6 \, i
该图为样机老化6小时后的温度,各器件温度已经稳定,全都在合理范围内。04号MOS温度稳定在72.2度左右,离击穿温度还有很大的余量,完全满足客户需求。如果更换MOS后温度还是没有改善,则需要考虑是否为布局问题,可能要重新设计。' h3 B& {% o5 {6 i; @

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