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PoE电源模块不输出?可能是MOS管故障,解决方法请拿走~

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发表于 2023-6-21 10:21:57 | 显示全部楼层 |阅读模式
本帖最后由 思睿达小妹妹 于 2023-6-21 10:23 编辑 - U: _/ U8 D7 z5 ~5 G

2 }5 o* R" i  y- C0 t作者:屈工有话说
$ Y4 K: l+ h. R# ?
9 x2 g7 J5 k) A- A9 H) B* TPoE(Power over Ethernet)是一种有线以太网供电技术,网线传输数据的同时具备直流供电能力。全面应用于POE交换机、IP摄像头、IP电话、无线AP、便携设备充电器、刷卡机、数据采集等供需端产品。而TT9930是一款用于以太网供电系统(POE,power over Ethernet)的DC/DC控制器,采用原边控制模式,内置200V高压MOS,具有较高的系统效率。
9 h& f- K! a; r+ D5 ?
% i2 s& J, v5 W5 n工程师在使用TT9930样机时发现,样机正常老化时,突然没有输出。经过排查后,怀疑MOS故障,本文将分享解决思路和要点。以下图片为该样机图片:
7 p" ?9 [% J- Z. h. S% ~( ^3 M5 x6 h: J9 E$ }; n8 R8 s
TT9930 样机图片
/ B( g, B. d4 O* T$ J# |
【应用】视频监控/无线AP/IP电话等1 {* c; E- Z1 ?4 ?1 S* F9 j  ^; r! `
【规格】12V2A
4 a, c+ j) ^4 S' l% U" g6 g【控制IC】TT99300 S3 z/ L; c% d1 ~) F5 Q
5 j) U5 Y; A, n, ~4 j
【问题描述】5 ?% `* b3 [$ u
* |6 b8 k8 B$ a0 f) X6 W2 C
样机正常老化时,突然没有输出。经过排查后,发现MOS管击穿且MOS管很烫,怀疑MOS烧坏,于是对其进行点温测试。以下是样机的测试图片:- v+ v: ~% d& F5 ~* e# h$ c

" R; `5 @2 R; `- e4 \

: h& o8 i  \# J. L/ ]- s点温测试:测试重要元器件的温度,该测试的元器件分别有三个IC(主控TT9930、XS2100S、同步CR85V25RSA)、MOS管、输入大电容、两个输出电容、变压器磁芯和变压器线圈。
: F. B1 o0 F; z4 D: j
8 I* L5 \: R' p

; |8 Q" Z) O/ \6 ?如上图为测试环境,该测试在尽量密闭环境中进行,不会有大量空气流入,从而使得各元器件能快速达到温度平衡的状态。
4 o/ S5 ]$ X  @3 |8 E) F9 q) P
5 o; S; t* Y# H& P5 \( _【解决思路】$ i9 \1 g, f- k/ Z2 z5 a* v

1 f( \0 s) Y( p) h! F1、重新设计电源, S2 B  }, G& |8 ?

  q0 {/ _: p( r: X9 g首先,分析导致温度过高的原因,对电源进行重新设计。可以采用更高效的散热解决方案,例如增加散热片表面积、改善风道设计等。
* B7 t+ R( v- H" G  P2 W0 o+ X0 X' h8 @( t
2、更换元器件
2 H# h0 y# r* h( N4 z! n6 X' d" n) u7 U- u
应优先选择低内阻、低损耗、高效率的元器件,同时可以适当增加元器件数量及规格。
6 V; g! [$ T$ i* v$ p# O9 Q  X8 ~0 q$ K0 }) D5 _: {  ]
3、优化PCB布局
  E; n5 Z. ~* u. t% W' K
$ I2 @' Y! P3 p- V% D0 i合理的PCB布局有助于减小电路电磁干扰,降低损耗和温升,减少系统噪声,提高抗干扰性。: T4 K' b0 _* Y& w- O8 ^: |
- ?: b8 e) N. ?& h
4、优化散热设计
3 g& C5 a- D. H  J! R$ r/ g, T9 O- x+ o  P. A; R0 U4 j0 c
通过优化散热设计来降低温度,如增加散热片面积、优化风道设计、增加风扇数量和转速等。- _( f, i/ l; f
8 x; I) X' x3 X/ b# c- w+ E
5、加强制造与测试管理- w2 L) s. |8 f) t

. s( s/ N/ I4 _7 Y" I) I1 `  o加强制造工艺控制和良品率管理,确保产品符合规范要求。并且加强产品的温升测试,在生产过程中对电源进行多次测试,及时发现不合格产品,以便及早调整。9 l, R5 [( ~3 ?0 w

$ t6 w& l; v! E- Q- {【调通要点】
8 \. U  y9 A4 D6 p( }* }
$ ?  u  a9 _6 @* _3 V: X# d6 s
如上图首先通过对各元器件进行点温,观察各元器件的温度变化,如图04号元器件为MOS管,点温才不到几分钟后,MOS的温度就达到了93.7度,而其它元器件温度较为正常,初步判定MOS管出现了问题。5 }% i$ [( ^$ C7 U" q$ }

( ?7 y. `6 Y/ s7 G3 @

, b+ Q2 P% C$ O5 s如上图为再经过几分钟后的元器件温度(01-08为各元器件测试温度),继续观察。
* R7 w6 Z% ]. }! ~
1 C7 z8 G5 Z1 z' X% i

! B; z, j0 v( f0 W如上图可以明显看到,虽然所有的元器件(01-08为各元器件测试温度)温度都在持续上升,但都没有特别大的异常,唯独MOS高达116的温度,可以基本确定是MOS烧坏而导致样机老化时突然没有输出。
4 O/ q3 s# B2 [% c! K2 z" l# R, Q* n" V# v& G# E: W2 n9 ]
【最终结果】7 z2 ^' Q( r0 x3 @: D
. M3 V9 o# f3 S/ z( @4 h, h  N5 B
经过测试后发现,测试元器件的温度都在正常范围内,唯独MOS管的温度变化格外异常(01为输出电容、02为同步IC CR85V25RSA、03为变压器磁芯、04为MOS管、05为IC XS2100S、06为主控IC TT9930、07为输入电容、08为变压器线圈、09为环温),经过不断尝试更换一颗同规格但不同厂家的MOS管,然后再进行老化及温度测试,样机正常工作。以下为替换MOS后的温升测试图片:# A4 C/ M0 V( T
5 h7 Y' E( o; r& Q( _5 k, A2 W  @

2 z' O* _* V* h# C该图为样机老化6小时后的温度,各器件温度已经稳定,全都在合理范围内。04号MOS温度稳定在72.2度左右,离击穿温度还有很大的余量,完全满足客户需求。如果更换MOS后温度还是没有改善,则需要考虑是否为布局问题,可能要重新设计。
+ D2 i" T1 l1 Z& Z- M+ v* l# l  l6 q+ T4 f* g, Q  A

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