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本帖最后由 思睿达小妹妹 于 2023-6-21 10:23 编辑
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作者:屈工有话说. S7 C ~1 A2 g" w" R: t0 {+ S x1 P
1 x; G* d. v) c+ l- S L/ t4 FPoE(Power over Ethernet)是一种有线以太网供电技术,网线传输数据的同时具备直流供电能力。全面应用于POE交换机、IP摄像头、IP电话、无线AP、便携设备充电器、刷卡机、数据采集等供需端产品。而TT9930是一款用于以太网供电系统(POE,power over Ethernet)的DC/DC控制器,采用原边控制模式,内置200V高压MOS,具有较高的系统效率。( p- h+ e8 M# ?& g9 l
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工程师在使用TT9930样机时发现,样机正常老化时,突然没有输出。经过排查后,怀疑MOS故障,本文将分享解决思路和要点。以下图片为该样机图片:0 m; _0 p4 b x, X) ~& ?, i+ J
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TT9930 样机图片 / J* W5 o- `1 {6 n: X" y
【应用】视频监控/无线AP/IP电话等
! g }! `/ l) |. j; R【规格】12V2A
2 I2 [2 `* }3 ^1 L3 e# ~【控制IC】TT9930+ a4 L4 m' w' e
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【问题描述】0 v g# i$ {, E' b7 g1 w7 r6 _8 R, H
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样机正常老化时,突然没有输出。经过排查后,发现MOS管击穿且MOS管很烫,怀疑MOS烧坏,于是对其进行点温测试。以下是样机的测试图片:
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. k% q* [7 f2 g点温测试:测试重要元器件的温度,该测试的元器件分别有三个IC(主控TT9930、XS2100S、同步CR85V25RSA)、MOS管、输入大电容、两个输出电容、变压器磁芯和变压器线圈。* Q; n4 O9 }9 K3 ^7 N0 ]
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7 p! R( }% j1 d7 _( t如上图为测试环境,该测试在尽量密闭环境中进行,不会有大量空气流入,从而使得各元器件能快速达到温度平衡的状态。9 @1 r0 X* X6 r, E* ]
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【解决思路】
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; b/ E5 z, E0 x1、重新设计电源
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2 c' m( @" v: C首先,分析导致温度过高的原因,对电源进行重新设计。可以采用更高效的散热解决方案,例如增加散热片表面积、改善风道设计等。
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' `! O9 v: y5 W! Y2、更换元器件
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' S4 _2 x4 _2 {0 T; y, @$ g1 x! N应优先选择低内阻、低损耗、高效率的元器件,同时可以适当增加元器件数量及规格。2 V+ T: a% Z2 ^& a
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3、优化PCB布局* l! R8 e* l" _: j. W! z
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合理的PCB布局有助于减小电路电磁干扰,降低损耗和温升,减少系统噪声,提高抗干扰性。6 E, g: y# J6 x$ z4 ]# a# ~* P" p+ t
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4、优化散热设计 l3 h5 _- j' j& j$ R
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通过优化散热设计来降低温度,如增加散热片面积、优化风道设计、增加风扇数量和转速等。
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5、加强制造与测试管理
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加强制造工艺控制和良品率管理,确保产品符合规范要求。并且加强产品的温升测试,在生产过程中对电源进行多次测试,及时发现不合格产品,以便及早调整。
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【调通要点】* z2 F, _; `7 v9 B
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如上图首先通过对各元器件进行点温,观察各元器件的温度变化,如图04号元器件为MOS管,点温才不到几分钟后,MOS的温度就达到了93.7度,而其它元器件温度较为正常,初步判定MOS管出现了问题。
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如上图为再经过几分钟后的元器件温度(01-08为各元器件测试温度),继续观察。
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如上图可以明显看到,虽然所有的元器件(01-08为各元器件测试温度)温度都在持续上升,但都没有特别大的异常,唯独MOS高达116的温度,可以基本确定是MOS烧坏而导致样机老化时突然没有输出。 g# s( ^; b9 f4 f, D
; C5 o; Y. u0 K【最终结果】7 T9 @9 |% y$ m$ g
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经过测试后发现,测试元器件的温度都在正常范围内,唯独MOS管的温度变化格外异常(01为输出电容、02为同步IC CR85V25RSA、03为变压器磁芯、04为MOS管、05为IC XS2100S、06为主控IC TT9930、07为输入电容、08为变压器线圈、09为环温),经过不断尝试更换一颗同规格但不同厂家的MOS管,然后再进行老化及温度测试,样机正常工作。以下为替换MOS后的温升测试图片:4 \ d0 ^8 ?; s. Q, e4 c
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该图为样机老化6小时后的温度,各器件温度已经稳定,全都在合理范围内。04号MOS温度稳定在72.2度左右,离击穿温度还有很大的余量,完全满足客户需求。如果更换MOS后温度还是没有改善,则需要考虑是否为布局问题,可能要重新设计。% j* K I1 h' [- r/ K# e, X
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