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PoE电源模块不输出?可能是MOS管故障,解决方法请拿走~

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发表于 2023-6-21 10:21:57 | 显示全部楼层 |阅读模式
本帖最后由 思睿达小妹妹 于 2023-6-21 10:23 编辑
6 s$ C1 `  N; a% t( h6 N
' a0 Z. j8 Z3 T) g. W- v作者:屈工有话说
+ i) o$ @" N* n* D0 w7 h' ^( e# B$ M! n; [7 q# s: a; t
PoE(Power over Ethernet)是一种有线以太网供电技术,网线传输数据的同时具备直流供电能力。全面应用于POE交换机、IP摄像头、IP电话、无线AP、便携设备充电器、刷卡机、数据采集等供需端产品。而TT9930是一款用于以太网供电系统(POE,power over Ethernet)的DC/DC控制器,采用原边控制模式,内置200V高压MOS,具有较高的系统效率。% U* `" D' [0 ]' P5 G4 x6 V, p
+ M, D/ q. k! d6 F$ h
工程师在使用TT9930样机时发现,样机正常老化时,突然没有输出。经过排查后,怀疑MOS故障,本文将分享解决思路和要点。以下图片为该样机图片:0 \, p# b7 A. ~' l5 a
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TT9930 样机图片
2 v" u& `/ r6 {: }7 X% F5 a* \
【应用】视频监控/无线AP/IP电话等
. y  T; m1 \" o) F, v2 ?" O+ s0 Z【规格】12V2A
  n  Z: V  a  G  F【控制IC】TT9930* S* h, i& p4 R6 N7 E  b

  V( h/ C) n  T, u" e1 Z. J【问题描述】
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4 p1 u3 A; v9 g" y$ R6 b. l样机正常老化时,突然没有输出。经过排查后,发现MOS管击穿且MOS管很烫,怀疑MOS烧坏,于是对其进行点温测试。以下是样机的测试图片:
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7 m. W. e% r: G点温测试:测试重要元器件的温度,该测试的元器件分别有三个IC(主控TT9930、XS2100S、同步CR85V25RSA)、MOS管、输入大电容、两个输出电容、变压器磁芯和变压器线圈。
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' M% a( ^8 K2 o8 z+ T8 c3 u如上图为测试环境,该测试在尽量密闭环境中进行,不会有大量空气流入,从而使得各元器件能快速达到温度平衡的状态。
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; @# G2 U8 `( }. u+ I, }7 [$ Q【解决思路】
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1、重新设计电源
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首先,分析导致温度过高的原因,对电源进行重新设计。可以采用更高效的散热解决方案,例如增加散热片表面积、改善风道设计等。2 _  b+ k  V( j* ^4 c

. l$ }7 d" Z& g0 X2、更换元器件
" t$ _! ?1 J; |/ l" L. f+ ?- v. ~0 C
3 J/ t# e1 H% h. P" P4 i应优先选择低内阻、低损耗、高效率的元器件,同时可以适当增加元器件数量及规格。1 c. x( X$ r/ E! t: O9 d& \
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3、优化PCB布局
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合理的PCB布局有助于减小电路电磁干扰,降低损耗和温升,减少系统噪声,提高抗干扰性。
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! S( F! K% h; ~$ O4 N6 V* u4、优化散热设计
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通过优化散热设计来降低温度,如增加散热片面积、优化风道设计、增加风扇数量和转速等。: `0 Z# W  `$ V3 h9 W$ ]

( j: n9 }& Z( H- o/ U0 z3 h9 A5、加强制造与测试管理
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加强制造工艺控制和良品率管理,确保产品符合规范要求。并且加强产品的温升测试,在生产过程中对电源进行多次测试,及时发现不合格产品,以便及早调整。
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【调通要点】
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如上图首先通过对各元器件进行点温,观察各元器件的温度变化,如图04号元器件为MOS管,点温才不到几分钟后,MOS的温度就达到了93.7度,而其它元器件温度较为正常,初步判定MOS管出现了问题。/ ~* t6 u3 r5 Y7 y+ Y: a" D5 M- D

- l1 S5 A' F6 S: Y6 P# x( g  M

( k5 f' W2 i2 W如上图为再经过几分钟后的元器件温度(01-08为各元器件测试温度),继续观察。5 ]; H7 Z: I& k) [- |  q0 y" u

, d; {) J$ M7 N# ?' U( v) w

, r6 b+ i, x, |* A如上图可以明显看到,虽然所有的元器件(01-08为各元器件测试温度)温度都在持续上升,但都没有特别大的异常,唯独MOS高达116的温度,可以基本确定是MOS烧坏而导致样机老化时突然没有输出。
2 J/ K7 O7 }. {" D# g9 O4 [$ g( x0 @2 A. C. ~2 h' b
【最终结果】
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" G* |! W: G# Q6 T7 r" d经过测试后发现,测试元器件的温度都在正常范围内,唯独MOS管的温度变化格外异常(01为输出电容、02为同步IC CR85V25RSA、03为变压器磁芯、04为MOS管、05为IC XS2100S、06为主控IC TT9930、07为输入电容、08为变压器线圈、09为环温),经过不断尝试更换一颗同规格但不同厂家的MOS管,然后再进行老化及温度测试,样机正常工作。以下为替换MOS后的温升测试图片:6 n: Z* A( V6 K- Y9 c) e

3 I0 q) U; d4 s; Y: n

. A* L0 o, g7 Q4 C7 p; Y该图为样机老化6小时后的温度,各器件温度已经稳定,全都在合理范围内。04号MOS温度稳定在72.2度左右,离击穿温度还有很大的余量,完全满足客户需求。如果更换MOS后温度还是没有改善,则需要考虑是否为布局问题,可能要重新设计。
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