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PoE电源模块不输出?可能是MOS管故障,解决方法请拿走~

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发表于 2023-6-21 10:21:57 | 显示全部楼层 |阅读模式
本帖最后由 思睿达小妹妹 于 2023-6-21 10:23 编辑 % c7 Z; {$ |3 K5 P: ^4 f0 }8 O
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作者:屈工有话说
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PoE(Power over Ethernet)是一种有线以太网供电技术,网线传输数据的同时具备直流供电能力。全面应用于POE交换机、IP摄像头、IP电话、无线AP、便携设备充电器、刷卡机、数据采集等供需端产品。而TT9930是一款用于以太网供电系统(POE,power over Ethernet)的DC/DC控制器,采用原边控制模式,内置200V高压MOS,具有较高的系统效率。1 ~, b% v, I! H. P6 L! S

+ K. E( D1 ~# k8 c4 o工程师在使用TT9930样机时发现,样机正常老化时,突然没有输出。经过排查后,怀疑MOS故障,本文将分享解决思路和要点。以下图片为该样机图片:
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1 C( ?9 l7 q4 F% f8 N$ Q
TT9930 样机图片

: K4 m( V8 J; g【应用】视频监控/无线AP/IP电话等; y  c3 i3 K% s9 R  q5 X1 F4 E( W
【规格】12V2A
5 v7 i( _! k9 b# \( d【控制IC】TT9930: |% ^) G! ~+ m$ l& T" f9 N4 J

/ j* y! a# r, M5 l【问题描述】! \: y/ d% `2 L. F1 L

( r$ F8 h+ p' \( ^% c* |3 m样机正常老化时,突然没有输出。经过排查后,发现MOS管击穿且MOS管很烫,怀疑MOS烧坏,于是对其进行点温测试。以下是样机的测试图片:
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7 q$ y+ z8 R  H6 a$ B
点温测试:测试重要元器件的温度,该测试的元器件分别有三个IC(主控TT9930、XS2100S、同步CR85V25RSA)、MOS管、输入大电容、两个输出电容、变压器磁芯和变压器线圈。
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4 i" T  b# f- n) }* h& N) r
如上图为测试环境,该测试在尽量密闭环境中进行,不会有大量空气流入,从而使得各元器件能快速达到温度平衡的状态。
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0 D( Z5 s& _+ p- M$ y" O* S【解决思路】
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1、重新设计电源$ `3 o* ?# Q$ y# [/ E, z+ V

  z! z2 C' l4 @) M+ A首先,分析导致温度过高的原因,对电源进行重新设计。可以采用更高效的散热解决方案,例如增加散热片表面积、改善风道设计等。3 d/ O' K8 ]  w- q  a
: }" M2 }6 N" s  r+ B2 S" X7 n
2、更换元器件; o& V/ k5 P1 s: W: P) ]
3 [1 X' H: D# n0 u4 b9 T' ]
应优先选择低内阻、低损耗、高效率的元器件,同时可以适当增加元器件数量及规格。
' j4 \& w. X+ t7 N  i
9 l" O/ Q! y/ L( p0 H9 }# h3、优化PCB布局0 z4 I' q# D7 i# t
. o* G! c  V$ c$ R* ?2 w% o
合理的PCB布局有助于减小电路电磁干扰,降低损耗和温升,减少系统噪声,提高抗干扰性。6 E4 g- t2 `/ S! `; ^

0 u# A1 Z3 G  R$ R) ?4 C4、优化散热设计
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+ c1 `2 S( d4 X) y通过优化散热设计来降低温度,如增加散热片面积、优化风道设计、增加风扇数量和转速等。) H' H* b8 |$ _4 V+ V; |
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5、加强制造与测试管理
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% R8 W' o0 D" _& x% J# \3 x加强制造工艺控制和良品率管理,确保产品符合规范要求。并且加强产品的温升测试,在生产过程中对电源进行多次测试,及时发现不合格产品,以便及早调整。
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【调通要点】
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, i, {, h9 ^( n$ }" @7 r' i如上图首先通过对各元器件进行点温,观察各元器件的温度变化,如图04号元器件为MOS管,点温才不到几分钟后,MOS的温度就达到了93.7度,而其它元器件温度较为正常,初步判定MOS管出现了问题。
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如上图为再经过几分钟后的元器件温度(01-08为各元器件测试温度),继续观察。: E9 v2 l% _% C* n- I

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' Y  K7 G6 S  Q" o7 N如上图可以明显看到,虽然所有的元器件(01-08为各元器件测试温度)温度都在持续上升,但都没有特别大的异常,唯独MOS高达116的温度,可以基本确定是MOS烧坏而导致样机老化时突然没有输出。
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+ j6 Z4 Z9 S6 `5 l% O: D9 K3 w8 G% k【最终结果】9 R/ f* [+ F! y- U

5 u  {4 G6 X) K1 g& B& b/ I经过测试后发现,测试元器件的温度都在正常范围内,唯独MOS管的温度变化格外异常(01为输出电容、02为同步IC CR85V25RSA、03为变压器磁芯、04为MOS管、05为IC XS2100S、06为主控IC TT9930、07为输入电容、08为变压器线圈、09为环温),经过不断尝试更换一颗同规格但不同厂家的MOS管,然后再进行老化及温度测试,样机正常工作。以下为替换MOS后的温升测试图片:
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+ T4 A  @1 B: c2 c" K
该图为样机老化6小时后的温度,各器件温度已经稳定,全都在合理范围内。04号MOS温度稳定在72.2度左右,离击穿温度还有很大的余量,完全满足客户需求。如果更换MOS后温度还是没有改善,则需要考虑是否为布局问题,可能要重新设计。
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