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本帖最后由 思睿达小妹妹 于 2023-6-21 10:23 编辑
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作者:屈工有话说$ S H5 @2 ]$ S( ^# r% E
5 R8 @3 Y! }: e, ePoE(Power over Ethernet)是一种有线以太网供电技术,网线传输数据的同时具备直流供电能力。全面应用于POE交换机、IP摄像头、IP电话、无线AP、便携设备充电器、刷卡机、数据采集等供需端产品。而TT9930是一款用于以太网供电系统(POE,power over Ethernet)的DC/DC控制器,采用原边控制模式,内置200V高压MOS,具有较高的系统效率。
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* P! @: ^4 z6 r) H7 y- u- T7 n工程师在使用TT9930样机时发现,样机正常老化时,突然没有输出。经过排查后,怀疑MOS故障,本文将分享解决思路和要点。以下图片为该样机图片:' S4 d6 P; g1 ]* L: R( T: k
- e9 @8 _7 ?& i8 ^* r( zTT9930 样机图片
" I' _! Y* D! t【应用】视频监控/无线AP/IP电话等
- _8 u: s$ [+ X' d+ i* \【规格】12V2A
v' [0 m% @+ s- @【控制IC】TT9930
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; O* t$ g4 `* v* U【问题描述】
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样机正常老化时,突然没有输出。经过排查后,发现MOS管击穿且MOS管很烫,怀疑MOS烧坏,于是对其进行点温测试。以下是样机的测试图片:
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点温测试:测试重要元器件的温度,该测试的元器件分别有三个IC(主控TT9930、XS2100S、同步CR85V25RSA)、MOS管、输入大电容、两个输出电容、变压器磁芯和变压器线圈。* h$ l8 o: T1 r/ n1 s, f) g
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- x$ I+ m- P( H A* @如上图为测试环境,该测试在尽量密闭环境中进行,不会有大量空气流入,从而使得各元器件能快速达到温度平衡的状态。4 b# L5 D" M- ?9 J
) o" A- }# \& k: c3 B" D0 ^+ m【解决思路】
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1、重新设计电源
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首先,分析导致温度过高的原因,对电源进行重新设计。可以采用更高效的散热解决方案,例如增加散热片表面积、改善风道设计等。# L) ?. Z7 f# k0 c
- k5 j; i! T# ?, ?5 o/ t* b2、更换元器件
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1 {% |, S- H# r. e& H* n4 W应优先选择低内阻、低损耗、高效率的元器件,同时可以适当增加元器件数量及规格。
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% T3 |1 W' W u3、优化PCB布局& D+ g& R5 m9 H5 \( _
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合理的PCB布局有助于减小电路电磁干扰,降低损耗和温升,减少系统噪声,提高抗干扰性。- X3 ?8 Y$ q0 G1 M0 s
J/ _8 E, {/ m) q) ?9 L4、优化散热设计
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4 d, S* O3 n r5 w8 H通过优化散热设计来降低温度,如增加散热片面积、优化风道设计、增加风扇数量和转速等。5 y7 l( O% \$ Q0 T4 y$ ?' }" [
: d$ z6 z" S% U8 @* G N5、加强制造与测试管理2 a: x8 R+ l* n/ \
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加强制造工艺控制和良品率管理,确保产品符合规范要求。并且加强产品的温升测试,在生产过程中对电源进行多次测试,及时发现不合格产品,以便及早调整。4 |: ^; ^6 M8 v" M* w
2 \8 d) Y2 K4 n8 Z! K8 [) u【调通要点】7 w: A8 {$ ?" F' s
; o+ _; k$ a1 D1 K0 w9 a如上图首先通过对各元器件进行点温,观察各元器件的温度变化,如图04号元器件为MOS管,点温才不到几分钟后,MOS的温度就达到了93.7度,而其它元器件温度较为正常,初步判定MOS管出现了问题。
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如上图为再经过几分钟后的元器件温度(01-08为各元器件测试温度),继续观察。, W* w$ h. ~( b' C/ [
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4 o: x/ z( o+ |, R ]如上图可以明显看到,虽然所有的元器件(01-08为各元器件测试温度)温度都在持续上升,但都没有特别大的异常,唯独MOS高达116的温度,可以基本确定是MOS烧坏而导致样机老化时突然没有输出。
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8 n) A4 I1 e0 {6 _" a! G" }# A' X【最终结果】
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$ c- s6 k5 K4 K经过测试后发现,测试元器件的温度都在正常范围内,唯独MOS管的温度变化格外异常(01为输出电容、02为同步IC CR85V25RSA、03为变压器磁芯、04为MOS管、05为IC XS2100S、06为主控IC TT9930、07为输入电容、08为变压器线圈、09为环温),经过不断尝试更换一颗同规格但不同厂家的MOS管,然后再进行老化及温度测试,样机正常工作。以下为替换MOS后的温升测试图片:
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该图为样机老化6小时后的温度,各器件温度已经稳定,全都在合理范围内。04号MOS温度稳定在72.2度左右,离击穿温度还有很大的余量,完全满足客户需求。如果更换MOS后温度还是没有改善,则需要考虑是否为布局问题,可能要重新设计。8 w& J. y7 x! C# }6 ]$ V, D( i
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