|
|
本帖最后由 思睿达小妹妹 于 2023-6-21 10:23 编辑
' z+ b: P$ j( T) p7 n4 S" m# k$ U5 }2 j" u3 U/ T8 H/ L
作者:屈工有话说
, q# }# K9 h2 _2 p+ O4 q
: m- K% {8 F: ~4 |PoE(Power over Ethernet)是一种有线以太网供电技术,网线传输数据的同时具备直流供电能力。全面应用于POE交换机、IP摄像头、IP电话、无线AP、便携设备充电器、刷卡机、数据采集等供需端产品。而TT9930是一款用于以太网供电系统(POE,power over Ethernet)的DC/DC控制器,采用原边控制模式,内置200V高压MOS,具有较高的系统效率。
/ L9 T9 c/ o9 p3 S( y z3 E. W( L j- d% k3 _3 P
工程师在使用TT9930样机时发现,样机正常老化时,突然没有输出。经过排查后,怀疑MOS故障,本文将分享解决思路和要点。以下图片为该样机图片:
* q+ w, `9 e" `$ ]5 |) D# i5 T0 N7 j( n; }* I6 a+ j
TT9930 样机图片 8 z" X" [* s" V" }# f! L
【应用】视频监控/无线AP/IP电话等 X4 _/ h3 S7 w: G- o1 m
【规格】12V2A6 D9 c+ Y0 B3 P5 i, H, H
【控制IC】TT99307 i! `, L, k9 y
0 ^, a `; F# g9 W# G9 ^5 @8 Q
【问题描述】) r3 L% z: n) |
1 } N7 F6 e0 j* c( d, E( O: N
样机正常老化时,突然没有输出。经过排查后,发现MOS管击穿且MOS管很烫,怀疑MOS烧坏,于是对其进行点温测试。以下是样机的测试图片:) ]9 S+ g1 |% X1 L; z
' i4 {( I* G! U# {# S9 o. |' D( f
) S. _* t; v, S* p# w3 t$ J点温测试:测试重要元器件的温度,该测试的元器件分别有三个IC(主控TT9930、XS2100S、同步CR85V25RSA)、MOS管、输入大电容、两个输出电容、变压器磁芯和变压器线圈。
) N3 j! t: _4 Y9 I6 G% ], Q( Z* e
( V8 G ^7 u( h/ D
( [; W! } y; D' b) k* G- I如上图为测试环境,该测试在尽量密闭环境中进行,不会有大量空气流入,从而使得各元器件能快速达到温度平衡的状态。+ A- \" E0 C2 f* ]! g% J. x% P
7 m7 [1 Y/ {4 O! N1 `$ ~0 i【解决思路】
5 I9 I% {$ Q: x0 h4 k$ f8 O. H
' A5 T) U B! n. U o/ ^" v1、重新设计电源
8 Y+ K2 |) Y1 S
; J, n9 c% C" x首先,分析导致温度过高的原因,对电源进行重新设计。可以采用更高效的散热解决方案,例如增加散热片表面积、改善风道设计等。) ]% l3 V4 G* m+ U3 Y! g( \
( O8 A# d% L, _2、更换元器件# f. t4 X) v2 J7 ~; _8 t1 G
2 X2 K$ F/ }: L4 v# |7 t
应优先选择低内阻、低损耗、高效率的元器件,同时可以适当增加元器件数量及规格。
+ X# u3 X; H: S. `8 n& x7 s' l+ P- E
! V( @; O+ E- I+ n. k/ b3、优化PCB布局
" w7 I) b3 T* \. e; p0 M4 [% X u8 q! _. S# r6 L$ ~2 j! k$ j
合理的PCB布局有助于减小电路电磁干扰,降低损耗和温升,减少系统噪声,提高抗干扰性。4 b c5 w3 f. E! s3 y* \3 H; y/ m$ B
1 u! _3 p4 w5 c$ B/ @4、优化散热设计
, U% }9 b; e- u+ R& l
# {- l# u! W" a D- ~通过优化散热设计来降低温度,如增加散热片面积、优化风道设计、增加风扇数量和转速等。
. }2 H* D$ G9 v4 m
" _; U. v: i, }: [) Q5、加强制造与测试管理
7 l( u, ^' B% v* K6 y5 ]- j. X. K* J J- ^; \! l% `
加强制造工艺控制和良品率管理,确保产品符合规范要求。并且加强产品的温升测试,在生产过程中对电源进行多次测试,及时发现不合格产品,以便及早调整。
& {% h& o6 C& ]* e/ }+ U/ g8 P2 _! q! M& P1 @! ]1 U$ L1 O- N
【调通要点】
& q, x) l- y0 s% R1 u: U" q) N- b ~6 J" u; F/ R2 e: A
如上图首先通过对各元器件进行点温,观察各元器件的温度变化,如图04号元器件为MOS管,点温才不到几分钟后,MOS的温度就达到了93.7度,而其它元器件温度较为正常,初步判定MOS管出现了问题。* ^) t+ W6 s+ S- X r0 b
( B0 Q" \$ k7 K4 k9 Q; n0 F+ I3 |
* Q; L2 {0 c! A如上图为再经过几分钟后的元器件温度(01-08为各元器件测试温度),继续观察。9 X" O% P/ {2 ~3 |" s3 J
: B0 t5 k, q* ^( o3 Q- ~+ ^
1 k% H( v$ L I: _5 G9 A+ g( d如上图可以明显看到,虽然所有的元器件(01-08为各元器件测试温度)温度都在持续上升,但都没有特别大的异常,唯独MOS高达116的温度,可以基本确定是MOS烧坏而导致样机老化时突然没有输出。
; D: X" R% m$ r& ]) t6 T4 c! v1 d7 N
【最终结果】
y8 I7 y5 R7 R9 F! R
5 L% \! W# J4 S) s5 Q经过测试后发现,测试元器件的温度都在正常范围内,唯独MOS管的温度变化格外异常(01为输出电容、02为同步IC CR85V25RSA、03为变压器磁芯、04为MOS管、05为IC XS2100S、06为主控IC TT9930、07为输入电容、08为变压器线圈、09为环温),经过不断尝试更换一颗同规格但不同厂家的MOS管,然后再进行老化及温度测试,样机正常工作。以下为替换MOS后的温升测试图片:
% L2 x& V( j) {" Y# l
4 G4 L" \& l* V
& U: Z, w" f) E3 y! [该图为样机老化6小时后的温度,各器件温度已经稳定,全都在合理范围内。04号MOS温度稳定在72.2度左右,离击穿温度还有很大的余量,完全满足客户需求。如果更换MOS后温度还是没有改善,则需要考虑是否为布局问题,可能要重新设计。
0 Q, v8 C8 E3 Q7 j0 D
9 X$ R/ X5 \" ]3 Q |
本帖子中包含更多资源
您需要 登录 才可以下载或查看,没有帐号?注册
x
|