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本帖最后由 思睿达小妹妹 于 2023-6-21 10:23 编辑 ]- D7 u! j8 V9 X% e2 K' u
$ }! h9 I! B( M- n6 M' y作者:屈工有话说: |+ \$ m4 E1 C' h( B
1 G2 F6 J. m$ j2 lPoE(Power over Ethernet)是一种有线以太网供电技术,网线传输数据的同时具备直流供电能力。全面应用于POE交换机、IP摄像头、IP电话、无线AP、便携设备充电器、刷卡机、数据采集等供需端产品。而TT9930是一款用于以太网供电系统(POE,power over Ethernet)的DC/DC控制器,采用原边控制模式,内置200V高压MOS,具有较高的系统效率。- j& `# z' I2 j: u0 M9 P
6 O0 `* h* Y5 i) Z0 F工程师在使用TT9930样机时发现,样机正常老化时,突然没有输出。经过排查后,怀疑MOS故障,本文将分享解决思路和要点。以下图片为该样机图片:: W* H4 r, s3 l% y
8 t, Q8 P$ A! ~& D& Z7 U) I1 i. k, |TT9930 样机图片 8 S9 f/ D' \" @9 q. }- U. _7 r
【应用】视频监控/无线AP/IP电话等1 E) s7 O7 i( A" v7 l9 b! Q6 X/ ^( e
【规格】12V2A
$ W$ N, ?% O# m% H0 J' D2 }2 \4 Y【控制IC】TT99308 p, I' a e& W% h2 i4 Z E, }4 i2 K/ q
! R+ U9 K. e# r% O' \- Z0 l8 J3 x【问题描述】# w. J( B( c% Z9 u7 c
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样机正常老化时,突然没有输出。经过排查后,发现MOS管击穿且MOS管很烫,怀疑MOS烧坏,于是对其进行点温测试。以下是样机的测试图片:
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点温测试:测试重要元器件的温度,该测试的元器件分别有三个IC(主控TT9930、XS2100S、同步CR85V25RSA)、MOS管、输入大电容、两个输出电容、变压器磁芯和变压器线圈。
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* t8 z+ y% v" o# k8 X! A如上图为测试环境,该测试在尽量密闭环境中进行,不会有大量空气流入,从而使得各元器件能快速达到温度平衡的状态。 `: a- u% l- e9 |7 q4 F6 i
' g$ i( l9 m) H【解决思路】
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1、重新设计电源
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首先,分析导致温度过高的原因,对电源进行重新设计。可以采用更高效的散热解决方案,例如增加散热片表面积、改善风道设计等。
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2、更换元器件
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" ]# V% J) G. c9 i e+ a应优先选择低内阻、低损耗、高效率的元器件,同时可以适当增加元器件数量及规格。) y% ^3 T2 n" N6 p8 [( v) H/ {
+ r2 ^- T' W$ Q4 M3、优化PCB布局6 D" \% q1 `" Y6 F
* y7 K W- d, J合理的PCB布局有助于减小电路电磁干扰,降低损耗和温升,减少系统噪声,提高抗干扰性。" I9 B7 i& c; P
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4、优化散热设计3 c9 L/ s. ~4 G
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通过优化散热设计来降低温度,如增加散热片面积、优化风道设计、增加风扇数量和转速等。4 s% l8 B- z/ o: j
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5、加强制造与测试管理! j; V+ Z/ }% S" j9 W) v. `' v3 D
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加强制造工艺控制和良品率管理,确保产品符合规范要求。并且加强产品的温升测试,在生产过程中对电源进行多次测试,及时发现不合格产品,以便及早调整。) R0 u6 u- b2 x0 L7 l M% p
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【调通要点】2 T5 I* x @$ m$ r9 q
6 R' b6 q0 L/ n/ B# h( w/ u如上图首先通过对各元器件进行点温,观察各元器件的温度变化,如图04号元器件为MOS管,点温才不到几分钟后,MOS的温度就达到了93.7度,而其它元器件温度较为正常,初步判定MOS管出现了问题。
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4 n$ Z: g; n0 d4 _8 d# O. Y如上图为再经过几分钟后的元器件温度(01-08为各元器件测试温度),继续观察。
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如上图可以明显看到,虽然所有的元器件(01-08为各元器件测试温度)温度都在持续上升,但都没有特别大的异常,唯独MOS高达116的温度,可以基本确定是MOS烧坏而导致样机老化时突然没有输出。" a. P. c% q3 V4 S: \7 P3 \9 J
~% I- {& S3 `, P, v1 H【最终结果】' p( a. D! Y. E0 F( j6 P- R- n! C! F1 k
5 }8 F& e3 f7 A6 F+ F8 j1 |经过测试后发现,测试元器件的温度都在正常范围内,唯独MOS管的温度变化格外异常(01为输出电容、02为同步IC CR85V25RSA、03为变压器磁芯、04为MOS管、05为IC XS2100S、06为主控IC TT9930、07为输入电容、08为变压器线圈、09为环温),经过不断尝试更换一颗同规格但不同厂家的MOS管,然后再进行老化及温度测试,样机正常工作。以下为替换MOS后的温升测试图片:
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; l ]% L7 y$ b) a8 p2 k1 R该图为样机老化6小时后的温度,各器件温度已经稳定,全都在合理范围内。04号MOS温度稳定在72.2度左右,离击穿温度还有很大的余量,完全满足客户需求。如果更换MOS后温度还是没有改善,则需要考虑是否为布局问题,可能要重新设计。1 y, Z( v0 j c4 T, N |4 x% m5 i& _
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