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PoE电源模块不输出?可能是MOS管故障,解决方法请拿走~

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发表于 2023-6-21 10:21:57 | 显示全部楼层 |阅读模式
本帖最后由 思睿达小妹妹 于 2023-6-21 10:23 编辑
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作者:屈工有话说& U$ ~  l4 G3 }/ W% y
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PoE(Power over Ethernet)是一种有线以太网供电技术,网线传输数据的同时具备直流供电能力。全面应用于POE交换机、IP摄像头、IP电话、无线AP、便携设备充电器、刷卡机、数据采集等供需端产品。而TT9930是一款用于以太网供电系统(POE,power over Ethernet)的DC/DC控制器,采用原边控制模式,内置200V高压MOS,具有较高的系统效率。
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工程师在使用TT9930样机时发现,样机正常老化时,突然没有输出。经过排查后,怀疑MOS故障,本文将分享解决思路和要点。以下图片为该样机图片:
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TT9930 样机图片
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【应用】视频监控/无线AP/IP电话等
0 x2 J+ K7 o& e  I【规格】12V2A
4 [; u6 f9 h$ e' i3 x6 [【控制IC】TT9930" a' h  M' M; i2 W
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【问题描述】
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( P4 y2 j1 C3 D- b3 h: |样机正常老化时,突然没有输出。经过排查后,发现MOS管击穿且MOS管很烫,怀疑MOS烧坏,于是对其进行点温测试。以下是样机的测试图片:* G  ?1 T( F, G2 ^+ A: t5 o+ X) B

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点温测试:测试重要元器件的温度,该测试的元器件分别有三个IC(主控TT9930、XS2100S、同步CR85V25RSA)、MOS管、输入大电容、两个输出电容、变压器磁芯和变压器线圈。$ ~- Y) f- x5 x8 X: S
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# U# s7 t1 l- c. w1 ~# A2 k6 g如上图为测试环境,该测试在尽量密闭环境中进行,不会有大量空气流入,从而使得各元器件能快速达到温度平衡的状态。+ @+ A3 z& V3 c  H6 r
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【解决思路】' V- L* p" T  o+ ~: I
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1、重新设计电源9 g  Z& d; F0 k3 x( c+ D: B6 a6 g
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首先,分析导致温度过高的原因,对电源进行重新设计。可以采用更高效的散热解决方案,例如增加散热片表面积、改善风道设计等。, u+ D6 p3 i2 ~" J8 {  i* M, J$ [

9 z9 W8 t: h( Z2 t' R: N5 }" K2、更换元器件9 @3 \* o4 V' r0 g6 H$ u3 M  E) l2 m
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应优先选择低内阻、低损耗、高效率的元器件,同时可以适当增加元器件数量及规格。
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" u* u+ z) r0 G3、优化PCB布局; V" p+ M) y: ~( y! B9 W3 {! v+ D
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合理的PCB布局有助于减小电路电磁干扰,降低损耗和温升,减少系统噪声,提高抗干扰性。
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2 ?, h$ \, g+ G4 Q, a7 t% Y. }" R4、优化散热设计& H$ {$ x4 u" e6 {6 S: V

, U+ G. @+ a) p8 X, n通过优化散热设计来降低温度,如增加散热片面积、优化风道设计、增加风扇数量和转速等。
, p' P7 C( E9 ]( y( k
/ j0 U: P" R8 A" s5、加强制造与测试管理2 @* \  S, o6 r1 A2 U" ?

. ], Q3 x; r% M0 s加强制造工艺控制和良品率管理,确保产品符合规范要求。并且加强产品的温升测试,在生产过程中对电源进行多次测试,及时发现不合格产品,以便及早调整。
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【调通要点】
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如上图首先通过对各元器件进行点温,观察各元器件的温度变化,如图04号元器件为MOS管,点温才不到几分钟后,MOS的温度就达到了93.7度,而其它元器件温度较为正常,初步判定MOS管出现了问题。
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$ n2 E; X7 L( p* A# k; v6 v4 e如上图为再经过几分钟后的元器件温度(01-08为各元器件测试温度),继续观察。
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如上图可以明显看到,虽然所有的元器件(01-08为各元器件测试温度)温度都在持续上升,但都没有特别大的异常,唯独MOS高达116的温度,可以基本确定是MOS烧坏而导致样机老化时突然没有输出。
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9 s7 G/ I  D/ w5 Y【最终结果】
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1 l4 n; e# [. k- _; \- j经过测试后发现,测试元器件的温度都在正常范围内,唯独MOS管的温度变化格外异常(01为输出电容、02为同步IC CR85V25RSA、03为变压器磁芯、04为MOS管、05为IC XS2100S、06为主控IC TT9930、07为输入电容、08为变压器线圈、09为环温),经过不断尝试更换一颗同规格但不同厂家的MOS管,然后再进行老化及温度测试,样机正常工作。以下为替换MOS后的温升测试图片:# V! l% o8 U% f7 ?& W) T

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2 D2 ^. h; n% x; W3 \9 J该图为样机老化6小时后的温度,各器件温度已经稳定,全都在合理范围内。04号MOS温度稳定在72.2度左右,离击穿温度还有很大的余量,完全满足客户需求。如果更换MOS后温度还是没有改善,则需要考虑是否为布局问题,可能要重新设计。
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