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PoE电源模块不输出?可能是MOS管故障,解决方法请拿走~

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发表于 2023-6-21 10:21:57 | 显示全部楼层 |阅读模式
本帖最后由 思睿达小妹妹 于 2023-6-21 10:23 编辑 ! G& o0 U* V0 A  ?9 r
( T# S  C" S/ {* @1 W- i, p% g
作者:屈工有话说
9 r1 h6 W2 R4 n) C. r
+ Q/ Z) E9 g$ }( _PoE(Power over Ethernet)是一种有线以太网供电技术,网线传输数据的同时具备直流供电能力。全面应用于POE交换机、IP摄像头、IP电话、无线AP、便携设备充电器、刷卡机、数据采集等供需端产品。而TT9930是一款用于以太网供电系统(POE,power over Ethernet)的DC/DC控制器,采用原边控制模式,内置200V高压MOS,具有较高的系统效率。
1 L' K' @* \- G: `3 h5 S
" {! s8 o7 I4 @, ?7 V1 G$ I工程师在使用TT9930样机时发现,样机正常老化时,突然没有输出。经过排查后,怀疑MOS故障,本文将分享解决思路和要点。以下图片为该样机图片:$ C0 B  a- L, @# F4 E. |6 t

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TT9930 样机图片

1 G. d( W4 ?; f' ~' [+ q% j8 r【应用】视频监控/无线AP/IP电话等* _( H$ _/ i' w& Z
【规格】12V2A
3 {3 ^! g% c/ H3 C8 I9 ]) y【控制IC】TT9930
: ~' X9 A# z* k, B' L% M  u0 B  D) w/ U9 H0 L' t7 `
【问题描述】( m5 a( a6 i2 Z" Q7 g, H3 P
( y) y" v9 f- k' p4 B$ \4 `
样机正常老化时,突然没有输出。经过排查后,发现MOS管击穿且MOS管很烫,怀疑MOS烧坏,于是对其进行点温测试。以下是样机的测试图片:6 J. Z' Q/ L& A( Z; ~6 {
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, u+ A1 G0 z' s8 @2 n2 C点温测试:测试重要元器件的温度,该测试的元器件分别有三个IC(主控TT9930、XS2100S、同步CR85V25RSA)、MOS管、输入大电容、两个输出电容、变压器磁芯和变压器线圈。
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如上图为测试环境,该测试在尽量密闭环境中进行,不会有大量空气流入,从而使得各元器件能快速达到温度平衡的状态。- b) V) @+ w' W# W

0 i2 v* R# G( z# x【解决思路】5 a7 V  y' M0 C

0 H, ]% D6 o0 d. `  m* ]1、重新设计电源# q; F& g3 m9 Q$ @) B) u: K

0 N/ l0 m" G# p8 O* A3 z首先,分析导致温度过高的原因,对电源进行重新设计。可以采用更高效的散热解决方案,例如增加散热片表面积、改善风道设计等。
  C7 D7 u( ~1 u: V7 L) B" N% e: H$ m4 J* x
2、更换元器件+ v3 r' C, R6 K1 T/ O  h

/ j6 r0 ^5 w9 t: I1 h( Z应优先选择低内阻、低损耗、高效率的元器件,同时可以适当增加元器件数量及规格。
' Z0 \) H7 u/ }8 [& H0 J5 C; F
9 d9 p0 V6 o# w- ~1 L3、优化PCB布局9 r* b$ V- s& N! \4 W; C- Z

9 k$ [5 u; Y1 _7 Y5 g! N1 T合理的PCB布局有助于减小电路电磁干扰,降低损耗和温升,减少系统噪声,提高抗干扰性。8 X8 y; l5 s+ O: X: u( Q

6 R8 N) p1 v" l3 M4、优化散热设计7 e0 ?5 ~6 w5 a0 X+ z+ Q

1 Z7 f# b. Z, m  e! H% x通过优化散热设计来降低温度,如增加散热片面积、优化风道设计、增加风扇数量和转速等。
' }7 ?- T# u! r$ X- V* p* [6 n5 i+ J8 Z" M8 w
5、加强制造与测试管理. ~" Z& P. z5 n' e( O/ i$ {

9 \/ z0 h. ?+ ]' H# ]加强制造工艺控制和良品率管理,确保产品符合规范要求。并且加强产品的温升测试,在生产过程中对电源进行多次测试,及时发现不合格产品,以便及早调整。
* h0 l+ Z8 D5 _/ l. R& W* F- Q) V3 t; v' \- ]
【调通要点】- u, ~6 k% p( f1 o& m

! e$ J" r" k/ }' _如上图首先通过对各元器件进行点温,观察各元器件的温度变化,如图04号元器件为MOS管,点温才不到几分钟后,MOS的温度就达到了93.7度,而其它元器件温度较为正常,初步判定MOS管出现了问题。4 t5 v( G* s( x1 I1 f4 b

% H9 c0 n; Q! Q& L3 x: S

1 X6 h0 I- m$ x如上图为再经过几分钟后的元器件温度(01-08为各元器件测试温度),继续观察。
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# H6 T9 O1 k: y, m8 }) [; S
如上图可以明显看到,虽然所有的元器件(01-08为各元器件测试温度)温度都在持续上升,但都没有特别大的异常,唯独MOS高达116的温度,可以基本确定是MOS烧坏而导致样机老化时突然没有输出。
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【最终结果】
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经过测试后发现,测试元器件的温度都在正常范围内,唯独MOS管的温度变化格外异常(01为输出电容、02为同步IC CR85V25RSA、03为变压器磁芯、04为MOS管、05为IC XS2100S、06为主控IC TT9930、07为输入电容、08为变压器线圈、09为环温),经过不断尝试更换一颗同规格但不同厂家的MOS管,然后再进行老化及温度测试,样机正常工作。以下为替换MOS后的温升测试图片:
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+ f$ y1 S/ y$ m8 Z4 A该图为样机老化6小时后的温度,各器件温度已经稳定,全都在合理范围内。04号MOS温度稳定在72.2度左右,离击穿温度还有很大的余量,完全满足客户需求。如果更换MOS后温度还是没有改善,则需要考虑是否为布局问题,可能要重新设计。
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