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本帖最后由 思睿达小妹妹 于 2023-6-21 10:23 编辑 ' `4 C ?' E) a. X
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作者:屈工有话说
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a% M3 w1 @- G6 W. S; Y" R4 T6 wPoE(Power over Ethernet)是一种有线以太网供电技术,网线传输数据的同时具备直流供电能力。全面应用于POE交换机、IP摄像头、IP电话、无线AP、便携设备充电器、刷卡机、数据采集等供需端产品。而TT9930是一款用于以太网供电系统(POE,power over Ethernet)的DC/DC控制器,采用原边控制模式,内置200V高压MOS,具有较高的系统效率。$ R& ?1 I% }( p( f
/ F% n x5 x4 T5 w2 L8 v工程师在使用TT9930样机时发现,样机正常老化时,突然没有输出。经过排查后,怀疑MOS故障,本文将分享解决思路和要点。以下图片为该样机图片:
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TT9930 样机图片 6 a+ J" o7 |8 H1 G% n1 h, L2 q
【应用】视频监控/无线AP/IP电话等5 G- B. J4 P E: J
【规格】12V2A9 y7 X: f' J: y. p! G
【控制IC】TT9930- r3 e9 V* F1 K- ~) K
) }; ~8 g5 c' y【问题描述】
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! L1 v* p/ }4 t; |1 H# g. x6 U5 K样机正常老化时,突然没有输出。经过排查后,发现MOS管击穿且MOS管很烫,怀疑MOS烧坏,于是对其进行点温测试。以下是样机的测试图片:
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点温测试:测试重要元器件的温度,该测试的元器件分别有三个IC(主控TT9930、XS2100S、同步CR85V25RSA)、MOS管、输入大电容、两个输出电容、变压器磁芯和变压器线圈。
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如上图为测试环境,该测试在尽量密闭环境中进行,不会有大量空气流入,从而使得各元器件能快速达到温度平衡的状态。7 G3 B, H K+ K# ?9 q: P" v+ P# W
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【解决思路】) [6 {- m( p. @8 M% W8 O7 p
. k2 i( ^; v) P' d) o/ O1、重新设计电源& [4 ?8 P+ X5 b/ m7 h
l3 h8 o* H2 I( R# n首先,分析导致温度过高的原因,对电源进行重新设计。可以采用更高效的散热解决方案,例如增加散热片表面积、改善风道设计等。
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2、更换元器件
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7 m' s" X. N5 ` |+ Q5 d8 Z应优先选择低内阻、低损耗、高效率的元器件,同时可以适当增加元器件数量及规格。
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, Y6 m/ M5 `* D8 c2 ]" V+ d3、优化PCB布局% T4 M& o8 Q! O$ N% [
& v I# r4 K" a- ^合理的PCB布局有助于减小电路电磁干扰,降低损耗和温升,减少系统噪声,提高抗干扰性。) T) h$ a; j3 q
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4、优化散热设计9 {$ P4 V. E& p+ ~' Q' ]. e) Z
* H& ?% t5 R+ a8 N8 X通过优化散热设计来降低温度,如增加散热片面积、优化风道设计、增加风扇数量和转速等。4 m3 k, F+ d1 E# r3 A+ @& U1 n! c
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5、加强制造与测试管理9 ~3 O1 R) q' i' A& D
i5 p% G. Z8 x$ d( N8 Q加强制造工艺控制和良品率管理,确保产品符合规范要求。并且加强产品的温升测试,在生产过程中对电源进行多次测试,及时发现不合格产品,以便及早调整。* ^: d; V5 Z6 f- M0 X1 I. p
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【调通要点】
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% a9 Q7 p5 r- G* v3 e4 w8 K2 i* ?如上图首先通过对各元器件进行点温,观察各元器件的温度变化,如图04号元器件为MOS管,点温才不到几分钟后,MOS的温度就达到了93.7度,而其它元器件温度较为正常,初步判定MOS管出现了问题。
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* H1 K( s' t/ K, u0 t+ i如上图为再经过几分钟后的元器件温度(01-08为各元器件测试温度),继续观察。
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如上图可以明显看到,虽然所有的元器件(01-08为各元器件测试温度)温度都在持续上升,但都没有特别大的异常,唯独MOS高达116的温度,可以基本确定是MOS烧坏而导致样机老化时突然没有输出。
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【最终结果】
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经过测试后发现,测试元器件的温度都在正常范围内,唯独MOS管的温度变化格外异常(01为输出电容、02为同步IC CR85V25RSA、03为变压器磁芯、04为MOS管、05为IC XS2100S、06为主控IC TT9930、07为输入电容、08为变压器线圈、09为环温),经过不断尝试更换一颗同规格但不同厂家的MOS管,然后再进行老化及温度测试,样机正常工作。以下为替换MOS后的温升测试图片:$ K: W7 g; Q8 \, }( @& G3 z
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该图为样机老化6小时后的温度,各器件温度已经稳定,全都在合理范围内。04号MOS温度稳定在72.2度左右,离击穿温度还有很大的余量,完全满足客户需求。如果更换MOS后温度还是没有改善,则需要考虑是否为布局问题,可能要重新设计。
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