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PoE电源模块不输出?可能是MOS管故障,解决方法请拿走~

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发表于 2023-6-21 10:21:57 | 显示全部楼层 |阅读模式
本帖最后由 思睿达小妹妹 于 2023-6-21 10:23 编辑
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/ n: R! R: {( {作者:屈工有话说
6 \! S- z/ b* r3 v/ }+ e* b$ X- w7 N6 g6 k5 ]- y# U
PoE(Power over Ethernet)是一种有线以太网供电技术,网线传输数据的同时具备直流供电能力。全面应用于POE交换机、IP摄像头、IP电话、无线AP、便携设备充电器、刷卡机、数据采集等供需端产品。而TT9930是一款用于以太网供电系统(POE,power over Ethernet)的DC/DC控制器,采用原边控制模式,内置200V高压MOS,具有较高的系统效率。
& i6 g6 k* h; I/ p* S+ P1 \
+ j5 l' r0 F4 U) c2 Z! Z工程师在使用TT9930样机时发现,样机正常老化时,突然没有输出。经过排查后,怀疑MOS故障,本文将分享解决思路和要点。以下图片为该样机图片:6 {& A$ i8 L# X
- _- ~/ ]/ Y4 _; i( _
TT9930 样机图片

0 i7 ^$ F% q1 m9 A' j【应用】视频监控/无线AP/IP电话等
6 |# I1 w! b2 s, ~) z1 F* d( R【规格】12V2A
$ W- r) Z' ~9 D+ g, L. V% j/ S1 {【控制IC】TT9930/ y* g. f6 e  k
# a5 C( k, V+ `: p6 j( ?
【问题描述】
4 A- g# d( k! R5 c3 k$ }3 `2 t9 f: ^6 H9 A. R/ W( T3 V2 {' T$ V* v
样机正常老化时,突然没有输出。经过排查后,发现MOS管击穿且MOS管很烫,怀疑MOS烧坏,于是对其进行点温测试。以下是样机的测试图片:
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" d' L- V4 u) o" `7 h. A# \7 M

+ }; s6 D. z' z- X+ c点温测试:测试重要元器件的温度,该测试的元器件分别有三个IC(主控TT9930、XS2100S、同步CR85V25RSA)、MOS管、输入大电容、两个输出电容、变压器磁芯和变压器线圈。
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8 x+ M" M7 E+ P5 V7 R如上图为测试环境,该测试在尽量密闭环境中进行,不会有大量空气流入,从而使得各元器件能快速达到温度平衡的状态。
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) c" ]' l* E: j【解决思路】8 R4 v) S6 R: S7 ?1 T' A
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1、重新设计电源4 a$ m; I9 k" j2 @9 G8 Z

9 t# }( S, ]3 R首先,分析导致温度过高的原因,对电源进行重新设计。可以采用更高效的散热解决方案,例如增加散热片表面积、改善风道设计等。; q: z5 S  w0 C, W& r% ?
" D+ `! ^3 k, s- j0 J
2、更换元器件
$ N; X* y1 v3 H- _1 c- j" ^8 \; g0 O; v
应优先选择低内阻、低损耗、高效率的元器件,同时可以适当增加元器件数量及规格。$ }1 Y% s! R: I" w5 M

. Q7 ], M6 a2 ~  t* }1 M3、优化PCB布局6 \, C0 U' f7 G  t2 g1 \3 J

7 T# H9 \$ d7 P- U4 l* N/ e合理的PCB布局有助于减小电路电磁干扰,降低损耗和温升,减少系统噪声,提高抗干扰性。
$ Z5 V5 l& Z+ T7 A- {; ^
: o9 g) N4 M4 @& Q7 ]4 W) h4、优化散热设计
* J. R) w  {1 ?( p; T8 H; Y; [5 k5 r  f+ i2 `* n- k/ ^
通过优化散热设计来降低温度,如增加散热片面积、优化风道设计、增加风扇数量和转速等。
' D+ T. c/ C& ~! a
! \" Y, g- B8 ~5、加强制造与测试管理
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加强制造工艺控制和良品率管理,确保产品符合规范要求。并且加强产品的温升测试,在生产过程中对电源进行多次测试,及时发现不合格产品,以便及早调整。1 _7 c& |# z! J+ U

; x# x& @+ C+ `/ E+ J5 z0 G4 Z【调通要点】
, b' O$ Z$ H' w

) ^6 v$ Y. s% Y8 N; v如上图首先通过对各元器件进行点温,观察各元器件的温度变化,如图04号元器件为MOS管,点温才不到几分钟后,MOS的温度就达到了93.7度,而其它元器件温度较为正常,初步判定MOS管出现了问题。
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5 D" O1 K: E$ Q4 Q! |* U4 Z

, B4 T; l# O5 q* a2 I" ]如上图为再经过几分钟后的元器件温度(01-08为各元器件测试温度),继续观察。) k9 r# \* j% o( x& Z2 N  F8 f

5 h6 ^$ q6 [- \

2 D" {7 X/ h2 t3 q) F. {如上图可以明显看到,虽然所有的元器件(01-08为各元器件测试温度)温度都在持续上升,但都没有特别大的异常,唯独MOS高达116的温度,可以基本确定是MOS烧坏而导致样机老化时突然没有输出。
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【最终结果】
6 a  }6 _$ c. z& x* I2 f1 h. V$ Y$ E; R' e) C, p. [& W
经过测试后发现,测试元器件的温度都在正常范围内,唯独MOS管的温度变化格外异常(01为输出电容、02为同步IC CR85V25RSA、03为变压器磁芯、04为MOS管、05为IC XS2100S、06为主控IC TT9930、07为输入电容、08为变压器线圈、09为环温),经过不断尝试更换一颗同规格但不同厂家的MOS管,然后再进行老化及温度测试,样机正常工作。以下为替换MOS后的温升测试图片:( j* a. t* t  l: d

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: y! Y; ^: \5 ]! Y该图为样机老化6小时后的温度,各器件温度已经稳定,全都在合理范围内。04号MOS温度稳定在72.2度左右,离击穿温度还有很大的余量,完全满足客户需求。如果更换MOS后温度还是没有改善,则需要考虑是否为布局问题,可能要重新设计。; u) N, ^& \. o& x- Z( r" x

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