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PoE电源模块不输出?可能是MOS管故障,解决方法请拿走~

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发表于 2023-6-21 10:21:57 | 显示全部楼层 |阅读模式
本帖最后由 思睿达小妹妹 于 2023-6-21 10:23 编辑 ' B- v0 z6 [0 T+ n0 Q
  K4 s; G' _/ l  B
作者:屈工有话说
2 T/ j  K" k! a
3 Q) v. J) g$ F# h4 ~8 bPoE(Power over Ethernet)是一种有线以太网供电技术,网线传输数据的同时具备直流供电能力。全面应用于POE交换机、IP摄像头、IP电话、无线AP、便携设备充电器、刷卡机、数据采集等供需端产品。而TT9930是一款用于以太网供电系统(POE,power over Ethernet)的DC/DC控制器,采用原边控制模式,内置200V高压MOS,具有较高的系统效率。
: J( B- ^+ V8 R3 T, M8 ~$ |3 [: F) D$ v
+ N) s" @4 W9 ]* u5 e, C' ]工程师在使用TT9930样机时发现,样机正常老化时,突然没有输出。经过排查后,怀疑MOS故障,本文将分享解决思路和要点。以下图片为该样机图片:( S! h* C) _" r3 K5 M

3 e  x& n. a1 `1 L+ F
TT9930 样机图片
0 I* F8 B5 V; K. q* ^5 h$ z
【应用】视频监控/无线AP/IP电话等9 ^$ ]* `9 `+ s- q$ D- B$ Q
【规格】12V2A7 u$ n& L) K/ U, D1 c
【控制IC】TT9930. e6 C3 B! V' b! U# i% N. H
3 I0 N% h6 Z% M
【问题描述】
  K$ Z/ u) _* K$ Y
& P, P# v( H- N, K6 E- G: P样机正常老化时,突然没有输出。经过排查后,发现MOS管击穿且MOS管很烫,怀疑MOS烧坏,于是对其进行点温测试。以下是样机的测试图片:. C+ L$ G. t9 ]4 ?/ C7 h/ [! w* U
; a" O/ w4 p* h( C! O- @, }, Q/ R
6 A9 F+ b; k; n; D/ h- _
点温测试:测试重要元器件的温度,该测试的元器件分别有三个IC(主控TT9930、XS2100S、同步CR85V25RSA)、MOS管、输入大电容、两个输出电容、变压器磁芯和变压器线圈。
. @( k" W8 o5 k+ I+ @  I+ C, E$ L5 M& t* b' B

" K7 h! v  k2 e9 |8 {2 v; P: |如上图为测试环境,该测试在尽量密闭环境中进行,不会有大量空气流入,从而使得各元器件能快速达到温度平衡的状态。
! F3 {, G1 r; Q' z5 P: T% a6 V7 {# p4 d
【解决思路】
+ M, ^/ V2 R. n3 i9 ~% ~7 P4 v: z) i% A
1、重新设计电源
) K5 {" w5 I* X4 n5 u6 o0 |
% O( G6 }6 Z" z! S首先,分析导致温度过高的原因,对电源进行重新设计。可以采用更高效的散热解决方案,例如增加散热片表面积、改善风道设计等。* q# M, U  I7 q8 m) t* ]5 X
" w4 D' M! j- K% H, \% k
2、更换元器件$ ~: o& }+ u; I5 _# D) _4 K
5 t' N  b5 J  e" c3 A: Z; z7 D8 A
应优先选择低内阻、低损耗、高效率的元器件,同时可以适当增加元器件数量及规格。
$ M9 {- h6 O: R0 b0 Y8 h
; R, `5 {* ?: S5 c; E4 K3、优化PCB布局
( e) K, X2 u$ ?. A) {  `5 M/ L' J9 Y0 ]
4 ~! M; W8 E3 r- e合理的PCB布局有助于减小电路电磁干扰,降低损耗和温升,减少系统噪声,提高抗干扰性。
$ a5 m1 M( B' w; Z% [" l1 `; T+ v4 c: J# U$ Y1 H) H
4、优化散热设计
3 y; V. [2 j0 y0 }6 y
1 P4 b7 ?$ K5 z, X通过优化散热设计来降低温度,如增加散热片面积、优化风道设计、增加风扇数量和转速等。, {) ?$ j) [3 h

$ n6 W( u! n* V7 c' z6 {5、加强制造与测试管理
$ h2 e6 h0 Q& l% {2 m# K
- @! Q9 @0 J9 |7 p" s加强制造工艺控制和良品率管理,确保产品符合规范要求。并且加强产品的温升测试,在生产过程中对电源进行多次测试,及时发现不合格产品,以便及早调整。
4 G( r1 M2 Y' ?* J. m
' g4 F9 w6 H( k/ s【调通要点】  T. M$ A- [) ^+ W6 i$ r
4 \% a9 {& V0 L: V! S! o# m
如上图首先通过对各元器件进行点温,观察各元器件的温度变化,如图04号元器件为MOS管,点温才不到几分钟后,MOS的温度就达到了93.7度,而其它元器件温度较为正常,初步判定MOS管出现了问题。* [  p) t; B. R4 f1 e$ h
, u* p) y+ O/ E/ [) n1 y
9 G' ]* G2 Z- d
如上图为再经过几分钟后的元器件温度(01-08为各元器件测试温度),继续观察。: c: m: y  W- X# t+ ]& ?" a" f

* A2 }* F9 o( F! m

2 p7 G) a( x7 W7 [8 n" g7 {如上图可以明显看到,虽然所有的元器件(01-08为各元器件测试温度)温度都在持续上升,但都没有特别大的异常,唯独MOS高达116的温度,可以基本确定是MOS烧坏而导致样机老化时突然没有输出。
) o/ P" v: x1 Y' Q  y+ z" H" I# V- f2 }: e  Z
【最终结果】: Q5 T. o1 T5 x% B* `! Q

+ E5 D$ T# n% H0 k3 q( H经过测试后发现,测试元器件的温度都在正常范围内,唯独MOS管的温度变化格外异常(01为输出电容、02为同步IC CR85V25RSA、03为变压器磁芯、04为MOS管、05为IC XS2100S、06为主控IC TT9930、07为输入电容、08为变压器线圈、09为环温),经过不断尝试更换一颗同规格但不同厂家的MOS管,然后再进行老化及温度测试,样机正常工作。以下为替换MOS后的温升测试图片:
. N: i/ k: y% \+ @. j( x7 }8 y1 u1 d: J, p9 P7 m

0 Y. {4 z/ b$ l& X( P$ V0 _  g7 j该图为样机老化6小时后的温度,各器件温度已经稳定,全都在合理范围内。04号MOS温度稳定在72.2度左右,离击穿温度还有很大的余量,完全满足客户需求。如果更换MOS后温度还是没有改善,则需要考虑是否为布局问题,可能要重新设计。
/ T2 x( U! N  B3 b0 i0 P0 z& j% q1 G- |5 u9 s8 u) Q7 f1 ~! j( V) e

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