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本帖最后由 思睿达小妹妹 于 2023-6-21 10:23 编辑
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作者:屈工有话说3 ?& p2 e2 U1 F
$ o3 V/ R* }# E8 KPoE(Power over Ethernet)是一种有线以太网供电技术,网线传输数据的同时具备直流供电能力。全面应用于POE交换机、IP摄像头、IP电话、无线AP、便携设备充电器、刷卡机、数据采集等供需端产品。而TT9930是一款用于以太网供电系统(POE,power over Ethernet)的DC/DC控制器,采用原边控制模式,内置200V高压MOS,具有较高的系统效率。0 n; ~+ W) O4 l% \/ J8 N0 `
. N- y4 d9 o7 ]+ r! |工程师在使用TT9930样机时发现,样机正常老化时,突然没有输出。经过排查后,怀疑MOS故障,本文将分享解决思路和要点。以下图片为该样机图片:7 y: R" N% q8 ?: M) V9 C
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TT9930 样机图片 . e% e ^1 s+ `7 A5 M9 \
【应用】视频监控/无线AP/IP电话等
6 s0 y+ M" H; w4 g3 R9 m0 L7 r【规格】12V2A
U U8 H1 b" M& j; d* Y* O【控制IC】TT99301 Y5 {7 u' F) E
& y- r, a& ]! w. Q# i* |【问题描述】! W$ ~0 G e* ^( I8 m- O: M3 {+ D A
$ v, F8 \1 y; W' V样机正常老化时,突然没有输出。经过排查后,发现MOS管击穿且MOS管很烫,怀疑MOS烧坏,于是对其进行点温测试。以下是样机的测试图片:! e' q" ?: E0 y5 a
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点温测试:测试重要元器件的温度,该测试的元器件分别有三个IC(主控TT9930、XS2100S、同步CR85V25RSA)、MOS管、输入大电容、两个输出电容、变压器磁芯和变压器线圈。& H+ J+ y5 u3 n, \5 E9 V
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如上图为测试环境,该测试在尽量密闭环境中进行,不会有大量空气流入,从而使得各元器件能快速达到温度平衡的状态。& L# u* l% \: T1 t- I
o; Y f( }4 e9 p【解决思路】
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1、重新设计电源- b( H; y' J. y s
, W7 s, w( s) _+ p0 a- e6 `% F4 F G( V首先,分析导致温度过高的原因,对电源进行重新设计。可以采用更高效的散热解决方案,例如增加散热片表面积、改善风道设计等。6 [3 `5 h. ~( N. D# ]$ u C
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2、更换元器件
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应优先选择低内阻、低损耗、高效率的元器件,同时可以适当增加元器件数量及规格。
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' a6 ]7 R3 i) n" W0 z3、优化PCB布局, t0 m8 v8 J. |! v
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合理的PCB布局有助于减小电路电磁干扰,降低损耗和温升,减少系统噪声,提高抗干扰性。
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4、优化散热设计3 T3 L( o) H% t- k% q& B
9 ]) P& t9 g/ \- z6 N% G; \& E通过优化散热设计来降低温度,如增加散热片面积、优化风道设计、增加风扇数量和转速等。5 h. r, M* T2 u. g" | `
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5、加强制造与测试管理
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加强制造工艺控制和良品率管理,确保产品符合规范要求。并且加强产品的温升测试,在生产过程中对电源进行多次测试,及时发现不合格产品,以便及早调整。
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* }2 d6 S( S; L/ n2 O【调通要点】
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如上图首先通过对各元器件进行点温,观察各元器件的温度变化,如图04号元器件为MOS管,点温才不到几分钟后,MOS的温度就达到了93.7度,而其它元器件温度较为正常,初步判定MOS管出现了问题。, ?& a% v: K. L' s% L
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如上图为再经过几分钟后的元器件温度(01-08为各元器件测试温度),继续观察。
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如上图可以明显看到,虽然所有的元器件(01-08为各元器件测试温度)温度都在持续上升,但都没有特别大的异常,唯独MOS高达116的温度,可以基本确定是MOS烧坏而导致样机老化时突然没有输出。
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3 U7 M$ j+ X8 h3 a' A/ H+ q% o6 ~【最终结果】
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/ x# H. B; B6 B* f经过测试后发现,测试元器件的温度都在正常范围内,唯独MOS管的温度变化格外异常(01为输出电容、02为同步IC CR85V25RSA、03为变压器磁芯、04为MOS管、05为IC XS2100S、06为主控IC TT9930、07为输入电容、08为变压器线圈、09为环温),经过不断尝试更换一颗同规格但不同厂家的MOS管,然后再进行老化及温度测试,样机正常工作。以下为替换MOS后的温升测试图片:& [% @- w# s- n+ s) K8 W
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该图为样机老化6小时后的温度,各器件温度已经稳定,全都在合理范围内。04号MOS温度稳定在72.2度左右,离击穿温度还有很大的余量,完全满足客户需求。如果更换MOS后温度还是没有改善,则需要考虑是否为布局问题,可能要重新设计。7 ^5 o4 w* F* v( j9 C+ v X
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