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PoE电源模块不输出?可能是MOS管故障,解决方法请拿走~

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发表于 2023-6-21 10:21:57 | 显示全部楼层 |阅读模式
本帖最后由 思睿达小妹妹 于 2023-6-21 10:23 编辑
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9 \1 W* q% o$ x% c* m7 x' F- Y作者:屈工有话说
" V! z+ b: ?- K, ?- @$ ~- ~( y2 k: v
PoE(Power over Ethernet)是一种有线以太网供电技术,网线传输数据的同时具备直流供电能力。全面应用于POE交换机、IP摄像头、IP电话、无线AP、便携设备充电器、刷卡机、数据采集等供需端产品。而TT9930是一款用于以太网供电系统(POE,power over Ethernet)的DC/DC控制器,采用原边控制模式,内置200V高压MOS,具有较高的系统效率。, F$ h& E+ H6 J: {) g* I

3 t/ ?+ X6 V/ w6 T& t6 V工程师在使用TT9930样机时发现,样机正常老化时,突然没有输出。经过排查后,怀疑MOS故障,本文将分享解决思路和要点。以下图片为该样机图片:0 D  l) J' a1 x7 E: u5 O
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TT9930 样机图片

( H, c: o  E* K【应用】视频监控/无线AP/IP电话等5 A8 X3 M! d+ A8 L
【规格】12V2A
- P% C- N6 ^. L1 _: s1 [+ W【控制IC】TT9930
  v3 x3 H. p1 a% o
' V, w9 r/ m, r+ F; R. ~' m) Z【问题描述】5 S# E/ Q6 B4 i! s7 W5 _
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样机正常老化时,突然没有输出。经过排查后,发现MOS管击穿且MOS管很烫,怀疑MOS烧坏,于是对其进行点温测试。以下是样机的测试图片:8 ?) J1 l" c$ i$ {3 T

- D" _" S, H* e6 h

  _1 A+ o0 R7 t+ L: f. k点温测试:测试重要元器件的温度,该测试的元器件分别有三个IC(主控TT9930、XS2100S、同步CR85V25RSA)、MOS管、输入大电容、两个输出电容、变压器磁芯和变压器线圈。
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9 `% c  H" O& y如上图为测试环境,该测试在尽量密闭环境中进行,不会有大量空气流入,从而使得各元器件能快速达到温度平衡的状态。
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' f! w) [3 g1 k$ x【解决思路】
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! e9 A/ A8 r; O, {& Z3 r) O9 y; X/ b1、重新设计电源& t( u% z0 o& H4 t6 {0 p! T
, I; }  B- d: v; P; K/ d; e, f0 b
首先,分析导致温度过高的原因,对电源进行重新设计。可以采用更高效的散热解决方案,例如增加散热片表面积、改善风道设计等。4 O# m4 L3 @- m1 i' O. f
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2、更换元器件
6 ~; U. @8 _: Y: T) |7 R6 {! j: @, W3 t6 P6 q9 o( d
应优先选择低内阻、低损耗、高效率的元器件,同时可以适当增加元器件数量及规格。. D: B; @! I/ Y: \* m  Y
& F) s. T9 f" \8 F: h" r
3、优化PCB布局8 x( G4 L& C- h! t: P3 D$ j3 R, \

5 V. z/ X+ j, ~' v2 K5 K3 g. l合理的PCB布局有助于减小电路电磁干扰,降低损耗和温升,减少系统噪声,提高抗干扰性。
8 a2 ~+ N) `/ U' q4 @2 s  f7 p0 y; C4 s  H$ p; q
4、优化散热设计9 i; `) v* t' o- g8 `

" K; U/ g4 ~* M. J1 G( A通过优化散热设计来降低温度,如增加散热片面积、优化风道设计、增加风扇数量和转速等。2 j3 g0 j, i: @; `: C3 ]

3 i7 T' p2 s6 s# C- a: o* x% t8 ^  h5、加强制造与测试管理# ^& R- y, O+ e6 F5 i0 C
5 V9 e/ W9 ]& h, e3 L
加强制造工艺控制和良品率管理,确保产品符合规范要求。并且加强产品的温升测试,在生产过程中对电源进行多次测试,及时发现不合格产品,以便及早调整。- }6 q$ {0 Q" u) R( T3 }7 k* ~

* ^. M2 u4 i, j# T: R3 [) c【调通要点】0 r: a# i2 n) d" l

) t& H  f  r  v5 q& m9 w& n( f如上图首先通过对各元器件进行点温,观察各元器件的温度变化,如图04号元器件为MOS管,点温才不到几分钟后,MOS的温度就达到了93.7度,而其它元器件温度较为正常,初步判定MOS管出现了问题。
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$ L( k" ?3 W5 U6 y% E) L8 k- V8 }如上图为再经过几分钟后的元器件温度(01-08为各元器件测试温度),继续观察。
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$ Y# c2 c7 j( x7 \4 ~( j
如上图可以明显看到,虽然所有的元器件(01-08为各元器件测试温度)温度都在持续上升,但都没有特别大的异常,唯独MOS高达116的温度,可以基本确定是MOS烧坏而导致样机老化时突然没有输出。
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! F7 ^* p! k: C【最终结果】  k: z- e$ a$ m% W4 g

2 F  \, _6 b# ~& H. g( u, q经过测试后发现,测试元器件的温度都在正常范围内,唯独MOS管的温度变化格外异常(01为输出电容、02为同步IC CR85V25RSA、03为变压器磁芯、04为MOS管、05为IC XS2100S、06为主控IC TT9930、07为输入电容、08为变压器线圈、09为环温),经过不断尝试更换一颗同规格但不同厂家的MOS管,然后再进行老化及温度测试,样机正常工作。以下为替换MOS后的温升测试图片:
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" `7 Y; p5 o% i: H

6 z5 r9 j$ I7 w. I3 T该图为样机老化6小时后的温度,各器件温度已经稳定,全都在合理范围内。04号MOS温度稳定在72.2度左右,离击穿温度还有很大的余量,完全满足客户需求。如果更换MOS后温度还是没有改善,则需要考虑是否为布局问题,可能要重新设计。
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