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本帖最后由 思睿达小妹妹 于 2023-6-21 10:23 编辑 / X" O3 i- I5 |; o/ Y" p
) a; P! t$ n- G D- K作者:屈工有话说
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PoE(Power over Ethernet)是一种有线以太网供电技术,网线传输数据的同时具备直流供电能力。全面应用于POE交换机、IP摄像头、IP电话、无线AP、便携设备充电器、刷卡机、数据采集等供需端产品。而TT9930是一款用于以太网供电系统(POE,power over Ethernet)的DC/DC控制器,采用原边控制模式,内置200V高压MOS,具有较高的系统效率。
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工程师在使用TT9930样机时发现,样机正常老化时,突然没有输出。经过排查后,怀疑MOS故障,本文将分享解决思路和要点。以下图片为该样机图片:; M: Q2 z7 ~3 ~! e% l/ s
; p. f2 o: g/ @; b- k+ `, S" yTT9930 样机图片 $ e! u$ t6 }7 Q1 Q
【应用】视频监控/无线AP/IP电话等
5 n" Y* d$ I, c1 Q( _8 p4 t2 ^( G【规格】12V2A0 p: b0 |% ~, ~
【控制IC】TT9930
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【问题描述】* U# R# E5 A' ^5 Z f- d/ u
* {5 ]0 l7 ^% v& e; E; x3 k样机正常老化时,突然没有输出。经过排查后,发现MOS管击穿且MOS管很烫,怀疑MOS烧坏,于是对其进行点温测试。以下是样机的测试图片:1 r S7 _2 L) j x( B7 Z4 M% `
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点温测试:测试重要元器件的温度,该测试的元器件分别有三个IC(主控TT9930、XS2100S、同步CR85V25RSA)、MOS管、输入大电容、两个输出电容、变压器磁芯和变压器线圈。
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如上图为测试环境,该测试在尽量密闭环境中进行,不会有大量空气流入,从而使得各元器件能快速达到温度平衡的状态。9 ~# M" I$ b! |/ D1 d+ r
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【解决思路】
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1、重新设计电源
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首先,分析导致温度过高的原因,对电源进行重新设计。可以采用更高效的散热解决方案,例如增加散热片表面积、改善风道设计等。* j4 @6 P* h9 Y: T5 x! g# F
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2、更换元器件2 W, f# k. q+ Z( w" r, I
& N& X" p* ~! H v; B# u应优先选择低内阻、低损耗、高效率的元器件,同时可以适当增加元器件数量及规格。: E6 U$ f4 Q# L! A3 _
( R6 s! K/ c( y. y+ s4 L. `& D4 }: P3、优化PCB布局
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7 C5 m: M. N$ B; w \/ }合理的PCB布局有助于减小电路电磁干扰,降低损耗和温升,减少系统噪声,提高抗干扰性。
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4、优化散热设计
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通过优化散热设计来降低温度,如增加散热片面积、优化风道设计、增加风扇数量和转速等。. a/ ^( W/ u/ F/ H/ k
+ J6 n% s4 d5 }' R" B5、加强制造与测试管理' S* N% F; {) H; b* A8 s# \. H
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加强制造工艺控制和良品率管理,确保产品符合规范要求。并且加强产品的温升测试,在生产过程中对电源进行多次测试,及时发现不合格产品,以便及早调整。
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9 k8 K5 g; `1 [. u6 ~【调通要点】
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5 _) j4 N4 T( g" p& \如上图首先通过对各元器件进行点温,观察各元器件的温度变化,如图04号元器件为MOS管,点温才不到几分钟后,MOS的温度就达到了93.7度,而其它元器件温度较为正常,初步判定MOS管出现了问题。" T' e% L! W' u8 x1 y
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) o+ G2 ` h9 O# d如上图为再经过几分钟后的元器件温度(01-08为各元器件测试温度),继续观察。* i' C! h5 G" E) _+ N! W% l1 @
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) L, ~3 h8 v$ T1 a5 L, S9 A如上图可以明显看到,虽然所有的元器件(01-08为各元器件测试温度)温度都在持续上升,但都没有特别大的异常,唯独MOS高达116的温度,可以基本确定是MOS烧坏而导致样机老化时突然没有输出。
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% D% l% I( x7 W# w【最终结果】
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经过测试后发现,测试元器件的温度都在正常范围内,唯独MOS管的温度变化格外异常(01为输出电容、02为同步IC CR85V25RSA、03为变压器磁芯、04为MOS管、05为IC XS2100S、06为主控IC TT9930、07为输入电容、08为变压器线圈、09为环温),经过不断尝试更换一颗同规格但不同厂家的MOS管,然后再进行老化及温度测试,样机正常工作。以下为替换MOS后的温升测试图片:
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) c5 w2 J, X0 n v9 p该图为样机老化6小时后的温度,各器件温度已经稳定,全都在合理范围内。04号MOS温度稳定在72.2度左右,离击穿温度还有很大的余量,完全满足客户需求。如果更换MOS后温度还是没有改善,则需要考虑是否为布局问题,可能要重新设计。/ _0 Z7 x% s6 X+ U2 a+ f
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