|
|
本帖最后由 思睿达小妹妹 于 2023-6-21 10:23 编辑 8 ~$ i! f6 x) [3 S8 L# j
& b9 X( V2 y5 L: r. u w作者:屈工有话说 ]+ ~5 Q. ~" j" \
1 P6 ^% \+ @. E2 GPoE(Power over Ethernet)是一种有线以太网供电技术,网线传输数据的同时具备直流供电能力。全面应用于POE交换机、IP摄像头、IP电话、无线AP、便携设备充电器、刷卡机、数据采集等供需端产品。而TT9930是一款用于以太网供电系统(POE,power over Ethernet)的DC/DC控制器,采用原边控制模式,内置200V高压MOS,具有较高的系统效率。
6 ^$ j9 B- X4 G# y/ i0 Z
- @* q8 B, [- l. z& |! G, C$ ?2 V工程师在使用TT9930样机时发现,样机正常老化时,突然没有输出。经过排查后,怀疑MOS故障,本文将分享解决思路和要点。以下图片为该样机图片:
l2 E" [! ~, C0 U; P) e# w: Y
: |" E* H8 j s- [/ r. STT9930 样机图片 ' ^2 k. d( r" T4 g( [& @
【应用】视频监控/无线AP/IP电话等
9 `( Y6 r) ]2 \【规格】12V2A
1 @& A- F: [, _( o: ]【控制IC】TT9930
& h: I/ O4 }& x* l/ |0 N# i$ e! b$ e) D: v
【问题描述】$ ~3 v6 n3 ?; s7 ^1 [2 E
$ z- R8 _ Q2 u9 s% }5 q+ \
样机正常老化时,突然没有输出。经过排查后,发现MOS管击穿且MOS管很烫,怀疑MOS烧坏,于是对其进行点温测试。以下是样机的测试图片:
5 u4 m; X' O2 |% u+ K/ m1 j
4 O# c* |9 X" V. r9 J- m- W
9 P! v1 H u5 c( m1 c5 v1 L点温测试:测试重要元器件的温度,该测试的元器件分别有三个IC(主控TT9930、XS2100S、同步CR85V25RSA)、MOS管、输入大电容、两个输出电容、变压器磁芯和变压器线圈。" @% x% D. C/ J) k7 v7 N- @' ]
: X0 I+ I1 p# H
+ N: Q' S9 q5 K# b; o如上图为测试环境,该测试在尽量密闭环境中进行,不会有大量空气流入,从而使得各元器件能快速达到温度平衡的状态。$ K' j* k+ |4 l& N
0 O q, L$ f* X' w1 U) k【解决思路】
/ V& m1 A, F' f! `3 Y7 K% p) g5 n( z9 K- p+ p, t
1、重新设计电源
1 w- E2 C! ?$ D- D) f
3 J# v H. _6 e( g% a6 z6 U首先,分析导致温度过高的原因,对电源进行重新设计。可以采用更高效的散热解决方案,例如增加散热片表面积、改善风道设计等。
9 F3 v1 ^/ v4 s9 s& g
0 w9 _9 E+ V2 T% y* z2、更换元器件% M# G7 |8 A$ T/ I/ r4 |! g( {
0 T c$ p* |1 J% ^7 O& @应优先选择低内阻、低损耗、高效率的元器件,同时可以适当增加元器件数量及规格。
7 I! B; U/ K: R9 W* z& s2 y6 B3 H0 _% f
3、优化PCB布局
9 [9 j8 w2 b, T2 m5 M7 A( z
. N# {: O4 _; b9 G- j合理的PCB布局有助于减小电路电磁干扰,降低损耗和温升,减少系统噪声,提高抗干扰性。
' ~- b- i; `. S2 `
" Y, H! x# ?1 ^" `/ b4、优化散热设计8 P0 w i# C9 T
# I2 U; c/ P, \3 Y$ R9 K
通过优化散热设计来降低温度,如增加散热片面积、优化风道设计、增加风扇数量和转速等。; p/ d @# l& O, Z% s% L1 U
2 d, l) o7 W& G/ h5、加强制造与测试管理
% F; o; o! @: ~" Z5 e
b0 O- O6 k @) {加强制造工艺控制和良品率管理,确保产品符合规范要求。并且加强产品的温升测试,在生产过程中对电源进行多次测试,及时发现不合格产品,以便及早调整。& p: ]' X1 c4 T
9 C6 ?# ?* @* N* i0 u' M: c【调通要点】
. ?( h' n7 B% D! L* E) ^6 S) L- s& G" C& z
如上图首先通过对各元器件进行点温,观察各元器件的温度变化,如图04号元器件为MOS管,点温才不到几分钟后,MOS的温度就达到了93.7度,而其它元器件温度较为正常,初步判定MOS管出现了问题。
1 z' F3 B6 E" M# d% `1 x7 V
7 x8 g$ Y0 U$ J1 n5 `
+ }# g j( A7 f, | g5 d* _如上图为再经过几分钟后的元器件温度(01-08为各元器件测试温度),继续观察。
6 m# `7 O/ @( L0 U# P6 u! O4 N/ Y* E2 R
, Y6 e+ G: T, R0 C% H如上图可以明显看到,虽然所有的元器件(01-08为各元器件测试温度)温度都在持续上升,但都没有特别大的异常,唯独MOS高达116的温度,可以基本确定是MOS烧坏而导致样机老化时突然没有输出。
& R# k5 p/ Y5 Z k/ @8 X3 ?( C) o/ ~$ E# y& L) q
【最终结果】
1 Y) |* \. A- N( P0 P% _, \
! B$ U/ c! g# h& A' n经过测试后发现,测试元器件的温度都在正常范围内,唯独MOS管的温度变化格外异常(01为输出电容、02为同步IC CR85V25RSA、03为变压器磁芯、04为MOS管、05为IC XS2100S、06为主控IC TT9930、07为输入电容、08为变压器线圈、09为环温),经过不断尝试更换一颗同规格但不同厂家的MOS管,然后再进行老化及温度测试,样机正常工作。以下为替换MOS后的温升测试图片:& Q- v& d/ L0 F, N' g. _
8 a# u9 r5 i2 w: h
6 y8 _) G, T; S/ y! g& {, K1 W该图为样机老化6小时后的温度,各器件温度已经稳定,全都在合理范围内。04号MOS温度稳定在72.2度左右,离击穿温度还有很大的余量,完全满足客户需求。如果更换MOS后温度还是没有改善,则需要考虑是否为布局问题,可能要重新设计。7 X4 M* }: V! [1 t" b& F. @; T
) F( j- q' N, v/ h |
本帖子中包含更多资源
您需要 登录 才可以下载或查看,没有帐号?注册
x
|