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PoE电源模块不输出?可能是MOS管故障,解决方法请拿走~

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发表于 2023-6-21 10:21:57 | 显示全部楼层 |阅读模式
本帖最后由 思睿达小妹妹 于 2023-6-21 10:23 编辑
; E# M6 [/ V0 F% w  K) @
0 C3 t% o; b% R8 K6 }/ P8 I作者:屈工有话说
5 q% w! B, E) E) B# {# ?, ~: v7 P
+ ^# F9 G& t( L% E' T% _# oPoE(Power over Ethernet)是一种有线以太网供电技术,网线传输数据的同时具备直流供电能力。全面应用于POE交换机、IP摄像头、IP电话、无线AP、便携设备充电器、刷卡机、数据采集等供需端产品。而TT9930是一款用于以太网供电系统(POE,power over Ethernet)的DC/DC控制器,采用原边控制模式,内置200V高压MOS,具有较高的系统效率。/ j. }" Z3 R3 G% J

* u: J$ q: d* m* I工程师在使用TT9930样机时发现,样机正常老化时,突然没有输出。经过排查后,怀疑MOS故障,本文将分享解决思路和要点。以下图片为该样机图片:, Y" r; ~4 N, o0 ~
% a& u5 I5 t" G
TT9930 样机图片

& {( F% \4 u6 T" W7 |2 g3 g4 [【应用】视频监控/无线AP/IP电话等  H6 m# Y% E" @1 C, Z0 \$ r9 P7 i
【规格】12V2A) A; h6 ^3 M+ ]1 N' z" D8 u
【控制IC】TT99301 D- D: \+ u9 B' y' M
, u1 S; Z8 J. c
【问题描述】- X5 a( N' `# Q' ~: `0 B
. }& C' S! x# u& |
样机正常老化时,突然没有输出。经过排查后,发现MOS管击穿且MOS管很烫,怀疑MOS烧坏,于是对其进行点温测试。以下是样机的测试图片:" |( I; }+ |, i( R1 i5 i' V
  e4 s' Z7 L" G$ C/ X7 c7 P. f
$ p$ C3 C0 b7 \. n' u
点温测试:测试重要元器件的温度,该测试的元器件分别有三个IC(主控TT9930、XS2100S、同步CR85V25RSA)、MOS管、输入大电容、两个输出电容、变压器磁芯和变压器线圈。
8 {% a' a3 K$ `9 I+ z6 I$ n: R; T* e

3 f8 K, q0 g( x: r2 j6 s! a1 x如上图为测试环境,该测试在尽量密闭环境中进行,不会有大量空气流入,从而使得各元器件能快速达到温度平衡的状态。
8 i& f: U' T' [+ R" ]: \
5 w( j% l9 l) y9 d8 ~1 \【解决思路】7 i  W+ Q1 f2 F" v% D4 s0 D. ~

: e1 e+ e+ S( w5 ~/ u9 Z, \  W1、重新设计电源
0 g! T8 Y# R# d/ W1 q6 V- t
0 J. Y9 \2 m( j首先,分析导致温度过高的原因,对电源进行重新设计。可以采用更高效的散热解决方案,例如增加散热片表面积、改善风道设计等。
5 L  \: h! Q5 A+ G) U( u/ o
7 _/ z8 r+ B8 u" j2、更换元器件
; u3 J$ X# q( g
* o$ r7 K6 q8 b应优先选择低内阻、低损耗、高效率的元器件,同时可以适当增加元器件数量及规格。; p7 n* q6 k0 U3 {! s! [4 v! {3 Q

1 @9 y" E. t; ^( l, ?3、优化PCB布局" m! t( U3 C' T0 T1 `3 h% @1 c4 N
) l: `* g8 A) A  |$ J+ Y9 V( }1 u% C
合理的PCB布局有助于减小电路电磁干扰,降低损耗和温升,减少系统噪声,提高抗干扰性。
+ r4 H1 O! G: ~% p8 n% E, K# `" |% O9 r, g7 n% {0 _
4、优化散热设计$ Z4 x: w1 |2 c' X

% ]% B/ Y, Z" f4 G) E4 p% f通过优化散热设计来降低温度,如增加散热片面积、优化风道设计、增加风扇数量和转速等。9 M% b2 ^* Q& u3 Q: V5 a
: w+ |& [& Y0 B/ s' F" T4 w% C
5、加强制造与测试管理& ~4 g( \* N( T1 P8 w: T

& i+ h( v6 K  A9 _  s加强制造工艺控制和良品率管理,确保产品符合规范要求。并且加强产品的温升测试,在生产过程中对电源进行多次测试,及时发现不合格产品,以便及早调整。- }; g* [. ^5 D$ C9 B

, @+ a4 O2 P8 l/ F- P* d$ _【调通要点】
* m4 L; C$ S) C3 S, ]. O2 N
  E, z& [8 f, u' n9 `6 b1 Y8 J. d
如上图首先通过对各元器件进行点温,观察各元器件的温度变化,如图04号元器件为MOS管,点温才不到几分钟后,MOS的温度就达到了93.7度,而其它元器件温度较为正常,初步判定MOS管出现了问题。# w/ g' J7 Y3 N8 j6 a: f. U. Y5 z6 p
! v* g  ~3 T0 N) Y& Q  Z, M% s

$ v8 y9 Q1 _- l( G' U$ N9 t; a" }# X" a如上图为再经过几分钟后的元器件温度(01-08为各元器件测试温度),继续观察。9 ]$ L' p( }4 H* H4 k( B( u
+ a5 J2 M7 v0 m

, [3 j; O  m# u% c* H5 j如上图可以明显看到,虽然所有的元器件(01-08为各元器件测试温度)温度都在持续上升,但都没有特别大的异常,唯独MOS高达116的温度,可以基本确定是MOS烧坏而导致样机老化时突然没有输出。, E) N- {& n! P

+ G3 Y9 {' w- R4 ^1 X" H' Q【最终结果】
- [/ j% l# F9 @# ?$ W" J; `- }* G3 t) H# L; t% H* r
经过测试后发现,测试元器件的温度都在正常范围内,唯独MOS管的温度变化格外异常(01为输出电容、02为同步IC CR85V25RSA、03为变压器磁芯、04为MOS管、05为IC XS2100S、06为主控IC TT9930、07为输入电容、08为变压器线圈、09为环温),经过不断尝试更换一颗同规格但不同厂家的MOS管,然后再进行老化及温度测试,样机正常工作。以下为替换MOS后的温升测试图片:
  N3 Y( K+ V+ `6 ]  P8 |; B# N9 \
: V' Q$ ?% C3 D: E. \
该图为样机老化6小时后的温度,各器件温度已经稳定,全都在合理范围内。04号MOS温度稳定在72.2度左右,离击穿温度还有很大的余量,完全满足客户需求。如果更换MOS后温度还是没有改善,则需要考虑是否为布局问题,可能要重新设计。8 f, w8 p; b2 X5 C

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