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本帖最后由 思睿达小妹妹 于 2023-6-21 10:23 编辑
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: \$ t" r+ A4 E$ L2 N6 h( i作者:屈工有话说* V7 m# Z6 Q+ P
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PoE(Power over Ethernet)是一种有线以太网供电技术,网线传输数据的同时具备直流供电能力。全面应用于POE交换机、IP摄像头、IP电话、无线AP、便携设备充电器、刷卡机、数据采集等供需端产品。而TT9930是一款用于以太网供电系统(POE,power over Ethernet)的DC/DC控制器,采用原边控制模式,内置200V高压MOS,具有较高的系统效率。
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工程师在使用TT9930样机时发现,样机正常老化时,突然没有输出。经过排查后,怀疑MOS故障,本文将分享解决思路和要点。以下图片为该样机图片:
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5 G+ @+ R$ N$ \; R- V2 z) VTT9930 样机图片 5 U! T7 ~& x: j( O% ?6 q5 q
【应用】视频监控/无线AP/IP电话等
3 Z6 p) r, r7 }4 N r5 h* A& Y' Y【规格】12V2A( m* s) Q; |/ b' [ e
【控制IC】TT9930
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【问题描述】
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样机正常老化时,突然没有输出。经过排查后,发现MOS管击穿且MOS管很烫,怀疑MOS烧坏,于是对其进行点温测试。以下是样机的测试图片:7 r& W, N5 A+ c1 C1 U8 T/ i1 W
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$ U( @( _# G7 n$ a( k点温测试:测试重要元器件的温度,该测试的元器件分别有三个IC(主控TT9930、XS2100S、同步CR85V25RSA)、MOS管、输入大电容、两个输出电容、变压器磁芯和变压器线圈。
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# V) [' U6 [2 L; w5 V& T如上图为测试环境,该测试在尽量密闭环境中进行,不会有大量空气流入,从而使得各元器件能快速达到温度平衡的状态。
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- F) j" G3 ]7 f8 j4 l, G0 L【解决思路】
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5 T, M# C& a+ u5 k+ i1、重新设计电源
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% T7 \! a: H3 W* p首先,分析导致温度过高的原因,对电源进行重新设计。可以采用更高效的散热解决方案,例如增加散热片表面积、改善风道设计等。
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* u' j: t7 K3 [$ s' x2、更换元器件: c( f+ V& j1 o$ z1 \9 B: g+ n
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应优先选择低内阻、低损耗、高效率的元器件,同时可以适当增加元器件数量及规格。, o$ d# C ^, R( y) @ j/ o; C
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3、优化PCB布局
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合理的PCB布局有助于减小电路电磁干扰,降低损耗和温升,减少系统噪声,提高抗干扰性。( N' g- O. Z) N6 L6 O0 @
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4、优化散热设计- Y) z" T( y8 L" ^
0 S, f% \" q! C+ M6 S3 r5 |, v通过优化散热设计来降低温度,如增加散热片面积、优化风道设计、增加风扇数量和转速等。
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5、加强制造与测试管理
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加强制造工艺控制和良品率管理,确保产品符合规范要求。并且加强产品的温升测试,在生产过程中对电源进行多次测试,及时发现不合格产品,以便及早调整。 ~1 r( A6 L# r# N0 Y) Q
8 \/ d: u. s9 ]) `0 w* }& W8 x【调通要点】. e4 [7 g" [* t* h
& E) [2 v8 k5 ]5 _如上图首先通过对各元器件进行点温,观察各元器件的温度变化,如图04号元器件为MOS管,点温才不到几分钟后,MOS的温度就达到了93.7度,而其它元器件温度较为正常,初步判定MOS管出现了问题。
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9 Q# {8 V. ^1 n3 b) ?如上图为再经过几分钟后的元器件温度(01-08为各元器件测试温度),继续观察。
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如上图可以明显看到,虽然所有的元器件(01-08为各元器件测试温度)温度都在持续上升,但都没有特别大的异常,唯独MOS高达116的温度,可以基本确定是MOS烧坏而导致样机老化时突然没有输出。: ^* A! Z9 ]. I. k/ f- S
0 Y, \4 d- z$ R# `# p, r/ B( q( }$ Q【最终结果】: [. a9 O4 f- _% X3 i& ^
6 K5 J( B3 B9 V! S$ t经过测试后发现,测试元器件的温度都在正常范围内,唯独MOS管的温度变化格外异常(01为输出电容、02为同步IC CR85V25RSA、03为变压器磁芯、04为MOS管、05为IC XS2100S、06为主控IC TT9930、07为输入电容、08为变压器线圈、09为环温),经过不断尝试更换一颗同规格但不同厂家的MOS管,然后再进行老化及温度测试,样机正常工作。以下为替换MOS后的温升测试图片:
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该图为样机老化6小时后的温度,各器件温度已经稳定,全都在合理范围内。04号MOS温度稳定在72.2度左右,离击穿温度还有很大的余量,完全满足客户需求。如果更换MOS后温度还是没有改善,则需要考虑是否为布局问题,可能要重新设计。$ ~- s) z2 }9 W$ u7 S/ F
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