中国安防论坛

 找回密码
 注册
查看: 11930|回复: 0

PoE电源模块不输出?可能是MOS管故障,解决方法请拿走~

[复制链接]

安防偶像

Rank: 7Rank: 7Rank: 7

积分
1715
发表于 2023-6-21 10:21:57 | 显示全部楼层 |阅读模式
本帖最后由 思睿达小妹妹 于 2023-6-21 10:23 编辑   b4 T, A6 d% g; g& ]2 f+ [5 _

$ M& N8 m7 k8 a: Y作者:屈工有话说( h2 ^* @2 e% f3 t; i& x; \# v' X+ M
1 ]4 L; g0 s* `. a3 [0 i
PoE(Power over Ethernet)是一种有线以太网供电技术,网线传输数据的同时具备直流供电能力。全面应用于POE交换机、IP摄像头、IP电话、无线AP、便携设备充电器、刷卡机、数据采集等供需端产品。而TT9930是一款用于以太网供电系统(POE,power over Ethernet)的DC/DC控制器,采用原边控制模式,内置200V高压MOS,具有较高的系统效率。
+ F! o7 _7 B: m) m2 r" U8 h) x7 H# f8 W
工程师在使用TT9930样机时发现,样机正常老化时,突然没有输出。经过排查后,怀疑MOS故障,本文将分享解决思路和要点。以下图片为该样机图片:
& Y( F" ~0 b: F1 _
- l0 E) o7 o. D' A
TT9930 样机图片

7 f6 g6 B+ }7 O" Q4 r【应用】视频监控/无线AP/IP电话等9 R4 c, z3 w  V4 [- \- X8 w0 [
【规格】12V2A7 ~% I& ^+ f) T0 S' {& m2 v
【控制IC】TT99307 v3 N6 v* |& N

( N6 W% t/ H2 f【问题描述】) k* F) ~9 Q. X% U( |' s, L0 }
+ L4 i' x8 L, p8 |' s5 f
样机正常老化时,突然没有输出。经过排查后,发现MOS管击穿且MOS管很烫,怀疑MOS烧坏,于是对其进行点温测试。以下是样机的测试图片:
1 n$ \4 c7 W8 r7 q( _  y& G7 X# u6 k# S7 U
. T0 G2 e7 U0 D" Q' x: D
点温测试:测试重要元器件的温度,该测试的元器件分别有三个IC(主控TT9930、XS2100S、同步CR85V25RSA)、MOS管、输入大电容、两个输出电容、变压器磁芯和变压器线圈。
0 |4 V3 [* S8 `' ^9 H" @. A0 T( f8 l$ ]7 f0 u1 ~
: L1 Y% p( T8 }9 x) h( S( E, q4 E
如上图为测试环境,该测试在尽量密闭环境中进行,不会有大量空气流入,从而使得各元器件能快速达到温度平衡的状态。2 |' j% t8 s- r
" q) V4 c3 _0 F! ]# c* g
【解决思路】% {" K$ ^1 k4 G6 Y
# [2 Z3 H2 g5 z/ _6 A( a
1、重新设计电源
* A% b' t" k4 d) J. {4 E4 r' b& D& A, f( g
首先,分析导致温度过高的原因,对电源进行重新设计。可以采用更高效的散热解决方案,例如增加散热片表面积、改善风道设计等。
+ J" o8 V, e# m: ~8 g7 p
! j/ T  g" M" T2、更换元器件( \9 t$ u6 O0 p9 z' a

( S( w! j8 j4 r' O' ]) `应优先选择低内阻、低损耗、高效率的元器件,同时可以适当增加元器件数量及规格。
; k/ u7 s& M: q5 @! w' ^- O& Q! y" }! d3 o2 W  G8 f7 x( ]0 {
3、优化PCB布局
* t7 Z# t' Q: N& j% W7 c- t, s. ]
合理的PCB布局有助于减小电路电磁干扰,降低损耗和温升,减少系统噪声,提高抗干扰性。
* y) F! W3 i2 B+ S: b6 J
3 ^2 Z6 m+ Q" i1 b+ A. O9 `7 N# P4、优化散热设计
$ }# J" p$ w1 {  a7 T4 m3 V( k5 H+ Q  b- a; d
通过优化散热设计来降低温度,如增加散热片面积、优化风道设计、增加风扇数量和转速等。: }7 ?5 T2 y+ k3 M

6 Z, @; ]* ^  W0 |" J5、加强制造与测试管理( v+ D( T( t* V9 z& v$ F$ M

! Z3 N' N3 {0 j. }2 x, s! V3 U加强制造工艺控制和良品率管理,确保产品符合规范要求。并且加强产品的温升测试,在生产过程中对电源进行多次测试,及时发现不合格产品,以便及早调整。1 r6 [; r/ A, R" O, }, a, U
! o& T& a" I( q5 q5 y4 t' h
【调通要点】9 B! k! [. p; D$ [9 d8 {7 b5 h1 W

$ J$ ]" t* W/ ^( g: L6 c如上图首先通过对各元器件进行点温,观察各元器件的温度变化,如图04号元器件为MOS管,点温才不到几分钟后,MOS的温度就达到了93.7度,而其它元器件温度较为正常,初步判定MOS管出现了问题。4 N; w4 P! x& B
/ h% k8 ?, t$ l" T+ }3 I3 E
6 `. q$ c3 n4 h9 T6 V1 L
如上图为再经过几分钟后的元器件温度(01-08为各元器件测试温度),继续观察。
5 T4 n0 U8 J- Z! b7 |2 t  \
& \7 |7 R/ }1 p7 `. R% q
* C/ S" J2 U& V9 V; r
如上图可以明显看到,虽然所有的元器件(01-08为各元器件测试温度)温度都在持续上升,但都没有特别大的异常,唯独MOS高达116的温度,可以基本确定是MOS烧坏而导致样机老化时突然没有输出。
2 V, s" R. s0 L+ P1 T+ K8 x+ p4 O
; _0 W* L" m9 F) q- H# s【最终结果】
/ V  u5 _; }! X! E( ~( a" \0 u$ R. H3 d" n
经过测试后发现,测试元器件的温度都在正常范围内,唯独MOS管的温度变化格外异常(01为输出电容、02为同步IC CR85V25RSA、03为变压器磁芯、04为MOS管、05为IC XS2100S、06为主控IC TT9930、07为输入电容、08为变压器线圈、09为环温),经过不断尝试更换一颗同规格但不同厂家的MOS管,然后再进行老化及温度测试,样机正常工作。以下为替换MOS后的温升测试图片:. |  `9 F, B( F* a6 W
$ k4 U# U+ P* d- H$ M2 \
# s+ O+ s& x3 x2 E3 x) r! \: w
该图为样机老化6小时后的温度,各器件温度已经稳定,全都在合理范围内。04号MOS温度稳定在72.2度左右,离击穿温度还有很大的余量,完全满足客户需求。如果更换MOS后温度还是没有改善,则需要考虑是否为布局问题,可能要重新设计。! y0 J: T4 Y  A: S/ \4 h" z; L/ F

% ^8 M! d4 M7 _/ I: c0 H/ B

本帖子中包含更多资源

您需要 登录 才可以下载或查看,没有帐号?注册

x
思睿达联系人:何工 18923426660,欢迎来电咨询,申请样品。
您需要登录后才可以回帖 登录 | 注册

本版积分规则

安豆网|Archiver|手机版|中国安防论坛 ( 粤ICP备09063021号 )

GMT+8, 2026-7-25 18:30 , Processed in 0.250016 second(s), 24 queries .

Powered by Discuz! X3.4 Licensed

© 2001-2017 Comsenz Inc.

快速回复 返回顶部 返回列表