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PoE电源模块不输出?可能是MOS管故障,解决方法请拿走~

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发表于 2023-6-21 10:21:57 | 显示全部楼层 |阅读模式
本帖最后由 思睿达小妹妹 于 2023-6-21 10:23 编辑
0 R( W* u9 D( B; r5 o; {3 u; ~3 N+ q. U+ w% I8 ^
作者:屈工有话说
6 D" O) l$ w1 {& s; v0 b$ q
& j1 @( b4 E. K2 v  c9 aPoE(Power over Ethernet)是一种有线以太网供电技术,网线传输数据的同时具备直流供电能力。全面应用于POE交换机、IP摄像头、IP电话、无线AP、便携设备充电器、刷卡机、数据采集等供需端产品。而TT9930是一款用于以太网供电系统(POE,power over Ethernet)的DC/DC控制器,采用原边控制模式,内置200V高压MOS,具有较高的系统效率。
% `' Z: e! F0 r) j2 u8 a/ C* R2 ?  E7 [) D6 \* W
工程师在使用TT9930样机时发现,样机正常老化时,突然没有输出。经过排查后,怀疑MOS故障,本文将分享解决思路和要点。以下图片为该样机图片:
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TT9930 样机图片
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【应用】视频监控/无线AP/IP电话等: J* W$ K+ J  @
【规格】12V2A
" ]8 T$ y: Q1 Q& U0 g/ Z【控制IC】TT9930
" q: o  h7 _( e6 r# X6 `( N' G$ M; R1 [; w# W- E* x
【问题描述】
0 v6 {1 z6 i1 f) [; e/ V* n0 E' A/ r( r8 c3 i2 U; t( T+ `8 x
样机正常老化时,突然没有输出。经过排查后,发现MOS管击穿且MOS管很烫,怀疑MOS烧坏,于是对其进行点温测试。以下是样机的测试图片:" \% J/ O6 p, P% e: m. l0 S. \+ M

8 `3 @6 N2 H2 ]" ~$ m, `

2 M7 g& V% F: a0 E/ `# }9 w5 }点温测试:测试重要元器件的温度,该测试的元器件分别有三个IC(主控TT9930、XS2100S、同步CR85V25RSA)、MOS管、输入大电容、两个输出电容、变压器磁芯和变压器线圈。# `: n7 w* V) k! b% }
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' U' [1 }2 y  `# i: B4 f% t7 w( `如上图为测试环境,该测试在尽量密闭环境中进行,不会有大量空气流入,从而使得各元器件能快速达到温度平衡的状态。
+ @' @+ o' Q: g1 v  b
5 ^9 g4 Z4 p, z% r0 E* c【解决思路】
. v3 \* Y: k6 C2 D
; P* @" X# E$ W' P% K% P1、重新设计电源, v* Z% f6 l+ @3 l& @5 w9 o% V

1 w" h: M3 D# z1 C/ L首先,分析导致温度过高的原因,对电源进行重新设计。可以采用更高效的散热解决方案,例如增加散热片表面积、改善风道设计等。- {# s% P% r0 b4 c# P* T6 B

7 [9 U4 h# m& K' X) F2 m( p2、更换元器件! o$ i7 l6 i) q+ q6 L" I
0 T7 G1 X, U9 \& u
应优先选择低内阻、低损耗、高效率的元器件,同时可以适当增加元器件数量及规格。
" t5 U. M7 W& ?4 ~. K6 K5 w; C4 e5 B
3、优化PCB布局
, p, F/ L- _" Q3 n2 p) r
# q% G0 q, h0 ^- e. T合理的PCB布局有助于减小电路电磁干扰,降低损耗和温升,减少系统噪声,提高抗干扰性。8 z+ b% E- g/ C. N. ~6 L
% d+ e7 {0 R/ X! l! {% m
4、优化散热设计
0 W. p" T: w& _
2 c9 v2 R: D" H6 Y% ~6 C4 I0 }通过优化散热设计来降低温度,如增加散热片面积、优化风道设计、增加风扇数量和转速等。4 T, G# L9 e$ h  J& z
* U1 A3 q5 K" b# G
5、加强制造与测试管理( x( |' G# @8 K9 j6 _3 ]
$ f' E) }, I: J! Q
加强制造工艺控制和良品率管理,确保产品符合规范要求。并且加强产品的温升测试,在生产过程中对电源进行多次测试,及时发现不合格产品,以便及早调整。; N$ k) S$ T5 U5 v2 z

4 B2 _6 Y6 M& d【调通要点】
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2 Z7 K  N* ]  O- a# |3 k如上图首先通过对各元器件进行点温,观察各元器件的温度变化,如图04号元器件为MOS管,点温才不到几分钟后,MOS的温度就达到了93.7度,而其它元器件温度较为正常,初步判定MOS管出现了问题。
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: g5 A; C# V' ~+ M: W# A+ k6 p
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如上图为再经过几分钟后的元器件温度(01-08为各元器件测试温度),继续观察。% ^( w  |9 q% K( m
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, x  W6 _) m1 P. x4 w
如上图可以明显看到,虽然所有的元器件(01-08为各元器件测试温度)温度都在持续上升,但都没有特别大的异常,唯独MOS高达116的温度,可以基本确定是MOS烧坏而导致样机老化时突然没有输出。
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【最终结果】+ C" {. |/ \4 @" T* k  z
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经过测试后发现,测试元器件的温度都在正常范围内,唯独MOS管的温度变化格外异常(01为输出电容、02为同步IC CR85V25RSA、03为变压器磁芯、04为MOS管、05为IC XS2100S、06为主控IC TT9930、07为输入电容、08为变压器线圈、09为环温),经过不断尝试更换一颗同规格但不同厂家的MOS管,然后再进行老化及温度测试,样机正常工作。以下为替换MOS后的温升测试图片:
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7 Q# {" D( a2 G# E7 j0 J6 E* m& ]

; ^: ?& R! M: w2 n该图为样机老化6小时后的温度,各器件温度已经稳定,全都在合理范围内。04号MOS温度稳定在72.2度左右,离击穿温度还有很大的余量,完全满足客户需求。如果更换MOS后温度还是没有改善,则需要考虑是否为布局问题,可能要重新设计。
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