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PoE电源模块不输出?可能是MOS管故障,解决方法请拿走~

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发表于 2023-6-21 10:21:57 | 显示全部楼层 |阅读模式
本帖最后由 思睿达小妹妹 于 2023-6-21 10:23 编辑 & a* \2 ]( A/ p1 b5 i6 G

2 ]" f. J. G8 w3 P8 z; d) n1 p作者:屈工有话说8 n! X# p! |! D; w6 ]: E8 ?% b
7 q& u/ n$ H+ O$ o: w, ?
PoE(Power over Ethernet)是一种有线以太网供电技术,网线传输数据的同时具备直流供电能力。全面应用于POE交换机、IP摄像头、IP电话、无线AP、便携设备充电器、刷卡机、数据采集等供需端产品。而TT9930是一款用于以太网供电系统(POE,power over Ethernet)的DC/DC控制器,采用原边控制模式,内置200V高压MOS,具有较高的系统效率。  Q" D: X; F' U  a
+ r- F' R) c/ G* F. V& [  W8 @. _
工程师在使用TT9930样机时发现,样机正常老化时,突然没有输出。经过排查后,怀疑MOS故障,本文将分享解决思路和要点。以下图片为该样机图片:( n8 Y$ L* c  l

" T) C, ?6 P7 |
TT9930 样机图片

" \* Z' ?$ {/ r" ^【应用】视频监控/无线AP/IP电话等
/ R7 W6 P' f3 f  x# z' H1 T; v【规格】12V2A
/ Y5 h2 m+ @% Q0 t* n【控制IC】TT99300 Q) E) X+ J4 P, Q

, u, O* z' \0 u4 a【问题描述】
: c! F4 D' W$ E4 K( @$ [: y9 h" a8 F8 H
样机正常老化时,突然没有输出。经过排查后,发现MOS管击穿且MOS管很烫,怀疑MOS烧坏,于是对其进行点温测试。以下是样机的测试图片:2 d  L$ ]* }# I0 }4 P
2 g; r2 n. D1 E) g- Y

; Z- X) |9 W- p+ @3 {# {点温测试:测试重要元器件的温度,该测试的元器件分别有三个IC(主控TT9930、XS2100S、同步CR85V25RSA)、MOS管、输入大电容、两个输出电容、变压器磁芯和变压器线圈。
, [. O4 G9 u+ w, e1 _+ Z9 P% u$ I
7 I% M+ t5 u9 G9 g8 E' l. `* n/ A( ^
如上图为测试环境,该测试在尽量密闭环境中进行,不会有大量空气流入,从而使得各元器件能快速达到温度平衡的状态。$ G) P* D0 d$ D

9 E" o2 g: v" N. A8 e+ ]  I% i$ m0 j【解决思路】
1 y0 F/ j  B! s* T: P
; P' }' L( e2 P. J+ a' C7 D1、重新设计电源
+ X0 B. M' h! R0 N' w/ x8 V. O. N$ f
首先,分析导致温度过高的原因,对电源进行重新设计。可以采用更高效的散热解决方案,例如增加散热片表面积、改善风道设计等。
) c* C6 |2 Z6 G! y1 J6 h5 E  q4 @8 E) k5 i( f+ M8 M
2、更换元器件9 D* M9 G+ ?. P4 K4 I- g  h# T

0 h$ q+ b8 O# s$ Q2 Z  Q9 ?应优先选择低内阻、低损耗、高效率的元器件,同时可以适当增加元器件数量及规格。
4 C* J* u' s# M" H
$ U: i. j$ G$ k8 Q2 l4 T4 |* t3、优化PCB布局
( a* O( M) Q1 z/ R
. b6 c( {) L8 D" {合理的PCB布局有助于减小电路电磁干扰,降低损耗和温升,减少系统噪声,提高抗干扰性。
6 @, Q1 z" N8 D$ Y  g+ w% H5 O$ J6 i+ p* j  B8 j
4、优化散热设计
3 I6 n' k+ d# y- I
1 n, K3 u- Z4 h( `3 y3 J通过优化散热设计来降低温度,如增加散热片面积、优化风道设计、增加风扇数量和转速等。
) D' ^' ~: o; O: z3 n( p* c4 f; N5 `/ S' }, p5 O% Y$ h) |
5、加强制造与测试管理' Q6 L' Q* ~3 M! e2 ]

9 o* z8 V" N$ p加强制造工艺控制和良品率管理,确保产品符合规范要求。并且加强产品的温升测试,在生产过程中对电源进行多次测试,及时发现不合格产品,以便及早调整。
5 r& g' v& l9 G2 E+ h
- P- p( f- u4 G# ?" n【调通要点】! @! @7 [( Y' W
! h  [5 g# X# r. q
如上图首先通过对各元器件进行点温,观察各元器件的温度变化,如图04号元器件为MOS管,点温才不到几分钟后,MOS的温度就达到了93.7度,而其它元器件温度较为正常,初步判定MOS管出现了问题。
5 t. I/ g. [2 ^0 r- C; z8 G  a* p( b/ ^* O

9 T% g( T4 i* E: e8 f# ~2 V) g" C如上图为再经过几分钟后的元器件温度(01-08为各元器件测试温度),继续观察。
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+ b# g& e4 r! |' {
如上图可以明显看到,虽然所有的元器件(01-08为各元器件测试温度)温度都在持续上升,但都没有特别大的异常,唯独MOS高达116的温度,可以基本确定是MOS烧坏而导致样机老化时突然没有输出。
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【最终结果】
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2 L- ]- @( `, V- l" I* Y经过测试后发现,测试元器件的温度都在正常范围内,唯独MOS管的温度变化格外异常(01为输出电容、02为同步IC CR85V25RSA、03为变压器磁芯、04为MOS管、05为IC XS2100S、06为主控IC TT9930、07为输入电容、08为变压器线圈、09为环温),经过不断尝试更换一颗同规格但不同厂家的MOS管,然后再进行老化及温度测试,样机正常工作。以下为替换MOS后的温升测试图片:
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! G4 ?' i8 S$ D* i* K- I
该图为样机老化6小时后的温度,各器件温度已经稳定,全都在合理范围内。04号MOS温度稳定在72.2度左右,离击穿温度还有很大的余量,完全满足客户需求。如果更换MOS后温度还是没有改善,则需要考虑是否为布局问题,可能要重新设计。+ v- j0 ?; M% ]- t
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