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PoE电源模块不输出?可能是MOS管故障,解决方法请拿走~

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发表于 2023-6-21 10:21:57 | 显示全部楼层 |阅读模式
本帖最后由 思睿达小妹妹 于 2023-6-21 10:23 编辑
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1 o" m" y/ t3 U作者:屈工有话说
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* n- n( u: M" JPoE(Power over Ethernet)是一种有线以太网供电技术,网线传输数据的同时具备直流供电能力。全面应用于POE交换机、IP摄像头、IP电话、无线AP、便携设备充电器、刷卡机、数据采集等供需端产品。而TT9930是一款用于以太网供电系统(POE,power over Ethernet)的DC/DC控制器,采用原边控制模式,内置200V高压MOS,具有较高的系统效率。  Z: g5 A' |+ E* J- D  R4 H5 H
8 K" g# t. {3 I$ a, Q  Z* F
工程师在使用TT9930样机时发现,样机正常老化时,突然没有输出。经过排查后,怀疑MOS故障,本文将分享解决思路和要点。以下图片为该样机图片:9 q8 {7 u3 j* i. f: g
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TT9930 样机图片
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【应用】视频监控/无线AP/IP电话等
5 f+ M  J  A% q4 D【规格】12V2A
) Z0 G/ h8 J2 [+ H【控制IC】TT99302 @0 H7 _- t% V( Z

* c4 |6 V2 B6 I5 m5 Z【问题描述】
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样机正常老化时,突然没有输出。经过排查后,发现MOS管击穿且MOS管很烫,怀疑MOS烧坏,于是对其进行点温测试。以下是样机的测试图片:, k$ ^9 n" s; ]

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( F/ ?! K( S9 V4 I. H( ]点温测试:测试重要元器件的温度,该测试的元器件分别有三个IC(主控TT9930、XS2100S、同步CR85V25RSA)、MOS管、输入大电容、两个输出电容、变压器磁芯和变压器线圈。
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如上图为测试环境,该测试在尽量密闭环境中进行,不会有大量空气流入,从而使得各元器件能快速达到温度平衡的状态。
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【解决思路】: N; `. R3 ~' ]& K3 @& `

: h0 ?1 |8 O( u1、重新设计电源
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首先,分析导致温度过高的原因,对电源进行重新设计。可以采用更高效的散热解决方案,例如增加散热片表面积、改善风道设计等。
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3 L9 Y! U( r7 h# m, Q5 z1 V( X2、更换元器件
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应优先选择低内阻、低损耗、高效率的元器件,同时可以适当增加元器件数量及规格。. @+ s/ ~: p9 m; F. X0 D1 X/ M
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3、优化PCB布局
) s( u5 {+ r, S7 g7 D
6 X; v+ r8 u% S- N, r8 i6 O, u合理的PCB布局有助于减小电路电磁干扰,降低损耗和温升,减少系统噪声,提高抗干扰性。
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  j3 \, B1 M. }8 P4、优化散热设计6 F* Y6 A& P2 a- [6 _  w$ _
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通过优化散热设计来降低温度,如增加散热片面积、优化风道设计、增加风扇数量和转速等。1 o- N* f/ f9 L- V1 _) }- O: O

: ~9 S$ `: e3 }1 l5、加强制造与测试管理
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; ]! h! q; ~8 r0 a  x2 i, E* z7 I加强制造工艺控制和良品率管理,确保产品符合规范要求。并且加强产品的温升测试,在生产过程中对电源进行多次测试,及时发现不合格产品,以便及早调整。: {8 C, G; q2 F! _
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【调通要点】
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# q+ Z, _' ^' A4 P4 D$ d; @1 M3 ~如上图首先通过对各元器件进行点温,观察各元器件的温度变化,如图04号元器件为MOS管,点温才不到几分钟后,MOS的温度就达到了93.7度,而其它元器件温度较为正常,初步判定MOS管出现了问题。
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如上图为再经过几分钟后的元器件温度(01-08为各元器件测试温度),继续观察。" G8 L# ^, Q) G; ]5 P6 T* I
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如上图可以明显看到,虽然所有的元器件(01-08为各元器件测试温度)温度都在持续上升,但都没有特别大的异常,唯独MOS高达116的温度,可以基本确定是MOS烧坏而导致样机老化时突然没有输出。
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【最终结果】
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9 A5 r, @: G1 m9 U经过测试后发现,测试元器件的温度都在正常范围内,唯独MOS管的温度变化格外异常(01为输出电容、02为同步IC CR85V25RSA、03为变压器磁芯、04为MOS管、05为IC XS2100S、06为主控IC TT9930、07为输入电容、08为变压器线圈、09为环温),经过不断尝试更换一颗同规格但不同厂家的MOS管,然后再进行老化及温度测试,样机正常工作。以下为替换MOS后的温升测试图片:4 E5 ^6 R; _# r7 y$ o# y
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6 C: V7 x2 V+ h  l8 U该图为样机老化6小时后的温度,各器件温度已经稳定,全都在合理范围内。04号MOS温度稳定在72.2度左右,离击穿温度还有很大的余量,完全满足客户需求。如果更换MOS后温度还是没有改善,则需要考虑是否为布局问题,可能要重新设计。
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