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本帖最后由 思睿达小妹妹 于 2023-6-21 10:23 编辑 ) K' h8 u' W$ L% r$ B5 D3 u& p
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作者:屈工有话说
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* S$ L9 e. K& X% |: fPoE(Power over Ethernet)是一种有线以太网供电技术,网线传输数据的同时具备直流供电能力。全面应用于POE交换机、IP摄像头、IP电话、无线AP、便携设备充电器、刷卡机、数据采集等供需端产品。而TT9930是一款用于以太网供电系统(POE,power over Ethernet)的DC/DC控制器,采用原边控制模式,内置200V高压MOS,具有较高的系统效率。4 R; b4 U0 c ]0 s
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工程师在使用TT9930样机时发现,样机正常老化时,突然没有输出。经过排查后,怀疑MOS故障,本文将分享解决思路和要点。以下图片为该样机图片:
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TT9930 样机图片 " `4 l3 f) h8 g3 n, }* x- }
【应用】视频监控/无线AP/IP电话等1 \' q- Z0 L8 k3 _9 Q$ e
【规格】12V2A
9 \* ]: m+ L* A4 V9 l$ i# `【控制IC】TT9930
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【问题描述】1 B; E b" o. A; m0 {' O) `
7 m9 `! {8 f: o# V" b. d( _样机正常老化时,突然没有输出。经过排查后,发现MOS管击穿且MOS管很烫,怀疑MOS烧坏,于是对其进行点温测试。以下是样机的测试图片:
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点温测试:测试重要元器件的温度,该测试的元器件分别有三个IC(主控TT9930、XS2100S、同步CR85V25RSA)、MOS管、输入大电容、两个输出电容、变压器磁芯和变压器线圈。
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" P6 m8 a8 Q* t1 t: K9 `$ G如上图为测试环境,该测试在尽量密闭环境中进行,不会有大量空气流入,从而使得各元器件能快速达到温度平衡的状态。
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. O* t* |* B2 _& j3 ~& t% B# [4 ~) m/ r【解决思路】; D& g% Q4 a1 \' f; L
7 X3 J4 e, D3 N" |% i& F1、重新设计电源. ], P8 u5 S% V% a9 M: a. j
: ?( N5 F, ?8 K; ^4 n# ], ]! U) ]首先,分析导致温度过高的原因,对电源进行重新设计。可以采用更高效的散热解决方案,例如增加散热片表面积、改善风道设计等。
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2、更换元器件
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; P3 L, k7 v* b# L应优先选择低内阻、低损耗、高效率的元器件,同时可以适当增加元器件数量及规格。
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3、优化PCB布局
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合理的PCB布局有助于减小电路电磁干扰,降低损耗和温升,减少系统噪声,提高抗干扰性。
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0 R* S- q4 R6 j6 [4、优化散热设计
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通过优化散热设计来降低温度,如增加散热片面积、优化风道设计、增加风扇数量和转速等。0 b3 ~9 e/ J3 o) A i6 ^; v
4 d, g7 ?9 U5 V h1 f: B% f5、加强制造与测试管理2 l1 e! t" k. M1 ]" G1 L
$ _, D/ t- M6 P5 a& q- O加强制造工艺控制和良品率管理,确保产品符合规范要求。并且加强产品的温升测试,在生产过程中对电源进行多次测试,及时发现不合格产品,以便及早调整。5 \$ t: ^; ^& E% m7 t' b
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【调通要点】
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如上图首先通过对各元器件进行点温,观察各元器件的温度变化,如图04号元器件为MOS管,点温才不到几分钟后,MOS的温度就达到了93.7度,而其它元器件温度较为正常,初步判定MOS管出现了问题。
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, f6 w& c8 z( W如上图为再经过几分钟后的元器件温度(01-08为各元器件测试温度),继续观察。) ]+ ?4 j. _/ Z. K. S
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( }7 z2 s/ j) ]8 M" o如上图可以明显看到,虽然所有的元器件(01-08为各元器件测试温度)温度都在持续上升,但都没有特别大的异常,唯独MOS高达116的温度,可以基本确定是MOS烧坏而导致样机老化时突然没有输出。0 L5 {8 k, ~% t3 }( u
; K" l7 M2 M3 o9 M5 E3 g) ^【最终结果】
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3 ?+ u( k" B/ \% m( d4 P经过测试后发现,测试元器件的温度都在正常范围内,唯独MOS管的温度变化格外异常(01为输出电容、02为同步IC CR85V25RSA、03为变压器磁芯、04为MOS管、05为IC XS2100S、06为主控IC TT9930、07为输入电容、08为变压器线圈、09为环温),经过不断尝试更换一颗同规格但不同厂家的MOS管,然后再进行老化及温度测试,样机正常工作。以下为替换MOS后的温升测试图片:: ^, c2 w6 i9 e* `2 p5 e. M
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该图为样机老化6小时后的温度,各器件温度已经稳定,全都在合理范围内。04号MOS温度稳定在72.2度左右,离击穿温度还有很大的余量,完全满足客户需求。如果更换MOS后温度还是没有改善,则需要考虑是否为布局问题,可能要重新设计。" U8 u( E: b! a8 G" l# ^3 Y. n; ^
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