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PoE电源模块不输出?可能是MOS管故障,解决方法请拿走~

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发表于 2023-6-21 10:21:57 | 显示全部楼层 |阅读模式
本帖最后由 思睿达小妹妹 于 2023-6-21 10:23 编辑 : G4 `( F8 j6 \* a. g" O; L8 F
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作者:屈工有话说
* w! X! }' @# I8 x( ]" g; x+ X0 i1 A
7 s3 n" a6 X- ~1 sPoE(Power over Ethernet)是一种有线以太网供电技术,网线传输数据的同时具备直流供电能力。全面应用于POE交换机、IP摄像头、IP电话、无线AP、便携设备充电器、刷卡机、数据采集等供需端产品。而TT9930是一款用于以太网供电系统(POE,power over Ethernet)的DC/DC控制器,采用原边控制模式,内置200V高压MOS,具有较高的系统效率。
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3 R% w1 ^* L1 F' N工程师在使用TT9930样机时发现,样机正常老化时,突然没有输出。经过排查后,怀疑MOS故障,本文将分享解决思路和要点。以下图片为该样机图片:  K: g8 F$ d& t- |2 V/ }

" t# }; J, f. R, [, F) e
TT9930 样机图片
& ]; P3 `; v( ^1 d) a+ w
【应用】视频监控/无线AP/IP电话等  q# t2 n9 a$ `* T2 {/ W* \
【规格】12V2A
' U& O3 ]& W0 S【控制IC】TT9930
. p5 X# }3 {1 j3 }$ a7 `
/ D  E+ U  k" Y2 Z5 v/ [$ m9 _7 J【问题描述】5 h9 r& }6 a! f+ c3 X# \8 P
$ E! w3 o" u; m/ d& o) V
样机正常老化时,突然没有输出。经过排查后,发现MOS管击穿且MOS管很烫,怀疑MOS烧坏,于是对其进行点温测试。以下是样机的测试图片:
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1 b' T& [- G/ C, k/ E
点温测试:测试重要元器件的温度,该测试的元器件分别有三个IC(主控TT9930、XS2100S、同步CR85V25RSA)、MOS管、输入大电容、两个输出电容、变压器磁芯和变压器线圈。8 `" j7 w" Q3 a" G% ~

' H+ z( L7 j, `( K! v# c- W# T& H# ?
8 C2 }! F- Y. C7 I) o6 _2 L
如上图为测试环境,该测试在尽量密闭环境中进行,不会有大量空气流入,从而使得各元器件能快速达到温度平衡的状态。
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【解决思路】
1 p  @2 C; ^: {( Q7 K, z! g3 o8 e! X3 V( t; ^! f) E
1、重新设计电源4 U/ E' {, a$ O% P# n$ n. Z$ |

6 ]  i1 O* S5 c; v9 T& Z1 m. `首先,分析导致温度过高的原因,对电源进行重新设计。可以采用更高效的散热解决方案,例如增加散热片表面积、改善风道设计等。
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2、更换元器件
6 D- p5 S" w: t# w, p  Q5 m4 i5 C) D" m, z* t
应优先选择低内阻、低损耗、高效率的元器件,同时可以适当增加元器件数量及规格。# B7 V) ]# b. }5 h
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3、优化PCB布局/ d' q6 T- \8 d! ]% g$ x

8 v7 P0 L0 j0 B/ n# Q1 j' X合理的PCB布局有助于减小电路电磁干扰,降低损耗和温升,减少系统噪声,提高抗干扰性。, e% _2 w" w) i

# |1 @! Y0 S6 p) t) f4 r* Y8 a4、优化散热设计3 z  W9 t6 H) p

6 T9 ]4 _7 ^. M/ ^通过优化散热设计来降低温度,如增加散热片面积、优化风道设计、增加风扇数量和转速等。8 C( u) O( a. s* O# L' C3 n% U

; O, e. ?9 _* A" |+ h5、加强制造与测试管理6 W, R4 W$ e* u% Z" w
2 B% S- M% ?( L; S) }) d" T( @
加强制造工艺控制和良品率管理,确保产品符合规范要求。并且加强产品的温升测试,在生产过程中对电源进行多次测试,及时发现不合格产品,以便及早调整。% K' C( f1 b& u; `6 K
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【调通要点】
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如上图首先通过对各元器件进行点温,观察各元器件的温度变化,如图04号元器件为MOS管,点温才不到几分钟后,MOS的温度就达到了93.7度,而其它元器件温度较为正常,初步判定MOS管出现了问题。7 A, g, m# z' w% F' {. |
* w" p. M: a4 F2 e& e5 o* i1 X

8 `  Q- J; {% t; k3 R. Q/ n如上图为再经过几分钟后的元器件温度(01-08为各元器件测试温度),继续观察。
( y$ d- H6 S9 j2 x
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  f8 Q3 g" s5 R: Z2 V如上图可以明显看到,虽然所有的元器件(01-08为各元器件测试温度)温度都在持续上升,但都没有特别大的异常,唯独MOS高达116的温度,可以基本确定是MOS烧坏而导致样机老化时突然没有输出。
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【最终结果】) ^# B, C' |- J& w3 D/ a0 J( t
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经过测试后发现,测试元器件的温度都在正常范围内,唯独MOS管的温度变化格外异常(01为输出电容、02为同步IC CR85V25RSA、03为变压器磁芯、04为MOS管、05为IC XS2100S、06为主控IC TT9930、07为输入电容、08为变压器线圈、09为环温),经过不断尝试更换一颗同规格但不同厂家的MOS管,然后再进行老化及温度测试,样机正常工作。以下为替换MOS后的温升测试图片:
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2 E/ ~" g/ `4 s" C该图为样机老化6小时后的温度,各器件温度已经稳定,全都在合理范围内。04号MOS温度稳定在72.2度左右,离击穿温度还有很大的余量,完全满足客户需求。如果更换MOS后温度还是没有改善,则需要考虑是否为布局问题,可能要重新设计。
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# Q4 G8 |, G2 {+ M

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