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PoE电源模块不输出?可能是MOS管故障,解决方法请拿走~

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发表于 2023-6-21 10:21:57 | 显示全部楼层 |阅读模式
本帖最后由 思睿达小妹妹 于 2023-6-21 10:23 编辑
1 M. |1 N, {. n: A" o$ z$ t# l+ U9 ?. z7 n/ L' Y
作者:屈工有话说
) X1 }  I  _2 t! }
* ^+ k6 Y* l2 m* @5 u5 CPoE(Power over Ethernet)是一种有线以太网供电技术,网线传输数据的同时具备直流供电能力。全面应用于POE交换机、IP摄像头、IP电话、无线AP、便携设备充电器、刷卡机、数据采集等供需端产品。而TT9930是一款用于以太网供电系统(POE,power over Ethernet)的DC/DC控制器,采用原边控制模式,内置200V高压MOS,具有较高的系统效率。- y' ?7 l# t& W9 d: c

' n$ K+ V$ O7 U) [. j5 f1 a4 ~工程师在使用TT9930样机时发现,样机正常老化时,突然没有输出。经过排查后,怀疑MOS故障,本文将分享解决思路和要点。以下图片为该样机图片:
1 z; j1 J  V9 j* C. {) J0 N4 [; m5 Z; K: W. B3 M
TT9930 样机图片

. a+ ]" q% Z* b% \; J) O  ^【应用】视频监控/无线AP/IP电话等  X9 N1 E% I) d: [
【规格】12V2A
6 n$ L7 m. T1 F2 F& n& O【控制IC】TT99300 W# Y% H3 f$ e1 Q- ]9 D; X

% W5 L/ y- }" d1 S4 {# z【问题描述】
# n( W& h) H1 M, V8 I$ k" ?* {5 ~  i( h8 d* D! d
样机正常老化时,突然没有输出。经过排查后,发现MOS管击穿且MOS管很烫,怀疑MOS烧坏,于是对其进行点温测试。以下是样机的测试图片:
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7 s* U: d' r+ Y
点温测试:测试重要元器件的温度,该测试的元器件分别有三个IC(主控TT9930、XS2100S、同步CR85V25RSA)、MOS管、输入大电容、两个输出电容、变压器磁芯和变压器线圈。, r0 i' z/ S/ p0 b. z- k

8 V" G4 A* K8 e+ k: L

$ G2 `3 X; \. j* N8 P/ p如上图为测试环境,该测试在尽量密闭环境中进行,不会有大量空气流入,从而使得各元器件能快速达到温度平衡的状态。
( Y) _7 O0 ]: F# w) N
" C) w( o; ]! d0 o【解决思路】
5 N  f, r/ e& a% y) s# A9 \8 O8 j
1、重新设计电源
6 {( F. K5 L1 M1 P+ ?  @; t7 O' K: A/ l7 u& a1 d- Z) e2 g
首先,分析导致温度过高的原因,对电源进行重新设计。可以采用更高效的散热解决方案,例如增加散热片表面积、改善风道设计等。
0 ]* n9 `( N: h7 C# s8 h, s" z
8 C; V! N1 |0 B% R2、更换元器件5 a5 X8 x5 u" L; B3 d
5 M4 P& `5 j. r7 R8 ~8 \
应优先选择低内阻、低损耗、高效率的元器件,同时可以适当增加元器件数量及规格。
! ?' ]3 P6 i" K# g
# I' i1 i- I2 c0 k3、优化PCB布局
) m) G. ?; C& @& d0 Y5 d$ F( R5 P5 h1 t' p' A1 T6 l
合理的PCB布局有助于减小电路电磁干扰,降低损耗和温升,减少系统噪声,提高抗干扰性。
9 t7 R0 F% s% @- X, _( j+ Z7 w1 Q
. g' t) o: r- q% t. v8 f9 V" O4、优化散热设计
/ s& X3 O* s# ^) g; i
' |6 G3 h% d  U3 b2 C! {- b+ F通过优化散热设计来降低温度,如增加散热片面积、优化风道设计、增加风扇数量和转速等。
7 c9 ~! X% |( g1 }* ]: S) e  \$ X0 k* a9 s
5、加强制造与测试管理
/ t2 W( i1 d- F1 ^# N$ g4 E
+ A+ n& O2 D$ S加强制造工艺控制和良品率管理,确保产品符合规范要求。并且加强产品的温升测试,在生产过程中对电源进行多次测试,及时发现不合格产品,以便及早调整。
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8 N$ `& o6 X# U4 F# b3 g【调通要点】
, E& b1 f/ u: F

, J( X1 C$ w5 ]$ [! Q" ?* R$ o如上图首先通过对各元器件进行点温,观察各元器件的温度变化,如图04号元器件为MOS管,点温才不到几分钟后,MOS的温度就达到了93.7度,而其它元器件温度较为正常,初步判定MOS管出现了问题。0 `# p' A! z- t- `6 w' n9 W
" H0 L+ s% Q: w* B$ F/ C2 |, n

& _( W' {$ a# [! p1 F2 s" s如上图为再经过几分钟后的元器件温度(01-08为各元器件测试温度),继续观察。  r$ O, J, m2 g/ k

: ]% {7 Z" F' u6 n0 s/ T$ k; ]: N
! F% S) ~8 j& u- o  r# e+ u
如上图可以明显看到,虽然所有的元器件(01-08为各元器件测试温度)温度都在持续上升,但都没有特别大的异常,唯独MOS高达116的温度,可以基本确定是MOS烧坏而导致样机老化时突然没有输出。. M1 `4 s3 R8 E0 ~# d/ d! _/ J: j( X

0 ?9 N" c$ Q3 E【最终结果】  i2 W" P2 H5 A: o" j
) }( T! I3 }5 Y0 w7 ]* F
经过测试后发现,测试元器件的温度都在正常范围内,唯独MOS管的温度变化格外异常(01为输出电容、02为同步IC CR85V25RSA、03为变压器磁芯、04为MOS管、05为IC XS2100S、06为主控IC TT9930、07为输入电容、08为变压器线圈、09为环温),经过不断尝试更换一颗同规格但不同厂家的MOS管,然后再进行老化及温度测试,样机正常工作。以下为替换MOS后的温升测试图片:
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! o2 g, Q) P( M7 F# e4 y9 _& V
该图为样机老化6小时后的温度,各器件温度已经稳定,全都在合理范围内。04号MOS温度稳定在72.2度左右,离击穿温度还有很大的余量,完全满足客户需求。如果更换MOS后温度还是没有改善,则需要考虑是否为布局问题,可能要重新设计。
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