|
|
本帖最后由 思睿达小妹妹 于 2023-6-21 10:23 编辑 % v. F! E9 {, t3 Z6 ^) {- l) I1 e
6 a! e( H& B v5 r) I& ?& b5 H作者:屈工有话说$ {) y0 x `9 o( h
2 ?+ F& _/ K$ A/ u! M: @4 f: @
PoE(Power over Ethernet)是一种有线以太网供电技术,网线传输数据的同时具备直流供电能力。全面应用于POE交换机、IP摄像头、IP电话、无线AP、便携设备充电器、刷卡机、数据采集等供需端产品。而TT9930是一款用于以太网供电系统(POE,power over Ethernet)的DC/DC控制器,采用原边控制模式,内置200V高压MOS,具有较高的系统效率。( j1 n5 a; t. r. ?9 z. A
6 v& t' I! A+ B+ {" F% o' C
工程师在使用TT9930样机时发现,样机正常老化时,突然没有输出。经过排查后,怀疑MOS故障,本文将分享解决思路和要点。以下图片为该样机图片:" s# B# ]* g7 C
) @: ~8 |( C" B9 U
TT9930 样机图片 ) y- z5 e, t# ^4 u6 z+ Q
【应用】视频监控/无线AP/IP电话等
0 v6 {+ O; I4 Z% k; `5 k【规格】12V2A" m8 H& r1 I2 d7 X
【控制IC】TT9930$ t6 o3 n7 z* ?) ]5 z$ T6 X7 K$ ]
9 y7 v6 p) x5 b1 y【问题描述】3 f9 Y _/ u: P* a
! i0 x s! Y- C ~" c6 w* Q( _样机正常老化时,突然没有输出。经过排查后,发现MOS管击穿且MOS管很烫,怀疑MOS烧坏,于是对其进行点温测试。以下是样机的测试图片:1 h. E: Y* X: K/ a9 H
& r4 L) T! k% d' h9 r5 X* ?
4 Q0 ~5 ^' f; ~ r8 S g! y# R点温测试:测试重要元器件的温度,该测试的元器件分别有三个IC(主控TT9930、XS2100S、同步CR85V25RSA)、MOS管、输入大电容、两个输出电容、变压器磁芯和变压器线圈。4 T6 d( ]; L( k/ p% i
3 D* g w- h( E0 U' }, s
; y+ f6 A4 f, B3 y! Q% c* g/ u如上图为测试环境,该测试在尽量密闭环境中进行,不会有大量空气流入,从而使得各元器件能快速达到温度平衡的状态。
W p& X1 ]+ O2 T& Z) W% E0 P
$ D4 L8 V% E5 o, e6 P+ ?【解决思路】$ b; M7 i# I }; M9 |) X' u6 @6 J! i
$ _6 K, P3 M0 s# q9 c; U# t: r1、重新设计电源# K; n- H }# h1 p- N m* @
- N0 p' i) Q3 ~: j, D首先,分析导致温度过高的原因,对电源进行重新设计。可以采用更高效的散热解决方案,例如增加散热片表面积、改善风道设计等。# b" v0 l- V. Y t, G% e
& W+ q& D f0 L& W0 w r
2、更换元器件
) b1 b+ x P2 D: M# V! o' b' u2 m: |/ [3 E; R$ b/ ^" m% T; T9 [# u8 S
应优先选择低内阻、低损耗、高效率的元器件,同时可以适当增加元器件数量及规格。 H* g# W$ E! y$ N& Y' B
3 N2 F/ ^0 E3 Z. F" \, g& y/ l8 C3、优化PCB布局/ m! ~" o2 d1 k2 |. R) S) l
, q6 s0 j! P4 r7 f" u6 L+ K
合理的PCB布局有助于减小电路电磁干扰,降低损耗和温升,减少系统噪声,提高抗干扰性。0 T% P5 A- j9 x5 D0 k# U2 e! n
2 {' c% a' }; h; K4、优化散热设计: u- R" X& G* @0 C
7 ^! T: P9 m1 s# _通过优化散热设计来降低温度,如增加散热片面积、优化风道设计、增加风扇数量和转速等。
! L' j2 Q! ^/ ?% E% u# ?. p0 z1 ]! l5 F# e% S$ A" `2 ]" E4 q
5、加强制造与测试管理5 G% y' n ?2 L G9 i O1 B, B
: s9 ^5 }8 e2 C+ m# g0 C8 c) y+ m$ l加强制造工艺控制和良品率管理,确保产品符合规范要求。并且加强产品的温升测试,在生产过程中对电源进行多次测试,及时发现不合格产品,以便及早调整。2 x. C3 n" X; G4 e2 ]" H8 ]
" r4 H, u# v$ K2 S【调通要点】
7 X' H& O4 Q' z! p
5 h4 M8 }' ~( ~* t1 C# b: \$ C. Y8 U如上图首先通过对各元器件进行点温,观察各元器件的温度变化,如图04号元器件为MOS管,点温才不到几分钟后,MOS的温度就达到了93.7度,而其它元器件温度较为正常,初步判定MOS管出现了问题。9 {1 o2 Q0 t+ e- ]7 F. Q) n z
7 K' _# U2 M- p
`- I: ]7 u, a2 x
如上图为再经过几分钟后的元器件温度(01-08为各元器件测试温度),继续观察。
+ ]# B; u0 F% g* q. p" ~# T8 R# K2 ?' Z" i3 z6 ^# C
4 x3 d- X$ x( `# d+ p( h
如上图可以明显看到,虽然所有的元器件(01-08为各元器件测试温度)温度都在持续上升,但都没有特别大的异常,唯独MOS高达116的温度,可以基本确定是MOS烧坏而导致样机老化时突然没有输出。
; ^% T& e: m* b' E6 l7 |5 O# }7 N9 z# @4 @4 T& o& V
【最终结果】
) G" C, [7 e/ `& k/ X. L! |0 P
X9 j( I. h$ U6 u3 N经过测试后发现,测试元器件的温度都在正常范围内,唯独MOS管的温度变化格外异常(01为输出电容、02为同步IC CR85V25RSA、03为变压器磁芯、04为MOS管、05为IC XS2100S、06为主控IC TT9930、07为输入电容、08为变压器线圈、09为环温),经过不断尝试更换一颗同规格但不同厂家的MOS管,然后再进行老化及温度测试,样机正常工作。以下为替换MOS后的温升测试图片:7 ~( n# X( z Y N
# K+ {- U# P0 q( {: q
9 V: `# Q8 _, L# [( X该图为样机老化6小时后的温度,各器件温度已经稳定,全都在合理范围内。04号MOS温度稳定在72.2度左右,离击穿温度还有很大的余量,完全满足客户需求。如果更换MOS后温度还是没有改善,则需要考虑是否为布局问题,可能要重新设计。
# [0 @/ W( g0 _' X* m
7 q6 B% {# c9 E |
本帖子中包含更多资源
您需要 登录 才可以下载或查看,没有帐号?注册
x
|