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本帖最后由 思睿达小妹妹 于 2023-6-21 10:23 编辑
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& a4 x: B; \/ L9 I- e作者:屈工有话说
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2 Y' y; d' S8 tPoE(Power over Ethernet)是一种有线以太网供电技术,网线传输数据的同时具备直流供电能力。全面应用于POE交换机、IP摄像头、IP电话、无线AP、便携设备充电器、刷卡机、数据采集等供需端产品。而TT9930是一款用于以太网供电系统(POE,power over Ethernet)的DC/DC控制器,采用原边控制模式,内置200V高压MOS,具有较高的系统效率。8 p' R: }! J0 n' A$ c, ]# `- I$ T" M
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工程师在使用TT9930样机时发现,样机正常老化时,突然没有输出。经过排查后,怀疑MOS故障,本文将分享解决思路和要点。以下图片为该样机图片:
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TT9930 样机图片
! U* G( Y5 g* c6 s【应用】视频监控/无线AP/IP电话等
+ N- [! C- B3 N% Q4 M【规格】12V2A9 a. T1 `+ T8 l1 y! N/ N
【控制IC】TT99305 @; Q8 t$ h/ ]7 G9 b2 s
4 K, [, `: o. o/ X: ~【问题描述】
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! q( x! C# `% v/ O. y, u* x# W样机正常老化时,突然没有输出。经过排查后,发现MOS管击穿且MOS管很烫,怀疑MOS烧坏,于是对其进行点温测试。以下是样机的测试图片:
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: x' V) A6 J$ v0 o7 I点温测试:测试重要元器件的温度,该测试的元器件分别有三个IC(主控TT9930、XS2100S、同步CR85V25RSA)、MOS管、输入大电容、两个输出电容、变压器磁芯和变压器线圈。
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如上图为测试环境,该测试在尽量密闭环境中进行,不会有大量空气流入,从而使得各元器件能快速达到温度平衡的状态。: j4 ?, i: d; f, P/ T# G: S" M- T% L
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【解决思路】% Y4 G' D7 R9 Q7 P- t6 a4 x& G0 c3 A
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1、重新设计电源
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首先,分析导致温度过高的原因,对电源进行重新设计。可以采用更高效的散热解决方案,例如增加散热片表面积、改善风道设计等。
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. t: k& @* j f# Y3 z% R" C2、更换元器件
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应优先选择低内阻、低损耗、高效率的元器件,同时可以适当增加元器件数量及规格。
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3、优化PCB布局5 D; v+ h: f# P& d! j; J, u' i+ e
@ ?4 K; f, s9 ?7 u合理的PCB布局有助于减小电路电磁干扰,降低损耗和温升,减少系统噪声,提高抗干扰性。4 B6 Z8 o0 Z/ ~2 @+ b; V0 v5 c- L
7 D, L/ H( y+ c: f5 S$ O3 l4、优化散热设计9 D7 n+ p. \7 d$ [& F
3 p( v/ N% @# q( u% c8 e% ]通过优化散热设计来降低温度,如增加散热片面积、优化风道设计、增加风扇数量和转速等。
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5、加强制造与测试管理/ g3 S% D+ V' X" O: R
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加强制造工艺控制和良品率管理,确保产品符合规范要求。并且加强产品的温升测试,在生产过程中对电源进行多次测试,及时发现不合格产品,以便及早调整。: R4 V! v! e, |5 ]7 }3 M6 f; _
1 f7 u" ]/ c) ]# [. v$ U【调通要点】! |) T" |6 }# ~* n: ?
! q6 M4 S' R+ O9 ~4 f如上图首先通过对各元器件进行点温,观察各元器件的温度变化,如图04号元器件为MOS管,点温才不到几分钟后,MOS的温度就达到了93.7度,而其它元器件温度较为正常,初步判定MOS管出现了问题。
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如上图为再经过几分钟后的元器件温度(01-08为各元器件测试温度),继续观察。
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如上图可以明显看到,虽然所有的元器件(01-08为各元器件测试温度)温度都在持续上升,但都没有特别大的异常,唯独MOS高达116的温度,可以基本确定是MOS烧坏而导致样机老化时突然没有输出。
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/ P% A+ j7 m, f4 d5 Z5 m【最终结果】" |& N# |) K( |. O! E/ A3 `; L
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经过测试后发现,测试元器件的温度都在正常范围内,唯独MOS管的温度变化格外异常(01为输出电容、02为同步IC CR85V25RSA、03为变压器磁芯、04为MOS管、05为IC XS2100S、06为主控IC TT9930、07为输入电容、08为变压器线圈、09为环温),经过不断尝试更换一颗同规格但不同厂家的MOS管,然后再进行老化及温度测试,样机正常工作。以下为替换MOS后的温升测试图片:, B4 m7 P0 `4 P& n: e% A% w
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4 ` b4 K& Z/ E* @. K' s6 v/ S该图为样机老化6小时后的温度,各器件温度已经稳定,全都在合理范围内。04号MOS温度稳定在72.2度左右,离击穿温度还有很大的余量,完全满足客户需求。如果更换MOS后温度还是没有改善,则需要考虑是否为布局问题,可能要重新设计。
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