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PoE电源模块不输出?可能是MOS管故障,解决方法请拿走~

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发表于 2023-6-21 10:21:57 | 显示全部楼层 |阅读模式
本帖最后由 思睿达小妹妹 于 2023-6-21 10:23 编辑 $ k0 i3 y0 Q2 W4 p" m: s4 b$ }9 I

1 x" o# ^2 }3 d9 H0 R# Q$ \作者:屈工有话说
- A$ r8 q' b8 w1 M
: N; S& H! C2 m& Y; \8 d  vPoE(Power over Ethernet)是一种有线以太网供电技术,网线传输数据的同时具备直流供电能力。全面应用于POE交换机、IP摄像头、IP电话、无线AP、便携设备充电器、刷卡机、数据采集等供需端产品。而TT9930是一款用于以太网供电系统(POE,power over Ethernet)的DC/DC控制器,采用原边控制模式,内置200V高压MOS,具有较高的系统效率。
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工程师在使用TT9930样机时发现,样机正常老化时,突然没有输出。经过排查后,怀疑MOS故障,本文将分享解决思路和要点。以下图片为该样机图片:: U' a3 t9 A8 J* _+ v2 D2 f
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TT9930 样机图片
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【应用】视频监控/无线AP/IP电话等
/ {8 E* q$ o: V【规格】12V2A
5 @" \# P0 J, ^. M6 n& s7 U【控制IC】TT99309 @7 L0 X; Y; o/ I. N9 w

: }  ?% O/ }$ v【问题描述】; z/ d" w5 J/ z+ ]5 X; t
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样机正常老化时,突然没有输出。经过排查后,发现MOS管击穿且MOS管很烫,怀疑MOS烧坏,于是对其进行点温测试。以下是样机的测试图片:
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9 S8 c  X) y6 l, d  c点温测试:测试重要元器件的温度,该测试的元器件分别有三个IC(主控TT9930、XS2100S、同步CR85V25RSA)、MOS管、输入大电容、两个输出电容、变压器磁芯和变压器线圈。
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如上图为测试环境,该测试在尽量密闭环境中进行,不会有大量空气流入,从而使得各元器件能快速达到温度平衡的状态。
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【解决思路】5 ^4 g7 c6 a" s! W7 b& v0 n% o) c8 z
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1、重新设计电源
! p! ?0 U% F1 L+ K& v& N  N# Y. f' ^6 j$ C  Z# ~* }
首先,分析导致温度过高的原因,对电源进行重新设计。可以采用更高效的散热解决方案,例如增加散热片表面积、改善风道设计等。5 X2 M; ^# e- j0 z/ L  n) x5 z

3 I# |  [4 Q! H5 g* e2、更换元器件
) @8 B" J9 ~# T5 _
; L: n* O8 ?; T% ?: q应优先选择低内阻、低损耗、高效率的元器件,同时可以适当增加元器件数量及规格。
+ e6 {9 m3 N9 Q5 g9 I' s0 [5 w) o0 T8 m
3、优化PCB布局5 A" M" i5 d+ y+ D% D1 g4 b

4 D' I: F" T0 G' `5 `: Q+ }合理的PCB布局有助于减小电路电磁干扰,降低损耗和温升,减少系统噪声,提高抗干扰性。; g% q+ X5 \% u
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4、优化散热设计! M( F* Q4 Y& P* n, a6 p+ }

8 O0 b, Y' K% Q. _" }通过优化散热设计来降低温度,如增加散热片面积、优化风道设计、增加风扇数量和转速等。: X* ?' P+ t4 W) [! y3 |
  x5 ]0 J$ l1 ?
5、加强制造与测试管理' J8 Z  F5 M; [

2 T; Y' o8 H7 z- E0 a# _( ^加强制造工艺控制和良品率管理,确保产品符合规范要求。并且加强产品的温升测试,在生产过程中对电源进行多次测试,及时发现不合格产品,以便及早调整。( H; |- q% z; ~7 ]/ _2 M
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【调通要点】$ A( k8 V' K& M! w6 L, Y- Q6 |
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如上图首先通过对各元器件进行点温,观察各元器件的温度变化,如图04号元器件为MOS管,点温才不到几分钟后,MOS的温度就达到了93.7度,而其它元器件温度较为正常,初步判定MOS管出现了问题。
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, c0 }3 i% k: X如上图为再经过几分钟后的元器件温度(01-08为各元器件测试温度),继续观察。' y+ T. o( c' e# `% {5 Y& |: L
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, o9 r; h8 V2 K
如上图可以明显看到,虽然所有的元器件(01-08为各元器件测试温度)温度都在持续上升,但都没有特别大的异常,唯独MOS高达116的温度,可以基本确定是MOS烧坏而导致样机老化时突然没有输出。" k2 g. q7 h: o* `

  J/ X( S8 I3 y: y5 Y& R7 A【最终结果】
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经过测试后发现,测试元器件的温度都在正常范围内,唯独MOS管的温度变化格外异常(01为输出电容、02为同步IC CR85V25RSA、03为变压器磁芯、04为MOS管、05为IC XS2100S、06为主控IC TT9930、07为输入电容、08为变压器线圈、09为环温),经过不断尝试更换一颗同规格但不同厂家的MOS管,然后再进行老化及温度测试,样机正常工作。以下为替换MOS后的温升测试图片:: g( }0 q( ~7 a" ^" a+ X9 |3 C

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1 x! e: j9 r# Y) e1 P  n
该图为样机老化6小时后的温度,各器件温度已经稳定,全都在合理范围内。04号MOS温度稳定在72.2度左右,离击穿温度还有很大的余量,完全满足客户需求。如果更换MOS后温度还是没有改善,则需要考虑是否为布局问题,可能要重新设计。
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