|
|
本帖最后由 思睿达小妹妹 于 2023-6-21 10:23 编辑
' C; H: _6 Y% g6 D8 z7 K# j; O0 W$ I+ c$ o( s
作者:屈工有话说
2 U3 k5 P( ]4 d# [) M
6 N6 g: A2 z4 OPoE(Power over Ethernet)是一种有线以太网供电技术,网线传输数据的同时具备直流供电能力。全面应用于POE交换机、IP摄像头、IP电话、无线AP、便携设备充电器、刷卡机、数据采集等供需端产品。而TT9930是一款用于以太网供电系统(POE,power over Ethernet)的DC/DC控制器,采用原边控制模式,内置200V高压MOS,具有较高的系统效率。# o+ Y* L8 s" v5 N
/ U: l% J* `/ t: e- d工程师在使用TT9930样机时发现,样机正常老化时,突然没有输出。经过排查后,怀疑MOS故障,本文将分享解决思路和要点。以下图片为该样机图片:
0 U( g/ W& X `8 O: r- M% U& V8 X6 Z" {4 J3 N
TT9930 样机图片 9 ] v# H* D, S: f* t: c
【应用】视频监控/无线AP/IP电话等0 R* i7 d: A, \) j2 [; m
【规格】12V2A r/ U- b5 s3 x5 ]1 p
【控制IC】TT9930
; u3 f- E O p# e
! n8 c# X/ Z t9 H5 E【问题描述】. E+ I9 R4 v0 ^, M2 `0 u O
: y# k4 g- @% `# _2 K, M; `) z
样机正常老化时,突然没有输出。经过排查后,发现MOS管击穿且MOS管很烫,怀疑MOS烧坏,于是对其进行点温测试。以下是样机的测试图片:
1 n) P) s3 Y- Q, a5 S) d ~$ G3 I
" b2 y3 ]% Q! W9 Q3 m) j5 I7 M& E/ V& Y, S
点温测试:测试重要元器件的温度,该测试的元器件分别有三个IC(主控TT9930、XS2100S、同步CR85V25RSA)、MOS管、输入大电容、两个输出电容、变压器磁芯和变压器线圈。# B) r0 o) x2 r8 T0 D
# ?0 N! {. M# L( K- Q7 u9 S
6 {# w. v# D. k3 _! { o
如上图为测试环境,该测试在尽量密闭环境中进行,不会有大量空气流入,从而使得各元器件能快速达到温度平衡的状态。
* J# W5 D. g% @- N
8 c/ I& p; s8 [% F& Z; s) P【解决思路】
( {, j0 Z& m" G1 p
6 j7 S% m9 I# D5 b7 J2 m1、重新设计电源
4 w2 z! h+ K A
) {0 A8 ]! r' _, h首先,分析导致温度过高的原因,对电源进行重新设计。可以采用更高效的散热解决方案,例如增加散热片表面积、改善风道设计等。3 }) e: F, E4 i, B9 b* H8 H* B
- T5 R$ X8 }% `/ j; g) J
2、更换元器件
# n1 O% R) T$ T G% n" C. d+ U0 e M2 ~/ [" g0 J3 `
应优先选择低内阻、低损耗、高效率的元器件,同时可以适当增加元器件数量及规格。1 a8 C; e6 E6 z% ~
) x* G& u" p9 Y' a3、优化PCB布局; V( b* g8 e2 k' i2 R1 ` m) m& a5 j
9 W/ J+ b; e4 f" J: p: L合理的PCB布局有助于减小电路电磁干扰,降低损耗和温升,减少系统噪声,提高抗干扰性。" i) x& D8 R. N* ? B1 j2 e
! d' \5 G4 b$ K, X0 a1 `1 @' m4、优化散热设计' S) ]( T1 ?( M4 {
8 ^) y* M6 h( ~1 R通过优化散热设计来降低温度,如增加散热片面积、优化风道设计、增加风扇数量和转速等。; M- t- R8 s$ x- d
6 ?3 L, ?' q% c9 p/ `( q
5、加强制造与测试管理5 M8 O* e' `$ C% ] W o
& q" P4 o; M6 l! x' L: g6 r
加强制造工艺控制和良品率管理,确保产品符合规范要求。并且加强产品的温升测试,在生产过程中对电源进行多次测试,及时发现不合格产品,以便及早调整。; G* J3 m. @ r5 M) n# m: A3 K
1 e- X' E/ c, A* Q0 s3 E( j【调通要点】
! o! Y4 S& _, r! O' S4 h1 e5 M& u& Y7 c' c* Z1 N4 Q- Q7 J
如上图首先通过对各元器件进行点温,观察各元器件的温度变化,如图04号元器件为MOS管,点温才不到几分钟后,MOS的温度就达到了93.7度,而其它元器件温度较为正常,初步判定MOS管出现了问题。2 z, j* ^ w/ `0 o7 ^. x% y, Q
- S# g4 G& I3 N9 a* ~
( b/ B1 S/ q/ e& Q+ V. x" q6 W2 \
如上图为再经过几分钟后的元器件温度(01-08为各元器件测试温度),继续观察。
7 o6 U# o0 t: F
7 y- F! B1 z* [+ b$ g9 |
' g( q( x6 ]9 G) l6 |# X, L如上图可以明显看到,虽然所有的元器件(01-08为各元器件测试温度)温度都在持续上升,但都没有特别大的异常,唯独MOS高达116的温度,可以基本确定是MOS烧坏而导致样机老化时突然没有输出。- ]8 v% c1 i% D# j" H
7 i0 M( s' I0 Y8 j2 ~# I! g# Z
【最终结果】: ~4 w" M7 c# S/ m2 F
. R3 \/ M9 ?, `2 j2 g: r$ C
经过测试后发现,测试元器件的温度都在正常范围内,唯独MOS管的温度变化格外异常(01为输出电容、02为同步IC CR85V25RSA、03为变压器磁芯、04为MOS管、05为IC XS2100S、06为主控IC TT9930、07为输入电容、08为变压器线圈、09为环温),经过不断尝试更换一颗同规格但不同厂家的MOS管,然后再进行老化及温度测试,样机正常工作。以下为替换MOS后的温升测试图片:' \. `! n6 p! x5 I) L
4 x8 `1 |/ D7 A; S
/ c0 B9 T! @; c5 K该图为样机老化6小时后的温度,各器件温度已经稳定,全都在合理范围内。04号MOS温度稳定在72.2度左右,离击穿温度还有很大的余量,完全满足客户需求。如果更换MOS后温度还是没有改善,则需要考虑是否为布局问题,可能要重新设计。
: _0 U9 t; _3 \+ N0 E6 ^' _9 G3 m
|
本帖子中包含更多资源
您需要 登录 才可以下载或查看,没有帐号?注册
x
|