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本帖最后由 思睿达小妹妹 于 2023-6-21 10:23 编辑 1 p* Q6 A4 T# Q+ H# Z
) w9 F- |+ Z2 d- g9 b; N2 O, J$ }作者:屈工有话说/ e- A$ S; D/ h4 u6 Q
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PoE(Power over Ethernet)是一种有线以太网供电技术,网线传输数据的同时具备直流供电能力。全面应用于POE交换机、IP摄像头、IP电话、无线AP、便携设备充电器、刷卡机、数据采集等供需端产品。而TT9930是一款用于以太网供电系统(POE,power over Ethernet)的DC/DC控制器,采用原边控制模式,内置200V高压MOS,具有较高的系统效率。
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+ \: o1 l& u* k4 j: |工程师在使用TT9930样机时发现,样机正常老化时,突然没有输出。经过排查后,怀疑MOS故障,本文将分享解决思路和要点。以下图片为该样机图片:
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; W! g+ I( C! ~' R% J- pTT9930 样机图片 ( N, M) c0 Z; s0 P
【应用】视频监控/无线AP/IP电话等9 [7 Z8 A; [: p3 p: P$ n7 X& i" Y
【规格】12V2A
+ _: D, u( ], r4 p5 U9 w【控制IC】TT9930
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+ G& a- e$ s% u+ U【问题描述】( A6 N' k* V/ c) @* n/ V7 A
1 z& y8 [0 u6 G6 r' i样机正常老化时,突然没有输出。经过排查后,发现MOS管击穿且MOS管很烫,怀疑MOS烧坏,于是对其进行点温测试。以下是样机的测试图片:8 H5 F ^) a- W; k$ ^' X
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4 I& g2 P8 N7 J- A/ L点温测试:测试重要元器件的温度,该测试的元器件分别有三个IC(主控TT9930、XS2100S、同步CR85V25RSA)、MOS管、输入大电容、两个输出电容、变压器磁芯和变压器线圈。
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' d! ~, j+ C0 k4 g如上图为测试环境,该测试在尽量密闭环境中进行,不会有大量空气流入,从而使得各元器件能快速达到温度平衡的状态。0 Z/ E" G+ D# L
3 ?5 c$ K6 Q1 ~. E$ H【解决思路】! J- Q/ ?3 q0 G4 }1 e. ~
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1、重新设计电源7 K$ t; K, t& Q" d0 o$ O
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首先,分析导致温度过高的原因,对电源进行重新设计。可以采用更高效的散热解决方案,例如增加散热片表面积、改善风道设计等。2 A) M8 I% z3 M8 n
' @% Y7 ]9 ^6 k& l2、更换元器件; b T" _* a5 w7 S G$ Z
" [( |6 F0 s, M7 l" R, M5 [6 z应优先选择低内阻、低损耗、高效率的元器件,同时可以适当增加元器件数量及规格。& P, |3 E1 U: J) ^0 f9 n
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3、优化PCB布局+ P' Z& B8 l$ x) A3 X% Z4 H6 j
' O' B$ V8 I; r3 ?1 ?( s合理的PCB布局有助于减小电路电磁干扰,降低损耗和温升,减少系统噪声,提高抗干扰性。' j( F! |5 q" d% t& f5 D" T/ U- G) ~9 V
* j5 E$ t0 M' P5 a+ T7 V4、优化散热设计
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$ l) H: p' S' K' Z& q, R通过优化散热设计来降低温度,如增加散热片面积、优化风道设计、增加风扇数量和转速等。
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5、加强制造与测试管理
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加强制造工艺控制和良品率管理,确保产品符合规范要求。并且加强产品的温升测试,在生产过程中对电源进行多次测试,及时发现不合格产品,以便及早调整。' L7 Y+ I/ ~" T9 U: s+ h7 S( R0 F. U
% h8 G; @# J" y9 _% s- T【调通要点】- q# z* ` j- K3 B$ J
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如上图首先通过对各元器件进行点温,观察各元器件的温度变化,如图04号元器件为MOS管,点温才不到几分钟后,MOS的温度就达到了93.7度,而其它元器件温度较为正常,初步判定MOS管出现了问题。
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如上图为再经过几分钟后的元器件温度(01-08为各元器件测试温度),继续观察。
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如上图可以明显看到,虽然所有的元器件(01-08为各元器件测试温度)温度都在持续上升,但都没有特别大的异常,唯独MOS高达116的温度,可以基本确定是MOS烧坏而导致样机老化时突然没有输出。
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# x- G7 Q5 r& Q* s' @【最终结果】
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经过测试后发现,测试元器件的温度都在正常范围内,唯独MOS管的温度变化格外异常(01为输出电容、02为同步IC CR85V25RSA、03为变压器磁芯、04为MOS管、05为IC XS2100S、06为主控IC TT9930、07为输入电容、08为变压器线圈、09为环温),经过不断尝试更换一颗同规格但不同厂家的MOS管,然后再进行老化及温度测试,样机正常工作。以下为替换MOS后的温升测试图片:
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1 e; N* u+ g7 t! L该图为样机老化6小时后的温度,各器件温度已经稳定,全都在合理范围内。04号MOS温度稳定在72.2度左右,离击穿温度还有很大的余量,完全满足客户需求。如果更换MOS后温度还是没有改善,则需要考虑是否为布局问题,可能要重新设计。
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