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PoE电源模块不输出?可能是MOS管故障,解决方法请拿走~

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发表于 2023-6-21 10:21:57 | 显示全部楼层 |阅读模式
本帖最后由 思睿达小妹妹 于 2023-6-21 10:23 编辑 ( o3 o9 o) h% D- d& n+ J) N

2 f" I8 {! S5 t1 `5 e作者:屈工有话说3 @& P9 j, E' f- K( ?

0 a4 c* }6 C6 v4 @* \6 `PoE(Power over Ethernet)是一种有线以太网供电技术,网线传输数据的同时具备直流供电能力。全面应用于POE交换机、IP摄像头、IP电话、无线AP、便携设备充电器、刷卡机、数据采集等供需端产品。而TT9930是一款用于以太网供电系统(POE,power over Ethernet)的DC/DC控制器,采用原边控制模式,内置200V高压MOS,具有较高的系统效率。
6 Q, D* ?: _1 n$ `& G* E& M. y% j, Z, o$ z
工程师在使用TT9930样机时发现,样机正常老化时,突然没有输出。经过排查后,怀疑MOS故障,本文将分享解决思路和要点。以下图片为该样机图片:6 ?' _, ~+ x' a, y9 q$ s
9 E; M) f3 A# I/ q0 Q4 Q
TT9930 样机图片
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【应用】视频监控/无线AP/IP电话等
8 N  w  D" V' q【规格】12V2A
$ h& i  o3 r3 ~5 i- E2 m【控制IC】TT9930" S) v: b; y! T" H) C6 S
0 a6 B. k- H# Y% K# G/ i6 G  M
【问题描述】0 B0 q4 O* `# L, L* f- w$ f

2 s) A3 Z3 o( \% q* u3 M  a) f样机正常老化时,突然没有输出。经过排查后,发现MOS管击穿且MOS管很烫,怀疑MOS烧坏,于是对其进行点温测试。以下是样机的测试图片:
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1 x1 Q' f& ^1 \$ J. j
点温测试:测试重要元器件的温度,该测试的元器件分别有三个IC(主控TT9930、XS2100S、同步CR85V25RSA)、MOS管、输入大电容、两个输出电容、变压器磁芯和变压器线圈。
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3 L( f# H; I' K) `( f7 J" l( q如上图为测试环境,该测试在尽量密闭环境中进行,不会有大量空气流入,从而使得各元器件能快速达到温度平衡的状态。
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8 s; P& b+ S3 g) v" q4 c0 J【解决思路】
& F! v: |# I, A
& ]( `; M9 ~! r. o4 C. x9 i, G1、重新设计电源# z2 a1 e2 [5 c9 [! C8 j( A

: y1 R9 u! K8 f" W/ L7 S1 T首先,分析导致温度过高的原因,对电源进行重新设计。可以采用更高效的散热解决方案,例如增加散热片表面积、改善风道设计等。
: A& s( K$ c; x- E$ T! f8 D  s) X- X
2、更换元器件0 I* y  @, ]+ v" R+ p) {

; @- G  z7 h7 z( U+ c# H应优先选择低内阻、低损耗、高效率的元器件,同时可以适当增加元器件数量及规格。
" M- W; t4 B: k' W' ~/ v+ |
# _* }3 [3 o1 |7 R% r* j3、优化PCB布局
3 Z7 U$ @2 M# t0 S6 c6 J; Y- ^# l" T. v- J
合理的PCB布局有助于减小电路电磁干扰,降低损耗和温升,减少系统噪声,提高抗干扰性。5 `  E* @5 f# w3 {
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4、优化散热设计
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; e  b1 r* ?/ X2 P: @1 l通过优化散热设计来降低温度,如增加散热片面积、优化风道设计、增加风扇数量和转速等。# n0 Z# z" q+ e: a: |1 u2 L' H0 {2 ~
' D4 e1 }0 V7 z0 Q- T
5、加强制造与测试管理
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加强制造工艺控制和良品率管理,确保产品符合规范要求。并且加强产品的温升测试,在生产过程中对电源进行多次测试,及时发现不合格产品,以便及早调整。% `" v8 G/ q9 k
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【调通要点】
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( l% ?* b. n2 A! {' w; R* E# w+ b
如上图首先通过对各元器件进行点温,观察各元器件的温度变化,如图04号元器件为MOS管,点温才不到几分钟后,MOS的温度就达到了93.7度,而其它元器件温度较为正常,初步判定MOS管出现了问题。  r4 o) g0 g) V3 d  ?' f
- t, ]! P& f* T8 a$ `$ K* j

1 r5 k& ]1 E: V% G& Z# q如上图为再经过几分钟后的元器件温度(01-08为各元器件测试温度),继续观察。
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1 n( H4 W+ H# P7 e, F8 _  i1 R
如上图可以明显看到,虽然所有的元器件(01-08为各元器件测试温度)温度都在持续上升,但都没有特别大的异常,唯独MOS高达116的温度,可以基本确定是MOS烧坏而导致样机老化时突然没有输出。9 Q! c$ B. A) `: j; h4 ]7 C
& l. z7 I/ p0 U* n7 d( P
【最终结果】
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经过测试后发现,测试元器件的温度都在正常范围内,唯独MOS管的温度变化格外异常(01为输出电容、02为同步IC CR85V25RSA、03为变压器磁芯、04为MOS管、05为IC XS2100S、06为主控IC TT9930、07为输入电容、08为变压器线圈、09为环温),经过不断尝试更换一颗同规格但不同厂家的MOS管,然后再进行老化及温度测试,样机正常工作。以下为替换MOS后的温升测试图片:+ {! W, x9 H" D7 k
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3 U% G5 A3 O7 J. u, m1 D+ j该图为样机老化6小时后的温度,各器件温度已经稳定,全都在合理范围内。04号MOS温度稳定在72.2度左右,离击穿温度还有很大的余量,完全满足客户需求。如果更换MOS后温度还是没有改善,则需要考虑是否为布局问题,可能要重新设计。7 s3 a: B- C8 V  A: w! g, Q

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