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PoE电源模块不输出?可能是MOS管故障,解决方法请拿走~

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发表于 2023-6-21 10:21:57 | 显示全部楼层 |阅读模式
本帖最后由 思睿达小妹妹 于 2023-6-21 10:23 编辑 , E, v: F" {' |9 h

" a" Z; e: D1 P/ M: G- D3 `5 F作者:屈工有话说
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PoE(Power over Ethernet)是一种有线以太网供电技术,网线传输数据的同时具备直流供电能力。全面应用于POE交换机、IP摄像头、IP电话、无线AP、便携设备充电器、刷卡机、数据采集等供需端产品。而TT9930是一款用于以太网供电系统(POE,power over Ethernet)的DC/DC控制器,采用原边控制模式,内置200V高压MOS,具有较高的系统效率。
1 S/ Q# t+ m$ c2 g8 X. B) s; B2 o9 I* y; t  \# I2 w6 R
工程师在使用TT9930样机时发现,样机正常老化时,突然没有输出。经过排查后,怀疑MOS故障,本文将分享解决思路和要点。以下图片为该样机图片:
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TT9930 样机图片

" s9 U' C# `: G1 f' L( k【应用】视频监控/无线AP/IP电话等
& z9 H* T2 t" J+ l* f【规格】12V2A
* M8 x# e! s5 s( r4 ~  x【控制IC】TT99300 H7 [4 B+ T4 H% T2 T* B
* [0 z/ _$ i( ?# P8 ]
【问题描述】. b* C- H+ q0 B3 g- R$ h
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样机正常老化时,突然没有输出。经过排查后,发现MOS管击穿且MOS管很烫,怀疑MOS烧坏,于是对其进行点温测试。以下是样机的测试图片:' ]" p  [$ l+ X- j  \! C
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$ {( a/ P& O' Z5 p- T" O) F点温测试:测试重要元器件的温度,该测试的元器件分别有三个IC(主控TT9930、XS2100S、同步CR85V25RSA)、MOS管、输入大电容、两个输出电容、变压器磁芯和变压器线圈。$ }1 _( g! X7 M8 Q1 o
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7 V0 ~* a+ I* a如上图为测试环境,该测试在尽量密闭环境中进行,不会有大量空气流入,从而使得各元器件能快速达到温度平衡的状态。
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; V$ U  I! B) U% j, R" K【解决思路】
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( {9 l1 N( D% K* O1、重新设计电源7 C0 f6 I9 R7 X) f. i! f9 \6 f8 z
6 r. g; y% Q5 ?; k
首先,分析导致温度过高的原因,对电源进行重新设计。可以采用更高效的散热解决方案,例如增加散热片表面积、改善风道设计等。. i7 ^; m* ]" W) I; T7 `) @: [

; I4 Q* I/ e1 X* y, Z; V2、更换元器件
+ }" ?, Q! w  ~, }+ k% n
1 e3 c/ \, u- j  }8 w$ D7 t% x0 ?8 C应优先选择低内阻、低损耗、高效率的元器件,同时可以适当增加元器件数量及规格。+ u* _$ A, C- z; a
& y$ X5 z' r$ [" q$ b5 Z2 B/ S7 y5 P
3、优化PCB布局
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合理的PCB布局有助于减小电路电磁干扰,降低损耗和温升,减少系统噪声,提高抗干扰性。6 Y* D6 W# @6 i( ~( a5 n9 ]( r

4 M& T+ s% ]& R: f& F) I" C4、优化散热设计. e4 |% v& _$ K" x  B9 H7 b

6 [$ R4 k( h( Y6 P; @: p通过优化散热设计来降低温度,如增加散热片面积、优化风道设计、增加风扇数量和转速等。
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5、加强制造与测试管理
& p# r; t5 G$ }0 x7 |$ O% d
3 p- |4 K+ l8 Y, z' j* K% n加强制造工艺控制和良品率管理,确保产品符合规范要求。并且加强产品的温升测试,在生产过程中对电源进行多次测试,及时发现不合格产品,以便及早调整。
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【调通要点】. V* u/ V3 ]( X6 Z9 F. U, z* K
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如上图首先通过对各元器件进行点温,观察各元器件的温度变化,如图04号元器件为MOS管,点温才不到几分钟后,MOS的温度就达到了93.7度,而其它元器件温度较为正常,初步判定MOS管出现了问题。
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如上图为再经过几分钟后的元器件温度(01-08为各元器件测试温度),继续观察。
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" v, c% k' {' d4 s* Y6 S如上图可以明显看到,虽然所有的元器件(01-08为各元器件测试温度)温度都在持续上升,但都没有特别大的异常,唯独MOS高达116的温度,可以基本确定是MOS烧坏而导致样机老化时突然没有输出。
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5 S+ J- z! Q0 X: R& v* H【最终结果】* N6 j0 r/ Z7 u" Z, L
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经过测试后发现,测试元器件的温度都在正常范围内,唯独MOS管的温度变化格外异常(01为输出电容、02为同步IC CR85V25RSA、03为变压器磁芯、04为MOS管、05为IC XS2100S、06为主控IC TT9930、07为输入电容、08为变压器线圈、09为环温),经过不断尝试更换一颗同规格但不同厂家的MOS管,然后再进行老化及温度测试,样机正常工作。以下为替换MOS后的温升测试图片:
; {: |, j, G2 M3 I7 g  Q) @/ |7 @, L: w4 d6 f5 F, A6 l

  _: W% x' J/ e0 u3 p该图为样机老化6小时后的温度,各器件温度已经稳定,全都在合理范围内。04号MOS温度稳定在72.2度左右,离击穿温度还有很大的余量,完全满足客户需求。如果更换MOS后温度还是没有改善,则需要考虑是否为布局问题,可能要重新设计。) y) a- E6 p1 M/ p; n

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