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PoE电源模块不输出?可能是MOS管故障,解决方法请拿走~

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发表于 2023-6-21 10:21:57 | 显示全部楼层 |阅读模式
本帖最后由 思睿达小妹妹 于 2023-6-21 10:23 编辑 2 i0 S3 Z8 a/ T0 z- ]- C0 b9 E
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作者:屈工有话说
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/ A  E4 D8 j$ O8 r) kPoE(Power over Ethernet)是一种有线以太网供电技术,网线传输数据的同时具备直流供电能力。全面应用于POE交换机、IP摄像头、IP电话、无线AP、便携设备充电器、刷卡机、数据采集等供需端产品。而TT9930是一款用于以太网供电系统(POE,power over Ethernet)的DC/DC控制器,采用原边控制模式,内置200V高压MOS,具有较高的系统效率。, J) z) Z+ L* ]

, h5 _/ m1 w+ S& c- z# g6 g2 P工程师在使用TT9930样机时发现,样机正常老化时,突然没有输出。经过排查后,怀疑MOS故障,本文将分享解决思路和要点。以下图片为该样机图片:
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TT9930 样机图片

. B! U$ {- w9 |3 Q, l, a$ T【应用】视频监控/无线AP/IP电话等! y* M& x) I+ G0 l% z
【规格】12V2A
$ f! _/ _: ]- h8 s# p/ k' @. ^# p【控制IC】TT9930
. T$ L: R6 z9 B1 ]6 I
, Q  X* H4 _) M4 K* ~9 g/ R5 C" H$ s【问题描述】
0 W7 _) H2 }  P' C+ \
% @( I# Z1 k$ I* R0 @; M1 u. B样机正常老化时,突然没有输出。经过排查后,发现MOS管击穿且MOS管很烫,怀疑MOS烧坏,于是对其进行点温测试。以下是样机的测试图片:
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点温测试:测试重要元器件的温度,该测试的元器件分别有三个IC(主控TT9930、XS2100S、同步CR85V25RSA)、MOS管、输入大电容、两个输出电容、变压器磁芯和变压器线圈。
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: J1 s! q1 D. @/ L

1 d7 x; H: ?9 H! i如上图为测试环境,该测试在尽量密闭环境中进行,不会有大量空气流入,从而使得各元器件能快速达到温度平衡的状态。
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【解决思路】& d/ ~9 D3 T" }& m2 K

6 F8 ?' c# u, N' }$ R' n6 q0 T1、重新设计电源  X3 V8 q7 }  }* b2 t6 q% c0 x) X

' N4 q5 l6 B' u" o首先,分析导致温度过高的原因,对电源进行重新设计。可以采用更高效的散热解决方案,例如增加散热片表面积、改善风道设计等。) o: _4 p5 @8 L3 L9 X( L
" @  V* k. }& [3 Y8 k8 p
2、更换元器件( I9 L7 J8 {1 g5 X
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应优先选择低内阻、低损耗、高效率的元器件,同时可以适当增加元器件数量及规格。
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6 R# j! D9 \( C3、优化PCB布局' _$ _) W* r+ O/ z4 M* n2 O
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合理的PCB布局有助于减小电路电磁干扰,降低损耗和温升,减少系统噪声,提高抗干扰性。
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& d% }# X8 y1 s* m6 R7 e4、优化散热设计7 x* C0 u' F1 y' n1 Y/ }2 _6 ]
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通过优化散热设计来降低温度,如增加散热片面积、优化风道设计、增加风扇数量和转速等。
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( N: t( @7 `. k& }9 m* D+ K" L5、加强制造与测试管理
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加强制造工艺控制和良品率管理,确保产品符合规范要求。并且加强产品的温升测试,在生产过程中对电源进行多次测试,及时发现不合格产品,以便及早调整。
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: k/ D' t( }: d6 O【调通要点】5 d! M5 U' W- Z' S' E
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如上图首先通过对各元器件进行点温,观察各元器件的温度变化,如图04号元器件为MOS管,点温才不到几分钟后,MOS的温度就达到了93.7度,而其它元器件温度较为正常,初步判定MOS管出现了问题。
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如上图为再经过几分钟后的元器件温度(01-08为各元器件测试温度),继续观察。
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如上图可以明显看到,虽然所有的元器件(01-08为各元器件测试温度)温度都在持续上升,但都没有特别大的异常,唯独MOS高达116的温度,可以基本确定是MOS烧坏而导致样机老化时突然没有输出。
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【最终结果】
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经过测试后发现,测试元器件的温度都在正常范围内,唯独MOS管的温度变化格外异常(01为输出电容、02为同步IC CR85V25RSA、03为变压器磁芯、04为MOS管、05为IC XS2100S、06为主控IC TT9930、07为输入电容、08为变压器线圈、09为环温),经过不断尝试更换一颗同规格但不同厂家的MOS管,然后再进行老化及温度测试,样机正常工作。以下为替换MOS后的温升测试图片:( G, E2 y( b# \. X- h& T
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6 r5 b6 o7 ]( l8 |% b+ E该图为样机老化6小时后的温度,各器件温度已经稳定,全都在合理范围内。04号MOS温度稳定在72.2度左右,离击穿温度还有很大的余量,完全满足客户需求。如果更换MOS后温度还是没有改善,则需要考虑是否为布局问题,可能要重新设计。* T9 _- h+ t! @. i' |; Z' L' @
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