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本帖最后由 思睿达小妹妹 于 2023-6-21 10:23 编辑 " a% C5 O# B' I, G
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作者:屈工有话说
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+ O) z* H% S" ~7 B* gPoE(Power over Ethernet)是一种有线以太网供电技术,网线传输数据的同时具备直流供电能力。全面应用于POE交换机、IP摄像头、IP电话、无线AP、便携设备充电器、刷卡机、数据采集等供需端产品。而TT9930是一款用于以太网供电系统(POE,power over Ethernet)的DC/DC控制器,采用原边控制模式,内置200V高压MOS,具有较高的系统效率。# U, _( L5 V9 G7 e \
' c/ V! r! `1 D# ?) k工程师在使用TT9930样机时发现,样机正常老化时,突然没有输出。经过排查后,怀疑MOS故障,本文将分享解决思路和要点。以下图片为该样机图片:8 q* i2 C. [; h* c; |% a
. |8 D9 D/ e* O) u7 k) rTT9930 样机图片
' ?5 Y" c+ Q& l1 A【应用】视频监控/无线AP/IP电话等
: d) ^( ]7 X* R; n, d【规格】12V2A# g2 V" G7 O' V- y" E! h! z4 z
【控制IC】TT9930
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' v3 E/ W1 y. u8 s【问题描述】
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/ x- _1 {3 r! C8 E( ?2 }2 D7 [1 l样机正常老化时,突然没有输出。经过排查后,发现MOS管击穿且MOS管很烫,怀疑MOS烧坏,于是对其进行点温测试。以下是样机的测试图片:2 f, v a2 }. a; A$ ?
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点温测试:测试重要元器件的温度,该测试的元器件分别有三个IC(主控TT9930、XS2100S、同步CR85V25RSA)、MOS管、输入大电容、两个输出电容、变压器磁芯和变压器线圈。" w |+ a% O8 U0 X$ o" D
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如上图为测试环境,该测试在尽量密闭环境中进行,不会有大量空气流入,从而使得各元器件能快速达到温度平衡的状态。, y7 h9 k2 L4 g- c7 n
* k. |. `" F6 i' O" D2 z) E9 n【解决思路】$ }3 F% T! U/ A4 o9 o
/ ]* [; m5 F" T2 K1、重新设计电源8 A9 b3 W6 [! }
1 x, J4 b& c# o4 l2 O' x首先,分析导致温度过高的原因,对电源进行重新设计。可以采用更高效的散热解决方案,例如增加散热片表面积、改善风道设计等。
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2、更换元器件8 M& h o! O6 \# K
+ q3 C' R% D. n. N1 N应优先选择低内阻、低损耗、高效率的元器件,同时可以适当增加元器件数量及规格。
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3、优化PCB布局
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合理的PCB布局有助于减小电路电磁干扰,降低损耗和温升,减少系统噪声,提高抗干扰性。$ E- l3 Y2 |2 p# \8 S/ B6 q7 D
! @+ @1 F+ l" i* N0 H4、优化散热设计
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% m0 [: C% d' e# d通过优化散热设计来降低温度,如增加散热片面积、优化风道设计、增加风扇数量和转速等。
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5、加强制造与测试管理4 n" c9 C' }- c- o! r' x- P0 ?
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加强制造工艺控制和良品率管理,确保产品符合规范要求。并且加强产品的温升测试,在生产过程中对电源进行多次测试,及时发现不合格产品,以便及早调整。$ {5 l& u1 }3 n5 j) t
7 }, W) u( }" L【调通要点】
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如上图首先通过对各元器件进行点温,观察各元器件的温度变化,如图04号元器件为MOS管,点温才不到几分钟后,MOS的温度就达到了93.7度,而其它元器件温度较为正常,初步判定MOS管出现了问题。
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如上图为再经过几分钟后的元器件温度(01-08为各元器件测试温度),继续观察。/ V6 ^' e" l. S
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* a4 H7 b# f( W# f# c+ |: g如上图可以明显看到,虽然所有的元器件(01-08为各元器件测试温度)温度都在持续上升,但都没有特别大的异常,唯独MOS高达116的温度,可以基本确定是MOS烧坏而导致样机老化时突然没有输出。; H3 N/ L6 z9 c* U5 }$ m
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【最终结果】
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* B { q) L( `, D- m1 C& Y9 ~0 [经过测试后发现,测试元器件的温度都在正常范围内,唯独MOS管的温度变化格外异常(01为输出电容、02为同步IC CR85V25RSA、03为变压器磁芯、04为MOS管、05为IC XS2100S、06为主控IC TT9930、07为输入电容、08为变压器线圈、09为环温),经过不断尝试更换一颗同规格但不同厂家的MOS管,然后再进行老化及温度测试,样机正常工作。以下为替换MOS后的温升测试图片:" a' I6 t y$ O
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该图为样机老化6小时后的温度,各器件温度已经稳定,全都在合理范围内。04号MOS温度稳定在72.2度左右,离击穿温度还有很大的余量,完全满足客户需求。如果更换MOS后温度还是没有改善,则需要考虑是否为布局问题,可能要重新设计。
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