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PoE电源模块不输出?可能是MOS管故障,解决方法请拿走~

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发表于 2023-6-21 10:21:57 | 显示全部楼层 |阅读模式
本帖最后由 思睿达小妹妹 于 2023-6-21 10:23 编辑
1 f, i4 o" d4 L4 {! V0 Q( v/ Q3 k+ I8 a) O
8 Z/ p$ r% ^! a- D4 W作者:屈工有话说, m6 u; s7 {/ W5 z* P
' }7 O4 C, u, t9 s+ S
PoE(Power over Ethernet)是一种有线以太网供电技术,网线传输数据的同时具备直流供电能力。全面应用于POE交换机、IP摄像头、IP电话、无线AP、便携设备充电器、刷卡机、数据采集等供需端产品。而TT9930是一款用于以太网供电系统(POE,power over Ethernet)的DC/DC控制器,采用原边控制模式,内置200V高压MOS,具有较高的系统效率。
* K; P2 P3 M7 Y" a! O& t
& `- H8 g: }. n& R: B工程师在使用TT9930样机时发现,样机正常老化时,突然没有输出。经过排查后,怀疑MOS故障,本文将分享解决思路和要点。以下图片为该样机图片:
; p1 g8 s0 W* C- i$ Q/ Q: x* Y; j+ b! L9 g: n
TT9930 样机图片
* Z$ z. \) C3 o1 l" Q3 e/ ^
【应用】视频监控/无线AP/IP电话等
" U) s1 L4 u' p【规格】12V2A
: H, M8 F8 n' g+ X  U) l9 q1 n【控制IC】TT9930
' h' s/ {) d* h8 h5 o+ D  S1 Q, e3 G' i) {3 g
【问题描述】0 j6 b8 o- g! n, n1 M; U& P
2 X2 V+ f) h8 l7 k. r; A% o
样机正常老化时,突然没有输出。经过排查后,发现MOS管击穿且MOS管很烫,怀疑MOS烧坏,于是对其进行点温测试。以下是样机的测试图片:+ }: a7 V" E+ n3 F$ X3 i1 F
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( A8 B3 t/ Y6 q2 Y( I
点温测试:测试重要元器件的温度,该测试的元器件分别有三个IC(主控TT9930、XS2100S、同步CR85V25RSA)、MOS管、输入大电容、两个输出电容、变压器磁芯和变压器线圈。) c+ G2 V3 f* [; z/ G
, B4 O% |) X, Z# P
4 @( c/ R8 I- L
如上图为测试环境,该测试在尽量密闭环境中进行,不会有大量空气流入,从而使得各元器件能快速达到温度平衡的状态。! N; a5 O: }6 H9 H* k

8 {+ l( _' p! o" {【解决思路】
" N. A, s1 v  F( y+ N, h+ U9 M1 P/ y  m; _3 m. x. c; y
1、重新设计电源; z' R3 @1 w1 O* f" M  t5 W' E; j
* T+ `+ s4 @2 w  c
首先,分析导致温度过高的原因,对电源进行重新设计。可以采用更高效的散热解决方案,例如增加散热片表面积、改善风道设计等。2 r7 \' s5 N$ ^, h' Q
6 m0 U! o/ q8 E
2、更换元器件: F- u; P% P4 ?* q! h6 g
% C! R7 B  Z7 J8 \! d: ~
应优先选择低内阻、低损耗、高效率的元器件,同时可以适当增加元器件数量及规格。
' }1 H, |. i* P$ J! ~$ j+ a% b
2 @9 K! u" ]3 T; l9 D9 z3、优化PCB布局! _$ }( ?/ e: O8 ~+ f% M; v
  }2 l' _1 o$ P& V! \9 W0 ~
合理的PCB布局有助于减小电路电磁干扰,降低损耗和温升,减少系统噪声,提高抗干扰性。) I6 p" y" U  H
4 S; ^4 O8 ^  i9 e3 @- _
4、优化散热设计
+ g: J2 ~- k+ V' H: p2 H% K8 u0 w
  p- ]' Z% \' m3 m% ~( x4 R: X通过优化散热设计来降低温度,如增加散热片面积、优化风道设计、增加风扇数量和转速等。4 R) G) G/ _  k
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5、加强制造与测试管理2 i/ u7 [! m5 V' }! F

; v' e& m* `- G) c加强制造工艺控制和良品率管理,确保产品符合规范要求。并且加强产品的温升测试,在生产过程中对电源进行多次测试,及时发现不合格产品,以便及早调整。
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【调通要点】/ X+ C4 q% s+ A4 s% U. z

" i" G- {" v& c/ c# G5 v/ {如上图首先通过对各元器件进行点温,观察各元器件的温度变化,如图04号元器件为MOS管,点温才不到几分钟后,MOS的温度就达到了93.7度,而其它元器件温度较为正常,初步判定MOS管出现了问题。
- C) ]; |- ^& m* W" ~1 T" N* O
9 W3 _# l1 w1 ?; t( R) b$ N' ^9 |

6 Y6 g) m8 R& |$ Q2 R$ I如上图为再经过几分钟后的元器件温度(01-08为各元器件测试温度),继续观察。
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* h3 |: V: I+ e5 D9 N1 g2 T' [
如上图可以明显看到,虽然所有的元器件(01-08为各元器件测试温度)温度都在持续上升,但都没有特别大的异常,唯独MOS高达116的温度,可以基本确定是MOS烧坏而导致样机老化时突然没有输出。5 C& N4 g; r/ u+ e$ \
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【最终结果】
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  J  k$ z4 Y  H6 ?& d( o经过测试后发现,测试元器件的温度都在正常范围内,唯独MOS管的温度变化格外异常(01为输出电容、02为同步IC CR85V25RSA、03为变压器磁芯、04为MOS管、05为IC XS2100S、06为主控IC TT9930、07为输入电容、08为变压器线圈、09为环温),经过不断尝试更换一颗同规格但不同厂家的MOS管,然后再进行老化及温度测试,样机正常工作。以下为替换MOS后的温升测试图片:
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该图为样机老化6小时后的温度,各器件温度已经稳定,全都在合理范围内。04号MOS温度稳定在72.2度左右,离击穿温度还有很大的余量,完全满足客户需求。如果更换MOS后温度还是没有改善,则需要考虑是否为布局问题,可能要重新设计。
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