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PoE电源模块不输出?可能是MOS管故障,解决方法请拿走~

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发表于 2023-6-21 10:21:57 | 显示全部楼层 |阅读模式
本帖最后由 思睿达小妹妹 于 2023-6-21 10:23 编辑
, \, [) ^; V3 [
' N2 m: ^  p$ `' n作者:屈工有话说
* g9 T2 {4 _  [7 R) M
: B. X4 c  k* C  p9 FPoE(Power over Ethernet)是一种有线以太网供电技术,网线传输数据的同时具备直流供电能力。全面应用于POE交换机、IP摄像头、IP电话、无线AP、便携设备充电器、刷卡机、数据采集等供需端产品。而TT9930是一款用于以太网供电系统(POE,power over Ethernet)的DC/DC控制器,采用原边控制模式,内置200V高压MOS,具有较高的系统效率。
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# y; z' f( t$ B工程师在使用TT9930样机时发现,样机正常老化时,突然没有输出。经过排查后,怀疑MOS故障,本文将分享解决思路和要点。以下图片为该样机图片:8 O8 M9 Q1 a& M( U7 _

( l" ^$ N) E  K7 r8 A4 T
TT9930 样机图片
3 w: U( H4 Z3 d, D
【应用】视频监控/无线AP/IP电话等
  T7 J0 H) s# J! Q. L【规格】12V2A
' q5 O& N1 u, \$ c5 U" L: v/ K【控制IC】TT9930
3 P. m5 p6 b1 J) |& A8 E; X
5 v% ], s3 e/ l5 U7 z4 w【问题描述】
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样机正常老化时,突然没有输出。经过排查后,发现MOS管击穿且MOS管很烫,怀疑MOS烧坏,于是对其进行点温测试。以下是样机的测试图片:$ P+ q* d- w# y3 ^7 K
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* f! D% j" l/ u* T1 A点温测试:测试重要元器件的温度,该测试的元器件分别有三个IC(主控TT9930、XS2100S、同步CR85V25RSA)、MOS管、输入大电容、两个输出电容、变压器磁芯和变压器线圈。
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如上图为测试环境,该测试在尽量密闭环境中进行,不会有大量空气流入,从而使得各元器件能快速达到温度平衡的状态。
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0 @& X: A% {- B3 k% n【解决思路】
3 S$ G9 v* W; J! X) C, x8 `+ F$ X1 r9 u! C  V8 Q$ V  ^2 t( }2 U
1、重新设计电源& n0 i0 `, Q) c- y0 Q4 G

& \& w' ^, j, Z) J% m首先,分析导致温度过高的原因,对电源进行重新设计。可以采用更高效的散热解决方案,例如增加散热片表面积、改善风道设计等。4 ]) N" a& g: A

  O4 ?8 m; e  _: \, R2 z  E2、更换元器件
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应优先选择低内阻、低损耗、高效率的元器件,同时可以适当增加元器件数量及规格。
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3、优化PCB布局
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合理的PCB布局有助于减小电路电磁干扰,降低损耗和温升,减少系统噪声,提高抗干扰性。( a" J+ `9 w/ H/ @* Q/ q6 U

# {8 j) o! |, s0 S9 N+ _; g$ i; V4、优化散热设计8 X! a/ R6 X( S! @9 Z, v, ]

4 w" L6 K8 }- d! c通过优化散热设计来降低温度,如增加散热片面积、优化风道设计、增加风扇数量和转速等。) \$ P4 |5 k6 T. Z( i8 S1 l
0 s$ `$ Q: a4 w2 X8 X
5、加强制造与测试管理
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加强制造工艺控制和良品率管理,确保产品符合规范要求。并且加强产品的温升测试,在生产过程中对电源进行多次测试,及时发现不合格产品,以便及早调整。
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【调通要点】
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如上图首先通过对各元器件进行点温,观察各元器件的温度变化,如图04号元器件为MOS管,点温才不到几分钟后,MOS的温度就达到了93.7度,而其它元器件温度较为正常,初步判定MOS管出现了问题。' _3 x/ z0 W/ k+ w. S0 C4 p

0 s$ I" j' o8 C9 M
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如上图为再经过几分钟后的元器件温度(01-08为各元器件测试温度),继续观察。
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7 s* X: o8 m8 K+ b: x如上图可以明显看到,虽然所有的元器件(01-08为各元器件测试温度)温度都在持续上升,但都没有特别大的异常,唯独MOS高达116的温度,可以基本确定是MOS烧坏而导致样机老化时突然没有输出。3 l& e% R- W8 l+ P% X

. u  C" p! s$ X5 r( B9 w【最终结果】
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' H. K2 f$ V6 t: s0 u! _, {' u5 U经过测试后发现,测试元器件的温度都在正常范围内,唯独MOS管的温度变化格外异常(01为输出电容、02为同步IC CR85V25RSA、03为变压器磁芯、04为MOS管、05为IC XS2100S、06为主控IC TT9930、07为输入电容、08为变压器线圈、09为环温),经过不断尝试更换一颗同规格但不同厂家的MOS管,然后再进行老化及温度测试,样机正常工作。以下为替换MOS后的温升测试图片:
: o3 ]. i' B; }( z) t. I) F, o3 k. h$ |2 ~$ `9 X; d
; K/ X: P  D1 Z+ K4 {
该图为样机老化6小时后的温度,各器件温度已经稳定,全都在合理范围内。04号MOS温度稳定在72.2度左右,离击穿温度还有很大的余量,完全满足客户需求。如果更换MOS后温度还是没有改善,则需要考虑是否为布局问题,可能要重新设计。
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