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PoE电源模块不输出?可能是MOS管故障,解决方法请拿走~

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发表于 2023-6-21 10:21:57 | 显示全部楼层 |阅读模式
本帖最后由 思睿达小妹妹 于 2023-6-21 10:23 编辑
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3 Y' L) {% k8 w( s6 c+ E作者:屈工有话说- H  e; ~# ^+ p$ m! W" s) q
! Y8 h# X2 b6 C- x: v$ _
PoE(Power over Ethernet)是一种有线以太网供电技术,网线传输数据的同时具备直流供电能力。全面应用于POE交换机、IP摄像头、IP电话、无线AP、便携设备充电器、刷卡机、数据采集等供需端产品。而TT9930是一款用于以太网供电系统(POE,power over Ethernet)的DC/DC控制器,采用原边控制模式,内置200V高压MOS,具有较高的系统效率。1 V2 K4 J$ a4 ]8 {7 s9 o2 f
9 |! v! P+ S# u" |( ^
工程师在使用TT9930样机时发现,样机正常老化时,突然没有输出。经过排查后,怀疑MOS故障,本文将分享解决思路和要点。以下图片为该样机图片:+ ]7 t5 q9 ~7 c: F
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TT9930 样机图片

  I1 y: A4 r$ l【应用】视频监控/无线AP/IP电话等, }0 d8 p6 _6 V: {$ Y
【规格】12V2A
5 M9 j6 f" D. W【控制IC】TT9930" z) l( O8 h& W* O7 j

: L) b+ e: Y, ^& V8 s+ t% F【问题描述】
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# _2 s  v/ I) u4 I. v样机正常老化时,突然没有输出。经过排查后,发现MOS管击穿且MOS管很烫,怀疑MOS烧坏,于是对其进行点温测试。以下是样机的测试图片:8 i' x. R# ~4 w% j) E" [1 W  e

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) f! @4 T' N# D0 `, ]" J
点温测试:测试重要元器件的温度,该测试的元器件分别有三个IC(主控TT9930、XS2100S、同步CR85V25RSA)、MOS管、输入大电容、两个输出电容、变压器磁芯和变压器线圈。
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如上图为测试环境,该测试在尽量密闭环境中进行,不会有大量空气流入,从而使得各元器件能快速达到温度平衡的状态。) j! j: v% f' O" v9 Q1 F& X

3 O6 j0 ?2 ~1 ?【解决思路】6 @8 G" d2 o+ S1 N; p6 M9 G
1 t5 _" G, s! b) K0 y% `4 _4 N- l
1、重新设计电源
- J+ f( F- w2 \% S6 Q
. D/ r* D0 g$ X; r& Y4 D  o首先,分析导致温度过高的原因,对电源进行重新设计。可以采用更高效的散热解决方案,例如增加散热片表面积、改善风道设计等。) V+ Y3 b- q  \1 n3 W( x
3 u! W0 F) K, q2 n* `
2、更换元器件
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应优先选择低内阻、低损耗、高效率的元器件,同时可以适当增加元器件数量及规格。
4 e! @0 |( t0 J. E" B  f" W  I: r. l* V0 b- }9 c! B0 d
3、优化PCB布局. j. N: H+ W" U+ Y  w% O3 B' r& g
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合理的PCB布局有助于减小电路电磁干扰,降低损耗和温升,减少系统噪声,提高抗干扰性。
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# B8 o4 Z5 U" x' Q! e3 |4、优化散热设计
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1 G  f7 H' d( Q5 u9 g通过优化散热设计来降低温度,如增加散热片面积、优化风道设计、增加风扇数量和转速等。
2 N* e* \' Z$ l* Y+ p- w2 z( y: t2 c# X1 s2 Y( g2 ?; K1 R8 a, \# y9 R
5、加强制造与测试管理  R% I, V9 p! l/ d/ t! W% _$ ~9 k

/ `# b5 d0 e  S' I' O4 x8 X加强制造工艺控制和良品率管理,确保产品符合规范要求。并且加强产品的温升测试,在生产过程中对电源进行多次测试,及时发现不合格产品,以便及早调整。8 U' m* M0 o# \

! i" \5 F" ~% ?5 B; I; _  M3 r9 x【调通要点】
+ f) G. P: Q' T! A# R

; `% P5 u. R* X8 j( E) a; _) h如上图首先通过对各元器件进行点温,观察各元器件的温度变化,如图04号元器件为MOS管,点温才不到几分钟后,MOS的温度就达到了93.7度,而其它元器件温度较为正常,初步判定MOS管出现了问题。
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如上图为再经过几分钟后的元器件温度(01-08为各元器件测试温度),继续观察。) k' w" J5 q6 J

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# h& D+ `! i/ i. V: e4 t3 C6 j
如上图可以明显看到,虽然所有的元器件(01-08为各元器件测试温度)温度都在持续上升,但都没有特别大的异常,唯独MOS高达116的温度,可以基本确定是MOS烧坏而导致样机老化时突然没有输出。/ V$ w# x9 I. D

0 {$ \# u) R  [! Z6 Y3 ]【最终结果】
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4 A! P2 {. J9 o+ e3 Q+ W. x经过测试后发现,测试元器件的温度都在正常范围内,唯独MOS管的温度变化格外异常(01为输出电容、02为同步IC CR85V25RSA、03为变压器磁芯、04为MOS管、05为IC XS2100S、06为主控IC TT9930、07为输入电容、08为变压器线圈、09为环温),经过不断尝试更换一颗同规格但不同厂家的MOS管,然后再进行老化及温度测试,样机正常工作。以下为替换MOS后的温升测试图片:: d: G+ B4 a5 C/ h! s: q2 ^1 V' W, \

: v% A0 f7 {8 t8 v
+ y  G4 k; b# k& p% M) ~% e/ R
该图为样机老化6小时后的温度,各器件温度已经稳定,全都在合理范围内。04号MOS温度稳定在72.2度左右,离击穿温度还有很大的余量,完全满足客户需求。如果更换MOS后温度还是没有改善,则需要考虑是否为布局问题,可能要重新设计。
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