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PoE电源模块不输出?可能是MOS管故障,解决方法请拿走~

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发表于 2023-6-21 10:21:57 | 显示全部楼层 |阅读模式
本帖最后由 思睿达小妹妹 于 2023-6-21 10:23 编辑 ) X* U* t9 L* P# b7 c3 L; n" R

. y8 V+ i9 s" s! k  G9 _% h作者:屈工有话说' H9 ~. w  L% j# n! O

) W0 B. W! C! `2 M3 H9 uPoE(Power over Ethernet)是一种有线以太网供电技术,网线传输数据的同时具备直流供电能力。全面应用于POE交换机、IP摄像头、IP电话、无线AP、便携设备充电器、刷卡机、数据采集等供需端产品。而TT9930是一款用于以太网供电系统(POE,power over Ethernet)的DC/DC控制器,采用原边控制模式,内置200V高压MOS,具有较高的系统效率。& G6 k7 T. p( B- P

$ h1 K. U9 u# S/ S工程师在使用TT9930样机时发现,样机正常老化时,突然没有输出。经过排查后,怀疑MOS故障,本文将分享解决思路和要点。以下图片为该样机图片:
' r1 o4 a7 h. x, Q( @' v/ Q3 z+ j& V
TT9930 样机图片

1 h. r+ }$ Q# `2 ^; g【应用】视频监控/无线AP/IP电话等
) V4 e: n: p* P# V0 V' E4 M1 O2 A5 R0 E【规格】12V2A, D0 }  y' B& W. e! O& @- {8 ^; N, Q
【控制IC】TT9930
' x6 ?2 G5 ^4 Z) Q( [0 K. B3 H( f3 r4 F- T( Q+ i9 ]
【问题描述】" J# I: b8 e/ r4 n7 @0 }9 N' l
' p& ?2 b* G! u4 k: ?4 F
样机正常老化时,突然没有输出。经过排查后,发现MOS管击穿且MOS管很烫,怀疑MOS烧坏,于是对其进行点温测试。以下是样机的测试图片:% L; d3 e* @5 n
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) w: o$ R3 f9 M; G; v* \- u点温测试:测试重要元器件的温度,该测试的元器件分别有三个IC(主控TT9930、XS2100S、同步CR85V25RSA)、MOS管、输入大电容、两个输出电容、变压器磁芯和变压器线圈。
  ~$ p  N- j* {% o; ]
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) ?) N  ?% x8 L/ C如上图为测试环境,该测试在尽量密闭环境中进行,不会有大量空气流入,从而使得各元器件能快速达到温度平衡的状态。# P6 n+ r: {; v& ^
4 g$ E5 x" H% @4 k
【解决思路】
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1、重新设计电源
% I/ `8 x1 _& w/ l* F& Z  F) B5 }- \( l7 E) K' s& Z
首先,分析导致温度过高的原因,对电源进行重新设计。可以采用更高效的散热解决方案,例如增加散热片表面积、改善风道设计等。
2 I% d# g9 n+ ]3 M1 n$ n' W% Z/ J+ Y& K, v1 O1 J0 E% ^
2、更换元器件7 L9 y! r$ C  c* `' I0 b
, r3 s  K8 m( h; B. ]
应优先选择低内阻、低损耗、高效率的元器件,同时可以适当增加元器件数量及规格。8 I8 o7 @) J  @+ @

  X9 p( E# K4 [3、优化PCB布局
+ Y4 w* q2 P* }) @! [( M0 |; j# [0 @) ]+ `: b+ R: `
合理的PCB布局有助于减小电路电磁干扰,降低损耗和温升,减少系统噪声,提高抗干扰性。8 A4 E2 O. D0 C2 x

- O% I/ k3 a4 j- l$ g4、优化散热设计) v6 S" V8 J" F) R
( e2 z% U6 s  l$ e
通过优化散热设计来降低温度,如增加散热片面积、优化风道设计、增加风扇数量和转速等。
+ f% a7 R) I' S) Y+ |2 c  L  u; x1 ?1 N2 Y. a0 ]( `& o$ A) G* Q
5、加强制造与测试管理& Q5 Q. z) ?! s* H
& U6 `  A  L+ M  O3 f! H! }
加强制造工艺控制和良品率管理,确保产品符合规范要求。并且加强产品的温升测试,在生产过程中对电源进行多次测试,及时发现不合格产品,以便及早调整。# ?; |% R; L- y' p, P$ x

2 K$ V0 ^2 X+ x/ ^1 R5 ~【调通要点】
  H$ ?5 V$ w& H4 ?

/ \: Q% V" @7 R/ D如上图首先通过对各元器件进行点温,观察各元器件的温度变化,如图04号元器件为MOS管,点温才不到几分钟后,MOS的温度就达到了93.7度,而其它元器件温度较为正常,初步判定MOS管出现了问题。
" Z( W& S7 N+ S/ W; f7 h/ y! r9 n  Y! m. \. a

8 p+ B7 m: ?' P% F# u& \; b, \如上图为再经过几分钟后的元器件温度(01-08为各元器件测试温度),继续观察。
6 ^5 V  m5 |' g5 p
! y2 F' ?' I1 j; p. Q- z8 s) j2 f

1 O* t+ X% W  n6 h如上图可以明显看到,虽然所有的元器件(01-08为各元器件测试温度)温度都在持续上升,但都没有特别大的异常,唯独MOS高达116的温度,可以基本确定是MOS烧坏而导致样机老化时突然没有输出。5 {+ i3 Q7 u! \$ t4 _2 O

; W8 O" g3 E0 ^6 V1 o【最终结果】- E7 s7 o4 Q! @1 Z# u" m' |
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经过测试后发现,测试元器件的温度都在正常范围内,唯独MOS管的温度变化格外异常(01为输出电容、02为同步IC CR85V25RSA、03为变压器磁芯、04为MOS管、05为IC XS2100S、06为主控IC TT9930、07为输入电容、08为变压器线圈、09为环温),经过不断尝试更换一颗同规格但不同厂家的MOS管,然后再进行老化及温度测试,样机正常工作。以下为替换MOS后的温升测试图片:
  A/ F- y/ a& M: u1 J& E
; T* S/ ~- O" H' G4 @& G/ O

9 U6 L# L. r+ o# s6 @该图为样机老化6小时后的温度,各器件温度已经稳定,全都在合理范围内。04号MOS温度稳定在72.2度左右,离击穿温度还有很大的余量,完全满足客户需求。如果更换MOS后温度还是没有改善,则需要考虑是否为布局问题,可能要重新设计。* R: b) }+ D' I$ i( _

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