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PoE电源模块不输出?可能是MOS管故障,解决方法请拿走~

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发表于 2023-6-21 10:21:57 | 显示全部楼层 |阅读模式
本帖最后由 思睿达小妹妹 于 2023-6-21 10:23 编辑 . `: F7 p. D* W; s" E% _6 a% G

( k% F7 y) s& R  n作者:屈工有话说
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PoE(Power over Ethernet)是一种有线以太网供电技术,网线传输数据的同时具备直流供电能力。全面应用于POE交换机、IP摄像头、IP电话、无线AP、便携设备充电器、刷卡机、数据采集等供需端产品。而TT9930是一款用于以太网供电系统(POE,power over Ethernet)的DC/DC控制器,采用原边控制模式,内置200V高压MOS,具有较高的系统效率。; @2 w% z' {  `6 N
6 a% n0 w: i$ C- G% O
工程师在使用TT9930样机时发现,样机正常老化时,突然没有输出。经过排查后,怀疑MOS故障,本文将分享解决思路和要点。以下图片为该样机图片:
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TT9930 样机图片

4 ]1 Q3 P2 B: b5 `【应用】视频监控/无线AP/IP电话等7 S2 P6 ]5 n1 _7 d  E' `& i
【规格】12V2A
) {+ u# Q% C: x【控制IC】TT9930
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【问题描述】
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样机正常老化时,突然没有输出。经过排查后,发现MOS管击穿且MOS管很烫,怀疑MOS烧坏,于是对其进行点温测试。以下是样机的测试图片:. P$ a- d7 ]! R1 U+ Y/ ~$ K% g
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$ z  v! t( N0 B1 R: Z/ A  I7 O) ~
点温测试:测试重要元器件的温度,该测试的元器件分别有三个IC(主控TT9930、XS2100S、同步CR85V25RSA)、MOS管、输入大电容、两个输出电容、变压器磁芯和变压器线圈。+ r& w( R$ |1 r

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如上图为测试环境,该测试在尽量密闭环境中进行,不会有大量空气流入,从而使得各元器件能快速达到温度平衡的状态。" c. z8 w. Z, E, M- M; D- d
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【解决思路】
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1、重新设计电源
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4 c- V. J2 L  p% Z首先,分析导致温度过高的原因,对电源进行重新设计。可以采用更高效的散热解决方案,例如增加散热片表面积、改善风道设计等。9 r( J. I. }% J0 G( n4 D3 O
! e* s1 o9 Y3 {  ^( U& J: S
2、更换元器件
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应优先选择低内阻、低损耗、高效率的元器件,同时可以适当增加元器件数量及规格。. ]' r( o& X/ Z; p
' j7 v) P3 Q8 g0 i, j
3、优化PCB布局
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+ t! e+ f0 [8 {* U3 N2 U5 H合理的PCB布局有助于减小电路电磁干扰,降低损耗和温升,减少系统噪声,提高抗干扰性。% J8 K# K/ _2 Z6 `& {% ^( F
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4、优化散热设计
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通过优化散热设计来降低温度,如增加散热片面积、优化风道设计、增加风扇数量和转速等。9 @0 A1 [$ s5 x8 O
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5、加强制造与测试管理- V: Q) d3 @' k8 @4 ^
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加强制造工艺控制和良品率管理,确保产品符合规范要求。并且加强产品的温升测试,在生产过程中对电源进行多次测试,及时发现不合格产品,以便及早调整。+ ?% h5 m% \+ D9 H9 x  a4 Q7 C' n( ~
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【调通要点】
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如上图首先通过对各元器件进行点温,观察各元器件的温度变化,如图04号元器件为MOS管,点温才不到几分钟后,MOS的温度就达到了93.7度,而其它元器件温度较为正常,初步判定MOS管出现了问题。2 x" A2 w6 I/ g" q% S9 Y" Q; b
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如上图为再经过几分钟后的元器件温度(01-08为各元器件测试温度),继续观察。
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" G, |+ c5 _/ _4 y
; K( X: t2 C5 H& c" U1 Q+ n
如上图可以明显看到,虽然所有的元器件(01-08为各元器件测试温度)温度都在持续上升,但都没有特别大的异常,唯独MOS高达116的温度,可以基本确定是MOS烧坏而导致样机老化时突然没有输出。4 f/ y) @2 @( K; t/ K% _" L

7 r( U- {: N) G( o! Y【最终结果】3 [1 l  ?/ }. _3 |+ i' c4 g
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经过测试后发现,测试元器件的温度都在正常范围内,唯独MOS管的温度变化格外异常(01为输出电容、02为同步IC CR85V25RSA、03为变压器磁芯、04为MOS管、05为IC XS2100S、06为主控IC TT9930、07为输入电容、08为变压器线圈、09为环温),经过不断尝试更换一颗同规格但不同厂家的MOS管,然后再进行老化及温度测试,样机正常工作。以下为替换MOS后的温升测试图片:
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$ b7 \( g3 p9 X. F% A
该图为样机老化6小时后的温度,各器件温度已经稳定,全都在合理范围内。04号MOS温度稳定在72.2度左右,离击穿温度还有很大的余量,完全满足客户需求。如果更换MOS后温度还是没有改善,则需要考虑是否为布局问题,可能要重新设计。0 L& N) T9 P+ j( o, v& w0 O# ?
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