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PoE电源模块不输出?可能是MOS管故障,解决方法请拿走~

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发表于 2023-6-21 10:21:57 | 显示全部楼层 |阅读模式
本帖最后由 思睿达小妹妹 于 2023-6-21 10:23 编辑 # r1 a4 J- _" d- `
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作者:屈工有话说
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7 \  e! \( G0 z0 n5 d9 ZPoE(Power over Ethernet)是一种有线以太网供电技术,网线传输数据的同时具备直流供电能力。全面应用于POE交换机、IP摄像头、IP电话、无线AP、便携设备充电器、刷卡机、数据采集等供需端产品。而TT9930是一款用于以太网供电系统(POE,power over Ethernet)的DC/DC控制器,采用原边控制模式,内置200V高压MOS,具有较高的系统效率。+ j0 ]; L7 [# {

; N1 L* Q  r7 m5 w7 b- D7 a工程师在使用TT9930样机时发现,样机正常老化时,突然没有输出。经过排查后,怀疑MOS故障,本文将分享解决思路和要点。以下图片为该样机图片:
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TT9930 样机图片
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【应用】视频监控/无线AP/IP电话等
/ X+ |* A2 K& {& ?* ]【规格】12V2A& B0 n4 }/ T  n2 m8 [- \7 p9 |
【控制IC】TT9930: z7 F; ^; c6 w
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【问题描述】. h- q; |' [% g, o2 @, e

. @) b" r' ]" D) ?样机正常老化时,突然没有输出。经过排查后,发现MOS管击穿且MOS管很烫,怀疑MOS烧坏,于是对其进行点温测试。以下是样机的测试图片:9 o# b/ h$ }+ k4 a( M
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点温测试:测试重要元器件的温度,该测试的元器件分别有三个IC(主控TT9930、XS2100S、同步CR85V25RSA)、MOS管、输入大电容、两个输出电容、变压器磁芯和变压器线圈。
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; l, f5 M1 f2 `) v! W8 T如上图为测试环境,该测试在尽量密闭环境中进行,不会有大量空气流入,从而使得各元器件能快速达到温度平衡的状态。
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【解决思路】) `7 H, |% Q( F

2 I5 p( _; x3 v1 }- c# i1、重新设计电源
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首先,分析导致温度过高的原因,对电源进行重新设计。可以采用更高效的散热解决方案,例如增加散热片表面积、改善风道设计等。* c) t( N- R6 Q% m9 L4 h9 M
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2、更换元器件$ g) h; l5 d" c% Y. Q0 k+ \
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应优先选择低内阻、低损耗、高效率的元器件,同时可以适当增加元器件数量及规格。) {3 d) V0 i, a8 U1 C

! E4 Z' b  ]" m3、优化PCB布局0 \  G  C0 t( E# G
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合理的PCB布局有助于减小电路电磁干扰,降低损耗和温升,减少系统噪声,提高抗干扰性。
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' q% {8 N. r; E7 O4、优化散热设计6 x1 Y0 M) t. ^! @& L: @. ^/ O
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通过优化散热设计来降低温度,如增加散热片面积、优化风道设计、增加风扇数量和转速等。
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5、加强制造与测试管理
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* a6 r/ U: p! P9 ^# y) l加强制造工艺控制和良品率管理,确保产品符合规范要求。并且加强产品的温升测试,在生产过程中对电源进行多次测试,及时发现不合格产品,以便及早调整。
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. q* k5 Y) A0 X( t【调通要点】
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8 n/ K. y( `& A如上图首先通过对各元器件进行点温,观察各元器件的温度变化,如图04号元器件为MOS管,点温才不到几分钟后,MOS的温度就达到了93.7度,而其它元器件温度较为正常,初步判定MOS管出现了问题。
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0 w- {( l6 b3 o如上图为再经过几分钟后的元器件温度(01-08为各元器件测试温度),继续观察。. u$ E# q1 p3 W: Z& n. n/ L

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如上图可以明显看到,虽然所有的元器件(01-08为各元器件测试温度)温度都在持续上升,但都没有特别大的异常,唯独MOS高达116的温度,可以基本确定是MOS烧坏而导致样机老化时突然没有输出。
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& ^  k4 v& P6 K: N【最终结果】0 ^. Z1 y7 w# W$ F6 p" `6 x

  c' z% X7 C& @# D经过测试后发现,测试元器件的温度都在正常范围内,唯独MOS管的温度变化格外异常(01为输出电容、02为同步IC CR85V25RSA、03为变压器磁芯、04为MOS管、05为IC XS2100S、06为主控IC TT9930、07为输入电容、08为变压器线圈、09为环温),经过不断尝试更换一颗同规格但不同厂家的MOS管,然后再进行老化及温度测试,样机正常工作。以下为替换MOS后的温升测试图片:) f& Z& H& s8 }: C0 j8 [- F5 m
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' J3 _- V, K2 P) ^5 g" D
该图为样机老化6小时后的温度,各器件温度已经稳定,全都在合理范围内。04号MOS温度稳定在72.2度左右,离击穿温度还有很大的余量,完全满足客户需求。如果更换MOS后温度还是没有改善,则需要考虑是否为布局问题,可能要重新设计。
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