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本帖最后由 思睿达小妹妹 于 2023-6-21 10:23 编辑
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作者:屈工有话说
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, w3 J$ b) n0 Q Q4 g8 _PoE(Power over Ethernet)是一种有线以太网供电技术,网线传输数据的同时具备直流供电能力。全面应用于POE交换机、IP摄像头、IP电话、无线AP、便携设备充电器、刷卡机、数据采集等供需端产品。而TT9930是一款用于以太网供电系统(POE,power over Ethernet)的DC/DC控制器,采用原边控制模式,内置200V高压MOS,具有较高的系统效率。
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* x$ y7 s# T- u! I工程师在使用TT9930样机时发现,样机正常老化时,突然没有输出。经过排查后,怀疑MOS故障,本文将分享解决思路和要点。以下图片为该样机图片:. T" ^4 `" z3 P; f% \/ G; D$ K# g
# l$ p/ I) R3 y3 Q! z5 y8 UTT9930 样机图片 # F* h! X! g4 c( m2 w/ r
【应用】视频监控/无线AP/IP电话等/ d3 X3 k8 P- a8 ~
【规格】12V2A& U1 q" ], N1 n" S" y) ^
【控制IC】TT99304 w$ [7 G- N& }) M j1 i& G/ a: @
8 _$ e% ]2 m% X) q8 L, o( v【问题描述】
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- \) V1 I1 x9 T% k+ E+ s1 h样机正常老化时,突然没有输出。经过排查后,发现MOS管击穿且MOS管很烫,怀疑MOS烧坏,于是对其进行点温测试。以下是样机的测试图片:- r8 E9 e0 O8 T
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点温测试:测试重要元器件的温度,该测试的元器件分别有三个IC(主控TT9930、XS2100S、同步CR85V25RSA)、MOS管、输入大电容、两个输出电容、变压器磁芯和变压器线圈。
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& _/ u. b) G' e/ l( \, n4 J/ ]如上图为测试环境,该测试在尽量密闭环境中进行,不会有大量空气流入,从而使得各元器件能快速达到温度平衡的状态。
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【解决思路】* C1 f& t3 C$ c' a+ ?; O. R
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1、重新设计电源
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首先,分析导致温度过高的原因,对电源进行重新设计。可以采用更高效的散热解决方案,例如增加散热片表面积、改善风道设计等。' t/ P& P, U/ ~6 `0 A, j9 }4 [+ g
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2、更换元器件0 Q' z1 s1 i j/ Y. x( a* \% T
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应优先选择低内阻、低损耗、高效率的元器件,同时可以适当增加元器件数量及规格。% b& n' n( m1 G5 J/ X; @1 a; c
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3、优化PCB布局* J( p+ g# I' z& C
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合理的PCB布局有助于减小电路电磁干扰,降低损耗和温升,减少系统噪声,提高抗干扰性。
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4、优化散热设计
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! B) G* ]3 _; t5 x9 n* T通过优化散热设计来降低温度,如增加散热片面积、优化风道设计、增加风扇数量和转速等。
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: X; Q% X# S* _1 s5、加强制造与测试管理
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加强制造工艺控制和良品率管理,确保产品符合规范要求。并且加强产品的温升测试,在生产过程中对电源进行多次测试,及时发现不合格产品,以便及早调整。# w5 P h, n( y' J/ [1 Y+ c
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【调通要点】0 [) |# T5 R, ~1 A# ~1 a
9 C$ C- z3 P$ o5 q" Y如上图首先通过对各元器件进行点温,观察各元器件的温度变化,如图04号元器件为MOS管,点温才不到几分钟后,MOS的温度就达到了93.7度,而其它元器件温度较为正常,初步判定MOS管出现了问题。# ~$ s* f" ~! f5 Z y7 ~
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如上图为再经过几分钟后的元器件温度(01-08为各元器件测试温度),继续观察。
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7 k; B7 H R W, d' `如上图可以明显看到,虽然所有的元器件(01-08为各元器件测试温度)温度都在持续上升,但都没有特别大的异常,唯独MOS高达116的温度,可以基本确定是MOS烧坏而导致样机老化时突然没有输出。 U2 U* }4 t6 g/ X
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【最终结果】
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U. S K' ~. G: G/ f经过测试后发现,测试元器件的温度都在正常范围内,唯独MOS管的温度变化格外异常(01为输出电容、02为同步IC CR85V25RSA、03为变压器磁芯、04为MOS管、05为IC XS2100S、06为主控IC TT9930、07为输入电容、08为变压器线圈、09为环温),经过不断尝试更换一颗同规格但不同厂家的MOS管,然后再进行老化及温度测试,样机正常工作。以下为替换MOS后的温升测试图片:3 z+ p/ G5 T! [. r
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9 ] N" O" P' z b- Y1 n: V该图为样机老化6小时后的温度,各器件温度已经稳定,全都在合理范围内。04号MOS温度稳定在72.2度左右,离击穿温度还有很大的余量,完全满足客户需求。如果更换MOS后温度还是没有改善,则需要考虑是否为布局问题,可能要重新设计。0 q: ]& T' \+ N; Z& [0 v
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