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本帖最后由 思睿达小妹妹 于 2023-6-21 10:23 编辑
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作者:屈工有话说
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+ n1 {6 H. f- [- L0 ]5 S0 d) APoE(Power over Ethernet)是一种有线以太网供电技术,网线传输数据的同时具备直流供电能力。全面应用于POE交换机、IP摄像头、IP电话、无线AP、便携设备充电器、刷卡机、数据采集等供需端产品。而TT9930是一款用于以太网供电系统(POE,power over Ethernet)的DC/DC控制器,采用原边控制模式,内置200V高压MOS,具有较高的系统效率。% \' o4 I' X8 e! g
5 I w3 ~1 F2 N9 E7 G' d工程师在使用TT9930样机时发现,样机正常老化时,突然没有输出。经过排查后,怀疑MOS故障,本文将分享解决思路和要点。以下图片为该样机图片:6 o6 W* P2 N( y
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TT9930 样机图片 d( N( _* O7 q: u/ e# r" B
【应用】视频监控/无线AP/IP电话等, x9 v" b0 k" F
【规格】12V2A* E/ D) H4 X1 l7 u' Z
【控制IC】TT9930
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5 B+ u, U2 F6 a# ~8 e& [【问题描述】
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% {1 U9 p- K) A7 n$ t5 ^样机正常老化时,突然没有输出。经过排查后,发现MOS管击穿且MOS管很烫,怀疑MOS烧坏,于是对其进行点温测试。以下是样机的测试图片:7 O, }" Y. r: p% Z) c6 _. D h
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点温测试:测试重要元器件的温度,该测试的元器件分别有三个IC(主控TT9930、XS2100S、同步CR85V25RSA)、MOS管、输入大电容、两个输出电容、变压器磁芯和变压器线圈。
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7 i8 O1 m/ I! L. K6 Y- S如上图为测试环境,该测试在尽量密闭环境中进行,不会有大量空气流入,从而使得各元器件能快速达到温度平衡的状态。
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3 a6 m. \% }0 }【解决思路】
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1、重新设计电源
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首先,分析导致温度过高的原因,对电源进行重新设计。可以采用更高效的散热解决方案,例如增加散热片表面积、改善风道设计等。
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2、更换元器件
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应优先选择低内阻、低损耗、高效率的元器件,同时可以适当增加元器件数量及规格。' L- C+ f* R0 I& Q: o5 Z* z- y5 I' V
) n( v2 d/ a U3、优化PCB布局
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# p% K4 T- X& n5 R0 c合理的PCB布局有助于减小电路电磁干扰,降低损耗和温升,减少系统噪声,提高抗干扰性。& v+ p' k5 d. `, U* s; P7 ^: i. _
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4、优化散热设计( m; K9 x# `* G6 m; Z, @
, y# V3 Y; Q6 r% N8 x [通过优化散热设计来降低温度,如增加散热片面积、优化风道设计、增加风扇数量和转速等。
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% c+ C; l) Y7 ~' `! i5、加强制造与测试管理& j9 y- X* `2 W9 s- ]
$ H; V6 E5 G0 W) Y加强制造工艺控制和良品率管理,确保产品符合规范要求。并且加强产品的温升测试,在生产过程中对电源进行多次测试,及时发现不合格产品,以便及早调整。
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5 Z# R2 [: n' A" q; }【调通要点】; u" ^% J4 a# X+ C/ N
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如上图首先通过对各元器件进行点温,观察各元器件的温度变化,如图04号元器件为MOS管,点温才不到几分钟后,MOS的温度就达到了93.7度,而其它元器件温度较为正常,初步判定MOS管出现了问题。& U0 a6 M( K# t% P5 j7 I
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如上图为再经过几分钟后的元器件温度(01-08为各元器件测试温度),继续观察。8 |& F7 j7 T7 Q! @7 q" M
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8 B' b' S1 i5 W6 P如上图可以明显看到,虽然所有的元器件(01-08为各元器件测试温度)温度都在持续上升,但都没有特别大的异常,唯独MOS高达116的温度,可以基本确定是MOS烧坏而导致样机老化时突然没有输出。
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( V/ \+ i) p0 e0 \% g/ w6 A【最终结果】2 B' R" ?$ x+ g% z
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经过测试后发现,测试元器件的温度都在正常范围内,唯独MOS管的温度变化格外异常(01为输出电容、02为同步IC CR85V25RSA、03为变压器磁芯、04为MOS管、05为IC XS2100S、06为主控IC TT9930、07为输入电容、08为变压器线圈、09为环温),经过不断尝试更换一颗同规格但不同厂家的MOS管,然后再进行老化及温度测试,样机正常工作。以下为替换MOS后的温升测试图片:
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; U2 \; [, ]7 V ^/ [3 F8 Q/ B该图为样机老化6小时后的温度,各器件温度已经稳定,全都在合理范围内。04号MOS温度稳定在72.2度左右,离击穿温度还有很大的余量,完全满足客户需求。如果更换MOS后温度还是没有改善,则需要考虑是否为布局问题,可能要重新设计。
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