|
|
本帖最后由 思睿达小妹妹 于 2023-6-21 10:23 编辑 ' U7 d! w2 L) E2 s
2 S) U5 f; v+ j5 Q# r M2 b作者:屈工有话说 e+ x9 }) P: E _% M! y
7 c B. O/ p+ q9 J s
PoE(Power over Ethernet)是一种有线以太网供电技术,网线传输数据的同时具备直流供电能力。全面应用于POE交换机、IP摄像头、IP电话、无线AP、便携设备充电器、刷卡机、数据采集等供需端产品。而TT9930是一款用于以太网供电系统(POE,power over Ethernet)的DC/DC控制器,采用原边控制模式,内置200V高压MOS,具有较高的系统效率。
3 s, ~* D- Y- @, r. B
$ ^9 Q& p( K P工程师在使用TT9930样机时发现,样机正常老化时,突然没有输出。经过排查后,怀疑MOS故障,本文将分享解决思路和要点。以下图片为该样机图片:
& i, o+ ?" H9 `; l! T" p& i
3 K r: W) L7 W! j/ l( {: A, }TT9930 样机图片 " a; T/ _8 [6 x8 W' ~# O
【应用】视频监控/无线AP/IP电话等
1 p2 w7 U$ T; g9 p/ K6 J【规格】12V2A
& E# M+ u0 M9 j" t【控制IC】TT9930
; f8 ^. A. Q0 l* T# U) o" ^/ Y# T4 I! a6 A/ P/ b
【问题描述】- i; s6 Z( o# [2 p, v) R( `
2 ~4 |+ H" X' b' o! Q
样机正常老化时,突然没有输出。经过排查后,发现MOS管击穿且MOS管很烫,怀疑MOS烧坏,于是对其进行点温测试。以下是样机的测试图片:. K, F5 s: k( ]5 v/ z" x
0 n7 y J! k. a9 F3 F7 F6 x% b' B+ D, U; e, c3 K& x6 d
点温测试:测试重要元器件的温度,该测试的元器件分别有三个IC(主控TT9930、XS2100S、同步CR85V25RSA)、MOS管、输入大电容、两个输出电容、变压器磁芯和变压器线圈。. a& P5 F- g9 l; P
- Z8 ?- F, h/ ]+ C& I& A
- j3 E. C c0 U( L& w, i# w如上图为测试环境,该测试在尽量密闭环境中进行,不会有大量空气流入,从而使得各元器件能快速达到温度平衡的状态。
/ V' u/ m2 ^; {$ U( b8 c
3 F/ I! m0 j7 h【解决思路】# v, p4 m$ ], v: j7 u: h6 Y4 x* E
5 w! T* q+ E9 p5 Q, F
1、重新设计电源
$ S( i- R: x3 p8 k
7 X4 o9 R& K$ b/ F! h1 X# j首先,分析导致温度过高的原因,对电源进行重新设计。可以采用更高效的散热解决方案,例如增加散热片表面积、改善风道设计等。 m `/ a$ v" g
0 P0 _& k, ]- B8 o
2、更换元器件2 M( G4 ]7 I" u3 m# u/ Q; F
: ^+ `! ~- n* }* Y! z! g) g
应优先选择低内阻、低损耗、高效率的元器件,同时可以适当增加元器件数量及规格。
0 h2 ?8 S. B v. X0 t/ ~( f ^$ c) J; K# G
3、优化PCB布局 k8 n5 Z2 q& |' y
; k3 ]9 |9 c" i$ { H. d0 d
合理的PCB布局有助于减小电路电磁干扰,降低损耗和温升,减少系统噪声,提高抗干扰性。
2 E( h) E% f2 ~- F9 ~ R+ `: D- ?% s7 T' I2 k; u' ~. n
4、优化散热设计
}3 j. r9 p9 q3 I( o
/ V5 q; Z0 A4 Y6 x1 d8 ~通过优化散热设计来降低温度,如增加散热片面积、优化风道设计、增加风扇数量和转速等。! |8 ?/ v/ X8 C6 y, X6 L$ D, [
6 K+ \& x, c" i/ S% K2 e7 J( b
5、加强制造与测试管理2 S9 a4 k R, S; t; J
m, T" c# [6 B& e% B# N
加强制造工艺控制和良品率管理,确保产品符合规范要求。并且加强产品的温升测试,在生产过程中对电源进行多次测试,及时发现不合格产品,以便及早调整。- J7 s# V& X5 Y
# h7 x% }( B) w: Z/ ^, c: T
【调通要点】4 g( z c/ I; A& B- {
4 Z8 { Z1 M& M0 P如上图首先通过对各元器件进行点温,观察各元器件的温度变化,如图04号元器件为MOS管,点温才不到几分钟后,MOS的温度就达到了93.7度,而其它元器件温度较为正常,初步判定MOS管出现了问题。& c* X, M1 H5 f0 V/ k7 ~; A
1 Z$ O( B {' l: o7 h S0 _. L# @
* T: k; \5 b0 W0 H7 P
如上图为再经过几分钟后的元器件温度(01-08为各元器件测试温度),继续观察。
. \2 s, w. W/ W; x9 I. |" ~) J$ T3 a% B
- F8 s5 ^9 |; u6 X6 M
如上图可以明显看到,虽然所有的元器件(01-08为各元器件测试温度)温度都在持续上升,但都没有特别大的异常,唯独MOS高达116的温度,可以基本确定是MOS烧坏而导致样机老化时突然没有输出。( h* e! r( [/ U s
3 L& u3 N& V0 p7 X/ f, e# H【最终结果】
( {+ T. U) n% ]6 {+ h) S: \6 a+ x6 M
3 I3 ]; |# i% v8 T7 ^经过测试后发现,测试元器件的温度都在正常范围内,唯独MOS管的温度变化格外异常(01为输出电容、02为同步IC CR85V25RSA、03为变压器磁芯、04为MOS管、05为IC XS2100S、06为主控IC TT9930、07为输入电容、08为变压器线圈、09为环温),经过不断尝试更换一颗同规格但不同厂家的MOS管,然后再进行老化及温度测试,样机正常工作。以下为替换MOS后的温升测试图片:2 {3 z* s6 L5 F& o6 V' T
' \+ S* j& l0 e
1 k7 F/ r0 O# y' D/ r: b. }0 _. F该图为样机老化6小时后的温度,各器件温度已经稳定,全都在合理范围内。04号MOS温度稳定在72.2度左右,离击穿温度还有很大的余量,完全满足客户需求。如果更换MOS后温度还是没有改善,则需要考虑是否为布局问题,可能要重新设计。
: D! [( v4 K. m/ c1 ^2 ~# W' E: A4 _% J' s' I
|
本帖子中包含更多资源
您需要 登录 才可以下载或查看,没有帐号?注册
x
|