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PoE电源模块不输出?可能是MOS管故障,解决方法请拿走~

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发表于 2023-6-21 10:21:57 | 显示全部楼层 |阅读模式
本帖最后由 思睿达小妹妹 于 2023-6-21 10:23 编辑
; i( X+ s4 B" D4 T+ n+ S% s/ s3 Z
# U$ H6 z, R' v  e作者:屈工有话说
& `8 Y. W& E7 [; B+ @+ s
6 T% e; W" d3 t1 A6 \+ J. ]7 y1 ^PoE(Power over Ethernet)是一种有线以太网供电技术,网线传输数据的同时具备直流供电能力。全面应用于POE交换机、IP摄像头、IP电话、无线AP、便携设备充电器、刷卡机、数据采集等供需端产品。而TT9930是一款用于以太网供电系统(POE,power over Ethernet)的DC/DC控制器,采用原边控制模式,内置200V高压MOS,具有较高的系统效率。$ P0 `2 p1 K6 L( B( {7 P! r8 ^4 {$ |
6 m) _- B  W% ~+ @& O6 q! M$ v
工程师在使用TT9930样机时发现,样机正常老化时,突然没有输出。经过排查后,怀疑MOS故障,本文将分享解决思路和要点。以下图片为该样机图片:
# m. d0 P& U5 I" U! t( j% r  @  Z7 r/ z
TT9930 样机图片

5 v2 l# @" C7 k& `0 S! ]【应用】视频监控/无线AP/IP电话等2 O1 D; ?$ x3 A% h6 A) s( M
【规格】12V2A
* u2 Q7 M; |8 q! {8 C$ z. P【控制IC】TT9930" d, |, Z* a+ H8 J* Z, r' R
" O: f8 e  [4 z+ J/ V2 h9 C
【问题描述】( J: X! n* `$ C! l6 @* x

( p/ y) a& g& ~" e" I* T样机正常老化时,突然没有输出。经过排查后,发现MOS管击穿且MOS管很烫,怀疑MOS烧坏,于是对其进行点温测试。以下是样机的测试图片:
% o% `* R1 c& U3 D3 A9 i- S7 u
0 t/ K; X; D4 }" A3 t( @

. Q$ X, `! Z( c2 [. I% k1 L点温测试:测试重要元器件的温度,该测试的元器件分别有三个IC(主控TT9930、XS2100S、同步CR85V25RSA)、MOS管、输入大电容、两个输出电容、变压器磁芯和变压器线圈。6 u/ w( X. x0 C9 |% r5 ~6 o

0 Q* h5 O" x5 j6 Z9 B' I

! w: n3 Y5 p. X2 _( s如上图为测试环境,该测试在尽量密闭环境中进行,不会有大量空气流入,从而使得各元器件能快速达到温度平衡的状态。
6 t3 t3 Y" U8 Z4 }) X3 _2 b; Z/ J/ Z. h2 v) b; Y# B
【解决思路】( K, r, T& G5 x

2 B' C: t2 ^% ]6 O% i1、重新设计电源. T" w9 c" `0 Y; @& B

- Z  o" k  g/ |) v3 o首先,分析导致温度过高的原因,对电源进行重新设计。可以采用更高效的散热解决方案,例如增加散热片表面积、改善风道设计等。4 C7 V, R. `% Y: h5 K

% n4 S$ p% O' P3 D2、更换元器件
9 S2 Z" S& z/ F2 M/ V, |1 T
, c  F% [1 ]6 ^* ^; Y3 N$ d应优先选择低内阻、低损耗、高效率的元器件,同时可以适当增加元器件数量及规格。1 ]" N" p5 J+ C8 k# K7 A/ V- X/ j

9 W' r' J$ ]7 Q7 p! E* w# l3、优化PCB布局
3 ~9 B1 @. k8 ?3 q; z& p$ X2 d( B6 W% w6 z
合理的PCB布局有助于减小电路电磁干扰,降低损耗和温升,减少系统噪声,提高抗干扰性。: j1 Q9 ~# i/ x2 _. W( p

( q4 N6 G1 `& D5 m4、优化散热设计
3 n# y- A+ X5 [
% F3 B  {% J' l9 ~" m* h) x* r通过优化散热设计来降低温度,如增加散热片面积、优化风道设计、增加风扇数量和转速等。; a/ s2 {% J5 d, t
' o& J; M6 C! ^
5、加强制造与测试管理9 ^  }7 ?) c- R) G, z5 A
% P2 v/ H' N2 u  i8 w$ d6 W
加强制造工艺控制和良品率管理,确保产品符合规范要求。并且加强产品的温升测试,在生产过程中对电源进行多次测试,及时发现不合格产品,以便及早调整。6 z: ~: s# V! j1 p( z5 G' p7 s

( X: W6 @; h: G+ i# f. o【调通要点】% O7 t3 J% Z& k( P

" H# x, A. d- a& z如上图首先通过对各元器件进行点温,观察各元器件的温度变化,如图04号元器件为MOS管,点温才不到几分钟后,MOS的温度就达到了93.7度,而其它元器件温度较为正常,初步判定MOS管出现了问题。. `  U' U. P6 S; \3 [
3 G8 s3 g# h6 S8 T4 M

0 v$ {* K' w$ M如上图为再经过几分钟后的元器件温度(01-08为各元器件测试温度),继续观察。
) P  w0 J! _$ A$ Q- X% @# h) M( h. y& q. B+ v8 n

/ H& V' T/ u6 n* @* c) f如上图可以明显看到,虽然所有的元器件(01-08为各元器件测试温度)温度都在持续上升,但都没有特别大的异常,唯独MOS高达116的温度,可以基本确定是MOS烧坏而导致样机老化时突然没有输出。, b5 S5 m4 l. l
0 A* J4 j7 p3 W! W' k& X7 D
【最终结果】: q" ~, q4 O" |& o& e) X' \
% C8 Q) o/ n# S2 z% M0 t9 S) z
经过测试后发现,测试元器件的温度都在正常范围内,唯独MOS管的温度变化格外异常(01为输出电容、02为同步IC CR85V25RSA、03为变压器磁芯、04为MOS管、05为IC XS2100S、06为主控IC TT9930、07为输入电容、08为变压器线圈、09为环温),经过不断尝试更换一颗同规格但不同厂家的MOS管,然后再进行老化及温度测试,样机正常工作。以下为替换MOS后的温升测试图片:  Z' s7 R' S+ T& k/ X+ i3 e

4 O. W$ I! R4 h- w; X5 z' d

& `8 V& j4 Q( t  W9 M该图为样机老化6小时后的温度,各器件温度已经稳定,全都在合理范围内。04号MOS温度稳定在72.2度左右,离击穿温度还有很大的余量,完全满足客户需求。如果更换MOS后温度还是没有改善,则需要考虑是否为布局问题,可能要重新设计。
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