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PoE电源模块不输出?可能是MOS管故障,解决方法请拿走~

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发表于 2023-6-21 10:21:57 | 显示全部楼层 |阅读模式
本帖最后由 思睿达小妹妹 于 2023-6-21 10:23 编辑
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作者:屈工有话说. ^& b5 N9 _; ~  B+ B" r3 ^
- Z! ~3 d, H3 U* n3 h$ K: H4 s7 T/ @3 h* J
PoE(Power over Ethernet)是一种有线以太网供电技术,网线传输数据的同时具备直流供电能力。全面应用于POE交换机、IP摄像头、IP电话、无线AP、便携设备充电器、刷卡机、数据采集等供需端产品。而TT9930是一款用于以太网供电系统(POE,power over Ethernet)的DC/DC控制器,采用原边控制模式,内置200V高压MOS,具有较高的系统效率。
) B" w$ s+ Z( Q9 }8 M) C! {
; T1 A; x. e! B2 ?) Y1 V, J工程师在使用TT9930样机时发现,样机正常老化时,突然没有输出。经过排查后,怀疑MOS故障,本文将分享解决思路和要点。以下图片为该样机图片:) I4 q) \  k2 Z; C' z# c' s; k

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TT9930 样机图片
; r0 e) Y  x" @+ k4 d- d# z
【应用】视频监控/无线AP/IP电话等
9 G: N! K# X# s+ Z【规格】12V2A
$ G( ?3 l# V3 o5 D; W. Q【控制IC】TT9930
  ^4 C; k( N& G$ _! ^' s3 _/ s7 i
【问题描述】( U6 f3 [% `+ Z  t. X

& F: Z* }& h: R样机正常老化时,突然没有输出。经过排查后,发现MOS管击穿且MOS管很烫,怀疑MOS烧坏,于是对其进行点温测试。以下是样机的测试图片:+ e' B- c) m, g4 R
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点温测试:测试重要元器件的温度,该测试的元器件分别有三个IC(主控TT9930、XS2100S、同步CR85V25RSA)、MOS管、输入大电容、两个输出电容、变压器磁芯和变压器线圈。
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如上图为测试环境,该测试在尽量密闭环境中进行,不会有大量空气流入,从而使得各元器件能快速达到温度平衡的状态。( t& ^' \3 ^  i, P
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【解决思路】
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. `& A) c9 d. p* C4 F' A" ^1、重新设计电源- w7 q6 a4 a$ s! g* F7 e; i* J9 n

% g% L% P9 |1 d) B1 D3 o0 ^首先,分析导致温度过高的原因,对电源进行重新设计。可以采用更高效的散热解决方案,例如增加散热片表面积、改善风道设计等。
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* N  ?: g. i, O) z' Z" ^1 b% l2、更换元器件" Q5 z- q: P2 c: p5 @, U/ Q% q
& `& F5 o( E" k4 A' T$ {% B
应优先选择低内阻、低损耗、高效率的元器件,同时可以适当增加元器件数量及规格。
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3、优化PCB布局
" c7 }" l% M( k0 g, y* t
6 q. X0 C2 l! ~合理的PCB布局有助于减小电路电磁干扰,降低损耗和温升,减少系统噪声,提高抗干扰性。
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, q0 P' f( g  g" }4、优化散热设计
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通过优化散热设计来降低温度,如增加散热片面积、优化风道设计、增加风扇数量和转速等。
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5、加强制造与测试管理
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加强制造工艺控制和良品率管理,确保产品符合规范要求。并且加强产品的温升测试,在生产过程中对电源进行多次测试,及时发现不合格产品,以便及早调整。+ h7 y" i! Q$ ]- g4 w( U
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【调通要点】; f) ?" q6 F( x, O$ b& n! @, F
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如上图首先通过对各元器件进行点温,观察各元器件的温度变化,如图04号元器件为MOS管,点温才不到几分钟后,MOS的温度就达到了93.7度,而其它元器件温度较为正常,初步判定MOS管出现了问题。, D, s+ H  C  V' i3 g2 j$ T

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4 }+ l% i$ w$ a8 O. E$ x5 r
如上图为再经过几分钟后的元器件温度(01-08为各元器件测试温度),继续观察。% l* p* U9 M/ g( Y2 H3 i* h/ g
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* F; r* E5 c7 b如上图可以明显看到,虽然所有的元器件(01-08为各元器件测试温度)温度都在持续上升,但都没有特别大的异常,唯独MOS高达116的温度,可以基本确定是MOS烧坏而导致样机老化时突然没有输出。
7 ^8 n: @6 x3 b
+ ?) e9 ^. `, c- f【最终结果】0 {& P" q5 {4 d  H

0 o( r$ R- ^! G4 R! Z0 ^经过测试后发现,测试元器件的温度都在正常范围内,唯独MOS管的温度变化格外异常(01为输出电容、02为同步IC CR85V25RSA、03为变压器磁芯、04为MOS管、05为IC XS2100S、06为主控IC TT9930、07为输入电容、08为变压器线圈、09为环温),经过不断尝试更换一颗同规格但不同厂家的MOS管,然后再进行老化及温度测试,样机正常工作。以下为替换MOS后的温升测试图片:
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+ B/ J" d# z8 K$ o$ E# ?. H& e( d
该图为样机老化6小时后的温度,各器件温度已经稳定,全都在合理范围内。04号MOS温度稳定在72.2度左右,离击穿温度还有很大的余量,完全满足客户需求。如果更换MOS后温度还是没有改善,则需要考虑是否为布局问题,可能要重新设计。
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