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本帖最后由 思睿达小妹妹 于 2023-6-21 10:23 编辑 6 f/ H+ d% M, _, y: r
) p- u e1 F6 l0 {" ?作者:屈工有话说! z: u& o5 V: `; _7 t! I9 @
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PoE(Power over Ethernet)是一种有线以太网供电技术,网线传输数据的同时具备直流供电能力。全面应用于POE交换机、IP摄像头、IP电话、无线AP、便携设备充电器、刷卡机、数据采集等供需端产品。而TT9930是一款用于以太网供电系统(POE,power over Ethernet)的DC/DC控制器,采用原边控制模式,内置200V高压MOS,具有较高的系统效率。
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2 }; M8 r: D. x$ y9 B+ S" H工程师在使用TT9930样机时发现,样机正常老化时,突然没有输出。经过排查后,怀疑MOS故障,本文将分享解决思路和要点。以下图片为该样机图片:1 Q4 S+ p5 m' M) M2 Y
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TT9930 样机图片 - |$ K. b* i2 C) D! h# c1 w
【应用】视频监控/无线AP/IP电话等/ }1 [6 X5 ^6 D6 n/ Q8 x
【规格】12V2A0 g' Z2 z- c. H6 Z. ]
【控制IC】TT99301 l% @/ y) X: m H- s4 J
: z- a$ h+ M3 F; @ p【问题描述】
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# ?' L7 U) y: D样机正常老化时,突然没有输出。经过排查后,发现MOS管击穿且MOS管很烫,怀疑MOS烧坏,于是对其进行点温测试。以下是样机的测试图片:) d6 I7 @" V% u7 H7 q4 O2 [7 s# \( L
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% F+ R8 J7 y( Y( B点温测试:测试重要元器件的温度,该测试的元器件分别有三个IC(主控TT9930、XS2100S、同步CR85V25RSA)、MOS管、输入大电容、两个输出电容、变压器磁芯和变压器线圈。7 z' y( Y3 A T J' z& c+ h
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1 q5 y, E8 C, x+ B& i8 C, n如上图为测试环境,该测试在尽量密闭环境中进行,不会有大量空气流入,从而使得各元器件能快速达到温度平衡的状态。4 A" h: K& K+ R
8 S7 C8 j/ n9 H【解决思路】3 O. v w$ I- ]) K* G
2 M: u( V0 p1 G( I# o6 O+ \1、重新设计电源; i3 ^& j& _0 K" @
2 p9 B2 d9 \, @4 K9 t首先,分析导致温度过高的原因,对电源进行重新设计。可以采用更高效的散热解决方案,例如增加散热片表面积、改善风道设计等。
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* f) S. j; M( r X2 l" j7 \2、更换元器件$ B/ s8 U, N" J
4 w- X" A' O" b. H% J应优先选择低内阻、低损耗、高效率的元器件,同时可以适当增加元器件数量及规格。% k; I- z4 x- I; n" z1 L
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3、优化PCB布局
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合理的PCB布局有助于减小电路电磁干扰,降低损耗和温升,减少系统噪声,提高抗干扰性。9 S5 u ~! O1 a3 r9 l& Z) t
5 e8 R" o8 Z! ]/ M: ^4、优化散热设计, f2 y* \* ~0 B9 o1 v4 Q
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通过优化散热设计来降低温度,如增加散热片面积、优化风道设计、增加风扇数量和转速等。6 C4 x- _2 \# Z6 F& _
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5、加强制造与测试管理
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/ v' g5 Q- ^% O$ |% m+ S加强制造工艺控制和良品率管理,确保产品符合规范要求。并且加强产品的温升测试,在生产过程中对电源进行多次测试,及时发现不合格产品,以便及早调整。
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【调通要点】
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3 @* s0 h$ H7 y5 O+ E如上图首先通过对各元器件进行点温,观察各元器件的温度变化,如图04号元器件为MOS管,点温才不到几分钟后,MOS的温度就达到了93.7度,而其它元器件温度较为正常,初步判定MOS管出现了问题。' C) k% k6 ?$ ^4 c" @
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4 ~$ Z& Y* M# Y如上图为再经过几分钟后的元器件温度(01-08为各元器件测试温度),继续观察。* Z! @% B% D: m* h5 j
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/ r- L$ N3 O# C. `, n f如上图可以明显看到,虽然所有的元器件(01-08为各元器件测试温度)温度都在持续上升,但都没有特别大的异常,唯独MOS高达116的温度,可以基本确定是MOS烧坏而导致样机老化时突然没有输出。 Z& d: S3 B9 @' W2 n4 \
/ l; b; L2 B! X) Y) H【最终结果】2 @/ C, j- ?( C
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经过测试后发现,测试元器件的温度都在正常范围内,唯独MOS管的温度变化格外异常(01为输出电容、02为同步IC CR85V25RSA、03为变压器磁芯、04为MOS管、05为IC XS2100S、06为主控IC TT9930、07为输入电容、08为变压器线圈、09为环温),经过不断尝试更换一颗同规格但不同厂家的MOS管,然后再进行老化及温度测试,样机正常工作。以下为替换MOS后的温升测试图片:. h6 f1 {# w2 t( N$ y, ?8 w
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该图为样机老化6小时后的温度,各器件温度已经稳定,全都在合理范围内。04号MOS温度稳定在72.2度左右,离击穿温度还有很大的余量,完全满足客户需求。如果更换MOS后温度还是没有改善,则需要考虑是否为布局问题,可能要重新设计。% b9 H" J. ^5 g1 w; l" k
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