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PoE电源模块不输出?可能是MOS管故障,解决方法请拿走~

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发表于 2023-6-21 10:21:57 | 显示全部楼层 |阅读模式
本帖最后由 思睿达小妹妹 于 2023-6-21 10:23 编辑
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作者:屈工有话说( M6 B4 i6 k' j2 I4 c/ \7 C! f: K3 D
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PoE(Power over Ethernet)是一种有线以太网供电技术,网线传输数据的同时具备直流供电能力。全面应用于POE交换机、IP摄像头、IP电话、无线AP、便携设备充电器、刷卡机、数据采集等供需端产品。而TT9930是一款用于以太网供电系统(POE,power over Ethernet)的DC/DC控制器,采用原边控制模式,内置200V高压MOS,具有较高的系统效率。
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( t2 q# S6 L- J$ ?' o- A/ p工程师在使用TT9930样机时发现,样机正常老化时,突然没有输出。经过排查后,怀疑MOS故障,本文将分享解决思路和要点。以下图片为该样机图片:+ B; w0 s; j, p1 \; }" S/ s6 z: W
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TT9930 样机图片
. J2 |8 s' i- X9 D; S6 [& c
【应用】视频监控/无线AP/IP电话等8 j' ]9 o; _( K3 r( a  q/ O
【规格】12V2A
: J- v/ t' q, Z# m【控制IC】TT9930
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【问题描述】
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样机正常老化时,突然没有输出。经过排查后,发现MOS管击穿且MOS管很烫,怀疑MOS烧坏,于是对其进行点温测试。以下是样机的测试图片:
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. e! X- v- i& p! S点温测试:测试重要元器件的温度,该测试的元器件分别有三个IC(主控TT9930、XS2100S、同步CR85V25RSA)、MOS管、输入大电容、两个输出电容、变压器磁芯和变压器线圈。* H5 Q, i9 q0 ]7 _

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如上图为测试环境,该测试在尽量密闭环境中进行,不会有大量空气流入,从而使得各元器件能快速达到温度平衡的状态。
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【解决思路】
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- @% }" H6 J  Q, R1、重新设计电源  S6 T+ j, t$ Q% j  p1 Z, q

1 ?' ^6 o0 T8 X. j首先,分析导致温度过高的原因,对电源进行重新设计。可以采用更高效的散热解决方案,例如增加散热片表面积、改善风道设计等。
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9 V5 V0 [; ^+ S4 o7 h8 g: E2、更换元器件
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应优先选择低内阻、低损耗、高效率的元器件,同时可以适当增加元器件数量及规格。2 s: s6 Y5 F# R6 m' \; b
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3、优化PCB布局
4 V+ a5 ~; @% F3 _  W2 i
, z2 A- F% u) p合理的PCB布局有助于减小电路电磁干扰,降低损耗和温升,减少系统噪声,提高抗干扰性。
) L4 u$ o$ H. m$ X  Z+ q# n- I
& {: ~2 R7 |- |2 N& P4、优化散热设计
0 o3 e( `9 b1 _! S
' g4 `0 l; p' Y7 K) P3 W通过优化散热设计来降低温度,如增加散热片面积、优化风道设计、增加风扇数量和转速等。2 S) |( |! r: H8 A: M# R' K
7 u4 h6 @: @' q" x+ a9 p& A
5、加强制造与测试管理2 v4 t! c/ ?. w% O3 _
6 a' _/ B" L4 C  D
加强制造工艺控制和良品率管理,确保产品符合规范要求。并且加强产品的温升测试,在生产过程中对电源进行多次测试,及时发现不合格产品,以便及早调整。
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- r$ R8 T2 C# f% B7 P【调通要点】4 ]# H3 K' V& i  \) ?- U6 P1 U

. Z( o( p( f( l1 t* f5 o" b如上图首先通过对各元器件进行点温,观察各元器件的温度变化,如图04号元器件为MOS管,点温才不到几分钟后,MOS的温度就达到了93.7度,而其它元器件温度较为正常,初步判定MOS管出现了问题。5 f. s& [% i0 E

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如上图为再经过几分钟后的元器件温度(01-08为各元器件测试温度),继续观察。
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' I" \- O8 E7 y6 H如上图可以明显看到,虽然所有的元器件(01-08为各元器件测试温度)温度都在持续上升,但都没有特别大的异常,唯独MOS高达116的温度,可以基本确定是MOS烧坏而导致样机老化时突然没有输出。
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【最终结果】6 |& v8 `* V, }4 ^& q

# R" `: h7 n( c( K, A8 w经过测试后发现,测试元器件的温度都在正常范围内,唯独MOS管的温度变化格外异常(01为输出电容、02为同步IC CR85V25RSA、03为变压器磁芯、04为MOS管、05为IC XS2100S、06为主控IC TT9930、07为输入电容、08为变压器线圈、09为环温),经过不断尝试更换一颗同规格但不同厂家的MOS管,然后再进行老化及温度测试,样机正常工作。以下为替换MOS后的温升测试图片:# q, m' F0 n% S0 |1 n! ?0 X2 B

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该图为样机老化6小时后的温度,各器件温度已经稳定,全都在合理范围内。04号MOS温度稳定在72.2度左右,离击穿温度还有很大的余量,完全满足客户需求。如果更换MOS后温度还是没有改善,则需要考虑是否为布局问题,可能要重新设计。
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