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PoE电源模块不输出?可能是MOS管故障,解决方法请拿走~

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发表于 2023-6-21 10:21:57 | 显示全部楼层 |阅读模式
本帖最后由 思睿达小妹妹 于 2023-6-21 10:23 编辑
9 W2 X! {' d8 V0 C0 b! g5 U$ m
2 d9 m  \& G/ y* g' S+ y作者:屈工有话说
, A: f( W) D6 h! H, M8 N8 K0 H8 B. d/ }
PoE(Power over Ethernet)是一种有线以太网供电技术,网线传输数据的同时具备直流供电能力。全面应用于POE交换机、IP摄像头、IP电话、无线AP、便携设备充电器、刷卡机、数据采集等供需端产品。而TT9930是一款用于以太网供电系统(POE,power over Ethernet)的DC/DC控制器,采用原边控制模式,内置200V高压MOS,具有较高的系统效率。
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4 J% x3 b' z% h工程师在使用TT9930样机时发现,样机正常老化时,突然没有输出。经过排查后,怀疑MOS故障,本文将分享解决思路和要点。以下图片为该样机图片:
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TT9930 样机图片

; i- e' S8 P4 r( I1 @3 U【应用】视频监控/无线AP/IP电话等" |/ A! `5 z3 L  [6 O* S
【规格】12V2A
  \# P* g' [5 Y! p【控制IC】TT99308 u% z# H+ I5 }: E; J

3 D) U% c) o% C+ n5 _【问题描述】- `. `! x7 d' C( |( D
1 W' H# I: L5 u- Y7 z5 l# r: ]) [2 d  A
样机正常老化时,突然没有输出。经过排查后,发现MOS管击穿且MOS管很烫,怀疑MOS烧坏,于是对其进行点温测试。以下是样机的测试图片:9 m* y7 s+ L% S0 `3 [1 V: n2 f

' e+ _: I& @* E3 b

: c' M( }' `; \& e1 a点温测试:测试重要元器件的温度,该测试的元器件分别有三个IC(主控TT9930、XS2100S、同步CR85V25RSA)、MOS管、输入大电容、两个输出电容、变压器磁芯和变压器线圈。
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如上图为测试环境,该测试在尽量密闭环境中进行,不会有大量空气流入,从而使得各元器件能快速达到温度平衡的状态。5 u0 S* f6 V$ x/ O
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【解决思路】# v, {3 t& D8 Z/ D
1 ^5 r" e3 g" i) Z4 f
1、重新设计电源  ^6 W3 k, ?+ J: D, }! h
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首先,分析导致温度过高的原因,对电源进行重新设计。可以采用更高效的散热解决方案,例如增加散热片表面积、改善风道设计等。
$ e( A; [- r! y- B: _; ^! u3 ~) K6 L5 I9 D8 \8 H; d
2、更换元器件
9 n- S* L/ ~  M; a' A. h
( Z7 l5 o5 d1 b5 o) a应优先选择低内阻、低损耗、高效率的元器件,同时可以适当增加元器件数量及规格。
4 m& I2 S3 t; \/ [
% {; P  h9 b  M5 `# ?3、优化PCB布局/ p$ c5 S4 ]+ q% J$ f. A+ t9 Y
2 I3 z: r7 n/ h1 Z
合理的PCB布局有助于减小电路电磁干扰,降低损耗和温升,减少系统噪声,提高抗干扰性。7 D% q* N7 ]9 d" n; g7 ]7 @, t7 q
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4、优化散热设计
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2 L5 i7 L( z+ P# T: |通过优化散热设计来降低温度,如增加散热片面积、优化风道设计、增加风扇数量和转速等。4 |) B$ ?: M0 @  E6 K. K' A
' x# D. g6 L# C* R# N! T# t4 p7 k
5、加强制造与测试管理
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9 O0 j- P( e4 U3 P) g3 N% w) d' p加强制造工艺控制和良品率管理,确保产品符合规范要求。并且加强产品的温升测试,在生产过程中对电源进行多次测试,及时发现不合格产品,以便及早调整。, _3 ~  ?9 y: |4 ^
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【调通要点】% o( S! P; X2 m$ r7 e2 c4 h8 e. V) p
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如上图首先通过对各元器件进行点温,观察各元器件的温度变化,如图04号元器件为MOS管,点温才不到几分钟后,MOS的温度就达到了93.7度,而其它元器件温度较为正常,初步判定MOS管出现了问题。2 J; s( o! Y1 \* V+ V

5 o8 x8 O) Q9 k5 r$ i
* q0 }" Y' d( f( ?/ d
如上图为再经过几分钟后的元器件温度(01-08为各元器件测试温度),继续观察。$ @! {% ^/ n2 \2 `1 ]! b7 b

6 R# d% V  s% Q

5 a, W: K* w6 ]6 C' ?9 ?如上图可以明显看到,虽然所有的元器件(01-08为各元器件测试温度)温度都在持续上升,但都没有特别大的异常,唯独MOS高达116的温度,可以基本确定是MOS烧坏而导致样机老化时突然没有输出。7 A, v$ a% M/ Y* X% c

1 y7 I" |  p1 d/ p5 l' L& x【最终结果】
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经过测试后发现,测试元器件的温度都在正常范围内,唯独MOS管的温度变化格外异常(01为输出电容、02为同步IC CR85V25RSA、03为变压器磁芯、04为MOS管、05为IC XS2100S、06为主控IC TT9930、07为输入电容、08为变压器线圈、09为环温),经过不断尝试更换一颗同规格但不同厂家的MOS管,然后再进行老化及温度测试,样机正常工作。以下为替换MOS后的温升测试图片:
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0 t! W" ^. `3 `8 b
该图为样机老化6小时后的温度,各器件温度已经稳定,全都在合理范围内。04号MOS温度稳定在72.2度左右,离击穿温度还有很大的余量,完全满足客户需求。如果更换MOS后温度还是没有改善,则需要考虑是否为布局问题,可能要重新设计。  s7 p: O+ i, {4 {# I& I

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