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PoE电源模块不输出?可能是MOS管故障,解决方法请拿走~

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发表于 2023-6-21 10:21:57 | 显示全部楼层 |阅读模式
本帖最后由 思睿达小妹妹 于 2023-6-21 10:23 编辑
8 L, s- G7 r  U8 R2 Q, L; U% d7 d8 c/ X7 C' j' q8 ~
作者:屈工有话说
3 T) c0 a$ k4 ?. Q- `$ |1 U
8 K( |/ ~0 Z7 vPoE(Power over Ethernet)是一种有线以太网供电技术,网线传输数据的同时具备直流供电能力。全面应用于POE交换机、IP摄像头、IP电话、无线AP、便携设备充电器、刷卡机、数据采集等供需端产品。而TT9930是一款用于以太网供电系统(POE,power over Ethernet)的DC/DC控制器,采用原边控制模式,内置200V高压MOS,具有较高的系统效率。2 z6 c/ ^' x3 _" f

' i- ]+ Y0 ^/ \* l- ?4 B7 ?  o工程师在使用TT9930样机时发现,样机正常老化时,突然没有输出。经过排查后,怀疑MOS故障,本文将分享解决思路和要点。以下图片为该样机图片:
8 {# K& B1 j( H6 ?: V) d1 @' N. S& Y. J. P% A8 d1 l1 B1 Z  `9 b- T, O
TT9930 样机图片

- h( t; x2 R! m( K8 |1 v+ B0 t【应用】视频监控/无线AP/IP电话等  b4 K8 ^" @8 i. K
【规格】12V2A
( X% V8 s+ Z" r) C8 ?1 C6 K- t【控制IC】TT9930
6 Q% F, x8 U- R, P& h# i$ E
, N- B  g( ]5 y8 f【问题描述】
$ W/ o' I+ U/ {6 S/ E1 m/ a( c$ a1 S
样机正常老化时,突然没有输出。经过排查后,发现MOS管击穿且MOS管很烫,怀疑MOS烧坏,于是对其进行点温测试。以下是样机的测试图片:
* h" j8 ~0 q2 p! _4 _- h7 b, i1 D) E2 D- X' o3 r# y3 F) S* c
/ W4 n9 Q8 T2 S6 j4 [6 @# d
点温测试:测试重要元器件的温度,该测试的元器件分别有三个IC(主控TT9930、XS2100S、同步CR85V25RSA)、MOS管、输入大电容、两个输出电容、变压器磁芯和变压器线圈。) p( L1 f! A/ d# ]
0 b3 w& ^1 K! B5 [9 W# h" ?

' R: }& x7 Q  f1 l0 f如上图为测试环境,该测试在尽量密闭环境中进行,不会有大量空气流入,从而使得各元器件能快速达到温度平衡的状态。# L+ }% t. n0 T

* V6 u# |; K! n) K7 t【解决思路】5 M5 L' z% `( j9 a0 s5 V
& Q" f; |0 V% X' k. l. {4 O. V, R
1、重新设计电源, o$ ]- E/ r7 P+ t& p

8 u1 p: a( s% a2 A, I3 v8 h8 f1 @首先,分析导致温度过高的原因,对电源进行重新设计。可以采用更高效的散热解决方案,例如增加散热片表面积、改善风道设计等。: }, p( Q4 O( \! {  B2 N
- y2 _3 h+ a! j% _5 k# q
2、更换元器件
4 X/ F/ m' V1 o1 T5 ~1 D  t: _0 B4 ~, ]' v# K* L) R+ k+ l
应优先选择低内阻、低损耗、高效率的元器件,同时可以适当增加元器件数量及规格。+ w- P5 b. Y5 q
5 w2 b' G8 H  I4 z$ n6 v* g7 q
3、优化PCB布局
$ v9 X9 G4 @" j8 R. O' ?
9 `. l$ g- w- k( M" d合理的PCB布局有助于减小电路电磁干扰,降低损耗和温升,减少系统噪声,提高抗干扰性。
- l2 w) e- e" C9 y8 t
" x/ [9 \  u5 P4、优化散热设计, s* M* Q" |5 `! `+ G8 d, R; k" Q
/ |& b9 d+ ^( J, N4 G! S
通过优化散热设计来降低温度,如增加散热片面积、优化风道设计、增加风扇数量和转速等。
( }, w& q4 C2 l' J8 O
$ d. G- e5 m: q" F+ N# q5、加强制造与测试管理6 |; `1 r5 A  k- k
, E0 q* m5 U! G3 B4 `8 A$ a5 u  S
加强制造工艺控制和良品率管理,确保产品符合规范要求。并且加强产品的温升测试,在生产过程中对电源进行多次测试,及时发现不合格产品,以便及早调整。% H: k8 e% O; p/ {; x6 q
( M( d- I  Z' N3 H9 Z
【调通要点】3 f& B+ I) Z' }  l1 w, D/ }( I- [

+ Z1 i$ X6 m6 k) s4 d  T1 W如上图首先通过对各元器件进行点温,观察各元器件的温度变化,如图04号元器件为MOS管,点温才不到几分钟后,MOS的温度就达到了93.7度,而其它元器件温度较为正常,初步判定MOS管出现了问题。, ]6 I$ f- r9 w9 z+ [9 v0 @$ l2 d

3 X1 |) h- W- `' s

1 E& ]' @! H- K1 f+ b( I如上图为再经过几分钟后的元器件温度(01-08为各元器件测试温度),继续观察。
+ T1 k  k& u+ w
' H9 q4 s: _3 g

+ k1 S4 u- }. h6 Z$ W1 v) p如上图可以明显看到,虽然所有的元器件(01-08为各元器件测试温度)温度都在持续上升,但都没有特别大的异常,唯独MOS高达116的温度,可以基本确定是MOS烧坏而导致样机老化时突然没有输出。+ y: N5 Z, m" e6 q6 P
: O3 o1 K' U  e% |
【最终结果】
) j4 O0 R1 R- F
" a# u% Y$ u, F9 t% D+ n经过测试后发现,测试元器件的温度都在正常范围内,唯独MOS管的温度变化格外异常(01为输出电容、02为同步IC CR85V25RSA、03为变压器磁芯、04为MOS管、05为IC XS2100S、06为主控IC TT9930、07为输入电容、08为变压器线圈、09为环温),经过不断尝试更换一颗同规格但不同厂家的MOS管,然后再进行老化及温度测试,样机正常工作。以下为替换MOS后的温升测试图片:. A: O$ V( m* i0 x. Z( Y
% M. \; s) u4 F

# h2 P* C% j0 P2 X* L" J该图为样机老化6小时后的温度,各器件温度已经稳定,全都在合理范围内。04号MOS温度稳定在72.2度左右,离击穿温度还有很大的余量,完全满足客户需求。如果更换MOS后温度还是没有改善,则需要考虑是否为布局问题,可能要重新设计。! c) f: U6 i, @0 N9 O, S' Q! t
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