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本帖最后由 思睿达小妹妹 于 2023-6-21 10:23 编辑 ) j- Z/ N O0 m' ~) I: \; w. n
+ K$ x/ f" H( b7 \作者:屈工有话说8 L! {4 y1 h# R+ d
$ c( F8 Z: \5 wPoE(Power over Ethernet)是一种有线以太网供电技术,网线传输数据的同时具备直流供电能力。全面应用于POE交换机、IP摄像头、IP电话、无线AP、便携设备充电器、刷卡机、数据采集等供需端产品。而TT9930是一款用于以太网供电系统(POE,power over Ethernet)的DC/DC控制器,采用原边控制模式,内置200V高压MOS,具有较高的系统效率。; \6 k9 C9 D# d
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工程师在使用TT9930样机时发现,样机正常老化时,突然没有输出。经过排查后,怀疑MOS故障,本文将分享解决思路和要点。以下图片为该样机图片:
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1 ?2 a3 o! d! l, y0 c; ]2 d9 ^3 E" RTT9930 样机图片 , x5 H; z# r/ a/ b
【应用】视频监控/无线AP/IP电话等
! D, _/ t. m! H8 N: W【规格】12V2A
" t; S0 ~3 ^% f/ q: l【控制IC】TT9930$ `3 b4 ~" \( x# X7 M" c
$ Y4 ^! s/ x+ x9 h' ?( g【问题描述】
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样机正常老化时,突然没有输出。经过排查后,发现MOS管击穿且MOS管很烫,怀疑MOS烧坏,于是对其进行点温测试。以下是样机的测试图片:
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. q- @ S- a7 x) w! c点温测试:测试重要元器件的温度,该测试的元器件分别有三个IC(主控TT9930、XS2100S、同步CR85V25RSA)、MOS管、输入大电容、两个输出电容、变压器磁芯和变压器线圈。
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4 k* l" r1 f3 q; \& Z7 ~( m. Y如上图为测试环境,该测试在尽量密闭环境中进行,不会有大量空气流入,从而使得各元器件能快速达到温度平衡的状态。
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【解决思路】
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* y7 l2 C: D# }/ h. [: J: K9 g, [1、重新设计电源( b) C* C$ X/ U
6 t- ~5 E# W: ]9 [' i! Y% Y首先,分析导致温度过高的原因,对电源进行重新设计。可以采用更高效的散热解决方案,例如增加散热片表面积、改善风道设计等。
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, V* M) l4 g; V3 l, N3 r1 q7 v2、更换元器件
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应优先选择低内阻、低损耗、高效率的元器件,同时可以适当增加元器件数量及规格。8 G1 t7 {* u* U) X7 c
) g1 t. q* r2 D! S& e3、优化PCB布局; f# w- e- u! l) P+ t
/ o4 x, o: Y! O; ^8 l: D! f7 A/ K合理的PCB布局有助于减小电路电磁干扰,降低损耗和温升,减少系统噪声,提高抗干扰性。4 ` I9 s$ [; @
+ O3 L5 \0 o& \+ q& R$ t! x4 E4、优化散热设计
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2 T/ [2 Y& q9 O; r; \通过优化散热设计来降低温度,如增加散热片面积、优化风道设计、增加风扇数量和转速等。
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( ~$ A( `( y0 G. G5、加强制造与测试管理8 Z9 B( |. F- P' Z
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加强制造工艺控制和良品率管理,确保产品符合规范要求。并且加强产品的温升测试,在生产过程中对电源进行多次测试,及时发现不合格产品,以便及早调整。* \6 a% `2 a+ @9 S$ z' [0 {% |
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【调通要点】( u, X \& J. Y- d/ ]0 n
; V/ E6 G4 S4 _: }如上图首先通过对各元器件进行点温,观察各元器件的温度变化,如图04号元器件为MOS管,点温才不到几分钟后,MOS的温度就达到了93.7度,而其它元器件温度较为正常,初步判定MOS管出现了问题。
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如上图为再经过几分钟后的元器件温度(01-08为各元器件测试温度),继续观察。2 p3 m+ l! R* u+ E% E0 \- q4 U
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如上图可以明显看到,虽然所有的元器件(01-08为各元器件测试温度)温度都在持续上升,但都没有特别大的异常,唯独MOS高达116的温度,可以基本确定是MOS烧坏而导致样机老化时突然没有输出。% j* q1 u5 y9 Y& R" ]
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【最终结果】
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$ c8 z" ~5 ~4 r9 K5 R0 o8 F经过测试后发现,测试元器件的温度都在正常范围内,唯独MOS管的温度变化格外异常(01为输出电容、02为同步IC CR85V25RSA、03为变压器磁芯、04为MOS管、05为IC XS2100S、06为主控IC TT9930、07为输入电容、08为变压器线圈、09为环温),经过不断尝试更换一颗同规格但不同厂家的MOS管,然后再进行老化及温度测试,样机正常工作。以下为替换MOS后的温升测试图片:4 j( }- s& c4 s4 r7 h! X1 B
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该图为样机老化6小时后的温度,各器件温度已经稳定,全都在合理范围内。04号MOS温度稳定在72.2度左右,离击穿温度还有很大的余量,完全满足客户需求。如果更换MOS后温度还是没有改善,则需要考虑是否为布局问题,可能要重新设计。, y0 l7 u9 y) |9 p8 q" N
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