|
本帖最后由 思睿达小妹妹 于 2023-6-21 10:23 编辑
h7 q9 |9 V' a& [% G/ K* J
$ K3 o* @9 B% `' w( a9 b1 x+ q9 T; A作者:屈工有话说- t" i' z. \ S/ M" ?3 h' i* c) b9 N
: _- f9 C3 ~8 u, ^: ]) a9 y0 H h" _
PoE(Power over Ethernet)是一种有线以太网供电技术,网线传输数据的同时具备直流供电能力。全面应用于POE交换机、IP摄像头、IP电话、无线AP、便携设备充电器、刷卡机、数据采集等供需端产品。而TT9930是一款用于以太网供电系统(POE,power over Ethernet)的DC/DC控制器,采用原边控制模式,内置200V高压MOS,具有较高的系统效率。% A, ~" o3 D$ \) l0 q% w
( a+ Y# Y2 `, y
工程师在使用TT9930样机时发现,样机正常老化时,突然没有输出。经过排查后,怀疑MOS故障,本文将分享解决思路和要点。以下图片为该样机图片:
$ E7 w5 f; {3 c
, T% g6 F- D3 `$ i% gTT9930 样机图片
; q% X6 X) \% ~8 S【应用】视频监控/无线AP/IP电话等# p/ c8 u: R% F- j* _
【规格】12V2A2 h4 T2 W/ H; J/ m" u& F
【控制IC】TT9930. G) ^. a& m# u2 I
3 U3 h- C( O: K9 v8 T/ E
【问题描述】
! U4 W8 x0 R3 P8 ^( {% g! x' z1 i" t7 ?
样机正常老化时,突然没有输出。经过排查后,发现MOS管击穿且MOS管很烫,怀疑MOS烧坏,于是对其进行点温测试。以下是样机的测试图片:: U3 v. Z# g+ j; i4 X( x6 f" H
( s7 z, K* U4 Q- q( G7 i2 g# S- M) z% x" X( x
点温测试:测试重要元器件的温度,该测试的元器件分别有三个IC(主控TT9930、XS2100S、同步CR85V25RSA)、MOS管、输入大电容、两个输出电容、变压器磁芯和变压器线圈。+ M: t1 q! ~# J$ r
6 S/ N" c* f0 o/ v: ~+ K
- f+ g& M9 d2 [ ]: b如上图为测试环境,该测试在尽量密闭环境中进行,不会有大量空气流入,从而使得各元器件能快速达到温度平衡的状态。" m. z- g" H4 Y3 x j- d
: B% U1 a) X% x* K3 y【解决思路】
, {3 [ _) I7 _9 n3 j- n5 K, R
6 W7 s/ t5 U( i& z; | I. c1、重新设计电源
1 W1 k" H8 ^9 { A, \6 q* H% C }" e) J2 L2 `7 J4 X
首先,分析导致温度过高的原因,对电源进行重新设计。可以采用更高效的散热解决方案,例如增加散热片表面积、改善风道设计等。
' N0 y+ ^4 I& i! Q
8 M( Q6 Q4 Z4 s7 k2、更换元器件
2 U; d0 m. W7 x' V
' t# }7 |" }) b v# Q应优先选择低内阻、低损耗、高效率的元器件,同时可以适当增加元器件数量及规格。
/ c* i) e4 j2 v6 F8 [2 X! r# v& R* }7 ^! Z4 e
3、优化PCB布局( x1 y4 L6 i- s, Q. @: [
8 f6 \' W7 H* V; B: I/ S2 K合理的PCB布局有助于减小电路电磁干扰,降低损耗和温升,减少系统噪声,提高抗干扰性。- n8 c- K9 f" |% H
* e$ [. f& N" M7 v4、优化散热设计4 \3 h4 e' j7 e4 `, ~. J$ D7 r
3 U+ l7 T" D# l4 l3 Q3 p# H
通过优化散热设计来降低温度,如增加散热片面积、优化风道设计、增加风扇数量和转速等。
, W: h9 L$ e; B5 N' M% n8 n! m6 h6 _+ M
5、加强制造与测试管理, W4 o3 j' h [& h. ?& w
! W# A+ _! {9 F加强制造工艺控制和良品率管理,确保产品符合规范要求。并且加强产品的温升测试,在生产过程中对电源进行多次测试,及时发现不合格产品,以便及早调整。' C( G$ h8 g6 j* _! D" l
' r7 {2 V7 O4 O【调通要点】
6 l# B/ E( P ~7 l P; N) K" H Q- A3 q
如上图首先通过对各元器件进行点温,观察各元器件的温度变化,如图04号元器件为MOS管,点温才不到几分钟后,MOS的温度就达到了93.7度,而其它元器件温度较为正常,初步判定MOS管出现了问题。
q a& I/ K6 t
- |! w: M. ?+ Q8 N8 L" a" z% V- ^1 q! X2 d: v0 l0 D9 @
如上图为再经过几分钟后的元器件温度(01-08为各元器件测试温度),继续观察。! V# F5 ^7 W0 ~. P, J' B3 S7 ^
( }4 V g" G3 v' p/ g/ S+ Q" _8 N4 T' F# `- {6 A( O# D
如上图可以明显看到,虽然所有的元器件(01-08为各元器件测试温度)温度都在持续上升,但都没有特别大的异常,唯独MOS高达116的温度,可以基本确定是MOS烧坏而导致样机老化时突然没有输出。4 Q" C7 K# o1 C w5 z
# l8 l; j; S. J% v3 h' D! ]) S【最终结果】
, \0 W7 Z+ ~1 j7 K! J0 j i2 _) d& k
8 o. B! c: C# ]2 ^+ F! r" w, N经过测试后发现,测试元器件的温度都在正常范围内,唯独MOS管的温度变化格外异常(01为输出电容、02为同步IC CR85V25RSA、03为变压器磁芯、04为MOS管、05为IC XS2100S、06为主控IC TT9930、07为输入电容、08为变压器线圈、09为环温),经过不断尝试更换一颗同规格但不同厂家的MOS管,然后再进行老化及温度测试,样机正常工作。以下为替换MOS后的温升测试图片:
( `: f- N* @6 G8 H! `9 H' X/ L) l. ~1 Q: _. e* F
! H+ H1 ?7 l8 E! }! u该图为样机老化6小时后的温度,各器件温度已经稳定,全都在合理范围内。04号MOS温度稳定在72.2度左右,离击穿温度还有很大的余量,完全满足客户需求。如果更换MOS后温度还是没有改善,则需要考虑是否为布局问题,可能要重新设计。# e9 V J1 V: \$ {# y
" g& }2 D2 ^; J4 l! K |
本帖子中包含更多资源
您需要 登录 才可以下载或查看,没有帐号?注册
x
|