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本帖最后由 思睿达小妹妹 于 2023-6-21 10:23 编辑 9 B: |, k& V. ?. H& [6 \0 p
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作者:屈工有话说/ X# {4 F7 n4 e8 K: d
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PoE(Power over Ethernet)是一种有线以太网供电技术,网线传输数据的同时具备直流供电能力。全面应用于POE交换机、IP摄像头、IP电话、无线AP、便携设备充电器、刷卡机、数据采集等供需端产品。而TT9930是一款用于以太网供电系统(POE,power over Ethernet)的DC/DC控制器,采用原边控制模式,内置200V高压MOS,具有较高的系统效率。
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工程师在使用TT9930样机时发现,样机正常老化时,突然没有输出。经过排查后,怀疑MOS故障,本文将分享解决思路和要点。以下图片为该样机图片:3 K0 H, Z2 {( a6 D( z O* l
1 a+ q/ q5 [3 a2 H+ t$ o2 e$ XTT9930 样机图片
. Y I' D5 t) G% M* q( j+ {【应用】视频监控/无线AP/IP电话等
! @0 B8 a/ E/ l0 L, w【规格】12V2A
8 b/ V' Y9 u Q1 d& `( p. ~【控制IC】TT9930
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$ ~7 U4 [, M" ]# M/ {% @【问题描述】2 @0 i* F" r \+ f- j# Q
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样机正常老化时,突然没有输出。经过排查后,发现MOS管击穿且MOS管很烫,怀疑MOS烧坏,于是对其进行点温测试。以下是样机的测试图片:
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) [. {3 U. A; B) [1 f点温测试:测试重要元器件的温度,该测试的元器件分别有三个IC(主控TT9930、XS2100S、同步CR85V25RSA)、MOS管、输入大电容、两个输出电容、变压器磁芯和变压器线圈。9 H) S/ Q, P, D; x8 D7 L
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5 A4 K: V6 N9 z如上图为测试环境,该测试在尽量密闭环境中进行,不会有大量空气流入,从而使得各元器件能快速达到温度平衡的状态。 x# w, U/ ?; Q. N
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【解决思路】' v% D/ W+ n. r2 r% X! _7 n" O. }
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1、重新设计电源
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0 Z4 F4 h2 _, U0 b首先,分析导致温度过高的原因,对电源进行重新设计。可以采用更高效的散热解决方案,例如增加散热片表面积、改善风道设计等。# X/ X* i2 L/ ? v
" c/ }" [) F' F: a6 P$ J6 @ g2、更换元器件
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1 W1 [7 _6 d. T0 }# u# v应优先选择低内阻、低损耗、高效率的元器件,同时可以适当增加元器件数量及规格。. w2 u/ y% H; K/ |+ g
$ N+ r$ U, T2 o i3、优化PCB布局
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合理的PCB布局有助于减小电路电磁干扰,降低损耗和温升,减少系统噪声,提高抗干扰性。
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! }6 y+ q6 t, q3 P, ]4、优化散热设计# z9 u9 p1 y7 p8 W1 h
5 D5 a+ d6 k) X1 h# y; L通过优化散热设计来降低温度,如增加散热片面积、优化风道设计、增加风扇数量和转速等。
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5、加强制造与测试管理
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加强制造工艺控制和良品率管理,确保产品符合规范要求。并且加强产品的温升测试,在生产过程中对电源进行多次测试,及时发现不合格产品,以便及早调整。 L7 {9 W6 s) C- j& a
+ Q$ k, y4 y. ^' h" V1 [【调通要点】# K% a1 ^$ J7 @6 ~0 T# c2 g7 U4 e
* c% m0 r1 w3 ~. q/ s7 X5 ?如上图首先通过对各元器件进行点温,观察各元器件的温度变化,如图04号元器件为MOS管,点温才不到几分钟后,MOS的温度就达到了93.7度,而其它元器件温度较为正常,初步判定MOS管出现了问题。
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. `3 l0 F' z" K% `# G如上图为再经过几分钟后的元器件温度(01-08为各元器件测试温度),继续观察。
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+ @$ _% f( C7 }6 S: `如上图可以明显看到,虽然所有的元器件(01-08为各元器件测试温度)温度都在持续上升,但都没有特别大的异常,唯独MOS高达116的温度,可以基本确定是MOS烧坏而导致样机老化时突然没有输出。7 v9 Q k% n7 W' w. G, i
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【最终结果】 H6 m+ ~/ M2 z. t# }
+ M2 j% i5 L% R/ `7 L经过测试后发现,测试元器件的温度都在正常范围内,唯独MOS管的温度变化格外异常(01为输出电容、02为同步IC CR85V25RSA、03为变压器磁芯、04为MOS管、05为IC XS2100S、06为主控IC TT9930、07为输入电容、08为变压器线圈、09为环温),经过不断尝试更换一颗同规格但不同厂家的MOS管,然后再进行老化及温度测试,样机正常工作。以下为替换MOS后的温升测试图片:
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+ Z2 B$ j& J" b3 B% p" E该图为样机老化6小时后的温度,各器件温度已经稳定,全都在合理范围内。04号MOS温度稳定在72.2度左右,离击穿温度还有很大的余量,完全满足客户需求。如果更换MOS后温度还是没有改善,则需要考虑是否为布局问题,可能要重新设计。, C; R7 t0 L# _4 K6 ~2 ~' [
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