中国安防论坛

 找回密码
 注册
查看: 12186|回复: 0

PoE电源模块不输出?可能是MOS管故障,解决方法请拿走~

[复制链接]

安防偶像

Rank: 7Rank: 7Rank: 7

积分
1715
发表于 2023-6-21 10:21:57 | 显示全部楼层 |阅读模式
本帖最后由 思睿达小妹妹 于 2023-6-21 10:23 编辑
# j3 e% \: l/ I/ d  ~
8 s4 P, u" o8 h  ?  f1 ^作者:屈工有话说
$ q2 M1 a2 ?' c
: Q" z8 I" u5 K( Y7 l+ `PoE(Power over Ethernet)是一种有线以太网供电技术,网线传输数据的同时具备直流供电能力。全面应用于POE交换机、IP摄像头、IP电话、无线AP、便携设备充电器、刷卡机、数据采集等供需端产品。而TT9930是一款用于以太网供电系统(POE,power over Ethernet)的DC/DC控制器,采用原边控制模式,内置200V高压MOS,具有较高的系统效率。
/ i9 A* h# ?  c: a% E# {  d
+ C2 G/ Q% G. K工程师在使用TT9930样机时发现,样机正常老化时,突然没有输出。经过排查后,怀疑MOS故障,本文将分享解决思路和要点。以下图片为该样机图片:
% [6 u4 P# ^! G/ {- D9 k' o* @& C1 G9 z) y9 a' e* L* Y
TT9930 样机图片

* s1 i6 U+ K( `! {- q( Y# J【应用】视频监控/无线AP/IP电话等
2 A' |& v7 P" N8 {( l- T0 n( H【规格】12V2A
( X9 U# I. W- Q5 w. \# ?5 [- @【控制IC】TT9930* f: k/ I* @& u% F  n+ A: Y
  P6 Z% S8 d4 E% |. _
【问题描述】
5 r2 r% w$ l/ |$ S" ^; k* X9 u  o
$ r0 ^. i* l- f+ {8 K7 t样机正常老化时,突然没有输出。经过排查后,发现MOS管击穿且MOS管很烫,怀疑MOS烧坏,于是对其进行点温测试。以下是样机的测试图片:' n3 V1 M- h( h8 W. K
$ U0 m; W/ E6 J' c" Y' D  `6 @

" @4 ?  P# s$ [点温测试:测试重要元器件的温度,该测试的元器件分别有三个IC(主控TT9930、XS2100S、同步CR85V25RSA)、MOS管、输入大电容、两个输出电容、变压器磁芯和变压器线圈。) X' R# B3 N2 j( W  T2 G; r) [( T
9 l6 U9 t) M6 C5 G9 c

% A6 H9 T" }) T& `- V1 X如上图为测试环境,该测试在尽量密闭环境中进行,不会有大量空气流入,从而使得各元器件能快速达到温度平衡的状态。6 h. b! Z5 t/ u5 e
/ {# s6 x, U  d; v! H
【解决思路】
5 m% V# r5 E( t! T6 u/ ~+ g! Y- U$ j0 [/ }. g
1、重新设计电源
/ @7 I7 K! g# m# G9 m1 ]
9 }1 A( r  W# v2 a7 Y: b) {8 n2 g7 Y首先,分析导致温度过高的原因,对电源进行重新设计。可以采用更高效的散热解决方案,例如增加散热片表面积、改善风道设计等。
! j/ x# E* q3 ], m
* |) L& ]& w, H. A4 [( K, y; p2、更换元器件9 z+ V' l- t  A, F. x
$ f) W+ ~+ z# Y- H& v9 S& n) D" |
应优先选择低内阻、低损耗、高效率的元器件,同时可以适当增加元器件数量及规格。
9 s4 f% ~+ p1 T% b. z8 L# X
( s  U/ d& r3 X& Z9 P" u$ V3、优化PCB布局* s) J) q& j& f' g2 r

+ B+ m* T7 P' F" X: M/ w6 J1 q合理的PCB布局有助于减小电路电磁干扰,降低损耗和温升,减少系统噪声,提高抗干扰性。
' x. U7 T  \7 E* T6 \, i& L) D  b# g
4、优化散热设计
  r. h2 x1 K  E
3 j8 q8 [  L0 J* u2 O/ j通过优化散热设计来降低温度,如增加散热片面积、优化风道设计、增加风扇数量和转速等。0 X. z; A; @; h/ o; J" N; ^) W: h

) l- o+ c* |5 e  \/ X2 p, W$ u8 z5、加强制造与测试管理
% w8 T+ t/ S. y& b3 G* x" {% |: Q  L
加强制造工艺控制和良品率管理,确保产品符合规范要求。并且加强产品的温升测试,在生产过程中对电源进行多次测试,及时发现不合格产品,以便及早调整。& S* s4 H+ M8 u

$ f, b5 y% M4 a7 D! b【调通要点】
4 m( S5 ^# {) h, [' }

1 ~* [# ?1 B3 m4 H6 J如上图首先通过对各元器件进行点温,观察各元器件的温度变化,如图04号元器件为MOS管,点温才不到几分钟后,MOS的温度就达到了93.7度,而其它元器件温度较为正常,初步判定MOS管出现了问题。! j& T# R7 T8 `% {; p

9 v2 Q9 t" {9 F" j# q% ]4 {5 D

0 P( l/ B6 V+ j- n9 y2 }2 t7 h$ U& p如上图为再经过几分钟后的元器件温度(01-08为各元器件测试温度),继续观察。2 i! g0 r2 i: g9 `+ x
# b( {4 y  g  j% F) {
$ m& {' z2 X1 u1 E: O
如上图可以明显看到,虽然所有的元器件(01-08为各元器件测试温度)温度都在持续上升,但都没有特别大的异常,唯独MOS高达116的温度,可以基本确定是MOS烧坏而导致样机老化时突然没有输出。
% L0 g' p/ ?# l* F) m- B6 J  O! G. q8 U+ l% f8 @4 y/ a
【最终结果】, `9 \3 A, r0 B

  R0 m  w4 O$ k9 M经过测试后发现,测试元器件的温度都在正常范围内,唯独MOS管的温度变化格外异常(01为输出电容、02为同步IC CR85V25RSA、03为变压器磁芯、04为MOS管、05为IC XS2100S、06为主控IC TT9930、07为输入电容、08为变压器线圈、09为环温),经过不断尝试更换一颗同规格但不同厂家的MOS管,然后再进行老化及温度测试,样机正常工作。以下为替换MOS后的温升测试图片:
- H$ Q' N& {' v# m
+ j5 D$ R( i1 k$ Y. k, j5 O5 y* M

' x5 X) r0 ]' o8 l& \* T" t% u该图为样机老化6小时后的温度,各器件温度已经稳定,全都在合理范围内。04号MOS温度稳定在72.2度左右,离击穿温度还有很大的余量,完全满足客户需求。如果更换MOS后温度还是没有改善,则需要考虑是否为布局问题,可能要重新设计。
) x( o. q" y) K
- M& `2 E% {( Q7 y5 y

本帖子中包含更多资源

您需要 登录 才可以下载或查看,没有帐号?注册

x
思睿达联系人:何工 18923426660,欢迎来电咨询,申请样品。
您需要登录后才可以回帖 登录 | 注册

本版积分规则

安豆网|Archiver|手机版|中国安防论坛 ( 粤ICP备09063021号 )

GMT+8, 2026-9-15 14:04 , Processed in 0.068217 second(s), 23 queries .

Powered by Discuz! X3.4 Licensed

© 2001-2017 Comsenz Inc.

快速回复 返回顶部 返回列表