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本帖最后由 思睿达小妹妹 于 2023-6-21 10:23 编辑 " }) {7 Z6 ~! q: `, X* ]( F
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作者:屈工有话说
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PoE(Power over Ethernet)是一种有线以太网供电技术,网线传输数据的同时具备直流供电能力。全面应用于POE交换机、IP摄像头、IP电话、无线AP、便携设备充电器、刷卡机、数据采集等供需端产品。而TT9930是一款用于以太网供电系统(POE,power over Ethernet)的DC/DC控制器,采用原边控制模式,内置200V高压MOS,具有较高的系统效率。
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工程师在使用TT9930样机时发现,样机正常老化时,突然没有输出。经过排查后,怀疑MOS故障,本文将分享解决思路和要点。以下图片为该样机图片:( i* f0 T0 P+ I/ |" f7 |# s
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TT9930 样机图片
4 K8 z9 @; t+ x b【应用】视频监控/无线AP/IP电话等' [/ R! u) c3 G) q
【规格】12V2A' m6 Q% g3 S3 S
【控制IC】TT9930
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【问题描述】
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; j/ E. m9 u* H3 t' Z/ L, j- J样机正常老化时,突然没有输出。经过排查后,发现MOS管击穿且MOS管很烫,怀疑MOS烧坏,于是对其进行点温测试。以下是样机的测试图片:" m9 w/ j V) u7 _
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点温测试:测试重要元器件的温度,该测试的元器件分别有三个IC(主控TT9930、XS2100S、同步CR85V25RSA)、MOS管、输入大电容、两个输出电容、变压器磁芯和变压器线圈。
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8 A: C( u+ a# U! V% @9 \% M: l8 ~如上图为测试环境,该测试在尽量密闭环境中进行,不会有大量空气流入,从而使得各元器件能快速达到温度平衡的状态。& }& G5 X4 A* L: p( N4 ]8 c
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【解决思路】% s" y1 I5 w: [
/ H: t: X( J. n0 m" W) @1、重新设计电源2 x r2 R: _' J
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首先,分析导致温度过高的原因,对电源进行重新设计。可以采用更高效的散热解决方案,例如增加散热片表面积、改善风道设计等。
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7 _5 R" t4 P. d3 @) ?2、更换元器件
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% y% Y) F" w: d1 ?* S$ S应优先选择低内阻、低损耗、高效率的元器件,同时可以适当增加元器件数量及规格。: p$ j. W3 S- L8 a: H' f- x
; a; ?/ [" y+ I$ T* c4 a z4 h s3、优化PCB布局
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合理的PCB布局有助于减小电路电磁干扰,降低损耗和温升,减少系统噪声,提高抗干扰性。* [0 G% a! |3 h6 Q
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4、优化散热设计5 p" X0 X. f- n' F4 t1 g% B
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通过优化散热设计来降低温度,如增加散热片面积、优化风道设计、增加风扇数量和转速等。
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8 b- q2 h$ v3 d: a* a- c$ ]9 Y5、加强制造与测试管理2 _0 s! m5 l0 x4 h% Q1 u
, r, C8 K5 g1 Z( H% ]. }0 x加强制造工艺控制和良品率管理,确保产品符合规范要求。并且加强产品的温升测试,在生产过程中对电源进行多次测试,及时发现不合格产品,以便及早调整。$ u# r3 g1 ^- Z* @1 l; o) \5 x2 I
$ K% Q* g, y) o- t/ b5 f1 i) S8 U0 t2 O2 U【调通要点】/ ~, s. t% Y5 d* Y4 Q
; d7 |' y) u2 u% @' D S如上图首先通过对各元器件进行点温,观察各元器件的温度变化,如图04号元器件为MOS管,点温才不到几分钟后,MOS的温度就达到了93.7度,而其它元器件温度较为正常,初步判定MOS管出现了问题。9 @" t6 [: T o5 O) h/ r) [& `
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5 \6 h& F+ l" i# |- ?+ T2 i3 n0 A; h如上图为再经过几分钟后的元器件温度(01-08为各元器件测试温度),继续观察。
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9 b7 n) k: I, G如上图可以明显看到,虽然所有的元器件(01-08为各元器件测试温度)温度都在持续上升,但都没有特别大的异常,唯独MOS高达116的温度,可以基本确定是MOS烧坏而导致样机老化时突然没有输出。- a7 |( N" t7 R4 ]; \6 w& e) m
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【最终结果】
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9 Q6 h! O0 u; k! d! `+ U6 |$ Z经过测试后发现,测试元器件的温度都在正常范围内,唯独MOS管的温度变化格外异常(01为输出电容、02为同步IC CR85V25RSA、03为变压器磁芯、04为MOS管、05为IC XS2100S、06为主控IC TT9930、07为输入电容、08为变压器线圈、09为环温),经过不断尝试更换一颗同规格但不同厂家的MOS管,然后再进行老化及温度测试,样机正常工作。以下为替换MOS后的温升测试图片:. i# h3 s* o' P3 H# A8 g$ R' }/ ^
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u+ J, }: b0 J9 G; O1 t; q该图为样机老化6小时后的温度,各器件温度已经稳定,全都在合理范围内。04号MOS温度稳定在72.2度左右,离击穿温度还有很大的余量,完全满足客户需求。如果更换MOS后温度还是没有改善,则需要考虑是否为布局问题,可能要重新设计。
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