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本帖最后由 思睿达小妹妹 于 2023-6-21 10:23 编辑 : l; w4 ?) c1 v/ n2 Z7 R
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作者:屈工有话说1 n, a% S! U1 Y7 P0 r$ v
5 u7 e6 R9 ]0 A# s3 v* OPoE(Power over Ethernet)是一种有线以太网供电技术,网线传输数据的同时具备直流供电能力。全面应用于POE交换机、IP摄像头、IP电话、无线AP、便携设备充电器、刷卡机、数据采集等供需端产品。而TT9930是一款用于以太网供电系统(POE,power over Ethernet)的DC/DC控制器,采用原边控制模式,内置200V高压MOS,具有较高的系统效率。$ ~/ I2 I3 f2 D8 t
' T2 F$ S$ I( E2 x/ ^工程师在使用TT9930样机时发现,样机正常老化时,突然没有输出。经过排查后,怀疑MOS故障,本文将分享解决思路和要点。以下图片为该样机图片:
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* V9 P9 F0 ]* ]1 P" k& UTT9930 样机图片 # i2 i- [) f6 h: ]% x+ y+ ]$ ~
【应用】视频监控/无线AP/IP电话等
, B. ~0 t+ ~' B# v【规格】12V2A
& w( }* N% I6 I2 m【控制IC】TT9930
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8 e' D+ G4 z( w【问题描述】
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5 S( X- ~5 K" J5 Q样机正常老化时,突然没有输出。经过排查后,发现MOS管击穿且MOS管很烫,怀疑MOS烧坏,于是对其进行点温测试。以下是样机的测试图片:- R5 y- n$ @, t s G
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# t }% s% p/ a! ?3 H" J点温测试:测试重要元器件的温度,该测试的元器件分别有三个IC(主控TT9930、XS2100S、同步CR85V25RSA)、MOS管、输入大电容、两个输出电容、变压器磁芯和变压器线圈。7 j& D) C1 k. M
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如上图为测试环境,该测试在尽量密闭环境中进行,不会有大量空气流入,从而使得各元器件能快速达到温度平衡的状态。: p( M( d' G. {' F3 P! E( ]* |! f
% U+ V `% q" Z; h【解决思路】4 k2 u" _( l5 _- l" g' l
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1、重新设计电源
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首先,分析导致温度过高的原因,对电源进行重新设计。可以采用更高效的散热解决方案,例如增加散热片表面积、改善风道设计等。. s6 G( p$ i9 ~
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2、更换元器件
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应优先选择低内阻、低损耗、高效率的元器件,同时可以适当增加元器件数量及规格。& k& c- u) Z8 ]
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3、优化PCB布局* B; \$ f1 Y/ B% l" S
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合理的PCB布局有助于减小电路电磁干扰,降低损耗和温升,减少系统噪声,提高抗干扰性。, ^3 e' D) I; k" t. j9 O. v7 m
& N6 c. V' w: _5 [$ O4、优化散热设计
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" b7 Y5 q1 t5 x0 N. ~! V \通过优化散热设计来降低温度,如增加散热片面积、优化风道设计、增加风扇数量和转速等。4 r. w1 ~1 q. Z# V. V* e
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5、加强制造与测试管理
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. g0 s, \0 f7 L0 O+ h加强制造工艺控制和良品率管理,确保产品符合规范要求。并且加强产品的温升测试,在生产过程中对电源进行多次测试,及时发现不合格产品,以便及早调整。/ }+ z7 i% |5 T# h# x
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【调通要点】
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0 i5 w9 T8 ]$ y2 S. o% |8 e如上图首先通过对各元器件进行点温,观察各元器件的温度变化,如图04号元器件为MOS管,点温才不到几分钟后,MOS的温度就达到了93.7度,而其它元器件温度较为正常,初步判定MOS管出现了问题。+ p8 k1 i) p2 Q3 z4 w) k7 X
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8 e* ^* F' @ P5 m如上图为再经过几分钟后的元器件温度(01-08为各元器件测试温度),继续观察。
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% y6 q; B) u4 d$ P如上图可以明显看到,虽然所有的元器件(01-08为各元器件测试温度)温度都在持续上升,但都没有特别大的异常,唯独MOS高达116的温度,可以基本确定是MOS烧坏而导致样机老化时突然没有输出。# \( B4 H2 }) w" f" A, e
; G2 b+ ]: }5 V- n, s, F- t) K: W【最终结果】$ p. h; F$ \% Q8 `4 S# N
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经过测试后发现,测试元器件的温度都在正常范围内,唯独MOS管的温度变化格外异常(01为输出电容、02为同步IC CR85V25RSA、03为变压器磁芯、04为MOS管、05为IC XS2100S、06为主控IC TT9930、07为输入电容、08为变压器线圈、09为环温),经过不断尝试更换一颗同规格但不同厂家的MOS管,然后再进行老化及温度测试,样机正常工作。以下为替换MOS后的温升测试图片:
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该图为样机老化6小时后的温度,各器件温度已经稳定,全都在合理范围内。04号MOS温度稳定在72.2度左右,离击穿温度还有很大的余量,完全满足客户需求。如果更换MOS后温度还是没有改善,则需要考虑是否为布局问题,可能要重新设计。) a: |5 b3 l" X) r4 K7 B B& v' \
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