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PoE电源模块不输出?可能是MOS管故障,解决方法请拿走~

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发表于 2023-6-21 10:21:57 | 显示全部楼层 |阅读模式
本帖最后由 思睿达小妹妹 于 2023-6-21 10:23 编辑 " H5 x$ V: `- y

$ V$ `! k1 D2 D3 D作者:屈工有话说, ]& H, ]* ?$ T, ~. M( g

' B% N; {! O4 t. E0 bPoE(Power over Ethernet)是一种有线以太网供电技术,网线传输数据的同时具备直流供电能力。全面应用于POE交换机、IP摄像头、IP电话、无线AP、便携设备充电器、刷卡机、数据采集等供需端产品。而TT9930是一款用于以太网供电系统(POE,power over Ethernet)的DC/DC控制器,采用原边控制模式,内置200V高压MOS,具有较高的系统效率。- ?, ~" U- t' _$ z, ]: E

% K  T# n2 K4 ]  Y工程师在使用TT9930样机时发现,样机正常老化时,突然没有输出。经过排查后,怀疑MOS故障,本文将分享解决思路和要点。以下图片为该样机图片:
8 g- J5 E# [  }( N# y( }' @
1 I) U( A% f3 x
TT9930 样机图片
( q+ g6 G: @+ k
【应用】视频监控/无线AP/IP电话等3 I/ p9 I0 ^" U7 ?: ~* N$ |9 m. N2 x
【规格】12V2A/ y4 B0 L3 |9 m8 {" C1 ^! y
【控制IC】TT9930
# [! K  F+ ?/ T0 H
2 k4 ]9 [3 {) ?7 I【问题描述】
- K( t  v! z' M/ q. V/ s' W0 R0 |$ x. E2 w5 ~0 {$ L5 Q
样机正常老化时,突然没有输出。经过排查后,发现MOS管击穿且MOS管很烫,怀疑MOS烧坏,于是对其进行点温测试。以下是样机的测试图片:
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3 C0 R1 H6 a, G' h
点温测试:测试重要元器件的温度,该测试的元器件分别有三个IC(主控TT9930、XS2100S、同步CR85V25RSA)、MOS管、输入大电容、两个输出电容、变压器磁芯和变压器线圈。" O8 f0 f* Z9 B
! O. }* {% L0 P* b
$ b( x3 @) @/ g3 m0 X# E) y
如上图为测试环境,该测试在尽量密闭环境中进行,不会有大量空气流入,从而使得各元器件能快速达到温度平衡的状态。& N4 I/ I* O/ P/ m4 `
  a) L0 f5 X" Y
【解决思路】
9 J$ k# x4 {9 n/ K7 \$ D$ Q3 P
5 b3 d8 `6 v5 {9 j- m. u1、重新设计电源3 H. I, M$ T& f; l
( M8 Q0 e3 G5 l0 D
首先,分析导致温度过高的原因,对电源进行重新设计。可以采用更高效的散热解决方案,例如增加散热片表面积、改善风道设计等。% j' C& W% R2 D2 g$ q) T& \; h

5 O4 L8 q# E+ R6 i" h) C2、更换元器件
3 s" Y$ ?" u/ A% ^" w" O" a
9 U# ?8 P( Q4 n; m" ?' B* x应优先选择低内阻、低损耗、高效率的元器件,同时可以适当增加元器件数量及规格。
" z: d7 b3 ]8 t1 J/ G7 e* z
5 g) @, z7 q- T3、优化PCB布局
7 _9 P, n( v( g+ L) I7 w* k* m  z
8 `+ f" k. T1 V0 i" Q* ^4 x合理的PCB布局有助于减小电路电磁干扰,降低损耗和温升,减少系统噪声,提高抗干扰性。
" q' y+ _( v2 P( C" g* `1 T; z  }4 ]2 k  b+ j2 [( m! C
4、优化散热设计8 E  r: n9 l& p. ?6 u' |4 f

3 X( C5 I: B/ ?( d通过优化散热设计来降低温度,如增加散热片面积、优化风道设计、增加风扇数量和转速等。
. Z3 f+ C5 p5 c+ k; N6 D4 u
& G+ l5 Y5 n; x0 I5、加强制造与测试管理# D6 E2 z; x- x& c
. G* v0 z; j1 k! Y; C6 Q: Z
加强制造工艺控制和良品率管理,确保产品符合规范要求。并且加强产品的温升测试,在生产过程中对电源进行多次测试,及时发现不合格产品,以便及早调整。% @4 ^0 k  w* ~+ R
0 \* \4 s0 x, R; Z! w
【调通要点】; ~- e: R, Z6 |: P
+ ]/ R( h9 }& A0 f6 H, J2 L
如上图首先通过对各元器件进行点温,观察各元器件的温度变化,如图04号元器件为MOS管,点温才不到几分钟后,MOS的温度就达到了93.7度,而其它元器件温度较为正常,初步判定MOS管出现了问题。
7 Q& s: C4 I' R3 L8 m7 Q  |2 i  @1 \# ^; t9 ?0 ?7 @( k

* f( Z0 O; Z# N8 j% w: ^* D, V如上图为再经过几分钟后的元器件温度(01-08为各元器件测试温度),继续观察。3 S! _* g3 a: H" @, G8 B- ]% J

; @  V( k2 t6 ^" ?. i4 B
8 u3 g/ f3 I( v$ I8 M: h& W3 l+ v$ @8 P
如上图可以明显看到,虽然所有的元器件(01-08为各元器件测试温度)温度都在持续上升,但都没有特别大的异常,唯独MOS高达116的温度,可以基本确定是MOS烧坏而导致样机老化时突然没有输出。6 ^! V8 q9 K0 E4 e! @5 d. v
5 U$ j1 C  b3 N1 ?& M+ D
【最终结果】( T- M' @( {+ g0 V
( `  l6 m* I! e' N8 t; P
经过测试后发现,测试元器件的温度都在正常范围内,唯独MOS管的温度变化格外异常(01为输出电容、02为同步IC CR85V25RSA、03为变压器磁芯、04为MOS管、05为IC XS2100S、06为主控IC TT9930、07为输入电容、08为变压器线圈、09为环温),经过不断尝试更换一颗同规格但不同厂家的MOS管,然后再进行老化及温度测试,样机正常工作。以下为替换MOS后的温升测试图片:1 a1 k6 B- p* f4 v4 I& M% f

; x" e; [8 i: H  ^

% N" L, Q( Z& C; M' e该图为样机老化6小时后的温度,各器件温度已经稳定,全都在合理范围内。04号MOS温度稳定在72.2度左右,离击穿温度还有很大的余量,完全满足客户需求。如果更换MOS后温度还是没有改善,则需要考虑是否为布局问题,可能要重新设计。
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