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PoE电源模块不输出?可能是MOS管故障,解决方法请拿走~

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发表于 2023-6-21 10:21:57 | 显示全部楼层 |阅读模式
本帖最后由 思睿达小妹妹 于 2023-6-21 10:23 编辑
5 G. X* ]5 o7 g8 V  T( j
0 q$ v$ p# k& |5 S作者:屈工有话说
1 l9 L3 g5 i1 g0 _* f/ T. o% y4 \- d1 o+ W1 N
PoE(Power over Ethernet)是一种有线以太网供电技术,网线传输数据的同时具备直流供电能力。全面应用于POE交换机、IP摄像头、IP电话、无线AP、便携设备充电器、刷卡机、数据采集等供需端产品。而TT9930是一款用于以太网供电系统(POE,power over Ethernet)的DC/DC控制器,采用原边控制模式,内置200V高压MOS,具有较高的系统效率。* g; A: f0 V* K' F. D1 K9 z+ o

* f& M( m! _) |: N0 H工程师在使用TT9930样机时发现,样机正常老化时,突然没有输出。经过排查后,怀疑MOS故障,本文将分享解决思路和要点。以下图片为该样机图片:
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4 `5 R5 @0 ~8 O* ?
TT9930 样机图片
- M' E0 S( k# S+ _% G& }' k( Y. ^
【应用】视频监控/无线AP/IP电话等
5 x3 M8 Y' p2 l- L+ P9 u: U【规格】12V2A
6 L' g9 h# w7 t% z1 T4 `【控制IC】TT9930+ c: _' [! E$ F
% t$ _5 v6 }1 s* `
【问题描述】
& t$ j, W) \7 d, P
: i' y+ _9 T9 P( ?' f* }, Z样机正常老化时,突然没有输出。经过排查后,发现MOS管击穿且MOS管很烫,怀疑MOS烧坏,于是对其进行点温测试。以下是样机的测试图片:" K5 L( }/ T5 S% {
- d2 a. z3 K% `2 q% [4 v

" U% d* G! M, x, e$ z7 j) U点温测试:测试重要元器件的温度,该测试的元器件分别有三个IC(主控TT9930、XS2100S、同步CR85V25RSA)、MOS管、输入大电容、两个输出电容、变压器磁芯和变压器线圈。
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如上图为测试环境,该测试在尽量密闭环境中进行,不会有大量空气流入,从而使得各元器件能快速达到温度平衡的状态。1 B! R; s; e. e

; i7 A9 {. y5 `【解决思路】; |8 J. `+ ]/ n) I
  E/ k. n5 }" y- E3 e# T; r1 o
1、重新设计电源7 O& r8 {. |9 H; X
, B6 u3 y* K3 O, q7 V
首先,分析导致温度过高的原因,对电源进行重新设计。可以采用更高效的散热解决方案,例如增加散热片表面积、改善风道设计等。6 b9 h& d! ]1 N* i0 D* ^- T

8 Q" h! i  K- e7 H9 O/ B2、更换元器件2 g$ F0 g1 t: _4 x/ E
0 x4 G& C0 L. M
应优先选择低内阻、低损耗、高效率的元器件,同时可以适当增加元器件数量及规格。
! L& p* _  X7 ^( m: y" G/ x! L
3、优化PCB布局
; t6 k7 s2 `3 E% n: @  ]0 X5 I0 v7 R6 U9 _" Y
合理的PCB布局有助于减小电路电磁干扰,降低损耗和温升,减少系统噪声,提高抗干扰性。
7 z5 m, L& l+ y7 A  `4 g/ A
8 }8 r% Q* \( }4、优化散热设计9 R- }+ z! L' o; k7 k  a
$ c  Q# i; ]  t2 C
通过优化散热设计来降低温度,如增加散热片面积、优化风道设计、增加风扇数量和转速等。4 K$ D9 n( C7 Q2 r$ f* |2 k# F/ ]

; _; {& ~; C2 e. I: S5、加强制造与测试管理6 A' N3 Q0 ^9 |4 c, L: b" w
; n8 S5 Y& m9 s7 t
加强制造工艺控制和良品率管理,确保产品符合规范要求。并且加强产品的温升测试,在生产过程中对电源进行多次测试,及时发现不合格产品,以便及早调整。5 w7 q! e9 n! d

: y- W( o8 ^/ O【调通要点】
1 b  D. o# @* v2 Z" M' J$ a: P5 g
+ C& Q7 _8 L' y. u$ a6 H
如上图首先通过对各元器件进行点温,观察各元器件的温度变化,如图04号元器件为MOS管,点温才不到几分钟后,MOS的温度就达到了93.7度,而其它元器件温度较为正常,初步判定MOS管出现了问题。
6 O& A' @( P: j( W* N& c: H
+ |  c( G4 {' W/ j

, U. R5 @7 M: u如上图为再经过几分钟后的元器件温度(01-08为各元器件测试温度),继续观察。
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1 Z! l2 c) ]! T) o; `, c& C& x  b
如上图可以明显看到,虽然所有的元器件(01-08为各元器件测试温度)温度都在持续上升,但都没有特别大的异常,唯独MOS高达116的温度,可以基本确定是MOS烧坏而导致样机老化时突然没有输出。
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【最终结果】+ E9 F* X- ]. O6 m

, R! P- h! r4 e1 e/ ^, Z经过测试后发现,测试元器件的温度都在正常范围内,唯独MOS管的温度变化格外异常(01为输出电容、02为同步IC CR85V25RSA、03为变压器磁芯、04为MOS管、05为IC XS2100S、06为主控IC TT9930、07为输入电容、08为变压器线圈、09为环温),经过不断尝试更换一颗同规格但不同厂家的MOS管,然后再进行老化及温度测试,样机正常工作。以下为替换MOS后的温升测试图片:: E* w, n7 m6 K# u1 K

. N* W  ?5 ~) G4 u

) q* B9 T/ A# ?' _& T- r该图为样机老化6小时后的温度,各器件温度已经稳定,全都在合理范围内。04号MOS温度稳定在72.2度左右,离击穿温度还有很大的余量,完全满足客户需求。如果更换MOS后温度还是没有改善,则需要考虑是否为布局问题,可能要重新设计。
- @+ r) a* \; S/ B
* o4 p2 J* I1 \8 r

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