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PoE电源模块不输出?可能是MOS管故障,解决方法请拿走~

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发表于 2023-6-21 10:21:57 | 显示全部楼层 |阅读模式
本帖最后由 思睿达小妹妹 于 2023-6-21 10:23 编辑 - c. w) W7 H  D
. A% u5 p* J" W! M, J6 z
作者:屈工有话说0 a4 q& P; ~+ I1 [2 W* @

! N$ i/ q% D3 p( d) jPoE(Power over Ethernet)是一种有线以太网供电技术,网线传输数据的同时具备直流供电能力。全面应用于POE交换机、IP摄像头、IP电话、无线AP、便携设备充电器、刷卡机、数据采集等供需端产品。而TT9930是一款用于以太网供电系统(POE,power over Ethernet)的DC/DC控制器,采用原边控制模式,内置200V高压MOS,具有较高的系统效率。/ n9 _# h( E6 _) \( x7 `; }

8 @  u$ D" f4 `工程师在使用TT9930样机时发现,样机正常老化时,突然没有输出。经过排查后,怀疑MOS故障,本文将分享解决思路和要点。以下图片为该样机图片:
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8 m# g8 c/ k- X. o' N" `
TT9930 样机图片
* ^7 K# _/ s- g2 M1 Y0 Q# v& o
【应用】视频监控/无线AP/IP电话等
/ l; {: L# a4 u: r# ~2 N【规格】12V2A4 x6 m0 b5 o, b& s8 h: z, H
【控制IC】TT9930' }3 C. l4 _: {( Q7 ^& T/ H+ G* g
7 R" g2 A8 p9 _" F
【问题描述】
+ a; f2 h' V0 E: n8 }: S( o# q* F( S  O$ N! O5 n8 D
样机正常老化时,突然没有输出。经过排查后,发现MOS管击穿且MOS管很烫,怀疑MOS烧坏,于是对其进行点温测试。以下是样机的测试图片:# f" m5 |: o( e1 }
+ }! l& k. C# D: w+ s% m9 M) C7 B

9 L1 l: E% H) `  }点温测试:测试重要元器件的温度,该测试的元器件分别有三个IC(主控TT9930、XS2100S、同步CR85V25RSA)、MOS管、输入大电容、两个输出电容、变压器磁芯和变压器线圈。
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7 a% i- j/ s( T9 {1 f如上图为测试环境,该测试在尽量密闭环境中进行,不会有大量空气流入,从而使得各元器件能快速达到温度平衡的状态。: ^1 `: X% J* n+ V0 r, @8 w
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【解决思路】7 {. a; r3 H# e0 A7 H  W

7 S1 b/ a9 F1 K+ i4 V: B8 ~2 C1、重新设计电源
+ @2 ]' X* x6 i, H( \. M* I, H
3 ]' m: |+ m+ S+ `  E% E首先,分析导致温度过高的原因,对电源进行重新设计。可以采用更高效的散热解决方案,例如增加散热片表面积、改善风道设计等。* b. g( F$ z8 G0 U
; R9 m" A, l2 j0 m
2、更换元器件
7 ?2 M# m1 j8 c  }( a- h% A1 n
) e# z, ]/ F3 q% z. Y2 e* I; W应优先选择低内阻、低损耗、高效率的元器件,同时可以适当增加元器件数量及规格。
+ z) h; z  N7 \* J7 e6 A
* {1 ~$ K: i7 m3、优化PCB布局' P7 a8 x" `3 f8 i6 H3 C' s
4 Q7 j' ?% f/ D
合理的PCB布局有助于减小电路电磁干扰,降低损耗和温升,减少系统噪声,提高抗干扰性。
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4、优化散热设计
1 r" |# A( F( e
  N/ J/ M! V/ q  W1 J* [0 r. t% u通过优化散热设计来降低温度,如增加散热片面积、优化风道设计、增加风扇数量和转速等。$ y  B$ w; X4 g6 A+ g
7 E3 c9 }, f4 I# `' g& a  O
5、加强制造与测试管理; a. v& e5 L6 I( G6 ~* @

# s$ g$ m' y+ C加强制造工艺控制和良品率管理,确保产品符合规范要求。并且加强产品的温升测试,在生产过程中对电源进行多次测试,及时发现不合格产品,以便及早调整。$ n+ s) e- K- @8 L( c- ?
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【调通要点】4 ]7 E9 D2 W8 m
& z& f) U( s1 Q5 N
如上图首先通过对各元器件进行点温,观察各元器件的温度变化,如图04号元器件为MOS管,点温才不到几分钟后,MOS的温度就达到了93.7度,而其它元器件温度较为正常,初步判定MOS管出现了问题。6 m" ?7 C9 Q( C/ t
2 M1 p# |4 w" S/ X. p# z3 w

! w. K9 L- C/ w  N4 i9 `1 R6 ?$ u/ X如上图为再经过几分钟后的元器件温度(01-08为各元器件测试温度),继续观察。3 [) |* B# j4 K0 L# ~
6 x  p. H% M' x' }8 b" m
8 f" J- I1 s1 B' D. F+ }
如上图可以明显看到,虽然所有的元器件(01-08为各元器件测试温度)温度都在持续上升,但都没有特别大的异常,唯独MOS高达116的温度,可以基本确定是MOS烧坏而导致样机老化时突然没有输出。
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【最终结果】& `1 N5 {' I# W' [1 C1 w. {( W

1 w: d& O$ B- Z$ g经过测试后发现,测试元器件的温度都在正常范围内,唯独MOS管的温度变化格外异常(01为输出电容、02为同步IC CR85V25RSA、03为变压器磁芯、04为MOS管、05为IC XS2100S、06为主控IC TT9930、07为输入电容、08为变压器线圈、09为环温),经过不断尝试更换一颗同规格但不同厂家的MOS管,然后再进行老化及温度测试,样机正常工作。以下为替换MOS后的温升测试图片:
1 }* n& _7 p  `7 z6 M7 Z8 V9 @: i8 v+ \, Q

& U. h; ]' ^7 n/ k2 E7 R5 }该图为样机老化6小时后的温度,各器件温度已经稳定,全都在合理范围内。04号MOS温度稳定在72.2度左右,离击穿温度还有很大的余量,完全满足客户需求。如果更换MOS后温度还是没有改善,则需要考虑是否为布局问题,可能要重新设计。
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