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本帖最后由 思睿达小妹妹 于 2023-6-21 10:23 编辑 0 m2 d. [3 b9 z; j3 d1 r
+ L; W3 M# v1 B' _7 c1 B" T9 m4 r; w作者:屈工有话说5 H0 q0 l: X- A' J
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PoE(Power over Ethernet)是一种有线以太网供电技术,网线传输数据的同时具备直流供电能力。全面应用于POE交换机、IP摄像头、IP电话、无线AP、便携设备充电器、刷卡机、数据采集等供需端产品。而TT9930是一款用于以太网供电系统(POE,power over Ethernet)的DC/DC控制器,采用原边控制模式,内置200V高压MOS,具有较高的系统效率。, J( A$ w( Z+ e4 X! g r4 A* U
% c# ^) p. s# ?- `, z+ W. [工程师在使用TT9930样机时发现,样机正常老化时,突然没有输出。经过排查后,怀疑MOS故障,本文将分享解决思路和要点。以下图片为该样机图片:
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8 k( F, I2 `! m1 U$ {TT9930 样机图片 1 y0 U2 D F9 _' q. e$ N' {/ V
【应用】视频监控/无线AP/IP电话等$ h& {2 p4 {8 a ^; {, e
【规格】12V2A
9 b$ o! ?6 M8 T A9 \【控制IC】TT9930
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【问题描述】( k5 Q* T: d, S/ ?( ^# Y+ t% X x
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样机正常老化时,突然没有输出。经过排查后,发现MOS管击穿且MOS管很烫,怀疑MOS烧坏,于是对其进行点温测试。以下是样机的测试图片:. p1 H# ?1 v) T
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5 Q2 D6 [1 j. m! @' y$ c* y点温测试:测试重要元器件的温度,该测试的元器件分别有三个IC(主控TT9930、XS2100S、同步CR85V25RSA)、MOS管、输入大电容、两个输出电容、变压器磁芯和变压器线圈。% H, F0 N }) |5 S. A
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如上图为测试环境,该测试在尽量密闭环境中进行,不会有大量空气流入,从而使得各元器件能快速达到温度平衡的状态。
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【解决思路】0 T9 z! [3 F; m2 `5 o* {7 Y
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1、重新设计电源- u% S6 ~9 p6 h! [$ C
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首先,分析导致温度过高的原因,对电源进行重新设计。可以采用更高效的散热解决方案,例如增加散热片表面积、改善风道设计等。' k; W7 [* e; T8 N, v9 h$ H C
) b) U, G; \; m# w/ X+ U2、更换元器件9 A: }9 \, I; K; s. o, e/ P3 ?0 h) C- g
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应优先选择低内阻、低损耗、高效率的元器件,同时可以适当增加元器件数量及规格。6 Q1 X) s2 ^" h- G8 t! g$ {
! f9 u/ p) A4 Q, Y3、优化PCB布局: S2 A% C& A6 z
% _* {. J) I* d+ r6 x合理的PCB布局有助于减小电路电磁干扰,降低损耗和温升,减少系统噪声,提高抗干扰性。
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# j3 @ B+ e& R# ~4、优化散热设计9 Y$ H) @0 S/ U4 V+ Q c
[/ ?, L! ]& s4 Q5 i+ r; o通过优化散热设计来降低温度,如增加散热片面积、优化风道设计、增加风扇数量和转速等。
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5 ?) v3 k& u. {$ }/ v& ]+ P: p: p5、加强制造与测试管理- K: M7 l5 q( @* t" p
" @5 T f1 T, W3 q加强制造工艺控制和良品率管理,确保产品符合规范要求。并且加强产品的温升测试,在生产过程中对电源进行多次测试,及时发现不合格产品,以便及早调整。/ q- x* Q: d0 r
- o8 f1 k3 {+ Z【调通要点】) l( i5 a- O+ z3 g: K! [
0 {, O) V( E2 r; A# A+ f如上图首先通过对各元器件进行点温,观察各元器件的温度变化,如图04号元器件为MOS管,点温才不到几分钟后,MOS的温度就达到了93.7度,而其它元器件温度较为正常,初步判定MOS管出现了问题。
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5 O: G( R2 U7 w% m: r1 |如上图为再经过几分钟后的元器件温度(01-08为各元器件测试温度),继续观察。
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如上图可以明显看到,虽然所有的元器件(01-08为各元器件测试温度)温度都在持续上升,但都没有特别大的异常,唯独MOS高达116的温度,可以基本确定是MOS烧坏而导致样机老化时突然没有输出。
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# e* m7 ]1 Q+ t- w# m. G% a【最终结果】8 g+ q& Q/ L7 k' s* W' i
3 V/ o* Y( M& s+ e经过测试后发现,测试元器件的温度都在正常范围内,唯独MOS管的温度变化格外异常(01为输出电容、02为同步IC CR85V25RSA、03为变压器磁芯、04为MOS管、05为IC XS2100S、06为主控IC TT9930、07为输入电容、08为变压器线圈、09为环温),经过不断尝试更换一颗同规格但不同厂家的MOS管,然后再进行老化及温度测试,样机正常工作。以下为替换MOS后的温升测试图片:
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" ~1 q$ V- x) S, _2 b' f该图为样机老化6小时后的温度,各器件温度已经稳定,全都在合理范围内。04号MOS温度稳定在72.2度左右,离击穿温度还有很大的余量,完全满足客户需求。如果更换MOS后温度还是没有改善,则需要考虑是否为布局问题,可能要重新设计。
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