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本帖最后由 思睿达小妹妹 于 2023-6-21 10:23 编辑
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5 P# H u( Z8 b( d) z6 o1 j( p2 d作者:屈工有话说2 y Y0 N0 ]) x( o
! y4 f( @$ c! Y1 {PoE(Power over Ethernet)是一种有线以太网供电技术,网线传输数据的同时具备直流供电能力。全面应用于POE交换机、IP摄像头、IP电话、无线AP、便携设备充电器、刷卡机、数据采集等供需端产品。而TT9930是一款用于以太网供电系统(POE,power over Ethernet)的DC/DC控制器,采用原边控制模式,内置200V高压MOS,具有较高的系统效率。
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工程师在使用TT9930样机时发现,样机正常老化时,突然没有输出。经过排查后,怀疑MOS故障,本文将分享解决思路和要点。以下图片为该样机图片:
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TT9930 样机图片
. W# F+ F9 p& J* t2 X【应用】视频监控/无线AP/IP电话等3 M* J8 m5 H" ^1 o o
【规格】12V2A
. R3 }) N3 K/ T1 Q- I, i* q【控制IC】TT9930
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6 s0 F; B6 E8 @, Y% W6 y【问题描述】
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样机正常老化时,突然没有输出。经过排查后,发现MOS管击穿且MOS管很烫,怀疑MOS烧坏,于是对其进行点温测试。以下是样机的测试图片:
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/ F1 h. ?- U1 c" r: m点温测试:测试重要元器件的温度,该测试的元器件分别有三个IC(主控TT9930、XS2100S、同步CR85V25RSA)、MOS管、输入大电容、两个输出电容、变压器磁芯和变压器线圈。
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4 Y' R, v! R3 m& z& j: o+ h5 k如上图为测试环境,该测试在尽量密闭环境中进行,不会有大量空气流入,从而使得各元器件能快速达到温度平衡的状态。1 f# w+ m, h1 }2 S; Z) p2 V
" |4 l, S1 s5 y4 B& @; ~3 M: W【解决思路】5 x X0 j& z; Q8 p& E% s8 \1 E
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1、重新设计电源
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首先,分析导致温度过高的原因,对电源进行重新设计。可以采用更高效的散热解决方案,例如增加散热片表面积、改善风道设计等。* K) w# x6 i$ u
6 ~8 t# l0 _4 I/ b( j/ K+ W2、更换元器件& T( Q+ ^2 Z# K# g
0 r3 s$ L2 m4 I/ q; `' h. j0 S应优先选择低内阻、低损耗、高效率的元器件,同时可以适当增加元器件数量及规格。
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7 E1 U3 j8 o% M3 l F6 p4 Z0 F3、优化PCB布局$ L0 n5 T$ a. ]" u3 u* x; _
; J% F+ j P$ z合理的PCB布局有助于减小电路电磁干扰,降低损耗和温升,减少系统噪声,提高抗干扰性。
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4、优化散热设计) m$ z; a6 D: R0 D: B, M
3 F6 L7 ^$ D r+ H7 c1 W; ]5 e通过优化散热设计来降低温度,如增加散热片面积、优化风道设计、增加风扇数量和转速等。
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5、加强制造与测试管理. _5 G5 G, W E) P1 }/ K
% a% M% e# @1 h2 ?9 |加强制造工艺控制和良品率管理,确保产品符合规范要求。并且加强产品的温升测试,在生产过程中对电源进行多次测试,及时发现不合格产品,以便及早调整。
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【调通要点】
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# v$ r4 s9 |+ }9 i# ?! B& K2 Q# r如上图首先通过对各元器件进行点温,观察各元器件的温度变化,如图04号元器件为MOS管,点温才不到几分钟后,MOS的温度就达到了93.7度,而其它元器件温度较为正常,初步判定MOS管出现了问题。
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如上图为再经过几分钟后的元器件温度(01-08为各元器件测试温度),继续观察。& ~* f* E+ Q Q4 F) S" {
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如上图可以明显看到,虽然所有的元器件(01-08为各元器件测试温度)温度都在持续上升,但都没有特别大的异常,唯独MOS高达116的温度,可以基本确定是MOS烧坏而导致样机老化时突然没有输出。6 h U1 e7 Y% G% F* ~2 P/ p
c" A, Q! C$ n6 t) I9 K【最终结果】
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3 d# W+ a& v" i6 r- b3 W1 G经过测试后发现,测试元器件的温度都在正常范围内,唯独MOS管的温度变化格外异常(01为输出电容、02为同步IC CR85V25RSA、03为变压器磁芯、04为MOS管、05为IC XS2100S、06为主控IC TT9930、07为输入电容、08为变压器线圈、09为环温),经过不断尝试更换一颗同规格但不同厂家的MOS管,然后再进行老化及温度测试,样机正常工作。以下为替换MOS后的温升测试图片:
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7 G( e# a8 A+ }该图为样机老化6小时后的温度,各器件温度已经稳定,全都在合理范围内。04号MOS温度稳定在72.2度左右,离击穿温度还有很大的余量,完全满足客户需求。如果更换MOS后温度还是没有改善,则需要考虑是否为布局问题,可能要重新设计。* A+ U% T+ y* w* @. k0 r. y
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