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PoE电源模块不输出?可能是MOS管故障,解决方法请拿走~

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发表于 2023-6-21 10:21:57 | 显示全部楼层 |阅读模式
本帖最后由 思睿达小妹妹 于 2023-6-21 10:23 编辑 ! Q3 T6 ~% {, B2 H

( u" \0 J) A) g/ v6 N作者:屈工有话说$ ]! {$ r# U+ i, E  b! }

* h6 }# f. F: P# b- TPoE(Power over Ethernet)是一种有线以太网供电技术,网线传输数据的同时具备直流供电能力。全面应用于POE交换机、IP摄像头、IP电话、无线AP、便携设备充电器、刷卡机、数据采集等供需端产品。而TT9930是一款用于以太网供电系统(POE,power over Ethernet)的DC/DC控制器,采用原边控制模式,内置200V高压MOS,具有较高的系统效率。2 T* y7 }; c, a
- _( Y, Y" R' ~4 n4 s; t. z: C7 R3 m
工程师在使用TT9930样机时发现,样机正常老化时,突然没有输出。经过排查后,怀疑MOS故障,本文将分享解决思路和要点。以下图片为该样机图片:
* |6 b; c' s; x0 u! y9 T' H& M; W- r* M, g
TT9930 样机图片

  H* N8 D3 R7 b, c【应用】视频监控/无线AP/IP电话等
/ R" y+ w/ q7 ~& S# M5 P【规格】12V2A
/ ~$ [7 M5 x2 f【控制IC】TT99300 C( ~* R0 b3 ?
, d' h5 ]7 M8 S3 _7 O% U
【问题描述】* A/ J* a2 Y1 [" h: K
6 b( E4 r/ L6 J7 F* C0 ]
样机正常老化时,突然没有输出。经过排查后,发现MOS管击穿且MOS管很烫,怀疑MOS烧坏,于是对其进行点温测试。以下是样机的测试图片:
3 f  X0 \% J* G" V, x1 C* N2 b4 p6 R! T# E$ v

2 Q0 O6 G! |5 D$ d9 z4 K4 c点温测试:测试重要元器件的温度,该测试的元器件分别有三个IC(主控TT9930、XS2100S、同步CR85V25RSA)、MOS管、输入大电容、两个输出电容、变压器磁芯和变压器线圈。& ?- y# W6 S5 h: O7 x" L  M9 m
* m0 M4 }2 {( k9 @9 S8 Z
7 u; A7 Z% Z) E- D" _/ y& m
如上图为测试环境,该测试在尽量密闭环境中进行,不会有大量空气流入,从而使得各元器件能快速达到温度平衡的状态。
# _8 c" A' S% G  B" ~
+ H$ a  i4 L+ Y6 q' k【解决思路】  ]. m" n6 ?+ J* d! G

, v5 u& \1 b3 g5 m6 e# D, T1、重新设计电源
8 r2 I8 p3 N, [1 z1 U( w8 h  D, o  Q0 c0 `# a' A* m
首先,分析导致温度过高的原因,对电源进行重新设计。可以采用更高效的散热解决方案,例如增加散热片表面积、改善风道设计等。  y: }) o2 k* [- p4 J3 E

" R( `# l6 F. S* `2、更换元器件
4 ^) p! N& I/ ?$ n( h0 M" D8 T
$ T& I, j5 d* N- p- G! k$ }5 z应优先选择低内阻、低损耗、高效率的元器件,同时可以适当增加元器件数量及规格。8 @6 C! a1 m7 b0 X. [
4 y' Y+ \" M$ w! j" h
3、优化PCB布局
. t# H) C; c3 ^2 I0 i+ X7 m; @3 S+ P- B' {8 ~5 S2 H2 O$ d" G
合理的PCB布局有助于减小电路电磁干扰,降低损耗和温升,减少系统噪声,提高抗干扰性。2 b/ z  F2 z9 s/ b  M5 p
6 t; L  _$ \/ @- k! t3 [7 c
4、优化散热设计2 Z, P) t- M$ Q/ E+ Y  m% f* }
. r- ~8 Y! o5 J: P  n  \
通过优化散热设计来降低温度,如增加散热片面积、优化风道设计、增加风扇数量和转速等。
/ Z' q: {# k9 L5 K* e
" d: s9 G& x/ f8 l  Q7 z1 d5、加强制造与测试管理. o7 k* m; @! q7 O
6 p* H1 a" B! {
加强制造工艺控制和良品率管理,确保产品符合规范要求。并且加强产品的温升测试,在生产过程中对电源进行多次测试,及时发现不合格产品,以便及早调整。
" S# z. X! l5 T/ B5 \1 \/ m* Q! v2 q  u. j7 Y2 k% _
【调通要点】
: ]. L& k4 j. y3 P
3 _, J5 u" y' d
如上图首先通过对各元器件进行点温,观察各元器件的温度变化,如图04号元器件为MOS管,点温才不到几分钟后,MOS的温度就达到了93.7度,而其它元器件温度较为正常,初步判定MOS管出现了问题。
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2 R0 M, b! B5 ~0 Y  u) L
如上图为再经过几分钟后的元器件温度(01-08为各元器件测试温度),继续观察。
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) w/ m7 n7 G1 q  F3 b( X
如上图可以明显看到,虽然所有的元器件(01-08为各元器件测试温度)温度都在持续上升,但都没有特别大的异常,唯独MOS高达116的温度,可以基本确定是MOS烧坏而导致样机老化时突然没有输出。) @# |, N+ b$ G5 X

1 y# ?: I+ ?! X【最终结果】1 g' e1 ^& `" M: ?; e9 d; `( h+ U7 D' I! F

6 K- S( K% I/ l6 K经过测试后发现,测试元器件的温度都在正常范围内,唯独MOS管的温度变化格外异常(01为输出电容、02为同步IC CR85V25RSA、03为变压器磁芯、04为MOS管、05为IC XS2100S、06为主控IC TT9930、07为输入电容、08为变压器线圈、09为环温),经过不断尝试更换一颗同规格但不同厂家的MOS管,然后再进行老化及温度测试,样机正常工作。以下为替换MOS后的温升测试图片:
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) a# i, e+ {8 w0 H, {
: s) b( M. N9 _& C% j- v$ D
该图为样机老化6小时后的温度,各器件温度已经稳定,全都在合理范围内。04号MOS温度稳定在72.2度左右,离击穿温度还有很大的余量,完全满足客户需求。如果更换MOS后温度还是没有改善,则需要考虑是否为布局问题,可能要重新设计。% ]. {1 @& f! x' u9 ?
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