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本帖最后由 思睿达小妹妹 于 2023-6-21 10:23 编辑 0 J7 ?" A& J, _: ]- `# \4 p
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作者:屈工有话说
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9 u- V- {* x8 }# ? e9 DPoE(Power over Ethernet)是一种有线以太网供电技术,网线传输数据的同时具备直流供电能力。全面应用于POE交换机、IP摄像头、IP电话、无线AP、便携设备充电器、刷卡机、数据采集等供需端产品。而TT9930是一款用于以太网供电系统(POE,power over Ethernet)的DC/DC控制器,采用原边控制模式,内置200V高压MOS,具有较高的系统效率。5 k% w; a& ~- x# y) o
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工程师在使用TT9930样机时发现,样机正常老化时,突然没有输出。经过排查后,怀疑MOS故障,本文将分享解决思路和要点。以下图片为该样机图片:% z/ K4 e+ |* g
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TT9930 样机图片
! q1 G. |; w2 i9 b. y; ~【应用】视频监控/无线AP/IP电话等
/ i: B: d' b7 l0 i, ?/ _$ ~【规格】12V2A4 ]6 t. c- } Y# `( m
【控制IC】TT99301 R/ \. Z' O/ ]& g
# y* `0 V% J) z- K* o" s【问题描述】
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6 T( p# c: ~+ I, g1 Y) @样机正常老化时,突然没有输出。经过排查后,发现MOS管击穿且MOS管很烫,怀疑MOS烧坏,于是对其进行点温测试。以下是样机的测试图片:
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; y2 ~5 R. q2 Y: E3 h0 p1 N点温测试:测试重要元器件的温度,该测试的元器件分别有三个IC(主控TT9930、XS2100S、同步CR85V25RSA)、MOS管、输入大电容、两个输出电容、变压器磁芯和变压器线圈。
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如上图为测试环境,该测试在尽量密闭环境中进行,不会有大量空气流入,从而使得各元器件能快速达到温度平衡的状态。' ?+ {( ~9 a- J
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【解决思路】) |' s5 m+ ^' ~. v. h
7 m N1 V" w. ]1、重新设计电源( i4 H( b4 j) @$ {6 s8 Z! y( N3 P
. R5 u2 ^, ` R- {) S- b9 f6 y首先,分析导致温度过高的原因,对电源进行重新设计。可以采用更高效的散热解决方案,例如增加散热片表面积、改善风道设计等。
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2、更换元器件; x7 W& j% g0 [+ n
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应优先选择低内阻、低损耗、高效率的元器件,同时可以适当增加元器件数量及规格。1 M/ I/ a& T! F( L) i$ ]
% g% X7 M2 M7 c- l& U1 C% i9 J7 Q* S4 ?3 C3、优化PCB布局5 f% x& r& B: t
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合理的PCB布局有助于减小电路电磁干扰,降低损耗和温升,减少系统噪声,提高抗干扰性。
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4、优化散热设计
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" a8 J0 X3 Q, H7 Q. l' o! U- M通过优化散热设计来降低温度,如增加散热片面积、优化风道设计、增加风扇数量和转速等。$ x% Y( B5 t7 p( Q2 h
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5、加强制造与测试管理* B: a5 t" l" a6 g- J: o
4 I" o4 p" R8 n) ]6 c加强制造工艺控制和良品率管理,确保产品符合规范要求。并且加强产品的温升测试,在生产过程中对电源进行多次测试,及时发现不合格产品,以便及早调整。6 F; ~( Q+ Q0 f6 e s
/ Z: s" h6 o2 o; { h【调通要点】( U8 U. z, f. [% q2 c5 m
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如上图首先通过对各元器件进行点温,观察各元器件的温度变化,如图04号元器件为MOS管,点温才不到几分钟后,MOS的温度就达到了93.7度,而其它元器件温度较为正常,初步判定MOS管出现了问题。9 c; ^& O3 G+ t/ y/ b% k/ t
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$ F8 [, a( G0 l! ]5 N1 J3 c4 s( y如上图为再经过几分钟后的元器件温度(01-08为各元器件测试温度),继续观察。! @, \/ L8 g# H6 g2 r' Z
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3 G& e, r7 i$ L" [ {7 u! ]如上图可以明显看到,虽然所有的元器件(01-08为各元器件测试温度)温度都在持续上升,但都没有特别大的异常,唯独MOS高达116的温度,可以基本确定是MOS烧坏而导致样机老化时突然没有输出。3 `- T% G K% x. j6 W3 x
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【最终结果】
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经过测试后发现,测试元器件的温度都在正常范围内,唯独MOS管的温度变化格外异常(01为输出电容、02为同步IC CR85V25RSA、03为变压器磁芯、04为MOS管、05为IC XS2100S、06为主控IC TT9930、07为输入电容、08为变压器线圈、09为环温),经过不断尝试更换一颗同规格但不同厂家的MOS管,然后再进行老化及温度测试,样机正常工作。以下为替换MOS后的温升测试图片:1 L. W+ L' ]8 q2 q/ _
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& C8 A; P* S- o9 N; ?该图为样机老化6小时后的温度,各器件温度已经稳定,全都在合理范围内。04号MOS温度稳定在72.2度左右,离击穿温度还有很大的余量,完全满足客户需求。如果更换MOS后温度还是没有改善,则需要考虑是否为布局问题,可能要重新设计。
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