PoE电源模块不输出？可能是MOS管故障，解决方法请拿走~

思睿达小妹妹

作者：屈工有话说

, i) M0 K3 J7 h8 ?: |PoE（Power over Ethernet）是一种有线以太网供电技术，网线传输数据的同时具备直流供电能力。全面应用于POE交换机、IP摄像头、IP电话、无线AP、便携设备充电器、刷卡机、数据采集等供需端产品。而TT9930是一款用于以太网供电系统（POE，power over Ethernet）的DC/DC控制器，采用原边控制模式，内置200V高压MOS，具有较高的系统效率。
" I3 ]: S  m; c: D
工程师在使用TT9930样机时发现，样机正常老化时，突然没有输出。经过排查后，怀疑MOS故障，本文将分享解决思路和要点。以下图片为该样机图片：

- s5 h* R' z$ Y; x) k5 X

TT9930 样机图片

【应用】视频监控/无线AP/IP电话等
【规格】12V2A
7 k$ Z& R7 U1 ^1 a) D【控制IC】TT9930
8 Z, H  r% E, ^% q# f
* _/ ^7 K  x. o3 l/ t( W【问题描述】
: i" e* u' p( T; n! t# H7 i4 d" D
样机正常老化时，突然没有输出。经过排查后，发现MOS管击穿且MOS管很烫，怀疑MOS烧坏，于是对其进行点温测试。以下是样机的测试图片：

' G8 L5 I- f/ D1 g( x. s* w点温测试：测试重要元器件的温度，该测试的元器件分别有三个IC（主控TT9930、XS2100S、同步CR85V25RSA）、MOS管、输入大电容、两个输出电容、变压器磁芯和变压器线圈。
. S% ^9 H+ T; I% R9 M) `# S3 v
: S8 u) @" a$ p& P* P3 `

1 d' H+ R. l, K9 X如上图为测试环境，该测试在尽量密闭环境中进行，不会有大量空气流入，从而使得各元器件能快速达到温度平衡的状态。
" N# [# q. b  P0 p, t/ O
1 N1 L8 i+ ?- M4 ~( d$ ~【解决思路】

6 ]( W+ s1 K6 m1、重新设计电源

3 `1 k- W& x" |8 ~! f首先，分析导致温度过高的原因，对电源进行重新设计。可以采用更高效的散热解决方案，例如增加散热片表面积、改善风道设计等。

2、更换元器件

( x' P3 M; V( C6 N9 G4 Y应优先选择低内阻、低损耗、高效率的元器件，同时可以适当增加元器件数量及规格。
% w( X, j$ N& R2 e1 }" B, O
7 w4 T. r( g0 n" S: \/ P3、优化PCB布局

合理的PCB布局有助于减小电路电磁干扰，降低损耗和温升，减少系统噪声，提高抗干扰性。

# v1 }) t6 O) s* ?7 }* c4、优化散热设计

通过优化散热设计来降低温度，如增加散热片面积、优化风道设计、增加风扇数量和转速等。

5、加强制造与测试管理

0 c, A1 p* I! {; v% H6 P8 |加强制造工艺控制和良品率管理，确保产品符合规范要求。并且加强产品的温升测试，在生产过程中对电源进行多次测试，及时发现不合格产品，以便及早调整。
3 b$ h& G# \& Y; b8 P
' t6 H9 k/ m. Z9 P【调通要点】

如上图首先通过对各元器件进行点温，观察各元器件的温度变化，如图04号元器件为MOS管，点温才不到几分钟后，MOS的温度就达到了93.7度，而其它元器件温度较为正常，初步判定MOS管出现了问题。
7 g) c+ I* }! K& B, f- z

& j2 N' `2 R  P4 C. d如上图为再经过几分钟后的元器件温度（01-08为各元器件测试温度），继续观察。

5 l# q9 w- ?- F; R如上图可以明显看到，虽然所有的元器件（01-08为各元器件测试温度）温度都在持续上升，但都没有特别大的异常，唯独MOS高达116的温度，可以基本确定是MOS烧坏而导致样机老化时突然没有输出。

" |+ a% v. [/ V7 v" U【最终结果】

. N0 Q% V6 `- Q) ^% N- Z7 c2 v经过测试后发现，测试元器件的温度都在正常范围内，唯独MOS管的温度变化格外异常（01为输出电容、02为同步IC CR85V25RSA、03为变压器磁芯、04为MOS管、05为IC XS2100S、06为主控IC TT9930、07为输入电容、08为变压器线圈、09为环温），经过不断尝试更换一颗同规格但不同厂家的MOS管，然后再进行老化及温度测试，样机正常工作。以下为替换MOS后的温升测试图片：

% q3 |7 e# s! Q- L+ s+ B  X  \

该图为样机老化6小时后的温度，各器件温度已经稳定，全都在合理范围内。04号MOS温度稳定在72.2度左右，离击穿温度还有很大的余量，完全满足客户需求。如果更换MOS后温度还是没有改善，则需要考虑是否为布局问题，可能要重新设计。
3 ~5 l; `6 b" e0 D! Z: @7 A
% y1 p( x8 V+ ^$ F+ ?4 y+ t