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本帖最后由 思睿达小妹妹 于 2023-6-21 10:23 编辑
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& {: Z" M# C: X- \1 B* m作者:屈工有话说+ N' m& z; I! Q# Y/ q5 I f
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PoE(Power over Ethernet)是一种有线以太网供电技术,网线传输数据的同时具备直流供电能力。全面应用于POE交换机、IP摄像头、IP电话、无线AP、便携设备充电器、刷卡机、数据采集等供需端产品。而TT9930是一款用于以太网供电系统(POE,power over Ethernet)的DC/DC控制器,采用原边控制模式,内置200V高压MOS,具有较高的系统效率。3 K4 E: k# Z N/ R
# t2 S0 I s/ D& {& i* D工程师在使用TT9930样机时发现,样机正常老化时,突然没有输出。经过排查后,怀疑MOS故障,本文将分享解决思路和要点。以下图片为该样机图片:4 K1 f$ u( \; s7 W2 j' j3 Q5 x
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TT9930 样机图片 / C- _! Q" n, z) i9 r! X0 `
【应用】视频监控/无线AP/IP电话等7 I1 F7 e4 F4 t: A& ^( e* {; p
【规格】12V2A0 M5 l7 {; k- h+ P2 j% `$ H+ k
【控制IC】TT9930/ k: u5 i- M" _3 b
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【问题描述】; o9 L" ^# }* {' n) @2 }5 u
: \) m" l- g" I样机正常老化时,突然没有输出。经过排查后,发现MOS管击穿且MOS管很烫,怀疑MOS烧坏,于是对其进行点温测试。以下是样机的测试图片:$ q% j6 e# o% S9 q$ n# ~. j
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4 d3 p% l4 @( l. Z2 S- o9 M( A点温测试:测试重要元器件的温度,该测试的元器件分别有三个IC(主控TT9930、XS2100S、同步CR85V25RSA)、MOS管、输入大电容、两个输出电容、变压器磁芯和变压器线圈。
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如上图为测试环境,该测试在尽量密闭环境中进行,不会有大量空气流入,从而使得各元器件能快速达到温度平衡的状态。% O2 {$ f) _8 M( ~/ ?$ e9 w
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【解决思路】4 d5 x# e- R% K
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1、重新设计电源
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7 q- N: m6 f; U: [6 }) C. J首先,分析导致温度过高的原因,对电源进行重新设计。可以采用更高效的散热解决方案,例如增加散热片表面积、改善风道设计等。, X3 b$ b! b9 ^ ]) E+ A# Y
% h7 \/ T7 @, e; `: c7 U2、更换元器件
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应优先选择低内阻、低损耗、高效率的元器件,同时可以适当增加元器件数量及规格。
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3 {! i* M2 s% R3、优化PCB布局3 O7 h _9 I0 p
2 ]3 g; k# L& R7 ~合理的PCB布局有助于减小电路电磁干扰,降低损耗和温升,减少系统噪声,提高抗干扰性。
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4、优化散热设计
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通过优化散热设计来降低温度,如增加散热片面积、优化风道设计、增加风扇数量和转速等。0 q5 ?- v( U3 ^- w6 [
4 C5 T7 Y# K. W6 c) W6 q) }8 y5、加强制造与测试管理
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加强制造工艺控制和良品率管理,确保产品符合规范要求。并且加强产品的温升测试,在生产过程中对电源进行多次测试,及时发现不合格产品,以便及早调整。; c" `& u& W; H# o3 g/ y \8 x
1 ]) F) {: f1 {: m【调通要点】, k! _4 }; A0 m$ k0 `, Q" x& o: x
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如上图首先通过对各元器件进行点温,观察各元器件的温度变化,如图04号元器件为MOS管,点温才不到几分钟后,MOS的温度就达到了93.7度,而其它元器件温度较为正常,初步判定MOS管出现了问题。+ K# l8 e+ D) P {0 w- A$ C. B7 H/ b
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如上图为再经过几分钟后的元器件温度(01-08为各元器件测试温度),继续观察。2 s: o! O! Y; c
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1 K: h+ M3 A* j如上图可以明显看到,虽然所有的元器件(01-08为各元器件测试温度)温度都在持续上升,但都没有特别大的异常,唯独MOS高达116的温度,可以基本确定是MOS烧坏而导致样机老化时突然没有输出。
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【最终结果】
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经过测试后发现,测试元器件的温度都在正常范围内,唯独MOS管的温度变化格外异常(01为输出电容、02为同步IC CR85V25RSA、03为变压器磁芯、04为MOS管、05为IC XS2100S、06为主控IC TT9930、07为输入电容、08为变压器线圈、09为环温),经过不断尝试更换一颗同规格但不同厂家的MOS管,然后再进行老化及温度测试,样机正常工作。以下为替换MOS后的温升测试图片:1 ~0 a1 [( b; _& _: W1 W- ?
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" V/ c- P+ T9 H& ]6 p! w8 |9 s* l该图为样机老化6小时后的温度,各器件温度已经稳定,全都在合理范围内。04号MOS温度稳定在72.2度左右,离击穿温度还有很大的余量,完全满足客户需求。如果更换MOS后温度还是没有改善,则需要考虑是否为布局问题,可能要重新设计。
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