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PoE电源模块不输出?可能是MOS管故障,解决方法请拿走~

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发表于 2023-6-21 10:21:57 | 显示全部楼层 |阅读模式
本帖最后由 思睿达小妹妹 于 2023-6-21 10:23 编辑 2 e8 ?, h: E  x8 r* f
# |) k  ]. n; r; k: k
作者:屈工有话说
+ v. h" t# l0 e; w% U# [5 t
- |& D9 [% ~5 l: r+ d% }  a$ KPoE(Power over Ethernet)是一种有线以太网供电技术,网线传输数据的同时具备直流供电能力。全面应用于POE交换机、IP摄像头、IP电话、无线AP、便携设备充电器、刷卡机、数据采集等供需端产品。而TT9930是一款用于以太网供电系统(POE,power over Ethernet)的DC/DC控制器,采用原边控制模式,内置200V高压MOS,具有较高的系统效率。
/ l8 `( t) Y# |
/ g. k: a7 w0 I; _工程师在使用TT9930样机时发现,样机正常老化时,突然没有输出。经过排查后,怀疑MOS故障,本文将分享解决思路和要点。以下图片为该样机图片:6 m4 ^; d" T! u# V6 @7 N" b

$ N" o! T, F& ~% M& V6 |
TT9930 样机图片
6 b- Y! _2 n- J, E7 b# J/ r1 C+ k) r
【应用】视频监控/无线AP/IP电话等
2 I& h# z9 r. }( D2 w4 ^【规格】12V2A
$ K* ~2 e8 x7 A( U- v【控制IC】TT9930! A9 B& L* O0 p

4 c$ D2 e+ K, U  z: z【问题描述】% o* f/ a& K8 D% J  K9 x3 Q
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样机正常老化时,突然没有输出。经过排查后,发现MOS管击穿且MOS管很烫,怀疑MOS烧坏,于是对其进行点温测试。以下是样机的测试图片:
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( _) ?' \5 J0 _9 a( m点温测试:测试重要元器件的温度,该测试的元器件分别有三个IC(主控TT9930、XS2100S、同步CR85V25RSA)、MOS管、输入大电容、两个输出电容、变压器磁芯和变压器线圈。
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0 k, m1 d/ m: M% `- ~& K7 V6 x如上图为测试环境,该测试在尽量密闭环境中进行,不会有大量空气流入,从而使得各元器件能快速达到温度平衡的状态。
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% d9 v- d. n0 ~$ q+ y  s. Y* b& m【解决思路】% V- r3 g9 P& z7 e& Q- T  s: b% i
; s3 T# {4 h2 \( `9 Q4 c6 e
1、重新设计电源9 l, T; W  {5 G

8 x9 E* h& J. ?首先,分析导致温度过高的原因,对电源进行重新设计。可以采用更高效的散热解决方案,例如增加散热片表面积、改善风道设计等。* G& W/ `% ?8 K. `1 J6 E

. M$ X: u" b: S$ |2、更换元器件4 v/ B  ~$ v1 c' B& X% l

$ Z- L( k$ u0 {; g7 }- u! \应优先选择低内阻、低损耗、高效率的元器件,同时可以适当增加元器件数量及规格。
" G! L6 v# d" h
# G7 z+ c9 J9 u8 X3、优化PCB布局
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合理的PCB布局有助于减小电路电磁干扰,降低损耗和温升,减少系统噪声,提高抗干扰性。% U: {: d. d# H' d
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4、优化散热设计
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9 F& r/ V8 R3 s1 C, x1 ?5 r通过优化散热设计来降低温度,如增加散热片面积、优化风道设计、增加风扇数量和转速等。) S# [& |, z4 H% b( n- E
# N! q4 A" Z$ h4 ?# A
5、加强制造与测试管理( L" H; f3 g- @$ o* a  P

) J" ?2 }; @! e( g$ d( \8 j加强制造工艺控制和良品率管理,确保产品符合规范要求。并且加强产品的温升测试,在生产过程中对电源进行多次测试,及时发现不合格产品,以便及早调整。. K' Y+ [) D3 Z
. j; Z( N- b) A$ [4 s( s2 h# J
【调通要点】
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- T0 T, D' z; [9 W) o如上图首先通过对各元器件进行点温,观察各元器件的温度变化,如图04号元器件为MOS管,点温才不到几分钟后,MOS的温度就达到了93.7度,而其它元器件温度较为正常,初步判定MOS管出现了问题。
5 B/ a) P9 b% \! u6 Q) e$ Z! x
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" \; J4 U8 X9 [如上图为再经过几分钟后的元器件温度(01-08为各元器件测试温度),继续观察。9 c/ u% n* E% H3 g0 Z

4 Q# |! o# d1 D0 E/ a& G9 c

) T1 [& u6 t& d4 W0 \8 q如上图可以明显看到,虽然所有的元器件(01-08为各元器件测试温度)温度都在持续上升,但都没有特别大的异常,唯独MOS高达116的温度,可以基本确定是MOS烧坏而导致样机老化时突然没有输出。$ ]: q0 W5 _& a# y

* m' \6 |* j' \! M: Z' }/ p8 I【最终结果】
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5 N% M& v5 M4 ~* l* O' @经过测试后发现,测试元器件的温度都在正常范围内,唯独MOS管的温度变化格外异常(01为输出电容、02为同步IC CR85V25RSA、03为变压器磁芯、04为MOS管、05为IC XS2100S、06为主控IC TT9930、07为输入电容、08为变压器线圈、09为环温),经过不断尝试更换一颗同规格但不同厂家的MOS管,然后再进行老化及温度测试,样机正常工作。以下为替换MOS后的温升测试图片:
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6 W9 `7 k" x/ R" c3 B$ R" I该图为样机老化6小时后的温度,各器件温度已经稳定,全都在合理范围内。04号MOS温度稳定在72.2度左右,离击穿温度还有很大的余量,完全满足客户需求。如果更换MOS后温度还是没有改善,则需要考虑是否为布局问题,可能要重新设计。/ J! R* g+ I" R. R" n- f

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