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本帖最后由 思睿达小妹妹 于 2023-6-21 10:23 编辑 # }. F$ Q. o* Q& m" s
) C0 ^* T+ Q( _+ C3 [) F5 \作者:屈工有话说
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: I& F$ x. `4 |; ]PoE(Power over Ethernet)是一种有线以太网供电技术,网线传输数据的同时具备直流供电能力。全面应用于POE交换机、IP摄像头、IP电话、无线AP、便携设备充电器、刷卡机、数据采集等供需端产品。而TT9930是一款用于以太网供电系统(POE,power over Ethernet)的DC/DC控制器,采用原边控制模式,内置200V高压MOS,具有较高的系统效率。2 m1 {& }( L' D9 X
( S1 j" l% l; b/ q7 `3 o工程师在使用TT9930样机时发现,样机正常老化时,突然没有输出。经过排查后,怀疑MOS故障,本文将分享解决思路和要点。以下图片为该样机图片:
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TT9930 样机图片
' R S: C0 ]8 c, B7 U* j w【应用】视频监控/无线AP/IP电话等! Q) H6 Q5 a. g3 d
【规格】12V2A
4 P* S# L% S, y3 h0 g【控制IC】TT9930/ c* D5 B v/ u8 k# ~
# X) @. Y t; @* `/ p& w3 v. n【问题描述】
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& B R% ?4 @+ U! X3 ^样机正常老化时,突然没有输出。经过排查后,发现MOS管击穿且MOS管很烫,怀疑MOS烧坏,于是对其进行点温测试。以下是样机的测试图片:
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! L9 G: a! W. r) J* @7 P- V点温测试:测试重要元器件的温度,该测试的元器件分别有三个IC(主控TT9930、XS2100S、同步CR85V25RSA)、MOS管、输入大电容、两个输出电容、变压器磁芯和变压器线圈。" g. d0 f- i4 @, U8 z
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如上图为测试环境,该测试在尽量密闭环境中进行,不会有大量空气流入,从而使得各元器件能快速达到温度平衡的状态。
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【解决思路】/ {) |* z! u. O+ {% |
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1、重新设计电源
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) g' J5 v1 k7 q! a首先,分析导致温度过高的原因,对电源进行重新设计。可以采用更高效的散热解决方案,例如增加散热片表面积、改善风道设计等。' D q7 a1 k3 B& R* V
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2、更换元器件
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7 t3 D, @7 g2 }7 F应优先选择低内阻、低损耗、高效率的元器件,同时可以适当增加元器件数量及规格。
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3、优化PCB布局
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合理的PCB布局有助于减小电路电磁干扰,降低损耗和温升,减少系统噪声,提高抗干扰性。
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0 {1 ^6 }9 g7 Y$ o# n2 j. ~* @ j4、优化散热设计% Q: R* i4 O* A$ L3 J0 i
6 j% s0 ^! m# K4 L6 H通过优化散热设计来降低温度,如增加散热片面积、优化风道设计、增加风扇数量和转速等。. ?( v$ o$ p$ _: m! G+ `
' @' x( E( Q* Y9 @/ A, C5、加强制造与测试管理) I7 g. y$ W4 |& m( Q# ^0 C5 v
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加强制造工艺控制和良品率管理,确保产品符合规范要求。并且加强产品的温升测试,在生产过程中对电源进行多次测试,及时发现不合格产品,以便及早调整。5 J8 L; Z' J1 `( p8 i6 R1 f
! [: \, k$ m# F) _# S1 ]0 V9 |【调通要点】& Q# D# t; G% O+ y7 }( b
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如上图首先通过对各元器件进行点温,观察各元器件的温度变化,如图04号元器件为MOS管,点温才不到几分钟后,MOS的温度就达到了93.7度,而其它元器件温度较为正常,初步判定MOS管出现了问题。# T2 a) n' r, ~) L6 Q; a
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$ l \' U7 p: u* _7 O, E% o0 m! l1 G如上图为再经过几分钟后的元器件温度(01-08为各元器件测试温度),继续观察。
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5 I" Q. f5 _" P& T, M7 D) U: v如上图可以明显看到,虽然所有的元器件(01-08为各元器件测试温度)温度都在持续上升,但都没有特别大的异常,唯独MOS高达116的温度,可以基本确定是MOS烧坏而导致样机老化时突然没有输出。5 z) b0 c- p+ u2 ]2 s. F- P1 X% L
) l G9 e$ e" p! M【最终结果】6 i' u+ ?2 i! m. c
" ^& A" Z/ e$ n% h. h+ x经过测试后发现,测试元器件的温度都在正常范围内,唯独MOS管的温度变化格外异常(01为输出电容、02为同步IC CR85V25RSA、03为变压器磁芯、04为MOS管、05为IC XS2100S、06为主控IC TT9930、07为输入电容、08为变压器线圈、09为环温),经过不断尝试更换一颗同规格但不同厂家的MOS管,然后再进行老化及温度测试,样机正常工作。以下为替换MOS后的温升测试图片:
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0 k( ~+ i( |0 I1 Z7 t该图为样机老化6小时后的温度,各器件温度已经稳定,全都在合理范围内。04号MOS温度稳定在72.2度左右,离击穿温度还有很大的余量,完全满足客户需求。如果更换MOS后温度还是没有改善,则需要考虑是否为布局问题,可能要重新设计。
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