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本帖最后由 思睿达小妹妹 于 2023-6-21 10:23 编辑
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作者:屈工有话说8 X6 K( m/ F0 u. D3 L1 j
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PoE(Power over Ethernet)是一种有线以太网供电技术,网线传输数据的同时具备直流供电能力。全面应用于POE交换机、IP摄像头、IP电话、无线AP、便携设备充电器、刷卡机、数据采集等供需端产品。而TT9930是一款用于以太网供电系统(POE,power over Ethernet)的DC/DC控制器,采用原边控制模式,内置200V高压MOS,具有较高的系统效率。; v! g1 ~. P; k3 m$ k& X' F% \
* s) q3 ^" h' B7 D工程师在使用TT9930样机时发现,样机正常老化时,突然没有输出。经过排查后,怀疑MOS故障,本文将分享解决思路和要点。以下图片为该样机图片:" d* L, ?* s6 G/ k& V+ c
7 \, b, U# G7 a1 @TT9930 样机图片 ) L+ @% ?5 M& n
【应用】视频监控/无线AP/IP电话等
. @' y. U. `' m2 B" P【规格】12V2A0 Z% O9 T) D3 I' \ k9 |2 \2 L+ K
【控制IC】TT9930
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* r0 }) X) |3 K" [, f7 Y【问题描述】" h, x% U( I9 N
$ Q! h$ ~# q% }/ T4 \样机正常老化时,突然没有输出。经过排查后,发现MOS管击穿且MOS管很烫,怀疑MOS烧坏,于是对其进行点温测试。以下是样机的测试图片:
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点温测试:测试重要元器件的温度,该测试的元器件分别有三个IC(主控TT9930、XS2100S、同步CR85V25RSA)、MOS管、输入大电容、两个输出电容、变压器磁芯和变压器线圈。
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如上图为测试环境,该测试在尽量密闭环境中进行,不会有大量空气流入,从而使得各元器件能快速达到温度平衡的状态。% e7 b, [: J! A+ y% @
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【解决思路】) R2 f/ e- G4 G, Y5 [/ o# `
2 S" Z- p$ s# Q. p1、重新设计电源5 v" b0 d- f- K; j4 e5 N( a; f
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首先,分析导致温度过高的原因,对电源进行重新设计。可以采用更高效的散热解决方案,例如增加散热片表面积、改善风道设计等。4 m4 U$ R2 U% z* L: R# n
" `3 x: C) x, `0 U+ y' q' E2、更换元器件5 D5 h' ~5 h5 Q( P8 b0 P* k& `- D
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应优先选择低内阻、低损耗、高效率的元器件,同时可以适当增加元器件数量及规格。
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( I- i$ h. t. Y( ~3、优化PCB布局% t A3 W& Q% l7 R
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合理的PCB布局有助于减小电路电磁干扰,降低损耗和温升,减少系统噪声,提高抗干扰性。
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4、优化散热设计
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通过优化散热设计来降低温度,如增加散热片面积、优化风道设计、增加风扇数量和转速等。
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& l$ w3 ?/ L: v+ \7 l5、加强制造与测试管理5 s2 [! s" {3 l
+ k9 b6 B. N7 U4 O& k$ W: \2 X$ c" i加强制造工艺控制和良品率管理,确保产品符合规范要求。并且加强产品的温升测试,在生产过程中对电源进行多次测试,及时发现不合格产品,以便及早调整。0 ~" E1 ? t. q3 k: ?. V
" u# c- b& Z! u【调通要点】
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如上图首先通过对各元器件进行点温,观察各元器件的温度变化,如图04号元器件为MOS管,点温才不到几分钟后,MOS的温度就达到了93.7度,而其它元器件温度较为正常,初步判定MOS管出现了问题。
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% p5 I, l) o9 o3 W, \" u4 k如上图为再经过几分钟后的元器件温度(01-08为各元器件测试温度),继续观察。 Q: _! p( [& e
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如上图可以明显看到,虽然所有的元器件(01-08为各元器件测试温度)温度都在持续上升,但都没有特别大的异常,唯独MOS高达116的温度,可以基本确定是MOS烧坏而导致样机老化时突然没有输出。 @' h( i" ]( w1 B
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【最终结果】5 m, L Z$ L3 q6 J
, E; b7 h: F) S2 U/ B经过测试后发现,测试元器件的温度都在正常范围内,唯独MOS管的温度变化格外异常(01为输出电容、02为同步IC CR85V25RSA、03为变压器磁芯、04为MOS管、05为IC XS2100S、06为主控IC TT9930、07为输入电容、08为变压器线圈、09为环温),经过不断尝试更换一颗同规格但不同厂家的MOS管,然后再进行老化及温度测试,样机正常工作。以下为替换MOS后的温升测试图片:
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Z8 |; |' y0 Q$ S该图为样机老化6小时后的温度,各器件温度已经稳定,全都在合理范围内。04号MOS温度稳定在72.2度左右,离击穿温度还有很大的余量,完全满足客户需求。如果更换MOS后温度还是没有改善,则需要考虑是否为布局问题,可能要重新设计。" m7 Y9 G, D8 ]# C6 r( O
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