|
|
本帖最后由 思睿达小妹妹 于 2023-6-21 10:23 编辑 0 `* A' d2 i6 H3 `% k" t4 W
) S" A. l$ Z8 t& Y6 Z" L. G
作者:屈工有话说
2 `3 \+ J! U' H* Z* L1 J' k& V: K, d& E2 m
PoE(Power over Ethernet)是一种有线以太网供电技术,网线传输数据的同时具备直流供电能力。全面应用于POE交换机、IP摄像头、IP电话、无线AP、便携设备充电器、刷卡机、数据采集等供需端产品。而TT9930是一款用于以太网供电系统(POE,power over Ethernet)的DC/DC控制器,采用原边控制模式,内置200V高压MOS,具有较高的系统效率。5 U0 D2 H1 j. g5 f4 F6 P9 N
$ a" _0 D" u4 c
工程师在使用TT9930样机时发现,样机正常老化时,突然没有输出。经过排查后,怀疑MOS故障,本文将分享解决思路和要点。以下图片为该样机图片:
) r8 T$ ]0 T2 z$ E$ N, K n& o; N) `& K, A' _
TT9930 样机图片
0 }+ {. j8 v6 `8 ^( S) O) D U- T( K【应用】视频监控/无线AP/IP电话等
4 k3 L- l& J w/ D; f* Y【规格】12V2A
! D) x! o* b; p. e5 y: A* I【控制IC】TT99305 B4 U" n1 a, Z" ?. e5 s2 d
! T4 h6 e9 K; y$ ?! V
【问题描述】
( G3 e0 L6 R5 s7 p; O; @) E. r b, n* o4 v
样机正常老化时,突然没有输出。经过排查后,发现MOS管击穿且MOS管很烫,怀疑MOS烧坏,于是对其进行点温测试。以下是样机的测试图片:
% u4 D8 t5 C3 m1 @# H4 G6 a% t3 u! `) j
( ^+ a+ K* k- _+ M. ~点温测试:测试重要元器件的温度,该测试的元器件分别有三个IC(主控TT9930、XS2100S、同步CR85V25RSA)、MOS管、输入大电容、两个输出电容、变压器磁芯和变压器线圈。
; f5 i/ I- f G2 B, g; Q+ a: G" V7 L' x( r8 C& i- d& s0 m- S- T
0 k* r+ x6 b+ c2 Y( u6 d, j如上图为测试环境,该测试在尽量密闭环境中进行,不会有大量空气流入,从而使得各元器件能快速达到温度平衡的状态。
' l7 @: b8 {+ f# k* ?9 Z) D! }4 `- ^0 K- b4 c2 l
【解决思路】
J% J0 [3 ]: s- i f; |1 p5 v. M% x$ w) f7 _( W' [
1、重新设计电源
" ^* X8 l5 `! j3 w/ K1 |8 G* a$ ^0 i b0 Y1 d( i, }
首先,分析导致温度过高的原因,对电源进行重新设计。可以采用更高效的散热解决方案,例如增加散热片表面积、改善风道设计等。9 J! L( U) B/ y
% L% h: r* @# b2 r' r2、更换元器件' v0 u% x1 \- \" S6 |
' ?; Q' b8 e3 a1 p$ B+ @ f应优先选择低内阻、低损耗、高效率的元器件,同时可以适当增加元器件数量及规格。* K9 k, ? y y- G! m" |) U
+ ^9 |6 p2 `) L9 S3、优化PCB布局8 J1 d- I4 w+ `6 E. n/ j
2 _6 W# S+ p9 `3 I合理的PCB布局有助于减小电路电磁干扰,降低损耗和温升,减少系统噪声,提高抗干扰性。$ ~4 z7 z" I/ }7 C x: ^* x
+ N. y6 P9 x. ~" J0 X C) k
4、优化散热设计$ R' Y8 K" g' F! A. \% i" @
- H9 S7 D' X0 ^+ }: ]2 L) Q( y9 ]
通过优化散热设计来降低温度,如增加散热片面积、优化风道设计、增加风扇数量和转速等。/ i9 q4 o9 }% w6 c8 F. h
3 M" ?1 B7 P8 q7 ]0 W9 b3 O5、加强制造与测试管理. _! T L; s8 g$ E8 `. L9 O
# H! G! \/ X0 O0 E6 y加强制造工艺控制和良品率管理,确保产品符合规范要求。并且加强产品的温升测试,在生产过程中对电源进行多次测试,及时发现不合格产品,以便及早调整。
8 T5 Z# n/ B. @8 Q# t4 v4 ]/ c3 h8 d- q9 Z
【调通要点】0 v% s( y* _& g" z) f( l% E* T! N
3 k3 Q! ~0 S3 u: D; w9 D6 `
如上图首先通过对各元器件进行点温,观察各元器件的温度变化,如图04号元器件为MOS管,点温才不到几分钟后,MOS的温度就达到了93.7度,而其它元器件温度较为正常,初步判定MOS管出现了问题。 n+ b$ w" B0 d& U" s/ K1 j
' \& N& l5 S9 W8 x, c, l
0 V" [# b7 r) L! G* p$ P0 s: l
如上图为再经过几分钟后的元器件温度(01-08为各元器件测试温度),继续观察。. M( x' y( w; \ q
: B0 a# V9 A( j ~0 A
" U' k: T9 Y& R$ j% P$ u) w如上图可以明显看到,虽然所有的元器件(01-08为各元器件测试温度)温度都在持续上升,但都没有特别大的异常,唯独MOS高达116的温度,可以基本确定是MOS烧坏而导致样机老化时突然没有输出。
0 T0 S0 d; F1 y# N- L4 F7 F
: L% [, }7 R" N7 X" d+ i4 U【最终结果】$ Z( Z9 k: k. ~# `! ?) D
9 b7 z! R! c8 ^1 W: g; \" k经过测试后发现,测试元器件的温度都在正常范围内,唯独MOS管的温度变化格外异常(01为输出电容、02为同步IC CR85V25RSA、03为变压器磁芯、04为MOS管、05为IC XS2100S、06为主控IC TT9930、07为输入电容、08为变压器线圈、09为环温),经过不断尝试更换一颗同规格但不同厂家的MOS管,然后再进行老化及温度测试,样机正常工作。以下为替换MOS后的温升测试图片:
A2 ?9 x; _* a/ E% l0 M( |' _8 _% O1 @- {* {) i4 k
/ [6 o3 x& t' @6 X" S
该图为样机老化6小时后的温度,各器件温度已经稳定,全都在合理范围内。04号MOS温度稳定在72.2度左右,离击穿温度还有很大的余量,完全满足客户需求。如果更换MOS后温度还是没有改善,则需要考虑是否为布局问题,可能要重新设计。$ G! P* @) E) c* _# `/ T- u I5 M
5 L* J D3 y, f6 t. u
|
本帖子中包含更多资源
您需要 登录 才可以下载或查看,没有帐号?注册
x
|