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PoE电源模块不输出?可能是MOS管故障,解决方法请拿走~

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发表于 2023-6-21 10:21:57 | 显示全部楼层 |阅读模式
本帖最后由 思睿达小妹妹 于 2023-6-21 10:23 编辑 # Q; C4 _6 G4 I* K  W. X

5 C, q, T7 @0 u! N作者:屈工有话说: M  V: i! \8 M' Y. U% o" H
$ M+ n* l" i& Z2 d% d
PoE(Power over Ethernet)是一种有线以太网供电技术,网线传输数据的同时具备直流供电能力。全面应用于POE交换机、IP摄像头、IP电话、无线AP、便携设备充电器、刷卡机、数据采集等供需端产品。而TT9930是一款用于以太网供电系统(POE,power over Ethernet)的DC/DC控制器,采用原边控制模式,内置200V高压MOS,具有较高的系统效率。# @3 j% B& s# z! f
& t# s: W" J- Z$ Q4 s8 n4 q; H
工程师在使用TT9930样机时发现,样机正常老化时,突然没有输出。经过排查后,怀疑MOS故障,本文将分享解决思路和要点。以下图片为该样机图片:
. v2 @2 l1 x* @9 w" b
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TT9930 样机图片

) o5 _: j0 [' A* @0 H8 |7 D【应用】视频监控/无线AP/IP电话等
0 s" X; D9 g+ F0 Q) G; ~* J【规格】12V2A' U8 z  M( `1 ?6 X) {* G
【控制IC】TT9930
3 J% H& B! K5 b2 t& l3 {3 S* ?2 |' `! P% i! A# n
【问题描述】
1 K/ Z* H4 H0 r. P( V$ o# K, z
- Z9 L0 A; V  |! `' ?: P7 z样机正常老化时,突然没有输出。经过排查后,发现MOS管击穿且MOS管很烫,怀疑MOS烧坏,于是对其进行点温测试。以下是样机的测试图片:
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( q& N8 C8 W! y  L点温测试:测试重要元器件的温度,该测试的元器件分别有三个IC(主控TT9930、XS2100S、同步CR85V25RSA)、MOS管、输入大电容、两个输出电容、变压器磁芯和变压器线圈。/ _; I2 x) C/ L) z7 E4 H

3 S, f, @2 K* f5 R6 X) z
' M& [* r; E6 w+ j( j8 y. Q' Y3 e
如上图为测试环境,该测试在尽量密闭环境中进行,不会有大量空气流入,从而使得各元器件能快速达到温度平衡的状态。
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: e! E( b- Y$ r# S6 M9 L【解决思路】
, R6 z0 ~/ @# r3 {  Y  o9 P, A4 E6 `
1、重新设计电源2 Z% n1 o' M: ^. O) H! q

! v: ?/ d* B4 F0 P% X首先,分析导致温度过高的原因,对电源进行重新设计。可以采用更高效的散热解决方案,例如增加散热片表面积、改善风道设计等。5 j7 }; {2 t7 ?& e
$ H3 \1 M2 q3 x* f+ W5 m- {
2、更换元器件
; Z. W3 L7 G3 P; j7 D0 ^
& ~8 e, w, _9 ?' D8 q应优先选择低内阻、低损耗、高效率的元器件,同时可以适当增加元器件数量及规格。
5 @( N* B  m7 Z0 G4 Q# B( @5 `: c3 l7 o
3、优化PCB布局0 i. M" L+ Y0 q5 |+ z
* t: k7 |  B" H4 \0 N% F" k# X3 O7 q+ K
合理的PCB布局有助于减小电路电磁干扰,降低损耗和温升,减少系统噪声,提高抗干扰性。: t1 H# M- k6 j, i; R6 Z

  j3 B4 U. \3 |9 P5 F4、优化散热设计
% D: [. q6 L1 x8 k( X1 T$ r+ g
. A2 [1 D* Y* X7 n通过优化散热设计来降低温度,如增加散热片面积、优化风道设计、增加风扇数量和转速等。
6 g8 L" V1 B# E% Z) U  H& U, K6 M, x& w
5、加强制造与测试管理
- ^" G6 W' @7 w0 k' u
% y9 w$ Y1 i/ W+ T* r5 {* h加强制造工艺控制和良品率管理,确保产品符合规范要求。并且加强产品的温升测试,在生产过程中对电源进行多次测试,及时发现不合格产品,以便及早调整。
* B; E3 e/ a' A& x
' u8 h5 v, X4 d3 n* y: V9 @【调通要点】
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) T1 Q( J; \7 n+ C$ x* R如上图首先通过对各元器件进行点温,观察各元器件的温度变化,如图04号元器件为MOS管,点温才不到几分钟后,MOS的温度就达到了93.7度,而其它元器件温度较为正常,初步判定MOS管出现了问题。& X- Q5 `7 O' _* Y  W4 ?
. p2 h/ g6 N% {/ z, [

7 ?! ^- T! R/ z# p& G1 F如上图为再经过几分钟后的元器件温度(01-08为各元器件测试温度),继续观察。+ E: V; y! `9 B
  F2 T& P0 _; \/ i) m" F1 J
/ o% n) ?& X; g0 [5 l% c
如上图可以明显看到,虽然所有的元器件(01-08为各元器件测试温度)温度都在持续上升,但都没有特别大的异常,唯独MOS高达116的温度,可以基本确定是MOS烧坏而导致样机老化时突然没有输出。4 L7 n' p5 s+ c. f, A, ~5 ?% h

6 R9 L/ Y. f1 W0 l/ g" ~【最终结果】
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经过测试后发现,测试元器件的温度都在正常范围内,唯独MOS管的温度变化格外异常(01为输出电容、02为同步IC CR85V25RSA、03为变压器磁芯、04为MOS管、05为IC XS2100S、06为主控IC TT9930、07为输入电容、08为变压器线圈、09为环温),经过不断尝试更换一颗同规格但不同厂家的MOS管,然后再进行老化及温度测试,样机正常工作。以下为替换MOS后的温升测试图片:
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该图为样机老化6小时后的温度,各器件温度已经稳定,全都在合理范围内。04号MOS温度稳定在72.2度左右,离击穿温度还有很大的余量,完全满足客户需求。如果更换MOS后温度还是没有改善,则需要考虑是否为布局问题,可能要重新设计。: S+ B# x4 r8 g  }2 P
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