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PoE电源模块不输出?可能是MOS管故障,解决方法请拿走~

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发表于 2023-6-21 10:21:57 | 显示全部楼层 |阅读模式
本帖最后由 思睿达小妹妹 于 2023-6-21 10:23 编辑
/ [; z0 d+ V4 q* D8 N0 l
  t' U" D* o1 ]作者:屈工有话说
; j7 z+ y/ m- Q* S, {, z9 e. _( W  B
PoE(Power over Ethernet)是一种有线以太网供电技术,网线传输数据的同时具备直流供电能力。全面应用于POE交换机、IP摄像头、IP电话、无线AP、便携设备充电器、刷卡机、数据采集等供需端产品。而TT9930是一款用于以太网供电系统(POE,power over Ethernet)的DC/DC控制器,采用原边控制模式,内置200V高压MOS,具有较高的系统效率。- B7 u  ~# F3 u' j
4 D* t( ^6 ~9 l- _
工程师在使用TT9930样机时发现,样机正常老化时,突然没有输出。经过排查后,怀疑MOS故障,本文将分享解决思路和要点。以下图片为该样机图片:
- p6 W% z( Y, y, n
$ L. }$ @2 b% h3 j5 b0 y
TT9930 样机图片

, ]/ h, r: J) D( ~+ {. A【应用】视频监控/无线AP/IP电话等
8 F1 U4 d: d4 I0 q" @! b3 |【规格】12V2A5 \6 n# q3 s: g  N; N0 J1 p
【控制IC】TT9930  F9 I1 t1 k" n

8 H" }: Y; |9 a$ V# a; i% U【问题描述】
9 a7 i, Y4 I' V7 x3 i% D; L- U
# [, Z9 {" l" _样机正常老化时,突然没有输出。经过排查后,发现MOS管击穿且MOS管很烫,怀疑MOS烧坏,于是对其进行点温测试。以下是样机的测试图片:
# o0 C" a: @: j' m
, X' h% @; a) U8 {. e

0 m9 b2 J8 ]) \+ A3 s点温测试:测试重要元器件的温度,该测试的元器件分别有三个IC(主控TT9930、XS2100S、同步CR85V25RSA)、MOS管、输入大电容、两个输出电容、变压器磁芯和变压器线圈。  V# }3 P3 `* U% S  U' d/ R
. p; j) e! |. X. R

: r3 d" @( H7 Y" @" \如上图为测试环境,该测试在尽量密闭环境中进行,不会有大量空气流入,从而使得各元器件能快速达到温度平衡的状态。
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0 J/ t. a& s$ w+ ~【解决思路】5 _3 R" i( n( X, m$ r
" h! Y/ I0 c2 d  ?& C( @. Q
1、重新设计电源1 B$ Y( E; i( Z$ T/ d9 c

2 b) I! g' [: o2 D" D/ }# S首先,分析导致温度过高的原因,对电源进行重新设计。可以采用更高效的散热解决方案,例如增加散热片表面积、改善风道设计等。
2 D9 G: z. m" M7 f- d/ _. a3 e- [! Z: Z" T0 G* \4 g# R
2、更换元器件
$ H2 ~6 a: C; ^4 g- j+ o% g2 _1 [9 |9 y
应优先选择低内阻、低损耗、高效率的元器件,同时可以适当增加元器件数量及规格。+ J4 T( Y2 ~$ f$ a
' f- |$ N, u. J' N! t
3、优化PCB布局
9 n1 z, H& w0 B
/ t4 Z7 v% z% `1 X8 m% M合理的PCB布局有助于减小电路电磁干扰,降低损耗和温升,减少系统噪声,提高抗干扰性。
" f; z  B) v/ G* K% A( H
1 Z/ h. y+ x! P! Z) C, y4、优化散热设计4 _) h8 a- N3 F/ E+ Y
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通过优化散热设计来降低温度,如增加散热片面积、优化风道设计、增加风扇数量和转速等。3 k+ [+ c7 V1 J
- D  Q& P4 }7 }, n
5、加强制造与测试管理9 Y; j6 j+ e9 @& F& D

1 i4 B" p# J2 e) C加强制造工艺控制和良品率管理,确保产品符合规范要求。并且加强产品的温升测试,在生产过程中对电源进行多次测试,及时发现不合格产品,以便及早调整。* w4 }( \( f* Y: g% T8 L
2 V5 g  ?4 w. u( p0 ?; M) F
【调通要点】/ B0 ?+ T% Z8 L1 g/ A
) m1 Z+ b" \! R% \
如上图首先通过对各元器件进行点温,观察各元器件的温度变化,如图04号元器件为MOS管,点温才不到几分钟后,MOS的温度就达到了93.7度,而其它元器件温度较为正常,初步判定MOS管出现了问题。; O7 |) d* \/ R2 ]8 l  d% a
* ?8 ]9 k5 \) {5 x: N% U" Z; k. E

  x' S2 Y/ k; p2 Y& U% w9 h如上图为再经过几分钟后的元器件温度(01-08为各元器件测试温度),继续观察。
. i  L+ g& E0 X2 g% S9 n% e! g1 t  H. {$ R2 t" D! `9 u; _
* F3 T) ?- g0 Z3 u
如上图可以明显看到,虽然所有的元器件(01-08为各元器件测试温度)温度都在持续上升,但都没有特别大的异常,唯独MOS高达116的温度,可以基本确定是MOS烧坏而导致样机老化时突然没有输出。) G+ T, y6 ]$ E8 ]0 ?8 J6 Z. |0 Y% S9 Z
* F/ ^9 ]$ C7 F% p, [2 K2 p
【最终结果】& l. W5 M: Z0 ]6 @4 M4 y( W8 z
4 U4 @+ Y! k& M. q- \
经过测试后发现,测试元器件的温度都在正常范围内,唯独MOS管的温度变化格外异常(01为输出电容、02为同步IC CR85V25RSA、03为变压器磁芯、04为MOS管、05为IC XS2100S、06为主控IC TT9930、07为输入电容、08为变压器线圈、09为环温),经过不断尝试更换一颗同规格但不同厂家的MOS管,然后再进行老化及温度测试,样机正常工作。以下为替换MOS后的温升测试图片:) K  b! o' C7 r
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6 s4 p: a0 i+ y; P
该图为样机老化6小时后的温度,各器件温度已经稳定,全都在合理范围内。04号MOS温度稳定在72.2度左右,离击穿温度还有很大的余量,完全满足客户需求。如果更换MOS后温度还是没有改善,则需要考虑是否为布局问题,可能要重新设计。
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