|
|
本帖最后由 思睿达小妹妹 于 2023-6-21 10:23 编辑 + c5 D/ o2 V* |* X
# p/ Z7 h0 |" F Y9 a. M作者:屈工有话说2 x; P: n) }2 e, z" L
+ {* d1 u+ o0 w" hPoE(Power over Ethernet)是一种有线以太网供电技术,网线传输数据的同时具备直流供电能力。全面应用于POE交换机、IP摄像头、IP电话、无线AP、便携设备充电器、刷卡机、数据采集等供需端产品。而TT9930是一款用于以太网供电系统(POE,power over Ethernet)的DC/DC控制器,采用原边控制模式,内置200V高压MOS,具有较高的系统效率。* L; |' Z& M; ?2 `) @( U
! S8 ^8 I- s+ J" C( l8 e5 ?. [
工程师在使用TT9930样机时发现,样机正常老化时,突然没有输出。经过排查后,怀疑MOS故障,本文将分享解决思路和要点。以下图片为该样机图片:
/ w, q! q, B s6 R5 m |& X: N
5 Y* x) T. i2 r/ MTT9930 样机图片 / A6 }+ ? Y! s! b; n7 s+ g
【应用】视频监控/无线AP/IP电话等/ w) N* b0 g8 z3 a0 w1 G. Q
【规格】12V2A
) K0 P% c4 N& \7 j# h. t【控制IC】TT9930
; f9 c' S, Z8 e% R9 s2 q+ \& t; ~1 {
【问题描述】
i ~% H$ n8 s3 P' W: |0 W) A/ f* q; O n* Z
样机正常老化时,突然没有输出。经过排查后,发现MOS管击穿且MOS管很烫,怀疑MOS烧坏,于是对其进行点温测试。以下是样机的测试图片:
( P. ~, \' N3 R2 r, z- y. E5 s; l/ X2 F+ x
7 [. j# Q3 J0 V# E5 A& g点温测试:测试重要元器件的温度,该测试的元器件分别有三个IC(主控TT9930、XS2100S、同步CR85V25RSA)、MOS管、输入大电容、两个输出电容、变压器磁芯和变压器线圈。 A( G1 g. H4 Q) a
3 @, ]& u2 ~. A
+ `& n! ?! s2 V2 Y' J6 i如上图为测试环境,该测试在尽量密闭环境中进行,不会有大量空气流入,从而使得各元器件能快速达到温度平衡的状态。/ ^: H U* H1 ]! V" k
* D' U; i' b5 J! _: T) z
【解决思路】1 A9 u D c6 }) }6 ~# J: _# z& T" Q
& S$ v% m9 [* t; p6 E) v1、重新设计电源
$ j. J: N* `6 O0 _3 o/ w$ j* B1 n8 e- E
首先,分析导致温度过高的原因,对电源进行重新设计。可以采用更高效的散热解决方案,例如增加散热片表面积、改善风道设计等。
! H+ c+ G* S0 b: B0 b) q1 [0 U& \& w9 ~( I9 s
2、更换元器件/ K* g) D! L, {# I! g! _8 }
2 L* Z7 f2 S5 M: T) Q' }& N) l应优先选择低内阻、低损耗、高效率的元器件,同时可以适当增加元器件数量及规格。% a' h; A4 R) ~( j
9 x, I' F: e+ k. z0 ^ h1 S3、优化PCB布局3 n( g) D/ |: P/ N* _8 o
& o* E1 B% F, y5 M合理的PCB布局有助于减小电路电磁干扰,降低损耗和温升,减少系统噪声,提高抗干扰性。
% f K2 {7 t" s2 l# t
" R- p7 F6 S3 B9 n0 T5 d4、优化散热设计
C# h1 y" l- D) j' \; D6 V; @
7 ]( @' l# G( _3 H) O通过优化散热设计来降低温度,如增加散热片面积、优化风道设计、增加风扇数量和转速等。
: K1 n: U- E( v$ g
$ T5 F1 N9 A) o7 R5、加强制造与测试管理
3 C& {. w) E- C6 U$ _. N/ z+ O: y3 {' J
加强制造工艺控制和良品率管理,确保产品符合规范要求。并且加强产品的温升测试,在生产过程中对电源进行多次测试,及时发现不合格产品,以便及早调整。: D6 @1 g0 c$ X
2 O8 W6 A7 l3 X4 K- Y' o' C# Y& X9 O
【调通要点】$ C0 ]# h0 C8 R( v4 q
3 X- g D6 Z0 k! Y" {! F$ i如上图首先通过对各元器件进行点温,观察各元器件的温度变化,如图04号元器件为MOS管,点温才不到几分钟后,MOS的温度就达到了93.7度,而其它元器件温度较为正常,初步判定MOS管出现了问题。
6 s# l' r% c+ @ I3 u$ _
' d4 C/ q D; f' V2 O e8 c' G# W' N: D: F
如上图为再经过几分钟后的元器件温度(01-08为各元器件测试温度),继续观察。
! g9 f e- X7 x9 R$ F
* }' W( A" F- i% M. s, l7 r
3 T& q" @/ ]3 p2 ^0 Y9 N- x: ?如上图可以明显看到,虽然所有的元器件(01-08为各元器件测试温度)温度都在持续上升,但都没有特别大的异常,唯独MOS高达116的温度,可以基本确定是MOS烧坏而导致样机老化时突然没有输出。
* _! v- y* R! K" i) A
6 ~/ {# D+ k, n1 z0 x( n% S【最终结果】
1 l6 K. V F1 w, Q: U# F
+ X2 U8 ^! u' V" S6 Z v经过测试后发现,测试元器件的温度都在正常范围内,唯独MOS管的温度变化格外异常(01为输出电容、02为同步IC CR85V25RSA、03为变压器磁芯、04为MOS管、05为IC XS2100S、06为主控IC TT9930、07为输入电容、08为变压器线圈、09为环温),经过不断尝试更换一颗同规格但不同厂家的MOS管,然后再进行老化及温度测试,样机正常工作。以下为替换MOS后的温升测试图片:
* Q5 q$ }/ A+ n k( I9 d- Q( U) \- q% \+ a+ S& H5 u
) @5 V- L+ E" y. v! A
该图为样机老化6小时后的温度,各器件温度已经稳定,全都在合理范围内。04号MOS温度稳定在72.2度左右,离击穿温度还有很大的余量,完全满足客户需求。如果更换MOS后温度还是没有改善,则需要考虑是否为布局问题,可能要重新设计。7 k3 f/ J% Z+ ?8 j
$ q4 b& I9 I a& @3 \# E |
本帖子中包含更多资源
您需要 登录 才可以下载或查看,没有帐号?注册
x
|