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两款电源芯片对决,谁能遥遥领先?看完测试报告有答案

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发表于 2023-3-16 10:50:13 | 显示全部楼层 |阅读模式
本帖最后由 思睿达小妹妹 于 2023-3-16 10:55 编辑 ; d8 r6 ?8 D% w

! E% e3 H$ G( a当今世界,人们的生活已是片刻也离不开电子设备。电源管理芯片在电子设备系统中担负起对电能的变换、分配、检测及其它电能管理的职责。电源管理芯片对电子系统而言是不可或缺的,其性能的优劣对整机的性能有着直接的影响。
4 C+ G  u$ i: ?7 S! M
7 L5 ]# ~; _/ _! H* ^. _/ ?电源管理芯片的应用范围十分广泛,例如本公司主推的CR6890H可应用在AC/DC适配器、电机类适配器、充电器等。接下来,我们将CR6890H和电源IC XX5533进行对比测试,看看哪一款IC更胜一筹!" C: P* t0 F. w" h* L

( _# h& t' ?; f% o: @关于CR6890H* L8 B3 g- g7 D: t. s+ M

% _5 Q1 U$ |- x+ V2 W. CCR6890H是一款高集成度、低待机功耗的CCM+PFM混合电流模式PWM控制器。CR6890H轻载时会降低频率,最低频率22kHz可避免音频噪声。CR6890H提供了完整的保护功能,如cycle-by-cycle电流限制、OCP、OTP、VDD_OVP、UVLO等,还可以通过PRT脚分别精确设置外置过温保护和输出电压过压保护。软启动功能可以减少系统启动时MOSFET的应力,前沿消隐时间简化了系统应用。通过频率抖动和软驱动电路的设计,降低开关噪声,简化了EMI设计。CR6890H提供SOT23-6L的封装。
5 }: n; l( G* n7 r0 D$ d) w8 ^) h5 A
主要特点- d% F* e, e$ {* r* O3 w+ w# _
8 y4 |1 i8 h  `5 D' B$ v
● 较低的启动电流(大约3μA)
$ }! E- N# b( g$ n● 内置软启动减少MOSFET应力5 k0 }, h* y6 H- t6 Z
● CCM+PFM控制模式
! ~( Z/ w8 |) E/ L● 内建同步斜坡补偿,消除次谐波震荡, v" }. f7 B% {
● 内建频率抖动功能,降低EMI
, Y- V5 d; ?0 q1 J! `7 r/ ^- P● 内置65kHz开关频率( S5 S6 D" K: z2 R3 F
● 轻载降低工作频率
1 h" B: ]8 D: ~8 `. x6 I; r2 J. I● 15ms倍频模式+ N& u& z8 q/ ]' J8 K( ]
● 可编程外置过温保护并进入latch3 ~; i! k. n; A; T+ ~+ W  ~7 C% w
● VDD过压保护和输出过压保护功能并进入latch
8 c- a) G  ?# _( y3 b5 Q# V; p- R● 内置前沿消隐电路
1 l) J& q" L, |; @" X; g3 j/ _● 内置输出二极管短路保护* O, \2 a7 k2 i$ d+ [: Y8 P; P  c* O
● 内置过温保护并进入latch
% u4 O6 b9 \" l' J% o0 H" v● 过载保护
2 b9 M$ A5 u8 M$ a" Z4 F● SOT23-6L封装
9 c5 u8 j' R9 ^2 `5 W- u, f
- n& X) A  O4 U' s0 x1 }7 _, h  y$ r基本应用
& \6 W/ B0 u5 J+ ]- R. P8 p! B, e' q# Z! U8 M0 B, C1 |
● AC/DC适配器
* \' Z7 h6 E# E$ L: V9 v! m● 电机类适配器
8 O, q: h; L  c, U8 O5 r7 |● 充电器
4 f2 W* r& f4 A) _( _1 v● 存储设备电源
/ Q) K  d! ]0 V9 E3 K  C% E
/ t6 u4 U9 o* `( g) d- U典型应用" d/ W/ E' [) s* G; N. P* b9 J
管脚排列
) T& d, f/ \  q
管脚描述( a% a2 j" d8 w* V8 F' A2 E/ \

' \) H0 Q+ U2 x( e" M$ u一、样机规格
# Q$ h" y6 \: d: h' y. m' T1 E9 W, t3 f& [
输出电压12V,输出负载5A,IC lot:HHP02。
; l) G4 U, q9 V; @1 e, {0 z/ b
$ M8 t7 k6 b% [0 Y修改参数:
& a# m8 `1 C$ n9 J3 j$ [; L; _0 M, B
替换IC,RS1电阻由0.33R改为0.27R(直接并1R电阻)R9由47R改为200R,R8由33R改为20R。" x6 E+ k. @* ]1 E) a: H$ x

  _$ z# o$ g9 @4 ~; {" L3 C二、基本电性参数/ Q$ Q* E2 o5 V; @6 a
三、基本波形
2 o1 \5 O9 {8 s  R1 B. i" q
; Z) L( b, T) h* R1 ~7 O
XX5533 264V/50HZ MOS波形

4 N$ X; d" v7 C# S
CR6890H 264V/50HZ MOS波形

6 O8 h- T2 u2 G/ v) s$ b. R
XX5533 264V/50HZ 肖特基波形

: \) E; L! k$ w/ D5 y# Q
CR6890H 264V/50HZ 肖特基波形
% Y' W6 C/ K7 @4 I& _# U' `, U4 |
XX5533 264V/50HZ GATE波形
9 f' C/ w5 T* J- I7 g1 V) O: T% s8 E
CR6890H 264V/50HZ GATE波形

1 F! O0 U6 F, u, V3 V5 ~7 ]  i" y
XX5533 230V/50HZ 传导波形 N

% M) C5 q+ U+ ]7 ?; N3 b6 N
XX5533 230V/50HZ 传导波形 L

7 X4 B5 ?% N1 n# H  @
CR6890H 230V/50HZ 传导波形 N
, k* Q# e! ^# r9 U+ i
CR6890H 230V/50HZ 传导波形 L
7 r5 A/ e! q) c- E% m
XX5533 230V/50HZ 辐射波形

' W7 ?- [# }% f* q
XX5533 230V/50HZ 辐射波形
2 e! K, O2 \0 G& Z
CR6890H 230V/50HZ 辐射波形

# d5 l& Z' L( @/ P* W+ W' D
CR6890H 230V/50HZ 辐射波形

: g0 Q7 `; I* T& R" B对比结果
: N- T  R8 }) o0 N; G' o, b; B9 L/ i; x! O1 Y+ C
电性基本一致,CR6890H效率更高。
5 Y$ n2 J* Q4 ]' O7 s
& T: c3 R2 P+ o5 t: |

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