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本帖最后由 思睿达小妹妹 于 2023-3-16 10:55 编辑 3 ^( p. v5 J) Q. }
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当今世界，人们的生活已是片刻也离不开电子设备。电源管理芯片在电子设备系统中担负起对电能的变换、分配、检测及其它电能管理的职责。电源管理芯片对电子系统而言是不可或缺的，其性能的优劣对整机的性能有着直接的影响。9 ?+ {0 p9 c3 S( q* u
6 |8 F' I) F# v, n. I9 D' j
电源管理芯片的应用范围十分广泛，例如本公司主推的CR6890H可应用在AC/DC适配器、电机类适配器、充电器等。接下来，我们将CR6890H和电源IC XX5533进行对比测试，看看哪一款IC更胜一筹！
5 y7 I; o1 c5 b0 b% k" m2 s: H8 T0 ~1 F2 x( a
关于CR6890H8 r8 ?2 D. J; G7 ?6 f
5 B$ e' b: P7 ZCR6890H是一款高集成度、低待机功耗的CCM+PFM混合电流模式PWM控制器。CR6890H轻载时会降低频率，最低频率22kHz可避免音频噪声。CR6890H提供了完整的保护功能，如cycle-by-cycle电流限制、OCP、OTP、VDD_OVP、UVLO等，还可以通过PRT脚分别精确设置外置过温保护和输出电压过压保护。软启动功能可以减少系统启动时MOSFET的应力，前沿消隐时间简化了系统应用。通过频率抖动和软驱动电路的设计，降低开关噪声，简化了EMI设计。CR6890H提供SOT23-6L的封装。 M# T/ C. q& w
* n7 N. Y+ Q& g# H3 O6 }
主要特点
) m# O3 ~" N M( \& U! N# P, G0 |+ Q
● 较低的启动电流(大约3μA)
+ V# n5 S3 w! O- h2 v) g2 x; o● 内置软启动减少MOSFET应力
) q1 \5 ~0 U( f1 p7 Z0 }! Q1 N) m1 e+ D● CCM+PFM控制模式) l. i' s- r* o8 u# L1 l( i
● 内建同步斜坡补偿，消除次谐波震荡
7 F: x- G0 k4 g7 [: S● 内建频率抖动功能，降低EMI
2 e# x: e. _& d& }● 内置65kHz开关频率5 \4 _2 q, p, C. ?- G
● 轻载降低工作频率( z# B0 e% \8 p. T+ B4 l d
● 15ms倍频模式
& c0 D( X- C; D. s# z● 可编程外置过温保护并进入latch
! b( v. O2 M* \$ L● VDD过压保护和输出过压保护功能并进入latch
1 w+ W0 h9 L; q1 q● 内置前沿消隐电路2 E4 a1 ?) u6 _" v. J+ A
● 内置输出二极管短路保护
" A- h8 k* t" {5 q7 v0 W( z● 内置过温保护并进入latch
; k$ ~( a( v7 b* M5 N2 Q● 过载保护+ H Z& {: m& ~6 \7 h) g' C
● SOT23-6L封装
7 b3 t! ^- Q$ f: N8 N1 f) Z! R4 C
基本应用
. @8 F D- ]& G% x- q3 i4 o0 P9 L5 C) \
● AC/DC适配器" p `8 i: y1 o5 r; U1 M
● 电机类适配器
- Y( e3 r% q# V3 [8 Z% S" t● 充电器
# d. B# l' u, {4 b/ W+ z& z● 存储设备电源
+ a; X9 A; u' A
X ?2 ~ A _6 k/ O9 k1 S典型应用( c$ V9 s: k2 u. I. e! I
管脚排列
0 l% Y! w+ d; F/ J+ Y7 d管脚描述
% `6 B/ }1 _9 M) H! S! b* x" e% ?) L9 G- u! |. r& L& }3 p+ R, s2 w2 H
一、样机规格
5 X7 E( O: S" c K+ T& n# i; {: D1 }0 v4 X* X% M( q
输出电压12V，输出负载5A，IC lot：HHP02。
! B8 [8 _" R$ O! \ j
! o7 m1 t+ Z) U0 C$ Z+ f" _修改参数：
! X& P+ {0 \. C8 D2 M- W8 i' m! c/ j" w% k8 Z# E
替换IC，RS1电阻由0.33R改为0.27R（直接并1R电阻）R9由47R改为200R，R8由33R改为20R。2 h. \8 I# _/ o, [6 c' a% U+ c
) l" _. w3 M2 ]. T6 h) [二、基本电性参数2 V8 `5 [" n. e
三、基本波形
3 z1 M9 H M( P+ o' O& [, T! Y( t6 c% ~7 l& a
XX5533 264V/50HZ MOS波形
+ h! k, I6 r/ T6 ?5 m* I, m/ b2 JCR6890H 264V/50HZ MOS波形
1 n# R8 y+ D( nXX5533 264V/50HZ 肖特基波形
2 ?% }+ R6 o% R! @; Y1 S8 DCR6890H 264V/50HZ 肖特基波形
$ G3 V0 G9 h1 {0 Q' U' ~XX5533 264V/50HZ GATE波形 2 N4 A' d6 o# x" v; @6 E
CR6890H 264V/50HZ GATE波形 3 f5 K3 u- M2 z' M, m0 F. P
XX5533 230V/50HZ 传导波形 N & @6 B' T6 F5 z; o0 N4 ~6 T. s9 Y
XX5533 230V/50HZ 传导波形 L , b0 d: W2 n! O8 R
CR6890H 230V/50HZ 传导波形 N
; y7 G, M/ u- O* j3 B. UCR6890H 230V/50HZ 传导波形 L 8 a0 n! m! h) y% n" k
XX5533 230V/50HZ 辐射波形 3 I. O1 r3 h& Y {* L8 {" r: J
XX5533 230V/50HZ 辐射波形
3 V. m6 q; Q% V+ i: ACR6890H 230V/50HZ 辐射波形
" f! z& y& n3 x' s" k) JCR6890H 230V/50HZ 辐射波形 6 L& N2 ]% S0 ?* n3 p
对比结果
1 m5 T! e, J' l9 ]( H) D5 |
( a/ E% b2 o* {1 r4 V& q3 s电性基本一致，CR6890H效率更高。
' N- o- |2 ]1 D$ V4 I) r- R/ |# Q( H2 Q7 m& s; \, h8 C* h2 y
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发表于 2023-3-16 10:50:13
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