|
|
本帖最后由 思睿达小妹妹 于 2023-3-16 10:55 编辑 . H5 O) I9 m9 E E3 e Y
w: j0 f; j2 o: s. k$ `$ h
当今世界,人们的生活已是片刻也离不开电子设备。电源管理芯片在电子设备系统中担负起对电能的变换、分配、检测及其它电能管理的职责。电源管理芯片对电子系统而言是不可或缺的,其性能的优劣对整机的性能有着直接的影响。- Q3 A7 ]0 f- |. A* s9 M
6 `+ i; t+ o: p电源管理芯片的应用范围十分广泛,例如本公司主推的CR6890H可应用在AC/DC适配器、电机类适配器、充电器等。接下来,我们将CR6890H和电源IC XX5533进行对比测试,看看哪一款IC更胜一筹!# {5 L3 P ?3 i( ^% I9 W: T
4 q7 F- N' w! E1 B
关于CR6890H. C- v- y/ a5 S* {9 D5 T" }
% r4 s# [' q8 I( Q4 C
CR6890H是一款高集成度、低待机功耗的CCM+PFM混合电流模式PWM控制器。CR6890H轻载时会降低频率,最低频率22kHz可避免音频噪声。CR6890H提供了完整的保护功能,如cycle-by-cycle电流限制、OCP、OTP、VDD_OVP、UVLO等,还可以通过PRT脚分别精确设置外置过温保护和输出电压过压保护。软启动功能可以减少系统启动时MOSFET的应力,前沿消隐时间简化了系统应用。通过频率抖动和软驱动电路的设计,降低开关噪声,简化了EMI设计。CR6890H提供SOT23-6L的封装。
. w3 ^7 N P3 F e
: V5 V; v. f0 l. \2 L1 l, t' n3 j主要特点
3 f+ ~0 `( S9 A8 Z' t
( O8 s6 d9 \2 W4 f# R& d● 较低的启动电流(大约3μA)
0 k& @: V- N4 W" W4 g- ~" d4 `& ~● 内置软启动减少MOSFET应力: Z1 u/ @2 O( i! V. B% ] ?5 H
● CCM+PFM控制模式
+ ^6 O5 S4 Y L" e0 Z; l' \● 内建同步斜坡补偿,消除次谐波震荡
$ K2 O. l1 i, n- _● 内建频率抖动功能,降低EMI
6 F9 \( D' S0 h6 }) [8 [" V● 内置65kHz开关频率
$ t b) M- r; U1 _& i● 轻载降低工作频率4 |& O {' b; Q& F; L' v& u
● 15ms倍频模式
/ Z8 b) U, @' t% z" c● 可编程外置过温保护并进入latch
2 h: V0 }4 P3 G6 m- ^● VDD过压保护和输出过压保护功能并进入latch; j% S. d1 v" h; _" e/ Y2 [" q- W
● 内置前沿消隐电路$ k! ]1 R5 m0 E7 S1 _& q
● 内置输出二极管短路保护9 N5 R* d8 h3 {3 ^* V6 Q
● 内置过温保护并进入latch
/ q* k- C+ b3 K. Y● 过载保护+ u8 f6 j: i$ _5 x9 g2 i6 d7 Y
● SOT23-6L封装1 I8 \/ ^5 A# L) t# Z4 ?! [
$ r7 g4 N% X7 m7 |: y
基本应用
/ j/ S! M; t5 T. O4 F
6 ` n+ w7 ` p) j! N2 T% V● AC/DC适配器( p! A( u$ p1 B
● 电机类适配器, l: A5 s5 ^7 ] b( f
● 充电器
' b9 g6 q( ]2 B8 W8 f; E" D● 存储设备电源
) S. z# P* g7 F' n* b7 F+ Y7 M& n& |# B5 y. V1 t
典型应用) i0 w; {% m9 Z# R5 ~
管脚排列
8 t5 T+ E/ k! ^* W: m, h管脚描述
i, d9 F9 C1 g- R7 a
: V& E; z1 F1 b# v" H# j一、样机规格+ \) P. l- M! }6 I* k) L* L
& g) m2 O4 J8 d- B1 U; W输出电压12V,输出负载5A,IC lot:HHP02。, X1 e/ o0 v9 ^7 ]
2 p9 ^# \6 M n+ H修改参数: o+ G3 Y/ W L$ m3 @- i1 H! J
3 O) Q3 @% ^5 b M8 k, A替换IC,RS1电阻由0.33R改为0.27R(直接并1R电阻)R9由47R改为200R,R8由33R改为20R。" q) N; f5 P0 ]; I% ~+ h
( t, R% Y" I5 {+ p( v# O
二、基本电性参数
! k7 f# N( N3 ^& D: ~& |+ F7 B三、基本波形
" Z2 }( j. i/ F# S9 D9 P/ E- ?% ~+ C, L3 @" `3 Y
XX5533 264V/50HZ MOS波形 5 A) V, p, U0 C) M
CR6890H 264V/50HZ MOS波形
. I- \2 o" |: ^XX5533 264V/50HZ 肖特基波形 - P8 L3 |( u( E3 V$ I r& J
CR6890H 264V/50HZ 肖特基波形 V' E6 W6 R% l5 ?5 a8 d9 E0 ~
XX5533 264V/50HZ GATE波形 - I# `, \& ]. W* {, b8 a
CR6890H 264V/50HZ GATE波形
' ~5 E: z7 w2 [7 B+ J4 aXX5533 230V/50HZ 传导波形 N
! i: F C- f; \! WXX5533 230V/50HZ 传导波形 L - u4 _: z W, F# f: n
CR6890H 230V/50HZ 传导波形 N
+ y2 M- T( R% e3 @0 n$ m* R1 o& hCR6890H 230V/50HZ 传导波形 L % D1 Y2 |( [2 p* ?: n" D6 G2 {
XX5533 230V/50HZ 辐射波形
$ ^- ]2 _/ b3 x" b/ o; S% \5 ]XX5533 230V/50HZ 辐射波形 9 d; h+ R5 E. k" I e7 F+ j; K
CR6890H 230V/50HZ 辐射波形 0 E F. o7 h2 ^" d
CR6890H 230V/50HZ 辐射波形 % U, |" I! o5 h0 e
对比结果$ c3 h8 y5 n$ X8 a/ `
. m& O& K8 z Z
电性基本一致,CR6890H效率更高。8 Q4 ^9 k5 `8 O
9 W2 H! D1 x. j9 U1 b) H |
本帖子中包含更多资源
您需要 登录 才可以下载或查看,没有帐号?注册
x
|