|
|
本帖最后由 思睿达小妹妹 于 2023-3-16 10:55 编辑 # K8 H+ |" {" J2 t: u& Z3 s
" G- D' ]2 q/ p
当今世界,人们的生活已是片刻也离不开电子设备。电源管理芯片在电子设备系统中担负起对电能的变换、分配、检测及其它电能管理的职责。电源管理芯片对电子系统而言是不可或缺的,其性能的优劣对整机的性能有着直接的影响。
% D1 q: ^8 F' x q9 l$ L! F/ @" }/ w
电源管理芯片的应用范围十分广泛,例如本公司主推的CR6890H可应用在AC/DC适配器、电机类适配器、充电器等。接下来,我们将CR6890H和电源IC XX5533进行对比测试,看看哪一款IC更胜一筹!
2 m/ Y5 r2 Y* ^ Q( }) J( _$ U: u. c. `& s
关于CR6890H
1 G$ U: B& v+ P% e# P0 j: x, g4 G2 ~2 A! \
CR6890H是一款高集成度、低待机功耗的CCM+PFM混合电流模式PWM控制器。CR6890H轻载时会降低频率,最低频率22kHz可避免音频噪声。CR6890H提供了完整的保护功能,如cycle-by-cycle电流限制、OCP、OTP、VDD_OVP、UVLO等,还可以通过PRT脚分别精确设置外置过温保护和输出电压过压保护。软启动功能可以减少系统启动时MOSFET的应力,前沿消隐时间简化了系统应用。通过频率抖动和软驱动电路的设计,降低开关噪声,简化了EMI设计。CR6890H提供SOT23-6L的封装。
8 ]. X( g. T& e- L1 d; ], E6 P, P3 E6 s/ }
主要特点
9 ^; X3 x% c. |1 m; w0 H8 S8 w8 J1 m/ m+ `5 n/ y# \0 v, o
● 较低的启动电流(大约3μA)
% v( `3 \& v5 k* ^● 内置软启动减少MOSFET应力
" i5 h3 |4 v: B/ s& X9 E, o. J; N● CCM+PFM控制模式
4 b* k4 h( N3 s* P● 内建同步斜坡补偿,消除次谐波震荡
6 F8 @' Y) S; l7 F+ h; c. H$ T3 e● 内建频率抖动功能,降低EMI
" {" P6 {+ j T S2 d% E a● 内置65kHz开关频率
6 e9 K1 \6 E. R* r● 轻载降低工作频率
8 K( F) p0 v, d* \1 S" C● 15ms倍频模式$ }- u- M# S! |7 M# X
● 可编程外置过温保护并进入latch9 O/ N) y+ u b" m* ]; ?
● VDD过压保护和输出过压保护功能并进入latch
1 O" N( \" [$ ^# Y# `/ e# k● 内置前沿消隐电路; m* r- W; ?; T, G
● 内置输出二极管短路保护2 e2 X* f8 Y" K, [# ~5 z6 x. }2 \
● 内置过温保护并进入latch* d3 P& |+ ~: Y3 h9 N4 Z' @
● 过载保护
$ _( |* n O1 e● SOT23-6L封装3 I% f6 j& j p/ P' t
4 N1 V& n7 k0 f( `; k5 Z" |
基本应用3 A, U) U5 } T3 v& D# ~' Q
. {2 T8 y. ]5 v5 A● AC/DC适配器9 _9 q" s# x, w. [. f
● 电机类适配器
( E: Q( f2 ^" {5 w; f● 充电器0 ^5 ^7 p) @+ M; J7 |* g1 M6 L
● 存储设备电源
) y0 T+ M& X" p5 F) w- B3 J1 G) Y9 k
典型应用
x0 \* A8 K1 d- J+ B; f管脚排列$ C# ^+ r7 J" m' d/ {, t: Z
管脚描述1 s0 m+ s0 O3 n2 ^
' T, c' W- N! M' }0 s一、样机规格
6 D+ K) |2 S, D# W5 S' x
* v) V K/ n6 I( }输出电压12V,输出负载5A,IC lot:HHP02。0 Z! K5 C( n1 ]$ b6 A9 }0 N- Z
# j: W: k0 [( u7 `! a8 o
修改参数:
, ?9 K9 d1 A, ~. J/ ?1 c9 U# r* C
$ m. `4 G+ P, W3 ]- ]9 E$ c5 y替换IC,RS1电阻由0.33R改为0.27R(直接并1R电阻)R9由47R改为200R,R8由33R改为20R。
, g& B& h2 y5 g9 f( ~& r9 M6 X" w t* I9 K6 e* K
二、基本电性参数
8 Z# D9 X0 }, l6 ~( i三、基本波形
+ x/ a' ?" f# `5 z* L
5 g( M, {8 u8 Y# k5 vXX5533 264V/50HZ MOS波形 $ q+ \9 A8 |: g( `" O
CR6890H 264V/50HZ MOS波形
5 r( h) \/ c W+ M% P1 T% \' [XX5533 264V/50HZ 肖特基波形
! V E, D" s% c9 xCR6890H 264V/50HZ 肖特基波形
' M/ i& Q$ S4 jXX5533 264V/50HZ GATE波形 ' }% z# d/ m, Z' m- t7 E
CR6890H 264V/50HZ GATE波形
5 t& a- d6 m; Y; R d5 eXX5533 230V/50HZ 传导波形 N
3 w& H. W2 C2 o5 g1 R; b# eXX5533 230V/50HZ 传导波形 L
2 e, d$ I {+ {CR6890H 230V/50HZ 传导波形 N
! l1 Q! J: ], [% `% |& o1 iCR6890H 230V/50HZ 传导波形 L
; S' D2 [9 u9 a% J! mXX5533 230V/50HZ 辐射波形 $ O. S% f) n: t% E
XX5533 230V/50HZ 辐射波形 7 y, E! t* F, O2 n4 d( K
CR6890H 230V/50HZ 辐射波形
4 C, c2 P7 ?1 z. i' n; kCR6890H 230V/50HZ 辐射波形 4 s8 m5 E1 q% C! @/ }8 Z5 b
对比结果! K* W3 _$ N5 y0 b% H8 j+ x
7 D5 F: I/ Q3 U电性基本一致,CR6890H效率更高。
9 w) I' {& ?; @- {' Q, m- N/ v% l+ j0 f7 Y% K, y8 U( }
|
本帖子中包含更多资源
您需要 登录 才可以下载或查看,没有帐号?注册
x
|