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两款电源芯片对决,谁能遥遥领先?看完测试报告有答案

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发表于 2023-3-16 10:50:13 | 显示全部楼层 |阅读模式
本帖最后由 思睿达小妹妹 于 2023-3-16 10:55 编辑
6 d, O. a$ k: o$ |+ Q" L6 J/ k# s9 R
& u5 K* K4 N1 _( u: _8 U当今世界,人们的生活已是片刻也离不开电子设备。电源管理芯片在电子设备系统中担负起对电能的变换、分配、检测及其它电能管理的职责。电源管理芯片对电子系统而言是不可或缺的,其性能的优劣对整机的性能有着直接的影响。
% C4 D$ m5 J% r1 T1 x" Z  [  o: {; j" j* N9 ?8 ^; k0 A
电源管理芯片的应用范围十分广泛,例如本公司主推的CR6890H可应用在AC/DC适配器、电机类适配器、充电器等。接下来,我们将CR6890H和电源IC XX5533进行对比测试,看看哪一款IC更胜一筹!+ W" _* w) n! |

% \5 B$ _7 R& x9 r* v关于CR6890H5 s) U5 x" i8 x+ W$ ^+ s- v* A

) b7 |. @5 ~  WCR6890H是一款高集成度、低待机功耗的CCM+PFM混合电流模式PWM控制器。CR6890H轻载时会降低频率,最低频率22kHz可避免音频噪声。CR6890H提供了完整的保护功能,如cycle-by-cycle电流限制、OCP、OTP、VDD_OVP、UVLO等,还可以通过PRT脚分别精确设置外置过温保护和输出电压过压保护。软启动功能可以减少系统启动时MOSFET的应力,前沿消隐时间简化了系统应用。通过频率抖动和软驱动电路的设计,降低开关噪声,简化了EMI设计。CR6890H提供SOT23-6L的封装。
1 i. w- _3 O" s# O7 k" V
- W# X0 z# V, {0 z主要特点
3 u, ~* u  h3 p: F, ~6 F4 E7 r
+ Z! K3 e# q5 W" i0 }9 Z● 较低的启动电流(大约3μA), Q4 d9 f# p$ C$ }$ F
● 内置软启动减少MOSFET应力" ?5 b! p; i  g: S2 \! F' ]
● CCM+PFM控制模式" h% n* A8 Z2 Y9 h- }* l) T5 M1 _
● 内建同步斜坡补偿,消除次谐波震荡
9 R- H! p( j/ ]/ u5 q● 内建频率抖动功能,降低EMI- \+ M. s& v' P: e  F/ L8 h: C& ^
● 内置65kHz开关频率
: e, ?1 K# L, w; X● 轻载降低工作频率/ o' |* ^' F* [5 s0 m
● 15ms倍频模式1 S; _  x5 f) ]! o9 n# r1 M5 N4 P
● 可编程外置过温保护并进入latch
8 q1 i# ?. i5 c$ K  @) n1 I● VDD过压保护和输出过压保护功能并进入latch
; ~, ]- s3 w) C8 M0 |3 ?4 S● 内置前沿消隐电路
/ z/ B( n/ {- R7 B- J● 内置输出二极管短路保护6 |) b# s/ q3 l  E3 a& D9 d1 }
● 内置过温保护并进入latch
4 ^& k* d& F- {4 s) |● 过载保护
  ?1 h) h, i: F9 p) _) l9 [, x● SOT23-6L封装
& ]) W  V2 K3 t1 [* E+ E  T0 `5 O7 D/ q# q/ N; L7 \, r! g$ w# Y
基本应用4 @( ]8 d, h, r" o3 |
. p; h, P, a# a7 b2 A9 Q* p
● AC/DC适配器% R- I# x, _* V: k: m
● 电机类适配器! a' {& O, o' M, {
● 充电器- t8 K+ J% U* z2 E# N; [
● 存储设备电源
1 E. e3 D2 y' L6 y8 W- r1 L, d- ]6 H
典型应用* x+ ]! e9 m1 f  c
管脚排列
0 S' N1 z0 x6 d) L, i2 R4 M, n$ a
管脚描述
. V6 T( K( \1 y  E2 U' e* U
; T; ^! }& v% Z& [1 C2 ^
一、样机规格% k  m# a- h  q9 f, O

6 H6 C( v) @. _9 J' x% o输出电压12V,输出负载5A,IC lot:HHP02。( s- J8 q. u7 X0 D- F) e

3 a9 ~8 K) a4 M$ F2 ^. f8 g4 l6 V4 f修改参数:
' G0 ^) n! [* k% r0 J2 i
! W0 f+ }' _4 X替换IC,RS1电阻由0.33R改为0.27R(直接并1R电阻)R9由47R改为200R,R8由33R改为20R。: F; D8 g3 @$ @; S! g

/ S8 ?1 ?+ @0 ~- _# `( R& ~) a二、基本电性参数
) b) z& R  X7 l" C* N& F
三、基本波形3 i+ R9 j- b2 W0 v3 C/ L7 z0 z
1 o' }& b- S7 s/ h
XX5533 264V/50HZ MOS波形

( O$ ?7 V1 T2 N- I9 A! |" z
CR6890H 264V/50HZ MOS波形

3 c/ i0 f  H1 V6 j. v& r' x' j
XX5533 264V/50HZ 肖特基波形

) Z7 ~% t" _4 N5 e$ a3 D
CR6890H 264V/50HZ 肖特基波形

3 o0 N% e. V. n8 Q8 x: s1 [$ L; p, S( N
XX5533 264V/50HZ GATE波形

' _2 }% ]: A4 x5 Q# {/ T7 l' k
CR6890H 264V/50HZ GATE波形

9 u$ K. c/ S/ D$ o4 A
XX5533 230V/50HZ 传导波形 N
! H: q5 r( o- ~' s" |  z
XX5533 230V/50HZ 传导波形 L

5 x( l; o! s9 V; k( ?6 y3 ]- [
CR6890H 230V/50HZ 传导波形 N

4 S6 g4 a) ]+ q- @( ]" b
CR6890H 230V/50HZ 传导波形 L
( c9 s9 R8 y! C) Z3 m; j
XX5533 230V/50HZ 辐射波形

! T6 x) S" l  ?3 V
XX5533 230V/50HZ 辐射波形
' Q0 m& g7 P6 H" Y4 d" E
CR6890H 230V/50HZ 辐射波形

6 k3 d% ?+ v$ v) Z0 j. q
CR6890H 230V/50HZ 辐射波形

. _. S. }% @( P8 U3 C% K对比结果
5 s1 v' i5 |+ c# f& W( u% B. l* J% |, f0 E; o
电性基本一致,CR6890H效率更高。
1 B! A4 s* |# V' p* f" k6 _- Z# v1 \2 c1 z3 \  E3 H

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