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两款电源芯片对决,谁能遥遥领先?看完测试报告有答案

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发表于 2023-3-16 10:50:13 | 显示全部楼层 |阅读模式
本帖最后由 思睿达小妹妹 于 2023-3-16 10:55 编辑
9 `) u6 p, c9 t) l# o) }* _8 L6 e
  `# O# d4 M+ Z" a+ j# n当今世界,人们的生活已是片刻也离不开电子设备。电源管理芯片在电子设备系统中担负起对电能的变换、分配、检测及其它电能管理的职责。电源管理芯片对电子系统而言是不可或缺的,其性能的优劣对整机的性能有着直接的影响。
  a8 W9 K5 O7 {& a5 T: {
$ @+ q) k& i1 p5 l$ N电源管理芯片的应用范围十分广泛,例如本公司主推的CR6890H可应用在AC/DC适配器、电机类适配器、充电器等。接下来,我们将CR6890H和电源IC XX5533进行对比测试,看看哪一款IC更胜一筹!
7 |5 G" h% C+ H; H9 n6 @# A3 V2 p* ~- j+ L8 \
关于CR6890H* S* r: O) y( P3 \3 R' T! X# o2 x
- d5 O  l8 U  p& L- P9 m
CR6890H是一款高集成度、低待机功耗的CCM+PFM混合电流模式PWM控制器。CR6890H轻载时会降低频率,最低频率22kHz可避免音频噪声。CR6890H提供了完整的保护功能,如cycle-by-cycle电流限制、OCP、OTP、VDD_OVP、UVLO等,还可以通过PRT脚分别精确设置外置过温保护和输出电压过压保护。软启动功能可以减少系统启动时MOSFET的应力,前沿消隐时间简化了系统应用。通过频率抖动和软驱动电路的设计,降低开关噪声,简化了EMI设计。CR6890H提供SOT23-6L的封装。
' k& R9 I7 Z  L$ f- X% k4 b8 o% o; d* T4 e+ U$ ^
主要特点
0 K+ V+ T8 I4 w! B# O- ~6 L  Z# v5 U+ i1 S. w3 W
● 较低的启动电流(大约3μA)
* m/ w2 g. d$ Z: l% m1 Z' m● 内置软启动减少MOSFET应力
8 O7 G9 ~. y. y6 |" Y● CCM+PFM控制模式# v9 r6 _% W1 `8 e$ M0 o
● 内建同步斜坡补偿,消除次谐波震荡8 d0 ~, K% B, x
● 内建频率抖动功能,降低EMI
; n) U3 C) z, |& r● 内置65kHz开关频率5 Y: J8 i7 }8 k" F
● 轻载降低工作频率
3 V* u- D7 s8 {1 U  O7 P9 f0 I● 15ms倍频模式
* k# c, Y: z/ P* f, Y● 可编程外置过温保护并进入latch
" A: t# f8 _2 G0 c● VDD过压保护和输出过压保护功能并进入latch7 M5 a0 G, T1 t+ Q" A' |* B
● 内置前沿消隐电路
$ S* S( e0 Q' F/ E8 i2 }0 A: f8 B● 内置输出二极管短路保护
5 e% m) z4 o1 q# B" y* u( w. U& s● 内置过温保护并进入latch1 S& I# \0 d9 N& p6 K/ M
● 过载保护
% M( X0 G5 W! e5 J( b4 |/ V, [● SOT23-6L封装
8 p( I3 Z/ u# [: z5 [2 v6 n; q. m9 _/ q. ]/ ^0 q: G
基本应用
  V& g  v4 {$ M! W
* ]9 ~: S' a4 G$ `● AC/DC适配器
  T8 a; q  |; r7 B* d0 S● 电机类适配器2 X4 c0 q9 E7 P% l0 {7 r8 \! k
● 充电器
- {% W( `  E( g# a● 存储设备电源3 u; h5 G, M$ S- @/ K4 {

9 ]& U$ \$ A9 p! e( l$ A典型应用
' W7 |" J+ p2 Z: i  p$ s
管脚排列
/ q  H' Q  y7 |& D
管脚描述6 M- [! W' H; j, J0 f
2 C8 Z: ~% C8 R' ]; q. a8 l
一、样机规格) Q  _( }& ^; {0 t

4 ]6 L% h/ O# f) F6 o: y输出电压12V,输出负载5A,IC lot:HHP02。
! I+ G+ V, M$ }1 p/ {2 I; p5 i# q5 O& R
修改参数:
  G7 R3 F" {: ], m
+ G" F3 C$ e4 L1 z" b替换IC,RS1电阻由0.33R改为0.27R(直接并1R电阻)R9由47R改为200R,R8由33R改为20R。
" |. B, U: b# |. p2 W+ I9 _  s9 A* |3 e# m: B( R
二、基本电性参数
9 t* m+ Y0 w* }2 o  V
三、基本波形  L( g. n% C( E! {
% `6 Z8 R0 r5 \3 l& N2 A, K! C
XX5533 264V/50HZ MOS波形

9 V9 R! y2 \  L. h
CR6890H 264V/50HZ MOS波形
/ y2 a7 b, \0 Q+ C% e! f9 b
XX5533 264V/50HZ 肖特基波形
/ ^$ `9 U' d7 x4 O, ?
CR6890H 264V/50HZ 肖特基波形
+ Y# G3 r9 w1 a; w5 m" |
XX5533 264V/50HZ GATE波形

% k4 P( ^% a3 G4 B8 E
CR6890H 264V/50HZ GATE波形
& Q0 S& S1 m/ T
XX5533 230V/50HZ 传导波形 N
, `. O* X) M/ p; L
XX5533 230V/50HZ 传导波形 L
9 X8 [3 a) h# w0 J' e
CR6890H 230V/50HZ 传导波形 N
. i0 E( |6 Z" j
CR6890H 230V/50HZ 传导波形 L

+ K3 y7 d9 @% A: p/ S( U
XX5533 230V/50HZ 辐射波形

+ |4 q; Y2 j9 g- I
XX5533 230V/50HZ 辐射波形
( m0 G* v- p1 ^7 Z4 M+ h
CR6890H 230V/50HZ 辐射波形

2 j0 V; o$ D0 w5 {6 P, k
CR6890H 230V/50HZ 辐射波形
' S' K0 d& u& L- x4 [9 Q- j
对比结果
5 U4 h2 b7 J/ Z: {" `$ E' [; Q2 v+ t8 Z
电性基本一致,CR6890H效率更高。, O, c2 e- T* q6 n
2 t+ H8 G  z# y* ~' w: g

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