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两款电源芯片对决,谁能遥遥领先?看完测试报告有答案

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发表于 2023-3-16 10:50:13 | 显示全部楼层 |阅读模式
本帖最后由 思睿达小妹妹 于 2023-3-16 10:55 编辑 " l: J; {8 A4 X" A" \$ v3 m
- [0 ^, ]/ d  _
当今世界,人们的生活已是片刻也离不开电子设备。电源管理芯片在电子设备系统中担负起对电能的变换、分配、检测及其它电能管理的职责。电源管理芯片对电子系统而言是不可或缺的,其性能的优劣对整机的性能有着直接的影响。
( i0 I; s8 T- o4 ^
$ |( n9 G0 J8 E% ]电源管理芯片的应用范围十分广泛,例如本公司主推的CR6890H可应用在AC/DC适配器、电机类适配器、充电器等。接下来,我们将CR6890H和电源IC XX5533进行对比测试,看看哪一款IC更胜一筹!1 P7 s, J! I: b$ v& P
' D& A! U/ j6 C  A- |% }, ^$ B
关于CR6890H
6 q# P. S+ x1 d/ j& E( V9 h7 i% U9 T" K9 M, ?4 y  X
CR6890H是一款高集成度、低待机功耗的CCM+PFM混合电流模式PWM控制器。CR6890H轻载时会降低频率,最低频率22kHz可避免音频噪声。CR6890H提供了完整的保护功能,如cycle-by-cycle电流限制、OCP、OTP、VDD_OVP、UVLO等,还可以通过PRT脚分别精确设置外置过温保护和输出电压过压保护。软启动功能可以减少系统启动时MOSFET的应力,前沿消隐时间简化了系统应用。通过频率抖动和软驱动电路的设计,降低开关噪声,简化了EMI设计。CR6890H提供SOT23-6L的封装。
9 h, N- Z. }0 y' E6 Z3 B2 h
, e: W+ o+ A. s主要特点
% i$ a2 J' \( C0 O% f) S  x/ d8 U. e* f6 B
● 较低的启动电流(大约3μA)
4 S8 o" F! ?% |● 内置软启动减少MOSFET应力% v5 J6 c/ g, N" U6 S
● CCM+PFM控制模式9 c  q( k; t1 j& H: `$ I
● 内建同步斜坡补偿,消除次谐波震荡
5 l) d9 {( a  u9 O, ^● 内建频率抖动功能,降低EMI
8 R9 h; G: d3 Q+ L4 K3 O● 内置65kHz开关频率6 \2 f; Q& G' T, a
● 轻载降低工作频率
6 Y- C9 k# P1 T, u3 H$ m4 ~● 15ms倍频模式
5 T5 b7 @& h. Y3 @, f● 可编程外置过温保护并进入latch
! u  Q9 \; @2 C2 i2 c● VDD过压保护和输出过压保护功能并进入latch
9 P, |. w' u! t# D( r* ?' b● 内置前沿消隐电路
" ~6 H: G3 U- H' N● 内置输出二极管短路保护
& u8 r$ T+ Y  e% z  E● 内置过温保护并进入latch
3 @$ ~6 J- |8 f! l* R● 过载保护- F! F: n# q* f7 i+ U" a% k
● SOT23-6L封装
7 Z- x' c* c, |- q; v
6 Q3 m; h; Q) Q+ l- ^. ?, ^: X基本应用
  w' N& I$ w/ U$ \3 r5 [/ K; ^; B" _2 l
● AC/DC适配器4 @6 o0 g8 v! f1 o3 M
● 电机类适配器
0 v1 y3 ?& n$ w● 充电器
0 F( E, |. y$ R& x% w● 存储设备电源
1 E5 Y. f- L2 [* c$ j# N4 L2 Z2 e) t/ w3 B
典型应用
  w7 Z% ~. C' D( w9 f
管脚排列
9 c  h8 a1 ~' j/ V
管脚描述
4 L5 `: L' X; f  \5 V
; D; W# b( b( A" w
一、样机规格5 l. U! j7 H- p0 b7 `6 W
$ K) O0 V4 F8 u5 d: ]0 V. x
输出电压12V,输出负载5A,IC lot:HHP02。3 l7 H: |# v) \% |

8 P  k* t. ]! n修改参数:
3 [1 k- j; \  r+ k% I: {% A$ N
+ ]' T( s/ }" S, e$ ?替换IC,RS1电阻由0.33R改为0.27R(直接并1R电阻)R9由47R改为200R,R8由33R改为20R。
2 W" ^/ V7 c0 W3 }: ~! m. n1 Q( v
二、基本电性参数
6 I/ `# r* v( a" v- d2 p
三、基本波形7 p( d9 G# O; p9 y# }# Z
4 G+ y% M/ `- z1 e# }0 p
XX5533 264V/50HZ MOS波形
, G7 u% A" T: @) |1 p
CR6890H 264V/50HZ MOS波形

7 ]7 L) Q4 p9 {3 W4 p1 `8 U
XX5533 264V/50HZ 肖特基波形

( e2 m3 ]2 p+ q% E: P
CR6890H 264V/50HZ 肖特基波形

1 k* C: D" _7 i% J' p8 f1 K& A
XX5533 264V/50HZ GATE波形
3 L1 {2 E7 y1 k& V* _
CR6890H 264V/50HZ GATE波形
0 C- r( s/ p  j0 y; v7 d  k% b" j
XX5533 230V/50HZ 传导波形 N
' x5 R; |8 s$ i5 J6 W, s" y
XX5533 230V/50HZ 传导波形 L
7 h5 \- ?$ d7 K# R. V2 y, i  |7 U
CR6890H 230V/50HZ 传导波形 N

5 M5 M* K. g* h% m# j& W
CR6890H 230V/50HZ 传导波形 L

, t; c% m# ^+ p+ ?
XX5533 230V/50HZ 辐射波形
. {5 L' J" F0 l4 h+ \0 k8 [
XX5533 230V/50HZ 辐射波形
! [6 V# L: i8 G+ A0 a6 O3 _
CR6890H 230V/50HZ 辐射波形
: N% x0 s. Y& g- a0 d1 J; Q
CR6890H 230V/50HZ 辐射波形

& ?- }5 Z4 @6 O1 v+ C4 k; D- q对比结果5 B+ P) w& D& J, D% v- R) U
7 S8 Q/ w! s. n; h
电性基本一致,CR6890H效率更高。8 d1 f6 v, N& N+ }0 C* O3 f
: F$ h0 `2 _% V6 c3 P+ j  P) R

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