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两款电源芯片对决,谁能遥遥领先?看完测试报告有答案

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发表于 2023-3-16 10:50:13 | 显示全部楼层 |阅读模式
本帖最后由 思睿达小妹妹 于 2023-3-16 10:55 编辑
. t/ \% u: E; m7 d+ L! k! ~* {$ J# W9 G4 T0 a) E# u% F# U+ [/ j% _: S
当今世界,人们的生活已是片刻也离不开电子设备。电源管理芯片在电子设备系统中担负起对电能的变换、分配、检测及其它电能管理的职责。电源管理芯片对电子系统而言是不可或缺的,其性能的优劣对整机的性能有着直接的影响。# x+ c- @7 w% u" Q  d" k
0 B+ l: P3 Z1 x: Z% K; ~5 s! o
电源管理芯片的应用范围十分广泛,例如本公司主推的CR6890H可应用在AC/DC适配器、电机类适配器、充电器等。接下来,我们将CR6890H和电源IC XX5533进行对比测试,看看哪一款IC更胜一筹!" ^2 t, U3 c. k! I
3 N* Q! v: w1 ~( ^# W8 ?, f
关于CR6890H
4 x+ \# h; S* [" v/ E9 l
7 J4 B6 u$ z, {CR6890H是一款高集成度、低待机功耗的CCM+PFM混合电流模式PWM控制器。CR6890H轻载时会降低频率,最低频率22kHz可避免音频噪声。CR6890H提供了完整的保护功能,如cycle-by-cycle电流限制、OCP、OTP、VDD_OVP、UVLO等,还可以通过PRT脚分别精确设置外置过温保护和输出电压过压保护。软启动功能可以减少系统启动时MOSFET的应力,前沿消隐时间简化了系统应用。通过频率抖动和软驱动电路的设计,降低开关噪声,简化了EMI设计。CR6890H提供SOT23-6L的封装。7 `) E8 R' L9 `$ Z# ?$ i/ y, @
0 L/ V. r0 h5 B, j, v4 n
主要特点
! B: s" ~3 I. R  O/ N  n; S1 \2 t8 [! |- v6 i5 H7 w
● 较低的启动电流(大约3μA)
7 |1 v5 Q% |& G5 a, r  i/ B● 内置软启动减少MOSFET应力
- X+ `: M( o8 [. C% H3 y● CCM+PFM控制模式9 g' o, R3 r# @
● 内建同步斜坡补偿,消除次谐波震荡
0 `7 X! z2 W. N+ K0 y● 内建频率抖动功能,降低EMI6 c/ V4 i- O  P! R0 |) d% R7 |
● 内置65kHz开关频率, u& v' _$ Z" B  R4 \
● 轻载降低工作频率
% r9 F; ~# E. p7 _  E; }' K0 o● 15ms倍频模式4 m+ ?! {' O! g# w
● 可编程外置过温保护并进入latch$ s; F& L1 Z2 o& e
● VDD过压保护和输出过压保护功能并进入latch
# g* R) T$ Z; F/ ~0 u& o● 内置前沿消隐电路, Y6 W" v* \! \4 s# A
● 内置输出二极管短路保护! w4 Y+ v7 H! ?$ n2 z
● 内置过温保护并进入latch
4 S7 w! w) p, ^● 过载保护
3 L. ]% f0 H' V" ^. H+ d8 {- T● SOT23-6L封装
8 {$ S  y( H" ?6 O8 f0 p1 g) }6 G: h( A, U8 |
基本应用4 L) B1 K; d2 `* p# c% D4 i2 X; R
) [  z1 z) X# K/ O0 F7 U+ B! C+ C
● AC/DC适配器$ z9 N! a, F# D- t$ u) O  f
● 电机类适配器; {; V1 ~- _- k2 m, @% `
● 充电器
% E* C( f& S5 O1 y● 存储设备电源
, s% ~8 J* j( v9 m2 h& r1 j+ J% z* d, U) W8 o
典型应用  j5 r% W; R* {/ p9 Q
管脚排列9 U! k+ m4 D* y  S  @# _
管脚描述
: L9 j/ `/ |2 U2 @

4 Y6 ~, [. l! P( O" ~一、样机规格
5 M2 j0 b& d, D/ R9 e+ m
: l; ]# O8 ~( `" d& `( I! o- N输出电压12V,输出负载5A,IC lot:HHP02。; Y' N4 \, G* W0 s

( w: i( v1 C, D% S$ `/ h' q  u! R修改参数:
3 Z4 r; p7 F, w- Z! C* a2 x6 a5 }+ J" W; ~
替换IC,RS1电阻由0.33R改为0.27R(直接并1R电阻)R9由47R改为200R,R8由33R改为20R。4 n+ q8 C8 M) M" x, R

3 A0 V7 y3 b/ n8 _3 y1 @二、基本电性参数
) M) p+ ~: X7 @9 K  a1 f' G9 a
三、基本波形* a. h- ^9 p7 V, h) u

" v( Z, I& i; j! @; G0 `
XX5533 264V/50HZ MOS波形
* o3 x0 v/ z: S8 D; M0 {
CR6890H 264V/50HZ MOS波形

" ]' K; I2 j* n# @
XX5533 264V/50HZ 肖特基波形
0 D0 K/ ^  O, p5 a* J6 N+ d
CR6890H 264V/50HZ 肖特基波形
& w- a/ L; \8 x) ~8 a
XX5533 264V/50HZ GATE波形
& ~5 ?7 m+ \1 Z& p1 k& U+ _
CR6890H 264V/50HZ GATE波形

! q. C; D& N3 q$ c2 O, y+ }
XX5533 230V/50HZ 传导波形 N
" ~, @% |! B4 s' X9 `0 f- M! I) k! b8 G
XX5533 230V/50HZ 传导波形 L

$ f3 \  N' x2 M6 r5 E: i4 r
CR6890H 230V/50HZ 传导波形 N
/ w1 j1 \  l# f" \1 h& M. h
CR6890H 230V/50HZ 传导波形 L

# z+ h, n( p/ G$ E2 C+ \
XX5533 230V/50HZ 辐射波形

, v7 z- k: [5 O
XX5533 230V/50HZ 辐射波形

8 S4 M' C6 E) Y( m* m6 I* L
CR6890H 230V/50HZ 辐射波形

7 }+ K7 _6 Y8 {2 ^/ t5 C' a; G. _# Q% k
CR6890H 230V/50HZ 辐射波形

4 e- D& k3 t2 _- h1 n% R对比结果' ?. F2 f+ w- \6 N! ]; @7 K

' T/ T. D6 x) m8 j- X电性基本一致,CR6890H效率更高。( w* _5 I- r( w0 V
' H6 M! x3 O8 Q* \: `

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