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两款电源芯片对决,谁能遥遥领先?看完测试报告有答案

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发表于 2023-3-16 10:50:13 | 显示全部楼层 |阅读模式
本帖最后由 思睿达小妹妹 于 2023-3-16 10:55 编辑
7 Z- A6 z& g, g- T4 y" W  k1 Z0 a$ O* q) s9 d. J& _
当今世界,人们的生活已是片刻也离不开电子设备。电源管理芯片在电子设备系统中担负起对电能的变换、分配、检测及其它电能管理的职责。电源管理芯片对电子系统而言是不可或缺的,其性能的优劣对整机的性能有着直接的影响。
4 A* V- u1 E& K- A. N1 z/ `, W2 n  Y
电源管理芯片的应用范围十分广泛,例如本公司主推的CR6890H可应用在AC/DC适配器、电机类适配器、充电器等。接下来,我们将CR6890H和电源IC XX5533进行对比测试,看看哪一款IC更胜一筹!
  t3 R4 _! k5 {0 ^) Y: n) C* N( j! D& D5 ?9 M
关于CR6890H, S( i* B7 F) S3 Y! |* n4 e

6 ^! i) N$ B; U, j6 j2 h0 lCR6890H是一款高集成度、低待机功耗的CCM+PFM混合电流模式PWM控制器。CR6890H轻载时会降低频率,最低频率22kHz可避免音频噪声。CR6890H提供了完整的保护功能,如cycle-by-cycle电流限制、OCP、OTP、VDD_OVP、UVLO等,还可以通过PRT脚分别精确设置外置过温保护和输出电压过压保护。软启动功能可以减少系统启动时MOSFET的应力,前沿消隐时间简化了系统应用。通过频率抖动和软驱动电路的设计,降低开关噪声,简化了EMI设计。CR6890H提供SOT23-6L的封装。5 r) M" X. S* h

: t" n+ [- [1 y主要特点
3 {2 ~5 V) ?# T  _2 z& V/ j
+ B0 |% n/ Z+ n: `# M6 d● 较低的启动电流(大约3μA)* _* k7 z, N# Y1 U9 J( J( }" U" @
● 内置软启动减少MOSFET应力3 o  [, O( ?5 I5 @7 B- R. r7 ]
● CCM+PFM控制模式; [5 |" ?: u; `' Y1 g
● 内建同步斜坡补偿,消除次谐波震荡9 ]; L( d. C0 S& u/ M+ _4 b, u
● 内建频率抖动功能,降低EMI2 ?5 y% ?- A* E  X, E( I, t
● 内置65kHz开关频率
( T; A. N3 F& S2 n● 轻载降低工作频率
- \7 B- ]4 q5 r$ U6 p' M● 15ms倍频模式
) i8 z( |2 n& b* e4 ?) b" C9 [● 可编程外置过温保护并进入latch7 H) Y# V2 Y- ]. I3 S1 e4 n
● VDD过压保护和输出过压保护功能并进入latch6 r! h' s7 P9 ?0 q! n! S9 b0 @
● 内置前沿消隐电路
) @7 e" ^8 ^! ]; i● 内置输出二极管短路保护6 o. t, p; a) b# @/ X% j' H
● 内置过温保护并进入latch
% M/ q# E7 Y# k- o* @; P4 ?● 过载保护
5 N1 r4 @1 j' L$ y$ {● SOT23-6L封装+ B4 i2 P6 w. i2 T) S# H

0 ^! h6 U9 H0 ^基本应用4 ~& G* n: I/ j& t; k4 J
- p8 a6 x0 x; g* q: N
● AC/DC适配器
+ a. }+ O# s$ W, n9 w● 电机类适配器
/ r1 t$ i! j! k0 ^+ ^% S5 F● 充电器
. J3 r7 d! J3 |' h' `● 存储设备电源
- n2 K! Z8 Q9 a
, J$ r, x" q+ ]* P, Z% i0 G  i9 l典型应用
, t% A( u* l, X  a2 c
管脚排列; e7 h' I5 g0 v3 L
管脚描述
( ]3 K3 H7 ~) z4 p
, R' {. B  \# E3 Y+ Y" j
一、样机规格! M3 r4 G1 T# g0 E2 v' c
( Q8 h& x3 J% u* @4 M
输出电压12V,输出负载5A,IC lot:HHP02。
0 s+ w+ Q- D8 N* a, ]
# y( b# a( `  u: H# N修改参数:
' `5 A; h6 S' K' b4 U1 Z0 Q
* B! L/ {* Y7 L- a8 n替换IC,RS1电阻由0.33R改为0.27R(直接并1R电阻)R9由47R改为200R,R8由33R改为20R。
% f" [/ p+ k+ T/ a' x% o3 _) A2 p" p: a. y4 `! A- F* p
二、基本电性参数
/ {) @1 W  y5 s9 y# t4 Z( g
三、基本波形) m* j/ H6 P, b6 y0 `5 e

9 E) d/ h! J3 f4 }1 c+ }
XX5533 264V/50HZ MOS波形

3 f$ }# D& q* @- O6 `. ?
CR6890H 264V/50HZ MOS波形
; w. @2 `* }$ ^4 _* l
XX5533 264V/50HZ 肖特基波形

! X9 G& H2 q) f: T# G8 y0 S& J
CR6890H 264V/50HZ 肖特基波形
  G) _, N7 ^# u  U' _( T
XX5533 264V/50HZ GATE波形
% X* @8 H6 K& R$ t
CR6890H 264V/50HZ GATE波形
9 G! E& ^- q+ }# L0 p0 b% I
XX5533 230V/50HZ 传导波形 N

7 Q7 z2 |/ t) p( F0 R9 p( d( N
XX5533 230V/50HZ 传导波形 L
2 t8 o1 H% H" o6 W4 o# B5 n: q( |
CR6890H 230V/50HZ 传导波形 N

3 J( s! N/ P+ D- H) ^5 p
CR6890H 230V/50HZ 传导波形 L

( K% M/ i# `1 }! U
XX5533 230V/50HZ 辐射波形

. N4 f/ n# U) F$ X6 N; A( @3 _6 w! r
XX5533 230V/50HZ 辐射波形

" V3 g/ R+ c! T- C1 V
CR6890H 230V/50HZ 辐射波形

5 D5 B8 x: l2 e, |
CR6890H 230V/50HZ 辐射波形

7 {3 A. X7 x* J( O- P对比结果/ Z- r# h3 B: P/ l
5 d+ g& `3 `6 @0 b7 s/ Y; R
电性基本一致,CR6890H效率更高。
  W& O3 M7 f  O7 T! e4 x7 v* b8 P6 A" H$ j- I' K

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