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两款电源芯片对决,谁能遥遥领先?看完测试报告有答案

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发表于 2023-3-16 10:50:13 | 显示全部楼层 |阅读模式
本帖最后由 思睿达小妹妹 于 2023-3-16 10:55 编辑
+ l; _. u# P0 T0 _/ ~+ o2 }! ^5 ?+ U3 C
当今世界,人们的生活已是片刻也离不开电子设备。电源管理芯片在电子设备系统中担负起对电能的变换、分配、检测及其它电能管理的职责。电源管理芯片对电子系统而言是不可或缺的,其性能的优劣对整机的性能有着直接的影响。
) e' W! h- c! `7 p4 ]8 t
  }: x3 t* `2 }: J9 Q' @. E电源管理芯片的应用范围十分广泛,例如本公司主推的CR6890H可应用在AC/DC适配器、电机类适配器、充电器等。接下来,我们将CR6890H和电源IC XX5533进行对比测试,看看哪一款IC更胜一筹!
: ^; s+ T8 @& ^9 \' O. t2 G" l7 p+ b! D+ ~# @3 Y1 N
关于CR6890H$ ]7 x& \0 `7 s: v% ]
& f& y. _3 x6 a* J( w4 c) }' Y
CR6890H是一款高集成度、低待机功耗的CCM+PFM混合电流模式PWM控制器。CR6890H轻载时会降低频率,最低频率22kHz可避免音频噪声。CR6890H提供了完整的保护功能,如cycle-by-cycle电流限制、OCP、OTP、VDD_OVP、UVLO等,还可以通过PRT脚分别精确设置外置过温保护和输出电压过压保护。软启动功能可以减少系统启动时MOSFET的应力,前沿消隐时间简化了系统应用。通过频率抖动和软驱动电路的设计,降低开关噪声,简化了EMI设计。CR6890H提供SOT23-6L的封装。" s  u: ?' f0 F4 m  a3 _0 E

1 o5 r9 Q. H. {5 U! g" L* I/ g主要特点
2 p! ]$ Y( J, C& l& N% ]3 I1 k; x+ @$ [' O! B' B0 F7 g2 U
● 较低的启动电流(大约3μA)6 O% w, `+ U9 x
● 内置软启动减少MOSFET应力  ], T/ d4 l* n) i2 X: ^# S/ E( ]
● CCM+PFM控制模式3 n; b# _' M" G1 G" u# d
● 内建同步斜坡补偿,消除次谐波震荡* U, G, u$ ~' L
● 内建频率抖动功能,降低EMI0 K/ ?, B/ V/ E9 F2 m
● 内置65kHz开关频率
. M: e7 C4 o$ p, ^3 m4 Z● 轻载降低工作频率
* N. z9 B% t; g8 ]2 r, R. Y● 15ms倍频模式% `. i1 X7 ~# ~5 [
● 可编程外置过温保护并进入latch
7 x+ n" l6 }: d5 r6 l  P2 h● VDD过压保护和输出过压保护功能并进入latch! \4 p7 m: O4 ~( x% Z/ A0 g! t
● 内置前沿消隐电路! o2 M" a5 k% @0 B" |
● 内置输出二极管短路保护0 e# R! o5 h# I6 O3 @6 j
● 内置过温保护并进入latch5 z# i, o1 |7 v- Q* G# [3 [. m
● 过载保护
4 q: o# z3 r% b2 T● SOT23-6L封装: y' k! u9 \, z8 v

0 s" r, x( ~' ]3 K$ P5 N- l基本应用
. P* R) d+ f  X. u& }: i9 y8 c9 j9 s8 @! ^
● AC/DC适配器. s" f) F. j: |: A3 w
● 电机类适配器
0 H8 r3 E% `1 ]: j( |8 u● 充电器
9 b0 B$ j  k& F$ [● 存储设备电源
& B$ P4 J3 @& b6 c$ b4 H9 P
9 D4 [- Y& `" I5 Z5 f) o. w典型应用
2 R+ j6 g# U! P8 T  g, Q
管脚排列0 R  _+ `% w5 y
管脚描述
7 q. H* `7 }8 H; u% j; Q/ r

' |  t# K; o0 V一、样机规格
: e+ ?( I; Z( K/ c: i* V7 |% h  G0 z! G. Z9 s# Y
输出电压12V,输出负载5A,IC lot:HHP02。% d# |% X7 |7 _( i9 i# Q

* d) F( I* b5 C! {修改参数:
0 A1 }  n$ L: d6 o% |: E; ^
: u1 l, E, f9 A: J* Y" A+ k6 u0 H替换IC,RS1电阻由0.33R改为0.27R(直接并1R电阻)R9由47R改为200R,R8由33R改为20R。
8 E8 U& I' f" }' \0 E4 _3 S6 z1 P9 d! ^, @+ x
二、基本电性参数% t1 e- _1 \/ E: k# A. z" E( Z
三、基本波形0 Q! K" E% G* x8 h' |- V2 x: d

9 u' @% _: U1 L
XX5533 264V/50HZ MOS波形

$ P, |3 W# {3 X) o% q
CR6890H 264V/50HZ MOS波形
  b( }  h8 c5 T
XX5533 264V/50HZ 肖特基波形

& Q8 B& E" q- [; `) |, }& J( |
CR6890H 264V/50HZ 肖特基波形

7 ]! \% u6 T  w9 y; ?
XX5533 264V/50HZ GATE波形

0 S8 _# T% c4 ~" ]; ?# r! I. c- t. v
CR6890H 264V/50HZ GATE波形

- T4 z2 `- W8 A0 C- G6 G
XX5533 230V/50HZ 传导波形 N

0 y# J7 t, l  r4 L. m
XX5533 230V/50HZ 传导波形 L
. _- [+ n: U& D4 Q0 H: ~  L1 p/ S# u
CR6890H 230V/50HZ 传导波形 N
2 W1 D! b/ @$ c2 ^- J& X
CR6890H 230V/50HZ 传导波形 L

. ^- A3 y. c; E7 p
XX5533 230V/50HZ 辐射波形
$ m' V8 M  ^( |( D' S5 Y
XX5533 230V/50HZ 辐射波形

1 _$ d) a! e! q7 X
CR6890H 230V/50HZ 辐射波形
! m) l3 y" T2 p5 [3 I* m
CR6890H 230V/50HZ 辐射波形
9 X3 r+ _9 W' m3 l
对比结果
9 Y/ t. p; P+ ]
( Q* P$ E& T' V4 f  _电性基本一致,CR6890H效率更高。: V6 m6 b" N/ y) E2 D# M, |" J

) b2 R0 |3 R! X" U4 }! d

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