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两款电源芯片对决,谁能遥遥领先?看完测试报告有答案

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发表于 2023-3-16 10:50:13 | 显示全部楼层 |阅读模式
本帖最后由 思睿达小妹妹 于 2023-3-16 10:55 编辑 ( M$ b3 F1 g# r0 m+ M
/ S9 y2 ]: W2 D3 y7 O
当今世界,人们的生活已是片刻也离不开电子设备。电源管理芯片在电子设备系统中担负起对电能的变换、分配、检测及其它电能管理的职责。电源管理芯片对电子系统而言是不可或缺的,其性能的优劣对整机的性能有着直接的影响。
) `  x: w" K; Z6 Y$ V2 O$ J8 z9 ^5 R
电源管理芯片的应用范围十分广泛,例如本公司主推的CR6890H可应用在AC/DC适配器、电机类适配器、充电器等。接下来,我们将CR6890H和电源IC XX5533进行对比测试,看看哪一款IC更胜一筹!  N, d9 P: [9 c) ], W2 B7 Q3 T

8 `  n/ v8 V! X  z: O4 r关于CR6890H
$ E9 G0 g% j% Q: x& _1 G: A1 z$ e$ w) r
CR6890H是一款高集成度、低待机功耗的CCM+PFM混合电流模式PWM控制器。CR6890H轻载时会降低频率,最低频率22kHz可避免音频噪声。CR6890H提供了完整的保护功能,如cycle-by-cycle电流限制、OCP、OTP、VDD_OVP、UVLO等,还可以通过PRT脚分别精确设置外置过温保护和输出电压过压保护。软启动功能可以减少系统启动时MOSFET的应力,前沿消隐时间简化了系统应用。通过频率抖动和软驱动电路的设计,降低开关噪声,简化了EMI设计。CR6890H提供SOT23-6L的封装。  P+ _9 ?6 ^; ^; N# H4 r0 a& A
# ]3 ^% ]# D  C6 n. L
主要特点
3 X6 d. C$ [1 P. I  `0 e; H; t3 i
4 f- t5 B# C; I) [/ B* v● 较低的启动电流(大约3μA): [0 Y5 P. Q8 ?& b; I; n  p
● 内置软启动减少MOSFET应力
) ~: \; U5 m5 [9 I● CCM+PFM控制模式
* G* ]1 z$ o7 k- V4 n; y● 内建同步斜坡补偿,消除次谐波震荡$ @6 F5 W9 A& E- B4 E
● 内建频率抖动功能,降低EMI8 a& c! v7 s2 C/ G# h
● 内置65kHz开关频率
, M; H* B4 v9 Z" R. x) t  [3 \● 轻载降低工作频率0 ?! H2 q$ m6 l" |- ^
● 15ms倍频模式/ ^/ s" T9 U8 }  s6 p) p1 A
● 可编程外置过温保护并进入latch) W( }/ E5 {; U2 L
● VDD过压保护和输出过压保护功能并进入latch
7 K2 G+ ~% P" \● 内置前沿消隐电路3 ^! f1 z7 T* p! D# j2 b/ A9 b5 X- L
● 内置输出二极管短路保护
3 ~. g2 E2 T  K  X● 内置过温保护并进入latch
7 S1 r$ `, p/ f1 p" q  [: ^● 过载保护& N( }. Z  V6 U) m9 S
● SOT23-6L封装6 p8 Y- m9 w3 X1 ^/ B

* H' q4 A+ U7 }2 {- b# s0 `9 \基本应用8 J, b0 Z1 ^7 h0 x& C# B4 E7 _

4 u2 y$ T# p2 @● AC/DC适配器
5 f6 b) ]& p) i● 电机类适配器
' e9 {2 w& r+ W5 A; I# }. @/ P● 充电器
! b9 f0 h% ~0 H+ g* z5 G6 u● 存储设备电源7 g0 G( t# z- Y1 [' K
. W2 ?- k7 Q2 a: T" s
典型应用- Y  ]  S; H/ M# F
管脚排列$ `1 V. M$ {; \' w. l, C# T7 u( }7 B
管脚描述
* a1 S* O( ^! `
, _- S& {  w* a5 ]& `
一、样机规格# @* `6 b; _- R8 h, m

  |9 n( d: b9 h* B) ?输出电压12V,输出负载5A,IC lot:HHP02。4 a3 {1 B3 j9 \

1 ~9 u. D7 W5 e5 N1 b修改参数:7 Q1 p0 A* x$ F: i# H: E
2 b. l& l& t5 v* ]# `* w
替换IC,RS1电阻由0.33R改为0.27R(直接并1R电阻)R9由47R改为200R,R8由33R改为20R。
. A' G# p3 Q( h8 k6 F! z
2 S7 j0 F! ^7 D" @  n) l二、基本电性参数% m  X, ]  S4 b& e  g5 P
三、基本波形# ]7 y2 ?, N* {9 h

& P1 E; Z- Q& A5 g3 e8 e! a/ L2 `
XX5533 264V/50HZ MOS波形

) I. B7 q. M  L- v* F
CR6890H 264V/50HZ MOS波形
0 [( W; ]. a$ L# m2 T, I* h) E6 s
XX5533 264V/50HZ 肖特基波形
$ {2 C  o, V4 Y
CR6890H 264V/50HZ 肖特基波形

) }! n7 ?4 s$ N
XX5533 264V/50HZ GATE波形
2 f$ l4 i) ~8 e) V+ Y
CR6890H 264V/50HZ GATE波形
! k0 `# H+ q0 j1 U) i
XX5533 230V/50HZ 传导波形 N

. b, o: N; \/ ~. M& S# J
XX5533 230V/50HZ 传导波形 L
9 i8 u# J2 N$ g  f8 _4 h
CR6890H 230V/50HZ 传导波形 N
6 ^8 N5 T& b0 e7 w- ~( @- o
CR6890H 230V/50HZ 传导波形 L
9 a/ m$ T8 E+ ^
XX5533 230V/50HZ 辐射波形
9 N  B  O! e7 H' K9 J
XX5533 230V/50HZ 辐射波形

: P/ G  h5 D1 |4 z: P& |
CR6890H 230V/50HZ 辐射波形

  x# G- s' b: N9 Q' p) e
CR6890H 230V/50HZ 辐射波形

' t+ G0 v) c5 `5 k5 X$ Y( E  m对比结果
& j1 D3 [/ C5 }: z: g  _
. \8 T1 V( B5 Y  F9 z5 x电性基本一致,CR6890H效率更高。7 s( y' q5 @2 Y) b7 u( Q2 m- I
  M$ S- V8 O* z% |/ _/ Y# ]( j4 v

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