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本帖最后由 思睿达小妹妹 于 2023-3-16 10:55 编辑 8 C9 M+ p- w1 {+ c6 T
* _; p9 [/ o( S& |9 x当今世界,人们的生活已是片刻也离不开电子设备。电源管理芯片在电子设备系统中担负起对电能的变换、分配、检测及其它电能管理的职责。电源管理芯片对电子系统而言是不可或缺的,其性能的优劣对整机的性能有着直接的影响。
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% H4 S/ K1 g% E9 Y( k$ ]6 t5 N电源管理芯片的应用范围十分广泛,例如本公司主推的CR6890H可应用在AC/DC适配器、电机类适配器、充电器等。接下来,我们将CR6890H和电源IC XX5533进行对比测试,看看哪一款IC更胜一筹!
3 b" g& `8 X# D; P8 N h) @% W- c5 j, M( w
关于CR6890H
6 d$ I- Z8 @. r. f* Y8 k5 x" z1 j" H& v. Y5 }- A' @5 a
CR6890H是一款高集成度、低待机功耗的CCM+PFM混合电流模式PWM控制器。CR6890H轻载时会降低频率,最低频率22kHz可避免音频噪声。CR6890H提供了完整的保护功能,如cycle-by-cycle电流限制、OCP、OTP、VDD_OVP、UVLO等,还可以通过PRT脚分别精确设置外置过温保护和输出电压过压保护。软启动功能可以减少系统启动时MOSFET的应力,前沿消隐时间简化了系统应用。通过频率抖动和软驱动电路的设计,降低开关噪声,简化了EMI设计。CR6890H提供SOT23-6L的封装。2 U, T4 v6 g4 O1 d$ j
; k( [: y! t; }, `主要特点# E n7 V- V) ^
, _7 T( C9 H* s: g: B; |7 @1 f● 较低的启动电流(大约3μA)
5 w0 e0 b4 o( E# z● 内置软启动减少MOSFET应力
( n8 { E a: ` l6 L● CCM+PFM控制模式
) Q# m3 [- I; m2 i0 p* A* I● 内建同步斜坡补偿,消除次谐波震荡8 `( l2 z! T @/ k! u
● 内建频率抖动功能,降低EMI
; D. k( d; ~) X( w● 内置65kHz开关频率3 {* g# Z+ e* [, { `
● 轻载降低工作频率 j/ _! A) Z3 {) q' b; T
● 15ms倍频模式
- g2 A6 n7 G6 O) C6 u! S) v; E. n$ ?● 可编程外置过温保护并进入latch
* @+ Q# [$ A) Z● VDD过压保护和输出过压保护功能并进入latch3 B! G( \7 E! H# |; \
● 内置前沿消隐电路
( L8 x% I# I- Z" z● 内置输出二极管短路保护
+ P/ ~7 @7 H9 p: j f● 内置过温保护并进入latch* N$ y4 ~ N9 r
● 过载保护% q1 w, Y( b/ q, P# I
● SOT23-6L封装
: o# h1 q; t3 M+ H
. J$ |8 J' I( M基本应用& A4 K2 ]# I& |8 q6 _$ I8 t4 r
- i; g f$ @2 }/ v' e
● AC/DC适配器1 C7 ~' C( l6 U# Q7 B
● 电机类适配器
6 Y/ s% k5 M, P5 a3 A9 j● 充电器 D2 N8 E/ c0 c6 O! l7 h2 ^9 o* J
● 存储设备电源5 j- k9 ~0 c% g3 Q! d' Y- c3 m+ J
: u7 ?5 {$ r1 m- T; W, P' @) i
典型应用$ c8 Q; r$ ^% o/ Y- ~8 m
管脚排列
2 ~5 \; X; u8 Q管脚描述5 f! i/ x! h, ^& x3 A3 b3 @
! g' U5 [: }+ d一、样机规格
( P; t, [. V$ A/ S! j6 P0 C& Q. t/ N& `0 j2 T( _& L
输出电压12V,输出负载5A,IC lot:HHP02。
& j0 v! d' B4 ]5 A
8 }( J X& t( u: P3 `. n. _! {修改参数:
) [+ K6 i' M" u w
# d* z9 g O) ^) E& ~! V. |8 j' n替换IC,RS1电阻由0.33R改为0.27R(直接并1R电阻)R9由47R改为200R,R8由33R改为20R。
/ O L1 Z3 e& i( _ Z7 y: e9 x6 I" R
二、基本电性参数
: h7 [! @5 T6 k三、基本波形% G0 F y* @( G5 e! ]( \
- p) H: S; u+ p: U
XX5533 264V/50HZ MOS波形
3 R, k. [3 d) `) `) k! y3 o7 c6 wCR6890H 264V/50HZ MOS波形 5 a1 `7 C+ e: J( H
XX5533 264V/50HZ 肖特基波形
V# E4 P% ^4 }9 F2 C3 G7 CCR6890H 264V/50HZ 肖特基波形 " a y3 r; B4 d! K" m$ z- @+ C
XX5533 264V/50HZ GATE波形
1 m3 Q! D% `8 _CR6890H 264V/50HZ GATE波形 ) H% y' u6 w, X' ?6 n9 y
XX5533 230V/50HZ 传导波形 N , Q: g% I4 V6 J' A
XX5533 230V/50HZ 传导波形 L
+ j9 i+ O6 @& I" J$ C" OCR6890H 230V/50HZ 传导波形 N ( l6 r7 g5 }3 V/ g5 w5 ~1 w2 [
CR6890H 230V/50HZ 传导波形 L - i ^) \. a1 X2 |2 I
XX5533 230V/50HZ 辐射波形 0 w B/ L. ^% B- O6 q+ |
XX5533 230V/50HZ 辐射波形 $ M( Q) U- R( S0 v2 ^1 `
CR6890H 230V/50HZ 辐射波形 1 _: |1 k5 A% B8 x7 F2 l! A
CR6890H 230V/50HZ 辐射波形
4 \3 Y! Q9 q7 Z. {# V$ i7 M2 Y对比结果0 Z" J* H' \9 ~! F$ S7 K
' K8 p' `) ]' Z5 p2 E0 p! v4 E; G
电性基本一致,CR6890H效率更高。7 i2 U( `! P$ d/ o0 R" X( u- h
! \9 Z8 _# j" Q& |2 } _
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