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本帖最后由 思睿达小妹妹 于 2023-3-16 10:55 编辑 7 }% n# o- j3 S9 n
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当今世界,人们的生活已是片刻也离不开电子设备。电源管理芯片在电子设备系统中担负起对电能的变换、分配、检测及其它电能管理的职责。电源管理芯片对电子系统而言是不可或缺的,其性能的优劣对整机的性能有着直接的影响。: O6 k& q! \% K- S
; y, j4 {: h- m" n) [
电源管理芯片的应用范围十分广泛,例如本公司主推的CR6890H可应用在AC/DC适配器、电机类适配器、充电器等。接下来,我们将CR6890H和电源IC XX5533进行对比测试,看看哪一款IC更胜一筹!
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0 W4 l* N' J1 b W6 a8 l关于CR6890H
; `# x6 F, S$ s& B- ~( \) t* F0 K- @) f v: U; q: G3 @
CR6890H是一款高集成度、低待机功耗的CCM+PFM混合电流模式PWM控制器。CR6890H轻载时会降低频率,最低频率22kHz可避免音频噪声。CR6890H提供了完整的保护功能,如cycle-by-cycle电流限制、OCP、OTP、VDD_OVP、UVLO等,还可以通过PRT脚分别精确设置外置过温保护和输出电压过压保护。软启动功能可以减少系统启动时MOSFET的应力,前沿消隐时间简化了系统应用。通过频率抖动和软驱动电路的设计,降低开关噪声,简化了EMI设计。CR6890H提供SOT23-6L的封装。
4 W1 L1 Q+ y4 a# Y& a
3 [" y I( U' J2 A( m& u5 q主要特点
% _! ]$ H/ a9 I) C: @: u) r0 [' C9 k; z% O6 X9 ?$ ]! m! O: {" p6 ^ I
● 较低的启动电流(大约3μA)
9 w$ q, q1 ]/ X8 x● 内置软启动减少MOSFET应力
: X6 ^. Q1 F; |● CCM+PFM控制模式
$ I- l$ X( }& J3 f3 Z5 x● 内建同步斜坡补偿,消除次谐波震荡8 w) ]& [, t2 }
● 内建频率抖动功能,降低EMI
1 O# u! D# _0 {: O; `● 内置65kHz开关频率$ m4 s6 J; Z5 j2 U+ A/ e& Y
● 轻载降低工作频率' ?! ` k. k, u0 j' d
● 15ms倍频模式1 A& h! |4 g# H# k) x5 q
● 可编程外置过温保护并进入latch
: }% A4 L% m; V- `4 g" I* u" \( a● VDD过压保护和输出过压保护功能并进入latch
n1 N) W0 _% m1 \0 S; h7 q. U● 内置前沿消隐电路: L) x1 u5 [9 U$ ^# ~; B6 I
● 内置输出二极管短路保护, l6 }9 z0 _& p) t* w; a+ @
● 内置过温保护并进入latch
6 N( T; X% s$ {9 F; }7 }● 过载保护
; ?# a* p' X2 q8 R' F' M! G● SOT23-6L封装
U. z. N5 M- ?/ x4 y& x. p* l6 U( C, H+ O9 @$ u! `3 ~: L
基本应用
& t& f/ G* l" z% D* E' |/ ^2 b5 N' C8 c3 ?
● AC/DC适配器
! L* x! s# }3 z% b● 电机类适配器: W( _ l/ E" i! O
● 充电器
5 G% D8 u" [& C$ b z1 g4 C● 存储设备电源
+ h' y+ h7 u+ {" o' W$ @" k0 g, [, x' ~" E2 H$ |/ M- z( `8 F
典型应用
8 x& N' n7 i0 H6 x' s3 z管脚排列) C& G$ A' @' H" L! m, O( s3 x
管脚描述
) H! J) B# |) ]
1 j% |. u) y6 R# p, | y0 F一、样机规格
5 y& I. k& s& ^2 o; W
/ d- w: [" y7 Z& H6 B5 {( |输出电压12V,输出负载5A,IC lot:HHP02。: c& w. Y! L: b ^! r
, P# {! y( n7 Z
修改参数:' Q5 L( [) d: a3 r6 ~3 S1 f
4 Y* t& c+ w- M
替换IC,RS1电阻由0.33R改为0.27R(直接并1R电阻)R9由47R改为200R,R8由33R改为20R。
, p% c9 f4 w1 V% v6 g0 n' G: M& g3 G
二、基本电性参数
( ~ x+ n9 `7 U) e3 a/ o& z6 z三、基本波形
: L: o' {: ^; @% T, c$ d$ ^
6 y! y6 U- E3 [' ?: SXX5533 264V/50HZ MOS波形
! ~; K1 m$ c) \6 X9 \4 ]CR6890H 264V/50HZ MOS波形 & [% u' l+ a6 ~% q/ L" v
XX5533 264V/50HZ 肖特基波形
! E0 Y% P5 G2 W, P$ d. p( `CR6890H 264V/50HZ 肖特基波形
6 F3 j9 p% P+ t2 T8 c, UXX5533 264V/50HZ GATE波形
. C" o$ f) b6 k7 b. _2 c% o& \( q6 ^CR6890H 264V/50HZ GATE波形
3 C( C, T! k# ~, hXX5533 230V/50HZ 传导波形 N ( }, M/ l- [) S5 e$ P
XX5533 230V/50HZ 传导波形 L / I& U5 V# ?: w2 ^2 Q+ L W! A
CR6890H 230V/50HZ 传导波形 N 5 \; w3 [* Q, K! H( x
CR6890H 230V/50HZ 传导波形 L
1 q" N' Y4 M+ Z9 g- k V1 _ CXX5533 230V/50HZ 辐射波形 : p* P% `6 ]# b/ F
XX5533 230V/50HZ 辐射波形 ( s4 x! g2 G( v% p' o( Y& c9 D# D
CR6890H 230V/50HZ 辐射波形
( y! t6 c# e1 B3 M5 \CR6890H 230V/50HZ 辐射波形 9 T0 t8 i1 U- y& N
对比结果
1 b' ?6 b- r+ R7 c. R8 l
9 n/ }; y: V+ A9 P) a电性基本一致,CR6890H效率更高。- B# D/ B/ `! [0 n" b
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