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两款电源芯片对决,谁能遥遥领先?看完测试报告有答案

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发表于 2023-3-16 10:50:13 | 显示全部楼层 |阅读模式
本帖最后由 思睿达小妹妹 于 2023-3-16 10:55 编辑 9 ~5 ?: s$ J* l

% u0 U1 X0 i/ K$ r) O, T当今世界,人们的生活已是片刻也离不开电子设备。电源管理芯片在电子设备系统中担负起对电能的变换、分配、检测及其它电能管理的职责。电源管理芯片对电子系统而言是不可或缺的,其性能的优劣对整机的性能有着直接的影响。
" o  g  }2 j  j. j7 t. e
4 n+ ]0 ]4 V5 a4 Q2 E电源管理芯片的应用范围十分广泛,例如本公司主推的CR6890H可应用在AC/DC适配器、电机类适配器、充电器等。接下来,我们将CR6890H和电源IC XX5533进行对比测试,看看哪一款IC更胜一筹!/ D/ x& W4 t9 u: W; N& l1 Z

9 o* I5 E/ x- m1 r6 A* t( h关于CR6890H, r- J* m3 l3 y; D3 M8 i# e
$ O$ |( M0 Z! d  M9 r
CR6890H是一款高集成度、低待机功耗的CCM+PFM混合电流模式PWM控制器。CR6890H轻载时会降低频率,最低频率22kHz可避免音频噪声。CR6890H提供了完整的保护功能,如cycle-by-cycle电流限制、OCP、OTP、VDD_OVP、UVLO等,还可以通过PRT脚分别精确设置外置过温保护和输出电压过压保护。软启动功能可以减少系统启动时MOSFET的应力,前沿消隐时间简化了系统应用。通过频率抖动和软驱动电路的设计,降低开关噪声,简化了EMI设计。CR6890H提供SOT23-6L的封装。. o" z1 i$ N# M) ?& B7 S; C

0 s5 D2 W( L/ e* C6 y# Q主要特点
8 y6 `% M4 c' ]" z# j* N$ D* E6 K# |0 k
● 较低的启动电流(大约3μA)% u7 d" A* ^. _* w. h
● 内置软启动减少MOSFET应力9 b$ k# A% S' ~* `$ x) [: J/ m
● CCM+PFM控制模式8 \) r7 O6 n# K; Y/ M
● 内建同步斜坡补偿,消除次谐波震荡
) a, G7 `+ o, z" A● 内建频率抖动功能,降低EMI  s1 A% j7 ?' Z% d# e; i& U, `9 v, u/ F6 g
● 内置65kHz开关频率  \. o4 N) x  t! C/ g  V
● 轻载降低工作频率& S) |5 v0 r; x+ K- L; A3 X
● 15ms倍频模式. M! t" p5 V& s& N$ K
● 可编程外置过温保护并进入latch( [, y0 {7 a" s1 q' }
● VDD过压保护和输出过压保护功能并进入latch$ ^1 i8 h+ l. \$ ~! ]$ b+ c! C
● 内置前沿消隐电路
7 A7 ]& W1 }  X) j& J3 Z● 内置输出二极管短路保护* U5 c- X9 P3 z. r3 q, N$ Z
● 内置过温保护并进入latch
. l4 X2 ?+ _/ n; K9 Z! @● 过载保护
% h% O  }& e0 c& q  |● SOT23-6L封装
4 [2 L6 u, V# ?. L/ F4 S2 S$ O0 e& x- P& _' Z
基本应用
7 G$ D2 `9 S  j, M- c+ u$ @
+ R: `- u9 l: p! l1 D7 S& Y% l● AC/DC适配器
  l- O! L# @8 u. j6 L! K2 N: D● 电机类适配器
& V4 o; Z% m7 u  S● 充电器0 d+ \8 M" S# s: |- _4 B: H
● 存储设备电源
. ?) O/ Z# w3 R, x: o8 |- P. [: X$ {8 b
0 {& j3 E+ R" v: v' t典型应用
, O2 ]8 C7 d. J2 O
管脚排列$ e4 t) @3 x% ~8 g  c
管脚描述
/ e3 a1 b/ c: ?% g5 ]

* S. ?* k0 \3 D, X6 Y一、样机规格
% \* Z' w' ?# @6 \  {* \( h  ^- y
# Q' }  ?' Z- V: H, S8 U4 F输出电压12V,输出负载5A,IC lot:HHP02。% K; k1 \, |4 `0 U7 ~) C

2 E4 G+ M8 W5 ~6 I  _* ]% N6 `修改参数:$ Q. i5 Y2 c. a5 _" R
8 U( V, H6 c/ R
替换IC,RS1电阻由0.33R改为0.27R(直接并1R电阻)R9由47R改为200R,R8由33R改为20R。  o( W. z! {8 ?0 y

7 P, {) _* Q) p9 `6 V9 {2 [二、基本电性参数
" J3 k1 T2 n: E) Z0 @
三、基本波形
& @* X0 ]4 N2 w8 A4 ?' g- C
: q8 g( R! n% P: B8 k0 l
XX5533 264V/50HZ MOS波形

5 F' H6 G( t. q- M" J6 j
CR6890H 264V/50HZ MOS波形
. C/ A1 n/ i& Q8 `# y7 L
XX5533 264V/50HZ 肖特基波形

  [! z& h  R$ r5 ~
CR6890H 264V/50HZ 肖特基波形
( x) V6 A1 l/ X# r$ u9 N5 \
XX5533 264V/50HZ GATE波形

; d; R' i1 P. M( s9 R
CR6890H 264V/50HZ GATE波形

+ I6 X' Y: `! S" V- }
XX5533 230V/50HZ 传导波形 N

% |3 B# R! J' F% q5 w
XX5533 230V/50HZ 传导波形 L
$ V1 _" W- W- j0 E0 O, b
CR6890H 230V/50HZ 传导波形 N

5 l8 @' \* g: U( v/ b
CR6890H 230V/50HZ 传导波形 L

( x  r3 |4 G# T3 q# P
XX5533 230V/50HZ 辐射波形

3 \: c4 d: Q+ {. e6 R$ i
XX5533 230V/50HZ 辐射波形
* y4 W( A9 b6 f7 @4 S/ j4 R
CR6890H 230V/50HZ 辐射波形

6 Z1 N# i" B/ T, j3 n: h
CR6890H 230V/50HZ 辐射波形
0 o% C$ R9 y) g% }& K& ?
对比结果. h7 R2 m9 C: g9 q( }& S

  c6 }. F3 D! K, t5 F7 S/ W电性基本一致,CR6890H效率更高。
5 T7 ~) q& u. ?3 P; `3 p; W( ^& U, b+ J5 r9 n

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