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两款电源芯片对决,谁能遥遥领先?看完测试报告有答案

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发表于 2023-3-16 10:50:13 | 显示全部楼层 |阅读模式
本帖最后由 思睿达小妹妹 于 2023-3-16 10:55 编辑 4 X/ D6 o1 T+ _9 _* m

4 f: s3 V  Z7 a0 w当今世界,人们的生活已是片刻也离不开电子设备。电源管理芯片在电子设备系统中担负起对电能的变换、分配、检测及其它电能管理的职责。电源管理芯片对电子系统而言是不可或缺的,其性能的优劣对整机的性能有着直接的影响。; H; I1 x$ V5 z( S( Q/ d

3 _- J+ U! G) K+ R' U3 \电源管理芯片的应用范围十分广泛,例如本公司主推的CR6890H可应用在AC/DC适配器、电机类适配器、充电器等。接下来,我们将CR6890H和电源IC XX5533进行对比测试,看看哪一款IC更胜一筹!
$ [  \# o3 ?. V
) [) u, |& W; v, g0 l关于CR6890H% Q! q2 S4 l: ?5 P

; c9 q9 a( l+ ?5 {  B3 [, k; qCR6890H是一款高集成度、低待机功耗的CCM+PFM混合电流模式PWM控制器。CR6890H轻载时会降低频率,最低频率22kHz可避免音频噪声。CR6890H提供了完整的保护功能,如cycle-by-cycle电流限制、OCP、OTP、VDD_OVP、UVLO等,还可以通过PRT脚分别精确设置外置过温保护和输出电压过压保护。软启动功能可以减少系统启动时MOSFET的应力,前沿消隐时间简化了系统应用。通过频率抖动和软驱动电路的设计,降低开关噪声,简化了EMI设计。CR6890H提供SOT23-6L的封装。
7 e9 R$ E6 w( Z$ s" c. K7 S# _  C( F- B6 _9 ^& D) u6 }
主要特点: O0 d8 d6 m* h2 M

4 p% A( v1 X2 A5 Q● 较低的启动电流(大约3μA)
5 f5 t% f5 z/ P( I2 M- ^● 内置软启动减少MOSFET应力
. v* q8 s6 ~7 q4 ?. e( ~+ }; f6 Z, c● CCM+PFM控制模式
3 z0 ~# F) _$ d! h4 q● 内建同步斜坡补偿,消除次谐波震荡" u; v6 q) ?! L# L& N
● 内建频率抖动功能,降低EMI: {5 ]) X" I$ C
● 内置65kHz开关频率4 g( ^4 n0 y7 ?7 n( {0 |
● 轻载降低工作频率
  x& d# t  N/ L" [& q: G+ P● 15ms倍频模式% k) A- {( s( e) r" k- g
● 可编程外置过温保护并进入latch: t8 t" T" U% L0 B
● VDD过压保护和输出过压保护功能并进入latch
  s7 r/ @2 e4 Q6 _# W7 P1 U● 内置前沿消隐电路, \0 ]& C. A8 t1 m3 v4 N
● 内置输出二极管短路保护# w6 p7 O( Y- g5 m: O5 G( S
● 内置过温保护并进入latch
+ Q- k5 u, N: J* ~3 }- ^7 X● 过载保护
9 H8 l# L9 B) o● SOT23-6L封装
' R. y! b6 L. W* o# O" C. N5 y5 w/ m, r. e2 {
基本应用
- ~5 b; I) Q9 |! y+ N3 G5 ?* F
6 ~9 L" h2 @" @9 \% Y! p8 F● AC/DC适配器
7 v7 t" y( D  @1 T● 电机类适配器
- v' v3 d! ~1 ]2 S' o& G/ Y8 G● 充电器+ y" [  F" }1 m+ M: m1 x
● 存储设备电源( d% a* i2 `' [# k6 l$ A
/ M% P  F( h9 m$ l
典型应用
* v, I; G! Z# ]+ o
管脚排列
2 Z4 ?( @' K0 v- I7 Y, `+ g
管脚描述% B1 l% k7 b& `* w
) O7 H* }- _$ t9 q$ {1 t
一、样机规格: t+ C9 ^% e0 ~2 b5 F

6 F+ l- l2 Y9 w6 T输出电压12V,输出负载5A,IC lot:HHP02。+ s5 c" `; L  E" }4 a0 D
7 S: G% G9 w+ F9 [" i2 P
修改参数:
) |7 {  y8 C8 a" Q" b1 T& e- s$ Z+ o
替换IC,RS1电阻由0.33R改为0.27R(直接并1R电阻)R9由47R改为200R,R8由33R改为20R。
4 A9 L3 b5 y) w# N
9 {) a/ [5 d0 E! v) t二、基本电性参数
. q! O% Q3 ]; @: r: K+ a' |
三、基本波形+ _* S- T" T6 Y# c* m

; f9 \7 W- N7 M1 e3 j" I! B; m
XX5533 264V/50HZ MOS波形

% t; o, b3 F$ U; a
CR6890H 264V/50HZ MOS波形

- R/ l* ?6 d: i. t
XX5533 264V/50HZ 肖特基波形
2 ^0 ~( ?5 L9 h, H: d
CR6890H 264V/50HZ 肖特基波形
8 O. O& m: C" t( X( `( K& }% s* t
XX5533 264V/50HZ GATE波形
% L  n+ g: E: q
CR6890H 264V/50HZ GATE波形

& Z' o# k# {! `
XX5533 230V/50HZ 传导波形 N

, d- H2 ~( y( l
XX5533 230V/50HZ 传导波形 L
3 v. g8 D* E' O2 N4 Q  A) s/ |
CR6890H 230V/50HZ 传导波形 N
1 f+ g8 f# \' u& @" x
CR6890H 230V/50HZ 传导波形 L
' L1 a& K( h! O0 p: @" g
XX5533 230V/50HZ 辐射波形
: Y% J$ i9 L& X
XX5533 230V/50HZ 辐射波形
6 c1 d3 K% w; A2 j/ |8 Q
CR6890H 230V/50HZ 辐射波形

' }& Z) K: `" g* {
CR6890H 230V/50HZ 辐射波形

3 o! Y* s  d; C$ a7 O  Z3 S对比结果& z: ]5 d/ e- W5 f1 n6 v
1 ]: }$ ^1 J; i& D( F7 a
电性基本一致,CR6890H效率更高。* f0 r& a3 @" O& d" m; Z+ |
7 P- u- p5 |" ~3 s6 f6 P+ n- Z

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