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两款电源芯片对决,谁能遥遥领先?看完测试报告有答案

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发表于 2023-3-16 10:50:13 | 显示全部楼层 |阅读模式
本帖最后由 思睿达小妹妹 于 2023-3-16 10:55 编辑 6 f2 ]% o) p5 u+ J- ~

5 c$ S  K& B7 V/ s9 b当今世界,人们的生活已是片刻也离不开电子设备。电源管理芯片在电子设备系统中担负起对电能的变换、分配、检测及其它电能管理的职责。电源管理芯片对电子系统而言是不可或缺的,其性能的优劣对整机的性能有着直接的影响。
* k8 }! T; K# W' k8 O! B6 r2 n; |5 m/ t
电源管理芯片的应用范围十分广泛,例如本公司主推的CR6890H可应用在AC/DC适配器、电机类适配器、充电器等。接下来,我们将CR6890H和电源IC XX5533进行对比测试,看看哪一款IC更胜一筹!2 }, H9 O4 x; ?  x* j0 t
  j" M& Z7 s, `- i1 i, X/ Z$ t3 n: J
关于CR6890H
9 H1 B6 b1 N" z1 p2 v, {% Z. Q& B; \
CR6890H是一款高集成度、低待机功耗的CCM+PFM混合电流模式PWM控制器。CR6890H轻载时会降低频率,最低频率22kHz可避免音频噪声。CR6890H提供了完整的保护功能,如cycle-by-cycle电流限制、OCP、OTP、VDD_OVP、UVLO等,还可以通过PRT脚分别精确设置外置过温保护和输出电压过压保护。软启动功能可以减少系统启动时MOSFET的应力,前沿消隐时间简化了系统应用。通过频率抖动和软驱动电路的设计,降低开关噪声,简化了EMI设计。CR6890H提供SOT23-6L的封装。
3 Z8 p. {; `8 J; Q1 y7 l& f0 R2 D! ~; P$ X) ^( X
主要特点+ d' `( e+ O; w7 G* o- y: o7 }% `
, r+ ?5 |( a* ]. p2 m. @/ _8 [  G
● 较低的启动电流(大约3μA)
0 V& N. ?- h, A● 内置软启动减少MOSFET应力
$ A  O7 \% O# Q) ^● CCM+PFM控制模式
# `0 ~# z3 D2 W  [8 |% ]4 T● 内建同步斜坡补偿,消除次谐波震荡/ e9 d2 {* ~8 \7 Z& ^2 o
● 内建频率抖动功能,降低EMI
3 S( }' p. l' ]+ V- d% M● 内置65kHz开关频率
% z1 d  y9 s6 \- O$ T' U8 q4 [● 轻载降低工作频率5 s, r" n- N7 M# i0 W+ y
● 15ms倍频模式
  x/ `; H+ q( L: c● 可编程外置过温保护并进入latch# w3 Z8 Z  f0 t7 z8 q; m6 f0 y
● VDD过压保护和输出过压保护功能并进入latch7 }- ]8 L/ e) n
● 内置前沿消隐电路% N% V5 q9 e' k5 o% Q1 Y
● 内置输出二极管短路保护8 o0 S( O' W  w3 A' q0 h) ]. h
● 内置过温保护并进入latch' u* g* c9 U" S" O
● 过载保护3 b) E! e, w! e
● SOT23-6L封装
  n/ @/ s4 ?( V. Q- I1 \' \0 p/ \
- Q4 i. ?: C8 u基本应用
0 e: M4 R/ S+ }  ^1 S0 G
* B. w# ~& m/ I" ]3 ~● AC/DC适配器
/ N, n* K0 d1 x' o● 电机类适配器
& e* s9 u% [9 H9 g0 b* x4 q● 充电器( F5 Y" `9 O# p& h4 A
● 存储设备电源
3 c. f3 n+ ]# N/ r1 Z% a- X
' A) Z+ N( V( c8 a/ Q, ~5 m6 i9 h典型应用! f9 c1 {2 ?* C7 v
管脚排列" }# `1 g, H5 i0 h/ K$ l. V
管脚描述& H7 m8 P6 P1 n6 A0 e9 i) I( V
2 y: @' y4 j6 `# c  ]6 n* _. r
一、样机规格
9 B8 k# B2 P" c
( l* K0 C" Q& U/ k6 p2 O, C; d9 Q输出电压12V,输出负载5A,IC lot:HHP02。
! r# k3 M# w; C4 t- Q0 ]7 o7 }9 R/ a: f- s$ i( b4 X
修改参数:
  E4 F: n4 X3 ~& q" I+ G, v$ s
! Z( ?; c1 h  K' a9 V替换IC,RS1电阻由0.33R改为0.27R(直接并1R电阻)R9由47R改为200R,R8由33R改为20R。$ {( g4 j6 L; _! V3 a- @( \
, u0 ^' @$ ^6 Q5 o9 d( K! ]
二、基本电性参数
! F# E4 g  x; D8 E; K- f7 y
三、基本波形
+ G! g9 P0 K" a, h8 u: ]
0 \& A1 B' {3 X& ?
XX5533 264V/50HZ MOS波形
- U8 c- \1 ?! i6 m- K) J; h
CR6890H 264V/50HZ MOS波形

/ G$ C/ r; n: n9 G
XX5533 264V/50HZ 肖特基波形
6 x5 N, [6 ?' \- z3 h: I1 _
CR6890H 264V/50HZ 肖特基波形
% ?( o" V! x+ S% Z
XX5533 264V/50HZ GATE波形

0 q+ \8 y0 S  J6 L
CR6890H 264V/50HZ GATE波形
1 F3 O; o7 O( Z! Z2 {
XX5533 230V/50HZ 传导波形 N
- F- E8 F6 q" i3 Z. f7 @) s+ g3 m3 n2 X! y
XX5533 230V/50HZ 传导波形 L
  e$ J" l. l' P; D( i8 z5 v
CR6890H 230V/50HZ 传导波形 N

0 i+ K; d6 @4 q
CR6890H 230V/50HZ 传导波形 L

) Z0 e$ X0 R) t( T! i9 f
XX5533 230V/50HZ 辐射波形

9 U1 `; ?4 ~4 z
XX5533 230V/50HZ 辐射波形

, `4 t5 E+ E1 a% r
CR6890H 230V/50HZ 辐射波形
+ ?0 `- N4 I! D" S( a
CR6890H 230V/50HZ 辐射波形
( y0 d5 M# A  \3 E; w! X
对比结果" g; w  u3 h9 Z8 p" Y

, Y) J2 X9 X9 w' f& n电性基本一致,CR6890H效率更高。. C  u1 m/ K# y! |( s
* \" {: E) T/ \3 {8 }5 C

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