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两款电源芯片对决,谁能遥遥领先?看完测试报告有答案

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发表于 2023-3-16 10:50:13 | 显示全部楼层 |阅读模式
本帖最后由 思睿达小妹妹 于 2023-3-16 10:55 编辑 5 j1 X8 Y  _$ |& ?! f+ m+ {

+ o" e! ?/ r, _* D当今世界,人们的生活已是片刻也离不开电子设备。电源管理芯片在电子设备系统中担负起对电能的变换、分配、检测及其它电能管理的职责。电源管理芯片对电子系统而言是不可或缺的,其性能的优劣对整机的性能有着直接的影响。
7 S9 B; k/ L. ?( }
, R  m; E  w& i6 d+ I8 O电源管理芯片的应用范围十分广泛,例如本公司主推的CR6890H可应用在AC/DC适配器、电机类适配器、充电器等。接下来,我们将CR6890H和电源IC XX5533进行对比测试,看看哪一款IC更胜一筹!& ?( g8 q, [8 c$ o5 j4 }0 j

. O/ N+ N$ F- M4 P) E; W关于CR6890H, b/ T0 X+ k0 t$ @

! W9 Y5 s- ]/ i" P* Z- |: ?CR6890H是一款高集成度、低待机功耗的CCM+PFM混合电流模式PWM控制器。CR6890H轻载时会降低频率,最低频率22kHz可避免音频噪声。CR6890H提供了完整的保护功能,如cycle-by-cycle电流限制、OCP、OTP、VDD_OVP、UVLO等,还可以通过PRT脚分别精确设置外置过温保护和输出电压过压保护。软启动功能可以减少系统启动时MOSFET的应力,前沿消隐时间简化了系统应用。通过频率抖动和软驱动电路的设计,降低开关噪声,简化了EMI设计。CR6890H提供SOT23-6L的封装。# A/ H2 R' k( n( K8 K% A

7 g# W3 h7 w/ o- Q2 q% w主要特点
7 a' F; J5 t- O8 O* G3 y4 {& q! S" p8 W% t
● 较低的启动电流(大约3μA)
- Z% n& ?2 }. h3 ?: ^& ^● 内置软启动减少MOSFET应力
/ |$ G$ n4 `# O, T+ g; P0 ?● CCM+PFM控制模式
: x9 }: Q& A, }" |. x● 内建同步斜坡补偿,消除次谐波震荡
" B8 w+ Y5 ~9 [+ o5 ?● 内建频率抖动功能,降低EMI# v4 _- c- a" A2 b& g, a% X
● 内置65kHz开关频率
/ ?2 ?% w8 Z  u( y: M● 轻载降低工作频率
0 q. {  ~5 h1 v( X0 g; H4 r* h● 15ms倍频模式
& l* i  n. E1 N● 可编程外置过温保护并进入latch
2 H  |5 d6 J) T/ B● VDD过压保护和输出过压保护功能并进入latch  P1 Q8 A, v2 u; J* u" O
● 内置前沿消隐电路
( g: q( ]6 E/ w3 }' b● 内置输出二极管短路保护0 n- ]5 E8 h2 N' r& _9 g/ E+ F9 T; B. q, [7 K
● 内置过温保护并进入latch' R7 \9 t# K7 y4 O
● 过载保护
+ k( b4 z- G+ ?" X● SOT23-6L封装2 Z: v* g- X& O9 A
4 c/ ~- h4 z  g7 W0 @
基本应用. _4 s' c) z1 R2 T8 i
/ s- E3 ]2 |2 i" Y5 b$ y3 ~
● AC/DC适配器
% V* ?% d9 i6 f* T6 `4 K1 a● 电机类适配器
7 {+ v/ j# R6 ]4 `! a, ]3 @● 充电器
% x6 P8 k1 R! d& |1 {● 存储设备电源; ~3 z, N" t2 e( }) h
3 ^6 S) C% {$ g# X4 |. {9 F9 _, R
典型应用) X* I! k$ N$ e( o' H  f0 Y
管脚排列
  F3 \) U! r* y5 q8 p
管脚描述9 z; V( a9 T. x9 d- l  G
& C7 J7 x  k- [
一、样机规格
1 Y# V4 f4 W* x" |# u
+ {( V+ J: D4 C输出电压12V,输出负载5A,IC lot:HHP02。0 [* L# _6 p* x

3 Q- {% _- `1 M: F, D% x6 g修改参数:3 C; Z7 A6 ^% d2 {% q

9 j7 F% g  h1 I替换IC,RS1电阻由0.33R改为0.27R(直接并1R电阻)R9由47R改为200R,R8由33R改为20R。( y7 u) Z& E- {! N+ o

9 X2 H( Y( G# o- L二、基本电性参数
, W8 e2 d9 R7 M9 O1 [5 t8 H9 w
三、基本波形
1 i1 V0 X* L5 v4 V  ]
, l7 _5 T0 G+ {& I) Z3 q
XX5533 264V/50HZ MOS波形

% b+ v" D! |1 y5 M
CR6890H 264V/50HZ MOS波形

8 u# y) ]  V0 R8 i0 h* D8 Y6 d
XX5533 264V/50HZ 肖特基波形
1 W4 {# r9 Z; Y& V( h, T# c9 p7 L
CR6890H 264V/50HZ 肖特基波形

1 I/ c! P2 B5 a+ q/ Q* H- N
XX5533 264V/50HZ GATE波形

! j+ h. x4 A( Z2 ?
CR6890H 264V/50HZ GATE波形

$ W* [4 W, H7 a9 j+ q, y
XX5533 230V/50HZ 传导波形 N
. h. ^$ K$ M' ], @  w
XX5533 230V/50HZ 传导波形 L
1 L# \! S1 B, V4 {8 {
CR6890H 230V/50HZ 传导波形 N

6 W0 j+ a" \8 q5 i; e% g
CR6890H 230V/50HZ 传导波形 L

+ O: v) a" D% n
XX5533 230V/50HZ 辐射波形

+ w! r, Y; |9 d: O- @
XX5533 230V/50HZ 辐射波形
# b* I" p2 u+ |2 N, }
CR6890H 230V/50HZ 辐射波形
; m. H' J+ O, d4 q2 v: G
CR6890H 230V/50HZ 辐射波形
, ~+ q' g! E9 U2 i& h# ?- w: G
对比结果! J" M* u* l4 d
: M- r. R) {/ B& p7 t& i  w0 }6 C5 b
电性基本一致,CR6890H效率更高。! e6 z' i5 E; J  I/ k
0 x" [: t( @* s) C) N3 o3 R6 v8 ^* k

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