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两款电源芯片对决,谁能遥遥领先?看完测试报告有答案

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发表于 2023-3-16 10:50:13 | 显示全部楼层 |阅读模式
本帖最后由 思睿达小妹妹 于 2023-3-16 10:55 编辑 # ^3 x+ N9 u4 v$ u

; T6 g' `( P* D- F  \当今世界,人们的生活已是片刻也离不开电子设备。电源管理芯片在电子设备系统中担负起对电能的变换、分配、检测及其它电能管理的职责。电源管理芯片对电子系统而言是不可或缺的,其性能的优劣对整机的性能有着直接的影响。
- i( C( o1 Y$ {& E
; p( C3 ?& u3 T电源管理芯片的应用范围十分广泛,例如本公司主推的CR6890H可应用在AC/DC适配器、电机类适配器、充电器等。接下来,我们将CR6890H和电源IC XX5533进行对比测试,看看哪一款IC更胜一筹!
$ s, |& t- Q& V  M2 {0 a/ V1 ]. \; @2 L+ Q) Z
关于CR6890H* R( b5 i! m" d

: l; y3 @& k) LCR6890H是一款高集成度、低待机功耗的CCM+PFM混合电流模式PWM控制器。CR6890H轻载时会降低频率,最低频率22kHz可避免音频噪声。CR6890H提供了完整的保护功能,如cycle-by-cycle电流限制、OCP、OTP、VDD_OVP、UVLO等,还可以通过PRT脚分别精确设置外置过温保护和输出电压过压保护。软启动功能可以减少系统启动时MOSFET的应力,前沿消隐时间简化了系统应用。通过频率抖动和软驱动电路的设计,降低开关噪声,简化了EMI设计。CR6890H提供SOT23-6L的封装。6 q0 g5 }  P. \# R6 S+ b4 M
, @2 o4 N8 J$ o. F' h& }
主要特点
$ \0 F4 V. w! F( R6 M2 i
8 {! o( `4 \2 F( @  K( B. h8 r4 Z; s) k● 较低的启动电流(大约3μA)
! {5 @' b, D, X7 u  t! V● 内置软启动减少MOSFET应力
/ j; L, E/ ~: j● CCM+PFM控制模式/ ^- c3 l0 h& f
● 内建同步斜坡补偿,消除次谐波震荡& A) i& u' {/ ?/ m' q
● 内建频率抖动功能,降低EMI
5 u7 y% M* w+ {4 A- L4 `: g5 ~● 内置65kHz开关频率
# f2 C' g+ R; ^" W, W9 W● 轻载降低工作频率3 r$ I( t2 A0 D6 r
● 15ms倍频模式! w$ \% j& |7 y: e+ u4 S, i% n
● 可编程外置过温保护并进入latch
7 U( o  E( E8 g* W2 o% x- F& m7 v● VDD过压保护和输出过压保护功能并进入latch$ x% y  D$ I/ Z6 J% _; M5 h
● 内置前沿消隐电路
3 m2 q1 j& S- {& ^; m● 内置输出二极管短路保护
1 L# V+ X  z  ?8 k3 s5 w. {/ e● 内置过温保护并进入latch
8 A2 t' F% V6 W, g4 I● 过载保护, T4 p6 d6 C$ ]$ [2 D  r; q
● SOT23-6L封装* |$ ?0 E; c% w2 b* I0 U
0 T) i5 h; v, s6 o+ k: x
基本应用- ]/ D) @; F) X# J" S1 l

7 }/ a- ?" q, P3 d/ ^0 {+ _● AC/DC适配器
& |: M) R7 t: `1 B' T: x$ @● 电机类适配器6 r! |# ]/ q" t+ m- a
● 充电器
6 y" _, x( p) d, }● 存储设备电源
: r* H7 Z# M4 u. c/ L
2 V9 y% T7 w+ `典型应用: d8 c* _$ g4 a! ^8 P% [+ V
管脚排列
! |7 x3 h+ K/ ?# ~7 ~5 z: X; n+ ?
管脚描述% x. y/ U* D9 K9 N  H
: C2 k8 O3 ^* f" U
一、样机规格6 b( u! y, e9 c

' m9 x1 X1 h" C$ `4 R8 x- c输出电压12V,输出负载5A,IC lot:HHP02。6 s; `4 W  [; e& N% ~% h

. Z5 t/ o- k. c4 N- J8 j修改参数:
% K% ]- z7 o7 o- q% K+ W5 ^+ a, \$ i# F* \* Y0 f2 G
替换IC,RS1电阻由0.33R改为0.27R(直接并1R电阻)R9由47R改为200R,R8由33R改为20R。; U* ~8 g9 W* v7 n* d
& s( ]1 [9 p) p+ Q4 @2 E* d
二、基本电性参数' L8 x! Q: q# K0 L1 P+ b* S0 A
三、基本波形
% @3 l+ h9 l0 h( H. g( Y( M6 Z- j9 `8 Q- d/ a/ A( ?
XX5533 264V/50HZ MOS波形

7 m5 _3 \2 [% g
CR6890H 264V/50HZ MOS波形

, e9 t3 |7 j" f' e- E, U* d
XX5533 264V/50HZ 肖特基波形

: z4 K0 n) v* B) O) p
CR6890H 264V/50HZ 肖特基波形

7 A/ Z- h9 j3 |4 J; K5 W
XX5533 264V/50HZ GATE波形

+ z1 C' j4 t( X0 g; R/ H$ c6 B
CR6890H 264V/50HZ GATE波形

+ j6 V6 ~1 S9 e6 A3 t
XX5533 230V/50HZ 传导波形 N
' s2 H& W% V4 B+ Y& u
XX5533 230V/50HZ 传导波形 L

. w+ E. }6 ?; f! S6 _  w
CR6890H 230V/50HZ 传导波形 N

8 X9 J# q/ }  v# Y8 N1 V9 }% q
CR6890H 230V/50HZ 传导波形 L
: h9 s& {4 k5 R; B
XX5533 230V/50HZ 辐射波形
  \* ?! ^" K3 ]  P
XX5533 230V/50HZ 辐射波形
6 t$ u: k0 I& b# `$ W7 c
CR6890H 230V/50HZ 辐射波形
+ R8 e+ B- B3 U7 E
CR6890H 230V/50HZ 辐射波形
. e- `* T% X( Q( A& X' i
对比结果
* U" Q2 ^4 a2 c# m* s# _  d* x6 M. t0 e
电性基本一致,CR6890H效率更高。
7 M6 j  h! w! T$ k& Y) `9 k. W: g0 q% a8 o5 E

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