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两款电源芯片对决,谁能遥遥领先?看完测试报告有答案

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发表于 2023-3-16 10:50:13 | 显示全部楼层 |阅读模式
本帖最后由 思睿达小妹妹 于 2023-3-16 10:55 编辑 , R! z9 t& d  m" L2 G9 }. g
  a) \4 W  x6 |, U2 J7 U/ v* D  v
当今世界,人们的生活已是片刻也离不开电子设备。电源管理芯片在电子设备系统中担负起对电能的变换、分配、检测及其它电能管理的职责。电源管理芯片对电子系统而言是不可或缺的,其性能的优劣对整机的性能有着直接的影响。
/ p* ]5 r+ P0 _5 M# O/ }- t  a1 f1 b" k, ]
电源管理芯片的应用范围十分广泛,例如本公司主推的CR6890H可应用在AC/DC适配器、电机类适配器、充电器等。接下来,我们将CR6890H和电源IC XX5533进行对比测试,看看哪一款IC更胜一筹!
. Y; _& b9 C5 p/ V1 g" i0 P/ _8 t7 |
关于CR6890H
' Z- H0 M2 a8 A$ m- I/ `& W" a7 b8 f, f+ H# H# H3 u
CR6890H是一款高集成度、低待机功耗的CCM+PFM混合电流模式PWM控制器。CR6890H轻载时会降低频率,最低频率22kHz可避免音频噪声。CR6890H提供了完整的保护功能,如cycle-by-cycle电流限制、OCP、OTP、VDD_OVP、UVLO等,还可以通过PRT脚分别精确设置外置过温保护和输出电压过压保护。软启动功能可以减少系统启动时MOSFET的应力,前沿消隐时间简化了系统应用。通过频率抖动和软驱动电路的设计,降低开关噪声,简化了EMI设计。CR6890H提供SOT23-6L的封装。/ E# I+ g  m8 X: W& p8 k

% P( a! o2 M1 o2 K主要特点) @2 o- x- {* D3 w

  d9 A3 c, P" `5 s2 r2 [3 n● 较低的启动电流(大约3μA)
" k: [) W9 g1 s9 D: V9 j● 内置软启动减少MOSFET应力" d/ g3 j* c; I( H* Y. d
● CCM+PFM控制模式
6 z1 {) l/ [: \/ Q" ]% l% {● 内建同步斜坡补偿,消除次谐波震荡9 U2 ?) y) I, Y! T* V
● 内建频率抖动功能,降低EMI
/ t  w4 L; B" \! d● 内置65kHz开关频率, p5 j0 U' z6 B! y
● 轻载降低工作频率' A, x/ n, y1 ^, t
● 15ms倍频模式
4 O% D3 Z; ]" F2 t7 H' F● 可编程外置过温保护并进入latch
7 B2 c1 v$ z' U  F● VDD过压保护和输出过压保护功能并进入latch* A2 w9 B% L+ Z, m6 z
● 内置前沿消隐电路
% N, _, D- _& [$ D- j● 内置输出二极管短路保护
8 p8 o! Q# @! H: R. q4 }● 内置过温保护并进入latch: l1 s- @! d" A4 Z: R9 C
● 过载保护2 c/ X* B/ ^" w1 n0 U
● SOT23-6L封装
: u. G* ~* I: J9 j
  q2 ?! t. @' Z+ x基本应用
5 x) e9 h6 J/ F/ W+ N" x
/ {2 B. q+ T, ~. W4 K' k● AC/DC适配器
: n; U) O" z4 c( ~/ M5 ^● 电机类适配器
" i/ w* C6 f0 E1 Z) ~0 @3 W  k● 充电器7 m: j& v3 C. d( [7 c
● 存储设备电源: f0 o+ I& [- C8 R- c1 R

' L  z- r5 I% h: V( y/ G2 d9 P典型应用
& _* o1 b9 P/ [5 A5 k  c
管脚排列
# s2 ?1 x& j# R* s& ?
管脚描述
) Y6 C4 t5 W/ B2 Z8 V. ^) }% A7 L
4 j# ?$ M6 z0 i6 b' {
一、样机规格
) U" _; v7 w# D! j  }
" ]7 F! ?. R" _/ `  o输出电压12V,输出负载5A,IC lot:HHP02。* ^7 e3 g$ v. M0 E
7 w5 h2 D, D) _4 `
修改参数:4 C" c" p' L; K. U
. _" {4 }& G! a: a
替换IC,RS1电阻由0.33R改为0.27R(直接并1R电阻)R9由47R改为200R,R8由33R改为20R。
! K. w# s3 l$ f& j* }/ q
: K0 v9 Q. k# @/ H二、基本电性参数
) `( w3 ]9 E1 H3 Q% [
三、基本波形
. m0 V$ b: |3 O( O, F- R9 f% z
6 c& N  f* I& Z5 D% |
XX5533 264V/50HZ MOS波形
& J! ^% J2 f' O* z
CR6890H 264V/50HZ MOS波形

, B  C+ P, A6 r
XX5533 264V/50HZ 肖特基波形
# ]7 P4 F- F: w8 h, X
CR6890H 264V/50HZ 肖特基波形

8 j( y% v: N3 S4 r
XX5533 264V/50HZ GATE波形
) L% K* I9 ^. ?
CR6890H 264V/50HZ GATE波形
+ M; t( x& M8 z
XX5533 230V/50HZ 传导波形 N

2 w  x+ [! H; T/ Z
XX5533 230V/50HZ 传导波形 L

/ j: h; f5 F0 X6 ?* e: ]% }
CR6890H 230V/50HZ 传导波形 N

3 g# V0 I% f! f: b6 V
CR6890H 230V/50HZ 传导波形 L

, i, {; c/ H# r5 N9 T
XX5533 230V/50HZ 辐射波形
$ Q% [- {5 `2 }. |" b# @* A3 w
XX5533 230V/50HZ 辐射波形
8 \/ M: P! J2 u8 b; r
CR6890H 230V/50HZ 辐射波形

# ?$ U8 g' O- P
CR6890H 230V/50HZ 辐射波形

0 K) v+ v! L& B对比结果. E5 n5 v$ z& D

9 _% F  Y( d7 a' W电性基本一致,CR6890H效率更高。9 I6 i! }3 i  F: A, j* L
" A% b( Q6 _' |, }2 W2 B( d# e

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