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两款电源芯片对决,谁能遥遥领先?看完测试报告有答案

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发表于 2023-3-16 10:50:13 | 显示全部楼层 |阅读模式
本帖最后由 思睿达小妹妹 于 2023-3-16 10:55 编辑 $ U9 ^! s) L/ l8 l0 {; d1 t( h6 q5 x
3 W( \1 ^  p2 V% w
当今世界,人们的生活已是片刻也离不开电子设备。电源管理芯片在电子设备系统中担负起对电能的变换、分配、检测及其它电能管理的职责。电源管理芯片对电子系统而言是不可或缺的,其性能的优劣对整机的性能有着直接的影响。" @& E* F; x4 Q0 m0 H  S# K

( o# r$ T. f1 ?0 k- y电源管理芯片的应用范围十分广泛,例如本公司主推的CR6890H可应用在AC/DC适配器、电机类适配器、充电器等。接下来,我们将CR6890H和电源IC XX5533进行对比测试,看看哪一款IC更胜一筹!; ?0 j- j1 H' K" ~& B+ z& N
5 P, g: g( ~& Z5 i  s
关于CR6890H4 A$ H# D: q$ I0 o# @
) R& v. p; H5 x8 r
CR6890H是一款高集成度、低待机功耗的CCM+PFM混合电流模式PWM控制器。CR6890H轻载时会降低频率,最低频率22kHz可避免音频噪声。CR6890H提供了完整的保护功能,如cycle-by-cycle电流限制、OCP、OTP、VDD_OVP、UVLO等,还可以通过PRT脚分别精确设置外置过温保护和输出电压过压保护。软启动功能可以减少系统启动时MOSFET的应力,前沿消隐时间简化了系统应用。通过频率抖动和软驱动电路的设计,降低开关噪声,简化了EMI设计。CR6890H提供SOT23-6L的封装。
& q6 e. ~) f; x% I( ~; U* \
1 i; s- d+ ?8 v/ ]9 K" Q主要特点
4 {# r& o" c# K3 z8 p: b, J; R/ z% U4 x$ h5 c
● 较低的启动电流(大约3μA); D1 b% }. ]) Z6 Q5 ~
● 内置软启动减少MOSFET应力% v% z- a6 ]6 s3 o* R
● CCM+PFM控制模式" p( L, B- B" `' U: t  \) |0 K
● 内建同步斜坡补偿,消除次谐波震荡
( I7 z+ J1 {% Z& i( ?( S$ t& p5 v6 U● 内建频率抖动功能,降低EMI
6 c9 V3 w- Y9 V; f; F8 q5 ?$ f● 内置65kHz开关频率' R# C/ k; z9 n" M) a. t6 O
● 轻载降低工作频率' `  n+ K. L/ _8 J) }8 v
● 15ms倍频模式
8 U; Q7 ?9 y% l( t- L" P: Q● 可编程外置过温保护并进入latch' q. \% _8 w$ l  `: r3 i# s
● VDD过压保护和输出过压保护功能并进入latch9 ~/ l, r, a5 E/ B5 c6 m- ?
● 内置前沿消隐电路$ }5 n4 n' }+ x
● 内置输出二极管短路保护
$ K5 ^% ~5 j* t● 内置过温保护并进入latch
5 j! \* F) q) C● 过载保护; Q& ^! R$ \9 f- J
● SOT23-6L封装
9 g" R5 c0 @5 J% r2 t1 N
( |1 M  M* v8 o& h& T; w' N基本应用6 E! u* x4 ~2 w: o' U4 J

7 k6 Q0 M. `. J. b' e! k1 b● AC/DC适配器% `* |! n* G* c) j( f
● 电机类适配器% ~0 X) k) K0 @& [- t/ v  t* H
● 充电器
5 r9 d# Z. _1 i* m● 存储设备电源
" @" Y$ O5 b0 K5 z
% ~" I; x8 n9 g典型应用
5 d6 x3 ?4 h; f& o" z% B; l
管脚排列+ P; y# e7 s/ b! }* |- F* {. H" p
管脚描述
; w& l+ P2 Y+ t
9 h; V  S" s" A8 B
一、样机规格( }  \# {( Q$ Y- o# _

5 q+ i0 \; u( v& @输出电压12V,输出负载5A,IC lot:HHP02。1 `  ^- I0 i9 Q' g1 V) P
8 \3 \- C* |$ M9 s! x. i
修改参数:
* T) r, }) m3 O3 S5 b0 q9 }+ f4 G9 F( C5 U# q7 X+ [. L- i$ B2 `: I
替换IC,RS1电阻由0.33R改为0.27R(直接并1R电阻)R9由47R改为200R,R8由33R改为20R。
# H& [5 B, f( O6 ?& i
) X. S% ^$ c" ?8 \二、基本电性参数
/ m" `- r6 z" {1 `3 b
三、基本波形# }( E& ?& Z$ K9 Z

0 U# W; B# f9 W  ~! F0 l; _& x  d9 n
XX5533 264V/50HZ MOS波形
6 d/ {. @5 ~# M" |
CR6890H 264V/50HZ MOS波形

* C( T# M" m. d; {, y
XX5533 264V/50HZ 肖特基波形

9 }( k- B1 i0 C, L' {5 W
CR6890H 264V/50HZ 肖特基波形

" c" a2 n# x3 F" ~* d
XX5533 264V/50HZ GATE波形

' z6 p' {5 g: K* ?
CR6890H 264V/50HZ GATE波形

* D: y% Z4 y) C$ x8 x4 p
XX5533 230V/50HZ 传导波形 N
3 E* j" b3 @4 y
XX5533 230V/50HZ 传导波形 L
5 |: C5 v& k$ V. x% b9 c, C
CR6890H 230V/50HZ 传导波形 N

! _: E6 i. q3 y) O# y3 s
CR6890H 230V/50HZ 传导波形 L

$ z! M+ v, ~5 Y5 t+ v/ k6 i
XX5533 230V/50HZ 辐射波形

+ s1 S  Y8 R0 t* @( o) \& k
XX5533 230V/50HZ 辐射波形
: c+ [* U3 k# z4 C& T% G; ~
CR6890H 230V/50HZ 辐射波形

! N( P1 d8 f* Z+ ?* [* v, A" \
CR6890H 230V/50HZ 辐射波形

9 K3 f1 u5 V2 U; z对比结果7 h8 K* |9 R' {- p

% M# y' x& y1 L, C3 ?) u, ^- d电性基本一致,CR6890H效率更高。
+ P1 u2 x: b9 H+ T. }/ o6 P% F3 p- s9 R5 s% M1 B: m

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