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两款电源芯片对决,谁能遥遥领先?看完测试报告有答案

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发表于 2023-3-16 10:50:13 | 显示全部楼层 |阅读模式
本帖最后由 思睿达小妹妹 于 2023-3-16 10:55 编辑
7 ^. Z6 ]8 i0 @$ }" P/ V5 i( V* E
当今世界,人们的生活已是片刻也离不开电子设备。电源管理芯片在电子设备系统中担负起对电能的变换、分配、检测及其它电能管理的职责。电源管理芯片对电子系统而言是不可或缺的,其性能的优劣对整机的性能有着直接的影响。
  z. {6 f  L) q* {! X
  n& ]4 |. J0 m# @" C5 i+ B6 y/ H电源管理芯片的应用范围十分广泛,例如本公司主推的CR6890H可应用在AC/DC适配器、电机类适配器、充电器等。接下来,我们将CR6890H和电源IC XX5533进行对比测试,看看哪一款IC更胜一筹!
" G4 f! j2 P$ Y/ V" E5 T7 e9 `$ p$ ^& L) v0 s  s
关于CR6890H
; ~1 G/ P2 P+ O3 o4 b6 v3 D7 L6 f/ e; ~! T
CR6890H是一款高集成度、低待机功耗的CCM+PFM混合电流模式PWM控制器。CR6890H轻载时会降低频率,最低频率22kHz可避免音频噪声。CR6890H提供了完整的保护功能,如cycle-by-cycle电流限制、OCP、OTP、VDD_OVP、UVLO等,还可以通过PRT脚分别精确设置外置过温保护和输出电压过压保护。软启动功能可以减少系统启动时MOSFET的应力,前沿消隐时间简化了系统应用。通过频率抖动和软驱动电路的设计,降低开关噪声,简化了EMI设计。CR6890H提供SOT23-6L的封装。
. L. \9 F7 k5 p
4 y# `6 n/ s- t6 a0 w9 R$ B' d主要特点
4 Y  w+ C0 z* I" g  A. u/ f9 h; ?) x
2 I" y% j6 Z% U' U7 X3 Z  c# v● 较低的启动电流(大约3μA)+ c7 u; m6 B% G+ B/ Z& q( f
● 内置软启动减少MOSFET应力
1 h) W, n" h1 ^2 V* G! w( J/ P6 G● CCM+PFM控制模式
( P" J7 {2 w; P# v, @; @● 内建同步斜坡补偿,消除次谐波震荡; [6 Z' B+ T! U* D' G( }
● 内建频率抖动功能,降低EMI' l) K  Z) o1 R
● 内置65kHz开关频率$ E' s. U/ X& C  c$ B
● 轻载降低工作频率; D) Q, {) v: N* W
● 15ms倍频模式7 p% B# p2 z' F
● 可编程外置过温保护并进入latch
8 A- C9 r& z# G% D" g. O0 U● VDD过压保护和输出过压保护功能并进入latch
4 M. ]; ^5 K' z) [& ?+ t● 内置前沿消隐电路+ p! m* C; ]' P2 r! b
● 内置输出二极管短路保护3 c' O3 k: N7 ^" g6 _. G# L1 K
● 内置过温保护并进入latch0 s( }* F1 H2 Q# ^
● 过载保护  o: l' G3 L- p- z) W
● SOT23-6L封装5 R7 ]* W% W# Y3 k: |2 V. a
% I% O# \2 y  `4 j2 W/ _5 z& b. c/ m
基本应用
. s9 [' y" Z* ]/ A6 P' ?3 Y; m
3 B+ B: J! E( B) m" s● AC/DC适配器7 l0 Z) w, w( h. ^5 P
● 电机类适配器* H9 F: B9 ?: S7 C+ {$ U
● 充电器% e) r; p' t+ _2 y: d1 o3 z
● 存储设备电源
- p5 q; a, @3 T7 I9 v) J
9 ]% l0 D1 z& f, N" |典型应用5 h( M" V0 J4 Z9 K; J
管脚排列8 K5 t( X/ O/ W0 Z8 d
管脚描述
: ~( A" p. K4 B* m
8 B" o/ k1 [+ w3 j' _
一、样机规格
% K6 M  j* j7 g/ V
# ]$ @3 t7 V; C% a+ {输出电压12V,输出负载5A,IC lot:HHP02。
/ M4 @# ?4 p  g, f" j! F! B/ {% j9 v% i8 D2 j/ C* e5 d) c6 M4 Z
修改参数:
- C; u4 S0 A' a# n2 T* t1 ^) j3 Y& f
替换IC,RS1电阻由0.33R改为0.27R(直接并1R电阻)R9由47R改为200R,R8由33R改为20R。2 l- R. v9 y4 x0 Q( g. b

( S* x; b6 r+ L8 K# T3 A  D4 `二、基本电性参数
2 y! L/ K; G1 Y3 ~8 K
三、基本波形& N. D' R$ O' X0 s4 e1 F8 G& x

: p6 k6 L/ T" q: V7 r/ ^* \) E
XX5533 264V/50HZ MOS波形
* ?% z* w+ _9 p! X: h3 S8 n
CR6890H 264V/50HZ MOS波形
* W* C- t: G5 B5 a! h# I
XX5533 264V/50HZ 肖特基波形

( F# f- s6 _- w% Z# Z8 G7 r
CR6890H 264V/50HZ 肖特基波形

) o9 X1 R# ?* _; U
XX5533 264V/50HZ GATE波形

$ z8 O2 r  e$ u3 |: I& }/ d- A
CR6890H 264V/50HZ GATE波形

% C# g% G3 g& `  {% N: w
XX5533 230V/50HZ 传导波形 N

+ m7 ]; i/ N- w. y- A" w
XX5533 230V/50HZ 传导波形 L
! v8 g8 R, A  z+ ?% }3 u
CR6890H 230V/50HZ 传导波形 N

8 u! Y8 e/ O/ R* _1 W" X/ K
CR6890H 230V/50HZ 传导波形 L
8 `1 F. b$ [3 m
XX5533 230V/50HZ 辐射波形

4 Q7 }; `/ r) K( Y& j5 D5 B
XX5533 230V/50HZ 辐射波形
( K! D- U$ G4 _7 x- C( K
CR6890H 230V/50HZ 辐射波形

, l( k! G' @/ i; z, j
CR6890H 230V/50HZ 辐射波形
) |3 N4 M1 R% G( |9 k
对比结果
2 y7 W! I3 K6 `. U, U0 V0 h3 u( S
电性基本一致,CR6890H效率更高。5 J# g3 s6 U0 E' l
4 [% ^: L5 [# _. _& K3 r/ I

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