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两款电源芯片对决,谁能遥遥领先?看完测试报告有答案

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发表于 2023-3-16 10:50:13 | 显示全部楼层 |阅读模式
本帖最后由 思睿达小妹妹 于 2023-3-16 10:55 编辑 1 @- o; _" b( F1 S- B

( I; P7 O$ z, y: I' M当今世界,人们的生活已是片刻也离不开电子设备。电源管理芯片在电子设备系统中担负起对电能的变换、分配、检测及其它电能管理的职责。电源管理芯片对电子系统而言是不可或缺的,其性能的优劣对整机的性能有着直接的影响。
6 }  z8 [; K% d" I' [: n, i7 a. i5 b  p' U( [6 D- w
电源管理芯片的应用范围十分广泛,例如本公司主推的CR6890H可应用在AC/DC适配器、电机类适配器、充电器等。接下来,我们将CR6890H和电源IC XX5533进行对比测试,看看哪一款IC更胜一筹!0 i+ ^  a; |7 M6 E7 Z  w

3 j# X1 C* l7 |关于CR6890H
6 l9 W, b2 y" ^, n0 b$ ~8 q& V6 @
CR6890H是一款高集成度、低待机功耗的CCM+PFM混合电流模式PWM控制器。CR6890H轻载时会降低频率,最低频率22kHz可避免音频噪声。CR6890H提供了完整的保护功能,如cycle-by-cycle电流限制、OCP、OTP、VDD_OVP、UVLO等,还可以通过PRT脚分别精确设置外置过温保护和输出电压过压保护。软启动功能可以减少系统启动时MOSFET的应力,前沿消隐时间简化了系统应用。通过频率抖动和软驱动电路的设计,降低开关噪声,简化了EMI设计。CR6890H提供SOT23-6L的封装。) }0 z0 {6 c7 w& i8 z+ N

8 k! E* G# ^: ?' x; S主要特点
8 M8 q! B9 @. x  y" b+ o% a4 t/ {
5 A, }6 E2 ?) [● 较低的启动电流(大约3μA)
- n+ Y9 k3 n. g2 h/ R! t0 {● 内置软启动减少MOSFET应力
& N! `# c5 O1 g6 D) i● CCM+PFM控制模式
5 Z0 o( I- c  {5 l' @. f1 r● 内建同步斜坡补偿,消除次谐波震荡
0 N* H; y6 A7 N; t5 S; ^6 y) e● 内建频率抖动功能,降低EMI
) s- ~) X# X" J" C, ~7 G+ f7 t8 O● 内置65kHz开关频率- v; X+ S1 A9 e$ T" Y
● 轻载降低工作频率
! @6 R5 P% K/ k0 o! b) x% ^1 V● 15ms倍频模式
6 d  X0 r1 c1 O● 可编程外置过温保护并进入latch
! j. l5 ^% G( D  }● VDD过压保护和输出过压保护功能并进入latch
4 H" c0 J) _4 w: Y- s" d- T, V● 内置前沿消隐电路% X( Y. {$ q0 k0 x
● 内置输出二极管短路保护
+ M, x4 X4 r. L6 @. q2 y● 内置过温保护并进入latch) C8 U* ^3 Q; j4 V7 C$ L) s
● 过载保护
2 {8 B. G8 K& }9 k# ]1 J/ ^● SOT23-6L封装
  M% H: k9 t6 D6 o! O6 W
1 @  Y, K8 Z, I: N/ T基本应用
& v# H1 H$ ^" ]$ k1 W& V4 m8 V6 N1 D: u# I
● AC/DC适配器; ^8 L3 ]8 x0 G) c6 z
● 电机类适配器9 |& b8 u+ n& R5 N" U, x
● 充电器+ E& V$ F) H$ a3 m) N
● 存储设备电源
  {5 W9 w4 N- ^3 {/ R* }+ i/ @; |
! k9 \1 ~5 _" J% S4 J* K典型应用
1 W$ B% B0 k7 j5 H  k6 d
管脚排列
& ?6 S0 t& S* N* {0 K* M
管脚描述
( ?( b9 n2 G0 p/ ~/ Y
9 T& i  {0 S/ w
一、样机规格' p) M( V6 p; C( m% Z8 m
3 w& R- g+ Z$ q! L3 I+ g
输出电压12V,输出负载5A,IC lot:HHP02。' ?3 a! u$ B# B: i4 _' l
/ }7 n, E- O8 g" x, i
修改参数:
. l! _: J/ @5 J( l7 G5 {: [+ }$ l. V2 T4 ]. v4 r0 G& W
替换IC,RS1电阻由0.33R改为0.27R(直接并1R电阻)R9由47R改为200R,R8由33R改为20R。9 a- y& h. J; h" z% \' X' v
3 }0 u6 z5 D3 j$ v
二、基本电性参数
8 k3 v9 \0 \" D
三、基本波形3 E5 i; c( r( y% P
, F3 E- I1 r. I8 J& s
XX5533 264V/50HZ MOS波形
1 w# b, y& |- Q/ T/ a3 M5 y
CR6890H 264V/50HZ MOS波形

, k1 ~4 c8 k# |: g2 v6 d, ~
XX5533 264V/50HZ 肖特基波形

% w' T  ^6 U- _3 J
CR6890H 264V/50HZ 肖特基波形

7 s( v8 D( m4 `  L: l
XX5533 264V/50HZ GATE波形

4 e% t# |# L* U' Z
CR6890H 264V/50HZ GATE波形
6 q' h; S$ k& q, S. k
XX5533 230V/50HZ 传导波形 N

, {) M% m7 _) X2 b( N" `, J
XX5533 230V/50HZ 传导波形 L

$ {1 y& `. I& n' ^; o5 p
CR6890H 230V/50HZ 传导波形 N
6 f2 Q6 i: |, A, D8 P' W
CR6890H 230V/50HZ 传导波形 L

! a; C' u8 k( v0 _1 B4 d! @
XX5533 230V/50HZ 辐射波形
8 G+ |: @0 H, O1 C) v
XX5533 230V/50HZ 辐射波形
; D& q, V- \: b7 q0 `# e# M
CR6890H 230V/50HZ 辐射波形

. D8 P( ?+ q; e# Q0 ]5 A. Y
CR6890H 230V/50HZ 辐射波形

) ^/ T, q, @: \  |. q+ B+ Z对比结果; w+ r' q& l3 i' N5 @4 }
) C2 Y# H; U% u3 ~
电性基本一致,CR6890H效率更高。
; u) y* u$ E  C6 H3 z. r" f+ {0 S3 n- |1 B

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