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两款电源芯片对决,谁能遥遥领先?看完测试报告有答案

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发表于 2023-3-16 10:50:13 | 显示全部楼层 |阅读模式
本帖最后由 思睿达小妹妹 于 2023-3-16 10:55 编辑
  }. M5 }$ a/ f/ [: ]- z; S& K, m, t* e& k6 G+ ~6 R8 \
当今世界,人们的生活已是片刻也离不开电子设备。电源管理芯片在电子设备系统中担负起对电能的变换、分配、检测及其它电能管理的职责。电源管理芯片对电子系统而言是不可或缺的,其性能的优劣对整机的性能有着直接的影响。
# I& Z  D0 q6 O2 k9 k4 a% \" }5 l; ], h
电源管理芯片的应用范围十分广泛,例如本公司主推的CR6890H可应用在AC/DC适配器、电机类适配器、充电器等。接下来,我们将CR6890H和电源IC XX5533进行对比测试,看看哪一款IC更胜一筹!# n% v7 G6 n8 V9 f5 J2 \
, \: f: S9 Y8 `) `% @2 i
关于CR6890H
( x9 @% P  s" y9 {1 m7 n" z& N1 s) ^2 g: \( H
CR6890H是一款高集成度、低待机功耗的CCM+PFM混合电流模式PWM控制器。CR6890H轻载时会降低频率,最低频率22kHz可避免音频噪声。CR6890H提供了完整的保护功能,如cycle-by-cycle电流限制、OCP、OTP、VDD_OVP、UVLO等,还可以通过PRT脚分别精确设置外置过温保护和输出电压过压保护。软启动功能可以减少系统启动时MOSFET的应力,前沿消隐时间简化了系统应用。通过频率抖动和软驱动电路的设计,降低开关噪声,简化了EMI设计。CR6890H提供SOT23-6L的封装。
1 D5 G7 M3 q+ j* P: u
4 x( a# z/ E9 A1 w8 v2 s' T主要特点( H( ^1 e0 i8 H! s; p8 H: C' S

  B7 [2 x4 o! v● 较低的启动电流(大约3μA)
+ E) X$ L6 P. v8 g" X! C● 内置软启动减少MOSFET应力
0 X$ ~& h5 b* F$ M5 e( R● CCM+PFM控制模式4 [5 B0 r) g) }# Z
● 内建同步斜坡补偿,消除次谐波震荡. A2 W! s1 j+ u+ @
● 内建频率抖动功能,降低EMI
# C4 C7 p# w! ]! Z2 B" Z● 内置65kHz开关频率# m1 J. O3 Q/ g. [' \
● 轻载降低工作频率& L! I' v/ F3 D" i) k  L* x
● 15ms倍频模式
+ i: j: @/ c. ]● 可编程外置过温保护并进入latch% X" X- Z9 _6 [( T
● VDD过压保护和输出过压保护功能并进入latch- }) {# K7 J, z
● 内置前沿消隐电路
- g* A2 _8 ~* }( Z% i6 v● 内置输出二极管短路保护
& r  X6 H6 i! ]● 内置过温保护并进入latch# ~  B3 W' Q) L! N8 o4 W% z
● 过载保护
/ Q% D, P4 c5 B5 b3 T● SOT23-6L封装
* W. w+ M# M4 ?1 R
, H" n  {! m8 s5 S基本应用3 W- r& P7 B: R1 O
2 [5 ?9 E; R' t( D' z5 v$ r; E
● AC/DC适配器
/ o/ w! q2 z1 Z& S; a$ c  H! V) t● 电机类适配器% m6 N8 q) S. u6 Z
● 充电器
7 m, E4 p1 r0 d( O& U9 n● 存储设备电源
: u1 q  W' M/ H$ y+ S) N7 c6 [4 T% L, `
典型应用$ |% t1 L& `: L/ P5 ^
管脚排列# i6 [4 C, G3 N
管脚描述5 @4 R) ?# n" P! {- ]
+ P" d  p+ Z) [; I" T5 R
一、样机规格/ t/ {0 g9 e8 q6 F- D+ ]

6 [' n4 m4 h/ o) q& u) }输出电压12V,输出负载5A,IC lot:HHP02。
! w+ I9 p& e) N
7 p1 ?4 v) l2 O" `4 a' E2 W修改参数:
2 I  \6 v" Z* _# y9 x* q4 H( e2 _- |# i& a% {; }* K" ~# `
替换IC,RS1电阻由0.33R改为0.27R(直接并1R电阻)R9由47R改为200R,R8由33R改为20R。
# W& x, \5 e7 D; V* Z% ~
2 q) m& X) M' @; ]! Z0 L) X% {7 g二、基本电性参数
4 S3 g( F3 Q6 M+ i: {# ]2 N7 h
三、基本波形
: r* {1 L! R" ?2 T  \$ K$ G1 o, v+ J. y7 V6 ^$ u. u. h
XX5533 264V/50HZ MOS波形
+ R3 O, g5 P% R' T9 I
CR6890H 264V/50HZ MOS波形

" p' O1 ]# @4 G/ f+ n
XX5533 264V/50HZ 肖特基波形
  N" `9 G+ C9 S) n* ^& r0 }
CR6890H 264V/50HZ 肖特基波形
. \3 c7 q/ k* L4 E7 M8 L; W( L
XX5533 264V/50HZ GATE波形
- ]: ^$ q* s3 x+ d0 f. V
CR6890H 264V/50HZ GATE波形

6 N9 C$ \: w# |, ]' l) h  W; n3 U
XX5533 230V/50HZ 传导波形 N

7 @2 }' y9 u8 e7 {* y! W( ^$ m
XX5533 230V/50HZ 传导波形 L

) a5 Q3 g) x* G
CR6890H 230V/50HZ 传导波形 N

1 L' {- c! \' x" \
CR6890H 230V/50HZ 传导波形 L

& {3 C! Y% q, n) N7 F9 t
XX5533 230V/50HZ 辐射波形

) N4 ]: U) u7 O) C  C
XX5533 230V/50HZ 辐射波形
2 O# C2 }( ?9 R
CR6890H 230V/50HZ 辐射波形

4 \: Y. _; R0 P! P4 o9 f
CR6890H 230V/50HZ 辐射波形

' s: @" c% y9 s  R& N5 z' U对比结果, t5 F) M$ A  P7 W

# D1 ]* k8 T* _- C& l. T' T电性基本一致,CR6890H效率更高。
. L: J8 r( ]8 F. X: |( f5 U1 O! d4 D& K5 o

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