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两款电源芯片对决,谁能遥遥领先?看完测试报告有答案

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发表于 2023-3-16 10:50:13 | 显示全部楼层 |阅读模式
本帖最后由 思睿达小妹妹 于 2023-3-16 10:55 编辑 + M* B/ ?7 Q( C3 H! _+ n0 R, K

4 N- ?; q+ A: w' ]8 w; t4 r5 ^当今世界,人们的生活已是片刻也离不开电子设备。电源管理芯片在电子设备系统中担负起对电能的变换、分配、检测及其它电能管理的职责。电源管理芯片对电子系统而言是不可或缺的,其性能的优劣对整机的性能有着直接的影响。
3 B  c4 M3 u* @+ N) H" `; n& [. m  c5 P' {3 X2 P
电源管理芯片的应用范围十分广泛,例如本公司主推的CR6890H可应用在AC/DC适配器、电机类适配器、充电器等。接下来,我们将CR6890H和电源IC XX5533进行对比测试,看看哪一款IC更胜一筹!" ^$ T7 M' `7 ~8 ]3 c

: w% J& j! h7 B6 n: j* P' X关于CR6890H2 |8 r# ]) h' A  _  g

4 v/ O$ b4 g0 {6 E* @CR6890H是一款高集成度、低待机功耗的CCM+PFM混合电流模式PWM控制器。CR6890H轻载时会降低频率,最低频率22kHz可避免音频噪声。CR6890H提供了完整的保护功能,如cycle-by-cycle电流限制、OCP、OTP、VDD_OVP、UVLO等,还可以通过PRT脚分别精确设置外置过温保护和输出电压过压保护。软启动功能可以减少系统启动时MOSFET的应力,前沿消隐时间简化了系统应用。通过频率抖动和软驱动电路的设计,降低开关噪声,简化了EMI设计。CR6890H提供SOT23-6L的封装。
, L; G! e$ u5 v+ r
! \) ?  e! A. |9 d主要特点5 O) [  U$ `9 Y" B7 U' l& j6 t

# R6 P4 q& D1 C5 m! j' D  u● 较低的启动电流(大约3μA)1 Y4 I5 u( R/ P
● 内置软启动减少MOSFET应力4 A# A! b3 z5 N  V, m+ U
● CCM+PFM控制模式
, |& j) v) Y+ \! K$ T, X5 D. j" c● 内建同步斜坡补偿,消除次谐波震荡  {5 @# _2 x& z; o4 t- B) j1 O
● 内建频率抖动功能,降低EMI) S% U3 {* P$ Y7 B6 a
● 内置65kHz开关频率- B4 u2 u5 w3 c0 I6 b+ U
● 轻载降低工作频率
1 ?9 a0 B5 N& g, x5 @2 u* A● 15ms倍频模式6 t8 V; r: w3 K6 b
● 可编程外置过温保护并进入latch
- y' x8 M  O; ^$ i● VDD过压保护和输出过压保护功能并进入latch8 y: u4 I9 O6 e% `. G6 u& E
● 内置前沿消隐电路
# W- J( ]# \. f8 r5 l3 S6 O$ C& o● 内置输出二极管短路保护+ G6 T4 ]$ g5 @2 S/ V
● 内置过温保护并进入latch
9 l9 b. d. ^7 v' D/ t● 过载保护
* l9 `4 H% S& s& ?● SOT23-6L封装
$ B) T  B0 G3 C! [- I
6 ^/ {- F$ R/ F/ z基本应用
2 j5 G& D8 E% [2 j! v7 W5 z1 k2 f  p& U5 ^+ }
● AC/DC适配器
. `/ R/ n( l% w( A& {* w● 电机类适配器9 z  s7 t1 ~8 ?8 D8 W
● 充电器
% \: J/ `" k$ ~● 存储设备电源2 B' f# N# L, w, J5 S" X$ m
4 W! d8 y0 b0 o" X
典型应用
* [0 K0 Q/ ~  y7 r/ u  K. i
管脚排列
( t% o; Q* ^9 S% Y" U, V( g0 {4 N% c
管脚描述. e; B3 I' I) p8 \  E: ]4 y
: A7 ]) ?; k6 ?" l% C& N
一、样机规格/ p; z+ A4 I( t7 x7 B1 R. H

, Z& M% Y. P; G- |- ]输出电压12V,输出负载5A,IC lot:HHP02。$ P* V/ \0 t' |$ O- ^1 M
$ Q( T5 w$ f7 K6 m
修改参数:8 d' f/ `- W: F% L6 {: b
$ _( M# n( n/ I0 v% [' b
替换IC,RS1电阻由0.33R改为0.27R(直接并1R电阻)R9由47R改为200R,R8由33R改为20R。2 g  E% U" W4 ]. M2 r

& B3 o5 D" H: q4 Y. g二、基本电性参数
6 k, h4 w& ]' t, P. I8 \
三、基本波形# z3 O. \: A% Y) \  h9 G

4 B# K* A4 y; x. S$ X) Y- v
XX5533 264V/50HZ MOS波形
7 U0 B- S* b5 D! ^
CR6890H 264V/50HZ MOS波形

; o% U$ }2 \( u6 h
XX5533 264V/50HZ 肖特基波形
- J8 i$ t6 }* U7 c% p3 N
CR6890H 264V/50HZ 肖特基波形

' H0 [9 t5 P. b+ V! Q& h" _4 H
XX5533 264V/50HZ GATE波形

- V, I( h# u2 o8 {6 x
CR6890H 264V/50HZ GATE波形
* O3 y4 F( ~. ^  Z& k
XX5533 230V/50HZ 传导波形 N

0 S2 s7 B/ Z4 m! T5 E/ i
XX5533 230V/50HZ 传导波形 L
  j2 h  i4 K' J7 E( x0 ], r/ h
CR6890H 230V/50HZ 传导波形 N
2 I8 ]. G2 @: W5 q: M& A
CR6890H 230V/50HZ 传导波形 L

  _( @9 z- ?# p+ s# G5 O% b/ h
XX5533 230V/50HZ 辐射波形

  m" ^, |5 G8 N, x) m
XX5533 230V/50HZ 辐射波形
" }2 W; X+ z6 ]7 [' s
CR6890H 230V/50HZ 辐射波形

4 o5 w+ s2 x3 v0 R
CR6890H 230V/50HZ 辐射波形

  U7 W) d, Q- c对比结果
( Y( p4 x) O1 n, k5 i6 |' U0 \
. Y3 D  V4 N$ E4 G电性基本一致,CR6890H效率更高。" [3 {& E+ [7 ~6 N

3 J! Z, @* }0 Y* S8 P6 N2 \7 {

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