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两款电源芯片对决,谁能遥遥领先?看完测试报告有答案

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发表于 2023-3-16 10:50:13 | 显示全部楼层 |阅读模式
本帖最后由 思睿达小妹妹 于 2023-3-16 10:55 编辑 6 L% w7 e4 k+ H+ ]; A6 j$ F

1 [# o0 ?4 d* x% R: D当今世界,人们的生活已是片刻也离不开电子设备。电源管理芯片在电子设备系统中担负起对电能的变换、分配、检测及其它电能管理的职责。电源管理芯片对电子系统而言是不可或缺的,其性能的优劣对整机的性能有着直接的影响。
0 e% C. V# d8 O' E
& V/ c' ~" X) {6 [) I2 `. P) ~电源管理芯片的应用范围十分广泛,例如本公司主推的CR6890H可应用在AC/DC适配器、电机类适配器、充电器等。接下来,我们将CR6890H和电源IC XX5533进行对比测试,看看哪一款IC更胜一筹!2 d8 i2 W, X$ X2 S% [

5 o  i0 @% e( B4 B+ n5 |) t关于CR6890H1 C$ s' |* X4 t9 M% W
3 v& Q$ t3 w6 K0 p, M2 @' {& X! E
CR6890H是一款高集成度、低待机功耗的CCM+PFM混合电流模式PWM控制器。CR6890H轻载时会降低频率,最低频率22kHz可避免音频噪声。CR6890H提供了完整的保护功能,如cycle-by-cycle电流限制、OCP、OTP、VDD_OVP、UVLO等,还可以通过PRT脚分别精确设置外置过温保护和输出电压过压保护。软启动功能可以减少系统启动时MOSFET的应力,前沿消隐时间简化了系统应用。通过频率抖动和软驱动电路的设计,降低开关噪声,简化了EMI设计。CR6890H提供SOT23-6L的封装。
& Z: l- X1 Y% a* k3 T! M) ], t$ z! J3 s% @. J* \0 ]
主要特点* ~& w. D$ f$ a7 r# D5 w* S

5 |  f2 |* d* @! D+ M2 o- m● 较低的启动电流(大约3μA)
, m6 K# Q9 ~2 o4 ~: h● 内置软启动减少MOSFET应力" U2 p. H% p3 ]) V& b( j
● CCM+PFM控制模式
" n1 E+ P, h3 I/ r● 内建同步斜坡补偿,消除次谐波震荡0 v5 Z+ f8 H4 g% a5 X' l7 l& S
● 内建频率抖动功能,降低EMI3 U1 \& U2 _6 m7 b- f) O% P+ X
● 内置65kHz开关频率5 P0 n$ o5 {) A1 E! @
● 轻载降低工作频率, B1 E) m. n# A6 m# C& B5 b7 x
● 15ms倍频模式( G+ j8 h4 M' l* ?
● 可编程外置过温保护并进入latch4 n6 _+ c) z7 N- E$ \7 T
● VDD过压保护和输出过压保护功能并进入latch) J* L, ?, o/ Q8 y. }# P* P- D
● 内置前沿消隐电路: p4 ~% {/ r. G0 G
● 内置输出二极管短路保护% I2 A  H2 c  h, H" E  Y
● 内置过温保护并进入latch
0 \6 S0 B% X/ J+ s% Y● 过载保护
: o% ~* O) E' k0 G5 c● SOT23-6L封装7 F+ s6 ], T! d; q( o) c

+ t0 ~9 r9 K  r基本应用( h& {  q+ {" O  z2 o1 R0 F

5 y* _3 f/ q! |+ I; r( h5 u$ F● AC/DC适配器1 O( I+ Y0 N8 {: ]) V* j1 S3 [3 P
● 电机类适配器
3 |8 [) G, N6 H! d* `4 G* T● 充电器6 l( R6 l: F8 f
● 存储设备电源
. F2 A& s) g  R" U0 v7 H
* j$ ]+ X, {! p/ ?' D; q( S典型应用( ?0 ], C/ @. |
管脚排列$ I2 b# n( c2 G0 k
管脚描述" v  b/ v% I. }. k% M* u) v
# P- }/ k/ L9 s
一、样机规格
4 _! m4 Q7 u) o0 \% R" z. R& S' P: p  q+ m3 o( K, I
输出电压12V,输出负载5A,IC lot:HHP02。
' {" w( ]' j$ o
5 S& B. J( G# d, O3 P修改参数:  B- T! e' ?& l5 \
! w3 ]3 p5 O0 o
替换IC,RS1电阻由0.33R改为0.27R(直接并1R电阻)R9由47R改为200R,R8由33R改为20R。
; K9 t) @: _0 w; ?, H  M* L: F. ^; L3 u% F
二、基本电性参数3 @# h5 I' X) H  q2 D
三、基本波形
" D' a3 C: D- W/ a7 c* }* Y9 j! u4 w3 ?) a4 Q8 M, Y7 d
XX5533 264V/50HZ MOS波形
7 C! ^9 K$ s/ b6 P" w- a- J7 Q
CR6890H 264V/50HZ MOS波形
* n4 T- d6 N2 _% p- S+ _& L
XX5533 264V/50HZ 肖特基波形
9 {" m( N! d) H! R1 ~
CR6890H 264V/50HZ 肖特基波形
4 B) s# _; P. Q( w: r
XX5533 264V/50HZ GATE波形
6 S( U5 c( ^9 a% u
CR6890H 264V/50HZ GATE波形

& H, u4 ^2 k& M7 s7 k7 p) u1 y( t
XX5533 230V/50HZ 传导波形 N

0 p0 \  B& B# a' U9 }( a
XX5533 230V/50HZ 传导波形 L
" @' J. d2 f, r" S% h
CR6890H 230V/50HZ 传导波形 N

' E. v. G: c4 H1 [
CR6890H 230V/50HZ 传导波形 L

% S% b; Q8 @# v
XX5533 230V/50HZ 辐射波形

1 h6 ~% m1 _1 b- s
XX5533 230V/50HZ 辐射波形

2 \6 Y/ [: x1 Y3 m
CR6890H 230V/50HZ 辐射波形
6 r% N( n$ h3 G: R  d
CR6890H 230V/50HZ 辐射波形
& I# o# K7 K, c0 k# _7 {' Y4 l, H
对比结果0 k5 D, p  ]  p7 V2 y

6 m3 u/ h. y: Y2 G7 r# w电性基本一致,CR6890H效率更高。9 R$ S- A! d# [3 e# u
' ?! t$ C  N5 `" D* w

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