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两款电源芯片对决,谁能遥遥领先?看完测试报告有答案

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发表于 2023-3-16 10:50:13 | 显示全部楼层 |阅读模式
本帖最后由 思睿达小妹妹 于 2023-3-16 10:55 编辑 ; d- I, j0 ~* Z: @" D( D8 C

3 `2 e3 A  w  _* ~, t/ o. g7 D! G当今世界,人们的生活已是片刻也离不开电子设备。电源管理芯片在电子设备系统中担负起对电能的变换、分配、检测及其它电能管理的职责。电源管理芯片对电子系统而言是不可或缺的,其性能的优劣对整机的性能有着直接的影响。/ h; [( y3 ?* C1 ^% e
8 e* d/ x& ?1 A; @; r# B
电源管理芯片的应用范围十分广泛,例如本公司主推的CR6890H可应用在AC/DC适配器、电机类适配器、充电器等。接下来,我们将CR6890H和电源IC XX5533进行对比测试,看看哪一款IC更胜一筹!
3 Z- `8 g3 K4 ]! {5 @" ]0 H" [& y9 Z0 Q  f: X8 Z' |; \1 ^
关于CR6890H- ~$ H) ?# q: y: [6 T6 j

% A$ r5 n: h+ K% b& \, G1 WCR6890H是一款高集成度、低待机功耗的CCM+PFM混合电流模式PWM控制器。CR6890H轻载时会降低频率,最低频率22kHz可避免音频噪声。CR6890H提供了完整的保护功能,如cycle-by-cycle电流限制、OCP、OTP、VDD_OVP、UVLO等,还可以通过PRT脚分别精确设置外置过温保护和输出电压过压保护。软启动功能可以减少系统启动时MOSFET的应力,前沿消隐时间简化了系统应用。通过频率抖动和软驱动电路的设计,降低开关噪声,简化了EMI设计。CR6890H提供SOT23-6L的封装。! O' x0 C2 V8 }0 r1 M& P* |- h0 Z

( ]  P1 g8 a) d6 _; O4 n2 y主要特点- F" Z* m. y1 \# O
. o- l: J# k3 q9 N# L, m
● 较低的启动电流(大约3μA)
: P# {4 A9 T7 F2 s● 内置软启动减少MOSFET应力7 C# \6 w$ ~$ b& J* o
● CCM+PFM控制模式9 @; H5 O( s/ y
● 内建同步斜坡补偿,消除次谐波震荡* o' ?2 W- k2 ?2 g" B  ^+ V
● 内建频率抖动功能,降低EMI: y0 G; z5 z+ k! `$ V# U/ R. s
● 内置65kHz开关频率7 d0 e# }* l  N" L
● 轻载降低工作频率% |  x( ^3 p7 a' s! D7 ^9 @! x$ N
● 15ms倍频模式
8 b$ q- b8 E$ M1 t9 `: [7 Q● 可编程外置过温保护并进入latch
, |: l* N, r' {' h) X* q● VDD过压保护和输出过压保护功能并进入latch
/ s0 a/ h+ O, R/ h● 内置前沿消隐电路
2 V( @# J( m9 {/ ^2 M& Q& E● 内置输出二极管短路保护
0 S& m. y6 T+ Q● 内置过温保护并进入latch
/ {1 X9 e3 `$ H0 O* G● 过载保护& e9 k9 E: e1 E! r3 ^$ k+ M) }
● SOT23-6L封装
! T) D2 H& O1 w) d9 ^
$ y" ^) V9 a# [5 X' h( l: M" ]/ q+ U基本应用( |5 ^7 M! |% A$ E
3 o0 T+ p4 r. T+ C% l8 u7 O
● AC/DC适配器! v' {+ V6 L  h, w( D
● 电机类适配器
' F* T5 `0 k( {! E4 r: i5 C' g● 充电器
' S, g9 p3 w) a! X/ `7 d● 存储设备电源. X, o4 o' Y5 w; [5 H* a9 t7 `
4 y( F; o7 `" n* h
典型应用4 f9 A% K9 @+ w
管脚排列
3 D5 w, U. x* o
管脚描述
) W1 q2 q3 |  }9 v
+ v% z3 }8 o) }. B4 C9 W( X- d& G' }( g
一、样机规格
5 R  V/ p4 ?. M: p/ B5 n! v, q: P6 |6 p
输出电压12V,输出负载5A,IC lot:HHP02。
! N' `1 j% ]- m9 ?' H" G
' T8 f6 H* q" O8 k修改参数:/ X! h* T0 x1 g5 j1 _
- y2 y# ^2 F9 k+ Y
替换IC,RS1电阻由0.33R改为0.27R(直接并1R电阻)R9由47R改为200R,R8由33R改为20R。
/ A# d$ k" ^+ I4 E2 R0 Q4 \# ~/ f
+ A1 q! a' T/ c, S$ p二、基本电性参数  J9 o% E- a8 V0 _! l
三、基本波形
" a) D3 a1 e- R- {9 L/ T7 J& Q# o' c2 S1 E$ l2 v
XX5533 264V/50HZ MOS波形

* D2 A& N+ p- I1 N9 D
CR6890H 264V/50HZ MOS波形

$ u4 o) o& R* M+ o
XX5533 264V/50HZ 肖特基波形

1 B! T3 u9 k4 q7 S, I
CR6890H 264V/50HZ 肖特基波形

$ I" {/ _1 I+ j' `) c
XX5533 264V/50HZ GATE波形

. w$ Y& u  c5 ^
CR6890H 264V/50HZ GATE波形
' |+ v1 T1 w  p9 R' x) Q
XX5533 230V/50HZ 传导波形 N

  B" [3 G4 E/ N* h) U8 F) A, A1 Z
XX5533 230V/50HZ 传导波形 L

  f; i5 O: j, n" {6 [" D
CR6890H 230V/50HZ 传导波形 N
# U7 s- f* l0 A* |# ]
CR6890H 230V/50HZ 传导波形 L
& C$ S9 E- o  u
XX5533 230V/50HZ 辐射波形
7 ~. o, h, P% V
XX5533 230V/50HZ 辐射波形

8 ^( y5 A8 h) u
CR6890H 230V/50HZ 辐射波形

# a$ @- @1 q! W. j! k# w3 D; h
CR6890H 230V/50HZ 辐射波形

# d) P1 f0 R2 A# A5 [' r+ x7 `对比结果9 ^7 \9 d4 Z  `; u# J

( v& q. B3 D" V% s  r9 g电性基本一致,CR6890H效率更高。
8 [9 ~; `% g. M4 N1 g! f$ a$ P3 T
& C/ U# j4 V7 u, Q! P7 X: ^9 n, [

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