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两款电源芯片对决,谁能遥遥领先?看完测试报告有答案

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发表于 2023-3-16 10:50:13 | 显示全部楼层 |阅读模式
本帖最后由 思睿达小妹妹 于 2023-3-16 10:55 编辑 8 L( E7 G! h; Q, S
! {% e; m  z6 ?7 C. |3 y+ i, t
当今世界,人们的生活已是片刻也离不开电子设备。电源管理芯片在电子设备系统中担负起对电能的变换、分配、检测及其它电能管理的职责。电源管理芯片对电子系统而言是不可或缺的,其性能的优劣对整机的性能有着直接的影响。
7 S# m4 u  o5 a- F! Z- g2 x9 V* r: t# q8 @6 ?
电源管理芯片的应用范围十分广泛,例如本公司主推的CR6890H可应用在AC/DC适配器、电机类适配器、充电器等。接下来,我们将CR6890H和电源IC XX5533进行对比测试,看看哪一款IC更胜一筹!
( N+ R! q" T5 U
$ Q; S* I, p% ?: I% L6 O) c关于CR6890H
" B* ~/ H3 w1 C6 Z! P3 M1 l0 R; K4 R* a* O% G: q
CR6890H是一款高集成度、低待机功耗的CCM+PFM混合电流模式PWM控制器。CR6890H轻载时会降低频率,最低频率22kHz可避免音频噪声。CR6890H提供了完整的保护功能,如cycle-by-cycle电流限制、OCP、OTP、VDD_OVP、UVLO等,还可以通过PRT脚分别精确设置外置过温保护和输出电压过压保护。软启动功能可以减少系统启动时MOSFET的应力,前沿消隐时间简化了系统应用。通过频率抖动和软驱动电路的设计,降低开关噪声,简化了EMI设计。CR6890H提供SOT23-6L的封装。
/ J9 u, Y2 y. Z5 A7 }5 R' U
8 o3 m1 i/ ^# k' g主要特点( @: }' h/ B6 {; E$ N6 z

5 R) j8 W9 X: g" X4 x  t7 ~7 ~1 z● 较低的启动电流(大约3μA)
& z+ w7 F& V8 {  P3 ~● 内置软启动减少MOSFET应力
# d3 t' U# V% O8 O● CCM+PFM控制模式
3 ?6 M3 d8 f9 J9 r( z' t● 内建同步斜坡补偿,消除次谐波震荡
0 J' i, d) I- ^/ N) o● 内建频率抖动功能,降低EMI% u# b, c# B1 X) J1 r. N
● 内置65kHz开关频率9 l  K, \' O* i
● 轻载降低工作频率
* f% W( g$ x4 H0 s/ h$ X● 15ms倍频模式
* Z  n8 ~) p4 n6 `9 M7 g& r9 P2 d, I● 可编程外置过温保护并进入latch0 I9 r5 G/ V; Z5 y( A* k* o6 p( u
● VDD过压保护和输出过压保护功能并进入latch
; ?' k! B% C, K( r$ C● 内置前沿消隐电路
& A3 E% {' ^. o7 r# P● 内置输出二极管短路保护# i9 a0 s# B& x- q5 g& f/ C
● 内置过温保护并进入latch
" S7 h( d6 e) _6 W5 {, V, \● 过载保护
  k' k& ?/ |. r, j● SOT23-6L封装
' z6 O( Z- V4 }6 D; K/ F' @% G: @& c7 k2 N
基本应用
7 ~2 r$ z4 Q1 D2 K# L: X0 R; Y  e  v( n! g
● AC/DC适配器% n5 v) o$ x2 v; S
● 电机类适配器; X) t3 B5 M$ j7 V; Q
● 充电器
0 Q7 U1 v& N2 i2 U● 存储设备电源
/ z( T9 ~# t/ T. ?% e
& S( T8 Z2 y- {' z典型应用1 n3 ^* Q- G: ^
管脚排列
0 t- ]! A" Z- V( V. y
管脚描述3 G- z. {9 R3 Y& v$ j# v" X  P
: q  h# k( V  d7 {  D" G
一、样机规格0 P5 T* s1 C7 s2 j5 ^! \0 s  H

% ]% I# p0 Y6 J# Z+ K8 N, p2 n输出电压12V,输出负载5A,IC lot:HHP02。. _, P- f; }/ y0 n; @9 J, Y$ j
! M7 H$ L1 }+ ^$ F" c6 I2 W
修改参数:4 V( c: ~& W- L( I, n
+ [  u; B7 ^# n; u
替换IC,RS1电阻由0.33R改为0.27R(直接并1R电阻)R9由47R改为200R,R8由33R改为20R。* h" ?" _9 u& W$ u( E+ }
3 n( V' m+ z9 }5 S0 ~
二、基本电性参数; s, A& l& q9 v- Z. q* F
三、基本波形. v9 v/ _2 F: u  a

. O& l) P" y5 K5 U% W
XX5533 264V/50HZ MOS波形
  \2 a: P& |  g& l1 U2 y
CR6890H 264V/50HZ MOS波形
/ u* s' R; ]' T3 o2 J
XX5533 264V/50HZ 肖特基波形

( |( \! u* G5 x( {
CR6890H 264V/50HZ 肖特基波形

3 O4 d! N. Z3 f( s
XX5533 264V/50HZ GATE波形
& f- G) G8 M. t/ A
CR6890H 264V/50HZ GATE波形
( Y+ P5 \. P! p. z; ?, j  O  j2 \, g8 h
XX5533 230V/50HZ 传导波形 N
, u$ b1 H5 V6 U& Y' p  r% H3 f
XX5533 230V/50HZ 传导波形 L

+ J4 p- t" v( [6 b. h% \
CR6890H 230V/50HZ 传导波形 N
& d5 i: Z, f) c; t# w9 z
CR6890H 230V/50HZ 传导波形 L
5 H2 M% z  W9 k+ [4 u( m
XX5533 230V/50HZ 辐射波形
7 s( d4 ]* b: ]. @
XX5533 230V/50HZ 辐射波形
6 A  r* p' A- a  J. t
CR6890H 230V/50HZ 辐射波形

9 Y. n5 Q. G  g: u' Q
CR6890H 230V/50HZ 辐射波形
; @+ {9 x# h% x6 D# y5 q
对比结果5 {  S* U- d2 I! U
. K, x" a- b/ L; d! Z) Q
电性基本一致,CR6890H效率更高。' J! z0 W! o. H. O& {+ Z, |

" G. ?  h* _' t$ y1 H3 Z( u7 a

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