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本帖最后由 思睿达小妹妹 于 2023-3-16 10:55 编辑 % Q9 P+ w& h0 g9 W4 f# E6 q
! H5 U8 p' E1 J2 }& F当今世界,人们的生活已是片刻也离不开电子设备。电源管理芯片在电子设备系统中担负起对电能的变换、分配、检测及其它电能管理的职责。电源管理芯片对电子系统而言是不可或缺的,其性能的优劣对整机的性能有着直接的影响。
5 A) M$ [0 d3 b9 ~
0 S* L+ f- b, h* O# C9 L1 m电源管理芯片的应用范围十分广泛,例如本公司主推的CR6890H可应用在AC/DC适配器、电机类适配器、充电器等。接下来,我们将CR6890H和电源IC XX5533进行对比测试,看看哪一款IC更胜一筹!
t( k4 d4 o% t
, U% Y8 k+ w8 N0 ?) _3 l0 G8 X关于CR6890H
' T V; g" m- E7 _0 d" f# G) R7 k" U4 U% {& @+ g. w( Z
CR6890H是一款高集成度、低待机功耗的CCM+PFM混合电流模式PWM控制器。CR6890H轻载时会降低频率,最低频率22kHz可避免音频噪声。CR6890H提供了完整的保护功能,如cycle-by-cycle电流限制、OCP、OTP、VDD_OVP、UVLO等,还可以通过PRT脚分别精确设置外置过温保护和输出电压过压保护。软启动功能可以减少系统启动时MOSFET的应力,前沿消隐时间简化了系统应用。通过频率抖动和软驱动电路的设计,降低开关噪声,简化了EMI设计。CR6890H提供SOT23-6L的封装。( K; P$ @9 M/ w& J
( U% a$ s, c: Z- V
主要特点: U; x9 f6 ]/ u( H: Y
: B5 |4 W2 l3 \" d! X3 }
● 较低的启动电流(大约3μA)
, {6 ~6 _, ^' [% a/ t● 内置软启动减少MOSFET应力
3 g$ V! }8 P% r7 @7 e5 m● CCM+PFM控制模式/ C; Y; }* T+ P* l
● 内建同步斜坡补偿,消除次谐波震荡
/ M4 D0 p7 u# H7 I7 s● 内建频率抖动功能,降低EMI
; ^4 s/ k+ j' j1 q/ M/ N● 内置65kHz开关频率
/ U7 {6 t- a! Z7 `● 轻载降低工作频率
- c' a; S% B7 d6 ]● 15ms倍频模式
! [: ]9 |( f; ^, `: y, F* n● 可编程外置过温保护并进入latch
$ f' k7 |# F) W+ v5 o● VDD过压保护和输出过压保护功能并进入latch h3 K' A) ?7 q5 }* I
● 内置前沿消隐电路. B% {& P8 I# G
● 内置输出二极管短路保护; a' S) q0 U1 j- W
● 内置过温保护并进入latch: k" p* u. Y: ^) J: W7 q
● 过载保护- Y; j1 L" Y4 s. `5 M
● SOT23-6L封装
- _( }) W4 z/ I) |' X
$ [. i9 x3 f! O; i9 J; A% W基本应用
! `$ D7 ]+ \6 D4 g- f0 b( B' S, Q3 ^* u6 L1 @2 c
● AC/DC适配器
( I6 w' k4 O; K* E● 电机类适配器( u( r: S) s$ J% p9 X, W; e8 H
● 充电器
, b( |1 `0 D" O4 [1 b9 u. @* W% ?$ r8 l& ^● 存储设备电源
4 d+ ]/ {2 \1 _! \) t$ L' c2 B! I$ U1 {
典型应用
8 v5 c* F% h N8 t/ S管脚排列4 c% f# ~% x6 P; n/ T; V& n8 _
管脚描述
$ o% Q; a, U4 F# {' X. C3 n) z, b8 v. j
一、样机规格" H! l* ?0 E9 y f4 G& W
2 |; o V# l' S5 K5 O输出电压12V,输出负载5A,IC lot:HHP02。6 c% l# ]' n. Y% C- \5 O# C
; F0 y( H: l5 Q5 y- y' `* Y. p
修改参数:& Y+ t, ?2 j {
1 m7 ~3 R" Y3 p* Y; x替换IC,RS1电阻由0.33R改为0.27R(直接并1R电阻)R9由47R改为200R,R8由33R改为20R。
2 p$ r2 b! m& E2 X
, t- [: V2 K3 b# N二、基本电性参数
: ]) R0 f# Q: w! l9 c三、基本波形; v1 E* k( A1 C- t8 k& G" H. C
& B: H/ g# Z( t" b- y1 P. Y* b
XX5533 264V/50HZ MOS波形 5 p4 w) v: r) n9 U' z, M1 V
CR6890H 264V/50HZ MOS波形 5 A- u4 U E" b4 F/ m8 e) H
XX5533 264V/50HZ 肖特基波形 / `. c: W* W+ G8 S" f" g
CR6890H 264V/50HZ 肖特基波形
0 \+ M, ]- `* O$ a( w2 J- y& ?XX5533 264V/50HZ GATE波形
$ d- \4 w, w2 F7 F, VCR6890H 264V/50HZ GATE波形 / @- O O- y, V& W
XX5533 230V/50HZ 传导波形 N
$ M8 t% r. J* s ^& k) tXX5533 230V/50HZ 传导波形 L
$ F- I7 e" b& V; T' tCR6890H 230V/50HZ 传导波形 N 7 G$ @( w7 `" a% O3 n, ^2 h: z
CR6890H 230V/50HZ 传导波形 L
# O/ @3 M; k/ U3 W8 NXX5533 230V/50HZ 辐射波形
# D* ]. `. E% m" y% uXX5533 230V/50HZ 辐射波形 , P1 M% R/ x* E0 F0 t
CR6890H 230V/50HZ 辐射波形
$ Z: Z3 A6 x( L3 }, {CR6890H 230V/50HZ 辐射波形
: S* b# ]7 d' L* @3 Z; O对比结果
/ |$ z T! X5 Y! C- ]+ P2 C' H+ a) E+ X. N' a
电性基本一致,CR6890H效率更高。
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