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两款电源芯片对决,谁能遥遥领先?看完测试报告有答案

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发表于 2023-3-16 10:50:13 | 显示全部楼层 |阅读模式
本帖最后由 思睿达小妹妹 于 2023-3-16 10:55 编辑 , s1 z, B: }# J$ K, E& m9 |. x; v
* m( P- K3 [* j. F  `% L
当今世界,人们的生活已是片刻也离不开电子设备。电源管理芯片在电子设备系统中担负起对电能的变换、分配、检测及其它电能管理的职责。电源管理芯片对电子系统而言是不可或缺的,其性能的优劣对整机的性能有着直接的影响。6 x' V3 _0 ~1 W# e3 E

% U- ~% X; n' D( U电源管理芯片的应用范围十分广泛,例如本公司主推的CR6890H可应用在AC/DC适配器、电机类适配器、充电器等。接下来,我们将CR6890H和电源IC XX5533进行对比测试,看看哪一款IC更胜一筹!
% j2 C, J% c* O: M, A8 l* ]2 U5 m2 }9 ?, T4 g5 R
关于CR6890H5 ?8 Y+ M5 s8 Y

! z. l8 ]$ `& U$ r- cCR6890H是一款高集成度、低待机功耗的CCM+PFM混合电流模式PWM控制器。CR6890H轻载时会降低频率,最低频率22kHz可避免音频噪声。CR6890H提供了完整的保护功能,如cycle-by-cycle电流限制、OCP、OTP、VDD_OVP、UVLO等,还可以通过PRT脚分别精确设置外置过温保护和输出电压过压保护。软启动功能可以减少系统启动时MOSFET的应力,前沿消隐时间简化了系统应用。通过频率抖动和软驱动电路的设计,降低开关噪声,简化了EMI设计。CR6890H提供SOT23-6L的封装。. P6 N) y1 `( G0 q+ Y* H
' n# B# c( [- Z& L
主要特点
( g6 m; X5 r& x$ {% B4 @  v9 ?- S. M; P
● 较低的启动电流(大约3μA)0 f. H9 S+ {' k0 ^( @0 O
● 内置软启动减少MOSFET应力( g# w2 W; Y/ c' _
● CCM+PFM控制模式
1 U/ W# n+ d  S● 内建同步斜坡补偿,消除次谐波震荡/ R: Q, Y! ]: f5 D
● 内建频率抖动功能,降低EMI
& E6 U- v9 ~7 e% z  D● 内置65kHz开关频率" S# w% I' a# n+ @
● 轻载降低工作频率2 `' z  e% W6 Q# v5 `  W, L
● 15ms倍频模式# |2 t6 d! W5 t0 z
● 可编程外置过温保护并进入latch: N3 a1 Q/ |# F9 n) v7 T2 r# s8 m
● VDD过压保护和输出过压保护功能并进入latch5 e- q, x. n7 I
● 内置前沿消隐电路
  A- ?6 f6 T1 a4 ?! r: n● 内置输出二极管短路保护+ }& i7 P* W. {3 Z1 v( _9 G
● 内置过温保护并进入latch
2 A0 U6 a; d' ?! K9 G● 过载保护
" j; u0 K4 @- B) f' g2 q! _9 H0 ]● SOT23-6L封装% E9 G$ b* E* q+ {

8 N" e" s- K. u2 C& }9 M4 _基本应用7 ?" F6 ]/ X5 O( Y* H0 m6 S
, Z( X( _% u# }- N/ ~
● AC/DC适配器9 \8 t& _6 L1 U5 u- x# d7 E
● 电机类适配器
& \8 ~$ @! {. O' n" K4 W● 充电器3 P9 F! c" V! @
● 存储设备电源
2 a' `/ x& p! D& t( o. d( s8 V! a1 I0 p. y/ E4 Y
典型应用
8 k5 a0 ?0 t/ k5 I- W
管脚排列; [7 N7 f/ w4 X
管脚描述
6 H* j5 W# @3 p' W( b& [
( _) C9 h% z& E7 j* s, w9 a9 ^
一、样机规格
7 M& F6 G2 t7 D9 j3 M
, _, I# [' I" b' V  _+ ^. }输出电压12V,输出负载5A,IC lot:HHP02。
% O2 V# P: p5 p. P2 \/ Z; q% b) J/ B  R% p1 p
修改参数:* W0 C+ c' o" `, p8 D! T

# j8 T) p! n; z% G* b. s, I7 E) h替换IC,RS1电阻由0.33R改为0.27R(直接并1R电阻)R9由47R改为200R,R8由33R改为20R。
3 T& N4 M# Q9 i" K" V6 ]) w& L  p$ d7 h
二、基本电性参数
+ d1 C# c+ f/ s% n$ \5 ]: _7 |/ }& i
三、基本波形
& V9 v) C' c. C$ |) {$ S. S$ K+ X* [0 Z; C5 ~, I
XX5533 264V/50HZ MOS波形

8 Q# T4 V8 X& m- k* L
CR6890H 264V/50HZ MOS波形

6 T" J5 R* c+ |8 e6 w
XX5533 264V/50HZ 肖特基波形
. N! [, C3 f, u7 x- M6 w' y- i
CR6890H 264V/50HZ 肖特基波形

  K& t4 k1 [# [* K& s* S& z( S" f
XX5533 264V/50HZ GATE波形
5 g2 P% S2 ]) y
CR6890H 264V/50HZ GATE波形
' y- w5 A3 R% U8 _4 _$ @8 t
XX5533 230V/50HZ 传导波形 N
+ W2 y4 F/ e4 H" B; Z: \
XX5533 230V/50HZ 传导波形 L

& B) X* {. g/ G6 O# I
CR6890H 230V/50HZ 传导波形 N

+ ^- _% q7 I+ l8 D7 q6 }
CR6890H 230V/50HZ 传导波形 L
5 I( s. A6 A5 z2 p1 @
XX5533 230V/50HZ 辐射波形

5 Q  q5 x* o$ T( k# f/ J
XX5533 230V/50HZ 辐射波形
. b. `4 }3 h& m- L" R
CR6890H 230V/50HZ 辐射波形

' V6 ~- e5 S5 K0 i; |, J/ W8 C# _( j, C) I
CR6890H 230V/50HZ 辐射波形

4 \4 L" v9 h1 K) ~对比结果
( U' F" s2 x+ q. I% y, A3 x1 e# u  u
电性基本一致,CR6890H效率更高。+ b: f) f8 f  J2 k' s# W

+ a8 e0 s, U& d1 s# g8 v

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