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本帖最后由 思睿达小妹妹 于 2023-3-16 10:55 编辑
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^1 c8 q. Y6 K9 w& B N7 A; d4 h! z当今世界,人们的生活已是片刻也离不开电子设备。电源管理芯片在电子设备系统中担负起对电能的变换、分配、检测及其它电能管理的职责。电源管理芯片对电子系统而言是不可或缺的,其性能的优劣对整机的性能有着直接的影响。, D% }7 q$ `, W- {
4 L E2 d/ l+ |( Y0 ^电源管理芯片的应用范围十分广泛,例如本公司主推的CR6890H可应用在AC/DC适配器、电机类适配器、充电器等。接下来,我们将CR6890H和电源IC XX5533进行对比测试,看看哪一款IC更胜一筹!
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) U" |$ K4 i7 V0 H! s9 S U关于CR6890H1 p% n8 o3 U$ t/ H; p2 S1 q8 G; u: W
2 c/ r& M. s; c& d: dCR6890H是一款高集成度、低待机功耗的CCM+PFM混合电流模式PWM控制器。CR6890H轻载时会降低频率,最低频率22kHz可避免音频噪声。CR6890H提供了完整的保护功能,如cycle-by-cycle电流限制、OCP、OTP、VDD_OVP、UVLO等,还可以通过PRT脚分别精确设置外置过温保护和输出电压过压保护。软启动功能可以减少系统启动时MOSFET的应力,前沿消隐时间简化了系统应用。通过频率抖动和软驱动电路的设计,降低开关噪声,简化了EMI设计。CR6890H提供SOT23-6L的封装。! K1 N, f/ o# u
{% n% _: F8 F, t
主要特点1 p- ]; W$ ^+ f# Z7 Q# a- h; ?) P
3 j: g! T d3 c! o, H
● 较低的启动电流(大约3μA)1 A h; Y1 d( U* `0 L. y
● 内置软启动减少MOSFET应力
- x3 B7 y; Q. L6 X7 }● CCM+PFM控制模式
8 K( E4 K! a1 O( {9 i0 Y● 内建同步斜坡补偿,消除次谐波震荡' Q9 T9 R! j- ~' [
● 内建频率抖动功能,降低EMI6 P0 o* G# |! q8 }
● 内置65kHz开关频率
! W6 L, ^# C6 u● 轻载降低工作频率
; n/ i/ V( M+ r4 X6 z& t2 v m● 15ms倍频模式6 K( A! j' i6 ^# i
● 可编程外置过温保护并进入latch
; E) T. Z/ e9 s' K8 Y/ {, B1 c% t● VDD过压保护和输出过压保护功能并进入latch
# z1 W+ b# `2 _, h● 内置前沿消隐电路/ g( ?' O" v+ I6 p
● 内置输出二极管短路保护
{; F: I( U0 O. Q# ^/ `5 v* e● 内置过温保护并进入latch
$ c4 L. }$ Y9 f& K4 q" M● 过载保护, W- t! U5 {( e/ y q$ {
● SOT23-6L封装- l4 }5 k; p' ]+ x) O
( Z, g9 ^$ c* w, N" K3 j3 B
基本应用
7 \3 K/ ]% e7 j1 A' m7 j6 I/ _0 u( q1 M. z3 G9 X& O% o
● AC/DC适配器
* p. G5 N7 Y7 a$ a6 j● 电机类适配器5 O- J0 C' V: r# n
● 充电器( F) n. d n0 p2 @7 }! q4 U0 y3 i8 F
● 存储设备电源
# Q6 \6 f) B7 X; T8 y
& N: z, \+ m: u* c: y5 j典型应用
! c+ t0 G& f, M. d* G/ a管脚排列% k! V Y. R4 F w9 v8 [$ w z
管脚描述9 N% ~" ?+ @! l3 ]* o
+ \2 x8 S I' G e一、样机规格
4 R0 a9 ]9 _0 p1 \5 _
+ j2 M2 [4 K' m0 p! a输出电压12V,输出负载5A,IC lot:HHP02。
: c P K. G# h) \0 {, }5 l2 B1 F% x
修改参数:
2 |& O1 E& J( W8 p$ h! q% u& ]9 e: |2 v
替换IC,RS1电阻由0.33R改为0.27R(直接并1R电阻)R9由47R改为200R,R8由33R改为20R。
) y$ J* C' o8 s4 d5 P. j; D7 |& b, T7 _
二、基本电性参数7 @' c8 Y+ L' h6 V0 ^3 \
三、基本波形5 V8 U3 Q4 f9 j+ M) B+ \
/ b2 _8 P* f6 `* p: A5 a
XX5533 264V/50HZ MOS波形
, z1 N d/ Z/ `/ p: m$ G2 }CR6890H 264V/50HZ MOS波形
5 A( f4 {& r5 C3 v+ k# H9 ]8 TXX5533 264V/50HZ 肖特基波形 * Y1 g8 P& F* j3 l% a; k
CR6890H 264V/50HZ 肖特基波形 , f; }0 ]6 i; S# z/ \7 K
XX5533 264V/50HZ GATE波形
& L0 w0 Y8 c6 c' d( A5 gCR6890H 264V/50HZ GATE波形 ( W' ^6 k9 A7 H( K' B8 U, P: {
XX5533 230V/50HZ 传导波形 N 7 m1 m) u+ D1 o7 _) n0 z& \( C
XX5533 230V/50HZ 传导波形 L
. }3 R2 n, `2 V+ T5 rCR6890H 230V/50HZ 传导波形 N
5 T$ J1 t6 r2 iCR6890H 230V/50HZ 传导波形 L 6 K% g$ @' {1 T) }3 `. q4 b8 Z& _
XX5533 230V/50HZ 辐射波形
w% `) B7 E1 @6 |XX5533 230V/50HZ 辐射波形
: Q3 X. h4 N. uCR6890H 230V/50HZ 辐射波形
4 ^: X. h5 K- ]/ `3 M& RCR6890H 230V/50HZ 辐射波形
0 T+ m1 F9 ]2 N3 }( F- M对比结果
; w6 J7 i9 ?# E
7 \ T! ^" n/ A电性基本一致,CR6890H效率更高。! H5 b& c/ S0 g$ J- ?& t
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