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两款电源芯片对决,谁能遥遥领先?看完测试报告有答案

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发表于 2023-3-16 10:50:13 | 显示全部楼层 |阅读模式
本帖最后由 思睿达小妹妹 于 2023-3-16 10:55 编辑
; Y" Q: l# M5 `7 c1 K% {+ k4 z
- W! [4 a9 V6 L4 ?: i当今世界,人们的生活已是片刻也离不开电子设备。电源管理芯片在电子设备系统中担负起对电能的变换、分配、检测及其它电能管理的职责。电源管理芯片对电子系统而言是不可或缺的,其性能的优劣对整机的性能有着直接的影响。: {6 R6 W% s" K6 e9 I4 W) ]7 |
# l, G; n, t8 P- [! q# O  n' _- |
电源管理芯片的应用范围十分广泛,例如本公司主推的CR6890H可应用在AC/DC适配器、电机类适配器、充电器等。接下来,我们将CR6890H和电源IC XX5533进行对比测试,看看哪一款IC更胜一筹!
' r# y0 i8 P3 k3 U: a5 h. P+ K) s4 R; j. k/ d* v
关于CR6890H9 R, `  u4 o0 `2 J

# u5 A. c6 y4 Z. zCR6890H是一款高集成度、低待机功耗的CCM+PFM混合电流模式PWM控制器。CR6890H轻载时会降低频率,最低频率22kHz可避免音频噪声。CR6890H提供了完整的保护功能,如cycle-by-cycle电流限制、OCP、OTP、VDD_OVP、UVLO等,还可以通过PRT脚分别精确设置外置过温保护和输出电压过压保护。软启动功能可以减少系统启动时MOSFET的应力,前沿消隐时间简化了系统应用。通过频率抖动和软驱动电路的设计,降低开关噪声,简化了EMI设计。CR6890H提供SOT23-6L的封装。" B6 O" `/ [; [( i1 I
- g1 t% E5 O  J" _) o8 n, S
主要特点
: F1 s( r% t6 N3 C' D. i& |. u
, K2 |( C+ v4 K● 较低的启动电流(大约3μA): S/ |) e8 G, b: ^, t; K" B
● 内置软启动减少MOSFET应力
5 v- {% M3 z( e● CCM+PFM控制模式
. p  P' s( }% R! K3 D: i● 内建同步斜坡补偿,消除次谐波震荡# T  j8 J& }7 Z; g
● 内建频率抖动功能,降低EMI
$ J9 i; x: |& Q& R, R* W● 内置65kHz开关频率
' U/ J7 t" N, u; A5 I● 轻载降低工作频率
, L* W- c* J. W● 15ms倍频模式5 d, k# k* ^! P' w2 v# X
● 可编程外置过温保护并进入latch2 x3 p( e! Y3 g! ]
● VDD过压保护和输出过压保护功能并进入latch( s% V: m$ l( `
● 内置前沿消隐电路* Z' J: l* ^( R  p/ o* b3 [" z
● 内置输出二极管短路保护
2 W: z5 T8 E. E7 y' W. Q1 B● 内置过温保护并进入latch  o4 t  m) b7 ~
● 过载保护
3 |5 @; g9 @8 {2 u0 u0 Z' x● SOT23-6L封装
4 i/ [% Y3 f( u2 u- m
2 `, Z' X9 U- Z+ \基本应用. n4 [& E% U3 ]

6 n0 G& U, a8 m* g● AC/DC适配器
8 u  ], F" G' {8 \● 电机类适配器/ K+ ]! v, @$ l6 c6 K
● 充电器
; t/ S0 c' n6 P* @: U9 I$ o● 存储设备电源/ J1 r  b; E# @1 ]9 Y: A

# i9 y4 X; X4 \7 Y3 z2 }典型应用
9 W5 p) r0 R$ M
管脚排列
! u& Q! R5 ~' v! Q8 k; J5 E+ d
管脚描述7 y5 c/ g+ ^5 S! p2 d0 v

4 X. w8 c. r& r' \7 j/ e# L+ l一、样机规格
+ D7 N9 x+ [. y3 G! i
5 A- R1 S; |( [4 d/ E* f6 E输出电压12V,输出负载5A,IC lot:HHP02。( D5 |! F( {* j& G. @+ q+ y  A
1 b2 W+ |! A# M( ~1 g
修改参数:
- e: O8 [: h  [0 B9 v! y) e7 d( U" o9 y( t* G
替换IC,RS1电阻由0.33R改为0.27R(直接并1R电阻)R9由47R改为200R,R8由33R改为20R。/ ?& N5 v- l" P1 [0 f2 f

9 f+ \5 p& k. O, _9 r二、基本电性参数
( ]- q. g- A$ Z  C; U# y
三、基本波形( W6 }  l# P. o
) g0 r+ G, t- Y! {8 C. O
XX5533 264V/50HZ MOS波形
8 G5 U- I5 F( m; F
CR6890H 264V/50HZ MOS波形

6 C. d% v( D1 ^/ s  S
XX5533 264V/50HZ 肖特基波形
( b, y! Z- [4 ]
CR6890H 264V/50HZ 肖特基波形
8 B5 ?2 x% c/ [3 E
XX5533 264V/50HZ GATE波形

; }4 j' j! L1 e% `5 W0 ~
CR6890H 264V/50HZ GATE波形
7 ~) i. w) {+ T; b
XX5533 230V/50HZ 传导波形 N

  \) b9 ]1 m* K' K+ P5 K' N* E. L
XX5533 230V/50HZ 传导波形 L
$ b& C4 l' `& Z+ p7 J8 [
CR6890H 230V/50HZ 传导波形 N

+ n6 U$ B) r/ s: G9 y( M3 [
CR6890H 230V/50HZ 传导波形 L

( E$ ]- a% }6 Y- `
XX5533 230V/50HZ 辐射波形
4 P1 j3 N" X4 Q& l/ T9 z" l9 X3 u) A
XX5533 230V/50HZ 辐射波形
8 ], O* p( n6 u, Z
CR6890H 230V/50HZ 辐射波形
2 d  f$ @! _  C# ]( B6 u4 O
CR6890H 230V/50HZ 辐射波形
, P" `; ?; u: \/ L- Q+ U" u0 ?5 H
对比结果
3 C5 B/ u: Y; d0 Q! a% q( b# {0 i  `, b
电性基本一致,CR6890H效率更高。
  N! S6 N# B+ G, G5 w3 ]
4 A9 M6 o6 |* A. l" i3 Q) N3 ^7 N

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