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本帖最后由 思睿达小妹妹 于 2023-3-16 10:55 编辑
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7 S% w* C0 ?3 A当今世界,人们的生活已是片刻也离不开电子设备。电源管理芯片在电子设备系统中担负起对电能的变换、分配、检测及其它电能管理的职责。电源管理芯片对电子系统而言是不可或缺的,其性能的优劣对整机的性能有着直接的影响。$ U! m: |. \( Z5 Y8 q8 U
- V! F, B9 q* q! W) o电源管理芯片的应用范围十分广泛,例如本公司主推的CR6890H可应用在AC/DC适配器、电机类适配器、充电器等。接下来,我们将CR6890H和电源IC XX5533进行对比测试,看看哪一款IC更胜一筹!7 K& ` t2 c! a7 D& K3 R$ v: ?
1 n* T; S% B$ w' F% m7 S
关于CR6890H' H w$ F% k0 \; X# f6 S
: X. p. m0 ]/ O u# |
CR6890H是一款高集成度、低待机功耗的CCM+PFM混合电流模式PWM控制器。CR6890H轻载时会降低频率,最低频率22kHz可避免音频噪声。CR6890H提供了完整的保护功能,如cycle-by-cycle电流限制、OCP、OTP、VDD_OVP、UVLO等,还可以通过PRT脚分别精确设置外置过温保护和输出电压过压保护。软启动功能可以减少系统启动时MOSFET的应力,前沿消隐时间简化了系统应用。通过频率抖动和软驱动电路的设计,降低开关噪声,简化了EMI设计。CR6890H提供SOT23-6L的封装。
% {2 _% L# k# h+ O$ ?" M9 E7 D8 @: N) R3 X! P1 B
主要特点
( \" I9 r% Z: |$ Z6 p
' J# v D3 V/ T+ A! m4 g0 S( z● 较低的启动电流(大约3μA)
& N& g6 B( z% A3 U! e: i( ]% B! f● 内置软启动减少MOSFET应力
/ z2 r7 a6 |. D& B7 V% F- m4 _● CCM+PFM控制模式
: N0 h! h$ k" V/ }6 L) ~● 内建同步斜坡补偿,消除次谐波震荡. I X% c3 H0 o& T; W
● 内建频率抖动功能,降低EMI. D8 y0 ^& n, ]+ [+ P
● 内置65kHz开关频率4 I/ b8 r9 h3 b2 ?7 [- S
● 轻载降低工作频率
9 ^$ D8 H9 m8 W0 ~7 m● 15ms倍频模式
/ k- t x9 |. e) a● 可编程外置过温保护并进入latch
) ^: Z( [( ^1 f5 {● VDD过压保护和输出过压保护功能并进入latch
+ b& \) [4 |8 O- R" ?! g+ j$ b● 内置前沿消隐电路8 ^% ]0 A7 Z& q& P5 {
● 内置输出二极管短路保护& f ]9 h0 k8 x3 H9 B7 _
● 内置过温保护并进入latch
* S7 ]* H( d7 X; u; w& Q/ \% v● 过载保护% `* t- ^& o1 R' i/ Z
● SOT23-6L封装$ W6 O# k. ^, M$ k
: ^5 y3 c0 e2 c7 I1 l
基本应用
7 c) g/ g2 v4 v& v$ P, |" d
! U, ~$ r# ^8 A9 j● AC/DC适配器
+ y& y" q! D' s● 电机类适配器
# [9 w( @. h9 u6 f% h, g● 充电器
- G, {/ u X' s" t7 P● 存储设备电源4 g$ d% X# ?8 J7 i
/ f; z/ K) z3 W3 }% j9 y
典型应用) \2 A+ \8 z- j, { p
管脚排列- u: g3 ~7 Q* |% {$ ^2 V
管脚描述
# t3 u" D. N0 L$ T1 J7 `
/ M9 g3 l% n# F) Z }3 x一、样机规格
& X4 S" @ o9 V0 F2 n3 \& D( j5 g* @1 N: x& e0 @% \
输出电压12V,输出负载5A,IC lot:HHP02。
/ C/ [5 @2 J E; ~1 _0 E9 p. r! Z, e! o2 \% e' G' E9 @# l
修改参数: I- Y# q4 ]& q n0 v. q# p1 j
' i* A( M- U4 z+ M$ j- a/ J
替换IC,RS1电阻由0.33R改为0.27R(直接并1R电阻)R9由47R改为200R,R8由33R改为20R。
* U' X3 s' m1 Y) E$ ?1 X
8 @5 o% z0 o: B7 \二、基本电性参数* g- _* n( c4 R# n3 D! t
三、基本波形; H7 K6 G, H, q' ^
5 A9 L/ Y, |( T. g0 GXX5533 264V/50HZ MOS波形
* H" N' z! h. j: M# pCR6890H 264V/50HZ MOS波形 ( I7 E5 S( a. {: i/ N, g
XX5533 264V/50HZ 肖特基波形 ; A& ?8 b7 v2 s
CR6890H 264V/50HZ 肖特基波形
" O9 k6 g' r5 E) F, v+ {XX5533 264V/50HZ GATE波形
4 }9 x$ t( V2 I, L9 W0 @CR6890H 264V/50HZ GATE波形 , y3 G: J0 M- L$ p, `
XX5533 230V/50HZ 传导波形 N
/ V$ g+ e3 b8 \) P2 S- t/ b2 t, |) d! w6 BXX5533 230V/50HZ 传导波形 L 2 c; ?1 ~! y2 I3 h1 _( ~, r3 G
CR6890H 230V/50HZ 传导波形 N
' X' Y) |" A0 b7 KCR6890H 230V/50HZ 传导波形 L " h1 t1 ]: G3 N* w
XX5533 230V/50HZ 辐射波形 0 `* x2 ^# S, Q- o
XX5533 230V/50HZ 辐射波形 2 J7 y% Q7 C8 y" ]4 a% v6 T
CR6890H 230V/50HZ 辐射波形
- A" G: J0 C8 M) T1 W2 d6 ]CR6890H 230V/50HZ 辐射波形
5 B7 H8 g6 f' E& P7 M对比结果
7 m) m/ {3 g5 \! ^" x
1 E3 u7 `4 L+ m* k电性基本一致,CR6890H效率更高。
# o- j2 f- }7 j) `& A% w7 O
6 g2 Q; y; {' X) R* t' V _ |
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