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本帖最后由 思睿达小妹妹 于 2023-3-16 10:55 编辑 # u p) f& C) Q+ r, }. r. R0 s4 F
% d$ }( ~( K1 [# ?当今世界，人们的生活已是片刻也离不开电子设备。电源管理芯片在电子设备系统中担负起对电能的变换、分配、检测及其它电能管理的职责。电源管理芯片对电子系统而言是不可或缺的，其性能的优劣对整机的性能有着直接的影响。 A7 q- L* u y5 K. }) K
& c% @5 q) n" G x
电源管理芯片的应用范围十分广泛，例如本公司主推的CR6890H可应用在AC/DC适配器、电机类适配器、充电器等。接下来，我们将CR6890H和电源IC XX5533进行对比测试，看看哪一款IC更胜一筹！* o& g1 Q# t$ I
3 C1 W6 P1 f+ V2 U7 P关于CR6890H
" Y, M0 M* Q& s( [
8 a) I s* s9 U6 o2 a7 UCR6890H是一款高集成度、低待机功耗的CCM+PFM混合电流模式PWM控制器。CR6890H轻载时会降低频率，最低频率22kHz可避免音频噪声。CR6890H提供了完整的保护功能，如cycle-by-cycle电流限制、OCP、OTP、VDD_OVP、UVLO等，还可以通过PRT脚分别精确设置外置过温保护和输出电压过压保护。软启动功能可以减少系统启动时MOSFET的应力，前沿消隐时间简化了系统应用。通过频率抖动和软驱动电路的设计，降低开关噪声，简化了EMI设计。CR6890H提供SOT23-6L的封装。
1 N1 a9 E) _+ Y! W+ d- d6 |/ e, [: _
主要特点7 I) M5 o) H& ^! b1 h
9 E8 T: R* g, b● 较低的启动电流(大约3μA)
* z2 l+ e5 K& p4 H● 内置软启动减少MOSFET应力) b7 k' x. N* h7 ~, X3 s8 ]
● CCM+PFM控制模式
& c+ Y$ {+ J+ Z+ `& }' D3 @● 内建同步斜坡补偿，消除次谐波震荡 F* k/ l/ T' ~, B3 `
● 内建频率抖动功能，降低EMI0 Q* \2 j7 J# d/ t! s" N0 i
● 内置65kHz开关频率
7 Z0 a7 ^% t/ r- H● 轻载降低工作频率
# P& N# k8 z ~" c● 15ms倍频模式) D6 g1 }( g7 I
● 可编程外置过温保护并进入latch
& t0 a1 I2 L$ |: }: z. a● VDD过压保护和输出过压保护功能并进入latch
/ t1 _; L. N1 D, R● 内置前沿消隐电路- w- `: H1 z1 g, V+ R) |6 ?! v' t% H
● 内置输出二极管短路保护" U9 O; b5 ]- D8 _# V/ \$ n
● 内置过温保护并进入latch; @$ k( C- t {7 x7 G
● 过载保护
4 f S* e: A+ j' G* U/ t" o1 L. d1 p, O● SOT23-6L封装
2 v- I$ ^: \" ^7 ^: ]( Z
1 u5 X& S* r. }) W基本应用5 R. g8 ^ l/ b7 y
7 |/ G- l+ J" j4 r4 y3 p3 f● AC/DC适配器
0 u2 F' {: [9 x● 电机类适配器( L6 O" }5 o# r3 m1 l- I0 X
● 充电器" ?& K) i5 g* A7 [, a
● 存储设备电源
7 L8 G6 q( x7 Y u) a8 U2 X0 z q! L& n. Q6 a3 C
典型应用
, d4 M) I. h4 v" Y W G" y管脚排列$ y$ r, s3 F3 A6 X
管脚描述
' t4 u" N, g- t: @: ~! l
1 b' l* N& G/ [! H* F( o一、样机规格2 }" w; |; x( L/ }
, z/ C4 ]# W: T6 ]3 U
输出电压12V，输出负载5A，IC lot：HHP02。
' ~. ?' i/ h' T9 |. I& N3 W* R
& K$ d( [5 `) K! B/ N修改参数：
/ e8 L! _- b, \. F0 S. m8 ^( O# ~5 M
替换IC，RS1电阻由0.33R改为0.27R（直接并1R电阻）R9由47R改为200R，R8由33R改为20R。* b& S' H' B, q6 I0 W4 [
+ O" J6 n3 d* x+ E' J H1 s# T$ j二、基本电性参数
2 x: M. n# n& L! o( z4 G, w% \7 B三、基本波形( K, s9 F. k8 o! X
) z2 G" P" F3 I, F! a, X8 ~: O3 c% r5 pXX5533 264V/50HZ MOS波形
0 v" B0 G! _ }/ c# x0 M% Z2 |CR6890H 264V/50HZ MOS波形 9 d/ K& E3 H6 c: L
XX5533 264V/50HZ 肖特基波形 ; l. y) A0 Q5 Y L& p3 q9 N' n
CR6890H 264V/50HZ 肖特基波形
" [7 d! P' i" h d! x" z9 ^ xXX5533 264V/50HZ GATE波形
3 M6 g9 a% K, y9 y8 d3 {) SCR6890H 264V/50HZ GATE波形
8 A1 s, l6 z1 @- E: _! FXX5533 230V/50HZ 传导波形 N * y4 Q" Z; a. |! q* K% ^/ r; x
XX5533 230V/50HZ 传导波形 L
1 j) Y$ X! R# \+ i& u7 x( |CR6890H 230V/50HZ 传导波形 N
# C0 n; e1 c8 e$ s, Z- D, L) wCR6890H 230V/50HZ 传导波形 L 2 h9 T# x7 z' @; Z; i
XX5533 230V/50HZ 辐射波形
+ Y- j; R/ E5 x5 KXX5533 230V/50HZ 辐射波形
) V5 P: h' D" JCR6890H 230V/50HZ 辐射波形
/ A2 j8 @8 M* GCR6890H 230V/50HZ 辐射波形
! x; J' t4 ~# q# M* c; E对比结果
- ^, r) `* U! B- {5 z- R+ H! z2 Z0 ~. F
3 d9 O2 S: ^* U1 O! W电性基本一致，CR6890H效率更高。
4 q, l; J. N( L( T) u/ x. J* |: O: _4 o9 C7 G( W3 F& X: z! M
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发表于 2023-3-16 10:50:13
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