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本帖最后由 思睿达小妹妹 于 2023-3-16 10:55 编辑
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- H4 l$ j) _% b1 P5 G当今世界,人们的生活已是片刻也离不开电子设备。电源管理芯片在电子设备系统中担负起对电能的变换、分配、检测及其它电能管理的职责。电源管理芯片对电子系统而言是不可或缺的,其性能的优劣对整机的性能有着直接的影响。! Y) {) q% I/ G7 p& U8 o
7 B4 X2 f: J: M. A0 i' C电源管理芯片的应用范围十分广泛,例如本公司主推的CR6890H可应用在AC/DC适配器、电机类适配器、充电器等。接下来,我们将CR6890H和电源IC XX5533进行对比测试,看看哪一款IC更胜一筹!
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0 ^; b0 A3 X X. y* W关于CR6890H) x$ j, G7 e: S5 B& s
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CR6890H是一款高集成度、低待机功耗的CCM+PFM混合电流模式PWM控制器。CR6890H轻载时会降低频率,最低频率22kHz可避免音频噪声。CR6890H提供了完整的保护功能,如cycle-by-cycle电流限制、OCP、OTP、VDD_OVP、UVLO等,还可以通过PRT脚分别精确设置外置过温保护和输出电压过压保护。软启动功能可以减少系统启动时MOSFET的应力,前沿消隐时间简化了系统应用。通过频率抖动和软驱动电路的设计,降低开关噪声,简化了EMI设计。CR6890H提供SOT23-6L的封装。
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% W5 f/ K4 k1 H6 b9 w, ?( R/ w1 S! a主要特点
9 E5 p% m# d2 _; H: [ S* a: a0 I
4 p* Y+ H; h" [. F) V Y● 较低的启动电流(大约3μA)
6 x9 E/ w1 @( ~: @) b● 内置软启动减少MOSFET应力* ? N8 v; Q) n* j
● CCM+PFM控制模式) L" p- a) T! A4 ]/ p
● 内建同步斜坡补偿,消除次谐波震荡6 s% V# n$ d) \1 W! {
● 内建频率抖动功能,降低EMI& X) J: I8 F$ z4 Z+ B+ t5 Y: p
● 内置65kHz开关频率
1 c2 H# f( Z" G0 Z3 U* {● 轻载降低工作频率
* s& J( Y& m w( W! M O2 ?● 15ms倍频模式1 n+ ]6 A4 w/ E1 O$ d: ^
● 可编程外置过温保护并进入latch
4 j+ U9 s; A( i0 ~6 B● VDD过压保护和输出过压保护功能并进入latch3 N3 s' G& M1 i4 O- O/ g
● 内置前沿消隐电路
, e5 h4 Q: O, R3 U0 B+ g● 内置输出二极管短路保护
) Z# P, v$ ^% A5 V3 q● 内置过温保护并进入latch
2 D; b x Z) S# ~* }● 过载保护" T. M; d" }5 Z% i
● SOT23-6L封装
: G' [1 h2 s$ L: l- S4 t
( ], Q1 b: ^$ N9 U' J; K3 `' a基本应用
* s+ g! e4 X8 K& H+ ]- @* X; l$ i4 H ^
2 H' u' q% E( e● AC/DC适配器
8 W0 k. Y+ J5 m0 c X8 j0 D* w● 电机类适配器
: |" @* a4 d8 z8 [4 o● 充电器
$ e, B2 ?' B& _- k) t● 存储设备电源- e! t; k4 `3 g$ z2 O: ^# ]7 A! m
9 t9 ^$ F, g |( |- e" C7 n0 ~
典型应用' ` @# A4 C' V% X3 _0 p
管脚排列
1 _) i+ w" e$ l1 f7 r* L D( R; w管脚描述# Z9 L% ^7 _! V2 \: J
2 m2 Z2 K2 ~. k
一、样机规格* {5 _* L5 h& a6 d
4 q2 C ^2 n) R9 i `! `7 b7 U输出电压12V,输出负载5A,IC lot:HHP02。/ f! [' c! A4 W$ ?
5 f+ P! f" q- t$ T8 g# y9 w" p" g
修改参数:
8 l5 ?! E7 ~1 M; r. { i0 Y/ T) ~) z7 Q7 U. E
替换IC,RS1电阻由0.33R改为0.27R(直接并1R电阻)R9由47R改为200R,R8由33R改为20R。
3 Z' U& c& w5 Z) r) @8 \4 s6 I- ]
( g% s9 |$ w h4 x4 P二、基本电性参数
/ j \& i' q& w$ ^三、基本波形5 w. j4 X# s n! X9 ]+ v2 T0 ?2 f
& |& @ _0 W! g# JXX5533 264V/50HZ MOS波形
# |7 H5 I9 |1 p9 YCR6890H 264V/50HZ MOS波形
% t( C+ g9 g+ J& P: EXX5533 264V/50HZ 肖特基波形 ; U9 b7 N* r. J; [/ m
CR6890H 264V/50HZ 肖特基波形 % i! u/ F& d& ~ V i4 y
XX5533 264V/50HZ GATE波形
; }8 b" S9 a' s$ w" ~CR6890H 264V/50HZ GATE波形
& F" G" m% @1 ~. h+ ]* ]XX5533 230V/50HZ 传导波形 N
4 K* P x. Y. y0 w+ OXX5533 230V/50HZ 传导波形 L
9 T3 I$ J# V) O( x tCR6890H 230V/50HZ 传导波形 N + [5 i" [4 p% e
CR6890H 230V/50HZ 传导波形 L
H; z( I' ^0 }5 h8 S2 FXX5533 230V/50HZ 辐射波形 1 S- k) M j" K- l: Y
XX5533 230V/50HZ 辐射波形 / U& s5 D+ X; o. j* x
CR6890H 230V/50HZ 辐射波形
6 n6 U# }( E0 s- ~. ?( ]# _9 zCR6890H 230V/50HZ 辐射波形
- a" U) F5 o! _2 l3 a: F- Z对比结果# A7 X% O* v! j
. r0 D0 J) d ]! }) L8 Q电性基本一致,CR6890H效率更高。; `, _7 h0 w- M) }2 E4 e- @
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