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本帖最后由 思睿达小妹妹 于 2023-3-16 10:55 编辑 . ^) _4 v; {, O( z. `' X: _/ ^
1 [( V1 @9 K8 \4 Q$ g, n当今世界,人们的生活已是片刻也离不开电子设备。电源管理芯片在电子设备系统中担负起对电能的变换、分配、检测及其它电能管理的职责。电源管理芯片对电子系统而言是不可或缺的,其性能的优劣对整机的性能有着直接的影响。
; M; m2 `7 j$ D% J+ J0 O4 n$ |0 c# d; h) q0 w
电源管理芯片的应用范围十分广泛,例如本公司主推的CR6890H可应用在AC/DC适配器、电机类适配器、充电器等。接下来,我们将CR6890H和电源IC XX5533进行对比测试,看看哪一款IC更胜一筹!- u2 }9 G" D* W0 s M1 I
5 `! B/ g; q4 R7 l1 \7 w" y2 ?关于CR6890H
4 x( ^1 x1 B% q- ^7 b
5 t! Y$ r" @' v, ?9 b. t( FCR6890H是一款高集成度、低待机功耗的CCM+PFM混合电流模式PWM控制器。CR6890H轻载时会降低频率,最低频率22kHz可避免音频噪声。CR6890H提供了完整的保护功能,如cycle-by-cycle电流限制、OCP、OTP、VDD_OVP、UVLO等,还可以通过PRT脚分别精确设置外置过温保护和输出电压过压保护。软启动功能可以减少系统启动时MOSFET的应力,前沿消隐时间简化了系统应用。通过频率抖动和软驱动电路的设计,降低开关噪声,简化了EMI设计。CR6890H提供SOT23-6L的封装。4 y6 ~& M; q' C6 M: X: i& I
# S7 q) r& O, S; D主要特点9 C' a* U" {& q' y
7 C' o8 d( ], d h Z$ o● 较低的启动电流(大约3μA)
" P' `: a* L& K5 J& E* S ^8 G: F+ [● 内置软启动减少MOSFET应力" m' `$ i% f" u# M; G& C
● CCM+PFM控制模式( [) V+ N! d# @0 }' f1 i1 D
● 内建同步斜坡补偿,消除次谐波震荡6 z2 M. Z4 o* ]# c5 `, s! k
● 内建频率抖动功能,降低EMI; ]* a5 S6 [& t: P& e
● 内置65kHz开关频率4 Q8 |8 ]7 [% F( ?- N, _# Z
● 轻载降低工作频率
, Y. p) k( P, ~% Y& h● 15ms倍频模式1 n* P, {1 r1 a9 @2 f
● 可编程外置过温保护并进入latch
, ~/ X' h+ r+ ?4 Y Q; \; O# ^● VDD过压保护和输出过压保护功能并进入latch
; v2 e# m, \) S% }9 s2 _● 内置前沿消隐电路
# r1 m1 |* C0 K: w: u7 p● 内置输出二极管短路保护
# X/ X* Q3 l8 f● 内置过温保护并进入latch3 a3 w' E& s5 c; {% [ W3 h/ E
● 过载保护: Q7 I) m' j/ @1 q, a8 ^$ ~( \! C
● SOT23-6L封装2 d2 K3 s- T2 d
, X: {6 o- e$ y2 e5 u% k基本应用- ^& H# V8 w# [* B5 T
& {4 ^% [& ?& }$ U4 |
● AC/DC适配器
h- k$ y3 g& H7 V3 ^( g. ~● 电机类适配器
9 s! F9 B5 S7 E3 d$ o# s● 充电器
5 ^" Z7 Z/ C8 c● 存储设备电源$ }& l2 N9 l4 w. V2 e: K w+ \
4 _" D% d3 c& ^+ \: L/ ~4 E+ p# b
典型应用0 N; C1 [8 j/ h: S* C
管脚排列
( I7 L- K1 C8 A& h8 s管脚描述
& ?; y* T6 ]0 [1 G0 ~' L
, x, ?7 K! r0 {& W1 G! b2 U一、样机规格5 d8 ]5 j: o2 ~
2 ~, y; A- r _" `+ r输出电压12V,输出负载5A,IC lot:HHP02。! @) C j3 Z& F) H( e7 a$ H: x
. R8 S( B2 U6 V8 U3 G# b修改参数:: u1 K; N' V3 t1 A) r4 Z
! j( B& n: C) U$ l( n! B f替换IC,RS1电阻由0.33R改为0.27R(直接并1R电阻)R9由47R改为200R,R8由33R改为20R。
( g H/ J1 U" Z/ [! f& X* b6 t. x5 X1 v) W) @
二、基本电性参数
?8 W" T. A: c三、基本波形! I0 ~( v. x0 y' @; P
3 v! I/ w! `+ U, q3 d8 E! g4 u1 ?
XX5533 264V/50HZ MOS波形 2 t! n$ }+ F$ G, \% T2 H3 d; s
CR6890H 264V/50HZ MOS波形
3 o3 j! P% w: G0 q( fXX5533 264V/50HZ 肖特基波形 & S* B/ i/ n# k
CR6890H 264V/50HZ 肖特基波形 . a! X( j% R M: g5 v
XX5533 264V/50HZ GATE波形 & v8 z! o# M1 l, h1 z
CR6890H 264V/50HZ GATE波形
: ^3 b& b/ y8 _8 d$ E1 _8 X& xXX5533 230V/50HZ 传导波形 N # u3 B v1 G4 {
XX5533 230V/50HZ 传导波形 L
! X" ^/ N: I2 b% P3 UCR6890H 230V/50HZ 传导波形 N
9 Z7 M8 q5 z; @CR6890H 230V/50HZ 传导波形 L 0 Y; L+ b* H5 _( `
XX5533 230V/50HZ 辐射波形 ! M5 }6 W# A- z, b
XX5533 230V/50HZ 辐射波形 ! ^1 _0 O/ @. e/ |& P
CR6890H 230V/50HZ 辐射波形
3 ?" W/ `1 L' I8 dCR6890H 230V/50HZ 辐射波形 & L; L! k T" l6 a+ B
对比结果
, ?& p4 D N' Q2 R! E
7 M! H5 c$ c9 o电性基本一致,CR6890H效率更高。( [: M E! R2 X! u8 P5 b$ Z# J
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