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本帖最后由 思睿达小妹妹 于 2023-3-16 10:55 编辑 9 M$ m8 B/ n( g! K2 X, e0 h+ Z
4 ^+ |% l4 ~% ^( d( V当今世界,人们的生活已是片刻也离不开电子设备。电源管理芯片在电子设备系统中担负起对电能的变换、分配、检测及其它电能管理的职责。电源管理芯片对电子系统而言是不可或缺的,其性能的优劣对整机的性能有着直接的影响。( H9 j# e4 ^+ h0 ]% g
1 q% p$ Y" Q- ?% E/ a R- [% H' t电源管理芯片的应用范围十分广泛,例如本公司主推的CR6890H可应用在AC/DC适配器、电机类适配器、充电器等。接下来,我们将CR6890H和电源IC XX5533进行对比测试,看看哪一款IC更胜一筹!
4 q5 B. ~, X4 ]# w1 ?4 I* I F" T. Y; @ a1 a1 Y6 P$ H1 u. `
关于CR6890H5 g+ F& O: I; W# _& K6 m' r2 H9 u
# \) [5 o, p @5 m, sCR6890H是一款高集成度、低待机功耗的CCM+PFM混合电流模式PWM控制器。CR6890H轻载时会降低频率,最低频率22kHz可避免音频噪声。CR6890H提供了完整的保护功能,如cycle-by-cycle电流限制、OCP、OTP、VDD_OVP、UVLO等,还可以通过PRT脚分别精确设置外置过温保护和输出电压过压保护。软启动功能可以减少系统启动时MOSFET的应力,前沿消隐时间简化了系统应用。通过频率抖动和软驱动电路的设计,降低开关噪声,简化了EMI设计。CR6890H提供SOT23-6L的封装。
7 u2 U& i" F& s2 L" M# A0 f! C
2 n3 L! a9 C6 }. t) V, W1 l主要特点
2 ]7 L6 r9 |5 |4 C1 J8 N! s: E3 [/ A! K4 c, E# _
● 较低的启动电流(大约3μA)' N* _1 ?6 ~# t+ n1 I5 V2 r
● 内置软启动减少MOSFET应力& j' E/ _& N4 u8 A9 F
● CCM+PFM控制模式, q i- I4 W$ D- I8 R5 u% u4 {3 c
● 内建同步斜坡补偿,消除次谐波震荡! ]! i( X+ U' \; S2 H
● 内建频率抖动功能,降低EMI1 ]9 f; I' B8 n/ T& G: m1 F3 B
● 内置65kHz开关频率
2 t( m j) P2 m. f3 S● 轻载降低工作频率
: x' q {; y6 f9 ]' `2 ?/ Z; P0 R● 15ms倍频模式+ S4 ?/ N Y- w! P2 m
● 可编程外置过温保护并进入latch
0 W5 N* A5 G* s● VDD过压保护和输出过压保护功能并进入latch
1 H* b' L; U. r4 p$ R: {, Y( I+ |+ D● 内置前沿消隐电路
1 G' ^1 ]$ l/ B" P● 内置输出二极管短路保护
( @+ P" \6 u3 y9 d* p0 o● 内置过温保护并进入latch
5 J+ |! j3 Y8 t$ b● 过载保护
: H8 b! o S. B) ~% q, i● SOT23-6L封装8 f: S- l. M6 d0 O9 O
; J$ \; e9 ^& n% ]! t5 U) S
基本应用
4 U( t$ c. r- h* C: {! C; z
, W. C. u( W/ q6 q● AC/DC适配器& t( a/ Y- k/ b( A
● 电机类适配器" `7 {% K" u S* Z% `
● 充电器' |7 D& j! t3 ]
● 存储设备电源
8 m2 |- `. r' N. M) D0 [/ N0 ^2 G/ r0 u! L$ `7 L1 V1 _( F* d
典型应用
# M* |) G6 L' \" J$ Z6 t管脚排列
+ T6 j/ f3 F; F* {8 H管脚描述
3 l7 b( {2 y* r$ J, S4 {4 k
4 t; G; p+ _" C% V" W" T, S* I一、样机规格
& s' {! `. U: v9 S6 i1 w. L& ^4 f3 n/ Y- e
输出电压12V,输出负载5A,IC lot:HHP02。
& U3 _2 e& v* P) Q0 v3 O0 u1 z' {: U+ G! O1 \
修改参数:
( H9 k' R V2 Q/ T& z1 I x0 m& |" @7 ?
替换IC,RS1电阻由0.33R改为0.27R(直接并1R电阻)R9由47R改为200R,R8由33R改为20R。
6 F# q" l- h5 b# d+ F9 x) R3 F2 z8 c9 n l, L/ u \7 F
二、基本电性参数
* z1 A- V- ]0 B: a- r6 g/ ~! n三、基本波形) g+ u! @! W( v2 k% ?0 A9 w5 L
/ Q* `; M+ F! w# Q6 xXX5533 264V/50HZ MOS波形 $ g1 U8 Z6 w1 j$ ^6 l) N! K
CR6890H 264V/50HZ MOS波形
# i' l* F2 L! ]6 iXX5533 264V/50HZ 肖特基波形
2 ^6 X0 ]/ O0 O9 V: e; U) r: m3 {CR6890H 264V/50HZ 肖特基波形 / z3 K/ P7 x( E( `% N2 q7 l
XX5533 264V/50HZ GATE波形 9 Y e% E% \& s
CR6890H 264V/50HZ GATE波形 % _- ~0 h0 M6 \$ H4 [# I
XX5533 230V/50HZ 传导波形 N $ K# _3 h2 E' Z! {4 |
XX5533 230V/50HZ 传导波形 L
. R4 p6 ?2 ^8 V/ ^. v' K& m, }CR6890H 230V/50HZ 传导波形 N
1 f/ E6 A/ f$ s! M" O' ?- n) P1 TCR6890H 230V/50HZ 传导波形 L / O2 Z! R: L2 b& [5 F
XX5533 230V/50HZ 辐射波形 5 o2 g$ s$ G: l1 A! A4 X, {
XX5533 230V/50HZ 辐射波形
% m8 m6 a2 m* Y- b1 l# XCR6890H 230V/50HZ 辐射波形
/ e/ [( C+ C9 p: C8 mCR6890H 230V/50HZ 辐射波形
# e! l- \4 f$ H. p. H对比结果: Z5 X) f* Y, m2 O- l
6 z: P6 a, E$ b x" k7 S* c9 s
电性基本一致,CR6890H效率更高。5 M* Z7 ?! W/ j o& r+ J9 d
S0 a4 u+ {/ u7 S |
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