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两款电源芯片对决,谁能遥遥领先?看完测试报告有答案

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发表于 2023-3-16 10:50:13 | 显示全部楼层 |阅读模式
本帖最后由 思睿达小妹妹 于 2023-3-16 10:55 编辑
2 W7 f# g% b$ ^: g" Q
" ~6 l3 [) n2 x. D# P当今世界,人们的生活已是片刻也离不开电子设备。电源管理芯片在电子设备系统中担负起对电能的变换、分配、检测及其它电能管理的职责。电源管理芯片对电子系统而言是不可或缺的,其性能的优劣对整机的性能有着直接的影响。; g- M6 z+ ~5 _+ `/ [

* h* N; W- M. b电源管理芯片的应用范围十分广泛,例如本公司主推的CR6890H可应用在AC/DC适配器、电机类适配器、充电器等。接下来,我们将CR6890H和电源IC XX5533进行对比测试,看看哪一款IC更胜一筹!
, O3 _; |- ]6 G4 B# L; ]: J. e3 A- L: {
关于CR6890H4 d3 r4 r* B9 Y$ H; P
( y8 I" I& M6 c; G: t
CR6890H是一款高集成度、低待机功耗的CCM+PFM混合电流模式PWM控制器。CR6890H轻载时会降低频率,最低频率22kHz可避免音频噪声。CR6890H提供了完整的保护功能,如cycle-by-cycle电流限制、OCP、OTP、VDD_OVP、UVLO等,还可以通过PRT脚分别精确设置外置过温保护和输出电压过压保护。软启动功能可以减少系统启动时MOSFET的应力,前沿消隐时间简化了系统应用。通过频率抖动和软驱动电路的设计,降低开关噪声,简化了EMI设计。CR6890H提供SOT23-6L的封装。
/ H$ N% }% k0 V" g% O& Y: J
1 z+ a6 V9 \2 Z) d" n主要特点# A- w! a" t- k7 X

0 z6 L2 }$ [: t● 较低的启动电流(大约3μA)3 ~) t) o/ ]4 h  [3 d$ P
● 内置软启动减少MOSFET应力
! g: w% \4 L: l: H" U● CCM+PFM控制模式
7 X/ S! }4 i( U$ {( ~& X● 内建同步斜坡补偿,消除次谐波震荡
  b3 y7 p5 q6 j1 v$ M● 内建频率抖动功能,降低EMI8 O# W6 I& f5 Z# H6 Z
● 内置65kHz开关频率
( q+ d' Z8 V8 _, v● 轻载降低工作频率; }* x7 y. E5 Y& \% H& W! i5 H
● 15ms倍频模式
! j% B6 A' ~% V' {# t# y5 s● 可编程外置过温保护并进入latch1 s* H7 p5 d9 d8 _
● VDD过压保护和输出过压保护功能并进入latch
1 ]" t  N5 Z6 w8 r: ~● 内置前沿消隐电路) Q$ v, g, @6 b
● 内置输出二极管短路保护5 h( |, v2 M5 N
● 内置过温保护并进入latch: r" u# C& }1 V7 T  p* X
● 过载保护
. `( x, [1 y( T# r/ c! j8 Q● SOT23-6L封装$ z8 R- T2 c. E; u
3 i2 S& ?. ]2 x8 Q" [  J- A
基本应用7 u7 K& I  k+ J! ^$ T- z

( B4 j' m, W) N5 ~5 s1 r9 H● AC/DC适配器
& m  v, B8 i! L2 [3 }& L% {● 电机类适配器. G2 T. a9 r3 A  v, e  N. I8 ^( b7 }3 F
● 充电器6 k) X9 ?9 Z. M+ d" ~
● 存储设备电源( f5 w" N! r- P2 x

' i$ {4 e5 |. d7 |. q/ l典型应用
9 [- q: U4 {9 |4 u+ K% G
管脚排列  x$ f' y7 X1 g# s  y' k# y) n
管脚描述
6 Q  i) @7 O, [, q8 ]( K9 H
, `# C4 X3 l( ]# ^
一、样机规格
8 U# k% V  |3 Z
+ D) U3 c( {8 J" r. R5 S: k0 r输出电压12V,输出负载5A,IC lot:HHP02。
6 w& _0 v5 O6 }, f* G1 Q4 L# h1 D* O# h9 l: V7 R
修改参数:) P  i: N3 u; k! t

- z7 \. \1 C6 D替换IC,RS1电阻由0.33R改为0.27R(直接并1R电阻)R9由47R改为200R,R8由33R改为20R。
4 e0 \2 c( `4 t( n) N& g+ n2 l# I" d
二、基本电性参数
  J* R4 U3 G; l" t8 u# E. d, I
三、基本波形
; P  z# ^% g% I% S; T. ?8 [# l% A+ e! @+ d, B* p% o
XX5533 264V/50HZ MOS波形

+ V+ g# @5 _0 y( u' _
CR6890H 264V/50HZ MOS波形
, K& S) f4 j" y: M
XX5533 264V/50HZ 肖特基波形
7 l( p* G/ A" h" D
CR6890H 264V/50HZ 肖特基波形
* a+ T& K" q" \' d5 B* U  g, G$ c
XX5533 264V/50HZ GATE波形
# M1 v# n6 u6 e* m! M
CR6890H 264V/50HZ GATE波形
3 i; |3 n5 e8 |6 ]" C& h5 g- `, W+ I
XX5533 230V/50HZ 传导波形 N
0 s/ P3 P: k% v, {
XX5533 230V/50HZ 传导波形 L
: h  p* `8 S0 w+ ]) R; [& x
CR6890H 230V/50HZ 传导波形 N
4 ]9 X1 n7 H% D+ W- ~/ H6 `
CR6890H 230V/50HZ 传导波形 L

8 d; K: H6 I4 G& f, {+ m5 n( E
XX5533 230V/50HZ 辐射波形

& ~) I  p. }5 Q: n, R4 e! F
XX5533 230V/50HZ 辐射波形
7 z9 ^$ b2 G9 H8 G8 L1 H  @' z1 n
CR6890H 230V/50HZ 辐射波形
* q% ~2 \  S. v  T& i$ P. S
CR6890H 230V/50HZ 辐射波形
2 g4 ?' P0 @# K0 N/ B0 h/ u: r
对比结果
1 g1 e8 n* D- w6 N* \* v! k: ?
$ c3 K5 N. R( Z7 l; H4 E电性基本一致,CR6890H效率更高。, E8 s  q9 `; C6 U0 u

- @- n0 |8 C, A/ o+ _( K+ d

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