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两款电源芯片对决,谁能遥遥领先?看完测试报告有答案

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发表于 2023-3-16 10:50:13 | 显示全部楼层 |阅读模式
本帖最后由 思睿达小妹妹 于 2023-3-16 10:55 编辑
" I" |5 r  Q, m2 H, z6 T4 P% o/ G6 [
当今世界,人们的生活已是片刻也离不开电子设备。电源管理芯片在电子设备系统中担负起对电能的变换、分配、检测及其它电能管理的职责。电源管理芯片对电子系统而言是不可或缺的,其性能的优劣对整机的性能有着直接的影响。
! E1 y" i, j2 Q1 O! F7 w' p3 L& U
* u( z& J7 v9 b% n6 m2 a# Y电源管理芯片的应用范围十分广泛,例如本公司主推的CR6890H可应用在AC/DC适配器、电机类适配器、充电器等。接下来,我们将CR6890H和电源IC XX5533进行对比测试,看看哪一款IC更胜一筹!; N7 i- Y: j; {0 ~' d  B
5 J) m! @+ b* _+ l5 k
关于CR6890H) w- c  P- r5 `2 q1 H

! Q0 |, m. t9 R: H# T& kCR6890H是一款高集成度、低待机功耗的CCM+PFM混合电流模式PWM控制器。CR6890H轻载时会降低频率,最低频率22kHz可避免音频噪声。CR6890H提供了完整的保护功能,如cycle-by-cycle电流限制、OCP、OTP、VDD_OVP、UVLO等,还可以通过PRT脚分别精确设置外置过温保护和输出电压过压保护。软启动功能可以减少系统启动时MOSFET的应力,前沿消隐时间简化了系统应用。通过频率抖动和软驱动电路的设计,降低开关噪声,简化了EMI设计。CR6890H提供SOT23-6L的封装。
4 ~# Q9 N8 I  n& W5 c/ ?
. V3 }6 R* C0 ?7 l主要特点
- B5 F0 L9 E" c& L' M2 \
) n5 R" H+ H& g● 较低的启动电流(大约3μA)! w* w: F4 D6 d, U$ k2 ~
● 内置软启动减少MOSFET应力
$ l/ ^% G, B, c0 l$ T● CCM+PFM控制模式
5 Z- y' B. x- W7 w, f● 内建同步斜坡补偿,消除次谐波震荡
( M* M9 i( T/ r6 b2 I9 p8 m● 内建频率抖动功能,降低EMI" ]* }9 n1 e' _: S/ _( E" H
● 内置65kHz开关频率
" U! _1 u0 c3 _6 U● 轻载降低工作频率
6 p& S: C5 T! ^● 15ms倍频模式$ u( {' g6 x- P6 U
● 可编程外置过温保护并进入latch5 @" [/ ^' Q" Q/ l$ a, E
● VDD过压保护和输出过压保护功能并进入latch4 Z3 F" T# ], _1 R8 C: I5 n
● 内置前沿消隐电路
! T9 K! Y; E1 v+ E7 B, O+ J& N● 内置输出二极管短路保护
! s2 m: g" f+ S" z2 A0 Y● 内置过温保护并进入latch
* e2 k( I( n4 I5 p● 过载保护
( l* f: d+ v" R# k' h) z● SOT23-6L封装7 `' P9 y  L5 Z! y

5 g1 G5 @& P; b- P基本应用% e7 Q' \9 g3 p$ \2 q8 {1 w. k" k
9 L8 q5 |& t7 {  a' B2 i$ F- U- ^
● AC/DC适配器7 |4 j8 e! x/ n
● 电机类适配器: Q5 R1 @; S( b9 B6 F9 ?
● 充电器
2 A. P# t1 l1 a. h- l: V● 存储设备电源, |0 J9 \( S% x8 f. ~

- o; g/ c0 \$ U- @- [典型应用" H# Y! Y% q7 ?( F7 o( r1 q
管脚排列
) Y+ s% r  y0 @; i* r' `9 s
管脚描述( V  ?$ F' p3 }0 C
$ E4 X6 r7 z- v3 S! R. ~+ {
一、样机规格
- z2 b% w5 L0 @4 j" J3 G- f6 m& B8 b# g$ t- V3 x# X3 _4 L6 l$ }
输出电压12V,输出负载5A,IC lot:HHP02。
; j: v8 O2 Z# b# T" v' s6 T3 v  w; A
修改参数:
5 U6 @4 m4 g5 l$ x6 M# E9 i
; b% h* j- g8 J& t0 R) P( J$ \替换IC,RS1电阻由0.33R改为0.27R(直接并1R电阻)R9由47R改为200R,R8由33R改为20R。
6 O% i6 S2 @. S) m7 S, t$ i- G* _0 Q) R* d8 w; d: [
二、基本电性参数
- z3 N; k; \. @& G0 B' D4 `4 M
三、基本波形
0 _% Y4 z/ s0 C/ N& S
$ B! c* B+ _, s8 v
XX5533 264V/50HZ MOS波形
" J4 ~* D7 y& U2 @
CR6890H 264V/50HZ MOS波形
9 U: F! v8 r8 j7 x# ~! S
XX5533 264V/50HZ 肖特基波形

. z, G+ @& {' a( {
CR6890H 264V/50HZ 肖特基波形

$ K, L  s9 C$ y: b2 Y
XX5533 264V/50HZ GATE波形
9 w: a& L. g. s2 S, s7 U
CR6890H 264V/50HZ GATE波形
5 k: q7 @. U: u3 J0 ]1 s- N( i1 n
XX5533 230V/50HZ 传导波形 N
* }% s6 [4 R5 W/ _" t: R
XX5533 230V/50HZ 传导波形 L

! e6 S2 ^7 `3 L* k
CR6890H 230V/50HZ 传导波形 N

8 B; I8 T' k, m* \5 \. C+ X
CR6890H 230V/50HZ 传导波形 L

/ P8 q8 _: t" z5 m# x$ T  j4 S5 }
XX5533 230V/50HZ 辐射波形
* o# n& E4 Z$ Y' h$ ?
XX5533 230V/50HZ 辐射波形

% M; K2 D' F8 O' C3 s2 f
CR6890H 230V/50HZ 辐射波形
: y4 M( J. q0 @3 q" _
CR6890H 230V/50HZ 辐射波形
, u5 b; {3 \1 D, J
对比结果8 I) `! U0 q; O5 M( b
* h  ~, p4 Q# X5 ?1 j# u- M
电性基本一致,CR6890H效率更高。
# L8 o7 s( g) w) _# x2 W4 ]' U5 n9 a3 L

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