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本帖最后由 思睿达小妹妹 于 2023-3-16 10:55 编辑 S) K4 v" k& Y3 m2 Y
, x6 q& g2 B3 p! G2 u% F- @当今世界，人们的生活已是片刻也离不开电子设备。电源管理芯片在电子设备系统中担负起对电能的变换、分配、检测及其它电能管理的职责。电源管理芯片对电子系统而言是不可或缺的，其性能的优劣对整机的性能有着直接的影响。2 ^2 g0 E1 n; l6 R6 ~9 {0 {
( C) ^* n7 K: U* e- S* J7 {电源管理芯片的应用范围十分广泛，例如本公司主推的CR6890H可应用在AC/DC适配器、电机类适配器、充电器等。接下来，我们将CR6890H和电源IC XX5533进行对比测试，看看哪一款IC更胜一筹！
. x4 Q: G5 H( ]( `$ S/ [0 e
! F8 R# s, A, \; R$ S关于CR6890H
/ O- w! f# b A5 m, @4 }3 @+ ~, D4 i! d& [ O
CR6890H是一款高集成度、低待机功耗的CCM+PFM混合电流模式PWM控制器。CR6890H轻载时会降低频率，最低频率22kHz可避免音频噪声。CR6890H提供了完整的保护功能，如cycle-by-cycle电流限制、OCP、OTP、VDD_OVP、UVLO等，还可以通过PRT脚分别精确设置外置过温保护和输出电压过压保护。软启动功能可以减少系统启动时MOSFET的应力，前沿消隐时间简化了系统应用。通过频率抖动和软驱动电路的设计，降低开关噪声，简化了EMI设计。CR6890H提供SOT23-6L的封装。
1 m w7 x# |- |" L
% S7 v; ]% v# ^主要特点3 K: {0 D! C/ z u
A* d! H: q) `" C
● 较低的启动电流(大约3μA)
$ k+ R9 R' c; K+ `9 ], G● 内置软启动减少MOSFET应力
6 ?) i* k9 j$ g" l5 v$ v● CCM+PFM控制模式
- F( A$ m3 a+ p6 s- @/ S● 内建同步斜坡补偿，消除次谐波震荡
% V) ]5 f7 ?7 o% Q# ~& b4 p● 内建频率抖动功能，降低EMI$ x/ x, O9 q& _6 X
● 内置65kHz开关频率
?( a9 P: y4 x8 [7 t. R● 轻载降低工作频率
3 Y! A7 M q' q0 n● 15ms倍频模式+ ^( C$ n% k( e6 F" k8 m( u+ q
● 可编程外置过温保护并进入latch( a+ A p$ W4 x3 T# l, @3 ?
● VDD过压保护和输出过压保护功能并进入latch+ t& m" O b% V
● 内置前沿消隐电路
4 ]2 H6 ], t% F, q7 q● 内置输出二极管短路保护+ _5 a( @) ?% V9 E+ _
● 内置过温保护并进入latch
0 J2 f6 v' R* @● 过载保护
5 ?* b* A+ n; ]) s● SOT23-6L封装" k, D4 j' j) A+ E4 B) }9 @
+ K( j3 _' w) c& i; a2 t5 _
基本应用
0 F! O/ X/ {4 _/ T' Y
5 i% E( c* U; C; J, N● AC/DC适配器4 B4 T. D4 f0 F# M2 e. v: h/ s
● 电机类适配器# N/ m/ t9 K' k8 @
● 充电器
+ U8 Y8 e( \: w& E& o5 K● 存储设备电源; x. B; k$ D0 t& p, z. q. n; D+ w
* P @( W5 s* l3 ?+ K, F/ d! y8 }. G典型应用/ n6 t2 [% w0 M2 e2 d0 ]
管脚排列9 a& D9 T% j+ g9 q
管脚描述$ ^- Z: Z9 G6 j: q. \; p) W
& S( r S$ i! y" a. q9 |
一、样机规格
, S5 X# H' A/ t; U- W2 S1 x# g! L% e) z7 q. C2 Y9 U4 ?
输出电压12V，输出负载5A，IC lot：HHP02。
4 _ t: A/ q. [7 l
4 v- @% P- H/ N) D/ Y; e修改参数：
3 y# c% d1 J" Q8 B
2 X3 j" `' D% \5 h5 }& r# X替换IC，RS1电阻由0.33R改为0.27R（直接并1R电阻）R9由47R改为200R，R8由33R改为20R。( b* [2 h1 u8 i/ f
' t V- s) z' u; r5 o4 w$ S
二、基本电性参数# O& G2 |; F' y
三、基本波形5 ~* `7 u$ s( B H+ e2 ~3 y9 _
6 o) P( g" F2 w" q) a2 TXX5533 264V/50HZ MOS波形 + w t& A( e- j4 }" D+ L9 u8 H# H
CR6890H 264V/50HZ MOS波形 3 ^" T( G3 o+ I4 I- e3 Q5 G; ?/ [$ f7 o
XX5533 264V/50HZ 肖特基波形
% o* g8 W- r" I( ]8 A5 f# k) e% ECR6890H 264V/50HZ 肖特基波形 1 b" x2 e0 P/ N
XX5533 264V/50HZ GATE波形 9 h, `0 A3 O; f2 {$ @* O( X* ^ O
CR6890H 264V/50HZ GATE波形 , I1 J; c( G5 B1 `
XX5533 230V/50HZ 传导波形 N ! e% H9 g6 R1 I+ S" A l
XX5533 230V/50HZ 传导波形 L - C9 j! h2 d0 E! V+ t
CR6890H 230V/50HZ 传导波形 N % ]' E2 i! O" [5 L; \
CR6890H 230V/50HZ 传导波形 L / L U+ {* f* R+ e% V
XX5533 230V/50HZ 辐射波形 : V% o1 f, u0 @) K& P
XX5533 230V/50HZ 辐射波形 ) [* ]( p' K) z
CR6890H 230V/50HZ 辐射波形 ! O2 _# E3 ?+ e9 U6 a: _2 M
CR6890H 230V/50HZ 辐射波形 ! Q6 [. W9 q F4 s- m6 m, \# h* a
对比结果
0 G- C' p7 Y7 a' e; {+ C: S
5 o3 ^1 _; ?: i. [% _$ \电性基本一致，CR6890H效率更高。) |9 M3 g. q" [5 a- v+ Q6 ]
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发表于 2023-3-16 10:50:13
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