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两款电源芯片对决,谁能遥遥领先?看完测试报告有答案

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发表于 2023-3-16 10:50:13 | 显示全部楼层 |阅读模式
本帖最后由 思睿达小妹妹 于 2023-3-16 10:55 编辑
. {* r; Z9 b7 Z/ Z6 s! l7 }
# Q5 v" W/ ^1 C7 c/ W当今世界,人们的生活已是片刻也离不开电子设备。电源管理芯片在电子设备系统中担负起对电能的变换、分配、检测及其它电能管理的职责。电源管理芯片对电子系统而言是不可或缺的,其性能的优劣对整机的性能有着直接的影响。9 X; Q( t/ d  v+ h! c) k3 r# t6 c. `) g$ w! o

! \& ^6 [; ]: U0 j+ `$ `" L电源管理芯片的应用范围十分广泛,例如本公司主推的CR6890H可应用在AC/DC适配器、电机类适配器、充电器等。接下来,我们将CR6890H和电源IC XX5533进行对比测试,看看哪一款IC更胜一筹!
2 ^/ u4 Q( T. M0 K1 i4 V( B4 |) K2 ?' Z. Y. T& y
关于CR6890H
' r* ~3 d! f: F* K5 E9 h$ r# ^
& z! Z( s9 C/ a% X9 WCR6890H是一款高集成度、低待机功耗的CCM+PFM混合电流模式PWM控制器。CR6890H轻载时会降低频率,最低频率22kHz可避免音频噪声。CR6890H提供了完整的保护功能,如cycle-by-cycle电流限制、OCP、OTP、VDD_OVP、UVLO等,还可以通过PRT脚分别精确设置外置过温保护和输出电压过压保护。软启动功能可以减少系统启动时MOSFET的应力,前沿消隐时间简化了系统应用。通过频率抖动和软驱动电路的设计,降低开关噪声,简化了EMI设计。CR6890H提供SOT23-6L的封装。
) ^7 ~( u0 T1 Q
. ^3 |2 D5 i- |7 b主要特点& y, X. s/ J6 A( @6 z

: y3 Y5 b6 i8 x* F& t● 较低的启动电流(大约3μA)
- V9 K7 q# m, L● 内置软启动减少MOSFET应力
$ U% o2 h9 V: t● CCM+PFM控制模式
. o( u- k: i" s- q● 内建同步斜坡补偿,消除次谐波震荡
; F6 ^& Y' z( ?) q- {# h6 S● 内建频率抖动功能,降低EMI
# c8 X1 Z! s+ e7 E● 内置65kHz开关频率
# Q  y& o9 a2 _) d) `● 轻载降低工作频率8 t3 C, B) Y& m  ]8 n
● 15ms倍频模式
, W% H3 N8 `* x0 y0 a/ O& d5 G' |● 可编程外置过温保护并进入latch
# W* g) A& ^+ w  _& `● VDD过压保护和输出过压保护功能并进入latch8 t& y$ a) k3 u9 N/ a5 Z: K0 z
● 内置前沿消隐电路( D: j' e" g  V. K$ w7 m* h: {. K
● 内置输出二极管短路保护/ y) o8 D* I$ i/ Q
● 内置过温保护并进入latch. y& F. q5 J* W* Q/ P- L6 V. K( H
● 过载保护0 D; `" z4 Q! {. A3 R9 m
● SOT23-6L封装# v9 B& {6 j; [) V4 M
+ |5 R# P1 n* y0 M
基本应用
& J8 ?, r$ q$ v* b$ b! G( [* i$ D7 C
● AC/DC适配器8 p6 [$ o$ Q! U) L! m' G
● 电机类适配器
. v# c0 e+ J& [  D● 充电器! U9 D+ r% \1 }, ^
● 存储设备电源+ Y+ H- H* r$ N- E+ X$ ^

1 d$ O" I. m6 C3 W! F' [典型应用
6 c( T) Z4 ]5 ]' {) M% B
管脚排列. l$ t7 k1 T4 w! ]6 W
管脚描述
6 y* a0 n5 D; p8 x. W
8 r) m  f1 E6 h  w
一、样机规格9 N) v: B$ P6 F% Z/ y$ Z

8 @, B3 h! U7 l+ k, m输出电压12V,输出负载5A,IC lot:HHP02。
4 n8 ^( K2 j4 C& Q" V* e2 s# `- P" K+ |6 y
修改参数:8 W1 v. m# ^5 x, M7 |; u8 C
9 e9 u6 r% H$ M. Y" C$ g
替换IC,RS1电阻由0.33R改为0.27R(直接并1R电阻)R9由47R改为200R,R8由33R改为20R。
: M/ w& k4 @8 b9 S  t( }/ v/ S8 x- B+ E! X
二、基本电性参数
% X9 {  ?! j. h' j2 U3 S4 ^7 a% g
三、基本波形4 h. F* @5 h, j
9 \  \2 W9 u0 w+ G
XX5533 264V/50HZ MOS波形
# p; e3 Z9 ]0 f$ x+ I( R2 P+ a( h
CR6890H 264V/50HZ MOS波形

) l+ P5 C: I8 N/ i. r  s7 |
XX5533 264V/50HZ 肖特基波形

: D' V, {% L; E9 G  u4 K4 a2 R
CR6890H 264V/50HZ 肖特基波形

( G" A# G5 n) v
XX5533 264V/50HZ GATE波形

8 Z1 K& D- Y& k9 k3 y
CR6890H 264V/50HZ GATE波形

+ M; c1 p- W7 m2 B
XX5533 230V/50HZ 传导波形 N
* U. D) l8 x, E. K8 e
XX5533 230V/50HZ 传导波形 L
" q- X$ H; t. Y+ s! G, ~7 C$ Q
CR6890H 230V/50HZ 传导波形 N

  Y2 z1 U( Z( J2 u
CR6890H 230V/50HZ 传导波形 L

: b% v+ D* O, h9 N
XX5533 230V/50HZ 辐射波形

) A+ E; O9 d; r' t( G6 u
XX5533 230V/50HZ 辐射波形

: U2 K; z: P- \- ]7 d& b
CR6890H 230V/50HZ 辐射波形

% c+ X' T8 H* H5 A
CR6890H 230V/50HZ 辐射波形
, I) [/ u9 H/ S" A' [
对比结果
0 T' ~2 a2 `1 b" Y/ e" _9 N3 f& X/ g# E
电性基本一致,CR6890H效率更高。
, c+ S+ j! C: m6 I. M3 S
* _+ Q* @6 }$ Z( P4 ]9 J% A. A

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