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本帖最后由 思睿达小妹妹 于 2023-3-16 10:55 编辑 : s/ l0 F8 ?! G! _
& H% N; q& S: J, E! e当今世界,人们的生活已是片刻也离不开电子设备。电源管理芯片在电子设备系统中担负起对电能的变换、分配、检测及其它电能管理的职责。电源管理芯片对电子系统而言是不可或缺的,其性能的优劣对整机的性能有着直接的影响。) Q( C, f! v7 @. e" E
2 G( q5 S( w- x" O+ i7 O电源管理芯片的应用范围十分广泛,例如本公司主推的CR6890H可应用在AC/DC适配器、电机类适配器、充电器等。接下来,我们将CR6890H和电源IC XX5533进行对比测试,看看哪一款IC更胜一筹!
7 g: N1 B) G- s- ~& Z: k* h& l/ }% W/ t* j" d) \6 y
关于CR6890H( c3 j- G! h2 B1 d) Q5 p
% K. P( \3 b! ^. D! RCR6890H是一款高集成度、低待机功耗的CCM+PFM混合电流模式PWM控制器。CR6890H轻载时会降低频率,最低频率22kHz可避免音频噪声。CR6890H提供了完整的保护功能,如cycle-by-cycle电流限制、OCP、OTP、VDD_OVP、UVLO等,还可以通过PRT脚分别精确设置外置过温保护和输出电压过压保护。软启动功能可以减少系统启动时MOSFET的应力,前沿消隐时间简化了系统应用。通过频率抖动和软驱动电路的设计,降低开关噪声,简化了EMI设计。CR6890H提供SOT23-6L的封装。" V/ h7 _ p$ B+ G. C
: f4 q8 \1 {* P+ g6 ]
主要特点
I3 n: F! ^) j: ~
5 S2 ^1 [1 s' M$ D! v3 r; _" [/ f● 较低的启动电流(大约3μA) W5 z2 a% S0 A, }7 g* L! }# C
● 内置软启动减少MOSFET应力5 G6 o) z3 \; O$ q
● CCM+PFM控制模式
7 z) L1 R- h3 ^3 P% N, A2 R● 内建同步斜坡补偿,消除次谐波震荡
U, {; P& f% J: i. j& X* S8 ^● 内建频率抖动功能,降低EMI
0 E: \( F0 e) k6 a/ x/ I& Q● 内置65kHz开关频率7 }4 E, T6 `6 D1 a
● 轻载降低工作频率' b- X7 z! G% i( Z
● 15ms倍频模式" c0 Y7 N! d3 a7 B6 s; ?. |
● 可编程外置过温保护并进入latch
) M! z* c/ e: d0 c● VDD过压保护和输出过压保护功能并进入latch
: h4 |" C; E! z0 u1 O● 内置前沿消隐电路
8 z! d& {6 M. D7 _● 内置输出二极管短路保护
1 x- _- D$ V) D* N* T# v/ o● 内置过温保护并进入latch
& Z, e2 T! v7 v g. {- P% ~0 T$ f● 过载保护5 d2 k4 Z5 L' @+ A
● SOT23-6L封装9 P2 c- W: p, H
! E5 z( W ]4 {$ m, I
基本应用
. ]: J! ]1 C5 |; ~4 W. [
j6 v$ J4 ?7 D! f. f2 i● AC/DC适配器
& o9 X; o/ g( q/ K9 G7 k" o$ _● 电机类适配器
' c' @0 g/ N7 K! [6 {. g● 充电器. C( F" `" r) ~* n
● 存储设备电源
0 M0 O3 X' j& M7 ?' K4 y3 [; q
- B8 A t# O8 @7 D% J5 F) n" s* A典型应用
! p- y; c. i: _5 c9 ]7 |管脚排列+ G' Q5 h3 @+ P( |
管脚描述' ?" E9 L1 g9 d, f- }# j/ j9 o6 h K
! R* `+ a( |: J# z" O8 c一、样机规格
5 h5 r9 E0 X3 x0 @' W8 I
7 N7 R$ X5 u" ?, l输出电压12V,输出负载5A,IC lot:HHP02。1 N3 B! Y, Q' U* a D
7 ?( B# ?3 D) p' s& s
修改参数:3 t: U' |" h/ [2 ]4 J$ Q# }
: q2 [& f. N2 g8 b5 V替换IC,RS1电阻由0.33R改为0.27R(直接并1R电阻)R9由47R改为200R,R8由33R改为20R。; ^6 t# }# K) m
) e. S$ L, Y% O
二、基本电性参数9 u" L3 Y q b1 T, Y) P/ ? ], u
三、基本波形
& n, R6 p4 l2 u3 ^5 A% J- M4 v( a, R! V9 l5 s9 i7 n4 K) X
XX5533 264V/50HZ MOS波形
, e! I# [& y% M( c8 N5 F$ yCR6890H 264V/50HZ MOS波形 3 F: |; H) Q' O O& }
XX5533 264V/50HZ 肖特基波形
8 f' R: q4 j, c7 P" U, R' O3 qCR6890H 264V/50HZ 肖特基波形 8 E9 v" d4 w* g: f6 ~# Q
XX5533 264V/50HZ GATE波形 - h- ]0 N2 C2 K6 U6 W: }$ O
CR6890H 264V/50HZ GATE波形 & w6 o: r: _: I6 o' t* w
XX5533 230V/50HZ 传导波形 N
8 s' k; Q7 Y1 eXX5533 230V/50HZ 传导波形 L . j2 ]/ p+ _) M4 h. l
CR6890H 230V/50HZ 传导波形 N
& U" L( h2 t" T" ]CR6890H 230V/50HZ 传导波形 L
- [; X& Z3 X. [ `XX5533 230V/50HZ 辐射波形
$ h$ Q7 C& D# \- b; J0 _XX5533 230V/50HZ 辐射波形
! |; g/ I0 \% Q2 m! o. |CR6890H 230V/50HZ 辐射波形 # _' y; a9 V6 @) O3 g0 g) q
CR6890H 230V/50HZ 辐射波形
% n6 ~2 i$ A, l$ h7 N对比结果
! K$ S* i e- D; [4 B
( n) S' I6 i& V- Y* t" U I8 `' b电性基本一致,CR6890H效率更高。: D) u: }, W5 _
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