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本帖最后由 思睿达小妹妹 于 2023-3-16 10:55 编辑 $ x6 D, J% ?) @! J( g, ^8 |
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当今世界,人们的生活已是片刻也离不开电子设备。电源管理芯片在电子设备系统中担负起对电能的变换、分配、检测及其它电能管理的职责。电源管理芯片对电子系统而言是不可或缺的,其性能的优劣对整机的性能有着直接的影响。# b; R% T6 B. @
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电源管理芯片的应用范围十分广泛,例如本公司主推的CR6890H可应用在AC/DC适配器、电机类适配器、充电器等。接下来,我们将CR6890H和电源IC XX5533进行对比测试,看看哪一款IC更胜一筹!8 w2 c- w; @' n8 J& J
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关于CR6890H
. T1 O) U7 k$ Q& S7 W" B" [
# r+ S+ ^$ R% e7 HCR6890H是一款高集成度、低待机功耗的CCM+PFM混合电流模式PWM控制器。CR6890H轻载时会降低频率,最低频率22kHz可避免音频噪声。CR6890H提供了完整的保护功能,如cycle-by-cycle电流限制、OCP、OTP、VDD_OVP、UVLO等,还可以通过PRT脚分别精确设置外置过温保护和输出电压过压保护。软启动功能可以减少系统启动时MOSFET的应力,前沿消隐时间简化了系统应用。通过频率抖动和软驱动电路的设计,降低开关噪声,简化了EMI设计。CR6890H提供SOT23-6L的封装。3 T, N8 Q8 {: J% l2 g# u- e
; ~* h/ ?& E- v3 J( b8 P( N
主要特点5 Z( q! I5 e7 A. O8 A
4 _' e3 j- k8 s% I, C, W" ^" a
● 较低的启动电流(大约3μA)
, A+ v2 m9 ^; s2 O) ^8 O● 内置软启动减少MOSFET应力 W/ K) W( Q! ]3 ?
● CCM+PFM控制模式
4 ~( Y! c T# I y% j- V; b● 内建同步斜坡补偿,消除次谐波震荡) V. c# N+ L( F& k" v1 Z: z
● 内建频率抖动功能,降低EMI
H( ~9 ~+ i* u9 r" G; p● 内置65kHz开关频率
1 m) b+ G0 r! K● 轻载降低工作频率1 l1 {) A5 }' M) m
● 15ms倍频模式+ V% ]% V- \8 a- R2 u9 i. |
● 可编程外置过温保护并进入latch
* K/ Q2 x9 A2 H+ a, @+ @$ V● VDD过压保护和输出过压保护功能并进入latch0 U) o$ E+ O- N2 W
● 内置前沿消隐电路- O; Z* }) l6 T1 B7 z
● 内置输出二极管短路保护
$ _5 ]$ {2 i- I7 z( R% {0 u4 n1 q● 内置过温保护并进入latch
' m2 b3 W0 g! P/ y● 过载保护
3 Y: F8 a& z8 s7 @: i4 u( S7 S● SOT23-6L封装
" b/ G9 U0 l6 V0 Z
) ?" N3 R, w4 U* ?* ^5 n基本应用) f; v( P6 F* y9 |1 b# r% b
$ a$ m5 ?1 d7 h$ F● AC/DC适配器
! K u6 F) O J& m& |7 t( c● 电机类适配器/ d% Z/ d( k7 h, n4 y
● 充电器! Q y1 g8 n* p
● 存储设备电源
, q6 O+ u. j: T6 _2 q$ k2 _# w% e( R. t! c% ]2 F. K
典型应用# f& p/ Y' J2 N
管脚排列1 f. h( `$ n; d; m& j2 ~2 F
管脚描述
3 A9 u) Y2 j4 p7 t7 s% t' z: S& ^+ i; z7 b: F o
一、样机规格+ s& O! q% f5 y( }! J! R5 W
7 x2 Y. E, B. T8 c5 Y; m输出电压12V,输出负载5A,IC lot:HHP02。. J; n0 ?, ?1 o6 g/ P3 ?
( x; w- g' @' @: k: a* O修改参数:
5 Y y: O9 a) d+ B
+ I! m' j$ B% \* ~: k; K1 v替换IC,RS1电阻由0.33R改为0.27R(直接并1R电阻)R9由47R改为200R,R8由33R改为20R。
; p2 Y; l" Q$ o, |% W0 e6 x7 k9 ?+ o3 C, y9 w5 |
二、基本电性参数, l$ h! Y8 L, |& H$ o) u" _) E* r
三、基本波形/ z$ _' \, d* F; r: V1 f& e5 i3 N( N
. k7 k) B/ c2 V! E; w
XX5533 264V/50HZ MOS波形 ) {' ]2 ]( }+ X! y" D
CR6890H 264V/50HZ MOS波形 $ D9 m& K* X# V& O1 n2 V7 t5 m
XX5533 264V/50HZ 肖特基波形 2 \3 `0 z$ K/ }! t0 U! o2 {
CR6890H 264V/50HZ 肖特基波形 $ h2 D; k. x" W
XX5533 264V/50HZ GATE波形
$ F0 Y* D4 E$ A1 mCR6890H 264V/50HZ GATE波形 0 { ^) W. {9 h" e% y+ ?% [
XX5533 230V/50HZ 传导波形 N 5 ]% \# L# r" D3 X. k7 {
XX5533 230V/50HZ 传导波形 L
: _' S1 N. I: ~/ g) b7 \CR6890H 230V/50HZ 传导波形 N 0 m- O% @& I% T
CR6890H 230V/50HZ 传导波形 L
/ X2 s/ o3 q- t) ]+ uXX5533 230V/50HZ 辐射波形 1 L. G0 B Q# r" j7 ?
XX5533 230V/50HZ 辐射波形
0 c! Z: U4 Z# |( jCR6890H 230V/50HZ 辐射波形 9 t# f( B! C' M* X8 q. h
CR6890H 230V/50HZ 辐射波形 : w+ P) ?& ]- f
对比结果
- Z! h+ V d" U- m
. `+ H1 R. ^) m% y- {1 ]电性基本一致,CR6890H效率更高。: D& Y2 P' h `$ e
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