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两款电源芯片对决,谁能遥遥领先?看完测试报告有答案

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发表于 2023-3-16 10:50:13 | 显示全部楼层 |阅读模式
本帖最后由 思睿达小妹妹 于 2023-3-16 10:55 编辑
* S, j' [- H1 r1 z, a4 o
9 e' j( y/ x) F- e, p当今世界,人们的生活已是片刻也离不开电子设备。电源管理芯片在电子设备系统中担负起对电能的变换、分配、检测及其它电能管理的职责。电源管理芯片对电子系统而言是不可或缺的,其性能的优劣对整机的性能有着直接的影响。
  J/ l  ^; {& E) r" R
6 J! {5 I$ Z% i& t! l电源管理芯片的应用范围十分广泛,例如本公司主推的CR6890H可应用在AC/DC适配器、电机类适配器、充电器等。接下来,我们将CR6890H和电源IC XX5533进行对比测试,看看哪一款IC更胜一筹!
/ f5 H8 N1 e$ N* ?# n: U
; |+ J3 D& C) f0 z. E7 b关于CR6890H! b5 W% _: i$ ^  K; n

3 X4 W8 m* q/ g& E2 E3 Z6 vCR6890H是一款高集成度、低待机功耗的CCM+PFM混合电流模式PWM控制器。CR6890H轻载时会降低频率,最低频率22kHz可避免音频噪声。CR6890H提供了完整的保护功能,如cycle-by-cycle电流限制、OCP、OTP、VDD_OVP、UVLO等,还可以通过PRT脚分别精确设置外置过温保护和输出电压过压保护。软启动功能可以减少系统启动时MOSFET的应力,前沿消隐时间简化了系统应用。通过频率抖动和软驱动电路的设计,降低开关噪声,简化了EMI设计。CR6890H提供SOT23-6L的封装。
9 M, j. i! b) X( P# i7 e) K- y- n2 [' [, J* q
主要特点
6 n; |6 l' I6 H7 F) F& q( ]$ V8 g& b, \; L
● 较低的启动电流(大约3μA)5 P$ s6 [7 L! {! ]! W
● 内置软启动减少MOSFET应力
- D. a$ \# r; C4 @# J● CCM+PFM控制模式
) H8 E4 x$ u# z8 \● 内建同步斜坡补偿,消除次谐波震荡
9 w1 R- a' v4 `- s6 Z, @0 m, E● 内建频率抖动功能,降低EMI
% ]* I% S* d% e1 l- f- r% G● 内置65kHz开关频率
- o( \7 ?! {( h9 Y: L4 M● 轻载降低工作频率6 w( J. q9 P7 V" Y  x
● 15ms倍频模式; [/ R: r( }% R* o! k+ ~, p6 c" x& f$ `
● 可编程外置过温保护并进入latch4 o' ^1 b5 O1 u! P" u+ r
● VDD过压保护和输出过压保护功能并进入latch
4 B" H, @1 K% }2 K% F  ~  \' c' V' L● 内置前沿消隐电路: l% g  L& J1 V4 O$ O  _
● 内置输出二极管短路保护, f- C1 |% F7 B6 y
● 内置过温保护并进入latch
5 w8 D) D6 q) J% z# A' u+ K● 过载保护# {; w& W9 T0 e6 c" e* A% v1 W; u/ @
● SOT23-6L封装" q# Z% X$ F) Z; T$ e) {: V, Y; N3 v

: c* Z! U  h( v4 C2 w; j' x3 N! h基本应用
" X0 j# K' i  Z3 x+ ?9 c" [- {/ S3 z4 y3 a6 j* g8 A& s' l, s
● AC/DC适配器
- V) s8 b* R, |! ]3 t- D5 |8 [7 d! N● 电机类适配器0 k7 g. q4 I# v
● 充电器: a- b; C, @! y# b7 g
● 存储设备电源
8 s0 w+ U8 R3 I7 s9 U1 Z; \- r! l
$ O/ h$ _3 b, C8 D% I, o典型应用9 r8 x* t5 m9 N: t  i) p8 g; o9 m- k
管脚排列5 e0 C- T! G' l0 P
管脚描述
  }. J. v2 ]; n" \) J
" J3 e+ B# o$ r0 U- k6 A
一、样机规格* K" ^4 t* D: \( _2 `& Z
  k6 m/ f' ], r7 ]
输出电压12V,输出负载5A,IC lot:HHP02。
: m3 |0 i4 l" D, `. C) |0 ^) w% `% C9 e; h( F2 R" U
修改参数:( X; \3 z- U( e# U3 h

- B5 V. N. T, n% `" B3 p: K5 |替换IC,RS1电阻由0.33R改为0.27R(直接并1R电阻)R9由47R改为200R,R8由33R改为20R。! C( O8 V9 L/ B8 S  n! T; q
' A+ j) l% h' y+ N* _( \& n
二、基本电性参数9 K1 g5 {! ]' a) k4 P, w! @# W! {
三、基本波形, ?6 v" E. e( |, g9 v  b* x' N! D
# o: S; i7 w' X
XX5533 264V/50HZ MOS波形

9 a% G4 _  m- W) X
CR6890H 264V/50HZ MOS波形
" g/ n, f% D4 z# J3 }
XX5533 264V/50HZ 肖特基波形

& H( `" A7 Y8 {1 S" L. o% s3 c) b
CR6890H 264V/50HZ 肖特基波形

( [- n9 d$ j+ m2 n) n/ v# U
XX5533 264V/50HZ GATE波形
2 {# B+ M% d* H; C$ Q2 O8 P- g
CR6890H 264V/50HZ GATE波形

6 b: z+ x( F' ], `' B5 r" A
XX5533 230V/50HZ 传导波形 N

" s8 M; p4 k: z% D# U
XX5533 230V/50HZ 传导波形 L

1 \' L# m4 t% `* S0 {# r4 A
CR6890H 230V/50HZ 传导波形 N
: y' E+ H/ ?& n% B6 E+ y" U
CR6890H 230V/50HZ 传导波形 L

% t- M: U9 S9 t" _  x& o1 Q
XX5533 230V/50HZ 辐射波形
6 W+ ~2 E9 L9 c0 J4 n% ~; f
XX5533 230V/50HZ 辐射波形

& G; [# w) `/ L( B0 t
CR6890H 230V/50HZ 辐射波形

7 A# `1 f1 P: A$ d" [, s4 a& B
CR6890H 230V/50HZ 辐射波形
* E  v0 D" c- _
对比结果0 a* D5 e" S4 a5 i' K9 `) x1 D
$ v) N/ w0 W7 z
电性基本一致,CR6890H效率更高。1 o3 u( L  u0 E$ n6 K
$ |! K7 e. a6 t% y

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