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本帖最后由 思睿达小妹妹 于 2023-3-16 10:55 编辑 5 O2 [; n3 [* ~$ J- e/ M7 j
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当今世界,人们的生活已是片刻也离不开电子设备。电源管理芯片在电子设备系统中担负起对电能的变换、分配、检测及其它电能管理的职责。电源管理芯片对电子系统而言是不可或缺的,其性能的优劣对整机的性能有着直接的影响。
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, `2 R# p* [, \ ^8 v电源管理芯片的应用范围十分广泛,例如本公司主推的CR6890H可应用在AC/DC适配器、电机类适配器、充电器等。接下来,我们将CR6890H和电源IC XX5533进行对比测试,看看哪一款IC更胜一筹!
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: w$ p: K- i7 P; |1 @$ J. W1 M关于CR6890H- f0 @7 D M' l& B1 d1 F
% R* R& _) n5 D1 y9 B
CR6890H是一款高集成度、低待机功耗的CCM+PFM混合电流模式PWM控制器。CR6890H轻载时会降低频率,最低频率22kHz可避免音频噪声。CR6890H提供了完整的保护功能,如cycle-by-cycle电流限制、OCP、OTP、VDD_OVP、UVLO等,还可以通过PRT脚分别精确设置外置过温保护和输出电压过压保护。软启动功能可以减少系统启动时MOSFET的应力,前沿消隐时间简化了系统应用。通过频率抖动和软驱动电路的设计,降低开关噪声,简化了EMI设计。CR6890H提供SOT23-6L的封装。- E* v/ p; [" m% z# f' W5 P
! M. ~4 s+ E! w P主要特点
" u' @" o% o0 ~% `
5 Y6 G" x0 l4 `( [' Z7 h' I; M- }- x● 较低的启动电流(大约3μA)* v/ {, I% P, T8 n; `/ L7 S$ H+ G
● 内置软启动减少MOSFET应力
- a/ G% n1 v$ z4 R( A● CCM+PFM控制模式
9 C* b& ^5 c7 l8 O2 e5 n) v● 内建同步斜坡补偿,消除次谐波震荡
) Y7 l+ }- I9 x [● 内建频率抖动功能,降低EMI% S" m9 X8 p% _9 j
● 内置65kHz开关频率0 u( h- T6 h. `: N1 M0 s
● 轻载降低工作频率
; K+ n! E( v8 A! r% b5 z9 r● 15ms倍频模式
, r& t. H2 M3 }● 可编程外置过温保护并进入latch
& v5 Z: x- x0 D6 L3 M● VDD过压保护和输出过压保护功能并进入latch
2 U ]6 p% P$ R$ L● 内置前沿消隐电路: I$ p& s" y, C, C. u
● 内置输出二极管短路保护
9 Q- {$ B* {- `% g1 W● 内置过温保护并进入latch
: g& ~& O" d+ w: Z+ o6 V● 过载保护! G; h' ^- M1 @
● SOT23-6L封装
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4 | L0 F. H! N9 |% o基本应用
2 v% Y- }$ d. m, \3 R' \/ y0 f6 I* j( x: C$ v
● AC/DC适配器
* F6 b/ ~3 o7 z3 ?! q- k% q: r● 电机类适配器
0 X- W+ i9 v7 _' H● 充电器
* ~) \. g+ C! M; x& @! B7 _● 存储设备电源
6 S) }. s; X4 V+ [. F4 H/ t8 n4 G" d9 c; Y7 l: r6 g" A& k- v9 Y
典型应用* {; {/ ]8 w/ s8 s! F8 c R. @2 z" {
管脚排列
+ X1 M3 L( \5 ~管脚描述
5 J* Z9 k8 \0 V# p3 L
; K5 X" m6 ?9 T* F, g7 l一、样机规格' Q H8 F' Q! f+ R# K* [5 H+ ?
& p/ C8 L' k0 M! ?4 ^9 t
输出电压12V,输出负载5A,IC lot:HHP02。
1 S2 j# f H/ h% ?, A% F8 r/ i# O! M; u
修改参数:
6 ]% ?# M& K5 `/ z/ C" B9 R. n" H H) P0 q2 c( D
替换IC,RS1电阻由0.33R改为0.27R(直接并1R电阻)R9由47R改为200R,R8由33R改为20R。& w8 m2 T" ?5 V, u3 v m7 V7 V
. e% J% }/ t: y- V
二、基本电性参数
4 i/ E M! d( j$ G D2 H, ]: V三、基本波形1 u/ }# R7 u) Z: q/ Z& B0 H; ?
% J7 j( g0 p5 x- {0 @7 k" J, WXX5533 264V/50HZ MOS波形
/ p& D* e8 m bCR6890H 264V/50HZ MOS波形
! V: w9 `( N7 k# WXX5533 264V/50HZ 肖特基波形 & `& i$ Y. d9 l4 V9 i1 e4 ?
CR6890H 264V/50HZ 肖特基波形
! g' z7 |. G3 m, ~0 H( z. C3 \ a& W! KXX5533 264V/50HZ GATE波形
: ^# d" P$ S" M) {' V3 H2 l nCR6890H 264V/50HZ GATE波形 & m: x; ~ T! v
XX5533 230V/50HZ 传导波形 N
6 a& X0 i6 `1 g5 _9 V, \% `5 ~XX5533 230V/50HZ 传导波形 L ' t& d* t8 L7 }) F' M5 \$ F/ \/ n
CR6890H 230V/50HZ 传导波形 N ' i2 z7 i% t) S( b+ C' x Q
CR6890H 230V/50HZ 传导波形 L
- Z4 J; r6 ~: s! r, G5 x4 u3 ?XX5533 230V/50HZ 辐射波形 + t+ i$ o( w7 ?; N! G
XX5533 230V/50HZ 辐射波形 6 {2 z& s( g) V! A! r, A3 H: k- F
CR6890H 230V/50HZ 辐射波形 ) f9 K- {. R' B% W
CR6890H 230V/50HZ 辐射波形
- H8 Y/ h5 a7 t& c* C: p对比结果: l6 C- y5 Q, f( @7 T. i# x
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电性基本一致,CR6890H效率更高。
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