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本帖最后由 思睿达小妹妹 于 2023-3-16 10:55 编辑 1 |2 Z5 n9 I2 W+ C: l; A* q
9 Y" A( r- f: k当今世界,人们的生活已是片刻也离不开电子设备。电源管理芯片在电子设备系统中担负起对电能的变换、分配、检测及其它电能管理的职责。电源管理芯片对电子系统而言是不可或缺的,其性能的优劣对整机的性能有着直接的影响。9 b. w7 g7 \, G& ?9 R* E4 D$ O
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电源管理芯片的应用范围十分广泛,例如本公司主推的CR6890H可应用在AC/DC适配器、电机类适配器、充电器等。接下来,我们将CR6890H和电源IC XX5533进行对比测试,看看哪一款IC更胜一筹!6 L; v2 k# e R3 e$ c
1 b" V( q* s0 R. r关于CR6890H
! a7 H* u1 [4 W" X6 e& V' h, d+ A }! A8 V7 c9 x
CR6890H是一款高集成度、低待机功耗的CCM+PFM混合电流模式PWM控制器。CR6890H轻载时会降低频率,最低频率22kHz可避免音频噪声。CR6890H提供了完整的保护功能,如cycle-by-cycle电流限制、OCP、OTP、VDD_OVP、UVLO等,还可以通过PRT脚分别精确设置外置过温保护和输出电压过压保护。软启动功能可以减少系统启动时MOSFET的应力,前沿消隐时间简化了系统应用。通过频率抖动和软驱动电路的设计,降低开关噪声,简化了EMI设计。CR6890H提供SOT23-6L的封装。
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. H8 o7 J) H) \. N: B$ I主要特点
+ w7 G0 l5 j5 q1 v' J5 x; Z4 y e; o* v( n0 [
● 较低的启动电流(大约3μA)
- f* [$ h/ T( \/ B* o● 内置软启动减少MOSFET应力5 u+ G* d C, d( e- H
● CCM+PFM控制模式9 F& R/ E. n# `, e# U
● 内建同步斜坡补偿,消除次谐波震荡
& \0 i2 v1 i4 p8 C* } k- }1 T4 h$ d* L● 内建频率抖动功能,降低EMI* M( [! C, k9 P4 Z3 A
● 内置65kHz开关频率$ I4 C3 `: @" i
● 轻载降低工作频率
/ T% c. O' D# u$ m: t● 15ms倍频模式8 V6 g6 r4 U2 U4 `& m/ O7 L. n
● 可编程外置过温保护并进入latch
* j6 P) L/ O4 P5 S. _● VDD过压保护和输出过压保护功能并进入latch5 Q3 s8 v; H7 V
● 内置前沿消隐电路
- X6 X* d3 e0 _& r; a4 G1 C- c● 内置输出二极管短路保护! y. }& `1 D% w% {
● 内置过温保护并进入latch
- P$ X) I% F- s* F● 过载保护. W8 n. e! \* k- E( r4 C$ |
● SOT23-6L封装
. k8 Y; ]6 u) z4 o& p/ K& h
4 p6 b( t! X1 J$ L基本应用6 k2 a- q# j7 e9 W5 X3 o
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● AC/DC适配器
6 q2 z; i+ \6 o. u6 C. ^* t" C● 电机类适配器
+ `) x* I) D* L9 _+ a6 x● 充电器/ E1 t3 e& F, ~# b6 d5 w2 a2 A
● 存储设备电源& {- B0 ^) N4 T R9 L3 ]8 H
1 b& a4 m D7 m" o/ i$ x! V. g
典型应用
, O6 O I& v5 s8 H管脚排列
; w1 C2 `: g# N管脚描述
; D& s) ?( s6 v2 @$ H
}$ j% M5 W* c5 V2 z! m一、样机规格" L8 G Z* Q5 p9 w, s$ q
- ~8 ?( M8 N, U9 W输出电压12V,输出负载5A,IC lot:HHP02。
# Q" m+ }! i8 L# i* Y4 s" D1 C
$ `( }# g( M. d修改参数:# a" p! L! o/ e! p& Z5 {& I
5 ]3 S5 k5 K( ~% P, G: P
替换IC,RS1电阻由0.33R改为0.27R(直接并1R电阻)R9由47R改为200R,R8由33R改为20R。: b# m ?; I; }! Y2 P' |: N
$ M! d5 Q v" J; \二、基本电性参数! j, g) o2 V9 @6 m4 \
三、基本波形
% L+ M) {3 G, y8 c8 N" D3 C0 l3 t
XX5533 264V/50HZ MOS波形
+ F" d% ?2 V2 M) x1 c$ n( e" yCR6890H 264V/50HZ MOS波形 7 B4 S; J7 v8 J. k+ r1 Z
XX5533 264V/50HZ 肖特基波形 ; Q- j, J; I1 M3 d
CR6890H 264V/50HZ 肖特基波形
- T! }/ A( R4 O% B' TXX5533 264V/50HZ GATE波形
; j4 U, M* L* d+ H/ Y/ z: \CR6890H 264V/50HZ GATE波形 # R- ^3 U' c$ h a0 o! B( n
XX5533 230V/50HZ 传导波形 N # |) S; u b9 E; z3 f! J5 x9 y9 `7 Y
XX5533 230V/50HZ 传导波形 L 2 s( c/ A- E2 z2 F
CR6890H 230V/50HZ 传导波形 N " _; v8 t: M/ s# q9 ^
CR6890H 230V/50HZ 传导波形 L + b/ j' i5 P u [ b Z
XX5533 230V/50HZ 辐射波形
X1 R1 @2 E! Y+ T; VXX5533 230V/50HZ 辐射波形 & V' V" x/ M5 h0 S7 Q
CR6890H 230V/50HZ 辐射波形 ) ]* g& J$ K2 x( V" Q9 f* v
CR6890H 230V/50HZ 辐射波形 6 k% R6 H9 G/ ^! k
对比结果5 d$ c7 L* G3 C
$ ` [: K& Y: c4 ]9 A# k电性基本一致,CR6890H效率更高。- @, z: _$ @4 k
; N2 V5 D! i* O% u1 Q& n
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