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两款电源芯片对决,谁能遥遥领先?看完测试报告有答案

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发表于 2023-3-16 10:50:13 | 显示全部楼层 |阅读模式
本帖最后由 思睿达小妹妹 于 2023-3-16 10:55 编辑
& i5 q! D' f2 S" F" \( h# r, }
+ @# f5 L9 S  _" C8 i* r& y当今世界,人们的生活已是片刻也离不开电子设备。电源管理芯片在电子设备系统中担负起对电能的变换、分配、检测及其它电能管理的职责。电源管理芯片对电子系统而言是不可或缺的,其性能的优劣对整机的性能有着直接的影响。. I, D$ x& j. U9 \" l
1 V: E: a5 B5 T# ?) K% Q# N9 g
电源管理芯片的应用范围十分广泛,例如本公司主推的CR6890H可应用在AC/DC适配器、电机类适配器、充电器等。接下来,我们将CR6890H和电源IC XX5533进行对比测试,看看哪一款IC更胜一筹!/ r, c1 o1 y4 E5 p) w
7 i& z& v+ V2 }, s& L
关于CR6890H2 B/ V, t" R- `# c
) a+ S" f6 f* `+ ]5 i% O+ ]. |# E
CR6890H是一款高集成度、低待机功耗的CCM+PFM混合电流模式PWM控制器。CR6890H轻载时会降低频率,最低频率22kHz可避免音频噪声。CR6890H提供了完整的保护功能,如cycle-by-cycle电流限制、OCP、OTP、VDD_OVP、UVLO等,还可以通过PRT脚分别精确设置外置过温保护和输出电压过压保护。软启动功能可以减少系统启动时MOSFET的应力,前沿消隐时间简化了系统应用。通过频率抖动和软驱动电路的设计,降低开关噪声,简化了EMI设计。CR6890H提供SOT23-6L的封装。5 K1 t* h- y* @
4 p$ ~2 c8 d1 Y; k2 E  u& n# h1 }. U
主要特点; L, q. q8 j- ^% S" F1 F. d

) i+ A$ H5 Z2 t6 Y9 p0 V● 较低的启动电流(大约3μA)
, }8 O, g% ~, N. T5 }0 l& @. M) ~● 内置软启动减少MOSFET应力
; a0 Y& ?# \7 h● CCM+PFM控制模式& R$ C+ q5 l5 g. ]0 l. j: I& W5 q
● 内建同步斜坡补偿,消除次谐波震荡
9 [& q7 k/ Q( c+ X0 _) s● 内建频率抖动功能,降低EMI
2 h$ g7 D/ s- w9 T● 内置65kHz开关频率! F9 L2 y1 t3 q/ K2 }% U0 F
● 轻载降低工作频率
" k8 y8 e& S; [9 F3 D. U● 15ms倍频模式
! x- {0 ]2 W/ E3 P  f● 可编程外置过温保护并进入latch
- f! Y& {+ Q$ X' v8 K) z, Q● VDD过压保护和输出过压保护功能并进入latch
' U/ |$ C- S: V; A) E, H8 B  Y● 内置前沿消隐电路
3 @; Z+ C0 C2 F9 m. m0 g/ r( q+ X  x● 内置输出二极管短路保护- x3 u" x9 S: f7 T
● 内置过温保护并进入latch
# U- z3 c& |, R6 Y! _● 过载保护
7 K& _, M1 |1 R● SOT23-6L封装
0 \- Y" l  h2 L: f. o
  x4 D# A2 W) K# v1 T基本应用
/ N3 Z/ z& M* ?5 {2 z
8 p; K0 l# |4 x, E# c) G● AC/DC适配器
. I4 X$ d% H* `6 _4 e8 @. F● 电机类适配器5 v  R+ V9 C6 d+ |! k0 o$ C+ k
● 充电器- S: E# e( k$ y; @* a9 M
● 存储设备电源
9 O. ~/ ^: D7 _
& x7 C, \3 ^! @( l# `典型应用
& ]+ ^8 w) F4 C
管脚排列
8 I/ L- y( g- I, P
管脚描述& z8 M3 s) L1 t" o: F  h/ T( M( S

6 J$ s4 c* H) o一、样机规格8 ]3 ?# r& M1 S+ U. F

5 T" `2 d0 ^5 D4 H, C输出电压12V,输出负载5A,IC lot:HHP02。
+ u% |( ~* s+ P) T0 K9 Z' X8 R8 B5 m, v# g. m5 s3 o5 _, M
修改参数:  X/ r! h! |$ R8 n  _4 O

; ^' c5 |3 I% ], s替换IC,RS1电阻由0.33R改为0.27R(直接并1R电阻)R9由47R改为200R,R8由33R改为20R。& v* j9 R5 T; o
# I+ ^1 Z8 h/ i) u
二、基本电性参数; A( h5 w& ]' @) W5 @& t
三、基本波形5 ~5 P8 f+ A2 s3 n4 d( S0 n

6 h% W8 m0 _2 F; ~. p( m
XX5533 264V/50HZ MOS波形
) V7 W" j- V# K- s3 A  X) ^
CR6890H 264V/50HZ MOS波形

9 Q+ B* b$ |* L9 v7 U% ^5 l6 V" k" d: ~
XX5533 264V/50HZ 肖特基波形

" K; a( E- r: K' y) [9 q6 U
CR6890H 264V/50HZ 肖特基波形
# x! l( J, y. l( b: n. d
XX5533 264V/50HZ GATE波形
% o. k# [" o/ W9 l- y
CR6890H 264V/50HZ GATE波形

0 b- D6 m. v4 {! F" H
XX5533 230V/50HZ 传导波形 N
3 m2 i# O2 h, u8 z) a0 V$ ]
XX5533 230V/50HZ 传导波形 L

+ ?6 G7 V/ s: f$ b) u
CR6890H 230V/50HZ 传导波形 N
- z( O# M" V( n' H' U0 W
CR6890H 230V/50HZ 传导波形 L

6 F# t* _% Y5 X8 j
XX5533 230V/50HZ 辐射波形

' V- ?8 G4 l" \& ?/ ^
XX5533 230V/50HZ 辐射波形

7 P# i8 B) R+ T
CR6890H 230V/50HZ 辐射波形
! [+ L$ R7 A* K/ e* M1 O" S$ ?9 R
CR6890H 230V/50HZ 辐射波形
* a7 V+ C& o, I* c: h  ?
对比结果. j( c3 t* f5 Y, _3 S
) M& R+ A! N5 Y+ e
电性基本一致,CR6890H效率更高。
$ C3 F- B# U9 h- Y
7 D' f# U8 Z" j

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