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本帖最后由 思睿达小妹妹 于 2023-3-16 10:55 编辑 2 ]' w% I# W0 h2 |: I, U! g
! O D: N6 J* o9 e当今世界,人们的生活已是片刻也离不开电子设备。电源管理芯片在电子设备系统中担负起对电能的变换、分配、检测及其它电能管理的职责。电源管理芯片对电子系统而言是不可或缺的,其性能的优劣对整机的性能有着直接的影响。
5 S1 Y5 p; u1 C1 N2 H. M
* P2 T" Y7 |% t0 m$ K x* ~电源管理芯片的应用范围十分广泛,例如本公司主推的CR6890H可应用在AC/DC适配器、电机类适配器、充电器等。接下来,我们将CR6890H和电源IC XX5533进行对比测试,看看哪一款IC更胜一筹!! ~% }( _4 w5 ]* E6 x% w+ _# m
5 J& `# ^4 U6 T7 `
关于CR6890H O; i* [2 l* x U: V! z
* Z' T [0 N5 ]8 U3 |6 U' s$ U/ rCR6890H是一款高集成度、低待机功耗的CCM+PFM混合电流模式PWM控制器。CR6890H轻载时会降低频率,最低频率22kHz可避免音频噪声。CR6890H提供了完整的保护功能,如cycle-by-cycle电流限制、OCP、OTP、VDD_OVP、UVLO等,还可以通过PRT脚分别精确设置外置过温保护和输出电压过压保护。软启动功能可以减少系统启动时MOSFET的应力,前沿消隐时间简化了系统应用。通过频率抖动和软驱动电路的设计,降低开关噪声,简化了EMI设计。CR6890H提供SOT23-6L的封装。: S4 F3 L8 n( j* ^ {2 ^
; B* w; K; a, l# }+ _
主要特点
- o/ T7 c5 D" w0 g! L% C4 s# Z8 T3 @9 i+ d) `& ]7 c4 G- M
● 较低的启动电流(大约3μA)
# @( H: D$ i- h: [7 p8 Y9 d● 内置软启动减少MOSFET应力
7 m. u! A/ X8 f7 c● CCM+PFM控制模式
, a# U: p+ V6 W: F● 内建同步斜坡补偿,消除次谐波震荡
7 ]. v; Y% ]0 J& c● 内建频率抖动功能,降低EMI# p0 d( `9 U) k; N2 O# f3 X/ o: _
● 内置65kHz开关频率
9 d1 @: C6 L) l- H0 A, \● 轻载降低工作频率; E! Q; q6 v# L6 ~- b( d* ~# T
● 15ms倍频模式
0 E, d c! P) S' }4 R0 ^3 a. B3 X● 可编程外置过温保护并进入latch$ k+ I6 J2 @( H9 O) @- N8 e
● VDD过压保护和输出过压保护功能并进入latch3 {7 k% K" h9 O) c E
● 内置前沿消隐电路3 Y9 ^; Q1 Z+ h# I' a6 u, Q" B/ x4 b
● 内置输出二极管短路保护
4 T7 t8 R t+ \: `# z● 内置过温保护并进入latch
( |8 w' q E* J- O! g" O● 过载保护3 {3 Q s. U8 T2 h5 @
● SOT23-6L封装
: Z8 P/ \& t- G# K) f- H6 _* P6 w3 t( y1 P7 ]# B
基本应用, u( K- ?& Y& }! r T
* ]9 K- c* T- I6 S5 o
● AC/DC适配器
5 d Z% B& ~& }+ t) J* w; {" @● 电机类适配器8 E7 O5 K2 }1 g9 q$ i5 ?
● 充电器
" i. s9 t5 Y* f" V, b● 存储设备电源7 R: T* a" ^- [* p- [
. Z* g5 g9 l, B7 o* ?
典型应用: N8 x* ? v) H7 y: a3 ]
管脚排列2 O6 G n- h9 k% P9 Y
管脚描述& y# U) F( W( }2 U3 w
2 b/ A- X) R" n8 e8 z% E3 r2 p7 |一、样机规格7 I$ n% s, V2 k+ e$ X. _8 R
1 Y5 S" [6 K& k0 Q/ c3 J: z* L输出电压12V,输出负载5A,IC lot:HHP02。
- b, L5 t: Y' @# j9 Q0 i/ u; C! p" u2 j* O
修改参数:
4 q- G" D1 g9 Z! O" y; U: c# v# ^, F+ o. q
替换IC,RS1电阻由0.33R改为0.27R(直接并1R电阻)R9由47R改为200R,R8由33R改为20R。9 d6 c3 I# j; }
# S! b @1 C a r! R6 \二、基本电性参数; G0 q0 d) {9 @# \
三、基本波形* D9 Y1 o" O. {1 }$ x3 v
& [6 `; c& O9 |% D: I- E
XX5533 264V/50HZ MOS波形
& T- Q* F% y* o0 B" Q* w/ wCR6890H 264V/50HZ MOS波形 7 N/ w9 T1 c9 p- g( @/ B8 O6 N2 i
XX5533 264V/50HZ 肖特基波形 - X) ]+ G' }8 x3 r2 b! ]) p& j
CR6890H 264V/50HZ 肖特基波形
0 M. I% k* L0 E$ Y3 J/ LXX5533 264V/50HZ GATE波形 ( b4 x$ S' c( P; `0 `# C
CR6890H 264V/50HZ GATE波形 " l$ e- l- n& B w6 @7 H7 m3 u& p
XX5533 230V/50HZ 传导波形 N 4 S! @" q; }; e; [
XX5533 230V/50HZ 传导波形 L 9 s }! L) ~( b7 y$ ~) h
CR6890H 230V/50HZ 传导波形 N
& @, D2 W* e4 XCR6890H 230V/50HZ 传导波形 L
3 i3 d2 b; P: [XX5533 230V/50HZ 辐射波形
/ O! y9 {& E9 EXX5533 230V/50HZ 辐射波形 p" k* w, K$ e( T9 z
CR6890H 230V/50HZ 辐射波形
6 U n3 j0 x% K# MCR6890H 230V/50HZ 辐射波形
; d2 B6 h8 P4 N8 v6 v* g3 m& `对比结果
+ w- T d+ x& G8 x$ L5 n# V: S8 |2 O/ j$ ^! g
电性基本一致,CR6890H效率更高。
; i: ~4 T# I4 l. C. o+ u2 X
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