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本帖最后由 思睿达小妹妹 于 2023-3-16 10:55 编辑
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当今世界,人们的生活已是片刻也离不开电子设备。电源管理芯片在电子设备系统中担负起对电能的变换、分配、检测及其它电能管理的职责。电源管理芯片对电子系统而言是不可或缺的,其性能的优劣对整机的性能有着直接的影响。! u9 I, j# l9 i8 l9 J/ W
3 d5 ]% h+ _* o* E+ K' N+ e电源管理芯片的应用范围十分广泛,例如本公司主推的CR6890H可应用在AC/DC适配器、电机类适配器、充电器等。接下来,我们将CR6890H和电源IC XX5533进行对比测试,看看哪一款IC更胜一筹!9 d( n, k) i- J1 h2 e
. O* q$ C4 _: u/ }/ B! H关于CR6890H
0 x: u, V% u+ H6 l; n& `! A `% }
* @) Q3 V1 H% HCR6890H是一款高集成度、低待机功耗的CCM+PFM混合电流模式PWM控制器。CR6890H轻载时会降低频率,最低频率22kHz可避免音频噪声。CR6890H提供了完整的保护功能,如cycle-by-cycle电流限制、OCP、OTP、VDD_OVP、UVLO等,还可以通过PRT脚分别精确设置外置过温保护和输出电压过压保护。软启动功能可以减少系统启动时MOSFET的应力,前沿消隐时间简化了系统应用。通过频率抖动和软驱动电路的设计,降低开关噪声,简化了EMI设计。CR6890H提供SOT23-6L的封装。
- w% \4 M8 t! F; G1 y( N$ M4 N# R+ J9 r7 F. o2 G0 p% |$ E
主要特点 Y1 y5 X7 @% S; @6 L, g- D
7 a5 N6 d. F0 |● 较低的启动电流(大约3μA)2 Y0 {1 U' a2 C
● 内置软启动减少MOSFET应力# t# @+ U) y4 @0 o& ?4 c6 K3 x8 O
● CCM+PFM控制模式# D/ q% {; U* }' b, g
● 内建同步斜坡补偿,消除次谐波震荡
; S5 m4 R" U0 O2 w7 c' T$ R* M● 内建频率抖动功能,降低EMI
( T' H, r/ e/ V/ e+ M' R● 内置65kHz开关频率4 H' j+ v8 M5 Z5 |1 v7 D
● 轻载降低工作频率
- o6 C K3 y7 E) p) @2 Z● 15ms倍频模式
. l* i0 @. l& j4 _- s● 可编程外置过温保护并进入latch' B+ H+ Q/ w) W
● VDD过压保护和输出过压保护功能并进入latch* {1 [( i( L* t. X5 I) a
● 内置前沿消隐电路! c) i7 V5 N; w: n
● 内置输出二极管短路保护8 G7 Z( U: N7 F
● 内置过温保护并进入latch
- q9 M6 Q' W3 H4 @● 过载保护
, n/ U0 { j8 ]● SOT23-6L封装
% p! }1 s) j$ E# Z2 K0 u1 |* Y, g) p% ^# `6 v% Z5 q/ R0 n
基本应用9 w& K5 K3 T+ g" @
" `* c: e. L7 Q, }7 Z, h2 L1 v● AC/DC适配器6 r4 b6 I# R4 w" ?# V. u
● 电机类适配器% m: } a: o6 R1 M0 ~/ H+ z4 n
● 充电器$ A! o5 Q9 D8 t8 W
● 存储设备电源. R7 B- ?: |* @* B6 U, l: W! u
d: G0 l x) g J+ |% f% g
典型应用' Z3 S- }! V- S7 G# T9 a( c
管脚排列
' [. P x7 m X. Z! r u管脚描述" |7 P2 Y7 H3 i
- d7 Y' N" v# Z6 n一、样机规格( t6 i V, g2 U ~, B1 K3 I
/ j( { j# H7 V4 V8 k) F: H8 J( ]输出电压12V,输出负载5A,IC lot:HHP02。: K3 k, u& y% _: X4 f, L
( ^7 N } T6 d' e1 @; g0 U
修改参数:) U& O$ E3 d7 x2 `4 r+ `5 K4 I, F: s
. c) i2 a/ V5 A- x. T
替换IC,RS1电阻由0.33R改为0.27R(直接并1R电阻)R9由47R改为200R,R8由33R改为20R。( w9 X# ?1 C" ]
/ g4 ?/ K7 C+ ~8 ^) x7 e' B: b
二、基本电性参数 t( J3 j; K7 [% \0 X% }2 ~
三、基本波形
. i4 @: h' o& T t* ^& q3 v' R4 W: S1 `! i8 B& l! \, m$ l/ X9 r
XX5533 264V/50HZ MOS波形 : ~" m L4 u, k6 X
CR6890H 264V/50HZ MOS波形
/ G% M) z5 g B- Q" m9 S# P3 @XX5533 264V/50HZ 肖特基波形
' S# O; I b* p. N5 `9 S" c3 [6 FCR6890H 264V/50HZ 肖特基波形
# t9 V8 k* f9 D. WXX5533 264V/50HZ GATE波形 # Q5 f) W" I6 @* X( M9 z
CR6890H 264V/50HZ GATE波形
- y: }) }4 j- D6 ]XX5533 230V/50HZ 传导波形 N |5 i* V& ~+ m! q; y! g! j& ~
XX5533 230V/50HZ 传导波形 L % Q' \' K. C- N1 H6 m) N
CR6890H 230V/50HZ 传导波形 N 2 a9 @% [$ {4 b7 r, P6 Z
CR6890H 230V/50HZ 传导波形 L * R/ @ z* L, V: F: \3 G4 `
XX5533 230V/50HZ 辐射波形 . ]0 R, W/ V/ K" k, X& @# d @& x7 y5 D8 ]
XX5533 230V/50HZ 辐射波形
7 P: b3 T6 J7 l$ y1 ]CR6890H 230V/50HZ 辐射波形 : x# M& D* l! M' y- V( W
CR6890H 230V/50HZ 辐射波形
4 E% f1 }! E7 P对比结果
0 m% E' ^: V7 p8 k4 B6 v4 A) e+ A: S7 i% [- ~2 q
电性基本一致,CR6890H效率更高。" |/ W7 e! X& d4 q7 q4 D5 b9 J0 P. u
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