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两款电源芯片对决,谁能遥遥领先?看完测试报告有答案

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发表于 2023-3-16 10:50:13 | 显示全部楼层 |阅读模式
本帖最后由 思睿达小妹妹 于 2023-3-16 10:55 编辑 , ^( g" J# t* D; X: m; z

7 u5 s! F; ~# `' a当今世界,人们的生活已是片刻也离不开电子设备。电源管理芯片在电子设备系统中担负起对电能的变换、分配、检测及其它电能管理的职责。电源管理芯片对电子系统而言是不可或缺的,其性能的优劣对整机的性能有着直接的影响。, X& |( U; y; ~* ?2 U4 R9 N* I2 C
; s0 |; Q8 M1 H, f) V& s
电源管理芯片的应用范围十分广泛,例如本公司主推的CR6890H可应用在AC/DC适配器、电机类适配器、充电器等。接下来,我们将CR6890H和电源IC XX5533进行对比测试,看看哪一款IC更胜一筹!
: }0 s, x# w+ ?! r7 O- @0 i; ?3 Q  x9 M4 d5 ]4 K
关于CR6890H5 y4 W& g' z) f5 S
1 k+ N, C# H% F( k+ y& n
CR6890H是一款高集成度、低待机功耗的CCM+PFM混合电流模式PWM控制器。CR6890H轻载时会降低频率,最低频率22kHz可避免音频噪声。CR6890H提供了完整的保护功能,如cycle-by-cycle电流限制、OCP、OTP、VDD_OVP、UVLO等,还可以通过PRT脚分别精确设置外置过温保护和输出电压过压保护。软启动功能可以减少系统启动时MOSFET的应力,前沿消隐时间简化了系统应用。通过频率抖动和软驱动电路的设计,降低开关噪声,简化了EMI设计。CR6890H提供SOT23-6L的封装。
* e- |- z: n' z! W
1 n, M/ }. W  Y; t主要特点
# c  y9 E& ?- _& Q+ v& F2 u- ~. m2 S
● 较低的启动电流(大约3μA)
$ R+ K3 w7 I. R# b- t4 p● 内置软启动减少MOSFET应力3 N; `4 E6 x' O& b0 w) D9 a9 p' U
● CCM+PFM控制模式
+ y3 v7 n% v9 \5 e) I+ t0 t9 c+ `% h● 内建同步斜坡补偿,消除次谐波震荡9 V. ^5 i( D6 V( @, j( G: r
● 内建频率抖动功能,降低EMI; @  t2 N' P4 i( f+ P. J. K2 J
● 内置65kHz开关频率
  g5 `* \& S( k' H' P0 q' R● 轻载降低工作频率
! m8 x7 B& N2 X3 U● 15ms倍频模式
" `/ u0 G  r, D! q, Y% u7 P, \. \● 可编程外置过温保护并进入latch' l9 M" }& I/ D. K& I
● VDD过压保护和输出过压保护功能并进入latch! o. e. c) B  U( f+ C) {
● 内置前沿消隐电路. A' |) s: a$ C. v' u
● 内置输出二极管短路保护3 d, D0 P( w9 ~1 l& g1 c! D2 p
● 内置过温保护并进入latch
3 P) M0 S" r1 j● 过载保护
% N* y/ U6 z' v1 N0 P" ]● SOT23-6L封装/ f- X- t* Z7 Y! n% ~( O

0 K! p' F9 F1 h6 n) }6 O# b基本应用' m8 x3 |& e  z1 `* q; M' ?: L
8 G  v8 C% |' u
● AC/DC适配器2 G7 U% v- i+ x0 ^
● 电机类适配器
3 ]6 u+ l1 |" X$ Z● 充电器
: Q& [: `1 @: b, Y● 存储设备电源
/ L$ b) `  {3 M2 W
0 m2 u/ [/ t7 f# j4 ?* r典型应用
! k5 i3 k2 a1 v/ k1 d
管脚排列
3 E: }% S4 j4 T) N' O
管脚描述
8 q5 W  s, k' Q+ b0 O

: ?3 s  q  V2 t一、样机规格
& F7 o( b+ i0 A; x; h8 j& O
9 n3 O* l( L5 n9 a输出电压12V,输出负载5A,IC lot:HHP02。& X2 z' u# f8 [# P5 Y3 B
% f5 B" k& [& T$ B% u
修改参数:2 P1 A( n& M5 L) w

0 r- P& C6 m4 D* T; @- k0 N& g替换IC,RS1电阻由0.33R改为0.27R(直接并1R电阻)R9由47R改为200R,R8由33R改为20R。8 ^1 W1 m+ ~$ Q
( K- f5 W& n4 X( J
二、基本电性参数3 X, Q+ K4 A; `. `% ]6 h" x
三、基本波形6 e/ J& Z' A2 U9 H3 q: P, c) u) n
  X2 n9 m" ?9 n( a, C* I7 q
XX5533 264V/50HZ MOS波形

& H6 ]& V" U. Q% @$ [0 M
CR6890H 264V/50HZ MOS波形

: \7 F" J7 g4 ]& J
XX5533 264V/50HZ 肖特基波形
" E. M& W  N5 t+ c! K4 y
CR6890H 264V/50HZ 肖特基波形

/ N$ V0 h3 M, m6 `, t
XX5533 264V/50HZ GATE波形

: X6 s& z9 @' s
CR6890H 264V/50HZ GATE波形
; d- W5 A3 m# \! n$ x- @
XX5533 230V/50HZ 传导波形 N
& {4 t! C4 `- |( b8 s. f1 d# z
XX5533 230V/50HZ 传导波形 L
6 p( `3 Z* H' ~+ T# }9 N3 y& N3 U
CR6890H 230V/50HZ 传导波形 N

4 R7 h7 W% A9 u, s. f
CR6890H 230V/50HZ 传导波形 L

, Q* T8 I1 A" r, b5 K- X* m0 O
XX5533 230V/50HZ 辐射波形
) n6 @% L, _: U/ S& ?
XX5533 230V/50HZ 辐射波形

2 L6 w' l( k! {% q
CR6890H 230V/50HZ 辐射波形

) r- C6 w6 `5 t
CR6890H 230V/50HZ 辐射波形

1 M) F$ @' q! L/ |( X3 I对比结果1 _) t' V, B8 g$ l. Z

; Q" T  @9 M$ r+ d- E电性基本一致,CR6890H效率更高。
+ {3 o8 V5 a& S6 q, F5 P
2 L6 @$ Z2 X7 M! j' X

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