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两款电源芯片对决,谁能遥遥领先?看完测试报告有答案

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发表于 2023-3-16 10:50:13 | 显示全部楼层 |阅读模式
本帖最后由 思睿达小妹妹 于 2023-3-16 10:55 编辑
8 F" }$ `4 |7 f5 c. A
! O1 ?* W5 R% d: R0 ~' n4 K当今世界,人们的生活已是片刻也离不开电子设备。电源管理芯片在电子设备系统中担负起对电能的变换、分配、检测及其它电能管理的职责。电源管理芯片对电子系统而言是不可或缺的,其性能的优劣对整机的性能有着直接的影响。
& s& l; l+ }8 n. X% G
3 i4 f# m1 n% R  @4 d1 B+ C) _电源管理芯片的应用范围十分广泛,例如本公司主推的CR6890H可应用在AC/DC适配器、电机类适配器、充电器等。接下来,我们将CR6890H和电源IC XX5533进行对比测试,看看哪一款IC更胜一筹!: n& c4 F2 i4 ?) t' s1 E6 w, X# h

2 C. B* N3 v0 B: i7 V. n9 g: A关于CR6890H
) l8 S0 y$ R! E: U( Q6 y" W# @* z$ z, _7 H; d' E
CR6890H是一款高集成度、低待机功耗的CCM+PFM混合电流模式PWM控制器。CR6890H轻载时会降低频率,最低频率22kHz可避免音频噪声。CR6890H提供了完整的保护功能,如cycle-by-cycle电流限制、OCP、OTP、VDD_OVP、UVLO等,还可以通过PRT脚分别精确设置外置过温保护和输出电压过压保护。软启动功能可以减少系统启动时MOSFET的应力,前沿消隐时间简化了系统应用。通过频率抖动和软驱动电路的设计,降低开关噪声,简化了EMI设计。CR6890H提供SOT23-6L的封装。4 k5 y1 P# ~+ }8 K
2 S0 c. j0 R( `* w- _0 |" H. ]
主要特点7 |: w. I& Z/ d) q

1 a1 z, ^# F# c2 w- s$ e7 ?. c; O● 较低的启动电流(大约3μA)6 C) s% Q& O5 b) `; n
● 内置软启动减少MOSFET应力0 c, y  @8 u6 M& K# q, q/ f
● CCM+PFM控制模式- K  x( Y) r% c/ d
● 内建同步斜坡补偿,消除次谐波震荡
; |# l0 J. K5 o9 b5 X# C● 内建频率抖动功能,降低EMI5 I: a1 g/ @" i6 N4 C( {
● 内置65kHz开关频率* F1 O9 W( y6 a9 A$ J$ F- L: g
● 轻载降低工作频率
9 q! w; Q$ @  N% `. z: o● 15ms倍频模式
& P( }4 @$ T9 p● 可编程外置过温保护并进入latch9 I3 M0 D+ h& T2 x1 D
● VDD过压保护和输出过压保护功能并进入latch
6 `; q- |; h0 ?0 p' Z/ B$ V; n● 内置前沿消隐电路
, z; M8 F1 x5 a+ k% V● 内置输出二极管短路保护$ Y# [! U) d1 M1 C2 X; m
● 内置过温保护并进入latch- `) p) r; W  V7 S! o" l) p8 G
● 过载保护* G) A5 m: x) F2 q# R2 M9 F! E& o
● SOT23-6L封装3 o4 Q5 O( {5 R0 c! S: w- j
9 Z$ C) q* |( D
基本应用( P1 c: t" n3 A

) a0 S& S* ]* }● AC/DC适配器3 v* g- e( J* ^! y! H6 d
● 电机类适配器, L! n' [1 Q8 ^1 v6 g) t0 n
● 充电器
( D' C% I' s' A, a+ [& A  O● 存储设备电源
) u+ f8 v  ?) C0 p1 g- I/ }' e4 |( K# ^
典型应用) n. J: S( q5 F
管脚排列
5 Z/ _& G" l  E- y8 E. z" u: `
管脚描述
, c7 D9 p! s# c' P0 q9 a% e

; G% p. Z; i9 N; B/ z一、样机规格
7 N. P( B+ c+ ~8 k8 k9 Y2 A* `* s6 J' K8 a& Q2 Y1 \2 h' Q
输出电压12V,输出负载5A,IC lot:HHP02。: f6 ]9 N$ Q, Z2 m
" w, B3 w/ C' l
修改参数:
1 X( _, _7 ?5 J4 E9 r- k2 T7 f, o7 J  p) [0 V  U: |5 A+ y8 w
替换IC,RS1电阻由0.33R改为0.27R(直接并1R电阻)R9由47R改为200R,R8由33R改为20R。* N2 D9 L1 |: y! O( A: E
, X  n7 i: r( a! N9 U
二、基本电性参数' y& T2 N& n: L) ~- P" G2 v  x1 l
三、基本波形
! J0 w8 V) ~) x, M" R- x, u0 A" a8 l4 l
XX5533 264V/50HZ MOS波形
6 c: w6 U# p* S* {, h
CR6890H 264V/50HZ MOS波形
# v+ Z9 ^2 q' @# K  R
XX5533 264V/50HZ 肖特基波形
0 o* T0 ?/ o' W7 w. u
CR6890H 264V/50HZ 肖特基波形

$ V8 e8 H8 I4 w! ]
XX5533 264V/50HZ GATE波形
5 ]0 v: }, i: ^9 M5 z( n2 C% t
CR6890H 264V/50HZ GATE波形
' D5 j: g" ~% [$ Q* v
XX5533 230V/50HZ 传导波形 N
; e* N) K' |. E
XX5533 230V/50HZ 传导波形 L
5 C" w6 x7 r( }) L
CR6890H 230V/50HZ 传导波形 N
& Z! [+ \' p9 c& R0 y5 @' E' K( t: ~
CR6890H 230V/50HZ 传导波形 L

5 E, m: ^1 D5 a- n
XX5533 230V/50HZ 辐射波形

3 `$ d8 L& E6 Q6 K) j
XX5533 230V/50HZ 辐射波形
9 A7 F7 H/ R  |8 {1 l/ b
CR6890H 230V/50HZ 辐射波形
) o: n; `- W/ R% g' j. F
CR6890H 230V/50HZ 辐射波形
7 p8 u6 z+ _5 Y+ i+ f
对比结果' D  n5 _% K( u& l: Z
+ w" {# w+ F& I' F+ j
电性基本一致,CR6890H效率更高。: v0 Y2 i. S% {2 A* }& n3 ]

) v9 e1 `/ W! b( a) t1 k

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