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两款电源芯片对决,谁能遥遥领先?看完测试报告有答案

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发表于 2023-3-16 10:50:13 | 显示全部楼层 |阅读模式
本帖最后由 思睿达小妹妹 于 2023-3-16 10:55 编辑
) F' _& B8 Y5 R) p: v) e- Y
$ m" X9 T4 B# F' }当今世界,人们的生活已是片刻也离不开电子设备。电源管理芯片在电子设备系统中担负起对电能的变换、分配、检测及其它电能管理的职责。电源管理芯片对电子系统而言是不可或缺的,其性能的优劣对整机的性能有着直接的影响。* Q) _& K) E1 {% u* I
; O0 {0 `/ {/ d. B+ S/ x/ b9 M% K& S* o
电源管理芯片的应用范围十分广泛,例如本公司主推的CR6890H可应用在AC/DC适配器、电机类适配器、充电器等。接下来,我们将CR6890H和电源IC XX5533进行对比测试,看看哪一款IC更胜一筹!2 K$ K! T- ?& K& n% f

$ B  x  v5 x4 E8 I7 y关于CR6890H! C; K) m  ]8 H; X" x' c3 z- ]
+ O5 N& I2 g! R, q* Z9 ]5 [; b0 @
CR6890H是一款高集成度、低待机功耗的CCM+PFM混合电流模式PWM控制器。CR6890H轻载时会降低频率,最低频率22kHz可避免音频噪声。CR6890H提供了完整的保护功能,如cycle-by-cycle电流限制、OCP、OTP、VDD_OVP、UVLO等,还可以通过PRT脚分别精确设置外置过温保护和输出电压过压保护。软启动功能可以减少系统启动时MOSFET的应力,前沿消隐时间简化了系统应用。通过频率抖动和软驱动电路的设计,降低开关噪声,简化了EMI设计。CR6890H提供SOT23-6L的封装。
* ]( [/ C8 l1 z; [
6 w& I! c" m- Z) R  {& T主要特点
$ H8 k0 r! h* h( y$ [, ?  f7 M$ N6 k1 h" @
● 较低的启动电流(大约3μA)
5 B# Q) A/ R! v7 `● 内置软启动减少MOSFET应力! X* q3 r. j7 V+ ?2 }1 R$ S
● CCM+PFM控制模式, z6 _1 I9 F$ R. B
● 内建同步斜坡补偿,消除次谐波震荡
0 b4 v1 s; l0 P$ W6 [● 内建频率抖动功能,降低EMI
4 ~. h% u; t) A4 H0 M8 Q1 K2 q- q● 内置65kHz开关频率, U7 p7 Y9 {  n. d. q: F
● 轻载降低工作频率
- V2 M& S# K6 R● 15ms倍频模式
9 U9 U& V4 {, [3 n● 可编程外置过温保护并进入latch+ _" @& \" x1 z/ D+ h- o
● VDD过压保护和输出过压保护功能并进入latch9 [. S5 B: c) k, e
● 内置前沿消隐电路
$ j9 ^! e  Z7 Z1 K/ n- W● 内置输出二极管短路保护2 p5 g  c! l6 p9 R4 r9 c6 M' [
● 内置过温保护并进入latch
) ?6 P; O8 S. ]+ d7 ^) v' W● 过载保护) v( E- j9 B% d( U4 m4 p& s- k
● SOT23-6L封装
* `% m  r$ b1 U, e" v5 J9 r/ v
( s- e, t# q3 \) r. o2 N基本应用, u2 |. L- `0 {3 ]

5 ^6 @: _6 m- g/ K8 E" G● AC/DC适配器/ d  c2 P) v7 `* B/ G. r+ V
● 电机类适配器
) {$ J* j3 y; d3 y6 ?  }● 充电器
# Y2 k! ?- g, U4 L● 存储设备电源. [* e/ M- g" Q
( g$ I& e4 Q, o
典型应用
" c6 S) K3 C1 K+ F9 E' W
管脚排列
7 ]/ Y6 k) b; C0 B) \0 l5 ]
管脚描述0 }( P# s6 U2 o6 G  D0 _) }

( u. d" s) r& J! b+ {一、样机规格; Z& ]! v7 V" g  D3 D3 ]* x+ p0 }
5 ^9 L' P/ L8 C2 F$ Q
输出电压12V,输出负载5A,IC lot:HHP02。# M( @( t) ]/ u

* U9 Q/ l4 i7 c) L: M, H, l修改参数:. A( d* v1 w  K  ~( J
. w6 u' A. e+ @  O! C. K3 B* b+ i* Y
替换IC,RS1电阻由0.33R改为0.27R(直接并1R电阻)R9由47R改为200R,R8由33R改为20R。& B  W2 I' [; v0 ?7 f. Z4 Y0 i
. n5 }6 i& p- f8 ?3 H
二、基本电性参数* F9 A" p) m3 Q; u0 _$ @: k  n' Y, [
三、基本波形; S9 g8 }- M7 w: B) r, s1 X
8 h# q; ~2 Y2 y5 ~/ i1 D
XX5533 264V/50HZ MOS波形

; y, |/ y0 H( H, h
CR6890H 264V/50HZ MOS波形

/ |! [' l! c/ Y* _& M6 I5 |) c: j
XX5533 264V/50HZ 肖特基波形

4 _+ o; H) w( g
CR6890H 264V/50HZ 肖特基波形
: x! x, J8 e" i! q# I
XX5533 264V/50HZ GATE波形

6 w" G- C: c* P% A2 Q
CR6890H 264V/50HZ GATE波形
1 a; F/ F3 a4 a4 y& G
XX5533 230V/50HZ 传导波形 N
  O' t1 n# n5 y/ i5 T0 F
XX5533 230V/50HZ 传导波形 L
& R9 V/ |# C- [, w% {( T
CR6890H 230V/50HZ 传导波形 N

$ Q, u7 w* Y  X6 u1 L5 @# S
CR6890H 230V/50HZ 传导波形 L

2 K" n6 X) O" l4 \( x7 h
XX5533 230V/50HZ 辐射波形

5 N3 q8 ?! U6 m8 ?8 g
XX5533 230V/50HZ 辐射波形
8 ~6 _5 E) o" M+ [# ?+ Y* [
CR6890H 230V/50HZ 辐射波形
( H! l( J+ W' w4 i( _  p
CR6890H 230V/50HZ 辐射波形
3 Q# [! g9 o; g. E- _. @' h
对比结果) K; I; a4 {9 B5 r$ E# ~, z( _
# d! R1 `1 h1 P2 b- B
电性基本一致,CR6890H效率更高。$ I6 E2 z5 \. i* K

" b. j( \. W+ d9 C* K( t' K( V

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