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两款电源芯片对决,谁能遥遥领先?看完测试报告有答案

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发表于 2023-3-16 10:50:13 | 显示全部楼层 |阅读模式
本帖最后由 思睿达小妹妹 于 2023-3-16 10:55 编辑 : ~% }( |' I! I# a& W* ^
2 N4 h- t* x1 z% ^9 X8 W$ i
当今世界,人们的生活已是片刻也离不开电子设备。电源管理芯片在电子设备系统中担负起对电能的变换、分配、检测及其它电能管理的职责。电源管理芯片对电子系统而言是不可或缺的,其性能的优劣对整机的性能有着直接的影响。
, o/ s  l- D$ G; [6 |- J1 W& a# G( y/ b) [$ p
电源管理芯片的应用范围十分广泛,例如本公司主推的CR6890H可应用在AC/DC适配器、电机类适配器、充电器等。接下来,我们将CR6890H和电源IC XX5533进行对比测试,看看哪一款IC更胜一筹!
: F& n- }% l0 A( T$ w0 x$ W2 w7 P
3 i. m" U# H0 H5 p" `) r! h0 t关于CR6890H
, U$ S, \) H8 r* Y6 [' ?, w
& I0 j  D1 b6 F3 P2 h: p4 a1 pCR6890H是一款高集成度、低待机功耗的CCM+PFM混合电流模式PWM控制器。CR6890H轻载时会降低频率,最低频率22kHz可避免音频噪声。CR6890H提供了完整的保护功能,如cycle-by-cycle电流限制、OCP、OTP、VDD_OVP、UVLO等,还可以通过PRT脚分别精确设置外置过温保护和输出电压过压保护。软启动功能可以减少系统启动时MOSFET的应力,前沿消隐时间简化了系统应用。通过频率抖动和软驱动电路的设计,降低开关噪声,简化了EMI设计。CR6890H提供SOT23-6L的封装。
/ I/ G  r* ~5 G+ \) }
; ^1 G- w6 Y( L5 z& f主要特点0 A- I) K8 \0 M3 ~! u: E+ F% q
; ?5 O8 f6 J1 W
● 较低的启动电流(大约3μA)6 i) ?: t# {& z/ l: Z! W& r
● 内置软启动减少MOSFET应力
; H5 Y7 }$ A0 U( U! ~( ^● CCM+PFM控制模式6 B: k8 [7 R- Q9 R9 {  J' X% d
● 内建同步斜坡补偿,消除次谐波震荡
7 o  w0 w* J' t9 x0 N( A● 内建频率抖动功能,降低EMI/ I3 p5 }& ~: _) ?! a
● 内置65kHz开关频率
2 ]$ J" w8 Q* S: c- ?/ {● 轻载降低工作频率, [3 o, L" ?7 h6 l! A: i
● 15ms倍频模式5 O) [/ B0 T. ?: D/ H6 N2 c
● 可编程外置过温保护并进入latch* l+ H% t+ X3 Q/ U  N
● VDD过压保护和输出过压保护功能并进入latch4 F, J2 k3 j/ C' q/ B. d
● 内置前沿消隐电路" Q! i# H% ^/ y, ^5 s
● 内置输出二极管短路保护* o/ v' S+ B8 d8 D& ~: Q
● 内置过温保护并进入latch
* Z5 x4 M3 x' k: E6 c● 过载保护) f: Q8 C$ x4 ~
● SOT23-6L封装
' m' y- r# r! e5 Z" m5 e# B7 F  b! Y7 [
基本应用3 k, e6 ?5 B! A; X
/ v! f2 J5 i8 D% L/ z
● AC/DC适配器. @. _) y* D! j! e
● 电机类适配器
" x, O8 e3 U0 C- k% b● 充电器
( r+ k7 J7 j4 o  ?5 L8 V1 Q- e; J● 存储设备电源- i) V: c0 P6 T6 K) M* T

3 L+ b0 x& e: j典型应用
2 ]" L* x' C$ G* r
管脚排列8 A0 M7 J7 F# H8 p  ^# ^! W, d+ O
管脚描述
# A& s* f! A% s4 w3 Z) s8 y- |6 d

1 U# |0 I1 o  ?9 C( V  s一、样机规格
$ r$ P7 \) t8 ^$ o
1 {; U. I6 |: C输出电压12V,输出负载5A,IC lot:HHP02。6 e2 T& W+ Z' K/ W$ J: Y; x( q$ E
, f' X& h  o" S& W! V
修改参数:3 S5 d, u8 R+ K8 K4 k9 U6 T. Z
8 k+ x9 F& _3 e3 K+ k* d
替换IC,RS1电阻由0.33R改为0.27R(直接并1R电阻)R9由47R改为200R,R8由33R改为20R。
/ ?! K5 K! S% o- z* I2 o1 \( h) O$ l+ D5 s9 l3 O
二、基本电性参数  ]9 j( g* b2 Y+ ?
三、基本波形' Q. m. F! c& [; T
* C  d7 ]7 Z$ D, P/ i: N
XX5533 264V/50HZ MOS波形
) k1 h; L7 X: _
CR6890H 264V/50HZ MOS波形

, b6 c& R5 {8 r3 |6 b. P3 I/ H
XX5533 264V/50HZ 肖特基波形

+ f, k0 p% h' Z1 r0 J1 \6 B4 q
CR6890H 264V/50HZ 肖特基波形
( J* f6 u( ]8 F# M6 h# L, ]
XX5533 264V/50HZ GATE波形
: L1 \' {  S  C8 H6 E
CR6890H 264V/50HZ GATE波形
9 @+ N+ Q( \2 W5 q5 N% ?+ E
XX5533 230V/50HZ 传导波形 N

" z4 J0 T: E: `9 c& r: o
XX5533 230V/50HZ 传导波形 L
- b9 q+ ?* X( x
CR6890H 230V/50HZ 传导波形 N

. u& H, B. l; b- H7 |4 e) M
CR6890H 230V/50HZ 传导波形 L
6 R8 K) T) g. e, O
XX5533 230V/50HZ 辐射波形

& v- [2 n5 c: C
XX5533 230V/50HZ 辐射波形
' o% I! s( \1 O) Z8 u
CR6890H 230V/50HZ 辐射波形

# M( ]- J. s+ T1 A/ d% _& |! Q
CR6890H 230V/50HZ 辐射波形
7 w/ v& ]/ z9 u* M0 |: l
对比结果& `/ Q* u6 B& o  l) h* i7 t/ t

8 Z2 b: K' r( y- N3 u7 V9 h0 b电性基本一致,CR6890H效率更高。+ m( [: Q- U1 r: z* p5 o% f

6 d0 P' `4 S" U4 H7 r, J

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