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两款电源芯片对决,谁能遥遥领先?看完测试报告有答案

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发表于 2023-3-16 10:50:13 | 显示全部楼层 |阅读模式
本帖最后由 思睿达小妹妹 于 2023-3-16 10:55 编辑   |2 ^8 w* f% I1 c

) J# n3 o  C- u1 U! j* o  q当今世界,人们的生活已是片刻也离不开电子设备。电源管理芯片在电子设备系统中担负起对电能的变换、分配、检测及其它电能管理的职责。电源管理芯片对电子系统而言是不可或缺的,其性能的优劣对整机的性能有着直接的影响。
: F* w- p% G0 j6 Z. B8 n3 Z1 T/ u  S( ]' g; H
电源管理芯片的应用范围十分广泛,例如本公司主推的CR6890H可应用在AC/DC适配器、电机类适配器、充电器等。接下来,我们将CR6890H和电源IC XX5533进行对比测试,看看哪一款IC更胜一筹!; {: \6 \, H! U) f

0 Y  G; t  v0 q; g% v关于CR6890H
' c1 X2 R: W( r9 O! c& x5 z3 d; Y2 b& S0 O, L0 B" c
CR6890H是一款高集成度、低待机功耗的CCM+PFM混合电流模式PWM控制器。CR6890H轻载时会降低频率,最低频率22kHz可避免音频噪声。CR6890H提供了完整的保护功能,如cycle-by-cycle电流限制、OCP、OTP、VDD_OVP、UVLO等,还可以通过PRT脚分别精确设置外置过温保护和输出电压过压保护。软启动功能可以减少系统启动时MOSFET的应力,前沿消隐时间简化了系统应用。通过频率抖动和软驱动电路的设计,降低开关噪声,简化了EMI设计。CR6890H提供SOT23-6L的封装。$ ?  h2 Q8 q5 m& h7 G) v" i! G
( Q2 V/ G8 J5 m: O, l  Z, R7 b
主要特点! X- F. v1 F3 u/ x3 @; D& r, [

$ m6 m& A3 K$ W9 G● 较低的启动电流(大约3μA). E5 w& j: w2 ~0 T1 z" G+ U
● 内置软启动减少MOSFET应力
) M/ H' W  [" }# t) [: B' p● CCM+PFM控制模式
! X% ^1 \9 a  ?" p● 内建同步斜坡补偿,消除次谐波震荡
/ n) J6 H5 L9 W' j● 内建频率抖动功能,降低EMI
* R1 i& l. b* y● 内置65kHz开关频率
4 g1 c8 _: O3 D3 v● 轻载降低工作频率# A, E' Y, |  v' M( ]
● 15ms倍频模式2 x' Y* n* f: L7 z* ]* h/ S
● 可编程外置过温保护并进入latch. v+ n7 D, e- g: K
● VDD过压保护和输出过压保护功能并进入latch
/ V0 m# G6 j4 h8 B  _● 内置前沿消隐电路4 J8 E7 Q4 y8 t( ]# [
● 内置输出二极管短路保护# r- ~; g! @8 |
● 内置过温保护并进入latch
+ }- ^3 m( V  t● 过载保护
0 l' z" F, ?: X7 r; e, n) {1 h● SOT23-6L封装
2 ]0 v0 D; T) L1 D) ~. f8 R" a& q# i7 _" S% J! z3 _* W" ?% R' M, `5 U
基本应用
  m# v2 |2 a: i% p, t) |: M! j9 I8 Y. ]% L1 X' E, N6 G
● AC/DC适配器; P$ M0 s$ J" [" M, k* P
● 电机类适配器3 c2 }, v- z& _7 |1 v: O% Q
● 充电器9 B/ w+ |; P7 I. J' k, F. A+ y* t
● 存储设备电源! B8 U/ J$ [3 e) B9 ]. s6 V1 ?
  z2 S* L: X4 z5 g
典型应用
, @6 w! M5 a4 \) c1 ]5 ~
管脚排列
: n9 R, ^7 S1 ]4 p8 F! W/ C1 l
管脚描述9 n& m4 x4 P# y& M0 J% ~
8 C- {: J, j  Y7 x
一、样机规格
* D& q3 H- _* K4 h0 Z$ m6 b4 N- y% p/ M/ z# ^: p8 h0 q5 X+ X' V  ^4 p
输出电压12V,输出负载5A,IC lot:HHP02。
- ]( s% {1 k3 X9 G/ K
0 i0 A& i( h8 G. d0 n修改参数:
8 S  A  J- _" ], J1 m1 \+ c- V: T( e
替换IC,RS1电阻由0.33R改为0.27R(直接并1R电阻)R9由47R改为200R,R8由33R改为20R。+ {* L' s6 t6 p9 x2 ~$ n/ M( V
7 E6 F4 X* \7 N" X- e
二、基本电性参数2 J* B% H. G) y, X5 w) v3 w: j
三、基本波形
% {& h; Z7 q) o0 b4 B! ~) c! e+ N' U( j
XX5533 264V/50HZ MOS波形

+ r  W0 [+ ?& k5 y4 Y
CR6890H 264V/50HZ MOS波形

4 R- {' B9 F9 D
XX5533 264V/50HZ 肖特基波形
, n0 E1 P+ ~: w+ Q  j' P1 C
CR6890H 264V/50HZ 肖特基波形
/ g0 t' q* c: ?
XX5533 264V/50HZ GATE波形
9 `# a3 S- a; F. e- N5 S' n
CR6890H 264V/50HZ GATE波形

2 V$ ?6 ^6 ~. |& E% N
XX5533 230V/50HZ 传导波形 N
8 [, I& o! e! _! C) i. f* v
XX5533 230V/50HZ 传导波形 L

+ J  D8 @; [* Z+ U6 P+ l
CR6890H 230V/50HZ 传导波形 N

' ~- [/ X+ x: A- Z
CR6890H 230V/50HZ 传导波形 L

7 g) m# V3 B# f# l
XX5533 230V/50HZ 辐射波形

2 n" t6 X% p, {# n
XX5533 230V/50HZ 辐射波形

0 m& D- r* q' ]7 e* I8 V
CR6890H 230V/50HZ 辐射波形

4 J( d. t7 D) m* d1 B  J9 {: l
CR6890H 230V/50HZ 辐射波形
) w. @- G# ?' M( W# e9 @' |9 {
对比结果
3 O! [$ d7 ?  `0 g- L& k% d: }6 r
5 r& K* Y8 q0 c3 p电性基本一致,CR6890H效率更高。
/ x8 w0 z5 e) j" R
: S. ?" e! P9 E0 o3 S

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