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两款电源芯片对决,谁能遥遥领先?看完测试报告有答案

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发表于 2023-3-16 10:50:13 | 显示全部楼层 |阅读模式
本帖最后由 思睿达小妹妹 于 2023-3-16 10:55 编辑 + v4 ?+ W  w. ], E, l
: G7 D7 u% O1 f: z! b5 G  C
当今世界,人们的生活已是片刻也离不开电子设备。电源管理芯片在电子设备系统中担负起对电能的变换、分配、检测及其它电能管理的职责。电源管理芯片对电子系统而言是不可或缺的,其性能的优劣对整机的性能有着直接的影响。1 c( @# q6 z" b/ `

; N& C) u/ @$ _; _电源管理芯片的应用范围十分广泛,例如本公司主推的CR6890H可应用在AC/DC适配器、电机类适配器、充电器等。接下来,我们将CR6890H和电源IC XX5533进行对比测试,看看哪一款IC更胜一筹!: W% C6 Q/ c( B( Y0 P! j
" q! |$ @5 B) i2 E/ y
关于CR6890H3 E- B3 R& @3 }4 \. v( r: O

7 D% S; B8 u+ @1 vCR6890H是一款高集成度、低待机功耗的CCM+PFM混合电流模式PWM控制器。CR6890H轻载时会降低频率,最低频率22kHz可避免音频噪声。CR6890H提供了完整的保护功能,如cycle-by-cycle电流限制、OCP、OTP、VDD_OVP、UVLO等,还可以通过PRT脚分别精确设置外置过温保护和输出电压过压保护。软启动功能可以减少系统启动时MOSFET的应力,前沿消隐时间简化了系统应用。通过频率抖动和软驱动电路的设计,降低开关噪声,简化了EMI设计。CR6890H提供SOT23-6L的封装。
2 a* c" ~# m) U$ Z7 t7 w( I& y6 e" \) b, p, a& Q
主要特点9 |( `8 e5 Z2 \, T' f0 M! t
/ N% x% E! {' F5 A8 O. e, z2 H
● 较低的启动电流(大约3μA)/ O: ]$ u6 Q+ G$ J3 n+ d
● 内置软启动减少MOSFET应力1 L: t- v% m, }' y' ^# U
● CCM+PFM控制模式
; [- \& S* F# {● 内建同步斜坡补偿,消除次谐波震荡0 d' |! y. ~* {
● 内建频率抖动功能,降低EMI
2 y8 `+ M; C: i1 t' V! s; p: i  e+ w● 内置65kHz开关频率
% M" l! x& @( u, w: r0 P● 轻载降低工作频率
9 r6 V0 @3 G6 |" e- V5 H9 @; Y● 15ms倍频模式
7 ]* H9 V. H; K4 ^5 u● 可编程外置过温保护并进入latch
# c. c5 s& Z' Y" |! c4 G& S% G● VDD过压保护和输出过压保护功能并进入latch
- V4 \: i( T% {0 i● 内置前沿消隐电路
/ Q" E* f3 ]: H6 u● 内置输出二极管短路保护& W3 b$ U+ W( m  {
● 内置过温保护并进入latch
" s- C  L9 B1 r1 S6 ]" c$ X7 T● 过载保护, R' k+ N" E& c2 E' M9 d
● SOT23-6L封装$ q0 p7 O% c. G5 E
7 E+ x6 y% \# g/ c$ P. |4 ]
基本应用: |5 t0 \( l9 T

0 ~  L( _/ F2 S- z9 F● AC/DC适配器
* o3 V3 O. x, n' R( _) v● 电机类适配器$ j5 S1 i( l1 B, a# o& N" A6 C
● 充电器
7 A! i1 x7 G1 t0 w● 存储设备电源" P) P  u( Y+ K4 \* n* a7 T
: [; ~" P# D$ K3 m( W* b
典型应用
; ^$ Q! S5 ~! r$ P
管脚排列
/ I3 k" w8 v$ v: S
管脚描述
8 T9 a( H" q+ l! {. J: U( I- N
& L9 R% v" \1 h8 j9 J: W
一、样机规格& U) R# {7 f* ], Q3 W3 E# w" g, `

. ~2 w1 Z# m, ?; \, t7 R" k输出电压12V,输出负载5A,IC lot:HHP02。
4 N$ `. K7 B% E
. N  j7 o7 ~. A, k2 h- ~( ~9 p修改参数:* f) Q9 u8 h4 [( o; @

/ G7 [* o5 u& |# S6 t4 ]( J替换IC,RS1电阻由0.33R改为0.27R(直接并1R电阻)R9由47R改为200R,R8由33R改为20R。
8 P& M$ S7 m7 \/ H
8 t1 ]) w6 ?1 X7 N5 F二、基本电性参数# L2 P9 N- A; P2 F
三、基本波形
. p8 x; e! P1 s1 A# M7 B* l0 K& t  J4 c" w! a8 I
XX5533 264V/50HZ MOS波形
" I3 n" J4 S( {
CR6890H 264V/50HZ MOS波形

2 Y1 Y& q2 o% S4 H+ a* s0 {
XX5533 264V/50HZ 肖特基波形

( d3 K7 A& K! M' f2 d; S
CR6890H 264V/50HZ 肖特基波形

7 ?  T% E1 S/ x6 ~" F* J
XX5533 264V/50HZ GATE波形
( z" g  G  w6 @* F1 V
CR6890H 264V/50HZ GATE波形

0 J/ ^. q7 b/ L+ o- A' y
XX5533 230V/50HZ 传导波形 N

, D( t" `4 N1 r% x2 a2 n8 [7 x
XX5533 230V/50HZ 传导波形 L

7 {: J4 @4 M7 Y
CR6890H 230V/50HZ 传导波形 N

0 V" n) s4 M/ |4 z9 I2 W
CR6890H 230V/50HZ 传导波形 L

" ~( {9 H* E; X' D$ @
XX5533 230V/50HZ 辐射波形

" _2 d) @9 p) X$ G2 e6 d) }
XX5533 230V/50HZ 辐射波形

' ^1 {8 r7 r3 X6 r- ^: w2 J, y$ `; x2 N
CR6890H 230V/50HZ 辐射波形
; O6 Q3 S0 ~: j& ?% ]6 j+ m# f
CR6890H 230V/50HZ 辐射波形

6 ]% d* n% U5 \- E+ [& b2 w; n/ z对比结果; f  U0 H4 Z: H7 H- x6 h, o
& m9 H) {. o4 D5 D5 h
电性基本一致,CR6890H效率更高。
: f! I- B! Y  x& z$ L/ A5 x
$ y* L0 `2 P$ i

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