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两款电源芯片对决,谁能遥遥领先?看完测试报告有答案

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发表于 2023-3-16 10:50:13 | 显示全部楼层 |阅读模式
本帖最后由 思睿达小妹妹 于 2023-3-16 10:55 编辑 8 |: ^& m; P( }  c  d* g
: O  H& n) ^' l% ]: Q1 [
当今世界,人们的生活已是片刻也离不开电子设备。电源管理芯片在电子设备系统中担负起对电能的变换、分配、检测及其它电能管理的职责。电源管理芯片对电子系统而言是不可或缺的,其性能的优劣对整机的性能有着直接的影响。
+ d9 E' a  n. N4 |8 u" F5 C0 b( u. U- R# B0 g9 f
电源管理芯片的应用范围十分广泛,例如本公司主推的CR6890H可应用在AC/DC适配器、电机类适配器、充电器等。接下来,我们将CR6890H和电源IC XX5533进行对比测试,看看哪一款IC更胜一筹!
- x, L$ _1 R* `2 q) b8 R* z5 ~# _3 v4 p% P
关于CR6890H) W; `3 k! I( f1 o/ |8 m! m

( f0 H& \3 c+ {' ~" \CR6890H是一款高集成度、低待机功耗的CCM+PFM混合电流模式PWM控制器。CR6890H轻载时会降低频率,最低频率22kHz可避免音频噪声。CR6890H提供了完整的保护功能,如cycle-by-cycle电流限制、OCP、OTP、VDD_OVP、UVLO等,还可以通过PRT脚分别精确设置外置过温保护和输出电压过压保护。软启动功能可以减少系统启动时MOSFET的应力,前沿消隐时间简化了系统应用。通过频率抖动和软驱动电路的设计,降低开关噪声,简化了EMI设计。CR6890H提供SOT23-6L的封装。7 u. U* B5 v3 G/ g0 |0 ?
) O. p3 e& T9 z( P
主要特点
2 i1 {, F/ |4 p, g- |
& ^6 w5 ?1 o8 L) V) C● 较低的启动电流(大约3μA)7 K- ~, {0 Z0 m3 F# V# G2 s+ m
● 内置软启动减少MOSFET应力7 g9 V3 ^8 Q/ l( t9 T
● CCM+PFM控制模式
  q9 `( x% _  u- h- m9 w● 内建同步斜坡补偿,消除次谐波震荡
4 A, W# D& u+ }8 Y● 内建频率抖动功能,降低EMI
. U1 A2 a, P( U9 N' @● 内置65kHz开关频率: h" c+ n* b4 ~* N) ~. ]: `2 n
● 轻载降低工作频率
: K2 [- U" @$ a: m/ N● 15ms倍频模式! U9 q5 d8 Y( c
● 可编程外置过温保护并进入latch. ?8 s* g! ?2 m9 ]$ d/ ^1 @
● VDD过压保护和输出过压保护功能并进入latch
$ J; \' Q; T/ `" t0 B% p- i& a, g# w1 ~● 内置前沿消隐电路
, N& h% n3 n6 X& o● 内置输出二极管短路保护) G$ P7 Y1 C7 f* M: W
● 内置过温保护并进入latch  n0 D7 s9 s% }% Y
● 过载保护$ L( k3 L' D# i% j
● SOT23-6L封装; {3 g" l" j- J" d
3 A- D) q9 [3 E! l* }
基本应用
' X7 z. U7 N. v4 v3 B$ k3 A
5 g0 c! ^) o2 P# s7 M● AC/DC适配器# L9 N$ U' Y3 O# \& E
● 电机类适配器
! e' ^) J& K$ K/ B● 充电器
' T5 F/ V# q. F; B9 C, Q● 存储设备电源
; C; S$ M: L* \. H% r* S0 S6 f9 X$ I
+ J  U' j6 _- m3 b典型应用* [% t  _0 `* d7 l# u! [
管脚排列' C! O  K. ?5 P1 u3 z+ G" K  D
管脚描述: V" M) s" U  I* O7 Y* |2 a

' L' }& U" @  Z一、样机规格  Q0 \; e$ {" P% |+ {9 b4 Y
' w6 @) {, V: V6 L# N  o
输出电压12V,输出负载5A,IC lot:HHP02。7 t- [+ k. ?/ Q/ h6 J! p4 L

5 Y$ Q+ t  g) X4 g$ V4 q! M* X修改参数:
$ j0 [. u- A4 k: D5 u
* L' R  G3 g# i$ `8 ]' P: c3 e替换IC,RS1电阻由0.33R改为0.27R(直接并1R电阻)R9由47R改为200R,R8由33R改为20R。
. {; L4 Z( `( C1 q5 w5 W4 e4 A0 M/ C/ M/ Q( [
二、基本电性参数& B- K/ f3 K1 f/ m# m- M
三、基本波形9 r% E% }2 g. |; Y9 t8 l
* R- s5 L9 T5 N* O  ]
XX5533 264V/50HZ MOS波形
. r9 ]4 i% T' O- Y* F
CR6890H 264V/50HZ MOS波形
( H7 e0 b$ g- A9 F, g; Q
XX5533 264V/50HZ 肖特基波形
/ L0 m0 o; J5 S3 G) m8 ]0 P
CR6890H 264V/50HZ 肖特基波形

* z3 g8 G" O2 F! B& ^! t
XX5533 264V/50HZ GATE波形
2 a9 i) H: y5 W2 ?; h4 [, m: s
CR6890H 264V/50HZ GATE波形
2 B0 x* S3 x/ _6 A' X. n
XX5533 230V/50HZ 传导波形 N

6 U# J9 ^: f3 v
XX5533 230V/50HZ 传导波形 L

/ I$ s/ F* c2 W
CR6890H 230V/50HZ 传导波形 N

& F. ~2 i6 h7 g8 x0 C
CR6890H 230V/50HZ 传导波形 L

0 o7 v- h1 }+ T+ i
XX5533 230V/50HZ 辐射波形
1 |6 ?5 u5 A" q1 F
XX5533 230V/50HZ 辐射波形
/ r& e3 h0 F. ]# i) V# g
CR6890H 230V/50HZ 辐射波形

2 Q: _* ]7 W7 t' ?, @- R* C" \
CR6890H 230V/50HZ 辐射波形
) F# A5 I  ?! z6 K
对比结果7 X, Q8 g9 E3 o
& ~: D8 R- Q# J" g2 h. L8 R+ e
电性基本一致,CR6890H效率更高。
' B6 c, N: |; `( G% `4 Y# k
% C- C, w6 M# h, Z$ Q& J

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