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本帖最后由 思睿达小妹妹 于 2023-3-16 10:55 编辑 ( p& K- |: C+ @3 c- j! z* ^
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当今世界,人们的生活已是片刻也离不开电子设备。电源管理芯片在电子设备系统中担负起对电能的变换、分配、检测及其它电能管理的职责。电源管理芯片对电子系统而言是不可或缺的,其性能的优劣对整机的性能有着直接的影响。
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, _" B( {2 e# E3 ^* \电源管理芯片的应用范围十分广泛,例如本公司主推的CR6890H可应用在AC/DC适配器、电机类适配器、充电器等。接下来,我们将CR6890H和电源IC XX5533进行对比测试,看看哪一款IC更胜一筹!
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关于CR6890H2 D$ U# W( F6 x
% m$ Q' g2 |; r. U: K7 N# lCR6890H是一款高集成度、低待机功耗的CCM+PFM混合电流模式PWM控制器。CR6890H轻载时会降低频率,最低频率22kHz可避免音频噪声。CR6890H提供了完整的保护功能,如cycle-by-cycle电流限制、OCP、OTP、VDD_OVP、UVLO等,还可以通过PRT脚分别精确设置外置过温保护和输出电压过压保护。软启动功能可以减少系统启动时MOSFET的应力,前沿消隐时间简化了系统应用。通过频率抖动和软驱动电路的设计,降低开关噪声,简化了EMI设计。CR6890H提供SOT23-6L的封装。
2 T i1 U* I2 a5 k% }( T6 c5 Y' Z6 {* S: X
主要特点
( y, g0 K3 K6 X( @4 ^1 P: f5 ~2 Y/ R; B4 Z J& S# x! E
● 较低的启动电流(大约3μA)
: d2 q6 l/ a/ _; O8 g( ]8 `● 内置软启动减少MOSFET应力
/ o) J) D6 O# K) e● CCM+PFM控制模式2 T: D9 o% y! F0 K* h
● 内建同步斜坡补偿,消除次谐波震荡
+ N6 A5 G3 @: s0 }4 r& E& \+ W● 内建频率抖动功能,降低EMI
6 ?# e9 p4 q# W+ w5 p& s● 内置65kHz开关频率
3 |* }# {# ] R. G1 |" C: ?9 E● 轻载降低工作频率5 |. U$ d7 o* |* f- _$ a+ x2 K2 ]9 ~
● 15ms倍频模式* |5 Q' S7 S7 @8 y
● 可编程外置过温保护并进入latch
$ k+ X) K0 p" T3 T% `● VDD过压保护和输出过压保护功能并进入latch
, j0 {# b# P8 |# e9 s8 {● 内置前沿消隐电路
* Q9 E2 f: b( m# n3 j- @● 内置输出二极管短路保护+ T, a6 ]: `* |
● 内置过温保护并进入latch" T3 }2 \) u" Q2 P/ j. n' ~
● 过载保护
P1 D7 J: s6 O/ z3 S4 n" F* Z `6 D● SOT23-6L封装
- A: e! \ K9 R, j& b) \' B
2 C5 R0 G/ R) ^! e/ P4 k基本应用
~1 d0 S* Q4 o& M, i% U# Q' j9 _3 {& j) a, e
● AC/DC适配器
F6 n* j0 w1 o& ?! Z● 电机类适配器& D" H% b) j/ c/ M+ v
● 充电器5 E+ Q0 M' w2 r5 O8 q' w
● 存储设备电源& q* O& X3 ~: g& u) V2 Y' p
8 I& u, H2 f) c" u- ], f n/ v典型应用1 k2 _ ?( q: }$ P
管脚排列
% m0 S$ Q7 B/ \+ ?9 e管脚描述
/ O! z+ Z1 T7 t4 A. X8 k3 y! _: y, ^+ L
一、样机规格( b+ L# o/ @* C, S
" ]3 L# v- H* [输出电压12V,输出负载5A,IC lot:HHP02。0 I/ w8 M5 ^9 u# o0 N3 Z
1 ~. d, m+ s' J( e7 p& }8 V3 P
修改参数:4 R) t8 [* q! J& R8 `- D+ e! F3 \6 n$ h
0 i5 q* l9 D- L0 a2 d J1 ?
替换IC,RS1电阻由0.33R改为0.27R(直接并1R电阻)R9由47R改为200R,R8由33R改为20R。' [; {0 l! v1 f
( _8 h) R0 F2 F( o' S( R0 \" j; Z3 A/ Y
二、基本电性参数
6 J, n+ `: K3 r( z. ^ o4 d+ y三、基本波形; n2 H7 ]( H( W& g
3 h' _* Y6 B6 F% wXX5533 264V/50HZ MOS波形 ; k$ w0 X4 D3 p* K* N- _
CR6890H 264V/50HZ MOS波形 ! o: W# Q# E$ g# e/ ~: L9 q# o
XX5533 264V/50HZ 肖特基波形
1 e# {% o: J4 Q% k7 V3 H" VCR6890H 264V/50HZ 肖特基波形 ( O( _+ ~* k9 ?7 ]/ Y# V
XX5533 264V/50HZ GATE波形 5 b+ U* Z& `# y7 U* G8 |0 @
CR6890H 264V/50HZ GATE波形 6 D+ W0 _2 j" M N0 t# w
XX5533 230V/50HZ 传导波形 N _4 z' b: X7 W) W* C
XX5533 230V/50HZ 传导波形 L
) |: ?2 q. i5 B) U7 b/ {- GCR6890H 230V/50HZ 传导波形 N
2 C: `# K6 f* J. m& n3 @CR6890H 230V/50HZ 传导波形 L
. I e$ ^9 u& r% z" dXX5533 230V/50HZ 辐射波形
- y5 l7 l2 M. {2 Q1 d3 m: SXX5533 230V/50HZ 辐射波形
" x1 B' i+ Y5 d9 w- OCR6890H 230V/50HZ 辐射波形 6 v X( ?" ~3 l$ T
CR6890H 230V/50HZ 辐射波形
& U) D2 d8 b+ j o/ I对比结果* G) D7 V- t2 ]3 @1 n: z
+ @8 Z0 ~2 E2 D& Z8 `) b
电性基本一致,CR6890H效率更高。
1 i) L7 S- D! J1 }# ~: x5 ~, B
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