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本帖最后由 思睿达小妹妹 于 2023-3-16 10:55 编辑 : z# _2 j& @% h8 v# x+ j7 G
( i( i' s& ?9 W* w$ m当今世界，人们的生活已是片刻也离不开电子设备。电源管理芯片在电子设备系统中担负起对电能的变换、分配、检测及其它电能管理的职责。电源管理芯片对电子系统而言是不可或缺的，其性能的优劣对整机的性能有着直接的影响。
2 A+ e, j) K$ b( v+ V# G& ^/ Z7 I4 D" D* n V6 h6 ~. t
电源管理芯片的应用范围十分广泛，例如本公司主推的CR6890H可应用在AC/DC适配器、电机类适配器、充电器等。接下来，我们将CR6890H和电源IC XX5533进行对比测试，看看哪一款IC更胜一筹！
: U) B) B) _3 \$ f9 J
2 A$ {! ]2 z$ L. J关于CR6890H) w5 D% n) f2 s; a9 v" B7 _
: X7 T. W0 x1 Q, p& g9 f1 v6 `6 n
CR6890H是一款高集成度、低待机功耗的CCM+PFM混合电流模式PWM控制器。CR6890H轻载时会降低频率，最低频率22kHz可避免音频噪声。CR6890H提供了完整的保护功能，如cycle-by-cycle电流限制、OCP、OTP、VDD_OVP、UVLO等，还可以通过PRT脚分别精确设置外置过温保护和输出电压过压保护。软启动功能可以减少系统启动时MOSFET的应力，前沿消隐时间简化了系统应用。通过频率抖动和软驱动电路的设计，降低开关噪声，简化了EMI设计。CR6890H提供SOT23-6L的封装。' R+ k* e7 P$ O; V
7 J' Q3 U+ \+ o; c1 j5 w6 H3 P9 ?
主要特点
' v8 C5 T6 J' ]& F3 J7 m
. q5 u+ [; X7 m U, N u' V● 较低的启动电流(大约3μA)
% T9 p- ]+ s. @ i● 内置软启动减少MOSFET应力
7 {4 L. ]4 x2 m [# H, G( e# e● CCM+PFM控制模式
5 y/ y) q% Y4 r% U7 _+ l3 o o● 内建同步斜坡补偿，消除次谐波震荡3 \% m. f3 w8 L+ `/ Q8 r: ~
● 内建频率抖动功能，降低EMI
8 V! z* O' u5 h+ h● 内置65kHz开关频率
3 N" Q. k: c+ f- d6 B% Q* P' K* Y● 轻载降低工作频率
! Z! T+ C- ?, ?● 15ms倍频模式) ]: ^8 Z5 K- C9 G& z* Z$ g- V9 c
● 可编程外置过温保护并进入latch
% _0 M6 a' o u. h● VDD过压保护和输出过压保护功能并进入latch) n8 b2 F( V# ~
● 内置前沿消隐电路
' Z' {9 [" A. c● 内置输出二极管短路保护
& [# z; U6 ^! {6 k5 E7 i● 内置过温保护并进入latch8 O" ]5 _# U( v; O* D6 L- n/ P
● 过载保护 F: Z) ^: A9 h* F" t* v7 y9 b/ d
● SOT23-6L封装8 i# V+ t2 l) x
: R- E/ C9 s9 S) G! a基本应用
% {/ Y" `/ z% f* g$ R
) m, O2 M: S9 z) R P- S' Z) g5 s● AC/DC适配器
" i$ l7 L. f- F/ r2 q3 j' I9 E3 K● 电机类适配器
" F. W6 Q/ h2 N● 充电器
! G( g: g' `9 L& O6 a6 B● 存储设备电源# J4 Z- `2 R- `3 W7 d5 n1 I( J) h
( ]. F- D G" p f1 T% r* }典型应用$ @3 P4 {" b" b; L/ k
管脚排列
l' Y K, I0 V% d+ y% j管脚描述8 b _* W2 m/ `! {& p6 S
) g, n& G6 m; Y: O1 F2 f. d7 E一、样机规格
. q5 Q+ n: ?% d0 `: a5 M: F
7 {7 G6 m7 ?+ y) ^' I输出电压12V，输出负载5A，IC lot：HHP02。* z3 h$ |5 A9 b4 |) ]9 S& z
. I' Q0 u* x6 G* i
修改参数：
4 i# b) m/ V3 o; W0 f1 d1 R- F' O' Q
替换IC，RS1电阻由0.33R改为0.27R（直接并1R电阻）R9由47R改为200R，R8由33R改为20R。
4 ~' w$ N/ \# k0 l- R D5 g, r# w! k5 h* k. a, g0 H* ^2 N ?
二、基本电性参数& ]: x! J( O q2 S& o# H
三、基本波形
6 Q6 I+ S* k# F
7 y9 i0 q) h6 c+ \ D0 C" AXX5533 264V/50HZ MOS波形 7 h4 I( y- m, m3 g5 o
CR6890H 264V/50HZ MOS波形 # G i f/ r6 W1 c, k
XX5533 264V/50HZ 肖特基波形 % J9 _* f- k6 o- A4 o. N0 d& v
CR6890H 264V/50HZ 肖特基波形 : ~/ ~' e! A$ _" g }
XX5533 264V/50HZ GATE波形 ) y, t8 m' |7 r5 N- T
CR6890H 264V/50HZ GATE波形
1 G: O( O/ g" g, YXX5533 230V/50HZ 传导波形 N
0 k [. _/ K! ~! I$ OXX5533 230V/50HZ 传导波形 L
4 a& g3 L$ I6 N4 b: _CR6890H 230V/50HZ 传导波形 N
) w$ B0 R. S# P/ U5 S! u @CR6890H 230V/50HZ 传导波形 L
; }- l8 `/ N$ V2 i; c/ g+ gXX5533 230V/50HZ 辐射波形
) \# T: d! z$ P9 }1 B0 cXX5533 230V/50HZ 辐射波形
/ l8 \' ]( Q+ }+ l# F7 {CR6890H 230V/50HZ 辐射波形 8 @1 `3 y$ |( x; ~0 o
CR6890H 230V/50HZ 辐射波形 9 a8 M: c" a* Z. R$ t
对比结果
, R6 R# T9 S% z& Z8 }! Y( T! m- |* {; }1 o! b C) Y& @
电性基本一致，CR6890H效率更高。& K0 b! _) k; k0 B# f
4 @/ H* L7 `9 C$ X4 x* M- J1 h s |
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发表于 2023-3-16 10:50:13
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