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两款电源芯片对决,谁能遥遥领先?看完测试报告有答案

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发表于 2023-3-16 10:50:13 | 显示全部楼层 |阅读模式
本帖最后由 思睿达小妹妹 于 2023-3-16 10:55 编辑 3 k. C% g; f2 U% W3 c( {

- i% c  ~8 m3 n! ?  Z当今世界,人们的生活已是片刻也离不开电子设备。电源管理芯片在电子设备系统中担负起对电能的变换、分配、检测及其它电能管理的职责。电源管理芯片对电子系统而言是不可或缺的,其性能的优劣对整机的性能有着直接的影响。5 T6 z% [. X$ f+ F! V' {
. v* ~; Q5 {/ s0 O/ f& w$ A7 k5 i6 }
电源管理芯片的应用范围十分广泛,例如本公司主推的CR6890H可应用在AC/DC适配器、电机类适配器、充电器等。接下来,我们将CR6890H和电源IC XX5533进行对比测试,看看哪一款IC更胜一筹!
7 w6 i: D6 H) e3 r" A- X2 G
6 k5 ]( u" O) |- R# I* N8 b1 Z2 E关于CR6890H( _, |1 J/ b% I$ e" f. |
! d1 Z5 t6 T$ V
CR6890H是一款高集成度、低待机功耗的CCM+PFM混合电流模式PWM控制器。CR6890H轻载时会降低频率,最低频率22kHz可避免音频噪声。CR6890H提供了完整的保护功能,如cycle-by-cycle电流限制、OCP、OTP、VDD_OVP、UVLO等,还可以通过PRT脚分别精确设置外置过温保护和输出电压过压保护。软启动功能可以减少系统启动时MOSFET的应力,前沿消隐时间简化了系统应用。通过频率抖动和软驱动电路的设计,降低开关噪声,简化了EMI设计。CR6890H提供SOT23-6L的封装。, P) S% W, h. ~" D# ?3 y+ p1 r" c
/ q! a# K  D6 G2 t; |: a1 O
主要特点! b: G- w  f0 D6 k7 Z4 z5 P
4 v$ O6 I, y/ F8 r2 i1 E. C( |4 T
● 较低的启动电流(大约3μA)
, F$ u/ X2 K; X9 Y$ q* A" x● 内置软启动减少MOSFET应力
7 ?, u+ x* F& W2 s, {: e' o● CCM+PFM控制模式
3 }! Y% Q' a6 B. O5 g● 内建同步斜坡补偿,消除次谐波震荡
5 {1 N/ u5 ?6 E' r) ~● 内建频率抖动功能,降低EMI
8 D& h; I* }/ U: F5 M● 内置65kHz开关频率  v& J8 m6 G8 |  l) H
● 轻载降低工作频率& }; t/ X' x' x
● 15ms倍频模式/ M, X+ q. L% A# S# V
● 可编程外置过温保护并进入latch5 f2 {; R$ N6 z: @9 o3 M
● VDD过压保护和输出过压保护功能并进入latch
7 S8 H% q( I- ]- o6 x6 m● 内置前沿消隐电路
- D. l4 X8 r9 [6 Q● 内置输出二极管短路保护
6 L: t* o' f" [0 a# M● 内置过温保护并进入latch. \9 y2 V) b9 e* @4 [/ K8 y
● 过载保护: ]( N. Y: N3 P  p  E+ H8 p
● SOT23-6L封装- \, \* a; f7 f

: {! Q0 r, M. F) \( f0 c基本应用
! X* x( K- O+ G$ h/ z3 u3 o# H8 C. e/ ~# Y; F9 a
● AC/DC适配器3 \+ F9 ~& b5 |% X8 T
● 电机类适配器2 [9 i4 ], C; w7 d
● 充电器
% ?" J9 O2 P; I* o2 B6 A● 存储设备电源
4 J- g7 o8 C& I/ d. X8 M+ V
; _6 h. V5 S* ?4 e  K; E( B典型应用
1 a0 ?( w8 e/ x2 e) R
管脚排列7 C( |! F% e4 a0 }8 z" @- i* T* U9 a
管脚描述
+ V- e& I4 `: k! p& M
8 Z; G- w2 \# U& k- c3 S
一、样机规格/ t' _: W$ S. |8 R6 i

" T+ R( k6 Z, V输出电压12V,输出负载5A,IC lot:HHP02。( n+ \) s& x2 b" c9 d9 P
& ^- Z, w1 D  D! w- Y5 P/ U; @
修改参数:
) z. I5 ?! E! h1 U& W3 d8 d2 ?
2 J' S1 l# H) z# e4 D/ N. U' @替换IC,RS1电阻由0.33R改为0.27R(直接并1R电阻)R9由47R改为200R,R8由33R改为20R。) ^: ~6 ^5 Q+ x/ p) M3 o+ {8 ]3 u

) N2 g0 }& w! \1 p, J5 ?& s$ e二、基本电性参数2 @! t2 O) i3 A$ ]' E  B
三、基本波形" c% K- m, u( X$ p$ o/ o& b$ M( Z3 b+ k

+ m  H1 G" r7 I* s* B0 B) p
XX5533 264V/50HZ MOS波形

; ^. d0 b" E$ i$ W
CR6890H 264V/50HZ MOS波形
3 E& H% K9 q8 a3 Y2 |
XX5533 264V/50HZ 肖特基波形

  t: T& n2 ]& ]/ q/ P7 g/ Q% h
CR6890H 264V/50HZ 肖特基波形
& G( C/ d4 _1 y; b+ A
XX5533 264V/50HZ GATE波形

) z4 z: I2 q  B: W: `' |) ?% |  Q
CR6890H 264V/50HZ GATE波形
1 ?" `4 A( L9 o; v
XX5533 230V/50HZ 传导波形 N

" |9 }* W0 n+ m9 j+ K: f3 H! S
XX5533 230V/50HZ 传导波形 L
, _" |  j9 @$ F& ]) Y- q" \" q
CR6890H 230V/50HZ 传导波形 N
3 c- `7 `9 K0 K- D$ v
CR6890H 230V/50HZ 传导波形 L
  ]( t* N- U0 f* j9 ]
XX5533 230V/50HZ 辐射波形
7 [; N, Y4 b; ^  o! v# u
XX5533 230V/50HZ 辐射波形
( L% v6 E: E4 |# Y% \
CR6890H 230V/50HZ 辐射波形

3 s& a: q- t0 F4 I5 k  N
CR6890H 230V/50HZ 辐射波形
  U$ g, F, f( ^% r3 B6 a
对比结果6 }( q: G; l0 h1 n
5 v8 F  _; T( U/ a7 }
电性基本一致,CR6890H效率更高。: D! j0 T1 p* [: o% p, c
" D5 G0 Q- F$ N' S* {8 W6 D9 d

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