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两款电源芯片对决,谁能遥遥领先?看完测试报告有答案

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发表于 2023-3-16 10:50:13 | 显示全部楼层 |阅读模式
本帖最后由 思睿达小妹妹 于 2023-3-16 10:55 编辑 3 f8 D9 _) v/ e: [0 I; b$ B

4 h6 q5 u+ \4 k( i% H: a1 l当今世界,人们的生活已是片刻也离不开电子设备。电源管理芯片在电子设备系统中担负起对电能的变换、分配、检测及其它电能管理的职责。电源管理芯片对电子系统而言是不可或缺的,其性能的优劣对整机的性能有着直接的影响。/ ^" f1 U$ Q# R9 @
( v+ C" _* r+ ^* }
电源管理芯片的应用范围十分广泛,例如本公司主推的CR6890H可应用在AC/DC适配器、电机类适配器、充电器等。接下来,我们将CR6890H和电源IC XX5533进行对比测试,看看哪一款IC更胜一筹!1 c* [5 a) o& L4 e
2 Y! Q& o5 I4 A  d: v
关于CR6890H
  J5 }3 S2 R2 A& H  m: S) a  ?- r. E
CR6890H是一款高集成度、低待机功耗的CCM+PFM混合电流模式PWM控制器。CR6890H轻载时会降低频率,最低频率22kHz可避免音频噪声。CR6890H提供了完整的保护功能,如cycle-by-cycle电流限制、OCP、OTP、VDD_OVP、UVLO等,还可以通过PRT脚分别精确设置外置过温保护和输出电压过压保护。软启动功能可以减少系统启动时MOSFET的应力,前沿消隐时间简化了系统应用。通过频率抖动和软驱动电路的设计,降低开关噪声,简化了EMI设计。CR6890H提供SOT23-6L的封装。
1 P" W# n% y! \" X
- A; X6 {6 ]7 R7 f! _- d/ u) W主要特点
, Z" ~# Y8 o( [7 o6 y) q# H8 f* X, s* n* N7 n, t( Z
● 较低的启动电流(大约3μA)5 k( t0 ]7 k3 X5 |% t* V, |
● 内置软启动减少MOSFET应力$ @! J. f3 C! `% o  _
● CCM+PFM控制模式# T1 m1 o0 x9 w% F3 ~* K
● 内建同步斜坡补偿,消除次谐波震荡" `' T2 d; E2 U
● 内建频率抖动功能,降低EMI8 u4 X. l  `3 H0 g7 l) l
● 内置65kHz开关频率8 R3 W. [6 F  o+ Q% u
● 轻载降低工作频率+ m; r3 ]2 C, j: g5 C4 i* G
● 15ms倍频模式# ^7 H/ _9 p8 V8 L# e6 E1 `
● 可编程外置过温保护并进入latch
4 _: B' ~9 l# @' K" j● VDD过压保护和输出过压保护功能并进入latch( d1 L- i3 I/ k) Q
● 内置前沿消隐电路
  p/ B% `" S  d9 S6 R. r7 c+ `● 内置输出二极管短路保护
0 W9 @9 Y% G! w( ^. W. W● 内置过温保护并进入latch
8 ?/ l6 {7 c7 U; l, ]1 p* N4 `8 ^: Z● 过载保护
: K% \+ o+ y( @8 J( `● SOT23-6L封装
- C1 m1 l7 I. P) l' N# n
, f% |. [" w5 n" ^/ G2 B基本应用
! s3 |1 A2 {* ]) |# \' D+ [6 @& M2 G$ H) H8 M! ?. z& L; c
● AC/DC适配器) Y/ e) [; _) r4 I
● 电机类适配器0 B1 E7 n1 o  d
● 充电器
/ j; d8 f. C/ B# @9 _, A9 S● 存储设备电源
" h7 v' e7 F( q6 X$ i
0 n# j6 O% p6 f3 a- d' p7 I典型应用
/ C0 z$ |; H- ?
管脚排列
1 ]% h! K* v% d
管脚描述% X6 @3 z- f5 t" M2 x- x" [

9 g. A, _, O7 |. @/ {# b% k一、样机规格
, r1 v0 M+ q' e7 t6 Q+ D' b/ W+ Y  _/ Q3 T% a
输出电压12V,输出负载5A,IC lot:HHP02。7 U8 g! m# t; w% e6 X

$ O% B' j1 w" F4 @: ^( j修改参数:
; R! W. ~* n: C* w8 Z5 W# U% G" I9 w9 v( E: C  C
替换IC,RS1电阻由0.33R改为0.27R(直接并1R电阻)R9由47R改为200R,R8由33R改为20R。) R- y# l9 p- z( ?

$ H! _  X8 n" a& w, O二、基本电性参数' M/ X* ~2 p2 a6 U9 w: x' N
三、基本波形  ~2 ?( `  O/ K1 N" L2 U

% J: {1 p) ?5 v: B5 w( X$ E' ]
XX5533 264V/50HZ MOS波形

7 C" c  b- k4 G2 J
CR6890H 264V/50HZ MOS波形
2 X: B+ D' A- j$ W( x
XX5533 264V/50HZ 肖特基波形

/ b! W8 [$ f7 t5 S0 v
CR6890H 264V/50HZ 肖特基波形
" m+ Q- Y1 ^# ^3 M9 J3 _
XX5533 264V/50HZ GATE波形

: S. E8 i& p& \0 l' v1 J
CR6890H 264V/50HZ GATE波形

, |$ T' k$ ?( K1 s2 X. h7 g
XX5533 230V/50HZ 传导波形 N

; O7 V! A; y6 ?9 w2 f1 D1 j3 D. k
XX5533 230V/50HZ 传导波形 L

- m/ A" G5 J" d2 H( c6 }
CR6890H 230V/50HZ 传导波形 N

7 {/ e  ^7 r5 r- j
CR6890H 230V/50HZ 传导波形 L
  d8 Z: {# g# @4 y$ m! m
XX5533 230V/50HZ 辐射波形
, r: r; Z+ g# r; r5 N
XX5533 230V/50HZ 辐射波形
( j( V- J7 a) l0 Y/ A
CR6890H 230V/50HZ 辐射波形

! h) L# K1 A9 t9 J9 T1 [6 s
CR6890H 230V/50HZ 辐射波形

$ c6 P# |: C! i' f2 [/ d- L1 \" E对比结果
% [/ s# R! W* O$ C9 r* m6 n. F) N& P+ R9 k  I, u" e
电性基本一致,CR6890H效率更高。
+ |) q# E( ^1 U9 E' W7 c4 l+ w9 T% ?$ z% `' W

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