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本帖最后由 思睿达小妹妹 于 2023-3-16 10:55 编辑 % f$ y& ~3 q, R! |! ~/ N9 o
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当今世界,人们的生活已是片刻也离不开电子设备。电源管理芯片在电子设备系统中担负起对电能的变换、分配、检测及其它电能管理的职责。电源管理芯片对电子系统而言是不可或缺的,其性能的优劣对整机的性能有着直接的影响。( `" n% G5 {7 B5 H; P
& u& D+ ?' K$ A) I3 }8 E% t
电源管理芯片的应用范围十分广泛,例如本公司主推的CR6890H可应用在AC/DC适配器、电机类适配器、充电器等。接下来,我们将CR6890H和电源IC XX5533进行对比测试,看看哪一款IC更胜一筹!
# a7 S: ?8 K/ w- G
" p7 k8 z0 A1 ?* b关于CR6890H" H( E, { j2 E2 P
: O- P( F, u1 ?' C6 c
CR6890H是一款高集成度、低待机功耗的CCM+PFM混合电流模式PWM控制器。CR6890H轻载时会降低频率,最低频率22kHz可避免音频噪声。CR6890H提供了完整的保护功能,如cycle-by-cycle电流限制、OCP、OTP、VDD_OVP、UVLO等,还可以通过PRT脚分别精确设置外置过温保护和输出电压过压保护。软启动功能可以减少系统启动时MOSFET的应力,前沿消隐时间简化了系统应用。通过频率抖动和软驱动电路的设计,降低开关噪声,简化了EMI设计。CR6890H提供SOT23-6L的封装。 u7 K* I! `( f9 J! g4 B4 r
5 i r+ O; c- ^9 L4 v, x
主要特点; _6 B I9 E$ f8 x0 n
! y/ N( ^# l5 }; S1 d, H8 v) Z● 较低的启动电流(大约3μA)9 e- O5 K4 ?/ Y+ K6 r3 v
● 内置软启动减少MOSFET应力
+ F! _, l: P+ g+ P. l& w% A5 k● CCM+PFM控制模式* C4 ?2 X" R1 `$ J/ ?
● 内建同步斜坡补偿,消除次谐波震荡
& W( x! R: L, v( s, i0 m● 内建频率抖动功能,降低EMI
) l+ y: `# I4 ?8 h8 G. Y) P' u( g● 内置65kHz开关频率* N+ r2 p. O" ] O x' L. `' T; Z
● 轻载降低工作频率
+ A: |" V2 @' N' D● 15ms倍频模式
( E# o5 \0 {* [7 g● 可编程外置过温保护并进入latch3 m% D! P* |' ?
● VDD过压保护和输出过压保护功能并进入latch6 x4 V( F4 V) L. G
● 内置前沿消隐电路' f+ M) j2 y4 v% E6 j! U
● 内置输出二极管短路保护
! ]6 ?1 w* v$ [( i● 内置过温保护并进入latch
+ E1 |/ [: J: s1 v8 @● 过载保护
C+ I$ m9 n4 a1 x8 M& a6 X1 ?● SOT23-6L封装$ {7 L; J% L! N) U+ f- t6 \
: M- ]- ^4 q, R' Q基本应用7 z7 D5 d- d9 I2 S: Z) o
$ V* [2 k* C/ `6 }1 n, M; j1 `● AC/DC适配器
3 E. i J# t% l5 o. o" s7 ], k" A● 电机类适配器* w4 u8 C* J3 `- _. o( G
● 充电器1 o$ A! J0 ?3 g/ z0 J# ~% i
● 存储设备电源
' X# w) G9 o( j0 _6 ~+ p h" q3 B# h+ G5 M' G# m# f
典型应用4 Q, g- N9 o( N) ]) `. k
管脚排列) @- M6 Z/ I' M6 T3 f" n0 @2 @
管脚描述9 Z: E2 }0 j4 \/ Y/ h" t5 T9 [
$ S4 }! z, T( D9 `0 d. g* R2 \一、样机规格
+ |# F5 M5 m/ T6 M* T
& Q5 @$ R! N q7 h输出电压12V,输出负载5A,IC lot:HHP02。* k4 v8 ^+ L7 X8 _
& c; l C4 F2 n" {1 d# C修改参数:
+ Y6 S9 q$ p8 i* C2 p4 C
/ X; e: `: u, v" ^( n! l! p2 \替换IC,RS1电阻由0.33R改为0.27R(直接并1R电阻)R9由47R改为200R,R8由33R改为20R。/ f$ D6 @. h: F" K g6 K# [+ l
( u7 [* w+ }7 D, a# U# A+ k8 E% m二、基本电性参数
: \3 b+ I1 X9 B三、基本波形/ V( X5 v; h+ }) d) Q! G: J
, M/ u; r+ z4 G0 f* g- uXX5533 264V/50HZ MOS波形
; K- f# V! b/ @* p% V/ s7 \ P& R4 ]) qCR6890H 264V/50HZ MOS波形 : n0 Q6 n% m" Z2 U/ B
XX5533 264V/50HZ 肖特基波形
: f2 H/ Q$ t; a' R# fCR6890H 264V/50HZ 肖特基波形
. D a" j9 A& n7 l% K, Q+ mXX5533 264V/50HZ GATE波形
5 d$ b, e6 s3 l' GCR6890H 264V/50HZ GATE波形 . {0 g/ F. z% t" @
XX5533 230V/50HZ 传导波形 N 8 V2 ?3 J4 N! U# v
XX5533 230V/50HZ 传导波形 L . S" Y" ~5 c# ]& y& d, f
CR6890H 230V/50HZ 传导波形 N % ?9 ?. e6 g8 q5 N
CR6890H 230V/50HZ 传导波形 L / S- C$ C* t) g( e# H! r; b& U
XX5533 230V/50HZ 辐射波形 9 g! C9 t" J4 v
XX5533 230V/50HZ 辐射波形
. x2 c9 S I+ x8 ]: }6 hCR6890H 230V/50HZ 辐射波形 3 w2 _8 {* b" k/ B4 r
CR6890H 230V/50HZ 辐射波形
t3 o) b Q0 T( V( P对比结果4 h3 ]* ?% g6 C! L
* `3 x$ y. D* {$ @' j( F电性基本一致,CR6890H效率更高。
+ o, P" {& _" o. N% b* E3 c2 n0 e8 d0 X" D6 p% [+ A/ u
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