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两款电源芯片对决,谁能遥遥领先?看完测试报告有答案

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发表于 2023-3-16 10:50:13 | 显示全部楼层 |阅读模式
本帖最后由 思睿达小妹妹 于 2023-3-16 10:55 编辑
/ u+ R. h& V" A) [! H, |# y7 ]: n0 i8 J% J& y8 \
当今世界,人们的生活已是片刻也离不开电子设备。电源管理芯片在电子设备系统中担负起对电能的变换、分配、检测及其它电能管理的职责。电源管理芯片对电子系统而言是不可或缺的,其性能的优劣对整机的性能有着直接的影响。
. a( X( g% t8 `" ^% u8 Q6 B! m0 r$ k7 e/ o1 @5 d% Z
电源管理芯片的应用范围十分广泛,例如本公司主推的CR6890H可应用在AC/DC适配器、电机类适配器、充电器等。接下来,我们将CR6890H和电源IC XX5533进行对比测试,看看哪一款IC更胜一筹!
7 a7 p8 {1 F2 i0 B! D2 ?; f  B" J" D7 i1 ]% @: v
关于CR6890H! e! y" ^# r: E0 @% C1 z

$ j& ]! o% O. D( h6 K# x, LCR6890H是一款高集成度、低待机功耗的CCM+PFM混合电流模式PWM控制器。CR6890H轻载时会降低频率,最低频率22kHz可避免音频噪声。CR6890H提供了完整的保护功能,如cycle-by-cycle电流限制、OCP、OTP、VDD_OVP、UVLO等,还可以通过PRT脚分别精确设置外置过温保护和输出电压过压保护。软启动功能可以减少系统启动时MOSFET的应力,前沿消隐时间简化了系统应用。通过频率抖动和软驱动电路的设计,降低开关噪声,简化了EMI设计。CR6890H提供SOT23-6L的封装。
: k9 U/ {6 V' C2 ]8 |% ]
2 ^. d- _! z; i# [/ l  c主要特点# L& E4 e8 f' R- f$ p: Z8 w

5 [! q/ ?7 y$ U8 l● 较低的启动电流(大约3μA)
& k/ Q, s' ~: n: G● 内置软启动减少MOSFET应力
" S# r+ |# v' d' T: G● CCM+PFM控制模式% g; s; s# l4 O" q$ N8 Q; N
● 内建同步斜坡补偿,消除次谐波震荡
% i* A- J. f$ @' J● 内建频率抖动功能,降低EMI
' G" ]# ^' v: m# |. j8 L● 内置65kHz开关频率
! E2 s: _& [+ h. [& O$ X4 l. _7 E● 轻载降低工作频率
8 M  `7 a' x/ `9 I● 15ms倍频模式
- r- `7 ~2 j5 y( l' w● 可编程外置过温保护并进入latch
, N) d: U% u1 F/ k" n/ ^● VDD过压保护和输出过压保护功能并进入latch. F0 R5 _7 M/ L  c
● 内置前沿消隐电路$ O6 g$ x% d  P" T* X) Y
● 内置输出二极管短路保护  ]  R) e  o5 g1 `8 d
● 内置过温保护并进入latch& A( w) L* ~" U' u" V% u
● 过载保护
  p5 M- ^/ c1 B( M% i! U● SOT23-6L封装
0 Y- u4 I" ]  K) ?# A( W
' G! P! g! ~3 D$ a1 z) V2 {基本应用" W: R) l% q% s/ n1 q& r9 k4 k
% b% z) X: W0 \! X4 z. l
● AC/DC适配器2 v2 x/ S( T) z
● 电机类适配器
- L5 q/ M; w2 x- m! Z; U● 充电器
/ E* d8 z$ G' i6 h" F; o/ a● 存储设备电源! f4 W. O6 S- [! c$ C- q
6 g8 r& m1 n0 B+ J: @8 K9 {! V' u
典型应用
8 f% L, q' r" F) M8 y% o
管脚排列% `; p7 |+ l: X7 {: ^
管脚描述
& O% c6 i; k% u
, x$ B) C4 I; d' }3 R
一、样机规格
% P, C3 k: G- R! \* v* \5 C& I
: O! O9 x( O2 Z0 ?输出电压12V,输出负载5A,IC lot:HHP02。$ V; G3 ~7 b7 {7 }# j% n, p" b

: d  }8 |+ \8 j" p修改参数:9 z  s/ ]. q$ U6 Y

$ z. w/ E( N5 y, {+ E3 ]替换IC,RS1电阻由0.33R改为0.27R(直接并1R电阻)R9由47R改为200R,R8由33R改为20R。! W) q' Z1 Y2 k& R
! B* |! F0 `, r
二、基本电性参数
: v- j% k$ y, D
三、基本波形
. H8 V, N3 P5 {% Z# n( B; o# U1 z% V: B) L& i4 N8 y2 y
XX5533 264V/50HZ MOS波形
- r8 \$ X: E$ {! C4 o% p! H- n- C
CR6890H 264V/50HZ MOS波形

; i2 k  A7 B" d7 Q# _
XX5533 264V/50HZ 肖特基波形

3 s, F2 Z) b7 c, l, A* [/ W' B
CR6890H 264V/50HZ 肖特基波形

8 [6 s  |3 N6 P- [9 _2 m: h. b
XX5533 264V/50HZ GATE波形
. ~8 Q. x: W1 a' O- Z+ P
CR6890H 264V/50HZ GATE波形

$ l+ A6 k3 ]5 S6 e- n( o, ~2 F
XX5533 230V/50HZ 传导波形 N
5 B! |/ Z! |1 P+ L% n
XX5533 230V/50HZ 传导波形 L
( p2 d+ n! F( i& |6 ~/ N. ~
CR6890H 230V/50HZ 传导波形 N
2 D$ ?  Y; K' @1 b8 b- A. g& A
CR6890H 230V/50HZ 传导波形 L

) Y1 Z8 S3 r1 G" L% W( T
XX5533 230V/50HZ 辐射波形

& z0 {# X: g% V0 q+ r6 K
XX5533 230V/50HZ 辐射波形

5 x3 L2 V) W- L# s) J
CR6890H 230V/50HZ 辐射波形

: [0 \! k% B3 l- l. z9 x0 _4 _8 d
CR6890H 230V/50HZ 辐射波形
( v8 k2 i$ ?: N8 E
对比结果$ a0 u; H- U' n6 ~2 H" G) W
  |  d3 T# d, i7 f( |
电性基本一致,CR6890H效率更高。
4 f+ s8 C" y$ h$ |! `! }5 N" }  ]* b0 b0 P+ e5 E+ |  v

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