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两款电源芯片对决,谁能遥遥领先?看完测试报告有答案

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发表于 2023-3-16 10:50:13 | 显示全部楼层 |阅读模式
本帖最后由 思睿达小妹妹 于 2023-3-16 10:55 编辑
! F" E* z4 z; e/ ^# E  j6 j+ p; F- U5 c$ ^! D
当今世界,人们的生活已是片刻也离不开电子设备。电源管理芯片在电子设备系统中担负起对电能的变换、分配、检测及其它电能管理的职责。电源管理芯片对电子系统而言是不可或缺的,其性能的优劣对整机的性能有着直接的影响。
" y0 T( M# z" p/ [, R2 }- E, K+ o. l: M# d
电源管理芯片的应用范围十分广泛,例如本公司主推的CR6890H可应用在AC/DC适配器、电机类适配器、充电器等。接下来,我们将CR6890H和电源IC XX5533进行对比测试,看看哪一款IC更胜一筹!
( i7 h1 E+ e/ o- \: w
( |2 B8 Z; Q5 Y: r* R( B% O关于CR6890H1 G& y& |5 k, N/ ~
1 K- \* u/ v; W4 }! i2 X
CR6890H是一款高集成度、低待机功耗的CCM+PFM混合电流模式PWM控制器。CR6890H轻载时会降低频率,最低频率22kHz可避免音频噪声。CR6890H提供了完整的保护功能,如cycle-by-cycle电流限制、OCP、OTP、VDD_OVP、UVLO等,还可以通过PRT脚分别精确设置外置过温保护和输出电压过压保护。软启动功能可以减少系统启动时MOSFET的应力,前沿消隐时间简化了系统应用。通过频率抖动和软驱动电路的设计,降低开关噪声,简化了EMI设计。CR6890H提供SOT23-6L的封装。) L3 `( c1 y- l: @( |- g" _3 D' g

  M# v/ a9 k. o) O3 @主要特点9 t0 [' {# w/ |( Q

; d. t' Q/ D" U/ k0 {1 V# U; c& U% y● 较低的启动电流(大约3μA)
6 ?: b; C+ f3 O2 t. }3 n; ^● 内置软启动减少MOSFET应力
5 M1 C* Z/ _: O- a● CCM+PFM控制模式
5 u  J* I* n+ J) I8 x+ m' H/ r2 a● 内建同步斜坡补偿,消除次谐波震荡
" l# ?7 n2 @" ?. P, u● 内建频率抖动功能,降低EMI0 h( [# K! S: C, C; s
● 内置65kHz开关频率; N" J+ U+ f* v( Z# f) m
● 轻载降低工作频率; s# U3 O% F* e; M( _* w! q
● 15ms倍频模式
5 {! V' ?: R: V0 r0 D2 k● 可编程外置过温保护并进入latch
# `8 }3 V4 ~5 p1 U. B: w' U● VDD过压保护和输出过压保护功能并进入latch: e4 N& z0 C6 s) Z/ ]
● 内置前沿消隐电路5 o6 x1 o& ~' i- X1 b" r" r
● 内置输出二极管短路保护" ?+ a  }2 Z6 W: o4 s8 Q  Z
● 内置过温保护并进入latch
1 G6 ]1 I7 o3 y) I● 过载保护/ Y6 s  Q0 _: `$ [# N
● SOT23-6L封装
! k( o. H& Z- c" a
  B4 A8 G' M' X4 W# ~基本应用
% R0 j; W1 g+ \1 V1 ?# m
. d$ A6 [7 ?6 V* j7 v0 C● AC/DC适配器+ P6 P% p1 w& f
● 电机类适配器
7 p% n0 V9 x0 Q1 [% d1 }4 U5 A8 G& O# O● 充电器
9 \1 H" I9 K' O, [6 N% G& d$ V● 存储设备电源
4 Y- ^' \' L  K1 v& E9 Y7 b& I$ h' H2 s2 {. {
典型应用5 Y2 Y/ l, I" Y8 {
管脚排列$ c9 |4 i$ e3 }6 Z) t" k9 b
管脚描述
& C) d- {$ H- {- s, y4 k, c' _

2 V  }& S% s4 E3 K5 \一、样机规格
4 q- }% m, ~! Y: T1 j8 U1 Z. Z5 A  B7 ^: [8 }6 G. m
输出电压12V,输出负载5A,IC lot:HHP02。. K* e' g5 t6 M* E
( _7 I0 h7 S9 A
修改参数:
1 V+ [7 d% d7 f6 Z5 [0 _! o' a* h
9 T* P: K. |8 N8 k' Q$ P替换IC,RS1电阻由0.33R改为0.27R(直接并1R电阻)R9由47R改为200R,R8由33R改为20R。9 q' _) a, Q4 @& M  \) K
4 `* p4 e# c5 s, c
二、基本电性参数: [' O9 V" o- I3 B
三、基本波形! X; Y. q1 {1 `. H/ H' I
. H% A& T; O8 `2 F- S
XX5533 264V/50HZ MOS波形
7 j+ f, F3 w+ f3 C# m1 o
CR6890H 264V/50HZ MOS波形

$ D: U3 `) F1 o. p8 I
XX5533 264V/50HZ 肖特基波形
+ L1 R2 b3 B! h' b6 R# v
CR6890H 264V/50HZ 肖特基波形

( Q# X# O0 M2 M9 u) X
XX5533 264V/50HZ GATE波形
) ^) {" N* t! f* p! g# w+ U
CR6890H 264V/50HZ GATE波形

" {, K1 ~+ J" T: E- f
XX5533 230V/50HZ 传导波形 N

. n$ M% A- h: s% v, H3 |3 y
XX5533 230V/50HZ 传导波形 L

- e. c- T/ w' {- n
CR6890H 230V/50HZ 传导波形 N
, d! g0 n: j; u5 ]. o+ W: O1 R
CR6890H 230V/50HZ 传导波形 L

9 O* u6 z1 {- J! h  t7 |
XX5533 230V/50HZ 辐射波形
7 b+ y& B1 ~3 |- r2 ~0 _
XX5533 230V/50HZ 辐射波形
3 k5 r" C! |/ X  e/ O
CR6890H 230V/50HZ 辐射波形
  n1 X  e9 m; Q4 x
CR6890H 230V/50HZ 辐射波形

. j* S; D. ^  z) Z, I对比结果. d- |5 _& x6 c( s7 `* t; T: R( \

( \* V, t0 G6 Q# P9 G5 B, y  P电性基本一致,CR6890H效率更高。
7 |; i9 g  e* w4 D! y$ i! c( I0 ^& }7 z4 S1 o4 k7 W4 }

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