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本帖最后由 思睿达小妹妹 于 2023-3-16 10:55 编辑
: N+ C8 q* l0 V; k* o9 e( f+ S' x8 g6 P& `
当今世界,人们的生活已是片刻也离不开电子设备。电源管理芯片在电子设备系统中担负起对电能的变换、分配、检测及其它电能管理的职责。电源管理芯片对电子系统而言是不可或缺的,其性能的优劣对整机的性能有着直接的影响。3 U# Q4 D; s/ a, @- H
/ N& A ]( I7 O( v/ n) G, u/ P电源管理芯片的应用范围十分广泛,例如本公司主推的CR6890H可应用在AC/DC适配器、电机类适配器、充电器等。接下来,我们将CR6890H和电源IC XX5533进行对比测试,看看哪一款IC更胜一筹!
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0 K# k* W* v3 i2 U: d; g关于CR6890H
4 L+ N3 x* O' M5 x0 b3 t; Q; W
" S4 C" m. H8 lCR6890H是一款高集成度、低待机功耗的CCM+PFM混合电流模式PWM控制器。CR6890H轻载时会降低频率,最低频率22kHz可避免音频噪声。CR6890H提供了完整的保护功能,如cycle-by-cycle电流限制、OCP、OTP、VDD_OVP、UVLO等,还可以通过PRT脚分别精确设置外置过温保护和输出电压过压保护。软启动功能可以减少系统启动时MOSFET的应力,前沿消隐时间简化了系统应用。通过频率抖动和软驱动电路的设计,降低开关噪声,简化了EMI设计。CR6890H提供SOT23-6L的封装。
. i6 e: ~7 u- S- Z3 X/ ]' L' B6 ?; v* B
主要特点
5 F# x( q# g6 Q( R; x2 Q- e- H# x5 R
● 较低的启动电流(大约3μA)+ u, }1 j9 i' x4 x6 M! A
● 内置软启动减少MOSFET应力: }% B9 i# e4 t! x, l
● CCM+PFM控制模式( U! T: n+ E8 U# v1 B6 N' ^3 F5 `
● 内建同步斜坡补偿,消除次谐波震荡" N+ f0 U' W1 `( N
● 内建频率抖动功能,降低EMI
, ^6 Q- X. x+ }7 [4 F● 内置65kHz开关频率
0 j& ^. w1 V8 U7 W" o● 轻载降低工作频率+ p, S) U z4 D5 U7 R! Q* M9 h
● 15ms倍频模式# N( F! z+ p' s. o
● 可编程外置过温保护并进入latch
: P& j! d+ ~6 _. }● VDD过压保护和输出过压保护功能并进入latch6 K& l9 a5 _9 e( T. g
● 内置前沿消隐电路7 d* @& c n |1 J/ b
● 内置输出二极管短路保护2 E/ C f9 |7 G
● 内置过温保护并进入latch) _( U% I( s* u$ r; G! v
● 过载保护
" A0 D: H- {" f- y9 e● SOT23-6L封装3 T) r+ O; K& q E% X
) L; k: T; e# c1 X" _$ s4 O基本应用
3 M* q; A4 `% D% L1 _! } M2 C* m! v- `. u! V. k/ ?. V) v8 s- H$ g. W) F- h
● AC/DC适配器
. N+ O! T% u: v& |) e7 Z4 H● 电机类适配器
4 e( {& H3 Q4 @/ k/ x● 充电器" b+ w1 ?3 M) N' _; U
● 存储设备电源
, C& ]8 @' Q2 g7 b3 w3 r1 x
( {* I6 e! X! g2 o. h- X典型应用 [$ R9 [ o7 ~ c/ e9 ^7 |
管脚排列5 N. q9 L- J+ U# M7 h' r" n' E+ w
管脚描述
, B$ Q7 y( J% `4 \9 a: f* x, a! k( i% D
一、样机规格7 \4 E2 c- ^( m+ }3 f: o
8 b# s2 o+ n1 `& \' P, J b# @ {输出电压12V,输出负载5A,IC lot:HHP02。7 {5 a: w: f& h( S6 O6 ?. _
9 N. G+ I$ ^+ M* s5 K- a5 {( ?! E
修改参数:
2 S- D2 |% }1 v( [$ K; T/ T. X# a- G I
替换IC,RS1电阻由0.33R改为0.27R(直接并1R电阻)R9由47R改为200R,R8由33R改为20R。
: s6 n; n" E5 X- E" a2 w9 ?8 ]" R; @" Y, D+ ~
二、基本电性参数
M; @2 a) c1 Q6 Z三、基本波形# J, e+ R9 a) A }, e8 z! |
7 M0 i+ x# M/ L0 m" CXX5533 264V/50HZ MOS波形
! b( F5 T% v x% ~. f9 ECR6890H 264V/50HZ MOS波形
5 o4 i) g( z- y$ y$ V7 P( UXX5533 264V/50HZ 肖特基波形 ' m v( ~& e1 V& _
CR6890H 264V/50HZ 肖特基波形
) ]4 d+ T, U) s% ^4 ?4 b- pXX5533 264V/50HZ GATE波形
# s1 Q4 l$ Y W8 }) o4 kCR6890H 264V/50HZ GATE波形
- w3 c. n6 Z" O% _& M* f3 AXX5533 230V/50HZ 传导波形 N
_$ z' W. D' T. y% a, q% bXX5533 230V/50HZ 传导波形 L
- W( ^7 T5 {, q( J) hCR6890H 230V/50HZ 传导波形 N
: X9 n. q, u" h3 n, z+ lCR6890H 230V/50HZ 传导波形 L
/ b, N9 c" J6 BXX5533 230V/50HZ 辐射波形 ' }: M/ i5 j; A8 s5 Q) K
XX5533 230V/50HZ 辐射波形 * h7 M% ` B/ R" \( L" M0 L4 e
CR6890H 230V/50HZ 辐射波形 ! \6 r# i. w% t3 g1 F
CR6890H 230V/50HZ 辐射波形
1 ?, R8 d$ |5 B& I3 P* P对比结果( j F" |" k6 b4 T1 u
; f& O" _2 F' a. h$ g' W4 u m
电性基本一致,CR6890H效率更高。
6 Z8 t& \0 P0 O8 s' \
: G( F0 C. w) v5 d O9 a+ j |
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