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两款电源芯片对决,谁能遥遥领先?看完测试报告有答案

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发表于 2023-3-16 10:50:13 | 显示全部楼层 |阅读模式
本帖最后由 思睿达小妹妹 于 2023-3-16 10:55 编辑
  U* b' ?$ L+ @6 w
; S, _6 L, ?- O当今世界,人们的生活已是片刻也离不开电子设备。电源管理芯片在电子设备系统中担负起对电能的变换、分配、检测及其它电能管理的职责。电源管理芯片对电子系统而言是不可或缺的,其性能的优劣对整机的性能有着直接的影响。. n' G6 ^6 Q) h# I, z! w
& c* ~' s' C& h* m" k, u% _
电源管理芯片的应用范围十分广泛,例如本公司主推的CR6890H可应用在AC/DC适配器、电机类适配器、充电器等。接下来,我们将CR6890H和电源IC XX5533进行对比测试,看看哪一款IC更胜一筹!
1 I5 k0 Z7 @) h9 p, w6 r* _& r5 g/ G, p" j
关于CR6890H2 H+ X5 `9 ~' w0 n& R9 N$ q

& m/ c9 c* h1 Y- SCR6890H是一款高集成度、低待机功耗的CCM+PFM混合电流模式PWM控制器。CR6890H轻载时会降低频率,最低频率22kHz可避免音频噪声。CR6890H提供了完整的保护功能,如cycle-by-cycle电流限制、OCP、OTP、VDD_OVP、UVLO等,还可以通过PRT脚分别精确设置外置过温保护和输出电压过压保护。软启动功能可以减少系统启动时MOSFET的应力,前沿消隐时间简化了系统应用。通过频率抖动和软驱动电路的设计,降低开关噪声,简化了EMI设计。CR6890H提供SOT23-6L的封装。
) M$ l8 k$ L$ m- G. D% _, _8 A0 f* l0 D) a. A
主要特点
9 i2 M3 R# M  N1 w% L$ {
9 t7 @% [4 Y( \) b● 较低的启动电流(大约3μA)
1 ?' n* y0 t* i● 内置软启动减少MOSFET应力  }5 h% f+ o1 N3 h
● CCM+PFM控制模式3 J9 C2 o0 B6 ^$ @
● 内建同步斜坡补偿,消除次谐波震荡* s  u. F2 G/ M: s( {3 X" V
● 内建频率抖动功能,降低EMI
6 j  C" m6 f0 C6 r% ^$ `● 内置65kHz开关频率
  O/ s8 `- ?+ C; o8 L' V+ t● 轻载降低工作频率3 i# h# u* X' P- F
● 15ms倍频模式
: u  D/ F& K1 n8 @/ `! B3 j● 可编程外置过温保护并进入latch- z1 @" Z$ k  e7 i- W
● VDD过压保护和输出过压保护功能并进入latch0 ]0 a) x- j' M2 Q5 K
● 内置前沿消隐电路+ }9 N  @+ E: N+ C3 y, W9 x
● 内置输出二极管短路保护" S: @8 J, F; A$ T
● 内置过温保护并进入latch
8 ?4 [$ i/ H7 N- o2 h! Q● 过载保护
- U2 O; I( m0 ?; ]# V, \( R4 l- L● SOT23-6L封装
# X% M0 w8 `: Z  r. L
! u+ ~  K+ T% W) z, z3 l7 f; v" B& A基本应用) H! U5 m0 v0 ~: B( C

& A7 M) Q8 ?! ^' w● AC/DC适配器
' n& Q/ z) q) C; V3 E● 电机类适配器7 i: `+ J% N" w
● 充电器
! T6 O% S- V9 \4 L● 存储设备电源
% `0 q1 H( Q& _5 Q
. G2 J& V% O$ Y5 y. G典型应用- n! y1 K! o( d( z" b& J* e- A
管脚排列
. @. L; S3 u* L& e5 i: ]
管脚描述
0 w! T) G+ c9 d: H" U9 M8 N

* j, k- K0 {% V0 D5 g一、样机规格) A8 _( _) _+ v4 L. J, |9 V

/ r3 L+ o" b, J& Q) v输出电压12V,输出负载5A,IC lot:HHP02。: r$ m# w% X' |

7 l. {  z9 d. ~; m& \$ d  v修改参数:
! O& d" u. A- y" \- j( \- L# G/ D& S
3 ~2 w  ?, h: Y  e4 |( O" P替换IC,RS1电阻由0.33R改为0.27R(直接并1R电阻)R9由47R改为200R,R8由33R改为20R。+ V7 M$ n: ?) \4 j

$ @0 E8 w$ R- h: b* S1 y二、基本电性参数
* v4 Q, J' d" G) m4 c3 C
三、基本波形" Q2 g, V3 c" V5 s6 k( ?

. ]$ c' @6 B3 P& q7 B/ O
XX5533 264V/50HZ MOS波形
/ d6 L3 s. F% k& ?; q& g) o$ A
CR6890H 264V/50HZ MOS波形
  J' p8 K' j; |6 n4 d2 J9 v
XX5533 264V/50HZ 肖特基波形

0 }( ]6 T9 I5 T6 s
CR6890H 264V/50HZ 肖特基波形

. y& c' j9 c8 E0 Q$ O9 p+ m
XX5533 264V/50HZ GATE波形

* J1 T, w. E8 I2 w: X
CR6890H 264V/50HZ GATE波形
6 t1 s- ^* J- ?+ |+ ?3 M& ]
XX5533 230V/50HZ 传导波形 N

1 \0 i; \# m+ i" _% R
XX5533 230V/50HZ 传导波形 L
1 z5 ^! P- V- r( y
CR6890H 230V/50HZ 传导波形 N
+ s* k  H1 [9 ~8 t5 J3 O7 |
CR6890H 230V/50HZ 传导波形 L
) }+ N! C$ d* L5 j! J! `
XX5533 230V/50HZ 辐射波形
5 g  B( n  B' ?( i' Y
XX5533 230V/50HZ 辐射波形
& Z# ~9 U2 U" \* _0 L2 h
CR6890H 230V/50HZ 辐射波形
% b# H0 y8 Y( ]2 V" j7 z
CR6890H 230V/50HZ 辐射波形
0 `8 w* u) t2 D
对比结果' r/ U' V% F" F* E1 C( T/ V
# C" q0 j. E& n7 M& v
电性基本一致,CR6890H效率更高。
! S$ x; n. c3 Z. D
2 D: R* F# y( Z4 X+ k* }

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