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本帖最后由 思睿达小妹妹 于 2023-3-16 10:55 编辑 8 V' S+ K( M) e# j" L6 w2 N; c* |! c
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当今世界，人们的生活已是片刻也离不开电子设备。电源管理芯片在电子设备系统中担负起对电能的变换、分配、检测及其它电能管理的职责。电源管理芯片对电子系统而言是不可或缺的，其性能的优劣对整机的性能有着直接的影响。
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3 H1 O x4 B" M* L* U0 j电源管理芯片的应用范围十分广泛，例如本公司主推的CR6890H可应用在AC/DC适配器、电机类适配器、充电器等。接下来，我们将CR6890H和电源IC XX5533进行对比测试，看看哪一款IC更胜一筹！
+ p$ r" l5 z0 n6 S7 z5 @
# L$ c6 ]6 ~# A$ r+ f; R关于CR6890H+ e8 Q* K& |5 i6 u% t+ C: j
2 }; A3 j& ]0 ~; e. G7 [& m
CR6890H是一款高集成度、低待机功耗的CCM+PFM混合电流模式PWM控制器。CR6890H轻载时会降低频率，最低频率22kHz可避免音频噪声。CR6890H提供了完整的保护功能，如cycle-by-cycle电流限制、OCP、OTP、VDD_OVP、UVLO等，还可以通过PRT脚分别精确设置外置过温保护和输出电压过压保护。软启动功能可以减少系统启动时MOSFET的应力，前沿消隐时间简化了系统应用。通过频率抖动和软驱动电路的设计，降低开关噪声，简化了EMI设计。CR6890H提供SOT23-6L的封装。* ^$ L- b+ O0 q" s, }
% C8 h) H8 G7 x7 S% f
主要特点# i7 c9 e3 K/ l4 k S; v
; `1 x7 F. Z4 t V7 Z( M* M& k- \5 X
● 较低的启动电流(大约3μA)7 n3 x! M9 |3 J/ h, i6 J
● 内置软启动减少MOSFET应力
% f, t0 k7 t6 n* \2 }: e● CCM+PFM控制模式
9 }3 O- J+ d6 Y" D● 内建同步斜坡补偿，消除次谐波震荡1 T7 \8 [) J" G2 ]! Z3 b
● 内建频率抖动功能，降低EMI
9 v1 f1 T- f* b* M- A! l$ L K● 内置65kHz开关频率
2 X( z- [ T2 Y- j$ c& y● 轻载降低工作频率
0 t2 c) w/ x& } U4 v- q● 15ms倍频模式; L: Z/ p* D, q: I u4 V0 H2 j
● 可编程外置过温保护并进入latch; ^6 T. t' c S. ` T! s8 Y* y7 y
● VDD过压保护和输出过压保护功能并进入latch$ Y, ~! r; U! M; W) J
● 内置前沿消隐电路" y/ h6 s3 a1 y' a8 Y; |/ p
● 内置输出二极管短路保护0 \) o4 h; @+ ^( P6 O& |, U1 N1 q
● 内置过温保护并进入latch
- q: P- w" }: a5 }3 A. Y- l( R5 I: v● 过载保护
4 ]8 B' m! P9 j● SOT23-6L封装
; F, M) ?3 R7 T! L% c: z
# t1 i9 p% l3 `) W基本应用- g7 @' W. I; n1 N! R4 `! _
& b- x# U: s$ A9 v# C
● AC/DC适配器$ p% U8 j. z/ ~8 C, d6 _4 U" u# j
● 电机类适配器
4 ]/ b# e8 }, f' z5 u# S+ y● 充电器
$ m8 s9 F8 S) `3 v! z● 存储设备电源. H8 a, Q5 ^; B
: ^- Q% C' O8 p. x! ]9 d/ B) a
典型应用
1 J# u) k; \# m管脚排列1 e6 q h* }2 Q0 ]5 K
管脚描述
9 E/ O/ w) Q3 y$ }
( j$ k2 y6 m( }' ?+ x一、样机规格3 N4 Q& r+ S7 t$ O1 a" ?# V
@$ b; v% s( e
输出电压12V，输出负载5A，IC lot：HHP02。 m* \) j- K$ T1 O/ I+ Y) f; e
" t) c$ y) [, P修改参数：
! F. X3 C) r: `$ t) U) J; \9 F$ r: I. R2 s
替换IC，RS1电阻由0.33R改为0.27R（直接并1R电阻）R9由47R改为200R，R8由33R改为20R。5 z' s; q* L- s% G
7 I0 G4 q: O9 m# @5 J: s# s二、基本电性参数: L0 r& W- j! u" \
三、基本波形9 B: }) z! A, l/ `; F
, s& @+ w- |: MXX5533 264V/50HZ MOS波形 , j' s: J6 c z; u# }
CR6890H 264V/50HZ MOS波形 6 x% r+ I: \' m% r
XX5533 264V/50HZ 肖特基波形 6 A' [( u0 f, s( L# F$ u' F
CR6890H 264V/50HZ 肖特基波形
! |+ r. X3 {" [+ G e0 y& i5 K0 ]0 NXX5533 264V/50HZ GATE波形 # R( g6 b) w8 y4 _- e$ I
CR6890H 264V/50HZ GATE波形 ' k5 P8 @3 Q7 |3 ^4 k& y- F R
XX5533 230V/50HZ 传导波形 N
. y! Q# z) r& q+ |XX5533 230V/50HZ 传导波形 L * W( P9 p% @4 _2 l8 S' P; |$ o
CR6890H 230V/50HZ 传导波形 N . c5 e; W2 O! a5 O4 `
CR6890H 230V/50HZ 传导波形 L * B1 ^+ E/ `% `1 }! H5 R) t
XX5533 230V/50HZ 辐射波形
5 A$ h4 c% {5 U2 AXX5533 230V/50HZ 辐射波形
! H2 P' X# T7 }% B5 SCR6890H 230V/50HZ 辐射波形
$ a2 R0 g2 a$ i/ C0 \CR6890H 230V/50HZ 辐射波形
$ i1 W3 I& V5 b; U对比结果
" r+ R y2 E6 w- p$ D; n4 d; E/ }# p3 q- Y% ?7 ^
电性基本一致，CR6890H效率更高。+ o# O3 s- Y3 A1 O( r* R
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发表于 2023-3-16 10:50:13
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