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本帖最后由 思睿达小妹妹 于 2023-3-16 10:55 编辑 / k( k* U2 i% f1 i+ ]
7 ?" x3 y: v" y' `( M* `" E当今世界,人们的生活已是片刻也离不开电子设备。电源管理芯片在电子设备系统中担负起对电能的变换、分配、检测及其它电能管理的职责。电源管理芯片对电子系统而言是不可或缺的,其性能的优劣对整机的性能有着直接的影响。
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0 A8 k }' z% ]0 I5 Z5 b+ k电源管理芯片的应用范围十分广泛,例如本公司主推的CR6890H可应用在AC/DC适配器、电机类适配器、充电器等。接下来,我们将CR6890H和电源IC XX5533进行对比测试,看看哪一款IC更胜一筹!
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关于CR6890H
! @. j) H" D) U l+ B' @+ s
& B( U- Q2 F* D5 @/ _+ T4 ~CR6890H是一款高集成度、低待机功耗的CCM+PFM混合电流模式PWM控制器。CR6890H轻载时会降低频率,最低频率22kHz可避免音频噪声。CR6890H提供了完整的保护功能,如cycle-by-cycle电流限制、OCP、OTP、VDD_OVP、UVLO等,还可以通过PRT脚分别精确设置外置过温保护和输出电压过压保护。软启动功能可以减少系统启动时MOSFET的应力,前沿消隐时间简化了系统应用。通过频率抖动和软驱动电路的设计,降低开关噪声,简化了EMI设计。CR6890H提供SOT23-6L的封装。% }- c* v) @2 T) o' _( c; B
K: j: M5 ? z# Y+ v
主要特点* _8 { k o- E1 f
$ k4 Z7 r5 J/ o% @4 x7 r4 `● 较低的启动电流(大约3μA)
# n2 P6 g4 K- {2 o! @● 内置软启动减少MOSFET应力
% C9 Q6 M' G9 Z6 X' B● CCM+PFM控制模式
B; T! M4 _( s' Q● 内建同步斜坡补偿,消除次谐波震荡
& L/ f, g6 e( w2 D● 内建频率抖动功能,降低EMI% `* T# y. x# c2 d
● 内置65kHz开关频率
8 t$ w% I& ?* S$ t, W1 L5 l● 轻载降低工作频率
* T# Q, V/ j% Z5 p9 g8 R● 15ms倍频模式
, [0 L' r: M5 o/ k● 可编程外置过温保护并进入latch1 Y6 v1 j$ n; W; N1 D ^1 B# M' e
● VDD过压保护和输出过压保护功能并进入latch1 O/ E, R9 g% s# h W# Q
● 内置前沿消隐电路! C2 @# P/ ^4 o0 _
● 内置输出二极管短路保护
5 K( I" p) z+ o● 内置过温保护并进入latch2 U& R6 r: G, X/ \: U- [
● 过载保护
8 l- h. [) R( m0 [● SOT23-6L封装
! i9 X0 Y, F% j: {4 ~; a$ ?6 S I7 b# }) t* A
基本应用# c. x1 a9 V2 w# J' w% j
! R' I2 C# j; e& A8 [( s) P
● AC/DC适配器 y* B& f0 b; G) \* _3 d( x! q1 J) Q
● 电机类适配器
& O4 J) n1 }$ S+ h● 充电器
9 L9 J( o: `( t, v$ x● 存储设备电源( b% l; `3 _- G$ {8 ?
7 F1 m0 n# n3 f! y' Z典型应用
' m) P" A- p, a8 J: G: ~" g9 `) Z管脚排列* s5 k1 V# L5 R* o9 \
管脚描述
9 c, o3 q% @( j# {( o- [ u& A/ E- `1 v0 \% t# H
一、样机规格
, I! {, C% ? f5 O' P: Q& x" U" o8 l. b1 ]: C$ B) z
输出电压12V,输出负载5A,IC lot:HHP02。
5 E0 X) z* }/ [8 l/ ^" g+ J
: x- q$ \; N% ?" O+ P. B修改参数:
8 S7 Z9 _3 y3 g2 n2 l2 P# u; r. p% ?( t
替换IC,RS1电阻由0.33R改为0.27R(直接并1R电阻)R9由47R改为200R,R8由33R改为20R。
& o6 J9 l3 P$ D G9 c8 H* C/ o" B' z# ^ e: N# U( ^4 Z8 V! ]
二、基本电性参数4 C( i+ N9 C. \" ?9 G- Y; z
三、基本波形1 Q. }- h4 ~( T- X5 c: ^2 `9 w, q
% X2 ?. z% O( O$ M8 K: R0 N) jXX5533 264V/50HZ MOS波形
6 [( A* ?& d( I2 t* t# J! cCR6890H 264V/50HZ MOS波形
5 ]* ?( r. C8 n! V8 g6 g+ b9 x6 h/ KXX5533 264V/50HZ 肖特基波形 ! x% u3 v! h5 E, W# O
CR6890H 264V/50HZ 肖特基波形
* M) y" j0 T" Q9 Q6 Z, NXX5533 264V/50HZ GATE波形 5 O- t" O9 h0 |( P }' E
CR6890H 264V/50HZ GATE波形 1 f5 H! M) O( M$ K& i
XX5533 230V/50HZ 传导波形 N
. P6 \* t' J3 J3 XXX5533 230V/50HZ 传导波形 L % Q$ V" p+ F4 H( ~7 r
CR6890H 230V/50HZ 传导波形 N
, r! P% `( z3 A6 L" c" c4 ]CR6890H 230V/50HZ 传导波形 L
" }6 I2 @) {( a+ q4 g2 c5 eXX5533 230V/50HZ 辐射波形 * ^3 f7 W# @" Q, _. h. O" }; X: T/ z
XX5533 230V/50HZ 辐射波形
: m w2 I0 }( E/ t6 C7 ?# }CR6890H 230V/50HZ 辐射波形 ( k1 x( |9 {( U' i
CR6890H 230V/50HZ 辐射波形 # r: F! \, t$ `/ w \5 \
对比结果
% p6 ?* k o; X- j
' R1 U+ Q) V# L' g: C4 V! _电性基本一致,CR6890H效率更高。/ w" t0 t6 O1 U3 L, @5 u( ?; I
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