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本帖最后由 思睿达小妹妹 于 2023-3-16 10:55 编辑 7 Z1 I, O% ~" r
7 [: G& u. l+ n* z& f* |当今世界，人们的生活已是片刻也离不开电子设备。电源管理芯片在电子设备系统中担负起对电能的变换、分配、检测及其它电能管理的职责。电源管理芯片对电子系统而言是不可或缺的，其性能的优劣对整机的性能有着直接的影响。8 E0 G2 c- p: V; }5 `
& J! [, E4 o4 Q$ Y$ j* o
电源管理芯片的应用范围十分广泛，例如本公司主推的CR6890H可应用在AC/DC适配器、电机类适配器、充电器等。接下来，我们将CR6890H和电源IC XX5533进行对比测试，看看哪一款IC更胜一筹！
4 V! Y" v6 Q/ Z/ ~3 L4 d# h
( D7 k9 I: ]2 S* [' ]关于CR6890H
* q6 D! b% j6 y( }8 D0 t, I
. N- J+ O/ q2 F6 b QCR6890H是一款高集成度、低待机功耗的CCM+PFM混合电流模式PWM控制器。CR6890H轻载时会降低频率，最低频率22kHz可避免音频噪声。CR6890H提供了完整的保护功能，如cycle-by-cycle电流限制、OCP、OTP、VDD_OVP、UVLO等，还可以通过PRT脚分别精确设置外置过温保护和输出电压过压保护。软启动功能可以减少系统启动时MOSFET的应力，前沿消隐时间简化了系统应用。通过频率抖动和软驱动电路的设计，降低开关噪声，简化了EMI设计。CR6890H提供SOT23-6L的封装。
! I. D: t( M8 v% |. I0 f% N6 Z
' k6 E5 w6 `+ p9 n' Q主要特点- V! N/ b& a$ Z2 U/ W/ q
9 n- ], p9 b: f* F0 R/ E
● 较低的启动电流(大约3μA)
( @9 _* m, C( u- D● 内置软启动减少MOSFET应力. o7 M7 q: ?2 a/ r. Q2 [
● CCM+PFM控制模式1 d# j6 L8 |; e1 o) M- f1 i9 Z* X
● 内建同步斜坡补偿，消除次谐波震荡0 f h4 b. k1 o" v. g1 F0 {
● 内建频率抖动功能，降低EMI5 G7 k' u, Q& i+ Y7 j8 h+ x5 U
● 内置65kHz开关频率
7 ?6 ~/ i: U7 q6 a● 轻载降低工作频率
6 O, o/ j: v$ t7 z4 s● 15ms倍频模式
; U9 F* ~) p' b! G+ N( C● 可编程外置过温保护并进入latch
- Q7 b1 f) y( q, d% |● VDD过压保护和输出过压保护功能并进入latch
, ?+ ^4 C4 J& L4 j; j) A● 内置前沿消隐电路; g2 L1 Q1 z) O6 b% P! V
● 内置输出二极管短路保护3 `* @- j4 H: N5 V
● 内置过温保护并进入latch
7 K( K# G) H% @. l& c& b( `3 ~+ L- |● 过载保护
, g4 v3 z! ~% M% I! `● SOT23-6L封装- F6 S3 ?% I$ E) Q! U6 ?
, ?: X6 T! J; H, m; a; T
基本应用
, F* q9 p6 P9 M" d4 f0 d$ z+ A) O
; D4 S% y% X" ?5 ?- _9 Y● AC/DC适配器5 W- B2 Z4 @0 q
● 电机类适配器% j$ t! r! ?7 ]1 |: z
● 充电器; t S/ G4 I, X2 \; m- B& z& {
● 存储设备电源7 N1 [" {+ d( _. @+ P7 D
% N& l' l0 v+ y$ F! w* b! s
典型应用
# M m' p- {. c2 U4 u管脚排列0 Q! [; L% s6 g& `
管脚描述
. V7 r6 q% s" T3 e
$ }& f' w' @! l5 p8 f' e一、样机规格; k) o; f8 z7 s" }9 J% Q
5 A! e. v# R+ w D
输出电压12V，输出负载5A，IC lot：HHP02。
, Z$ r$ f1 C! a1 b) `" E" V- [0 j* ]4 V% B$ ?+ P. J
修改参数：0 d: |) R( u' F& K9 g$ W' s
# J, Q, T* Q+ p9 x6 J# F: H替换IC，RS1电阻由0.33R改为0.27R（直接并1R电阻）R9由47R改为200R，R8由33R改为20R。% I% {7 p4 g& d5 {! {9 W: ]
) P/ `8 Z/ ^5 ~8 d4 y: B" E
二、基本电性参数- A* h$ d, t. A; m' e: l1 c
三、基本波形
" a3 ` c+ h u! j7 ~# _1 j; i4 S/ Z1 E4 A4 n1 g& F+ M f
XX5533 264V/50HZ MOS波形 " _. q/ w/ `7 Y+ V9 p. r
CR6890H 264V/50HZ MOS波形 2 r# p& z3 n& B
XX5533 264V/50HZ 肖特基波形 $ d) S$ H: w4 B+ @$ ^$ E
CR6890H 264V/50HZ 肖特基波形 ! C. ~% _+ Q4 Z3 _
XX5533 264V/50HZ GATE波形
0 V2 P% A! w6 {* ~! W2 I3 BCR6890H 264V/50HZ GATE波形 9 ]; s7 h$ A/ L& i& F
XX5533 230V/50HZ 传导波形 N 9 m% a6 ?# k/ u! u% [5 p
XX5533 230V/50HZ 传导波形 L . ?# ?. `% \9 R8 t/ l$ R
CR6890H 230V/50HZ 传导波形 N
* l% Z" L/ r7 j0 ]; o4 L( v5 \7 TCR6890H 230V/50HZ 传导波形 L $ H& O- s' B% _# h9 A6 _
XX5533 230V/50HZ 辐射波形
$ Y P$ ~$ l4 ]4 l& k) j" a3 rXX5533 230V/50HZ 辐射波形
0 F$ t# ]0 O% _0 ~4 |CR6890H 230V/50HZ 辐射波形
, _2 z& X3 p% E, p4 M8 m2 V E/ jCR6890H 230V/50HZ 辐射波形 . O0 S1 L) M& b8 g
对比结果0 o+ u7 P1 r2 \* b1 B4 g
, m, D; R* w0 q2 t+ u
电性基本一致，CR6890H效率更高。% i* Q/ W$ \0 D) w0 Q
$ `" P( o8 F7 B- K) N |
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发表于 2023-3-16 10:50:13
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