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本帖最后由 思睿达小妹妹 于 2023-3-16 10:55 编辑 ( c3 o5 X! c ^' A9 I. r
7 B% \" G. R) e当今世界,人们的生活已是片刻也离不开电子设备。电源管理芯片在电子设备系统中担负起对电能的变换、分配、检测及其它电能管理的职责。电源管理芯片对电子系统而言是不可或缺的,其性能的优劣对整机的性能有着直接的影响。
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Z k8 m4 q4 g1 h7 [0 o( q电源管理芯片的应用范围十分广泛,例如本公司主推的CR6890H可应用在AC/DC适配器、电机类适配器、充电器等。接下来,我们将CR6890H和电源IC XX5533进行对比测试,看看哪一款IC更胜一筹!: c- C9 k, ~3 M; L- H0 S% f
+ M. |: E( l6 E; D6 P& e关于CR6890H
2 T1 o% `; N3 b" g- B: E4 K+ P" ~$ |) U1 v
CR6890H是一款高集成度、低待机功耗的CCM+PFM混合电流模式PWM控制器。CR6890H轻载时会降低频率,最低频率22kHz可避免音频噪声。CR6890H提供了完整的保护功能,如cycle-by-cycle电流限制、OCP、OTP、VDD_OVP、UVLO等,还可以通过PRT脚分别精确设置外置过温保护和输出电压过压保护。软启动功能可以减少系统启动时MOSFET的应力,前沿消隐时间简化了系统应用。通过频率抖动和软驱动电路的设计,降低开关噪声,简化了EMI设计。CR6890H提供SOT23-6L的封装。
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" V$ J; X5 l9 Z4 _, x主要特点7 `& H+ J: g2 g1 {+ s M( B
: T$ r* a c6 L2 j
● 较低的启动电流(大约3μA)
) }3 ~+ }: F! q* x9 \9 r● 内置软启动减少MOSFET应力' H/ N x0 a) z4 J1 ~* k& p
● CCM+PFM控制模式
* u* p7 u% J+ J* {+ [. L● 内建同步斜坡补偿,消除次谐波震荡, s1 x* }8 J% a6 ^3 u* k( v
● 内建频率抖动功能,降低EMI8 P6 Y8 A {" F# D
● 内置65kHz开关频率
! l' N5 V5 ~% v5 `● 轻载降低工作频率) f* M+ B* [, N
● 15ms倍频模式# f) a' J0 J$ G) \5 L
● 可编程外置过温保护并进入latch
+ y& m% o# T$ Z3 P" |9 o% {● VDD过压保护和输出过压保护功能并进入latch1 \' l* N6 ^' N Q9 t+ b
● 内置前沿消隐电路0 `% x7 o# r/ p3 ~( h3 {, [
● 内置输出二极管短路保护0 D# e. Z i# C3 t) K+ W
● 内置过温保护并进入latch
$ V; P: E* R6 l/ `● 过载保护
# H' V! F s. v; H. a# |2 u( m2 |# A● SOT23-6L封装2 v5 N0 {9 K# b) V
* T' `; o- i; t6 u7 n/ S$ e
基本应用
' G) `& X: M- T8 G3 I" l; I2 ^& v2 q
● AC/DC适配器
& a4 k3 x/ r3 g# j, s7 ], @; B& A● 电机类适配器3 I3 M5 |6 ?; o( F6 N9 H& P
● 充电器
/ {* l' v* ]- d0 Q● 存储设备电源
' I. U4 W- L* G, ~7 S0 Q' h
) O" Y! s3 b p典型应用- [9 h/ Y+ w: J9 I) p% y
管脚排列
4 ]# u: z# [3 s+ U K5 O S管脚描述0 f& s' X* f8 b; _7 J& n
' N) E) W, C% w% e$ A一、样机规格
- [9 ?: T, S7 H6 Y" f0 i7 V% r( R
( y) i) H8 e1 K0 V! [输出电压12V,输出负载5A,IC lot:HHP02。- H# l9 s1 i( N( O" o( P. h; z! j: q
% x3 P# l) {$ b3 s! M' M修改参数:9 n6 k9 X/ S m: w4 `8 ]
! f" ?, e% x# H3 p# V替换IC,RS1电阻由0.33R改为0.27R(直接并1R电阻)R9由47R改为200R,R8由33R改为20R。7 L9 n. r$ n8 ?& J8 X
% K/ G) i+ {! k2 d5 u
二、基本电性参数
9 _% h3 A6 ^- k三、基本波形
' f7 o7 v2 Z) y6 x7 L4 c
1 }1 F+ d3 P5 q3 E# ~, SXX5533 264V/50HZ MOS波形
+ b9 q% l3 `' ZCR6890H 264V/50HZ MOS波形
& H$ q! M9 I! d1 r( pXX5533 264V/50HZ 肖特基波形
/ Z' O& q* z8 y# jCR6890H 264V/50HZ 肖特基波形
0 Q8 d! D; P8 @$ y9 H& e! c) |2 ZXX5533 264V/50HZ GATE波形
- ~1 x! v* B& D& y1 CCR6890H 264V/50HZ GATE波形 0 d. Y h. |3 i& ]) L
XX5533 230V/50HZ 传导波形 N |* ?/ T) L" C ]! I% a. d2 Y
XX5533 230V/50HZ 传导波形 L
/ @+ p/ [( Q2 K; z7 Y# mCR6890H 230V/50HZ 传导波形 N * C/ j, P( F# ~7 S0 h
CR6890H 230V/50HZ 传导波形 L
: l9 R7 j$ @' |XX5533 230V/50HZ 辐射波形
3 t6 s2 u" o: V% V6 pXX5533 230V/50HZ 辐射波形 ) x0 `' M, y6 A3 E' T7 q( Q
CR6890H 230V/50HZ 辐射波形
0 [5 H* T% c. L8 dCR6890H 230V/50HZ 辐射波形 - A$ y9 u/ z$ N- E
对比结果
# S& O2 Y7 V! F& G
( [9 m7 o9 p% S- \7 Z5 S* F电性基本一致,CR6890H效率更高。& n- c* o" b/ v1 X* B8 ~
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