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本帖最后由 思睿达小妹妹 于 2023-3-16 10:55 编辑
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* `. n2 z$ \, j+ C当今世界,人们的生活已是片刻也离不开电子设备。电源管理芯片在电子设备系统中担负起对电能的变换、分配、检测及其它电能管理的职责。电源管理芯片对电子系统而言是不可或缺的,其性能的优劣对整机的性能有着直接的影响。+ S* ~7 X3 G, I
& |0 S' r! A( e' K: N! n
电源管理芯片的应用范围十分广泛,例如本公司主推的CR6890H可应用在AC/DC适配器、电机类适配器、充电器等。接下来,我们将CR6890H和电源IC XX5533进行对比测试,看看哪一款IC更胜一筹!# L: K- K7 ?3 P+ ^* }
+ v9 h8 _6 D+ i
关于CR6890H. s- l" s; G/ w' S8 V; {, N8 X4 t8 g
/ Z& e4 b- e8 m5 f4 a
CR6890H是一款高集成度、低待机功耗的CCM+PFM混合电流模式PWM控制器。CR6890H轻载时会降低频率,最低频率22kHz可避免音频噪声。CR6890H提供了完整的保护功能,如cycle-by-cycle电流限制、OCP、OTP、VDD_OVP、UVLO等,还可以通过PRT脚分别精确设置外置过温保护和输出电压过压保护。软启动功能可以减少系统启动时MOSFET的应力,前沿消隐时间简化了系统应用。通过频率抖动和软驱动电路的设计,降低开关噪声,简化了EMI设计。CR6890H提供SOT23-6L的封装。4 X) |4 ?( F6 ~
4 w/ v0 N2 k4 j
主要特点
9 q! H$ q" B6 d6 K. Z5 x: m1 T
: o5 f K/ V4 H2 _. ]. z● 较低的启动电流(大约3μA)
: q3 k! w9 Q/ _( V- j1 G- J● 内置软启动减少MOSFET应力' X( n3 i! ^( F' z) L3 d6 k2 _
● CCM+PFM控制模式
& L- Y" v9 {- D+ s. {, p● 内建同步斜坡补偿,消除次谐波震荡, w8 D' X; m2 K( N# C1 D
● 内建频率抖动功能,降低EMI
5 p0 g# l9 B T● 内置65kHz开关频率
, T" w6 n5 ~- e' g0 Q● 轻载降低工作频率$ W4 o! X% Y3 {( ^$ p" z; n
● 15ms倍频模式
) p+ K" P! t7 ?8 ~. E I● 可编程外置过温保护并进入latch) g( J0 A; D4 j% @ z, k0 m
● VDD过压保护和输出过压保护功能并进入latch/ T" I! |1 R! q# Q( N& I8 R9 r
● 内置前沿消隐电路
( E+ x: S6 C+ _7 S, C- B3 [- q3 u● 内置输出二极管短路保护, G$ I: u8 k4 n8 e
● 内置过温保护并进入latch
7 m% D5 E3 b/ ?8 v- ^● 过载保护
' w& G0 H) a, }; S3 q; f● SOT23-6L封装
9 p" n- |! R9 H
: i" k* L" v3 Q5 \9 K- B基本应用
! {" Z7 K; K3 C6 X: g5 X+ C- X# P, Z6 \5 K
● AC/DC适配器 a' ~( @4 i# w* e
● 电机类适配器4 S6 D: i7 r1 g. g R
● 充电器1 e9 i! b% }0 O0 t
● 存储设备电源 I A- `; Z7 r" P) t& Q
& g# Z4 H+ |, `5 U- P) S, }* Z典型应用
# P. Q2 d; [7 j' U0 |: Y管脚排列3 B* }5 U; g9 S. R* M
管脚描述
3 R/ o2 R( T& u) N1 {
7 F/ h8 ?* f7 V. e一、样机规格" Q) \6 i. i+ d" Y
# j. c8 N6 }5 k, T! z" `
输出电压12V,输出负载5A,IC lot:HHP02。5 q( A$ p* l8 a# y5 ~7 U
) a& P7 o9 s+ s! q3 I, J修改参数:! n( K2 `% ]8 [' w" `- a# N
% b5 o1 ?( E$ M( Q. U替换IC,RS1电阻由0.33R改为0.27R(直接并1R电阻)R9由47R改为200R,R8由33R改为20R。
8 m# X$ ]9 @9 w2 x* ` }2 b' O: p$ C- A7 o& Y( ]- r9 d
二、基本电性参数 X% X- c0 h5 L ^
三、基本波形5 Y" E# L4 d' v" U+ m- P( b! J0 t
; r a1 J- ^+ F3 [ a7 |+ O% s
XX5533 264V/50HZ MOS波形
& ?7 W9 _, _$ g# ?CR6890H 264V/50HZ MOS波形 3 W m$ U2 u2 M2 l4 L, P
XX5533 264V/50HZ 肖特基波形
; y4 ^9 `$ N1 E: l8 f8 z/ v; aCR6890H 264V/50HZ 肖特基波形
3 ?" V0 M2 Z. rXX5533 264V/50HZ GATE波形 , x' q3 k. S: L6 t# N/ V
CR6890H 264V/50HZ GATE波形 b, {" x! J' U" g2 {: ?
XX5533 230V/50HZ 传导波形 N
% v. N# n( p' x8 p x/ U) LXX5533 230V/50HZ 传导波形 L . X# A' j4 z# s: |6 r1 y
CR6890H 230V/50HZ 传导波形 N & P6 j: S6 w' g. [' C2 j
CR6890H 230V/50HZ 传导波形 L
6 b0 ?2 z9 r9 ^! SXX5533 230V/50HZ 辐射波形 % C: L, a8 Q0 [. G* a* D
XX5533 230V/50HZ 辐射波形
$ m V: u3 P4 mCR6890H 230V/50HZ 辐射波形
1 [3 r5 g' T. P$ U$ l7 r3 \3 ACR6890H 230V/50HZ 辐射波形 ! T/ I' U- P! m) x
对比结果9 c( Z; _# n8 I4 q) R R
- U0 L: k1 I# f8 R! \" k6 M
电性基本一致,CR6890H效率更高。
3 h. \, S2 `5 D o5 y z, h' M' x- l
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