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两款电源芯片对决,谁能遥遥领先?看完测试报告有答案

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发表于 2023-3-16 10:50:13 | 显示全部楼层 |阅读模式
本帖最后由 思睿达小妹妹 于 2023-3-16 10:55 编辑
2 B0 e: {" l8 F7 C
* ^8 e4 O7 t: i2 d5 B" P# {/ e" Z当今世界,人们的生活已是片刻也离不开电子设备。电源管理芯片在电子设备系统中担负起对电能的变换、分配、检测及其它电能管理的职责。电源管理芯片对电子系统而言是不可或缺的,其性能的优劣对整机的性能有着直接的影响。
2 k: R5 n5 h5 P1 V8 d: W! P& ?0 `
! ?  X$ ?! I" C# b4 Z2 P电源管理芯片的应用范围十分广泛,例如本公司主推的CR6890H可应用在AC/DC适配器、电机类适配器、充电器等。接下来,我们将CR6890H和电源IC XX5533进行对比测试,看看哪一款IC更胜一筹!
/ q# E0 ]" L. U+ x0 X. e! }: T" {8 Q: w; `
关于CR6890H
) A9 ^$ ^5 [0 J2 b" q; {1 p" Z8 K1 n" G% f/ H" L& R7 R% a' _
CR6890H是一款高集成度、低待机功耗的CCM+PFM混合电流模式PWM控制器。CR6890H轻载时会降低频率,最低频率22kHz可避免音频噪声。CR6890H提供了完整的保护功能,如cycle-by-cycle电流限制、OCP、OTP、VDD_OVP、UVLO等,还可以通过PRT脚分别精确设置外置过温保护和输出电压过压保护。软启动功能可以减少系统启动时MOSFET的应力,前沿消隐时间简化了系统应用。通过频率抖动和软驱动电路的设计,降低开关噪声,简化了EMI设计。CR6890H提供SOT23-6L的封装。
3 `2 t7 @9 u" H" \" x# c  g% {
% G0 {& L0 l5 `  ~% j, l主要特点+ ~( B/ h  Z1 S' s. k2 y* b+ H4 d

. e& }' p; q* i1 M. _1 T● 较低的启动电流(大约3μA)
2 X, v( d# f+ Z: }1 u/ r& a● 内置软启动减少MOSFET应力
8 r7 |# E. n8 t4 [● CCM+PFM控制模式
+ I  X. \5 w7 `- w$ W1 h● 内建同步斜坡补偿,消除次谐波震荡7 |# F1 x  |6 k% Y; R5 s$ C
● 内建频率抖动功能,降低EMI
: z' E) m- |5 I6 o9 {2 x● 内置65kHz开关频率
6 e0 u  Y2 D, Q; }9 p● 轻载降低工作频率
$ B/ n  K+ W3 r, ]& d● 15ms倍频模式
2 [6 ^8 M( I  E● 可编程外置过温保护并进入latch4 K6 Q, {# y! G; ^
● VDD过压保护和输出过压保护功能并进入latch7 l% N# t4 ?7 I' {+ i
● 内置前沿消隐电路; j  r2 K& l4 g& ]1 |% z( |
● 内置输出二极管短路保护, a8 Z0 t7 ^) L7 A2 U$ w
● 内置过温保护并进入latch
1 {/ _$ ]3 j: R8 d9 @" ~  I5 a● 过载保护
; F& h7 j- B' d- E  p● SOT23-6L封装
+ a- Z- F( S$ m* h  Q; S/ _
* f: w9 m- q$ C8 d- H6 h2 y基本应用2 n5 Y9 P. _5 T$ g2 h+ K0 B
8 ?( N  C1 b- Q3 [" Q  F' B
● AC/DC适配器0 E% m2 q0 s6 P! E* N
● 电机类适配器
# d3 X$ A4 o! O9 a4 |● 充电器( l" F  F0 f1 W. W0 h
● 存储设备电源# v# x+ l( C! f) |) j/ u
, C2 g, L, h: w
典型应用
8 I& {7 h4 ]: B; D( J; Z( ]8 e" J0 A1 {9 P
管脚排列
9 i# a5 R  \3 Q5 W2 {& i! m
管脚描述
/ T( I% x+ m- h& c) q& t
  j( p2 @( X  d  F
一、样机规格
: a$ g% L+ n% [& M; G) G/ }  n" d+ l3 U4 D
输出电压12V,输出负载5A,IC lot:HHP02。
3 Q) @4 k; h: z/ ?9 _8 Z( a' Y: O3 k" {
修改参数:
  ^0 g6 I9 @0 l' f4 c6 i* b
- r+ J+ N% o/ v+ j+ I1 J替换IC,RS1电阻由0.33R改为0.27R(直接并1R电阻)R9由47R改为200R,R8由33R改为20R。
  K, A' Z0 C, o/ I+ F' x. v5 o/ _7 i& G9 S( Y& s
二、基本电性参数. z$ i  _& Y/ }0 X# D# \
三、基本波形9 x8 Y) J& ~: q$ n5 y7 W4 A

$ \: L3 p6 S7 V
XX5533 264V/50HZ MOS波形

) T5 e: I, }7 \9 o8 `
CR6890H 264V/50HZ MOS波形
0 l3 w6 y" n) k1 ?9 r8 I" Y
XX5533 264V/50HZ 肖特基波形

: ~. ]: v( {* |2 R! x# k8 ^" X
CR6890H 264V/50HZ 肖特基波形
( q. t2 ~( Z( O+ w
XX5533 264V/50HZ GATE波形
+ L, w$ i) k' p
CR6890H 264V/50HZ GATE波形

( O) ]# W5 N9 J# I. l/ w
XX5533 230V/50HZ 传导波形 N
1 ~6 ~" l. s. f) K3 B
XX5533 230V/50HZ 传导波形 L
3 g$ q; M! u# ^/ I: r7 N
CR6890H 230V/50HZ 传导波形 N

4 Q3 Z+ u; t& o- ?# f& z
CR6890H 230V/50HZ 传导波形 L

: c3 E' L# S, e
XX5533 230V/50HZ 辐射波形

2 u8 l# k( `1 O
XX5533 230V/50HZ 辐射波形
0 v* P, Y$ _( S, T, v( r
CR6890H 230V/50HZ 辐射波形

! _/ }$ y3 _; Q1 A
CR6890H 230V/50HZ 辐射波形

& j7 x) ?3 s+ V% Y  a- V& r对比结果
: w1 O1 o+ O& U" l+ l) L
2 l$ m5 b' Y( Q1 v/ {2 m电性基本一致,CR6890H效率更高。, u% S; j4 n: S/ ~# N
: T  V8 i' t# r  M

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