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两款电源芯片对决,谁能遥遥领先?看完测试报告有答案

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发表于 2023-3-16 10:50:13 | 显示全部楼层 |阅读模式
本帖最后由 思睿达小妹妹 于 2023-3-16 10:55 编辑 * s  Z9 ^$ m# ~) _2 v& k6 Y
) X( I$ E  Q- e- |! f7 M
当今世界,人们的生活已是片刻也离不开电子设备。电源管理芯片在电子设备系统中担负起对电能的变换、分配、检测及其它电能管理的职责。电源管理芯片对电子系统而言是不可或缺的,其性能的优劣对整机的性能有着直接的影响。1 s+ N& D- V$ w9 H0 q, X9 a

& P9 Z" i. p& Y3 I# f电源管理芯片的应用范围十分广泛,例如本公司主推的CR6890H可应用在AC/DC适配器、电机类适配器、充电器等。接下来,我们将CR6890H和电源IC XX5533进行对比测试,看看哪一款IC更胜一筹!) @1 {( J0 a% G, _) N! }5 k
. |/ H0 R/ z8 H6 Z' u* X
关于CR6890H
' ?1 Q# i( a1 e4 k$ i  ^) c
4 R1 K- }  B5 B- u/ oCR6890H是一款高集成度、低待机功耗的CCM+PFM混合电流模式PWM控制器。CR6890H轻载时会降低频率,最低频率22kHz可避免音频噪声。CR6890H提供了完整的保护功能,如cycle-by-cycle电流限制、OCP、OTP、VDD_OVP、UVLO等,还可以通过PRT脚分别精确设置外置过温保护和输出电压过压保护。软启动功能可以减少系统启动时MOSFET的应力,前沿消隐时间简化了系统应用。通过频率抖动和软驱动电路的设计,降低开关噪声,简化了EMI设计。CR6890H提供SOT23-6L的封装。
, h7 k$ z# u  E% _6 |
2 h6 o5 @4 s- \) l+ O4 ^6 k主要特点
+ e  r6 y2 P# j9 V* H. f
1 d, z% @# C+ _7 k: o9 r● 较低的启动电流(大约3μA)
, `# ?6 ~$ F  B8 g$ S9 d● 内置软启动减少MOSFET应力6 X# V& k$ i+ Y6 G7 o# Q
● CCM+PFM控制模式' p* _( e/ q- m
● 内建同步斜坡补偿,消除次谐波震荡
( I' k5 S/ K3 e" ?● 内建频率抖动功能,降低EMI
/ Q& P: I6 j- V6 q$ ]6 _! ~; p● 内置65kHz开关频率
( }) G, Y7 B6 g9 c+ b. @  K● 轻载降低工作频率
' T0 x1 M' Q& z) B# d5 n● 15ms倍频模式' A' }+ M4 W- B) _, y
● 可编程外置过温保护并进入latch* G0 H% ^% V# _# n  f
● VDD过压保护和输出过压保护功能并进入latch
) ?) @& c9 e; y$ o% a7 W● 内置前沿消隐电路
4 L% _8 z; {' [/ e% q# _" M# h+ N, {● 内置输出二极管短路保护
  b/ \' Z5 U8 u● 内置过温保护并进入latch
# w: B, F2 U1 f' h' Z" X. H/ ?● 过载保护) ^9 y0 p( P9 n
● SOT23-6L封装7 X) S& M) B# t
  q0 w2 A" J; i9 G7 b
基本应用
- X! p8 j& O; ~8 `
5 Y: f0 U3 y% U2 V3 A● AC/DC适配器+ l) ^7 @; \# _. F
● 电机类适配器
7 P" O) z# q( {1 Z● 充电器
0 B+ i" k  I" u* a● 存储设备电源2 ^& s9 j: Y4 }3 @. k' t4 R

" f$ F) f- a( V. i9 G7 K+ [典型应用
, b0 V( Q1 y  ]
管脚排列6 J- \1 V: Y. }& f% l$ a
管脚描述  c2 s8 G" g4 J  [! Y0 t
( O6 y4 l$ f! b& A" n* t
一、样机规格: U% o1 ?6 r& f0 d1 j& r  f

3 T# t  m0 y8 P5 T输出电压12V,输出负载5A,IC lot:HHP02。
0 {% _. J7 J( l' Q1 `
3 ?* O0 `5 {" H5 i修改参数:
: P/ i9 w" d! E9 G/ h: g; r
5 x7 `% W( T6 z替换IC,RS1电阻由0.33R改为0.27R(直接并1R电阻)R9由47R改为200R,R8由33R改为20R。" v7 j7 S3 Y0 f5 i

8 Q0 U2 v" p4 n1 \% `% e) R二、基本电性参数
0 S* P  _8 p5 d  O: r+ t1 B5 `  t
三、基本波形* E: g$ ~) R0 ?+ E' O
5 g& |: E7 p* H& `6 D
XX5533 264V/50HZ MOS波形

1 R( S, p9 c$ f' C6 m) m
CR6890H 264V/50HZ MOS波形

# F# d6 W6 t+ R" u3 a! v2 D
XX5533 264V/50HZ 肖特基波形
6 U* V3 b, B7 Q6 Q/ I% R3 A
CR6890H 264V/50HZ 肖特基波形
2 Q; D" |3 ~! \) ]  \# B
XX5533 264V/50HZ GATE波形
; w* R; ?# y! Y# ^9 G
CR6890H 264V/50HZ GATE波形
) h0 w8 g* P" W  [' D' P
XX5533 230V/50HZ 传导波形 N
/ ^" u1 _/ {( r' z# [
XX5533 230V/50HZ 传导波形 L

- t; I& q0 d6 I6 f% j
CR6890H 230V/50HZ 传导波形 N

+ z! T" s2 c+ |( d9 C
CR6890H 230V/50HZ 传导波形 L
; @/ R: t  w( i8 A0 U  _  l2 V) B
XX5533 230V/50HZ 辐射波形

/ Y* S% N9 p( _" ~* J" M
XX5533 230V/50HZ 辐射波形
0 N8 g4 f! @. |$ l4 U7 a0 d# L, i
CR6890H 230V/50HZ 辐射波形
* P/ k2 m% _, ~) J2 c- j
CR6890H 230V/50HZ 辐射波形
. a) |4 m6 b1 w" p/ h7 C! K; k
对比结果* b8 O# \& l$ C: `$ x
1 G# ?/ c6 h+ x6 i
电性基本一致,CR6890H效率更高。7 T- x1 Y/ F+ d

( i7 [( o. D2 d. [

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