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两款电源芯片对决,谁能遥遥领先?看完测试报告有答案

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发表于 2023-3-16 10:50:13 | 显示全部楼层 |阅读模式
本帖最后由 思睿达小妹妹 于 2023-3-16 10:55 编辑
" R5 \9 l% S' {+ d9 w* A3 I
) [( Z& ?& a" \2 f' w当今世界,人们的生活已是片刻也离不开电子设备。电源管理芯片在电子设备系统中担负起对电能的变换、分配、检测及其它电能管理的职责。电源管理芯片对电子系统而言是不可或缺的,其性能的优劣对整机的性能有着直接的影响。
6 e" {# `  [) L. ?$ L& ]' A: }  P- n" k! b. c5 H4 z
电源管理芯片的应用范围十分广泛,例如本公司主推的CR6890H可应用在AC/DC适配器、电机类适配器、充电器等。接下来,我们将CR6890H和电源IC XX5533进行对比测试,看看哪一款IC更胜一筹!& h0 u. Q+ u9 \5 s: S' [

, C$ \5 z, f& Q关于CR6890H
: Y1 ^3 m2 D, B  U+ m0 h$ a7 u4 F5 v' d) B5 T! P
CR6890H是一款高集成度、低待机功耗的CCM+PFM混合电流模式PWM控制器。CR6890H轻载时会降低频率,最低频率22kHz可避免音频噪声。CR6890H提供了完整的保护功能,如cycle-by-cycle电流限制、OCP、OTP、VDD_OVP、UVLO等,还可以通过PRT脚分别精确设置外置过温保护和输出电压过压保护。软启动功能可以减少系统启动时MOSFET的应力,前沿消隐时间简化了系统应用。通过频率抖动和软驱动电路的设计,降低开关噪声,简化了EMI设计。CR6890H提供SOT23-6L的封装。
: d- L6 t$ Q) M6 O
0 B/ t2 c3 Y; C8 G, `主要特点( K4 |+ _2 J% n, O% P

( N9 z9 L5 B7 m& D& }● 较低的启动电流(大约3μA). }! _* b0 J- ]/ U+ T+ }
● 内置软启动减少MOSFET应力" F; k! Q  C! Y: D, K/ a
● CCM+PFM控制模式9 K$ Q% o5 W0 T$ ?+ ~$ q& l, u' T. s# f
● 内建同步斜坡补偿,消除次谐波震荡4 K4 F# ~' f) g0 s
● 内建频率抖动功能,降低EMI
" ~/ p3 V7 @" L' Y8 b● 内置65kHz开关频率' e) L0 c' P$ Q0 R! e9 I- c% S
● 轻载降低工作频率2 @# ?; `/ t* X$ i; x5 ~
● 15ms倍频模式1 ]; f& ?+ U" [8 g% J3 Y, I: S7 l
● 可编程外置过温保护并进入latch
7 z$ _. s* @/ K' l1 f3 G+ I9 i5 m● VDD过压保护和输出过压保护功能并进入latch
7 I0 `' _  G: C● 内置前沿消隐电路
( L  \9 f& ]9 e6 ~, G4 M● 内置输出二极管短路保护/ d8 c, S# R1 [7 j9 P) a) H  F, G' ?
● 内置过温保护并进入latch# z% Z# r5 u3 g2 w3 ^  p
● 过载保护
$ Q( K3 v. [' }$ f● SOT23-6L封装' \1 \: Y( ~* k
& ?* q  V& s3 [( l
基本应用
* D/ B9 r( L7 e7 `! K1 n+ R/ j7 I. G0 F2 R- t* P
● AC/DC适配器  R( E5 m$ R0 h! Z% F( u
● 电机类适配器6 Z8 K" G* b: N' T, u
● 充电器  P" _) R! A2 o2 ~
● 存储设备电源
) r0 K  F, S) v# U% t
4 I0 G5 \/ J! i3 d* {& ^4 ]7 S! N典型应用3 W8 _8 s6 V+ r, l! h  E* @& ~
管脚排列
9 B1 e. v  P; c$ x9 ~) \
管脚描述
* O1 ?4 x* B+ o

0 b+ h; p( B  R; H+ R4 O一、样机规格
- [$ k. k1 l4 ]2 o* {& K% i
) k3 f; j' l9 e9 y! D+ {输出电压12V,输出负载5A,IC lot:HHP02。
' J6 ~: n6 a' b1 w1 P% |, k8 M: B. H- c3 x# b
修改参数:- y/ P+ O- C! e7 Z& O  G( N

6 A1 Z! K. O: C7 |( C! O) K* q! @4 f替换IC,RS1电阻由0.33R改为0.27R(直接并1R电阻)R9由47R改为200R,R8由33R改为20R。7 I6 u$ N: I6 g6 N

' R/ B- j! ]$ K) T+ J2 }二、基本电性参数) E3 w2 ?" Z! r+ K! @5 H; }
三、基本波形
& m2 B  h1 A8 }
2 Q$ c3 i8 `* n+ Z
XX5533 264V/50HZ MOS波形

5 W( p2 h& n* b- C, f
CR6890H 264V/50HZ MOS波形
# ]3 H$ g2 N5 ?8 m8 T& }. T
XX5533 264V/50HZ 肖特基波形

6 U/ c, q9 }, `6 F: j7 w& {/ U0 O
CR6890H 264V/50HZ 肖特基波形
2 z* w4 Z# h$ u. h# z
XX5533 264V/50HZ GATE波形
1 Z3 V& `6 h5 J8 U; D( V
CR6890H 264V/50HZ GATE波形
# e$ @1 c, o* K( U; I0 C
XX5533 230V/50HZ 传导波形 N

' X# Q1 i" E+ n) y4 o# X) b+ H
XX5533 230V/50HZ 传导波形 L
' T9 L# ^; k" X* y/ Z6 J
CR6890H 230V/50HZ 传导波形 N
/ x2 r/ Q- a. ^9 ?: j5 m7 H
CR6890H 230V/50HZ 传导波形 L
: z+ ~0 h- Z; S- N; l- G/ \
XX5533 230V/50HZ 辐射波形

2 Q2 |- t' N7 X+ z
XX5533 230V/50HZ 辐射波形

" }, |- r1 G! C/ G4 V
CR6890H 230V/50HZ 辐射波形
; ?, ]3 z+ v* c" [* o9 Y0 ~1 N' b2 h
CR6890H 230V/50HZ 辐射波形
) s0 k. H7 j) D. d3 Z* _7 a; ^: i
对比结果
6 Y; ^( F# H/ @- o6 N1 g9 d3 J  W/ e* O$ l/ ~
电性基本一致,CR6890H效率更高。
3 G7 A2 O3 }5 Q$ f
$ I' H; `" H" [& G- i6 k

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