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本帖最后由 思睿达小妹妹 于 2023-3-16 10:55 编辑 & \% t6 u. A5 o y% Y) ^" B
+ p! A; ~" R! l* T. z, v4 Q: j当今世界,人们的生活已是片刻也离不开电子设备。电源管理芯片在电子设备系统中担负起对电能的变换、分配、检测及其它电能管理的职责。电源管理芯片对电子系统而言是不可或缺的,其性能的优劣对整机的性能有着直接的影响。+ ^ W: q2 i( U! _* e* Z4 _
6 d" `! u" Z5 i, N7 C电源管理芯片的应用范围十分广泛,例如本公司主推的CR6890H可应用在AC/DC适配器、电机类适配器、充电器等。接下来,我们将CR6890H和电源IC XX5533进行对比测试,看看哪一款IC更胜一筹!. r# L* R- m9 y; t* u5 G1 s
* U$ ^8 g; Z) j
关于CR6890H5 r% ?4 Y/ a5 D4 ?0 s. l% Y
4 ]$ c' w6 L$ X# @6 BCR6890H是一款高集成度、低待机功耗的CCM+PFM混合电流模式PWM控制器。CR6890H轻载时会降低频率,最低频率22kHz可避免音频噪声。CR6890H提供了完整的保护功能,如cycle-by-cycle电流限制、OCP、OTP、VDD_OVP、UVLO等,还可以通过PRT脚分别精确设置外置过温保护和输出电压过压保护。软启动功能可以减少系统启动时MOSFET的应力,前沿消隐时间简化了系统应用。通过频率抖动和软驱动电路的设计,降低开关噪声,简化了EMI设计。CR6890H提供SOT23-6L的封装。& ?+ w9 |9 M4 Q
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主要特点
& q9 [, a' b, T! p U; r
7 d3 J- Z5 ?% F w: U7 s: _ I● 较低的启动电流(大约3μA)( m) `8 m3 Y, H0 j. f7 f
● 内置软启动减少MOSFET应力
; E! F- R2 i- E7 ~8 W; m! |● CCM+PFM控制模式
9 o: h4 |& A2 p. ?● 内建同步斜坡补偿,消除次谐波震荡
" M+ q* ^# b8 p& G/ ?1 ]● 内建频率抖动功能,降低EMI2 @! Z8 I( y B+ {3 M* F2 _# A7 P) L6 v' g
● 内置65kHz开关频率! e: |6 f7 Z5 E. v8 h
● 轻载降低工作频率
. t+ y1 _" B+ _ T' D● 15ms倍频模式3 B$ G3 Y! O- ]5 P. {4 `
● 可编程外置过温保护并进入latch# M, k% S* N8 V% v: f0 f
● VDD过压保护和输出过压保护功能并进入latch& B* O5 j2 w6 v. f
● 内置前沿消隐电路5 p: I }# u( h3 d( L! ~
● 内置输出二极管短路保护
% w0 {7 t2 {- Z: a( G● 内置过温保护并进入latch. F9 t% G3 X* S! P# `4 l- g$ z
● 过载保护
" @ X3 \0 C* a, {# Y* V2 n. L● SOT23-6L封装) F1 w$ g$ ?+ f6 P: k2 C8 c7 M8 V
U/ Z- y/ H! n+ Y1 s: s2 t4 k6 l. a基本应用
6 ?! n$ O) s. l! g8 Q) X; L+ R4 H" F G4 A9 N1 _8 |; X
● AC/DC适配器
Y% d7 i& R( v& d* a● 电机类适配器
$ h) v2 z# m4 N. T" t6 A" W# u) O2 X● 充电器
! A8 k4 b. O d! z$ t● 存储设备电源( v4 w4 I& `) V- w! ]6 N9 u
7 ~) k2 q4 W4 d
典型应用
% w) z: i' X/ j( z. p7 k管脚排列$ T8 G9 \, L m9 R+ d8 z2 e; F
管脚描述% p. b% Q! t! P' \0 ?
8 p4 C w9 S. C一、样机规格
# K7 w4 f6 M$ `. k0 \/ t' d! N+ k3 l2 y) R, u5 y
输出电压12V,输出负载5A,IC lot:HHP02。0 D; B0 Q. i Q w' ?! r
4 a8 _" K. l! n! P7 \
修改参数: j5 k# G: u% J* ^7 W
5 a; s) v5 t, @ }. F
替换IC,RS1电阻由0.33R改为0.27R(直接并1R电阻)R9由47R改为200R,R8由33R改为20R。
! r7 z; P8 F' }
1 t9 Z) m2 }- j9 y+ f& `1 J, }二、基本电性参数
$ |0 t+ ]$ l6 L4 `5 ~# t三、基本波形
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9 H1 L) }: T8 ]. p: H% DXX5533 264V/50HZ MOS波形 ! e$ ^) k) w8 B' T
CR6890H 264V/50HZ MOS波形
0 F- `+ g* o, I, \9 Z0 |XX5533 264V/50HZ 肖特基波形 5 U6 v9 F6 k8 d! r
CR6890H 264V/50HZ 肖特基波形 9 W; Y$ i7 d) H1 C
XX5533 264V/50HZ GATE波形
1 {' s; N r, i4 G6 v8 tCR6890H 264V/50HZ GATE波形
) J" e0 y, ?/ Z4 Z! mXX5533 230V/50HZ 传导波形 N
9 P, o3 `/ m0 Y& m6 i9 `XX5533 230V/50HZ 传导波形 L e/ H f' Y7 M
CR6890H 230V/50HZ 传导波形 N * e; C- A* x9 O
CR6890H 230V/50HZ 传导波形 L
2 @2 y3 n& P" Q( h9 mXX5533 230V/50HZ 辐射波形 : y- M) p, {+ W
XX5533 230V/50HZ 辐射波形
* } p' R. e, g5 s: |& ~CR6890H 230V/50HZ 辐射波形 ' F* V& {( a8 W, _" \/ T4 `- b
CR6890H 230V/50HZ 辐射波形 5 B k8 }, A f. W. F
对比结果0 g% B! s* r$ Q4 ~5 @+ P
( y( ] A) h' [& j5 b$ Z. K' D" `电性基本一致,CR6890H效率更高。
: _3 M) ~/ m& `& x% K
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