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两款电源芯片对决,谁能遥遥领先?看完测试报告有答案

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发表于 2023-3-16 10:50:13 | 显示全部楼层 |阅读模式
本帖最后由 思睿达小妹妹 于 2023-3-16 10:55 编辑 % q4 v6 j+ v9 {" s8 h5 M
+ C8 s4 t: ?2 K# N8 f+ s
当今世界,人们的生活已是片刻也离不开电子设备。电源管理芯片在电子设备系统中担负起对电能的变换、分配、检测及其它电能管理的职责。电源管理芯片对电子系统而言是不可或缺的,其性能的优劣对整机的性能有着直接的影响。- d* |% `1 L1 t2 d8 O+ j

8 z; q' m6 {' Y0 Q" @电源管理芯片的应用范围十分广泛,例如本公司主推的CR6890H可应用在AC/DC适配器、电机类适配器、充电器等。接下来,我们将CR6890H和电源IC XX5533进行对比测试,看看哪一款IC更胜一筹!! u, J4 m3 H; {; c# r" X1 F% _

, k3 p, V( F  R( @/ i关于CR6890H
4 k  |% {2 l& A$ Z! K: \0 L( b/ s. V! x% N" h6 {
CR6890H是一款高集成度、低待机功耗的CCM+PFM混合电流模式PWM控制器。CR6890H轻载时会降低频率,最低频率22kHz可避免音频噪声。CR6890H提供了完整的保护功能,如cycle-by-cycle电流限制、OCP、OTP、VDD_OVP、UVLO等,还可以通过PRT脚分别精确设置外置过温保护和输出电压过压保护。软启动功能可以减少系统启动时MOSFET的应力,前沿消隐时间简化了系统应用。通过频率抖动和软驱动电路的设计,降低开关噪声,简化了EMI设计。CR6890H提供SOT23-6L的封装。; l- _' b! D# F0 ~
" [' H% Q7 A/ b  r: u, {5 h# v
主要特点! U$ ?! d+ a3 o3 x

; c0 z, x; {+ W' X, R● 较低的启动电流(大约3μA)* U& W6 k8 i; i4 {; q3 t
● 内置软启动减少MOSFET应力; T" v  C/ {2 ^4 t) U& i
● CCM+PFM控制模式
0 _5 w1 s; j5 h4 v$ g" d9 K● 内建同步斜坡补偿,消除次谐波震荡! m' `5 r9 `" T0 t
● 内建频率抖动功能,降低EMI
! h1 m7 l5 a/ K' x2 U● 内置65kHz开关频率
4 A2 D2 Q4 u6 `- m- D9 a0 p● 轻载降低工作频率/ s, {$ `7 O& v3 U0 g7 a
● 15ms倍频模式: V5 ^; ]0 `* ?/ ?# d
● 可编程外置过温保护并进入latch
, q# B/ A8 t! k* s% K" {1 h● VDD过压保护和输出过压保护功能并进入latch: c5 }1 Z! Y% X
● 内置前沿消隐电路
; v( _' w( E1 l6 Q2 I  |- O% `/ ^● 内置输出二极管短路保护
! G. \& u# ?# f5 E& M6 s) C● 内置过温保护并进入latch! u6 E' B7 p0 P5 u5 e3 O  t
● 过载保护
- ^( A0 ^5 b  L1 c6 J● SOT23-6L封装  k2 E0 W9 z! e/ ^% y0 @
2 ]  k( U% Y; t, j* I- b
基本应用* J5 p, w  K! a( A  ^, ?
% h/ D! _; }! u) X7 w
● AC/DC适配器  e& {8 Q$ [( ?+ U; M! n) p
● 电机类适配器3 Y+ {' q+ T$ k$ G1 z' p
● 充电器
# G- a$ u( \1 m/ l0 j: z● 存储设备电源' B! T/ e' k& Y. g
4 }7 P: a. x. i# N) @2 r& C- C
典型应用
) A% A! K3 y1 a$ Q
管脚排列
: `: U7 x! f( f$ P2 t7 v2 b2 e3 c
管脚描述
7 P+ i6 X  u  T9 Q* \6 c0 W4 O
. H7 v0 m1 I2 g* T- m: T# D
一、样机规格
' ^# x; X( `1 [) t7 X; _. ~, p; n* v& C
输出电压12V,输出负载5A,IC lot:HHP02。
) O$ S0 j  Q7 K( w( d' n9 F" x$ x6 i" T2 D  ?
修改参数:7 n1 D5 x; e; h8 Y  e
0 G1 o( _! L5 D$ r
替换IC,RS1电阻由0.33R改为0.27R(直接并1R电阻)R9由47R改为200R,R8由33R改为20R。
+ A6 r2 S4 K8 x1 `1 ^& P
/ P0 }1 [5 M# _$ q二、基本电性参数
: D" k0 Y* r. \
三、基本波形
3 a9 k$ A# T  S/ C6 k/ W8 Z5 b4 u3 M
XX5533 264V/50HZ MOS波形
2 C$ k. A2 ^5 I) W
CR6890H 264V/50HZ MOS波形

0 k* x2 R0 s  Z1 z
XX5533 264V/50HZ 肖特基波形
. i9 U' c* x  X- |+ p, k' D2 `
CR6890H 264V/50HZ 肖特基波形

) }: j1 ~$ i8 G* o8 ]  v
XX5533 264V/50HZ GATE波形
" G% ~( j  q+ J: M3 }% v
CR6890H 264V/50HZ GATE波形

% \* V8 c$ M4 T# B" O& w
XX5533 230V/50HZ 传导波形 N
* u4 D* t9 f$ V2 e5 L
XX5533 230V/50HZ 传导波形 L

' L& a% J$ C/ a' n: ^
CR6890H 230V/50HZ 传导波形 N
, s2 G. g6 H) h
CR6890H 230V/50HZ 传导波形 L

* {4 x1 A& I* N$ T9 h% l
XX5533 230V/50HZ 辐射波形
1 Y# ?9 }4 b3 L  C: i/ y# s5 a
XX5533 230V/50HZ 辐射波形
- u- U. \& i& R0 M
CR6890H 230V/50HZ 辐射波形

! h8 o3 `: H" S8 }0 t3 ^
CR6890H 230V/50HZ 辐射波形
( y" K* H9 f; R
对比结果; g; G8 b& d, F# o' X0 j

( V5 j6 ?8 O# b6 |2 S8 x. Q. |2 V电性基本一致,CR6890H效率更高。
# ~& Q1 f. n) V- e
1 G$ B6 @- {2 r; [. B5 ?4 M

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