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两款电源芯片对决,谁能遥遥领先?看完测试报告有答案

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发表于 2023-3-16 10:50:13 | 显示全部楼层 |阅读模式
本帖最后由 思睿达小妹妹 于 2023-3-16 10:55 编辑
  z7 O* A0 M! }# `  v7 Z; A& ^8 V
# |% M1 P2 g0 Q0 u; A8 H. g& K当今世界,人们的生活已是片刻也离不开电子设备。电源管理芯片在电子设备系统中担负起对电能的变换、分配、检测及其它电能管理的职责。电源管理芯片对电子系统而言是不可或缺的,其性能的优劣对整机的性能有着直接的影响。9 w  B8 F: w- j) T4 c

) S7 N7 S+ |; V. Q$ s电源管理芯片的应用范围十分广泛,例如本公司主推的CR6890H可应用在AC/DC适配器、电机类适配器、充电器等。接下来,我们将CR6890H和电源IC XX5533进行对比测试,看看哪一款IC更胜一筹!: ]: _/ J! d  F$ ]) p
) Q1 b% J4 R$ D7 Y
关于CR6890H
! n6 ^& k6 w5 e3 \0 L' U8 W0 N% D* b: M6 {! k+ S
CR6890H是一款高集成度、低待机功耗的CCM+PFM混合电流模式PWM控制器。CR6890H轻载时会降低频率,最低频率22kHz可避免音频噪声。CR6890H提供了完整的保护功能,如cycle-by-cycle电流限制、OCP、OTP、VDD_OVP、UVLO等,还可以通过PRT脚分别精确设置外置过温保护和输出电压过压保护。软启动功能可以减少系统启动时MOSFET的应力,前沿消隐时间简化了系统应用。通过频率抖动和软驱动电路的设计,降低开关噪声,简化了EMI设计。CR6890H提供SOT23-6L的封装。9 |, H, w  u5 G) _) U3 O4 K

7 ?" A1 k; }2 F0 Z/ h: i" [1 c% P主要特点3 Z* {4 s2 @0 x7 l$ b, z

; E. B8 e# `% T1 x8 Z● 较低的启动电流(大约3μA)8 n% l( w( w- l# N6 y
● 内置软启动减少MOSFET应力/ n6 D8 E/ M# s) P7 ]! ~' ?
● CCM+PFM控制模式
6 }5 x' m! K- h6 J● 内建同步斜坡补偿,消除次谐波震荡
6 l) b) i- S# [* f6 u- J● 内建频率抖动功能,降低EMI
/ q2 W3 k0 M$ O" m& T( A( G● 内置65kHz开关频率9 i, y) C( E; T4 z7 K
● 轻载降低工作频率9 v: n6 O, z5 j- {' b+ Z  P2 Y) S
● 15ms倍频模式
$ X3 D/ [% p, E# V1 w  A) f● 可编程外置过温保护并进入latch) o) I0 m- a- v' C* w) q+ S
● VDD过压保护和输出过压保护功能并进入latch; j# z: b9 z- _# L3 S- h
● 内置前沿消隐电路
! V+ E8 V5 d7 [7 p4 Z' D5 U: q● 内置输出二极管短路保护. \8 `7 V* |7 T, L7 _$ O" l9 s
● 内置过温保护并进入latch
/ j9 z; e$ U( L% w9 S● 过载保护
9 P/ ^6 u$ V0 e, r; Z● SOT23-6L封装" Y1 o7 q( T1 j. n. z$ n$ K

/ x: L6 L$ E' T( U, V基本应用
" f3 I# Z) T- `$ y
1 Z7 ?& X: r, s  f7 P● AC/DC适配器' t& ?! c8 B8 j7 g
● 电机类适配器2 t: b& m5 _3 |% @
● 充电器% g! q9 Z, h- P% y  Y9 \
● 存储设备电源/ \6 g; ]4 Y/ G  `

7 _- E  L8 v( f& Q" k7 j8 v典型应用' H9 w. }  [: v& x. b" p
管脚排列
) ~: ~# W4 t+ k* g% U/ w  \/ u
管脚描述+ H) e% L4 ]5 k- W" d9 d. j
! x. t1 _4 R" S- a0 \: @: C0 G
一、样机规格8 o2 x, o! E. Q: T( u& ?& T
; R8 U4 A1 ^) ?: T" C' [( {
输出电压12V,输出负载5A,IC lot:HHP02。4 _$ }* w* C0 C0 k# m% V
5 Z# f& {+ Y# Y, z( a. s; D
修改参数:7 t: b0 q9 E: f: Q: n2 q- ?: K6 b

/ j% M6 h6 ^' q* c替换IC,RS1电阻由0.33R改为0.27R(直接并1R电阻)R9由47R改为200R,R8由33R改为20R。7 v( m& g) _8 z/ n! e  ^; G
6 w* d- U: z5 z( [  W, C
二、基本电性参数" p% v2 C/ P( J$ s1 y7 i
三、基本波形3 N+ \& i: \/ N( l6 c  T' L

5 E& s7 b% o) }( ~, Q8 r
XX5533 264V/50HZ MOS波形

/ N6 v0 ?/ f( z- P) D# c+ ~9 F
CR6890H 264V/50HZ MOS波形

8 v2 A: F' ~( p3 J/ g. p
XX5533 264V/50HZ 肖特基波形

  S; P* n7 \4 O
CR6890H 264V/50HZ 肖特基波形

( t4 K( u: O1 v; f4 a
XX5533 264V/50HZ GATE波形

+ \- k; W  g/ X8 \0 {$ e. z# U
CR6890H 264V/50HZ GATE波形

# }. |5 q" `" O0 C
XX5533 230V/50HZ 传导波形 N
- s- J& D+ s5 K, ]0 u1 C
XX5533 230V/50HZ 传导波形 L
1 U* i5 F$ f' F5 L9 c2 i3 V
CR6890H 230V/50HZ 传导波形 N

. W( g' R# e+ ?' s/ I/ W$ W' ?
CR6890H 230V/50HZ 传导波形 L
& `5 a2 M: k# w9 {7 F
XX5533 230V/50HZ 辐射波形
2 {$ c: y0 a% W+ N; b
XX5533 230V/50HZ 辐射波形
& C# x7 w" Y  ~4 ~1 M8 E
CR6890H 230V/50HZ 辐射波形
' O- ]4 B1 c( l" l$ w" u
CR6890H 230V/50HZ 辐射波形

, }1 j8 P1 C* s$ H0 }. }) f对比结果
9 R6 ~  P3 {. [( f/ c" I6 K3 L! i6 X9 d" ^2 ?
电性基本一致,CR6890H效率更高。' o" c; D% G, Y# [

1 S% T5 E! _, ?8 \

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