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本帖最后由 思睿达小妹妹 于 2023-3-16 10:55 编辑 # O: m8 [- b: g( h5 j, V
q3 g- H6 s4 b/ D9 Z! s& T当今世界,人们的生活已是片刻也离不开电子设备。电源管理芯片在电子设备系统中担负起对电能的变换、分配、检测及其它电能管理的职责。电源管理芯片对电子系统而言是不可或缺的,其性能的优劣对整机的性能有着直接的影响。& T/ ?/ f# U* A$ T& K* n; [
$ G; c( o3 z3 L. Y1 [8 O: S电源管理芯片的应用范围十分广泛,例如本公司主推的CR6890H可应用在AC/DC适配器、电机类适配器、充电器等。接下来,我们将CR6890H和电源IC XX5533进行对比测试,看看哪一款IC更胜一筹!; N, q. N% V- |' q$ D% i0 l
4 N# P! X+ P- ^9 p- l% y4 x
关于CR6890H: y. d) p: J& ]! w+ j
- O: S: r( D ~- a. k/ q8 X/ JCR6890H是一款高集成度、低待机功耗的CCM+PFM混合电流模式PWM控制器。CR6890H轻载时会降低频率,最低频率22kHz可避免音频噪声。CR6890H提供了完整的保护功能,如cycle-by-cycle电流限制、OCP、OTP、VDD_OVP、UVLO等,还可以通过PRT脚分别精确设置外置过温保护和输出电压过压保护。软启动功能可以减少系统启动时MOSFET的应力,前沿消隐时间简化了系统应用。通过频率抖动和软驱动电路的设计,降低开关噪声,简化了EMI设计。CR6890H提供SOT23-6L的封装。
" _, g+ }0 o' S: o. i" ]% R! X; c: ^: p$ J7 J$ G' }- w
主要特点
+ f. F" [' i$ i/ B0 B' p( U( f1 B, y1 w. i3 q
● 较低的启动电流(大约3μA). D* @' q4 [6 A. ~6 I# w
● 内置软启动减少MOSFET应力
2 _: ^6 ^+ o" T* m6 r) m( L. ?% W● CCM+PFM控制模式, K$ p+ h7 Z7 J$ w
● 内建同步斜坡补偿,消除次谐波震荡
! ^* K2 x' q; Z. o7 O● 内建频率抖动功能,降低EMI# s; j) _% t3 i8 e8 R+ G, |
● 内置65kHz开关频率
4 y( d0 R x7 {; R2 a● 轻载降低工作频率
& A+ r9 z F! l● 15ms倍频模式' k1 l; p5 \. M6 j' n b6 b
● 可编程外置过温保护并进入latch# U- L) a; @4 c2 o* v6 }2 ]
● VDD过压保护和输出过压保护功能并进入latch
& ` Q+ d2 M' T3 O● 内置前沿消隐电路- _! ~; y% E/ v4 t5 N
● 内置输出二极管短路保护
& K3 Z" m$ _. ?: n● 内置过温保护并进入latch3 A! ?1 E; \/ b
● 过载保护
) K9 `. W/ Z6 {* ~+ [' W● SOT23-6L封装
' c# ~0 e8 y9 ~% v1 ^4 \; J
3 T! b$ M8 l& B, Y. \/ s9 v基本应用7 r+ \2 Z) s5 l2 Y$ u. Q
9 O" D% {& Q z% e) i! m
● AC/DC适配器
( }# K3 p# T0 x( F● 电机类适配器
" W- {* Y5 J* C. y2 A8 k+ X9 R4 X● 充电器3 @) }- B) N5 G: K; [- [
● 存储设备电源
4 D3 r8 f. t* h1 v8 ]- B0 b& }9 ^2 ?% S
典型应用
Y! J! N2 j! z: x管脚排列
. d) N1 N# ?$ R管脚描述
" [4 V1 I# K& R- O9 O- C- S5 m: `5 d, Z3 T
一、样机规格
0 ^- D6 O. t' a+ u- Z2 c- G) C
, A; O8 }7 h/ m; Q输出电压12V,输出负载5A,IC lot:HHP02。
+ @ @- q) a: u7 T
, ]) j* N. s9 l' ^1 C5 A: f修改参数:
* M, \. M! K* q; r5 P! V- j
) Z5 J, R9 M; a替换IC,RS1电阻由0.33R改为0.27R(直接并1R电阻)R9由47R改为200R,R8由33R改为20R。
& u5 d! U1 D( C. U" j+ j# @
8 K' r6 T8 D- R# C8 w0 s+ M' w二、基本电性参数
3 X; s1 i7 y: ]$ P6 H% O三、基本波形
$ I& O* ^7 `; ^8 v3 V3 ]0 B
% K1 C/ {; U, S7 \4 ?, A- K A) VXX5533 264V/50HZ MOS波形 ) W5 Q4 w; Q& q/ |( [7 _
CR6890H 264V/50HZ MOS波形
d7 v- h( M. \/ p9 r. ]XX5533 264V/50HZ 肖特基波形 & c1 K9 T; S5 n5 C- |9 ]
CR6890H 264V/50HZ 肖特基波形
3 S4 z6 x3 g5 ^XX5533 264V/50HZ GATE波形
" {( E5 r$ S. Z- kCR6890H 264V/50HZ GATE波形 9 R2 J% e% U, G7 p; `: h
XX5533 230V/50HZ 传导波形 N
4 V" o1 g0 o. b% Q- v" JXX5533 230V/50HZ 传导波形 L # E# J3 n$ L7 }/ [1 v
CR6890H 230V/50HZ 传导波形 N
6 S: n( b. H9 HCR6890H 230V/50HZ 传导波形 L e$ b. H# }! g1 l9 {
XX5533 230V/50HZ 辐射波形
V. D: r$ F5 H* ZXX5533 230V/50HZ 辐射波形 * t! K$ N3 b$ v* N* \& ?/ @
CR6890H 230V/50HZ 辐射波形
- l) M6 o2 P( _$ }CR6890H 230V/50HZ 辐射波形
3 \; H s. X& i8 k( N4 |. _% r* Z对比结果
9 @$ Y+ t+ q) Y6 h ^. N
5 Y4 e. ^5 a6 B电性基本一致,CR6890H效率更高。2 l; z9 I" X+ \. s. B! Y
8 ?7 d N# P3 a' z+ M; | |
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