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两款电源芯片对决,谁能遥遥领先?看完测试报告有答案

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发表于 2023-3-16 10:50:13 | 显示全部楼层 |阅读模式
本帖最后由 思睿达小妹妹 于 2023-3-16 10:55 编辑 % K5 r6 {* s3 {+ h! t& e

6 H0 |- P& w; d/ F* ~' U) }- p7 B6 w当今世界,人们的生活已是片刻也离不开电子设备。电源管理芯片在电子设备系统中担负起对电能的变换、分配、检测及其它电能管理的职责。电源管理芯片对电子系统而言是不可或缺的,其性能的优劣对整机的性能有着直接的影响。
  e; k' w6 A" y' c9 |& P
% G, T6 Z( ~) i( g电源管理芯片的应用范围十分广泛,例如本公司主推的CR6890H可应用在AC/DC适配器、电机类适配器、充电器等。接下来,我们将CR6890H和电源IC XX5533进行对比测试,看看哪一款IC更胜一筹!
8 g, z$ D- Q3 J+ P& g- `8 k( n0 M7 w$ d9 n
关于CR6890H
3 l( r* Z0 j6 b) L
0 y) j- m1 q9 X5 w! f5 V! k% h+ vCR6890H是一款高集成度、低待机功耗的CCM+PFM混合电流模式PWM控制器。CR6890H轻载时会降低频率,最低频率22kHz可避免音频噪声。CR6890H提供了完整的保护功能,如cycle-by-cycle电流限制、OCP、OTP、VDD_OVP、UVLO等,还可以通过PRT脚分别精确设置外置过温保护和输出电压过压保护。软启动功能可以减少系统启动时MOSFET的应力,前沿消隐时间简化了系统应用。通过频率抖动和软驱动电路的设计,降低开关噪声,简化了EMI设计。CR6890H提供SOT23-6L的封装。
2 L+ s- g% s& I( G* v2 j) V1 w
% Y+ o( [7 }" S  r3 G主要特点
. a) Y$ k$ x6 A! z; \6 _9 Y8 n2 k3 y! m% _8 D
● 较低的启动电流(大约3μA)1 K9 W; H$ @0 M5 G4 \
● 内置软启动减少MOSFET应力
  |/ p8 s+ g/ f: O8 ]% U! d● CCM+PFM控制模式
( X* o$ `, k# n6 i● 内建同步斜坡补偿,消除次谐波震荡
% [4 e- P  C$ F- ?● 内建频率抖动功能,降低EMI
$ m: _: i' i. G" M4 n8 Y● 内置65kHz开关频率
& C7 @4 u; Y7 P. ^, D. `● 轻载降低工作频率
) e0 i0 f' S# l* s: I* F5 i● 15ms倍频模式
8 z! a& p: R+ n● 可编程外置过温保护并进入latch
0 A# q2 H$ c  `" L3 k1 [● VDD过压保护和输出过压保护功能并进入latch
* W6 r- Y$ W+ E  k9 @6 F● 内置前沿消隐电路, a8 e2 ~2 D: t, k- P( s
● 内置输出二极管短路保护
: z1 c/ W4 Z+ c; ]& Z" D5 S● 内置过温保护并进入latch
, ?/ U3 m/ q, l& {● 过载保护
/ d2 l) f! ?) @● SOT23-6L封装
# j, v3 O( l. \, V8 X9 {7 o1 r5 e+ e: c* `2 m
基本应用% T/ ?0 M. c1 @4 N) f# K

& k5 A( g, A3 e5 U& H' y$ H● AC/DC适配器" `- I' `$ ^" c9 R
● 电机类适配器" T7 G2 W/ z$ q: f2 k" \/ J
● 充电器
4 K* c  U* B, Y& A, K% t: O9 O● 存储设备电源, ^5 m# ]/ x! W! ~8 E
% Y( f9 }- ]. s# R4 c
典型应用4 S7 x. x1 R) }. a6 `: H, _
管脚排列' a: v; T# g* z& O+ A, V
管脚描述1 {) o8 N$ Z0 c3 N7 V+ e1 j1 y

% S( }5 ^& y; }- m/ f' m一、样机规格
: Q: Y( J0 a% z& R9 n2 S& B$ Z2 N2 m
输出电压12V,输出负载5A,IC lot:HHP02。
; c$ M- J" l7 w6 u' L( s% F6 R* F' I3 m' s" [& C% l/ l
修改参数:
+ h# W2 a6 n6 y5 S% H1 [
1 m- ]/ ]5 X" Y( Y6 |, j替换IC,RS1电阻由0.33R改为0.27R(直接并1R电阻)R9由47R改为200R,R8由33R改为20R。
4 G* E) L' F  L3 Z' x0 c# L, O2 @& n: s
二、基本电性参数
  F3 h9 b' a- Y0 {8 _2 D. Z3 |, E8 `
三、基本波形
# D$ G% j2 u. L. l
5 C& ~8 \. h, P8 k
XX5533 264V/50HZ MOS波形

8 g% E1 _: J- ?( q( R) S
CR6890H 264V/50HZ MOS波形

* k" h1 j+ L. K2 Q
XX5533 264V/50HZ 肖特基波形

/ Y7 l3 O7 c5 {
CR6890H 264V/50HZ 肖特基波形
# e8 d$ V4 t; C
XX5533 264V/50HZ GATE波形

$ {  f$ \$ @3 {0 w2 S8 G. G
CR6890H 264V/50HZ GATE波形

$ _2 p+ m9 f' G. L) R5 L9 {. S7 D
XX5533 230V/50HZ 传导波形 N
% }9 H. y7 e" d; v, ]. N! ]& K
XX5533 230V/50HZ 传导波形 L
0 g2 T, P& B) ]+ W: `7 B  g
CR6890H 230V/50HZ 传导波形 N

% \4 H; j0 b# _# t- h
CR6890H 230V/50HZ 传导波形 L
3 l) B! g. S* D0 T: R
XX5533 230V/50HZ 辐射波形

  R+ `6 k$ w' p! ~" q1 F! N' N9 C
XX5533 230V/50HZ 辐射波形

% T  r5 X1 u9 Z3 b3 b
CR6890H 230V/50HZ 辐射波形
+ p3 G0 d5 B! D7 Q( q! i7 p
CR6890H 230V/50HZ 辐射波形

' b& ?( `# ?6 c# M对比结果
. h$ V  |- ^) k$ V0 M0 n
! v* r8 i9 z) a; w8 S6 g) D) h电性基本一致,CR6890H效率更高。3 A3 J( n) m1 I. a/ _+ E4 j

3 L$ \  P+ k0 J* Y, }- z

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