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两款电源芯片对决,谁能遥遥领先?看完测试报告有答案

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发表于 2023-3-16 10:50:13 | 显示全部楼层 |阅读模式
本帖最后由 思睿达小妹妹 于 2023-3-16 10:55 编辑   k  u$ {% d+ _! R! m* L

( a# _; ~; \+ X2 [, p, t' @+ {当今世界,人们的生活已是片刻也离不开电子设备。电源管理芯片在电子设备系统中担负起对电能的变换、分配、检测及其它电能管理的职责。电源管理芯片对电子系统而言是不可或缺的,其性能的优劣对整机的性能有着直接的影响。
# ^, J& w! m3 f2 }1 g" J: S" ?
1 @6 D2 [: H6 R+ B电源管理芯片的应用范围十分广泛,例如本公司主推的CR6890H可应用在AC/DC适配器、电机类适配器、充电器等。接下来,我们将CR6890H和电源IC XX5533进行对比测试,看看哪一款IC更胜一筹!, y3 G3 R8 g& k' @
! Y* v5 S  H  b* ]/ J% C  b: I
关于CR6890H
+ W6 V; r* }, p  Q
" j/ u$ h( X! p6 \7 n5 g6 }3 hCR6890H是一款高集成度、低待机功耗的CCM+PFM混合电流模式PWM控制器。CR6890H轻载时会降低频率,最低频率22kHz可避免音频噪声。CR6890H提供了完整的保护功能,如cycle-by-cycle电流限制、OCP、OTP、VDD_OVP、UVLO等,还可以通过PRT脚分别精确设置外置过温保护和输出电压过压保护。软启动功能可以减少系统启动时MOSFET的应力,前沿消隐时间简化了系统应用。通过频率抖动和软驱动电路的设计,降低开关噪声,简化了EMI设计。CR6890H提供SOT23-6L的封装。
  X! s* v. _- \' t' }; s) f% G5 S( E( `4 \  g; M3 {5 m. U' L+ L
主要特点
4 M3 J; o) G4 H( n
0 D6 ?! e- C( A5 T2 U/ ~● 较低的启动电流(大约3μA)
+ j1 }- K# \* \4 b  h● 内置软启动减少MOSFET应力) h6 L7 C! O2 Y+ d) K! j4 c
● CCM+PFM控制模式
$ r/ a7 }5 E1 N● 内建同步斜坡补偿,消除次谐波震荡
2 H+ e5 s. d; {, s  ^, \4 @" s0 e, Y( W& s● 内建频率抖动功能,降低EMI6 @5 ^; S4 `0 n2 [8 F+ y
● 内置65kHz开关频率
( M0 x' A+ k7 K  k. D$ a● 轻载降低工作频率+ c- z# i" B. z( Y
● 15ms倍频模式
: J, \( k# E; `● 可编程外置过温保护并进入latch
6 j3 V) N* U' F  ^5 B# m% y4 h& n$ F● VDD过压保护和输出过压保护功能并进入latch( F( e4 t, e3 w7 @0 o! O/ F1 z3 b
● 内置前沿消隐电路  v/ n2 _6 ]( Q- |* g' j
● 内置输出二极管短路保护
0 p$ Y# I& U" ~, K$ [! S● 内置过温保护并进入latch* N* _) t" q3 |- \% l( s
● 过载保护, ]1 M6 Y; b) [2 c- A7 J
● SOT23-6L封装2 G) x. _' K: W1 N. [, b( D0 O

9 P$ D" o$ @( d基本应用
6 ^5 H# R/ j5 ~$ `/ P" r: N' x( M( n. c. `" Y2 y  O& A
● AC/DC适配器
9 Z) v0 r/ i: p* j, K" v● 电机类适配器" E  ]: F! q0 Y" I* @! J3 y
● 充电器( M- U8 [6 @" E& _0 W. R  z
● 存储设备电源$ y' f; e" G& i5 M# L

! |, D' F+ h6 E6 l典型应用: `3 n! W$ K( E# c5 J3 A/ y3 p! O
管脚排列
/ G3 y; S" b: N0 a0 @5 I- z9 @- f
管脚描述
, `% ?! t/ E9 R4 x# ^

  t; C$ }  E6 G& t一、样机规格
' d- c' W/ w0 Q, n# |! t# \
2 m! Z. p3 C3 P( [8 U输出电压12V,输出负载5A,IC lot:HHP02。
  j5 s/ l- W/ e& X& }! S; B( x7 ^  z/ J7 S5 S: W0 w
修改参数:
$ h; V, |$ a2 l( e# U( `0 P/ Z! I5 j7 P4 o$ ]8 p2 \* I& p
替换IC,RS1电阻由0.33R改为0.27R(直接并1R电阻)R9由47R改为200R,R8由33R改为20R。
0 a3 V  K, d( R6 {$ Q  Y% z# M9 h0 D6 F4 `# o8 z- `
二、基本电性参数
' v+ x6 Z2 X" G0 V5 L
三、基本波形
. C) i! U2 V, B3 ?& t3 m
# C  V+ y' k; b0 @' o
XX5533 264V/50HZ MOS波形

$ \0 y4 h: `6 h3 P- ^+ Y0 R- N
CR6890H 264V/50HZ MOS波形

$ H2 i; C" t, f/ V6 U9 ?
XX5533 264V/50HZ 肖特基波形

) M2 f9 H. |  N7 f5 b
CR6890H 264V/50HZ 肖特基波形
- R/ M' |4 D5 r) T
XX5533 264V/50HZ GATE波形

1 D3 S8 Y: J1 C0 S' ?
CR6890H 264V/50HZ GATE波形
( Z) L( ]$ W& `, R8 d
XX5533 230V/50HZ 传导波形 N

' R' S* T: x7 S0 z. C
XX5533 230V/50HZ 传导波形 L
' n( s$ U7 v: @, P
CR6890H 230V/50HZ 传导波形 N

1 [7 y7 P( h: }4 _: z8 B
CR6890H 230V/50HZ 传导波形 L

7 Y# }5 X) ?' U. e" U. z* t& \
XX5533 230V/50HZ 辐射波形
  q' r! L) Y8 O* O6 X0 H! x
XX5533 230V/50HZ 辐射波形
( U0 Z9 g) C2 A" c9 t! ?/ m
CR6890H 230V/50HZ 辐射波形

* Z1 s7 W7 g8 k7 M+ v& i2 ^6 m
CR6890H 230V/50HZ 辐射波形

0 h5 J" x- ]8 g- g4 F4 [4 R对比结果8 O/ `6 f. G: v
/ z4 ?% @$ ~! M# a8 v' |+ M
电性基本一致,CR6890H效率更高。! r- d) Z5 q5 l
1 C, r! e7 H! w

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