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两款电源芯片对决,谁能遥遥领先?看完测试报告有答案

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发表于 2023-3-16 10:50:13 | 显示全部楼层 |阅读模式
本帖最后由 思睿达小妹妹 于 2023-3-16 10:55 编辑
: Q( h' K, g! V4 S, I7 E$ e4 h1 j; t
当今世界,人们的生活已是片刻也离不开电子设备。电源管理芯片在电子设备系统中担负起对电能的变换、分配、检测及其它电能管理的职责。电源管理芯片对电子系统而言是不可或缺的,其性能的优劣对整机的性能有着直接的影响。
6 R5 d' v" I1 x% {( H+ T5 n# ~* `
电源管理芯片的应用范围十分广泛,例如本公司主推的CR6890H可应用在AC/DC适配器、电机类适配器、充电器等。接下来,我们将CR6890H和电源IC XX5533进行对比测试,看看哪一款IC更胜一筹!9 |0 F+ s( {: }! ^: s2 u
8 U6 x/ @2 x- w
关于CR6890H6 g; N9 V2 z9 `# f
: r$ D7 p  e$ d+ p1 x7 E
CR6890H是一款高集成度、低待机功耗的CCM+PFM混合电流模式PWM控制器。CR6890H轻载时会降低频率,最低频率22kHz可避免音频噪声。CR6890H提供了完整的保护功能,如cycle-by-cycle电流限制、OCP、OTP、VDD_OVP、UVLO等,还可以通过PRT脚分别精确设置外置过温保护和输出电压过压保护。软启动功能可以减少系统启动时MOSFET的应力,前沿消隐时间简化了系统应用。通过频率抖动和软驱动电路的设计,降低开关噪声,简化了EMI设计。CR6890H提供SOT23-6L的封装。+ ]5 L0 C4 |( q( J. l

3 `* N) a4 B% a6 b/ N7 D0 [) H$ F6 U主要特点. i% N1 [3 q& X
+ t$ \' v, R7 z* b9 W8 Q! C; C; k- u
● 较低的启动电流(大约3μA)
: f2 p# V: c1 x. m5 t* z● 内置软启动减少MOSFET应力2 C- A, l) p: O) S8 q/ r+ @0 o
● CCM+PFM控制模式  ~# y* j: u6 v0 s: _/ E
● 内建同步斜坡补偿,消除次谐波震荡
: V& z; D( a7 d7 X! F● 内建频率抖动功能,降低EMI
0 b  Z- c+ C* n! W0 J5 j2 x7 V● 内置65kHz开关频率# j8 h, _# `* J: t) b0 v+ M
● 轻载降低工作频率0 o& |, G( ]8 h
● 15ms倍频模式1 I. \' b8 _" b$ ]% x- ^  p5 D
● 可编程外置过温保护并进入latch
5 p  N7 o0 f/ A# u* _' i● VDD过压保护和输出过压保护功能并进入latch
4 n5 `7 s5 F1 p6 A1 x● 内置前沿消隐电路
' x. {  p' T0 B5 A( T1 M/ l2 T9 F● 内置输出二极管短路保护
2 G3 @% h+ h, L9 @● 内置过温保护并进入latch! P* r( Y" p: e" j
● 过载保护
- r% `4 c' g+ w' p& q7 L● SOT23-6L封装
5 Y% Y9 |) _& ~1 N( S* Q
$ F2 K) [' R  u4 x! u5 ~/ ^3 x基本应用. u+ W2 E1 g! o4 u' e

  e7 v' X6 f; P( Z8 D, @● AC/DC适配器3 @6 s3 q9 L" r: V( `4 A
● 电机类适配器
2 g7 J0 D0 V3 I1 ]8 k6 d2 E3 r● 充电器
- |( w" l) ?( v2 h● 存储设备电源
% |8 ?" \: i3 o5 `* r$ U8 B7 F( n5 F) K
典型应用
5 {- K! M- O# }7 B
管脚排列
/ C8 [+ C! r- [- Q3 f& B
管脚描述: _1 q+ T5 z0 K+ t- m( x7 Y

1 j# `  z' G- O) n一、样机规格
' m/ d9 ?+ Q; t- p5 k# `: [8 f* h, E% N; X: L' V" x7 ~4 G
输出电压12V,输出负载5A,IC lot:HHP02。' ~) \! v# H, G  y* I- d; L  k
! s; z, N" h: p+ n0 B/ p+ O1 z
修改参数:
- j3 j! y4 A  R/ S* Z% P; B
: R1 U3 f$ |6 b+ i替换IC,RS1电阻由0.33R改为0.27R(直接并1R电阻)R9由47R改为200R,R8由33R改为20R。& U  n1 @( `# _
9 @% I( Y8 {+ A& j0 ^; \
二、基本电性参数4 t- m- F) X& D6 a; T- H4 n
三、基本波形7 Q1 r) M3 {% m5 u3 g1 J4 Z$ K. a: D

3 w7 Y* B& }2 t7 m& w0 ^
XX5533 264V/50HZ MOS波形
; P. p4 i0 ~0 t/ N3 B( J0 R$ l
CR6890H 264V/50HZ MOS波形
- d2 Q, {  \2 W8 W9 U% T' r4 F* t
XX5533 264V/50HZ 肖特基波形
! {8 N2 d% J3 A) _1 k) a+ [' @
CR6890H 264V/50HZ 肖特基波形

% O: v; E2 }( [0 P
XX5533 264V/50HZ GATE波形
$ y0 A. b' X6 q' x% ~! |! W
CR6890H 264V/50HZ GATE波形

- B8 e  g0 |" s, Q$ H( X' B
XX5533 230V/50HZ 传导波形 N
0 p+ v5 @4 X# }8 v2 d; z
XX5533 230V/50HZ 传导波形 L
9 T/ N/ ^: M8 \" `+ r* h
CR6890H 230V/50HZ 传导波形 N

/ j, Z: M; }2 ^1 V
CR6890H 230V/50HZ 传导波形 L

/ V/ z# g$ u! d% d3 f$ L5 z1 T  h
XX5533 230V/50HZ 辐射波形

* L3 G1 r& {: o4 ]% y
XX5533 230V/50HZ 辐射波形
2 c9 a4 Z& W1 }# l' _" R! y
CR6890H 230V/50HZ 辐射波形
$ d5 ]) Y* P4 i& P0 w8 A
CR6890H 230V/50HZ 辐射波形
4 o$ T9 e8 ]; l9 e
对比结果
7 ^# T; U$ k- J
/ x% N9 k) R1 z% k# Z' ~/ P! d# V8 J电性基本一致,CR6890H效率更高。' k- g2 v. ~2 o0 _" w

, X/ r( S! N" k: h

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