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本帖最后由 思睿达小妹妹 于 2023-3-16 10:55 编辑 0 u& O+ g/ n5 t, @' r1 c- T7 O
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当今世界，人们的生活已是片刻也离不开电子设备。电源管理芯片在电子设备系统中担负起对电能的变换、分配、检测及其它电能管理的职责。电源管理芯片对电子系统而言是不可或缺的，其性能的优劣对整机的性能有着直接的影响。
. b- W, p- b2 t3 B4 e7 q% J' d+ n9 G: n: Q, M
电源管理芯片的应用范围十分广泛，例如本公司主推的CR6890H可应用在AC/DC适配器、电机类适配器、充电器等。接下来，我们将CR6890H和电源IC XX5533进行对比测试，看看哪一款IC更胜一筹！
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' s" L% s( ]9 T9 b4 o8 M关于CR6890H5 y& Q: V3 O. C" F8 Z( V6 U" N
! [& @# Y" }+ \5 J
CR6890H是一款高集成度、低待机功耗的CCM+PFM混合电流模式PWM控制器。CR6890H轻载时会降低频率，最低频率22kHz可避免音频噪声。CR6890H提供了完整的保护功能，如cycle-by-cycle电流限制、OCP、OTP、VDD_OVP、UVLO等，还可以通过PRT脚分别精确设置外置过温保护和输出电压过压保护。软启动功能可以减少系统启动时MOSFET的应力，前沿消隐时间简化了系统应用。通过频率抖动和软驱动电路的设计，降低开关噪声，简化了EMI设计。CR6890H提供SOT23-6L的封装。
5 J! X8 A) E" m( ~' E) R' L+ v. x8 L
主要特点/ L* R( Q* ~ J# P# ^5 r
3 K1 I4 n" b& b- `: w; b% `! J● 较低的启动电流(大约3μA). r/ f5 }# x8 }+ ^- f2 [# V
● 内置软启动减少MOSFET应力
' T) t* d$ M9 Q4 j' U- h7 d● CCM+PFM控制模式9 ^# j) ]( ?( c# z% A% @, K
● 内建同步斜坡补偿，消除次谐波震荡
3 Z' q6 ?# A* H9 O3 [● 内建频率抖动功能，降低EMI) e: O0 O! z0 E1 c
● 内置65kHz开关频率7 _! [1 O b/ f: l! I! ^3 Y( v
● 轻载降低工作频率
Z( s* m1 C+ X● 15ms倍频模式
. o% m# l: \4 x4 A! m1 k● 可编程外置过温保护并进入latch
: c/ X3 F0 ` H( p8 b2 m1 b● VDD过压保护和输出过压保护功能并进入latch
# L% Y. ?" c r5 m4 t● 内置前沿消隐电路
Z$ ?# D- B% `5 k2 E● 内置输出二极管短路保护' \- c! c+ N- T
● 内置过温保护并进入latch O% E) B+ G) E. U
● 过载保护
2 X3 P6 q/ f. P/ |- I$ W● SOT23-6L封装
( N6 q3 i7 Z n7 y/ w9 k. n& j) w' {& d5 ` V
基本应用
t6 Y7 }% Y1 t8 B3 p1 X: L4 w
# t P! Q% X: D2 L7 ^( C! D● AC/DC适配器
1 r, [2 W9 k6 Z+ C# W● 电机类适配器
5 z' G5 H, A) Y3 o& |( R C0 \● 充电器) m: T& E/ z, E& v% i' g7 W# q
● 存储设备电源
4 a( e) ~0 C& a6 @' m& R
3 k1 [( _! q3 N& a4 Q" ?, C( g典型应用; ^5 m7 [# R. X( J/ q6 t! g
管脚排列
) u5 r) r. O8 G5 q+ x' U管脚描述" P! k: H0 }5 i5 A9 U1 x0 y% M7 s
; k- Q! Q6 k! i' N2 s: J4 p
一、样机规格
$ J# }. P4 M* _
, ~# m4 T( q( \! h) N输出电压12V，输出负载5A，IC lot：HHP02。9 k; ^4 |! E, C5 Y
. I/ _) `: h; ?5 `. I修改参数：9 r: E7 @ I" U7 O% U2 t. k$ q' |+ U
# q# ?0 K' e% A& X/ l' v
替换IC，RS1电阻由0.33R改为0.27R（直接并1R电阻）R9由47R改为200R，R8由33R改为20R。
1 d' u6 s$ p) t1 w. F7 q6 E9 R9 ~
二、基本电性参数
' f) P. O% O0 N7 j三、基本波形( S0 j5 }/ Q6 G3 F+ v9 T5 t' ^
' O" D0 x; ?" iXX5533 264V/50HZ MOS波形 ; N t* P2 s& q9 s% V9 y
CR6890H 264V/50HZ MOS波形 ; x* l# W/ q. ^3 Q+ T
XX5533 264V/50HZ 肖特基波形 3 j0 W3 p3 I+ |3 O0 W
CR6890H 264V/50HZ 肖特基波形
! N: I$ a2 U2 m& ]XX5533 264V/50HZ GATE波形 2 g- a8 {+ N2 q8 C0 c
CR6890H 264V/50HZ GATE波形 ' }3 ? e9 I8 o* n
XX5533 230V/50HZ 传导波形 N ) Y7 H& F2 v- |. y1 i. {) g8 N4 x; f
XX5533 230V/50HZ 传导波形 L / L8 X+ B. R$ R. ^. O
CR6890H 230V/50HZ 传导波形 N " |8 `1 E* @1 A% ~. l/ H# h/ X$ X; F% o) d
CR6890H 230V/50HZ 传导波形 L
3 S1 [( t1 N& M/ l0 DXX5533 230V/50HZ 辐射波形
3 Y" p4 L' R. V' f/ xXX5533 230V/50HZ 辐射波形 3 Y! h$ z. K% Z- C v3 q+ F; x
CR6890H 230V/50HZ 辐射波形 2 H2 {. I0 X& u6 _ V) A. b4 s
CR6890H 230V/50HZ 辐射波形
9 ~! w* v7 \; B; I1 A对比结果- Y. I E; j- W" i; M1 x% K! t
7 R, k) g0 e/ M$ S' W" U8 I电性基本一致，CR6890H效率更高。& }+ v4 l/ f$ k& l$ N, j/ q
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发表于 2023-3-16 10:50:13
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