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两款电源芯片对决,谁能遥遥领先?看完测试报告有答案

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发表于 2023-3-16 10:50:13 | 显示全部楼层 |阅读模式
本帖最后由 思睿达小妹妹 于 2023-3-16 10:55 编辑
; l: `1 R9 a2 h& P
: O* T2 ?# b; @' @. t) P' V; x0 `当今世界,人们的生活已是片刻也离不开电子设备。电源管理芯片在电子设备系统中担负起对电能的变换、分配、检测及其它电能管理的职责。电源管理芯片对电子系统而言是不可或缺的,其性能的优劣对整机的性能有着直接的影响。0 N: n4 Y. i8 T6 \! W  e% I
/ u8 }: V8 W4 N3 D: ^' d. T
电源管理芯片的应用范围十分广泛,例如本公司主推的CR6890H可应用在AC/DC适配器、电机类适配器、充电器等。接下来,我们将CR6890H和电源IC XX5533进行对比测试,看看哪一款IC更胜一筹!
7 l% ~$ c  X# f& E+ F6 T5 k" p9 G- q  ?
关于CR6890H
) A" F+ V! J. \4 D
1 G$ t' u  [! WCR6890H是一款高集成度、低待机功耗的CCM+PFM混合电流模式PWM控制器。CR6890H轻载时会降低频率,最低频率22kHz可避免音频噪声。CR6890H提供了完整的保护功能,如cycle-by-cycle电流限制、OCP、OTP、VDD_OVP、UVLO等,还可以通过PRT脚分别精确设置外置过温保护和输出电压过压保护。软启动功能可以减少系统启动时MOSFET的应力,前沿消隐时间简化了系统应用。通过频率抖动和软驱动电路的设计,降低开关噪声,简化了EMI设计。CR6890H提供SOT23-6L的封装。
1 e3 C6 A1 M# `' R, F) z* I! K! O% m" |5 G8 f) t
主要特点
) o' v5 S6 U  s! B& J: x# Y
( Y7 }  J; S2 J4 T& a' ^# _! S● 较低的启动电流(大约3μA)* N! x  u/ }$ L! V, R9 I, y
● 内置软启动减少MOSFET应力
& L2 M  Q( U- R/ ^4 ?: |● CCM+PFM控制模式
; n" a8 ?! ]$ T2 A: T% j3 k# P● 内建同步斜坡补偿,消除次谐波震荡
9 D, R* ~( m! t2 q7 C4 n4 |+ ~● 内建频率抖动功能,降低EMI7 k- V0 d5 h+ i9 v$ x5 y8 ~
● 内置65kHz开关频率. O3 h5 @/ u: q" a3 I
● 轻载降低工作频率
/ a' [/ U. @* S5 X! Q2 p● 15ms倍频模式
9 R7 w* C. T/ G2 K1 p/ t● 可编程外置过温保护并进入latch7 G' w& K; H1 ^, J0 O1 x) d+ ^
● VDD过压保护和输出过压保护功能并进入latch
7 b1 r1 k2 [8 l8 C2 s- J1 K8 z● 内置前沿消隐电路
5 [. V: b% i5 {: V1 X2 e● 内置输出二极管短路保护
  Y/ I; E& w9 d5 |● 内置过温保护并进入latch
5 Q. x- o1 _3 q6 S, r, t1 L● 过载保护% z, W: r1 F9 S' ?" l9 B9 z2 j
● SOT23-6L封装
/ [, f. s) n  _( o, E& I) l4 {' k$ M/ P6 n
基本应用. \6 Z0 `4 x( ^  @
/ W' G7 _( Z1 `7 ]! }
● AC/DC适配器* H- f; p  r  a/ }
● 电机类适配器( ^" o5 }  b* e/ z' S1 L
● 充电器
) L) K6 g, _4 ~2 w+ v● 存储设备电源0 z7 N$ Y/ ~+ R" B
* Q( }! v2 r* m4 M; h/ {9 @- n- F
典型应用
! S0 O/ \. r6 Y  B7 O
管脚排列2 t4 b6 `# p" _! |6 k0 ^  a) k7 N
管脚描述4 f* l8 b" ]4 n8 `; |+ Q

  q2 n! R. f: f5 w) I1 j一、样机规格* r& B) R5 j. H1 g8 c, t. R
: ]0 b3 [. |/ n2 b
输出电压12V,输出负载5A,IC lot:HHP02。
" m9 z0 ]7 Z  p+ e9 \* @% v0 c2 S6 f
' t5 [6 X" r5 S2 G修改参数:
8 D+ ?/ ?; \, c! S: [/ T/ Y# a3 K8 g5 p
替换IC,RS1电阻由0.33R改为0.27R(直接并1R电阻)R9由47R改为200R,R8由33R改为20R。2 I1 H; T% z" C1 C$ f$ i

! g4 }$ F2 W0 I3 `7 V二、基本电性参数! w; L/ k' U* @0 n7 z' q2 W  Q* `
三、基本波形$ J  y4 Y) E8 ?" o: x

! S! G7 r3 l1 C# O* R) B, g, R
XX5533 264V/50HZ MOS波形

# {$ h! z# J6 m6 K  s# _
CR6890H 264V/50HZ MOS波形

1 M8 m' h2 s3 R( J
XX5533 264V/50HZ 肖特基波形
- M; K9 v% K3 `& L& v9 V
CR6890H 264V/50HZ 肖特基波形
$ n$ z7 D( Q) G- e5 k1 n4 \: T
XX5533 264V/50HZ GATE波形
7 u2 e* d) k  h
CR6890H 264V/50HZ GATE波形

# p0 I  M+ O6 o5 c
XX5533 230V/50HZ 传导波形 N

9 D2 y# [; E! C$ M7 u9 x2 |
XX5533 230V/50HZ 传导波形 L

0 v' B0 M4 l2 g7 e; ?& \
CR6890H 230V/50HZ 传导波形 N

0 E0 q; l$ B2 A) G5 s9 g& o# a& |& C
CR6890H 230V/50HZ 传导波形 L

1 A: B% j5 ?" _
XX5533 230V/50HZ 辐射波形
+ x! c7 p% a  n  S4 T- T
XX5533 230V/50HZ 辐射波形
; E3 t  h7 |/ Y. ?. k
CR6890H 230V/50HZ 辐射波形

: m# H" ^$ o" j" F
CR6890H 230V/50HZ 辐射波形

& {5 J/ q7 J# G6 P" R' y6 L/ ?对比结果6 N- G9 L" J  @6 W$ `. m2 }( D* c' T+ f

5 G7 u1 Q( }/ n# m电性基本一致,CR6890H效率更高。
/ R$ l( V; W3 D. ?0 G
+ d8 f+ ]# p4 I& }

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