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两款电源芯片对决,谁能遥遥领先?看完测试报告有答案

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发表于 2023-3-16 10:50:13 | 显示全部楼层 |阅读模式
本帖最后由 思睿达小妹妹 于 2023-3-16 10:55 编辑 * f% d) e& e8 E3 X+ b5 k
. ^$ }2 Z/ [$ V4 X4 t; z
当今世界,人们的生活已是片刻也离不开电子设备。电源管理芯片在电子设备系统中担负起对电能的变换、分配、检测及其它电能管理的职责。电源管理芯片对电子系统而言是不可或缺的,其性能的优劣对整机的性能有着直接的影响。
! ?( h$ }  d) }. Y9 ^* @# E9 P* `
* B, y: ?: H# n0 T6 \% b电源管理芯片的应用范围十分广泛,例如本公司主推的CR6890H可应用在AC/DC适配器、电机类适配器、充电器等。接下来,我们将CR6890H和电源IC XX5533进行对比测试,看看哪一款IC更胜一筹!7 E6 }9 x# r4 U7 x

% j# Q( l7 p' n/ C- `+ |1 V' A关于CR6890H
9 d5 J/ v/ q* u! _! O# O& O" }# `3 M" X7 W
CR6890H是一款高集成度、低待机功耗的CCM+PFM混合电流模式PWM控制器。CR6890H轻载时会降低频率,最低频率22kHz可避免音频噪声。CR6890H提供了完整的保护功能,如cycle-by-cycle电流限制、OCP、OTP、VDD_OVP、UVLO等,还可以通过PRT脚分别精确设置外置过温保护和输出电压过压保护。软启动功能可以减少系统启动时MOSFET的应力,前沿消隐时间简化了系统应用。通过频率抖动和软驱动电路的设计,降低开关噪声,简化了EMI设计。CR6890H提供SOT23-6L的封装。
% X/ R' H. B: _( a0 {/ h
. h# z( V& k, ^( F主要特点
& O% B) o; g6 P. s- C- ?/ a$ J+ x  X" K% q2 o" a& D7 y' w+ }
● 较低的启动电流(大约3μA)1 ^) C+ d( @, }% u2 S3 [0 ^; y
● 内置软启动减少MOSFET应力
% B( o1 F) T% k● CCM+PFM控制模式# |. T) ]* w+ l) B- I( c
● 内建同步斜坡补偿,消除次谐波震荡
4 P; }: _# p! e● 内建频率抖动功能,降低EMI# L  z! s5 @+ Q1 O6 C2 q
● 内置65kHz开关频率
) a3 r$ Z) @7 Z● 轻载降低工作频率1 x" Y) D3 a: j! \2 Y
● 15ms倍频模式
2 [+ Z. ~! T9 ?9 a% j● 可编程外置过温保护并进入latch
% x/ L6 M* v: u$ R0 p" H● VDD过压保护和输出过压保护功能并进入latch* w. U( A. _4 y6 N9 w% n
● 内置前沿消隐电路1 a6 U- x2 e/ e* F
● 内置输出二极管短路保护
# x& n0 G9 j$ p+ D/ ~1 r0 k● 内置过温保护并进入latch( z* ^0 U, P6 {) z
● 过载保护
4 u" U0 s! J" Y) L5 o+ l● SOT23-6L封装: H6 W! U2 H  R8 @, M4 G! g7 S" M
; x0 Q- z% x* b9 A/ ^, \. m" s/ [
基本应用* }# g6 @( W: {4 X) _! A: \
/ ^" @0 C: [2 l% x- q* z
● AC/DC适配器, w& I6 z( r7 ]5 u1 e" q- ~
● 电机类适配器7 e0 L$ G# H5 K' u
● 充电器
3 ^) H7 S3 D+ x+ Y0 s$ u& R● 存储设备电源- Y- M& @7 f: y* m6 i2 X5 }3 {

, K( }  c- R: X0 w7 i3 ^1 @典型应用
! e, q* X/ u0 b3 h6 Y* O: k
管脚排列3 [9 f; J5 m2 G5 J
管脚描述  `3 i: j5 C) A. v4 i' j7 P

! g  T$ \7 C* B7 c7 g! k8 z一、样机规格
* z. q) I. U4 t( c8 m
; ~/ H5 N3 t7 g7 m4 H2 [- M2 ^输出电压12V,输出负载5A,IC lot:HHP02。  l" K) D& R8 d' }: ~$ e; m2 H1 L
/ W4 F/ t- y) j$ Q; s" S3 }
修改参数:! o& B6 S4 {7 V9 a  {! W# t7 a

& u+ I1 z: R+ L- s- K替换IC,RS1电阻由0.33R改为0.27R(直接并1R电阻)R9由47R改为200R,R8由33R改为20R。* ~9 z* W8 C4 X4 `: h) t  R

) v7 {4 X% T6 h3 `2 [; n1 U二、基本电性参数3 ]1 D6 O: S- r. j( B: m& v, c
三、基本波形! @. F8 J& q' @% R0 b7 ^

! ~5 I" {6 W0 G: _! B
XX5533 264V/50HZ MOS波形

! p, C  _2 w2 s) S( h
CR6890H 264V/50HZ MOS波形
$ Y7 W$ |( s% n0 ?
XX5533 264V/50HZ 肖特基波形
: q" F) I" d: E( V' b, @
CR6890H 264V/50HZ 肖特基波形
' L$ u: ~" O6 U1 k0 _; J3 C% P
XX5533 264V/50HZ GATE波形

2 W# ~; W, {  Y- g7 ~& c1 \/ }
CR6890H 264V/50HZ GATE波形

  b4 w' ?1 V2 g8 b% P' N
XX5533 230V/50HZ 传导波形 N
- t: K$ Z; Y" N% w
XX5533 230V/50HZ 传导波形 L

- B' z7 o! @1 _6 F+ v
CR6890H 230V/50HZ 传导波形 N

/ Q* P$ g: d4 n' v  u  b: q  `
CR6890H 230V/50HZ 传导波形 L

1 m+ j# l% o9 K0 n
XX5533 230V/50HZ 辐射波形

5 K" Z+ l$ o. |( x& ]/ ?1 C
XX5533 230V/50HZ 辐射波形
& z! P9 X7 r* Y1 Y3 s: ~% k
CR6890H 230V/50HZ 辐射波形
& D! a; m/ F% n" `  p* {$ g
CR6890H 230V/50HZ 辐射波形

1 P$ \8 j6 x. }, G  H对比结果8 [* B! N2 l0 `  T' t4 p9 S1 p( R

" [# R$ t# d- k7 D3 p电性基本一致,CR6890H效率更高。
- P! q9 g0 d6 R- I+ R( G4 q" g' w

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