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两款电源芯片对决,谁能遥遥领先?看完测试报告有答案

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发表于 2023-3-16 10:50:13 | 显示全部楼层 |阅读模式
本帖最后由 思睿达小妹妹 于 2023-3-16 10:55 编辑 & ^: Q& {) U) A, y0 N# U( C/ T$ N1 k, t
9 K6 ~+ s5 ~3 x) Q
当今世界,人们的生活已是片刻也离不开电子设备。电源管理芯片在电子设备系统中担负起对电能的变换、分配、检测及其它电能管理的职责。电源管理芯片对电子系统而言是不可或缺的,其性能的优劣对整机的性能有着直接的影响。
: O3 J9 G& r, r( C) t2 j: J; Z9 ~! j+ u. [2 f9 P5 [9 ~: Z
电源管理芯片的应用范围十分广泛,例如本公司主推的CR6890H可应用在AC/DC适配器、电机类适配器、充电器等。接下来,我们将CR6890H和电源IC XX5533进行对比测试,看看哪一款IC更胜一筹!6 l. o5 }  N6 n- j3 V9 U
' J8 ^5 C! ?1 C" t; f, z, Y+ P6 c
关于CR6890H& M6 j5 \. V* Q
0 S" B4 {' i9 z% P/ ~
CR6890H是一款高集成度、低待机功耗的CCM+PFM混合电流模式PWM控制器。CR6890H轻载时会降低频率,最低频率22kHz可避免音频噪声。CR6890H提供了完整的保护功能,如cycle-by-cycle电流限制、OCP、OTP、VDD_OVP、UVLO等,还可以通过PRT脚分别精确设置外置过温保护和输出电压过压保护。软启动功能可以减少系统启动时MOSFET的应力,前沿消隐时间简化了系统应用。通过频率抖动和软驱动电路的设计,降低开关噪声,简化了EMI设计。CR6890H提供SOT23-6L的封装。6 r* K, r% z1 x0 B- r' T
# M: E0 \' B: ~
主要特点
/ S& u5 X# Q1 Y& P" r3 O  M3 N& Q9 K# M" l) y3 x
● 较低的启动电流(大约3μA)
1 u. T1 Q# v. F. d5 ^4 Q● 内置软启动减少MOSFET应力3 x4 O5 t8 A* ~
● CCM+PFM控制模式
$ ]2 p& s* L7 A! Z● 内建同步斜坡补偿,消除次谐波震荡
) D; p) A; _% e1 I. g. Y0 {% S; w8 L) Y* I● 内建频率抖动功能,降低EMI
! F' B5 T( a; D* H1 I8 L● 内置65kHz开关频率
0 B' z5 g* p! m* ~. J4 t. ^● 轻载降低工作频率
8 K. N/ G$ s9 i" k/ c8 i● 15ms倍频模式! M/ W6 d/ j" k* ~: y
● 可编程外置过温保护并进入latch
7 f  P$ N. t8 y9 K" T2 v● VDD过压保护和输出过压保护功能并进入latch2 m, c% G/ [2 `& P# R
● 内置前沿消隐电路
) m0 M3 h+ N! U* G● 内置输出二极管短路保护* k/ ]7 }+ A  X9 u' V0 q+ P3 e+ J
● 内置过温保护并进入latch# x5 `1 b! }( i
● 过载保护6 w4 t3 K1 H  M4 T
● SOT23-6L封装  H' c% M9 F- Z" @; L

0 V4 H0 b$ }- t. ?$ q$ @& I基本应用
, ~2 i8 Z! G7 I: q$ Z9 k: B. W; h: \' q
● AC/DC适配器
5 j9 D- {) L- z2 h; S● 电机类适配器
! O  @/ n2 E5 H& ~● 充电器
7 V3 U1 A& W6 D/ N● 存储设备电源
- K8 |+ c7 u) j3 l" F" s. B+ x% ^0 W! g, a  `( Y
典型应用5 g- Q0 ]$ I9 |6 _" J4 t) V& W9 R' O
管脚排列8 L2 g9 ^& U5 N# [9 N/ X
管脚描述% u% M! D6 f. e% A$ F+ n
! ^. {  D) f% u  K% Q
一、样机规格
9 t2 q' b+ y+ M
6 f; ?) C1 E+ i. A4 w输出电压12V,输出负载5A,IC lot:HHP02。
/ Y& }- g( K# u/ U1 J% Q
: y+ Q7 w/ r, @5 a: O修改参数:
8 l2 f! k! S/ `/ F. V1 m1 e/ A' k, @
替换IC,RS1电阻由0.33R改为0.27R(直接并1R电阻)R9由47R改为200R,R8由33R改为20R。  d9 \" L, l) t# e, P5 @0 x( x; {

9 z$ }% j* H0 D3 c: D. w二、基本电性参数* _9 D! n! J: j
三、基本波形9 l: q4 g- I2 g% Y! P. l
7 l  u4 u1 Q- y4 L/ Y( G
XX5533 264V/50HZ MOS波形

; a$ m! o& x! F$ Q6 ^7 U6 @3 S# x
CR6890H 264V/50HZ MOS波形
2 K+ Q+ H% k* }0 y
XX5533 264V/50HZ 肖特基波形
9 h; d$ a5 m" v& c
CR6890H 264V/50HZ 肖特基波形

* v& S' _; z7 o; T
XX5533 264V/50HZ GATE波形
0 _/ L  t" |2 a9 a
CR6890H 264V/50HZ GATE波形
" e, t( z$ r0 F
XX5533 230V/50HZ 传导波形 N

! r: y# @6 L9 q8 f" P) y
XX5533 230V/50HZ 传导波形 L

! @; `/ v5 I. W2 t6 D6 P) R, _% q
CR6890H 230V/50HZ 传导波形 N

& R6 y& X# t' _. q
CR6890H 230V/50HZ 传导波形 L

, W2 ]  [) ~4 l1 L2 w; X7 K" F
XX5533 230V/50HZ 辐射波形

# l% D, i* [! j3 o, T- i
XX5533 230V/50HZ 辐射波形
# e6 C: \- H, f% u* m" S( k+ @+ G
CR6890H 230V/50HZ 辐射波形

7 W. Z, ]% C" s$ C
CR6890H 230V/50HZ 辐射波形
8 D" q9 J% l: _; ]; g6 m
对比结果% P& {0 A" f( R9 l" l
; R% c7 d" e$ {* N3 A3 f
电性基本一致,CR6890H效率更高。
" F1 P) D* E. n, i3 w& X
2 M$ p3 w0 q2 p$ @' Q4 M

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