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本帖最后由 思睿达小妹妹 于 2023-3-16 10:55 编辑 ; E, f# |( `" a, f) D+ K+ z
( z. `8 Q2 s3 c* C当今世界,人们的生活已是片刻也离不开电子设备。电源管理芯片在电子设备系统中担负起对电能的变换、分配、检测及其它电能管理的职责。电源管理芯片对电子系统而言是不可或缺的,其性能的优劣对整机的性能有着直接的影响。; j' U, g) B# ^# d; Z: v
5 L, [8 d7 Q, s# l8 A) {
电源管理芯片的应用范围十分广泛,例如本公司主推的CR6890H可应用在AC/DC适配器、电机类适配器、充电器等。接下来,我们将CR6890H和电源IC XX5533进行对比测试,看看哪一款IC更胜一筹!
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# s: n8 @5 q8 m% t3 H& E! p1 ?, B关于CR6890H# @! @; _/ }$ B, O& l
. h! a/ D! z4 y) w
CR6890H是一款高集成度、低待机功耗的CCM+PFM混合电流模式PWM控制器。CR6890H轻载时会降低频率,最低频率22kHz可避免音频噪声。CR6890H提供了完整的保护功能,如cycle-by-cycle电流限制、OCP、OTP、VDD_OVP、UVLO等,还可以通过PRT脚分别精确设置外置过温保护和输出电压过压保护。软启动功能可以减少系统启动时MOSFET的应力,前沿消隐时间简化了系统应用。通过频率抖动和软驱动电路的设计,降低开关噪声,简化了EMI设计。CR6890H提供SOT23-6L的封装。5 K# ~- r* T! }0 j. w5 \, `& T
2 N! A- l* L) O2 \8 j
主要特点
2 ?8 W. z6 r+ \1 T$ l* ]/ ~7 Q; _# |) [* |% j) k
● 较低的启动电流(大约3μA)
5 _3 K; G; ?* O3 f$ k# t● 内置软启动减少MOSFET应力
* L/ C- Y5 F$ @. @- N; K# _● CCM+PFM控制模式
: A: D g c6 f, T+ N9 d● 内建同步斜坡补偿,消除次谐波震荡
3 R: ^+ B' X- F% A4 T: ~# o* ~● 内建频率抖动功能,降低EMI
$ O3 }; e# U' ?( Z7 q# d1 z● 内置65kHz开关频率
n$ D1 V) D1 a$ X, C h! z# D6 k● 轻载降低工作频率
4 T2 N7 D. A* z5 p3 n● 15ms倍频模式0 q* \- J& }6 |" A' l
● 可编程外置过温保护并进入latch( ~ f& c7 Y% u$ t7 _
● VDD过压保护和输出过压保护功能并进入latch
: Q" r' C# W4 `9 u, f7 m# V# s● 内置前沿消隐电路1 K$ J- m. k5 ^# ?8 C
● 内置输出二极管短路保护
/ k3 S$ z: q+ W' f# A+ ]6 }● 内置过温保护并进入latch
) K5 N" W4 e9 Q4 N# j7 f. {. `● 过载保护
4 s' o/ d5 F9 {! f9 m! E4 ]. M● SOT23-6L封装
# {2 f' Z2 c- o3 s0 ^
, G/ f) i! ^7 G: o, z' c5 [* J3 Z( x5 z基本应用
& _& a$ [2 L, K8 D: q+ A9 Z; n% s$ V
● AC/DC适配器
6 d% s" s% F4 \0 G+ a, c● 电机类适配器6 j; |- X( |7 G8 W; M8 B
● 充电器
' _* V' f% c( k; Y+ k ~4 l( a. h● 存储设备电源
( ~) N- `* t! G6 v2 m' j" D& E0 |% s/ d
! a5 `* i9 p3 ?4 }% x* t- `典型应用4 o: m; `' q1 T( U0 P6 m& ^: s
管脚排列+ ]- t1 i4 ~2 l7 c( c+ c$ `6 ]1 A1 e
管脚描述
" p* J: p! W( K1 Y/ \$ n) j8 z7 C: Q, i# r6 c$ F
一、样机规格
* t8 \% x5 M5 H6 u1 m. z
6 b6 X/ A/ k& j输出电压12V,输出负载5A,IC lot:HHP02。4 [9 f m$ `4 {: K0 u
4 o m/ R8 P8 k+ ^* ]3 I& m" c
修改参数:: H6 y4 a$ j2 ^- V8 W7 e' U! j* n" `
' H I2 i, n l; z/ r( G. ?
替换IC,RS1电阻由0.33R改为0.27R(直接并1R电阻)R9由47R改为200R,R8由33R改为20R。
# z: i: l( w0 [% c# N$ n& C! D- C7 r
二、基本电性参数# b% P4 |! m% T, j' K+ K2 s
三、基本波形6 X, f" S/ B8 C& k
% t9 |! K# c4 q% f
XX5533 264V/50HZ MOS波形
+ |4 J& i8 d% n o" ACR6890H 264V/50HZ MOS波形 ! A: `) @: { u; V6 o" z- i. A
XX5533 264V/50HZ 肖特基波形 N4 _8 g" T" d
CR6890H 264V/50HZ 肖特基波形
8 @/ ~! V- J5 K: j/ p" o. ^$ fXX5533 264V/50HZ GATE波形 * Y+ G( j& g4 F, ~% q U; x
CR6890H 264V/50HZ GATE波形 ( G+ g1 ]1 k" U* }1 l
XX5533 230V/50HZ 传导波形 N % M% n, l Y6 F ~- V
XX5533 230V/50HZ 传导波形 L
! Z. G+ z9 L2 f$ b$ j- GCR6890H 230V/50HZ 传导波形 N
0 M+ F9 }$ ^2 e8 T6 x- M, `3 a% |CR6890H 230V/50HZ 传导波形 L
, h7 N2 H' t X& F. t6 C+ dXX5533 230V/50HZ 辐射波形
2 i5 c g6 ~1 {! \4 iXX5533 230V/50HZ 辐射波形 2 ~) J9 ^- T! S
CR6890H 230V/50HZ 辐射波形 9 y' [3 k0 y4 r; l; ^
CR6890H 230V/50HZ 辐射波形 , |- G& \* I% M3 o( t- i& S
对比结果0 ?! s2 i( m+ y9 a
' n5 C$ F" f9 ^电性基本一致,CR6890H效率更高。! K4 ?1 F- K7 Q* c) V j
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