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本帖最后由 思睿达小妹妹 于 2023-3-16 10:55 编辑
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a- f. x1 m# R1 J7 m. |' P; [' o当今世界，人们的生活已是片刻也离不开电子设备。电源管理芯片在电子设备系统中担负起对电能的变换、分配、检测及其它电能管理的职责。电源管理芯片对电子系统而言是不可或缺的，其性能的优劣对整机的性能有着直接的影响。
5 w. A' R) G& z% t0 d$ g# _1 H; R6 y; j* m c
电源管理芯片的应用范围十分广泛，例如本公司主推的CR6890H可应用在AC/DC适配器、电机类适配器、充电器等。接下来，我们将CR6890H和电源IC XX5533进行对比测试，看看哪一款IC更胜一筹！
: u& r% ]1 q, P' Q+ L
* {6 ]% U6 n3 I/ Z1 H# D- B关于CR6890H4 }- `* \' p/ P4 L& d. G& U0 x; G' \
5 ~- H$ X: A4 W3 iCR6890H是一款高集成度、低待机功耗的CCM+PFM混合电流模式PWM控制器。CR6890H轻载时会降低频率，最低频率22kHz可避免音频噪声。CR6890H提供了完整的保护功能，如cycle-by-cycle电流限制、OCP、OTP、VDD_OVP、UVLO等，还可以通过PRT脚分别精确设置外置过温保护和输出电压过压保护。软启动功能可以减少系统启动时MOSFET的应力，前沿消隐时间简化了系统应用。通过频率抖动和软驱动电路的设计，降低开关噪声，简化了EMI设计。CR6890H提供SOT23-6L的封装。7 A+ H" r! @% e' J% d( C. ]% z$ O
. ~, F* t# `2 |1 M3 }
主要特点" F% H# c9 G, E6 M
# K5 e+ k7 c. R
● 较低的启动电流(大约3μA), g# R8 Q0 j# d: x' Q5 u5 d
● 内置软启动减少MOSFET应力, p! o& J+ F( U- A, A" F0 A
● CCM+PFM控制模式
p2 F( A- ?+ p2 v8 B● 内建同步斜坡补偿，消除次谐波震荡
8 z& L( ^( y9 J6 ]● 内建频率抖动功能，降低EMI: y M& N, H) Z
● 内置65kHz开关频率6 r5 p' L- E# D' y8 g
● 轻载降低工作频率
) C+ G$ E' u3 I0 N% H& u9 }● 15ms倍频模式) @) x# Y1 D& ^ l d: S0 d6 B/ M
● 可编程外置过温保护并进入latch# M3 S! v$ W0 ^# @" V; L/ N
● VDD过压保护和输出过压保护功能并进入latch
! `1 X a e1 s$ g● 内置前沿消隐电路
" n3 A6 d8 P- M● 内置输出二极管短路保护# Q0 s0 t( C d1 c+ n* j
● 内置过温保护并进入latch
5 E+ y4 o$ K2 u● 过载保护" M/ o" E1 c5 e
● SOT23-6L封装
" w9 t$ K" U( J9 O5 m j4 ~! Z5 N6 U2 |% t9 [0 A
基本应用
m% n: x# W$ t
) Y7 M/ v, ?! {& |9 G● AC/DC适配器
6 q" k4 \& |6 r% A● 电机类适配器
7 v# E/ H, S4 n. m6 R3 `; {● 充电器! K! h# q6 G: W5 C% Z' a) _) [; b
● 存储设备电源& |' g' [! X! Y! T' @
. J: D2 c' \) C/ P+ t
典型应用
7 c* K# S3 S% `管脚排列
# s1 f) j3 B2 p" S- L+ A* I管脚描述7 Q/ [% T0 s8 k6 O O2 a( l
4 O4 J% e: f9 q( ?% C( j" R
一、样机规格6 D6 Z" m; ^ ?- i' [
2 Q$ w0 |5 k! \# _输出电压12V，输出负载5A，IC lot：HHP02。
7 ?+ _, G4 s% N$ e' u
1 H. Y5 M7 W5 R; a修改参数：
3 }. ], N/ R% z( R) R$ }5 k) E! s2 u2 g; j
替换IC，RS1电阻由0.33R改为0.27R（直接并1R电阻）R9由47R改为200R，R8由33R改为20R。: b) }. x+ G) a- y5 B( a. _# P2 l
7 B7 R- e% j" Z3 F" k! c二、基本电性参数7 e/ g0 d* U$ l; ~9 k
三、基本波形, r/ Z4 c4 G* e9 E6 W; j3 f: d1 {
$ Y1 l$ w4 L7 k8 {! |0 }# n
XX5533 264V/50HZ MOS波形 4 M0 X3 O7 p8 }) m% M( W
CR6890H 264V/50HZ MOS波形 - G. u# K8 u8 r8 H
XX5533 264V/50HZ 肖特基波形
3 G! o& R. K) W+ f2 |) @4 w9 u- o) WCR6890H 264V/50HZ 肖特基波形 $ N* L& {* S1 o8 i0 ?$ U* V
XX5533 264V/50HZ GATE波形 ! V4 b* U% z6 r- q Z% Q- q5 u) \, D5 a# t
CR6890H 264V/50HZ GATE波形 $ _0 s6 H( q, F9 X1 T* ~
XX5533 230V/50HZ 传导波形 N
" Q- X, I ?3 h$ _# P: ~XX5533 230V/50HZ 传导波形 L 7 A6 `0 m% l& ? m' g1 d% K& i
CR6890H 230V/50HZ 传导波形 N
# D& Q1 _8 G' JCR6890H 230V/50HZ 传导波形 L
6 G( ?9 O6 l/ \+ K* B8 y6 }XX5533 230V/50HZ 辐射波形 + D$ |! x; }7 U: e9 v- v2 s* g
XX5533 230V/50HZ 辐射波形 , P1 U) @ v$ L% I( I
CR6890H 230V/50HZ 辐射波形
; P7 }/ Y' V, T* t! sCR6890H 230V/50HZ 辐射波形
5 z" ], q* w+ V- a对比结果8 ^( z/ H$ x. y; w8 M1 w, d: }
0 t. N( F2 V7 I1 p1 q电性基本一致，CR6890H效率更高。
; V( ~9 I! f0 _( k% B' n0 s5 { K) W
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发表于 2023-3-16 10:50:13
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