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两款电源芯片对决,谁能遥遥领先?看完测试报告有答案

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发表于 2023-3-16 10:50:13 | 显示全部楼层 |阅读模式
本帖最后由 思睿达小妹妹 于 2023-3-16 10:55 编辑
- d/ p/ Z$ X. |2 W( g) w, a3 D/ k  [6 c) v
当今世界,人们的生活已是片刻也离不开电子设备。电源管理芯片在电子设备系统中担负起对电能的变换、分配、检测及其它电能管理的职责。电源管理芯片对电子系统而言是不可或缺的,其性能的优劣对整机的性能有着直接的影响。& B2 i4 R: @/ Q+ {3 k

. V, d% k" I! |- G6 G3 W电源管理芯片的应用范围十分广泛,例如本公司主推的CR6890H可应用在AC/DC适配器、电机类适配器、充电器等。接下来,我们将CR6890H和电源IC XX5533进行对比测试,看看哪一款IC更胜一筹!7 W6 B/ E5 q  M

# N2 j! b/ p6 m0 W; H$ O5 n关于CR6890H  _. G2 R. u7 s2 C4 T3 y
, t3 B4 p2 E3 Q; i, w
CR6890H是一款高集成度、低待机功耗的CCM+PFM混合电流模式PWM控制器。CR6890H轻载时会降低频率,最低频率22kHz可避免音频噪声。CR6890H提供了完整的保护功能,如cycle-by-cycle电流限制、OCP、OTP、VDD_OVP、UVLO等,还可以通过PRT脚分别精确设置外置过温保护和输出电压过压保护。软启动功能可以减少系统启动时MOSFET的应力,前沿消隐时间简化了系统应用。通过频率抖动和软驱动电路的设计,降低开关噪声,简化了EMI设计。CR6890H提供SOT23-6L的封装。
/ q- @9 H- @: @- a1 X8 w- }
& ^% {' G6 g& o& T# M主要特点7 @+ ~# [0 l! K. ~! i3 D

0 U/ T, V7 I: R( O& [● 较低的启动电流(大约3μA)
+ [2 P' F6 [5 n. U● 内置软启动减少MOSFET应力
+ ?' z) Y4 _1 @● CCM+PFM控制模式
: {, U! K& F8 G1 v$ ?: \; z/ _● 内建同步斜坡补偿,消除次谐波震荡
3 E# j" j1 E3 s5 m  `$ H/ j● 内建频率抖动功能,降低EMI
. C# q8 R! N+ O  n" d● 内置65kHz开关频率/ m9 e' `4 g* h/ V% N
● 轻载降低工作频率6 s0 j* e- Z( [# Z4 s
● 15ms倍频模式
% g: B7 ], L/ F8 Q3 P. u● 可编程外置过温保护并进入latch# Q5 j7 Y7 v. L7 }: M( u
● VDD过压保护和输出过压保护功能并进入latch+ R; O. y- G* b. [; w2 O, t
● 内置前沿消隐电路* t4 V$ D+ D. X: v
● 内置输出二极管短路保护
1 E. n  H$ M' o; F0 X! y* S● 内置过温保护并进入latch* W. ?: A% j) ]% o& ?9 L: [& o3 I
● 过载保护9 y& s* c0 P5 b
● SOT23-6L封装& R3 O! ^/ ?# N
% P# T( d& v2 |
基本应用; S$ M+ L+ ]1 A* c

0 C' Y5 c1 b: {7 ]4 Z. w: \1 I+ C● AC/DC适配器. a6 N$ n" U. H! n
● 电机类适配器! t5 Y' _& w# d. g; w
● 充电器- |! {- D9 S8 Z  V% |  ?
● 存储设备电源  K* Y; M; w( B& B

* \- B  D- V+ d! _5 N典型应用
: Z  `3 g/ o& Z5 h
管脚排列8 J/ ?. U9 N# C/ @
管脚描述
, h# l1 N! r% l

( c8 D( g8 V+ n: Z# K1 e; f一、样机规格
9 ^! C# {' W# l
: X, w; ~5 f, w1 A+ t9 J" c. R输出电压12V,输出负载5A,IC lot:HHP02。. z. c1 J' o. m% E  b. q9 H9 W
: s, A$ Z, x) z' A2 s% |; a9 s, g
修改参数:, F; Z3 u" t, C  A& [' T- J

* Q( w& a$ W. x  B+ S: ]& {替换IC,RS1电阻由0.33R改为0.27R(直接并1R电阻)R9由47R改为200R,R8由33R改为20R。
; X' @0 l. {- N8 b( [
" M; j) n6 b+ Q5 E二、基本电性参数
; Z) a! d) |5 l. F
三、基本波形
3 i& D+ x: U# X) j* K) S$ _, U* g9 Y3 ~( S7 `3 S8 B. P: p) {
XX5533 264V/50HZ MOS波形
, ~, B3 _5 J3 u# T( j- P5 [/ S# T
CR6890H 264V/50HZ MOS波形

4 h9 R+ Y3 `/ v! L4 n
XX5533 264V/50HZ 肖特基波形

' _( _5 L  V+ j
CR6890H 264V/50HZ 肖特基波形
. s; j/ M& ^: K6 L
XX5533 264V/50HZ GATE波形
! M! Z- z+ ?% Q$ l- ?$ l3 A" b- N
CR6890H 264V/50HZ GATE波形
+ s3 w* v1 S# w$ h* E7 C# W
XX5533 230V/50HZ 传导波形 N
6 J  I) |$ D6 v8 z
XX5533 230V/50HZ 传导波形 L
# v, M; z- B. x3 Y1 v/ i# K
CR6890H 230V/50HZ 传导波形 N
1 p3 g  [' g+ Z7 b9 _
CR6890H 230V/50HZ 传导波形 L
1 m# }/ ~8 }$ T% a( _1 X: H8 B3 J
XX5533 230V/50HZ 辐射波形
; S7 ~0 Q- X: ^
XX5533 230V/50HZ 辐射波形
8 r. r# ^  H/ f
CR6890H 230V/50HZ 辐射波形

" X* M0 J# k$ m3 h% v  L* ~
CR6890H 230V/50HZ 辐射波形
5 {" @( ]* \8 R0 L; w# D0 o
对比结果
& s4 B! l* u% R& |4 P" i0 a) E  L% N7 i: V, C
电性基本一致,CR6890H效率更高。9 ~) L9 s" t2 ^: e8 A
/ ^. Y- Z: Z* ]* A

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