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本帖最后由 思睿达小妹妹 于 2023-3-16 10:55 编辑 " _1 v) B! X: f/ G
8 y3 \, n9 w- P5 b当今世界，人们的生活已是片刻也离不开电子设备。电源管理芯片在电子设备系统中担负起对电能的变换、分配、检测及其它电能管理的职责。电源管理芯片对电子系统而言是不可或缺的，其性能的优劣对整机的性能有着直接的影响。
+ I9 f2 P1 j6 j2 V# T! ^; K3 i; y$ l
+ n, C, y, l- l* v: g% W电源管理芯片的应用范围十分广泛，例如本公司主推的CR6890H可应用在AC/DC适配器、电机类适配器、充电器等。接下来，我们将CR6890H和电源IC XX5533进行对比测试，看看哪一款IC更胜一筹！# E8 B: h% O. ?# N" H
0 H4 H+ @5 ^) r关于CR6890H1 L' @! d' r3 b. G
6 }8 q+ d+ g# H7 c* n4 ECR6890H是一款高集成度、低待机功耗的CCM+PFM混合电流模式PWM控制器。CR6890H轻载时会降低频率，最低频率22kHz可避免音频噪声。CR6890H提供了完整的保护功能，如cycle-by-cycle电流限制、OCP、OTP、VDD_OVP、UVLO等，还可以通过PRT脚分别精确设置外置过温保护和输出电压过压保护。软启动功能可以减少系统启动时MOSFET的应力，前沿消隐时间简化了系统应用。通过频率抖动和软驱动电路的设计，降低开关噪声，简化了EMI设计。CR6890H提供SOT23-6L的封装。) X3 }. L' q0 b$ C
' ^2 a1 `. P; f: g7 K- v
主要特点. T% }9 s `4 \: t" N* s
2 |: g) L3 O" h _# }5 k4 J● 较低的启动电流(大约3μA)
" p* m! Y7 `, j7 a. N● 内置软启动减少MOSFET应力9 E$ F) N% F0 b) F
● CCM+PFM控制模式- P* w6 {2 i5 `: T
● 内建同步斜坡补偿，消除次谐波震荡( y( i. O' K: `" F" o" s' |* D/ u
● 内建频率抖动功能，降低EMI" `# A- H4 F: h# M# {' @6 ]
● 内置65kHz开关频率1 ?$ Z$ X% y z. W G' c c* w9 ?+ r
● 轻载降低工作频率
0 Q+ B- a8 Q$ `9 t. S● 15ms倍频模式
1 p) ~! m: ?# V+ }3 u0 Y2 F# ^0 s● 可编程外置过温保护并进入latch- g7 ?2 R5 r4 p& p: c8 _
● VDD过压保护和输出过压保护功能并进入latch& y8 _2 q; T5 V8 w/ _1 S& p
● 内置前沿消隐电路2 t& t' H( v5 U, e1 G6 c
● 内置输出二极管短路保护7 b) M% `& k/ Q4 q) E5 z$ Y
● 内置过温保护并进入latch& a0 R$ B' ^8 ]) _8 J. y: }# C
● 过载保护
' Y6 ^- N) P; A, j) u c& ]● SOT23-6L封装* j. M" i [. ^# o+ H1 ]
7 h! O3 Q6 Z3 j" S3 c; a9 Y基本应用4 c( P, _, u# ~1 I
# g m5 [, V) d
● AC/DC适配器, j: x" I# {# `4 o) {6 \" O( F
● 电机类适配器# M# M/ J. z5 e3 R/ ^9 X
● 充电器; ?6 a; n0 s( K( C6 s, }
● 存储设备电源
/ t( T. v3 g3 i: v% j5 h8 G |3 Y
典型应用0 O1 b/ [3 o! C* k/ ]$ F' w2 _% \
管脚排列
% d8 F/ T" F0 ]$ z管脚描述. p V: e8 t* o t4 l# m( \
. X7 I" |4 i5 V% D- \一、样机规格/ j4 V' c2 y. y# s+ w4 i
5 [/ ~( ~; e; U输出电压12V，输出负载5A，IC lot：HHP02。
, g+ n5 u$ l9 N: H
, o7 L' k& c0 p修改参数：$ z5 q- Y: n& I9 a) [" L
9 f: X- ^( Z# ?: W
替换IC，RS1电阻由0.33R改为0.27R（直接并1R电阻）R9由47R改为200R，R8由33R改为20R。( F' J! {, K; G( [3 h, A0 z/ V
( {1 k8 W% o$ j7 ^2 D
二、基本电性参数' A' p; o- ^% H; r9 X
三、基本波形. U/ M2 ^. v" A/ G1 ~1 P" I! b
^( _! G/ K' E1 a
XX5533 264V/50HZ MOS波形
( W/ e( X% Q- L% i; z: ICR6890H 264V/50HZ MOS波形
) U2 o* Y& Q. d zXX5533 264V/50HZ 肖特基波形 7 _' U. s3 r: @5 A
CR6890H 264V/50HZ 肖特基波形 & f% ]+ `3 E% |( @5 N2 |! ?6 l
XX5533 264V/50HZ GATE波形 9 {7 d# V- b% F/ W) T9 M) Z
CR6890H 264V/50HZ GATE波形
: e4 j! {* [6 j$ H& w% NXX5533 230V/50HZ 传导波形 N 9 G/ Q+ I6 N; R( |6 {# d# L+ `
XX5533 230V/50HZ 传导波形 L + ^) I- y! \: n: I9 ]! f4 @$ l
CR6890H 230V/50HZ 传导波形 N
q( m1 d9 r, b7 v# zCR6890H 230V/50HZ 传导波形 L
- m1 P2 C) t# O% ?% M# p2 z, S# ZXX5533 230V/50HZ 辐射波形
2 G* E8 z6 C. k2 ~7 N" OXX5533 230V/50HZ 辐射波形 / l% M- i3 x2 |- J1 c4 t
CR6890H 230V/50HZ 辐射波形
( W! ]! `# W9 r0 R0 N f. ICR6890H 230V/50HZ 辐射波形 $ d2 D' c4 V" o+ L' \" E1 N" S
对比结果
4 v* D$ `1 t$ X; `+ }
& R* m- n; }5 h- T( d' z电性基本一致，CR6890H效率更高。
+ V' a, n* @( o( u! E0 K& e& |: I) r' x5 H% q, v
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发表于 2023-3-16 10:50:13
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