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两款电源芯片对决,谁能遥遥领先?看完测试报告有答案

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发表于 2023-3-16 10:50:13 | 显示全部楼层 |阅读模式
本帖最后由 思睿达小妹妹 于 2023-3-16 10:55 编辑
" t5 v1 R! S8 e- k+ D% b' h5 i5 x' v- |1 T6 n7 P
当今世界,人们的生活已是片刻也离不开电子设备。电源管理芯片在电子设备系统中担负起对电能的变换、分配、检测及其它电能管理的职责。电源管理芯片对电子系统而言是不可或缺的,其性能的优劣对整机的性能有着直接的影响。% f; _7 @4 W* v. c3 Z

1 A. @8 y/ a, Z! A电源管理芯片的应用范围十分广泛,例如本公司主推的CR6890H可应用在AC/DC适配器、电机类适配器、充电器等。接下来,我们将CR6890H和电源IC XX5533进行对比测试,看看哪一款IC更胜一筹!; F0 u; O* Z$ [+ }" {
* T; @5 s) h2 s  e; h9 e
关于CR6890H6 S3 C2 h0 l& T% f/ F! b3 J7 B/ p

. [) X: v3 ]$ i$ }CR6890H是一款高集成度、低待机功耗的CCM+PFM混合电流模式PWM控制器。CR6890H轻载时会降低频率,最低频率22kHz可避免音频噪声。CR6890H提供了完整的保护功能,如cycle-by-cycle电流限制、OCP、OTP、VDD_OVP、UVLO等,还可以通过PRT脚分别精确设置外置过温保护和输出电压过压保护。软启动功能可以减少系统启动时MOSFET的应力,前沿消隐时间简化了系统应用。通过频率抖动和软驱动电路的设计,降低开关噪声,简化了EMI设计。CR6890H提供SOT23-6L的封装。0 N' @. z5 ]6 ~" s7 M
7 v9 {1 o1 o: a% E! ?
主要特点; q+ E4 [8 _6 Q
! {2 |& I" b/ G! Z' j# ]0 S+ W
● 较低的启动电流(大约3μA)
+ F; m( e: U. A. j% o/ V5 }" K# D● 内置软启动减少MOSFET应力% f; ]0 g& P0 W, l3 e2 I
● CCM+PFM控制模式
. f/ v. t2 f; _- a0 m' N● 内建同步斜坡补偿,消除次谐波震荡& t$ ?- V" F0 O& o- L. r; a
● 内建频率抖动功能,降低EMI
6 V) r7 u6 r8 X2 H● 内置65kHz开关频率! o2 \1 n) n$ w% j1 y* ]
● 轻载降低工作频率$ D  V5 k5 q7 B+ q0 y
● 15ms倍频模式
+ E/ Y6 X" S' z5 N( z● 可编程外置过温保护并进入latch
7 J* t# t$ W$ w" [● VDD过压保护和输出过压保护功能并进入latch7 q8 ?) R& ~% W* I1 t! F
● 内置前沿消隐电路
# Y. }% [0 X& a0 B/ U8 r● 内置输出二极管短路保护
+ S% q5 X+ Y$ U2 t" P● 内置过温保护并进入latch
3 I' ?% ^, }  y; G: v) r/ b& x● 过载保护
) J) K1 r9 s% T" Q* k$ n● SOT23-6L封装
9 s2 u) u" |8 o; ?2 w: w  o) d; l) T) N2 q3 \% x4 @
基本应用
2 ]' M: K- a' ^( H
: T8 ]/ D4 C6 A9 d7 ^● AC/DC适配器, t7 ~, _! b% Q
● 电机类适配器- p# Q5 m$ k3 c6 a/ g
● 充电器
' t; S  x  N  t● 存储设备电源) e" @5 B' q7 r& N* T

7 E- m( b+ s  p* U  G. d  G+ s0 y( Q典型应用
% r/ M% {3 L8 s  ~6 p7 F
管脚排列
1 ]5 x) Z' o1 c$ O2 i
管脚描述$ F( r2 H6 \; [/ K% m' C
7 H, G0 H+ p. F* G% C7 B
一、样机规格
, U& Y) N. Y- h" }1 F: ]' d
6 v! R% }5 ~& g输出电压12V,输出负载5A,IC lot:HHP02。' L; b) u8 ?$ t, l, @
7 ?$ l' e% A0 d  [( h2 I
修改参数:
" }' p1 O+ j0 R; q0 E' |" v
" L& ~3 g, S  {7 N9 B! I替换IC,RS1电阻由0.33R改为0.27R(直接并1R电阻)R9由47R改为200R,R8由33R改为20R。& J' n8 g3 Y+ I9 c
1 D+ z4 S6 X  d# @; r( H0 i
二、基本电性参数! a- R# a: N$ J; r4 _9 |; a8 ~
三、基本波形. l4 T. K7 B! w9 t. @2 `  E" X
' |9 v4 F0 o  f
XX5533 264V/50HZ MOS波形
8 B& }0 {4 q, D
CR6890H 264V/50HZ MOS波形
, }" ]( z2 t4 ^! ^, X" y4 t
XX5533 264V/50HZ 肖特基波形
' l3 v0 j0 k; E
CR6890H 264V/50HZ 肖特基波形

" Z( |: x) `* c1 T; _# Q5 d* v
XX5533 264V/50HZ GATE波形

: o# m0 k, |# \  N. K6 y
CR6890H 264V/50HZ GATE波形
+ f  p% _- x# `/ M: Q" ?* a
XX5533 230V/50HZ 传导波形 N

6 n9 O7 m8 E; e$ ^" W* h. l, p
XX5533 230V/50HZ 传导波形 L

% W9 S: ?, V9 g  j+ p
CR6890H 230V/50HZ 传导波形 N

' l& L, m# \2 b8 n4 _1 ~: k2 C$ S
CR6890H 230V/50HZ 传导波形 L
. t4 {$ t1 T6 Q: P/ J* s
XX5533 230V/50HZ 辐射波形
' K3 l- i  N- W8 v% }! `4 \
XX5533 230V/50HZ 辐射波形

0 ^' d3 h  S  t( o( _
CR6890H 230V/50HZ 辐射波形
4 C. [6 R9 S* ~
CR6890H 230V/50HZ 辐射波形

3 a$ v; s- N5 ^2 A- h对比结果
! P+ q' c5 f/ b/ i9 N8 ^  H1 c5 l( m6 T" h
电性基本一致,CR6890H效率更高。
& R3 S% y+ K0 m! i7 l$ q& [
0 }2 e  z7 }1 U

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