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两款电源芯片对决,谁能遥遥领先?看完测试报告有答案

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发表于 2023-3-16 10:50:13 | 显示全部楼层 |阅读模式
本帖最后由 思睿达小妹妹 于 2023-3-16 10:55 编辑 + @$ {7 a$ Z, Q

) v5 Z! X( h( d当今世界,人们的生活已是片刻也离不开电子设备。电源管理芯片在电子设备系统中担负起对电能的变换、分配、检测及其它电能管理的职责。电源管理芯片对电子系统而言是不可或缺的,其性能的优劣对整机的性能有着直接的影响。$ r# u8 R, H7 V$ R$ f
7 O5 m: ^* @% B. Y4 {  @6 Y7 m
电源管理芯片的应用范围十分广泛,例如本公司主推的CR6890H可应用在AC/DC适配器、电机类适配器、充电器等。接下来,我们将CR6890H和电源IC XX5533进行对比测试,看看哪一款IC更胜一筹!
# {9 s% ?( U) B: c( m* N3 o9 _1 m4 e( C# \
关于CR6890H
) v: E0 V+ P  s" t$ R" R3 R  Y6 r4 W, _9 E
CR6890H是一款高集成度、低待机功耗的CCM+PFM混合电流模式PWM控制器。CR6890H轻载时会降低频率,最低频率22kHz可避免音频噪声。CR6890H提供了完整的保护功能,如cycle-by-cycle电流限制、OCP、OTP、VDD_OVP、UVLO等,还可以通过PRT脚分别精确设置外置过温保护和输出电压过压保护。软启动功能可以减少系统启动时MOSFET的应力,前沿消隐时间简化了系统应用。通过频率抖动和软驱动电路的设计,降低开关噪声,简化了EMI设计。CR6890H提供SOT23-6L的封装。
" f2 Q, _( ^& M- M/ `$ [( c
8 k5 F6 G* |9 U! U3 q; g6 f主要特点8 P# Q+ k. H" N, V9 f5 L
2 S  ^$ C1 w: g" B. E% u2 G
● 较低的启动电流(大约3μA), c/ u$ p% n, t+ t& L! e
● 内置软启动减少MOSFET应力
" k1 g( O" Z; ?; F' w& c* m% f● CCM+PFM控制模式
+ P  E6 F0 F6 b% r. a4 R) d● 内建同步斜坡补偿,消除次谐波震荡
+ @, |* j+ t& U) U3 }- \! H● 内建频率抖动功能,降低EMI
% ^/ L% X! d9 D. L● 内置65kHz开关频率
0 B# Y. U& i* I/ N! }9 H8 o● 轻载降低工作频率
9 e! \( j% f2 }: A" r/ R# k● 15ms倍频模式" ^8 {1 r& [  v1 o- O
● 可编程外置过温保护并进入latch8 u6 v- a' y' M/ t% B
● VDD过压保护和输出过压保护功能并进入latch
' n, x9 M% Z$ e$ j5 ~  o! Y● 内置前沿消隐电路! y# f6 K$ }9 P3 N) c% j# j
● 内置输出二极管短路保护! r, @6 u  z, h7 f  W5 |) W4 k
● 内置过温保护并进入latch: d6 U3 p! b$ U8 v$ `/ H& ?
● 过载保护. D5 P! f) s! r' J6 \# O
● SOT23-6L封装
+ ~9 q4 v( t' t; H' e. J% t8 ^2 u0 i. j! c8 P% q
基本应用
/ |+ w( M  x9 |  F% ^0 A, T2 A2 Z
  Z' V4 z$ U5 T1 {● AC/DC适配器6 s9 i. c. q  L" I  y& X# M
● 电机类适配器
# @9 _' z/ \( Y. h" \● 充电器
( D; B# f2 R% v* X/ j3 u2 i. g: [: p% q● 存储设备电源
  V# V/ y: _1 h% n4 o9 a( j2 S5 {* b! F8 Y* ^
典型应用
4 Q: E5 {4 u9 r  J, }4 L
管脚排列  `6 \' B  ~' D5 ~" e5 N  v, y
管脚描述
9 y' V$ U& H, G9 W: m5 g

8 x" r7 C8 Z; a一、样机规格
& E! j) g$ p4 R1 {1 r/ Q' L- Y* |5 c, M/ O
输出电压12V,输出负载5A,IC lot:HHP02。" q" H* e4 X/ @2 Q; o% \
+ M2 N2 }3 H) h$ m7 Y
修改参数:' Z+ m1 [* S( `8 V& ^% y

& w9 O, Z0 i; E5 z" m& @4 R# E$ c( w替换IC,RS1电阻由0.33R改为0.27R(直接并1R电阻)R9由47R改为200R,R8由33R改为20R。
& S, T4 H, t' p- w
/ e) S% ^' E+ D* l5 X二、基本电性参数3 k7 j9 F  W, C
三、基本波形
* }" k: k# o& l0 [8 p
* k) N! H& ~. c! P) x" X* K& U
XX5533 264V/50HZ MOS波形
$ U( a2 W  z, b
CR6890H 264V/50HZ MOS波形

% {# k3 V& i+ O$ b
XX5533 264V/50HZ 肖特基波形

; f9 ?+ L4 q+ m$ G, y
CR6890H 264V/50HZ 肖特基波形

" s6 Y. x) i1 e7 d' `
XX5533 264V/50HZ GATE波形
" ^5 B9 f/ M" X. b& U
CR6890H 264V/50HZ GATE波形

3 f2 q5 P9 \2 Z" v
XX5533 230V/50HZ 传导波形 N
: [; y3 @0 V$ f& r# P% t( j
XX5533 230V/50HZ 传导波形 L
- y3 k9 Q) ^& F& V% n; F
CR6890H 230V/50HZ 传导波形 N

% V' U4 m/ O9 r' J
CR6890H 230V/50HZ 传导波形 L
* `$ q" i+ U" s0 e1 U0 U7 J
XX5533 230V/50HZ 辐射波形
4 g6 u6 h' p" z. P- E6 }
XX5533 230V/50HZ 辐射波形

* N! z' j8 n, v( @" Q
CR6890H 230V/50HZ 辐射波形

( D1 W2 p) ^% o
CR6890H 230V/50HZ 辐射波形

0 j. z* f1 ~1 V* U* I1 L9 Z2 @对比结果0 y7 s+ r, F+ ?8 O# a
7 ?. r& X  t- G+ V6 ?4 Q
电性基本一致,CR6890H效率更高。
+ f9 b5 X4 }7 L$ k  z6 Y+ ]3 |
5 A/ R. j* L# W: S" A

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