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两款电源芯片对决,谁能遥遥领先?看完测试报告有答案

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发表于 2023-3-16 10:50:13 | 显示全部楼层 |阅读模式
本帖最后由 思睿达小妹妹 于 2023-3-16 10:55 编辑 + F. }% v6 w' O9 P+ @

* E' ]9 x8 K3 P当今世界,人们的生活已是片刻也离不开电子设备。电源管理芯片在电子设备系统中担负起对电能的变换、分配、检测及其它电能管理的职责。电源管理芯片对电子系统而言是不可或缺的,其性能的优劣对整机的性能有着直接的影响。! X4 P5 v1 Y, B& D4 l

/ j9 S9 `8 u! @# G* Z" [; _/ V$ j# L电源管理芯片的应用范围十分广泛,例如本公司主推的CR6890H可应用在AC/DC适配器、电机类适配器、充电器等。接下来,我们将CR6890H和电源IC XX5533进行对比测试,看看哪一款IC更胜一筹!1 |" ^- X1 a7 h. `- r8 k

$ Y: X3 h8 K7 Z5 v关于CR6890H7 f. J, l5 O# ~- t% a
4 k' p! W. ~8 \
CR6890H是一款高集成度、低待机功耗的CCM+PFM混合电流模式PWM控制器。CR6890H轻载时会降低频率,最低频率22kHz可避免音频噪声。CR6890H提供了完整的保护功能,如cycle-by-cycle电流限制、OCP、OTP、VDD_OVP、UVLO等,还可以通过PRT脚分别精确设置外置过温保护和输出电压过压保护。软启动功能可以减少系统启动时MOSFET的应力,前沿消隐时间简化了系统应用。通过频率抖动和软驱动电路的设计,降低开关噪声,简化了EMI设计。CR6890H提供SOT23-6L的封装。( s( D1 @. |$ K5 S- j$ `- Q& J/ S
, r$ W) U4 @% b, `
主要特点
$ k8 D- q) S+ t0 Z6 k
! ?! N# s% M* G+ T6 c0 h" v! _● 较低的启动电流(大约3μA)
* G: H6 i# {% g3 J" [% _6 r● 内置软启动减少MOSFET应力+ ~, v' Q0 j! e; G
● CCM+PFM控制模式+ m( c7 `+ i6 D5 X3 g
● 内建同步斜坡补偿,消除次谐波震荡" \. T7 E$ H* p$ k; o
● 内建频率抖动功能,降低EMI5 B0 E% W# q6 w& G7 A& U, ]
● 内置65kHz开关频率
$ w+ h, r$ Y/ }, M2 `$ `' @9 m- v● 轻载降低工作频率
5 m/ L* N4 e6 q1 F+ }$ D● 15ms倍频模式: ^. z: U9 Z& m/ E% h
● 可编程外置过温保护并进入latch
) I% y& a# K" w( R● VDD过压保护和输出过压保护功能并进入latch& V6 b7 X4 _' h9 e5 r  Q
● 内置前沿消隐电路( r- U; u: a8 ?8 A- z
● 内置输出二极管短路保护
' x7 H0 V# u  z+ H● 内置过温保护并进入latch
/ f, L: s$ C) z% `6 E. X: J● 过载保护  Z: [3 k$ b$ R3 w7 n; ^' g. b
● SOT23-6L封装8 x/ R" {5 G# m" J9 }9 Q
1 ~% F- C$ p  V, F
基本应用
! P7 _3 A% P0 c* L  f& \3 ]6 I. M, o4 l+ L$ Y" e5 V7 {
● AC/DC适配器
9 Z0 K! j2 n/ K: `. s5 m4 H  g● 电机类适配器
' Y4 {3 T7 O( }) B, I● 充电器
- ?6 a" R; p$ U* w- G. a$ r● 存储设备电源/ v, v. w  c7 o# ?
$ t: u9 [2 \3 P  U0 E5 E9 }5 d
典型应用
1 u% b0 O3 R& E3 B
管脚排列
5 g  w7 g2 X2 w
管脚描述7 X6 m9 @" U' [

- C" o! w! q. _9 }( ^. Y$ W一、样机规格
8 G5 ^5 h5 c/ q# o) y* [+ [0 b+ {2 [7 G  e
输出电压12V,输出负载5A,IC lot:HHP02。
6 q  B% F# X% w8 E1 V" j: N. K. G6 N4 D- \: y( `* h# ~" L. E
修改参数:- Y, T$ e. @4 f: n7 W" [) y4 m

2 p+ s1 I6 {, q, t! v替换IC,RS1电阻由0.33R改为0.27R(直接并1R电阻)R9由47R改为200R,R8由33R改为20R。
' o: ?- h, N( i' W/ J0 ^! b' E# G8 n, V
二、基本电性参数  a- b9 z% Q! M
三、基本波形
) z) p/ [  k: m6 E" K/ d
; t/ i+ s# Y, _) x. _
XX5533 264V/50HZ MOS波形

0 I+ U' U5 v5 z" ?. s9 c5 k& W7 J
CR6890H 264V/50HZ MOS波形

- a2 B. P+ X3 d, r9 Q7 ]( \5 y
XX5533 264V/50HZ 肖特基波形

8 K0 _; }' H4 d+ |/ M* r  G
CR6890H 264V/50HZ 肖特基波形

* a. w+ q- Z; |$ M" b
XX5533 264V/50HZ GATE波形
% A/ C) F2 v2 c0 v# y1 I% R' ^% Z
CR6890H 264V/50HZ GATE波形

( e/ w+ h/ S. J0 d
XX5533 230V/50HZ 传导波形 N
, m- a5 n" e" m2 R
XX5533 230V/50HZ 传导波形 L

- u/ |) \+ _$ j1 a1 N, G
CR6890H 230V/50HZ 传导波形 N
4 S# Q; d5 k9 O8 i" {
CR6890H 230V/50HZ 传导波形 L

# y+ O! B  {4 u9 u+ G' U
XX5533 230V/50HZ 辐射波形

+ ?- z- Y# T: i2 ~5 L! K
XX5533 230V/50HZ 辐射波形

6 C" l5 e0 E  X6 k3 O1 l; Q
CR6890H 230V/50HZ 辐射波形

5 ~$ D5 z$ O5 e
CR6890H 230V/50HZ 辐射波形

% O* D2 T' M, X7 ?对比结果
# j; E6 f9 n) g( M+ x- h- ^2 s$ O0 |* G% h
电性基本一致,CR6890H效率更高。' w4 t' S' @: `7 e/ ?' f! [
4 C3 {- u4 O; J  t& K! [5 }

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