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本帖最后由 思睿达小妹妹 于 2023-3-16 10:55 编辑
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+ k* Y( }9 N4 g: D5 n( | e当今世界，人们的生活已是片刻也离不开电子设备。电源管理芯片在电子设备系统中担负起对电能的变换、分配、检测及其它电能管理的职责。电源管理芯片对电子系统而言是不可或缺的，其性能的优劣对整机的性能有着直接的影响。7 B4 r! d5 ?( N' p; L5 X
5 |4 L" h. n, E* ?6 X7 r+ \
电源管理芯片的应用范围十分广泛，例如本公司主推的CR6890H可应用在AC/DC适配器、电机类适配器、充电器等。接下来，我们将CR6890H和电源IC XX5533进行对比测试，看看哪一款IC更胜一筹！! T& f# L3 ^3 N x u q$ F$ M
' u0 c0 {0 j6 T# e关于CR6890H' @" G2 W; n& [' r
$ _5 g" v' o5 r
CR6890H是一款高集成度、低待机功耗的CCM+PFM混合电流模式PWM控制器。CR6890H轻载时会降低频率，最低频率22kHz可避免音频噪声。CR6890H提供了完整的保护功能，如cycle-by-cycle电流限制、OCP、OTP、VDD_OVP、UVLO等，还可以通过PRT脚分别精确设置外置过温保护和输出电压过压保护。软启动功能可以减少系统启动时MOSFET的应力，前沿消隐时间简化了系统应用。通过频率抖动和软驱动电路的设计，降低开关噪声，简化了EMI设计。CR6890H提供SOT23-6L的封装。
' ?* c( P M f& t$ I5 a' P4 n8 i2 S
' v7 w: w, O7 y: @/ C8 @% [; x4 f! x主要特点
' Z3 N8 {$ o ^ }* Q! |0 q) x( E \
. B. P/ v' H+ A● 较低的启动电流(大约3μA)
6 J8 ]. }9 |7 ]% y! J# [● 内置软启动减少MOSFET应力' O" [: N; m D* B; z* T6 u
● CCM+PFM控制模式/ J, W1 t8 P# D' Y
● 内建同步斜坡补偿，消除次谐波震荡
4 i( @9 `' n1 ]' a4 _3 r5 K5 I● 内建频率抖动功能，降低EMI
* X _2 ^5 m+ U# _/ _- U● 内置65kHz开关频率 l" O, l2 {! c! x; d: B" _
● 轻载降低工作频率& G, C: ]* X/ i% w8 r: h
● 15ms倍频模式( B# x% x, }8 T, _: b
● 可编程外置过温保护并进入latch
( ]* d& o% R3 V● VDD过压保护和输出过压保护功能并进入latch
/ q0 t/ F8 k; I# y0 T1 J● 内置前沿消隐电路
( x! [$ A7 R( d0 V1 C5 p- v● 内置输出二极管短路保护7 }4 a R) U& f
● 内置过温保护并进入latch
; T9 Y# l$ u E4 R● 过载保护
6 q0 J- g' p/ d# Q' C4 F● SOT23-6L封装
* o. C; i; A4 S, V/ B( [3 s
% ^" g# j% A- ^" g* N% [基本应用
4 Q, O6 v" f& u7 `# h: c( ^' {% J& ]/ j9 F* m3 h' g' v
● AC/DC适配器 x2 y# B' z1 \: m
● 电机类适配器: d2 u7 e) r% z+ I0 {
● 充电器7 r0 b9 _5 Y! O' w2 }8 P7 Y
● 存储设备电源% _( Q- I' R9 i( f+ B: x' p8 ~% F
- n O I% N+ z9 `1 p7 H' b
典型应用
' ~0 ?( N+ T. e4 F) t管脚排列
- i! W7 |4 \! t& V, y管脚描述
- {5 F) Z* f/ l. ]! a0 F* D
z6 s- v! D1 C3 `一、样机规格
1 M b. e6 H% y$ m# V& ]7 D
& v7 M @0 c- C2 E/ [! U0 _输出电压12V，输出负载5A，IC lot：HHP02。
2 @8 H3 l- R& [' K& N- X" ^2 l! L/ I+ |5 |6 K1 n
修改参数：/ q$ Y' S4 v" b* J& T
; P% b9 F% U8 Y) t, |3 V/ `+ U: y
替换IC，RS1电阻由0.33R改为0.27R（直接并1R电阻）R9由47R改为200R，R8由33R改为20R。
2 f/ B# c' i+ B6 o3 a% W
/ n/ G9 A! U- [& q二、基本电性参数
! r" l% ?5 L9 i% z) l2 |三、基本波形3 c* V! T" r M N1 }
; f4 N% E& m8 N z; _XX5533 264V/50HZ MOS波形
' ^$ c6 h3 K, v! y' I, K2 VCR6890H 264V/50HZ MOS波形 8 Y2 k4 x: J, B1 K- a/ _
XX5533 264V/50HZ 肖特基波形 - z& O' g7 ?* e. ], `0 l, T3 V: j
CR6890H 264V/50HZ 肖特基波形 4 C3 A) G) S k5 _" _
XX5533 264V/50HZ GATE波形 5 s$ i3 c9 h3 D/ k5 L
CR6890H 264V/50HZ GATE波形 9 F, c( p% M* q0 C* G! d3 [
XX5533 230V/50HZ 传导波形 N 9 }. Y" F- `% n) z
XX5533 230V/50HZ 传导波形 L % C L% ?, t2 Z0 f2 w! M0 p# Y8 T
CR6890H 230V/50HZ 传导波形 N
$ Q, ]* [/ x5 w0 Q) W1 iCR6890H 230V/50HZ 传导波形 L
& I3 |9 c' k, I5 ^4 R0 d5 e' N: jXX5533 230V/50HZ 辐射波形
+ ?, h: i$ p% | B7 U0 z# S) FXX5533 230V/50HZ 辐射波形 0 |0 T9 A- @8 X: p& V
CR6890H 230V/50HZ 辐射波形 # ]5 b! n$ r3 E5 E+ x
CR6890H 230V/50HZ 辐射波形
6 r% f2 J- E3 U+ B( y$ i对比结果
) p1 [+ W( m5 ~8 O: u! l
9 t0 ?4 Y( A/ [' [4 ^电性基本一致，CR6890H效率更高。- ^8 Y0 D; a! P
* G! R- W# h# ^$ H |* o |
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发表于 2023-3-16 10:50:13
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