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本帖最后由 思睿达小妹妹 于 2023-3-16 10:55 编辑 5 m# I* @+ r0 w5 ^* ~7 w
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当今世界,人们的生活已是片刻也离不开电子设备。电源管理芯片在电子设备系统中担负起对电能的变换、分配、检测及其它电能管理的职责。电源管理芯片对电子系统而言是不可或缺的,其性能的优劣对整机的性能有着直接的影响。4 ~- \8 O0 n: r% y$ ? {: u
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电源管理芯片的应用范围十分广泛,例如本公司主推的CR6890H可应用在AC/DC适配器、电机类适配器、充电器等。接下来,我们将CR6890H和电源IC XX5533进行对比测试,看看哪一款IC更胜一筹!+ L7 ?/ Q$ U$ N+ _, u+ ^
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关于CR6890H
3 w( g) b+ b6 \4 q1 ~& f8 z. G& U' J' {0 P( j# B
CR6890H是一款高集成度、低待机功耗的CCM+PFM混合电流模式PWM控制器。CR6890H轻载时会降低频率,最低频率22kHz可避免音频噪声。CR6890H提供了完整的保护功能,如cycle-by-cycle电流限制、OCP、OTP、VDD_OVP、UVLO等,还可以通过PRT脚分别精确设置外置过温保护和输出电压过压保护。软启动功能可以减少系统启动时MOSFET的应力,前沿消隐时间简化了系统应用。通过频率抖动和软驱动电路的设计,降低开关噪声,简化了EMI设计。CR6890H提供SOT23-6L的封装。+ c" Q" ]2 R/ ? } Y+ D. H) b" V
0 H; L$ v( f3 B [! N- ~" r主要特点/ }; M/ r' i! Y6 N7 d
# s2 u, x% U! @$ i+ s1 d: h
● 较低的启动电流(大约3μA)* J' e% M4 R6 y1 T6 I2 k% @
● 内置软启动减少MOSFET应力+ i) r* V8 }0 z* v; Z4 c6 H( b4 I# H
● CCM+PFM控制模式! ]/ V0 E) \2 c4 e% c
● 内建同步斜坡补偿,消除次谐波震荡
' q8 l; X* D8 [- I● 内建频率抖动功能,降低EMI+ e$ q- [0 H* l$ l
● 内置65kHz开关频率, H( S* g$ h# E6 Q0 p- c) V
● 轻载降低工作频率1 Y* T1 L; @' A3 ?7 o
● 15ms倍频模式
# z4 p W3 q+ \; o; Q/ [& t● 可编程外置过温保护并进入latch' t4 X( x" t5 O$ m" I% ^! f& W
● VDD过压保护和输出过压保护功能并进入latch2 s$ k) f2 j% h P
● 内置前沿消隐电路
4 b3 {9 b* h4 q+ q9 V) O" S● 内置输出二极管短路保护
5 z4 a: O/ D& I$ ]7 k& b● 内置过温保护并进入latch
# P- \1 P& U2 \9 _5 e● 过载保护
# V0 \6 G' T$ H4 Z● SOT23-6L封装
3 B$ C/ l6 K) B
& M; g, d# l6 h基本应用
# m7 P( C# `# i- ]& f6 n! g/ R$ m' p+ l7 B6 s9 y; m
● AC/DC适配器
5 m; p' w# ]% c+ ~: C● 电机类适配器
/ z4 ]5 e3 _& ^( U: z● 充电器# e( s9 i9 {& B- [8 z$ l( R
● 存储设备电源
" q. S1 ]1 F& U! F0 k/ K
I, Y( R0 Z4 \典型应用9 z+ N- y( R! Q% M+ }
管脚排列, H4 x( r4 u! a z
管脚描述9 ]7 \+ R: a' N% g8 ]
0 s+ ]; ?( e3 ]: P! U+ @: a
一、样机规格8 f/ }- | O$ l
" r/ O4 W( R! K0 b
输出电压12V,输出负载5A,IC lot:HHP02。- X1 j8 e% V; S) Q1 \5 ]( H
4 j7 J8 l" A* p9 _
修改参数:1 m# m1 o% y+ K' M1 c8 Z8 X2 M
/ b# @4 v3 O. V! V9 T" W2 d+ s5 ^2 _替换IC,RS1电阻由0.33R改为0.27R(直接并1R电阻)R9由47R改为200R,R8由33R改为20R。0 Q! v* e8 N6 }& s+ G
9 ]2 `, m1 M% S _4 M" j) C+ Y
二、基本电性参数: y6 R! D" Y' ?' T* b2 u
三、基本波形0 O7 Y& u/ h( t a$ h; T9 Z
a2 n S/ h2 _# O5 ^+ lXX5533 264V/50HZ MOS波形 , K/ T; `' A1 n
CR6890H 264V/50HZ MOS波形 $ y6 e X) }* F4 [0 @6 A, j/ ~& G
XX5533 264V/50HZ 肖特基波形 $ K/ R) W' D3 i7 c4 c5 |- Q) ?
CR6890H 264V/50HZ 肖特基波形 7 |0 |0 X8 n7 A5 z z. O
XX5533 264V/50HZ GATE波形
$ d( y5 k* J9 S( ]% nCR6890H 264V/50HZ GATE波形
1 x* N+ y4 m n9 U6 m7 Z4 lXX5533 230V/50HZ 传导波形 N & n! U- n' Y( Y/ X
XX5533 230V/50HZ 传导波形 L . K# H. i9 P6 B1 d' w
CR6890H 230V/50HZ 传导波形 N " M7 g# Y& i$ m' @
CR6890H 230V/50HZ 传导波形 L
9 U; I! u& G8 O+ k, k9 AXX5533 230V/50HZ 辐射波形 * I7 `! ~/ _; R) Q2 d
XX5533 230V/50HZ 辐射波形 3 C% ^5 h& o9 m
CR6890H 230V/50HZ 辐射波形
8 q2 h( F: S( _+ i5 V1 ECR6890H 230V/50HZ 辐射波形 0 Y8 s8 S! A, W9 ?- Z) P* W4 P+ U
对比结果
8 o* \0 I- P9 V C7 D; C+ y* P, W/ i
! X, v5 `9 J. h$ S4 i电性基本一致,CR6890H效率更高。
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