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两款电源芯片对决,谁能遥遥领先?看完测试报告有答案

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发表于 2023-3-16 10:50:13 | 显示全部楼层 |阅读模式
本帖最后由 思睿达小妹妹 于 2023-3-16 10:55 编辑
" `" \- Z3 x1 I$ h
0 `8 o1 Q; Q$ y6 Y当今世界,人们的生活已是片刻也离不开电子设备。电源管理芯片在电子设备系统中担负起对电能的变换、分配、检测及其它电能管理的职责。电源管理芯片对电子系统而言是不可或缺的,其性能的优劣对整机的性能有着直接的影响。
' h- f/ O9 r/ \0 o! i- K1 O. ^% O1 q8 [
电源管理芯片的应用范围十分广泛,例如本公司主推的CR6890H可应用在AC/DC适配器、电机类适配器、充电器等。接下来,我们将CR6890H和电源IC XX5533进行对比测试,看看哪一款IC更胜一筹!
4 o) L: [$ v- T& u0 v1 l- B9 d
7 l; S9 ~7 T8 `% w" `; @9 o! i关于CR6890H2 O; F/ O9 x0 |3 G1 i

' u* F- K2 _5 d0 B' u+ D+ b8 D$ GCR6890H是一款高集成度、低待机功耗的CCM+PFM混合电流模式PWM控制器。CR6890H轻载时会降低频率,最低频率22kHz可避免音频噪声。CR6890H提供了完整的保护功能,如cycle-by-cycle电流限制、OCP、OTP、VDD_OVP、UVLO等,还可以通过PRT脚分别精确设置外置过温保护和输出电压过压保护。软启动功能可以减少系统启动时MOSFET的应力,前沿消隐时间简化了系统应用。通过频率抖动和软驱动电路的设计,降低开关噪声,简化了EMI设计。CR6890H提供SOT23-6L的封装。
9 n6 v, z! X8 D" k. ?: Y0 q% u, |- `2 C) J0 S
主要特点
" f0 k! x5 X7 E' c! [7 Z0 P" u; q# M, `
● 较低的启动电流(大约3μA)) B- g8 c, T' x7 L) W" Q- C
● 内置软启动减少MOSFET应力
+ V5 G. `  P) A( {: C● CCM+PFM控制模式& X: g1 I7 B( n# X" |: m
● 内建同步斜坡补偿,消除次谐波震荡$ q$ k! H2 H7 ]& R' e; [" T
● 内建频率抖动功能,降低EMI" t. p$ |2 ?# e" |+ J! [% v
● 内置65kHz开关频率
5 m! H# T$ G; R# q" I● 轻载降低工作频率
; T4 q" Q& N; g, v  \● 15ms倍频模式
1 |6 ^& n* A! a6 K+ \$ R6 g● 可编程外置过温保护并进入latch
& C' E$ L4 g2 l1 l) T/ P● VDD过压保护和输出过压保护功能并进入latch
; L6 }( s- }* F. E% V● 内置前沿消隐电路# n* y  X9 S+ N7 W$ b- B( S
● 内置输出二极管短路保护
* K. {: I; o4 D6 V8 E; k* T: J● 内置过温保护并进入latch
- X$ M$ \% h, \$ h9 O● 过载保护
& _& a9 V; u% M  g9 A9 P● SOT23-6L封装' A& N) v1 [' y/ I4 i+ Y! C7 {

) b! U+ d  \; n+ N基本应用& W- F1 p" @! \9 Y% P; P
! ?3 ]- z' z0 U: c  W- E% m1 n
● AC/DC适配器
/ A2 z% M9 X' X5 g- q● 电机类适配器6 l, r0 q" t0 ]2 x8 A' d
● 充电器
# a4 T& z# O$ b● 存储设备电源/ O$ i% l- N0 ]- Q+ f3 O
0 j1 G" I. |9 K& Z
典型应用+ N1 Y" A8 ?3 W3 y7 j3 N
管脚排列: I& B" |: N0 i; Z! m  B5 O
管脚描述
, f' D6 C# z; M* t) P1 K! j

5 X! W" z( P' S- u7 ]/ U& z) A+ R一、样机规格
8 j0 Q' s" s9 b! R. [1 R  q- s; f3 Y) h! y" ^7 Z/ n* z
输出电压12V,输出负载5A,IC lot:HHP02。0 m* h2 j0 }; o9 ]5 \" l, y
, S1 [8 K* b) G$ \* o3 [; D- H5 e
修改参数:3 N5 X, A+ X% v) w8 I/ c

; S9 F9 Z: o* C* g3 {6 A替换IC,RS1电阻由0.33R改为0.27R(直接并1R电阻)R9由47R改为200R,R8由33R改为20R。+ ?3 Y4 I7 R9 E5 W  C/ V. |
( X- ?; ~/ S9 k8 }. m8 ~
二、基本电性参数
5 X2 r4 d7 P: A& t- b8 i0 m/ |; M
三、基本波形. ~) i5 y7 j9 a) J) I1 X

2 O: w$ w8 [* Y2 x7 U
XX5533 264V/50HZ MOS波形

5 k9 q8 w* B& B
CR6890H 264V/50HZ MOS波形
- |$ U# |! x) x1 m; z; r, H
XX5533 264V/50HZ 肖特基波形
" Q/ A/ \* q+ K# [  }7 @5 `
CR6890H 264V/50HZ 肖特基波形

# b! @/ J$ V7 W6 |- q( b3 w. u( w
XX5533 264V/50HZ GATE波形
9 Q2 O3 c0 Q( v6 Z5 n
CR6890H 264V/50HZ GATE波形

7 l3 |! f4 B6 U7 G$ P, k
XX5533 230V/50HZ 传导波形 N

9 {6 o; I  h: W8 L
XX5533 230V/50HZ 传导波形 L

5 z2 u2 N4 @# O; r/ |
CR6890H 230V/50HZ 传导波形 N

( P. x6 N' Y+ {8 c& {( b
CR6890H 230V/50HZ 传导波形 L

1 z4 y+ S: G6 r- A
XX5533 230V/50HZ 辐射波形

6 \& f- @7 K6 P0 p  N/ L
XX5533 230V/50HZ 辐射波形
8 v: t! n/ n' Q/ d
CR6890H 230V/50HZ 辐射波形

% {7 O( t! g3 S# B  T' v; `
CR6890H 230V/50HZ 辐射波形
% `3 i4 Q" l+ w; I5 ^0 I0 `2 N  \& C
对比结果
0 s) H# J) X$ v. s0 S3 Q' J( O
电性基本一致,CR6890H效率更高。8 Z8 n0 @4 S9 \- }( D. w

3 g8 [: H0 ], J: ?

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