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两款电源芯片对决,谁能遥遥领先?看完测试报告有答案

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发表于 2023-3-16 10:50:13 | 显示全部楼层 |阅读模式
本帖最后由 思睿达小妹妹 于 2023-3-16 10:55 编辑
, A* z7 U. @4 B: b+ R% J. Y2 I# F# I- S3 }4 U" X* P
当今世界,人们的生活已是片刻也离不开电子设备。电源管理芯片在电子设备系统中担负起对电能的变换、分配、检测及其它电能管理的职责。电源管理芯片对电子系统而言是不可或缺的,其性能的优劣对整机的性能有着直接的影响。
) F9 ]" [( Y6 M# S8 }9 Z% B, w3 m
5 g* c! l  h4 p, }8 e# w电源管理芯片的应用范围十分广泛,例如本公司主推的CR6890H可应用在AC/DC适配器、电机类适配器、充电器等。接下来,我们将CR6890H和电源IC XX5533进行对比测试,看看哪一款IC更胜一筹!
/ w. F% j7 h3 O+ N( q. f: A; N& O+ n% C: k7 X7 _" t# H7 r
关于CR6890H9 F4 b. g: `/ ]( n, o( T0 k2 H
7 y3 t8 I6 b! a- j/ x
CR6890H是一款高集成度、低待机功耗的CCM+PFM混合电流模式PWM控制器。CR6890H轻载时会降低频率,最低频率22kHz可避免音频噪声。CR6890H提供了完整的保护功能,如cycle-by-cycle电流限制、OCP、OTP、VDD_OVP、UVLO等,还可以通过PRT脚分别精确设置外置过温保护和输出电压过压保护。软启动功能可以减少系统启动时MOSFET的应力,前沿消隐时间简化了系统应用。通过频率抖动和软驱动电路的设计,降低开关噪声,简化了EMI设计。CR6890H提供SOT23-6L的封装。
9 _, d6 G, K3 V% A" n
. P5 U7 ^, q2 t8 w0 \5 W9 k主要特点. M0 j" x3 P6 ]1 l9 Z: O) e* v
/ o% e# l4 |6 \. ^. T( L
● 较低的启动电流(大约3μA)& E) z9 k& t/ O5 ]6 S& s2 @/ J+ a
● 内置软启动减少MOSFET应力
: u$ R9 m! T4 ^● CCM+PFM控制模式
- s* X' ^* ?7 ~' H- |" Y0 i  f● 内建同步斜坡补偿,消除次谐波震荡
" [! b) W8 S  d& s● 内建频率抖动功能,降低EMI
6 e' V; K9 f  |4 p+ G1 P● 内置65kHz开关频率
2 t6 {9 d% T; B+ P3 ~( M* b$ D● 轻载降低工作频率/ {0 z* l$ }: C+ g
● 15ms倍频模式7 r! f$ h( {8 l3 U8 M9 ?, e
● 可编程外置过温保护并进入latch
/ b, D# f4 m, h; B6 }. K# E6 l● VDD过压保护和输出过压保护功能并进入latch2 t# |2 W, K* j! q" u  V; E
● 内置前沿消隐电路( |" U. c- I' y9 g
● 内置输出二极管短路保护
7 b0 K8 _# k4 _- x9 C4 h% D● 内置过温保护并进入latch
- X: @$ M7 D" Z7 G4 }' ?● 过载保护" i  J* }) H) o
● SOT23-6L封装- Y4 f/ _3 S# k. P
4 e8 k( W$ Z; K! @/ O5 d% B  P
基本应用
! ?; G& g1 F' W0 [0 k, S3 P+ v& X8 `# r  @" z
● AC/DC适配器" V( N" ^8 a/ N/ Y0 X( ~8 E0 x  w
● 电机类适配器
9 s  V* z8 m' Z. r- _● 充电器
+ @& u% ~7 P6 Z- i) ^● 存储设备电源
4 h3 `7 b2 f* ?( d' I6 u7 e2 L7 Z9 \( ^: c$ \
典型应用. _$ h7 v! B' E: Q+ W
管脚排列# ~$ t, g+ O( u3 l1 U: n; b
管脚描述
- \' X8 C% F" Y* Y+ g

" P1 O9 A% G% Z0 i. z: {一、样机规格
: u; k8 h" d, W2 M8 w; u( {2 d, ]" n; A6 S2 Y
输出电压12V,输出负载5A,IC lot:HHP02。! u+ |3 b# H/ [3 o9 F
; a% q# n9 n) e2 v- b( J$ R
修改参数:: j0 ~+ [- j: ^6 J6 P3 [) {

& ]8 `! D- B0 [% W! y替换IC,RS1电阻由0.33R改为0.27R(直接并1R电阻)R9由47R改为200R,R8由33R改为20R。2 M9 F! v2 A: U

& L* ^1 n) P) Z8 ~: b+ M  {$ ]二、基本电性参数9 M$ m$ Q, b9 Y) D9 x7 J
三、基本波形5 h7 K, Q, P/ u
) K) ?2 Z) }( v5 V3 X4 C& f
XX5533 264V/50HZ MOS波形

( x9 [+ S/ t3 s, j6 G2 G
CR6890H 264V/50HZ MOS波形
( Q) w7 C+ M7 H( M( ]
XX5533 264V/50HZ 肖特基波形

( E1 q* z: u4 j! F' O$ B; V( T
CR6890H 264V/50HZ 肖特基波形

; \( n2 z6 [$ |" i6 h" B/ j4 i
XX5533 264V/50HZ GATE波形

' p2 K6 D0 F8 ?' g: L
CR6890H 264V/50HZ GATE波形
6 ?* W* V9 @0 F
XX5533 230V/50HZ 传导波形 N
  A5 Y* W) f0 X. Y; c- Q8 [0 B( B
XX5533 230V/50HZ 传导波形 L
& L! v5 @$ j" Y9 U, \
CR6890H 230V/50HZ 传导波形 N

2 J2 \) e$ m  B6 k; W
CR6890H 230V/50HZ 传导波形 L
# K( ?: b& ~* n# H
XX5533 230V/50HZ 辐射波形

' Y, p4 |& f5 l1 E/ ]( J" v6 j
XX5533 230V/50HZ 辐射波形

* o8 F5 ?) @. R2 p) k' d
CR6890H 230V/50HZ 辐射波形
9 Y% C. G. R! s. y* M! D
CR6890H 230V/50HZ 辐射波形
% J( V9 e% w% Z+ B& S, n3 N
对比结果
& h' Y' W& k+ g+ b
3 Y! q2 ^( S5 p- t' B$ M! L电性基本一致,CR6890H效率更高。
7 e: c) @5 j3 C* L- _6 f! E$ j, O% Q* e( }% T' N+ _1 W* a: v4 u

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