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本帖最后由 思睿达小妹妹 于 2023-3-16 10:55 编辑 ! S( m2 Z9 }: q1 R9 i* [% @
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当今世界,人们的生活已是片刻也离不开电子设备。电源管理芯片在电子设备系统中担负起对电能的变换、分配、检测及其它电能管理的职责。电源管理芯片对电子系统而言是不可或缺的,其性能的优劣对整机的性能有着直接的影响。
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2 i3 O. l6 o, \! x电源管理芯片的应用范围十分广泛,例如本公司主推的CR6890H可应用在AC/DC适配器、电机类适配器、充电器等。接下来,我们将CR6890H和电源IC XX5533进行对比测试,看看哪一款IC更胜一筹!- K6 L0 R$ N2 u/ F# w4 z7 D
4 J" n1 x8 W I- n% ^关于CR6890H2 ?1 g2 B1 S0 v& M" A1 \. c+ n
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CR6890H是一款高集成度、低待机功耗的CCM+PFM混合电流模式PWM控制器。CR6890H轻载时会降低频率,最低频率22kHz可避免音频噪声。CR6890H提供了完整的保护功能,如cycle-by-cycle电流限制、OCP、OTP、VDD_OVP、UVLO等,还可以通过PRT脚分别精确设置外置过温保护和输出电压过压保护。软启动功能可以减少系统启动时MOSFET的应力,前沿消隐时间简化了系统应用。通过频率抖动和软驱动电路的设计,降低开关噪声,简化了EMI设计。CR6890H提供SOT23-6L的封装。7 D4 c: s( L4 x+ n
2 M3 x- y- n9 w' \, e% ]
主要特点
* v) C9 @! f2 R6 ?- ~4 c( i/ `$ t% ~4 G9 B5 a& ^6 ~
● 较低的启动电流(大约3μA)
1 W, F/ R, T G0 P8 P. H● 内置软启动减少MOSFET应力* q4 f. y! |% H; {) ~
● CCM+PFM控制模式3 D; ~! d T+ t& }/ T0 ^, g0 f
● 内建同步斜坡补偿,消除次谐波震荡
$ C. M% T5 }8 J9 f5 D2 U& |● 内建频率抖动功能,降低EMI
6 J1 n8 l! C( T● 内置65kHz开关频率: {# ?+ s8 ?" x- x& o7 @, P- I
● 轻载降低工作频率
* r, o' ?' N: D2 Q* l● 15ms倍频模式
4 H- Z$ ~0 ^- t; O0 S2 \. _6 ]● 可编程外置过温保护并进入latch0 L+ H* k! C9 M( l, U
● VDD过压保护和输出过压保护功能并进入latch
5 U$ w" i4 w) H2 [* E/ M● 内置前沿消隐电路
5 N# j9 r2 R3 z. X6 z: f# z● 内置输出二极管短路保护! u9 I3 s0 w+ K8 v+ ?3 l
● 内置过温保护并进入latch
' I. i8 P# M- Q: x● 过载保护5 n8 k: ~0 H' N
● SOT23-6L封装
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基本应用- I1 s5 J X. ^# W' G; B0 a
9 L+ r) F Q* ~2 R4 I● AC/DC适配器
; Z5 x+ t# [. P9 n6 w● 电机类适配器
; D1 @9 |# k( F2 y n# {● 充电器+ U" `% H! j5 V' b& r' G
● 存储设备电源
2 {4 N: [" x4 B; i- }& ?
, L9 O/ Y7 M7 m( y6 m( z( y4 ^6 ~典型应用# {1 k8 \3 y% q3 i: I# e, B
管脚排列
3 Q/ ?6 q- A; `4 t) G管脚描述1 h( K7 m9 f; `! u9 W5 |
6 Y. t! m& y& s; H* B. `- l. \1 T一、样机规格
: H' @+ E0 C# ?$ |; ~) J" i9 H! q2 O+ N4 m# `
输出电压12V,输出负载5A,IC lot:HHP02。3 {9 C( Y; W0 w. S" p
* d$ f7 @$ L/ _' [7 e3 w, l# P
修改参数:6 G) o2 D+ B- e& s
1 m! S+ ]. r5 \# B& N& X/ z替换IC,RS1电阻由0.33R改为0.27R(直接并1R电阻)R9由47R改为200R,R8由33R改为20R。0 y0 J7 h" K$ G1 {
( [/ j- z7 ]% x二、基本电性参数
* _, H3 R! ?# |, `: r$ k3 R" `三、基本波形
3 C, g: I5 F* U2 N/ E( m+ N, V, P9 J$ F5 J) f
XX5533 264V/50HZ MOS波形 + E0 p9 z6 F+ L2 K) }5 K& ^
CR6890H 264V/50HZ MOS波形 k1 H/ p: u2 M8 U; S
XX5533 264V/50HZ 肖特基波形 ' b8 L+ p+ R+ r' J
CR6890H 264V/50HZ 肖特基波形 ' g6 Z- K) U. y0 ~* A5 |" k: `2 G9 D
XX5533 264V/50HZ GATE波形 4 n, \# X1 Z' A7 W) o1 C
CR6890H 264V/50HZ GATE波形 6 n9 Z5 ^3 B# i! l. v; ^3 ~
XX5533 230V/50HZ 传导波形 N
3 n3 w6 T) r& S# a/ C0 nXX5533 230V/50HZ 传导波形 L 3 g: f$ q# K5 }5 u5 \& v L" o
CR6890H 230V/50HZ 传导波形 N
7 ^" x J' w) A# a% ~CR6890H 230V/50HZ 传导波形 L
( w7 ^& \# r7 Q- M; Q( ^XX5533 230V/50HZ 辐射波形
8 n0 X# C r F& a, z; C- SXX5533 230V/50HZ 辐射波形 4 `0 t2 t! M" _6 Y+ n* b
CR6890H 230V/50HZ 辐射波形 * I2 I' }2 U! @$ c; I {* n% W
CR6890H 230V/50HZ 辐射波形
. a3 L2 Q5 Z6 }+ n7 p+ H% m对比结果% v% d# @2 q( a) B
. z% V7 t( t, S- b. v, d3 P3 t; p6 W
电性基本一致,CR6890H效率更高。' c0 E# T. L9 i& l Z
3 i3 n7 W2 W9 [, x, U
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