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本帖最后由 思睿达小妹妹 于 2023-3-16 10:55 编辑 . `8 t. \ a/ j/ G0 X W
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当今世界，人们的生活已是片刻也离不开电子设备。电源管理芯片在电子设备系统中担负起对电能的变换、分配、检测及其它电能管理的职责。电源管理芯片对电子系统而言是不可或缺的，其性能的优劣对整机的性能有着直接的影响。, K3 k9 Y, J2 b4 d
. h0 ~4 F1 U0 k7 e. ^; g. P1 h电源管理芯片的应用范围十分广泛，例如本公司主推的CR6890H可应用在AC/DC适配器、电机类适配器、充电器等。接下来，我们将CR6890H和电源IC XX5533进行对比测试，看看哪一款IC更胜一筹！
. k. G" @7 B! \; e3 J
; K3 O6 X4 B9 k6 ^' j ^7 _$ e关于CR6890H$ R( R3 p) x t
9 L3 _! S# A& B% S6 H* Z3 k/ Y! rCR6890H是一款高集成度、低待机功耗的CCM+PFM混合电流模式PWM控制器。CR6890H轻载时会降低频率，最低频率22kHz可避免音频噪声。CR6890H提供了完整的保护功能，如cycle-by-cycle电流限制、OCP、OTP、VDD_OVP、UVLO等，还可以通过PRT脚分别精确设置外置过温保护和输出电压过压保护。软启动功能可以减少系统启动时MOSFET的应力，前沿消隐时间简化了系统应用。通过频率抖动和软驱动电路的设计，降低开关噪声，简化了EMI设计。CR6890H提供SOT23-6L的封装。# w8 h# k8 ^ ]9 H
& t/ k9 n1 r! J+ C
主要特点2 o* i# W. D. ~1 T& D' k2 D
4 N5 V9 s H$ x( t( V
● 较低的启动电流(大约3μA)" ^& k. o! o) W. c
● 内置软启动减少MOSFET应力
: a# R; y* O# M; S" [● CCM+PFM控制模式3 R' z# |6 B6 l* {. A
● 内建同步斜坡补偿，消除次谐波震荡3 d$ [" I' J) t! J3 I7 T4 E
● 内建频率抖动功能，降低EMI1 T, i j# h x6 ?- o c& ]
● 内置65kHz开关频率
" A0 i* ^6 N2 G9 c2 R● 轻载降低工作频率 y+ G0 N: k, q* e2 R6 }
● 15ms倍频模式. q m+ j6 r4 d; j: z
● 可编程外置过温保护并进入latch
2 p" k( Q+ L% b3 |● VDD过压保护和输出过压保护功能并进入latch
& o! H+ d8 _1 |# x; J● 内置前沿消隐电路
1 Y8 ~' P9 p ^( [( t( }* F! C7 s● 内置输出二极管短路保护3 @/ n$ Y. G+ w5 W" |, n
● 内置过温保护并进入latch
5 o" |7 S6 i! H! m5 k● 过载保护" _1 P% F9 ]* _) O' G# a
● SOT23-6L封装
: z' m0 T1 u+ |4 ~
2 h8 Q, u0 [% g. A基本应用
1 r- I4 \# H/ T6 B9 A3 y
) B" M$ Q4 l1 h: d8 Z● AC/DC适配器. o: W3 X% C6 p* A
● 电机类适配器
# d, J; z# E( {● 充电器
0 N) X# t2 d! c# q● 存储设备电源% L- a: a: d4 e4 t! ~5 s
6 H q+ i" W% q4 Q, p W9 l典型应用/ \: ^/ {5 f/ X8 Q9 y' e
管脚排列
1 Z5 ^! ?. L$ I2 x% n# W管脚描述
! U7 W/ g& [( R6 ]$ p8 g0 T2 z: p
一、样机规格
3 {( x( `4 g' m) Z4 }$ \( S5 R1 S) f/ G# s
输出电压12V，输出负载5A，IC lot：HHP02。
& q: Z) ?5 }* P5 d% Q# p
' t& Z' w- _7 i& X! }9 T修改参数：
* v( A7 \% z1 S( Y0 N t; q+ l) B9 G! }) [/ D7 l. I
替换IC，RS1电阻由0.33R改为0.27R（直接并1R电阻）R9由47R改为200R，R8由33R改为20R。
, z3 }2 E/ ^& H1 _: P, K; q3 ^2 n p
二、基本电性参数
" ?" a, Y# k# R, ?$ N+ t0 b三、基本波形% s* f( ~7 x9 U \* e& E
g0 D& C; V U0 P6 E* {
XX5533 264V/50HZ MOS波形
3 R9 g* l ?1 b- l* \: V9 PCR6890H 264V/50HZ MOS波形 % _3 p" C4 c! G8 u5 \6 b
XX5533 264V/50HZ 肖特基波形 3 z) n7 h2 s8 r% E
CR6890H 264V/50HZ 肖特基波形 ) y) h i; z$ Z5 i2 D5 q' ^" Z
XX5533 264V/50HZ GATE波形 6 ~+ H" S/ i8 j+ d1 K' m
CR6890H 264V/50HZ GATE波形
* {5 r. F& w# F) y% d- \XX5533 230V/50HZ 传导波形 N # l# ]3 |4 O# w
XX5533 230V/50HZ 传导波形 L 8 h4 G$ y+ b6 D8 k& d7 P& j
CR6890H 230V/50HZ 传导波形 N # N& u% j! o* D. C& S! h
CR6890H 230V/50HZ 传导波形 L 9 J9 S1 |0 K i; p
XX5533 230V/50HZ 辐射波形 2 z* r' k" x+ Y5 y% t- e# v
XX5533 230V/50HZ 辐射波形
+ l3 G! N9 u+ z; Q2 FCR6890H 230V/50HZ 辐射波形 , p# l; E1 ` e( A, k
CR6890H 230V/50HZ 辐射波形 2 E! J7 e9 ]$ X! i8 o
对比结果
( R8 Y7 B7 u, M0 X2 E7 ]' F, C
/ e8 ~( M p7 d) T; t {电性基本一致，CR6890H效率更高。
' J2 }, z# }3 ^$ ~* t, y
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发表于 2023-3-16 10:50:13
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