|
|
本帖最后由 思睿达小妹妹 于 2023-3-16 10:55 编辑
; [ t2 @; F. k& Y6 L0 r* r Q- t
当今世界,人们的生活已是片刻也离不开电子设备。电源管理芯片在电子设备系统中担负起对电能的变换、分配、检测及其它电能管理的职责。电源管理芯片对电子系统而言是不可或缺的,其性能的优劣对整机的性能有着直接的影响。
+ b* z: x0 `% A4 F
$ [7 A2 T" _; q! T' A电源管理芯片的应用范围十分广泛,例如本公司主推的CR6890H可应用在AC/DC适配器、电机类适配器、充电器等。接下来,我们将CR6890H和电源IC XX5533进行对比测试,看看哪一款IC更胜一筹!
1 }( R) u! @8 f7 c% { d9 u$ ~: W& {& w( t) |
关于CR6890H
& e) e% w, U9 E0 b) t; V; d
5 P& }6 Y. n. U" QCR6890H是一款高集成度、低待机功耗的CCM+PFM混合电流模式PWM控制器。CR6890H轻载时会降低频率,最低频率22kHz可避免音频噪声。CR6890H提供了完整的保护功能,如cycle-by-cycle电流限制、OCP、OTP、VDD_OVP、UVLO等,还可以通过PRT脚分别精确设置外置过温保护和输出电压过压保护。软启动功能可以减少系统启动时MOSFET的应力,前沿消隐时间简化了系统应用。通过频率抖动和软驱动电路的设计,降低开关噪声,简化了EMI设计。CR6890H提供SOT23-6L的封装。
6 _1 z" r/ P) N- V2 R$ f$ L C- u: k7 b' _0 Y* \1 [/ c2 G
主要特点$ q3 t7 M. ?& `% g! J
4 M* B' l. v9 ^* ]. T
● 较低的启动电流(大约3μA)
* d1 R5 e$ W: d9 T& N● 内置软启动减少MOSFET应力7 l1 E6 z# ]0 H
● CCM+PFM控制模式3 }/ h* e. g, x5 i
● 内建同步斜坡补偿,消除次谐波震荡
5 m7 ?% h( z7 N/ f# u& K● 内建频率抖动功能,降低EMI
. B9 u+ F1 s) } \1 _$ Y. T u● 内置65kHz开关频率
( Q8 T/ t5 v3 A! S● 轻载降低工作频率 Y& Z# m' \/ u) j5 n: z
● 15ms倍频模式
7 f$ D5 r' _' V● 可编程外置过温保护并进入latch- z+ }$ E! J8 H; a$ H* ~
● VDD过压保护和输出过压保护功能并进入latch
" k, d9 h* @8 Q) A. q V: \● 内置前沿消隐电路 {" I+ h: `7 ]
● 内置输出二极管短路保护
# N3 Y1 ]3 M2 \- k● 内置过温保护并进入latch1 t$ ?$ x# I% ^. J! q y
● 过载保护
: ^/ }6 D' A. q1 M# n● SOT23-6L封装
1 O" J( S6 [4 T$ s2 g& Y3 @$ M3 A4 y9 K+ C4 p8 i) t) L
基本应用: k5 f: Q1 d0 S; u7 u
: k6 z- }3 T) [7 ^- X● AC/DC适配器; N3 _& z( h+ ~6 J2 r" ^( B4 P
● 电机类适配器7 ~- h; u2 F2 }" K) {! E
● 充电器
' O; C6 R# F- M) P" b% B6 o, ?● 存储设备电源
# u7 M9 v/ K7 t7 _5 h5 [3 J+ x G) s1 K4 c8 P
典型应用
2 K0 `. c! ?) N& Y管脚排列7 E# L4 s5 a. ^3 Y F0 v
管脚描述
6 I5 b* O4 V* d7 T9 [ K9 O% R7 l; P& d1 K
一、样机规格; |2 F0 u+ z% [0 M _( ]3 i
2 y: }6 C0 D# q5 R" y输出电压12V,输出负载5A,IC lot:HHP02。
+ e- J) Q A9 _& y- A a# N9 D' U( L2 v0 a4 i( O) W
修改参数:3 l( q9 W5 U) } E( e3 [7 G
+ Y9 x. q, E2 F) w9 C替换IC,RS1电阻由0.33R改为0.27R(直接并1R电阻)R9由47R改为200R,R8由33R改为20R。
% {3 h1 W6 w2 g) c/ Z6 P
, y; _+ x' K1 b e! K4 i二、基本电性参数
5 d2 b% v; l' o$ V# J2 A三、基本波形
; V" i" K* d' u8 O3 V( I) j
) h; L0 R) E- WXX5533 264V/50HZ MOS波形
% ~4 A6 `6 f5 g+ Z3 V% Y4 d' MCR6890H 264V/50HZ MOS波形 ! D7 I0 h& @+ I& J: X
XX5533 264V/50HZ 肖特基波形
1 C$ I! p, \) X) S. w& b! G& iCR6890H 264V/50HZ 肖特基波形
. l: w, K( E% K% w! \: q: ?3 ^XX5533 264V/50HZ GATE波形
' @( w W) m( ?8 v, m0 P: pCR6890H 264V/50HZ GATE波形 4 I' |0 d# t" I9 Q R% Y
XX5533 230V/50HZ 传导波形 N
& N# K: X" {$ f# ~0 h5 OXX5533 230V/50HZ 传导波形 L
" C& _- b9 j- [9 o6 X( A" hCR6890H 230V/50HZ 传导波形 N
+ A& o0 e- @/ q% _8 b" TCR6890H 230V/50HZ 传导波形 L
) M0 R& f' U7 V9 ~9 aXX5533 230V/50HZ 辐射波形 3 D$ d+ Y1 D5 t% G7 k |
XX5533 230V/50HZ 辐射波形
5 T9 f* u+ q( X) lCR6890H 230V/50HZ 辐射波形
' w. P& P9 E# j! S* k) F- lCR6890H 230V/50HZ 辐射波形
( h' Z+ i* U( K: B: [! E! k对比结果
0 h. R' V* F: P% U
, d* }+ p/ w' o+ O电性基本一致,CR6890H效率更高。
2 Z+ C. h1 w0 ? r( g' l* R9 b* N
, Z1 h1 D8 \4 v2 I |
本帖子中包含更多资源
您需要 登录 才可以下载或查看,没有帐号?注册
x
|