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本帖最后由 思睿达小妹妹 于 2023-3-16 10:55 编辑 9 P5 f2 G1 A9 q9 O: R* d( j( x
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当今世界,人们的生活已是片刻也离不开电子设备。电源管理芯片在电子设备系统中担负起对电能的变换、分配、检测及其它电能管理的职责。电源管理芯片对电子系统而言是不可或缺的,其性能的优劣对整机的性能有着直接的影响。+ F: n: a. ?: m+ m/ @
1 ]6 H) D- G# l4 A# \( d0 S电源管理芯片的应用范围十分广泛,例如本公司主推的CR6890H可应用在AC/DC适配器、电机类适配器、充电器等。接下来,我们将CR6890H和电源IC XX5533进行对比测试,看看哪一款IC更胜一筹!( J; z7 [; V' R3 B
* I1 Z% C" e: J* u, M; o2 x. c关于CR6890H
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5 d3 \3 Q& _9 A( a1 T2 b2 m9 o7 uCR6890H是一款高集成度、低待机功耗的CCM+PFM混合电流模式PWM控制器。CR6890H轻载时会降低频率,最低频率22kHz可避免音频噪声。CR6890H提供了完整的保护功能,如cycle-by-cycle电流限制、OCP、OTP、VDD_OVP、UVLO等,还可以通过PRT脚分别精确设置外置过温保护和输出电压过压保护。软启动功能可以减少系统启动时MOSFET的应力,前沿消隐时间简化了系统应用。通过频率抖动和软驱动电路的设计,降低开关噪声,简化了EMI设计。CR6890H提供SOT23-6L的封装。
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主要特点2 s: `' d7 u( c V1 \
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● 较低的启动电流(大约3μA)- O9 k: a f% y6 v: [! |' _+ i- W" f
● 内置软启动减少MOSFET应力
0 |5 J6 U* j! X f1 ^● CCM+PFM控制模式
( _- ?! Z% n" V* Y: a8 Y" \● 内建同步斜坡补偿,消除次谐波震荡
: w: {$ |) z7 Z3 m. Y4 K● 内建频率抖动功能,降低EMI
7 O& J" m5 D3 r0 L; v+ ^8 U1 Z● 内置65kHz开关频率
: C# h0 H. v/ d- F( Z; [● 轻载降低工作频率8 s8 {$ s7 G, u& a4 G
● 15ms倍频模式
9 v& E: z8 d: {: N● 可编程外置过温保护并进入latch
3 J/ x5 }: E4 F6 _+ L- G● VDD过压保护和输出过压保护功能并进入latch
% Q& N7 L4 o' B! ^( j0 m8 F E● 内置前沿消隐电路9 o/ S' G" b: E: {0 R
● 内置输出二极管短路保护# E% d! k$ c# H4 M6 q. T
● 内置过温保护并进入latch
# x, ~9 w# o9 D. i8 L# J● 过载保护8 k: B4 G0 d' s4 y3 F; Q6 J+ m
● SOT23-6L封装/ I8 ?9 v* }" l% @; r2 i% u
' K" c0 B- q- P# C7 N0 F6 {
基本应用
( M3 @, k: c) ^9 }& a4 \# o
$ v; ~" n5 d7 y1 Y$ a. ?2 ?● AC/DC适配器7 e, d% a& p9 A; K6 v
● 电机类适配器$ Z7 E& O: ]' W% P2 B: ^5 f" u
● 充电器
4 t- o, ^$ ]! m9 Q8 ]4 A M● 存储设备电源
! D! y0 S. H0 p5 P6 D9 Y1 X7 J+ F4 j, n5 @- d
典型应用8 S1 U4 P- t; w5 M% @0 b1 b
管脚排列0 o+ L/ ^" Z: v; z R. F1 d/ f
管脚描述 i8 ^) [- f+ l$ y; |& X& C
0 ^8 q/ n* A8 f4 P一、样机规格
/ r& R/ w% g" p' }( Q; `8 f9 C
) L0 h$ O: t3 l9 S: i输出电压12V,输出负载5A,IC lot:HHP02。3 g/ f- Y( F/ A4 t
" n b( o+ t2 V$ y6 I- k修改参数:; g3 s/ r8 m8 g( C) u0 e3 v
. p6 }2 X& E% v# l" J
替换IC,RS1电阻由0.33R改为0.27R(直接并1R电阻)R9由47R改为200R,R8由33R改为20R。, K7 W) Y/ h8 _& @% C
. q) N0 t, p3 x; X% U二、基本电性参数" k7 w) |! X% Z8 U
三、基本波形+ ^. w! [$ n! P o8 l2 G
. e+ q% o! y8 s; {! x
XX5533 264V/50HZ MOS波形
4 {2 s! w- _) s( FCR6890H 264V/50HZ MOS波形
9 y7 H( Y/ x! x2 g: K+ @3 nXX5533 264V/50HZ 肖特基波形 ' N) z# o' e- T. V4 [& c
CR6890H 264V/50HZ 肖特基波形
) D, s3 z! G7 W* g* @XX5533 264V/50HZ GATE波形
: g. K6 P. C) K& p4 NCR6890H 264V/50HZ GATE波形
! h( o+ ?( X4 F$ WXX5533 230V/50HZ 传导波形 N : [* A- e) E) [, k; k! [+ ?
XX5533 230V/50HZ 传导波形 L 8 K7 ~ ^$ ^( @$ Z- ^" q2 w
CR6890H 230V/50HZ 传导波形 N , }# x. a/ I$ ?* a0 @$ i$ `
CR6890H 230V/50HZ 传导波形 L ! i w2 i5 \5 Z' g+ w7 p3 {
XX5533 230V/50HZ 辐射波形 ' J) h- a# t: F
XX5533 230V/50HZ 辐射波形 7 _5 n1 C; |+ z4 E" Y3 q
CR6890H 230V/50HZ 辐射波形
7 y/ S8 K! h! F, ?4 V- l* fCR6890H 230V/50HZ 辐射波形 + w' y: a# u$ g" z: ]
对比结果6 [/ ]& g, `/ i/ C2 a
7 w# K" y0 u3 n) j. S电性基本一致,CR6890H效率更高。7 T4 S4 i& X4 t8 P' d: \
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