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两款电源芯片对决,谁能遥遥领先?看完测试报告有答案

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发表于 2023-3-16 10:50:13 | 显示全部楼层 |阅读模式
本帖最后由 思睿达小妹妹 于 2023-3-16 10:55 编辑
3 }- ~4 O2 q! x9 H  [4 _
9 o+ F' g) r; r7 f* P) f/ _当今世界,人们的生活已是片刻也离不开电子设备。电源管理芯片在电子设备系统中担负起对电能的变换、分配、检测及其它电能管理的职责。电源管理芯片对电子系统而言是不可或缺的,其性能的优劣对整机的性能有着直接的影响。2 J" [$ a0 M" T2 @: j

% _  @$ h4 N  i  R9 l. e# n电源管理芯片的应用范围十分广泛,例如本公司主推的CR6890H可应用在AC/DC适配器、电机类适配器、充电器等。接下来,我们将CR6890H和电源IC XX5533进行对比测试,看看哪一款IC更胜一筹!/ {9 g/ S. R/ H: |( M; B

. T/ a; x, l+ y" Y1 W6 y, F关于CR6890H7 C0 j  z9 j; ]' R
2 M- G$ ~0 J+ L3 V5 P2 g# C, B* e( t
CR6890H是一款高集成度、低待机功耗的CCM+PFM混合电流模式PWM控制器。CR6890H轻载时会降低频率,最低频率22kHz可避免音频噪声。CR6890H提供了完整的保护功能,如cycle-by-cycle电流限制、OCP、OTP、VDD_OVP、UVLO等,还可以通过PRT脚分别精确设置外置过温保护和输出电压过压保护。软启动功能可以减少系统启动时MOSFET的应力,前沿消隐时间简化了系统应用。通过频率抖动和软驱动电路的设计,降低开关噪声,简化了EMI设计。CR6890H提供SOT23-6L的封装。0 i% u/ y- q0 s4 q% F) _# P
, `) \6 z" c# x$ Y  C# o3 M
主要特点5 B: A2 P) O, e" T! D
8 o6 M- {$ h" j2 y$ |# e
● 较低的启动电流(大约3μA)( v7 X( _* b9 |
● 内置软启动减少MOSFET应力
6 `) I/ |1 F- n. _8 s● CCM+PFM控制模式
* Y2 ^7 d  H+ V5 K. h9 g$ V● 内建同步斜坡补偿,消除次谐波震荡( s. W# k! K, ~7 d: J6 \  [6 q, ]
● 内建频率抖动功能,降低EMI
- d8 D: U& S  h* V( Y5 X; e● 内置65kHz开关频率
2 o6 {- \) E& H2 ?, ?● 轻载降低工作频率/ R5 ^: e( f. d# L& C) B& l4 L! g
● 15ms倍频模式8 T" q% z/ j/ X+ H* P
● 可编程外置过温保护并进入latch
" g8 V6 L- y5 ~2 y● VDD过压保护和输出过压保护功能并进入latch9 A4 U6 y6 s* a; M+ h) `, Y
● 内置前沿消隐电路* T7 s+ d2 x8 G3 Z
● 内置输出二极管短路保护, r2 z' ?( p/ o' O5 S: I; `6 \
● 内置过温保护并进入latch
: T' E5 w0 i; H; ^/ H: q# g● 过载保护
- ?- R; I+ d, `( T' w& A; z9 K● SOT23-6L封装
$ h% v* j. v' K$ G5 J% U# \; B2 q9 w. j
基本应用
2 P4 q# I9 U+ A; A* H7 U  ~9 r$ w1 j* T& h' [; z+ F: Q
● AC/DC适配器6 |  `1 A5 S6 h/ }1 U' K
● 电机类适配器) e, v3 X; T; e
● 充电器8 A) f8 @3 n% ~8 p+ i! e# K
● 存储设备电源: M& w' Q7 I! G+ W! }
3 m; r7 Y; R% m) }$ }# b6 K
典型应用- I1 R/ o! o+ I( k2 r0 p
管脚排列
2 E/ n. ]( d: Y3 n0 ~/ ]
管脚描述
: r8 b* g, }& x: _# {2 n

* m: [/ `) u" Y# s/ X) O一、样机规格
/ p' `7 X) s1 {* T+ N7 l# z( `$ e1 _  d( [* `
输出电压12V,输出负载5A,IC lot:HHP02。# s, Q7 Q5 O' A1 F/ ]4 h

: ^, ~) C+ \" }9 ^; A( }修改参数:. s% [4 c3 Z) h& z+ {' D
; ?/ [4 W# z8 M1 S' d
替换IC,RS1电阻由0.33R改为0.27R(直接并1R电阻)R9由47R改为200R,R8由33R改为20R。
0 J5 A8 x) |& d$ v
! `9 r. X  c, y2 E0 o二、基本电性参数
1 I: v* [! v7 F- J8 {& v9 w
三、基本波形
; \5 A( H3 D) F2 }& ~% N/ }
2 C0 U. E$ [9 a
XX5533 264V/50HZ MOS波形
' F2 m: S# @0 ^3 q2 j
CR6890H 264V/50HZ MOS波形
# D" Y. \) F% {, P0 I
XX5533 264V/50HZ 肖特基波形

; k" U3 F( w8 L, b7 L
CR6890H 264V/50HZ 肖特基波形

) k, I" _9 \2 W/ O: O& ^
XX5533 264V/50HZ GATE波形

% V3 Z. M" y- s7 p. t
CR6890H 264V/50HZ GATE波形

; T+ F- `" X- ~4 W' [" `) q! Y6 ^& l
XX5533 230V/50HZ 传导波形 N

0 P$ p# P. R, N9 }
XX5533 230V/50HZ 传导波形 L
* _1 N# u5 }* f3 n0 Y: q6 Q7 P
CR6890H 230V/50HZ 传导波形 N

8 y, T! B+ f7 P" `1 A8 L
CR6890H 230V/50HZ 传导波形 L
& p  F4 ]1 @$ P
XX5533 230V/50HZ 辐射波形
( ?$ V: o8 y, X* Y4 }
XX5533 230V/50HZ 辐射波形

% y2 L+ Z5 h* x$ F2 D  o; r
CR6890H 230V/50HZ 辐射波形
+ O  N: X  ?" ~3 ^" \
CR6890H 230V/50HZ 辐射波形
: j1 v* K$ ^+ R' K5 |
对比结果" s) @# Y, U2 t4 G7 a: [

& B: \9 n" t; G5 e: p" w! T) r* t电性基本一致,CR6890H效率更高。
1 B' ]9 t1 c7 ^8 J0 v, Q  M+ ^  Y+ F( C: o. ?/ a

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