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两款电源芯片对决,谁能遥遥领先?看完测试报告有答案

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发表于 2023-3-16 10:50:13 | 显示全部楼层 |阅读模式
本帖最后由 思睿达小妹妹 于 2023-3-16 10:55 编辑
) `: i6 i* F: {2 P/ R3 x* T6 h. @# o5 Q' D
当今世界,人们的生活已是片刻也离不开电子设备。电源管理芯片在电子设备系统中担负起对电能的变换、分配、检测及其它电能管理的职责。电源管理芯片对电子系统而言是不可或缺的,其性能的优劣对整机的性能有着直接的影响。
' h0 j. v+ a' ~2 A. v- L- W: e8 K- Y; d  K, p/ _. W: `
电源管理芯片的应用范围十分广泛,例如本公司主推的CR6890H可应用在AC/DC适配器、电机类适配器、充电器等。接下来,我们将CR6890H和电源IC XX5533进行对比测试,看看哪一款IC更胜一筹!
  C2 i6 }1 ^( ]4 ?& t1 R" k4 g7 @1 Q' p/ |* {( x9 n
关于CR6890H. ~6 y" G" f9 T' g) I$ _9 S; m! p

# y( `. m" P! x9 d' [CR6890H是一款高集成度、低待机功耗的CCM+PFM混合电流模式PWM控制器。CR6890H轻载时会降低频率,最低频率22kHz可避免音频噪声。CR6890H提供了完整的保护功能,如cycle-by-cycle电流限制、OCP、OTP、VDD_OVP、UVLO等,还可以通过PRT脚分别精确设置外置过温保护和输出电压过压保护。软启动功能可以减少系统启动时MOSFET的应力,前沿消隐时间简化了系统应用。通过频率抖动和软驱动电路的设计,降低开关噪声,简化了EMI设计。CR6890H提供SOT23-6L的封装。' x: C* m, S2 O! I9 g

. m" M* y" e/ ?" S) [5 h3 j/ K! X3 ~主要特点
+ p, G. v; W2 D0 u- X5 E
5 W! G5 @5 z3 L/ x3 l● 较低的启动电流(大约3μA)
9 s7 e$ |( J; ~4 W● 内置软启动减少MOSFET应力- K$ y2 b( l+ ~$ [) b
● CCM+PFM控制模式
3 V2 A$ T: O0 Q9 f- @* r* ]5 g● 内建同步斜坡补偿,消除次谐波震荡2 |7 `! y* W$ B2 @. e5 y( B
● 内建频率抖动功能,降低EMI
0 s$ r, c9 L' W1 ]● 内置65kHz开关频率
- d0 u+ B% }$ _( N4 s, Z1 f● 轻载降低工作频率
, u/ P5 E( d, X4 w6 O4 d# q" T+ [● 15ms倍频模式( O/ c4 G# |+ B/ U( s. I( [
● 可编程外置过温保护并进入latch
" |; K  i! P9 S: ^8 B5 s9 |1 U● VDD过压保护和输出过压保护功能并进入latch" [2 c2 _$ \: ?2 F0 @
● 内置前沿消隐电路
1 u, e( D  v/ ~7 N- j7 X  h● 内置输出二极管短路保护& i( A% [! ?( j7 O+ s. f3 ]
● 内置过温保护并进入latch- M, y) d' a6 ]3 t2 Y
● 过载保护+ E- ~# y- d: \8 g8 i! Q
● SOT23-6L封装2 Z1 e" {8 P; O% B6 a

  R8 ?! f4 i; \# t1 ]% T基本应用/ J7 z' b% u! m+ X. ?

2 a  L! j  z, U! V. W. p● AC/DC适配器- X' [. S6 n1 K" |: A
● 电机类适配器1 x7 i% v1 A; s9 }6 U0 U1 X7 G
● 充电器' r: S$ r5 u$ a! }
● 存储设备电源' G* S" r! J8 B' J  \" F

5 R% j. U+ |2 p7 R* t典型应用
% B6 l# j9 t+ f1 h% b6 t
管脚排列
3 ]; E7 o& a! p3 g$ u: l" d, u0 A7 ?
管脚描述7 h. O2 w' h" Z* P. u7 [% ^* U

# M/ r2 G% d1 K4 V一、样机规格8 a$ ~  W" ^! x2 {  U

+ b- U4 c0 s" B- N, k输出电压12V,输出负载5A,IC lot:HHP02。
* I4 {# P, \0 F' {
" Y2 {6 a( i. E  d; N! @: q修改参数:- @4 j, [! x* I- K: n& Y

# I0 s; I- a! s替换IC,RS1电阻由0.33R改为0.27R(直接并1R电阻)R9由47R改为200R,R8由33R改为20R。2 s2 s' D5 F& H7 m. N9 L. ]2 o
# A2 X0 g) h/ G) J2 E. J& \0 B
二、基本电性参数6 x+ K2 i: f5 I' x
三、基本波形# z$ b  j, g7 A4 d. w* x

1 P( r! J. A2 z9 E  S
XX5533 264V/50HZ MOS波形

5 u5 M0 o0 p' c  H
CR6890H 264V/50HZ MOS波形
7 p! n  ]4 V" \. ]* M& x/ a
XX5533 264V/50HZ 肖特基波形
" U4 l4 R4 w+ k; q+ I# v% R  z2 L# @0 Q- g
CR6890H 264V/50HZ 肖特基波形
4 z0 N. w' D* Q" Q6 `! O+ K9 F
XX5533 264V/50HZ GATE波形

' U$ ?5 e. G$ z2 y
CR6890H 264V/50HZ GATE波形
3 _4 f3 u! ~( k' Z5 |
XX5533 230V/50HZ 传导波形 N
/ ~, d1 F1 ^8 n. S
XX5533 230V/50HZ 传导波形 L

; b5 x8 u; p5 O3 H- T
CR6890H 230V/50HZ 传导波形 N

. p3 c, T) L( T
CR6890H 230V/50HZ 传导波形 L
4 `; d5 N  I5 I. {
XX5533 230V/50HZ 辐射波形
! N4 A7 T0 k* E, E9 o
XX5533 230V/50HZ 辐射波形

% x8 q0 R# W; ?
CR6890H 230V/50HZ 辐射波形
. H, U0 W" N0 i4 g$ A% ^% C1 j
CR6890H 230V/50HZ 辐射波形
) e4 \, x/ N( F
对比结果: K( _. T! I3 t) {- N* V  f

: A( v% o& `% D7 Y" M! b& @6 s电性基本一致,CR6890H效率更高。$ B4 ?  |( T$ f+ q* h

8 A$ f( N! L9 h' M9 {  R: U; ]

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