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两款电源芯片对决,谁能遥遥领先?看完测试报告有答案

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发表于 2023-3-16 10:50:13 | 显示全部楼层 |阅读模式
本帖最后由 思睿达小妹妹 于 2023-3-16 10:55 编辑 4 f  Z* P6 F! q& G( g+ B1 d

5 I4 a0 q* Y; E  `5 ?当今世界,人们的生活已是片刻也离不开电子设备。电源管理芯片在电子设备系统中担负起对电能的变换、分配、检测及其它电能管理的职责。电源管理芯片对电子系统而言是不可或缺的,其性能的优劣对整机的性能有着直接的影响。
$ I7 J" p1 G8 C# ]# k& g4 W- n6 B
电源管理芯片的应用范围十分广泛,例如本公司主推的CR6890H可应用在AC/DC适配器、电机类适配器、充电器等。接下来,我们将CR6890H和电源IC XX5533进行对比测试,看看哪一款IC更胜一筹!; f: g" P) f2 [

* t0 B2 W2 p3 b: D" M  @/ L6 F关于CR6890H3 \- a- O4 _. h+ o
4 |& ?. k6 f, w* o/ j, ?0 y
CR6890H是一款高集成度、低待机功耗的CCM+PFM混合电流模式PWM控制器。CR6890H轻载时会降低频率,最低频率22kHz可避免音频噪声。CR6890H提供了完整的保护功能,如cycle-by-cycle电流限制、OCP、OTP、VDD_OVP、UVLO等,还可以通过PRT脚分别精确设置外置过温保护和输出电压过压保护。软启动功能可以减少系统启动时MOSFET的应力,前沿消隐时间简化了系统应用。通过频率抖动和软驱动电路的设计,降低开关噪声,简化了EMI设计。CR6890H提供SOT23-6L的封装。
: o! ]5 D8 _1 u/ \; T1 L- i1 F$ F4 |4 |5 N) G
主要特点
, S4 u$ v/ p/ s  Y. w% p5 H7 }8 N0 ]; m
● 较低的启动电流(大约3μA)
5 E9 J& n6 P3 M# j● 内置软启动减少MOSFET应力
8 v+ j5 ]1 G' [4 Z6 K9 z, X8 P● CCM+PFM控制模式0 E2 H$ v0 ?7 H, x' K4 ^
● 内建同步斜坡补偿,消除次谐波震荡
, j2 U8 H0 q! F) q; V3 n% U: m- e● 内建频率抖动功能,降低EMI9 Z% p0 S. J  d, h7 [# h4 X* h
● 内置65kHz开关频率
" \( j( K2 g$ f0 ]  w' h$ j● 轻载降低工作频率8 ]0 M) ]0 ]' M- r, @# Y% h5 a
● 15ms倍频模式5 ]+ c5 _+ l+ g. C2 v
● 可编程外置过温保护并进入latch0 H; |+ Q$ f( ]# p# r
● VDD过压保护和输出过压保护功能并进入latch
0 _& b5 s% s9 G0 v● 内置前沿消隐电路# i' `6 e5 B% k+ ?- b9 e' ]+ ]
● 内置输出二极管短路保护
$ r0 t, x7 O( Y. Q9 N/ k3 t● 内置过温保护并进入latch; d( N& f  I1 G$ a9 d
● 过载保护
' N1 B5 v8 y! z0 s) X" P● SOT23-6L封装
. O% w9 ?$ K0 q0 Y7 T/ V! I4 Q: i8 f- `8 k
基本应用) o" c: P2 j8 g- P( t7 M" a4 T

! A' g# b3 a# d1 ~3 T0 d● AC/DC适配器7 H9 Y. l* N6 @% L
● 电机类适配器
+ n" K: i9 O9 i8 R4 `● 充电器
$ K& y. o: p0 @8 j● 存储设备电源/ _: e  V. O& l9 b9 S

. F) o  G0 O: k4 b5 d典型应用
* r0 w0 u) N# Z; E! w0 U
管脚排列
( V2 X" ~* N: |( D- {2 S6 A
管脚描述
. }% z- ^* X, D, H/ M% n/ p

  R* G7 e! S# j9 C一、样机规格' }) q) ^2 b* k1 B$ H2 R- q% V

) P. [+ d* K, z% h9 I! v输出电压12V,输出负载5A,IC lot:HHP02。
0 o  u1 M0 y; Q% t8 d5 V- k- c& h* s0 P
修改参数:
3 P$ ~* y) S, \# T4 t
  r: _, Z! v0 q. {$ y+ _8 r替换IC,RS1电阻由0.33R改为0.27R(直接并1R电阻)R9由47R改为200R,R8由33R改为20R。0 H3 K, M, z! S4 X4 }
! k: y  {, ~, v4 Q  O8 X4 Y% ]
二、基本电性参数0 D+ K# z6 _* b7 X$ c
三、基本波形* J3 B( k! P: o$ y+ g# D
# I) ]) w  G+ O5 D0 Q+ Y
XX5533 264V/50HZ MOS波形
% [: s, N& J# ~- [3 o
CR6890H 264V/50HZ MOS波形

2 ?3 J/ D& G: Z1 i0 G
XX5533 264V/50HZ 肖特基波形

' R! J+ h. J0 ~
CR6890H 264V/50HZ 肖特基波形
$ H! i2 w, o- [3 d1 O& g
XX5533 264V/50HZ GATE波形
% R9 Q8 h& x, G4 p) q2 v5 s' h$ N
CR6890H 264V/50HZ GATE波形

4 _$ V! ~: a3 @( ?. o/ E3 \) Q
XX5533 230V/50HZ 传导波形 N

% _- ?  E( e# ~( Q
XX5533 230V/50HZ 传导波形 L
9 H  G: V& n+ v/ S% g
CR6890H 230V/50HZ 传导波形 N

- B+ j' O+ `; _" R; k+ H0 u
CR6890H 230V/50HZ 传导波形 L

; O# K- `+ J5 c8 \/ D" F
XX5533 230V/50HZ 辐射波形

2 j2 e% r# ~5 M) C
XX5533 230V/50HZ 辐射波形

0 s' ^3 }; d( W2 x7 e8 O
CR6890H 230V/50HZ 辐射波形
  j4 K" x% i6 n1 D. i3 i& w' B+ A
CR6890H 230V/50HZ 辐射波形

& x* ~' W% k3 l$ z7 M对比结果
& n( A. L4 C2 G# j
/ {6 N7 M2 N5 m( o+ j电性基本一致,CR6890H效率更高。
% B! d/ S) ?* U/ r; g7 B- t9 q
% F! B0 I5 q" f1 e% H1 ~0 g# M

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