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两款电源芯片对决,谁能遥遥领先?看完测试报告有答案

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发表于 2023-3-16 10:50:13 | 显示全部楼层 |阅读模式
本帖最后由 思睿达小妹妹 于 2023-3-16 10:55 编辑 6 \# q8 V- e8 O# F8 k( ^

2 X0 J' f0 K4 @2 B4 Q当今世界,人们的生活已是片刻也离不开电子设备。电源管理芯片在电子设备系统中担负起对电能的变换、分配、检测及其它电能管理的职责。电源管理芯片对电子系统而言是不可或缺的,其性能的优劣对整机的性能有着直接的影响。
& y3 g& x) k: b! B1 ?7 i+ x
& P8 M% Z, S4 e% @6 h, M. Z0 s电源管理芯片的应用范围十分广泛,例如本公司主推的CR6890H可应用在AC/DC适配器、电机类适配器、充电器等。接下来,我们将CR6890H和电源IC XX5533进行对比测试,看看哪一款IC更胜一筹!
; P1 Y/ S  W/ k  O, g, t) [$ H
: G: P8 b) U2 \; |关于CR6890H4 Q2 V! `8 {% U: X9 P! l
7 u, Q1 S  E& `7 n0 T7 s, f/ n
CR6890H是一款高集成度、低待机功耗的CCM+PFM混合电流模式PWM控制器。CR6890H轻载时会降低频率,最低频率22kHz可避免音频噪声。CR6890H提供了完整的保护功能,如cycle-by-cycle电流限制、OCP、OTP、VDD_OVP、UVLO等,还可以通过PRT脚分别精确设置外置过温保护和输出电压过压保护。软启动功能可以减少系统启动时MOSFET的应力,前沿消隐时间简化了系统应用。通过频率抖动和软驱动电路的设计,降低开关噪声,简化了EMI设计。CR6890H提供SOT23-6L的封装。6 N; K) h$ A& R& I

- ^) _! y& ?- B0 ?' j: J主要特点! V' @, {% S1 k+ @4 v+ p+ g

/ G' m+ ?+ n* ~+ k0 f9 O3 w3 u● 较低的启动电流(大约3μA). [3 z8 s4 B/ R$ Z# O
● 内置软启动减少MOSFET应力
( W: I2 A6 }+ z● CCM+PFM控制模式
" n+ {1 m4 @. N  G7 F● 内建同步斜坡补偿,消除次谐波震荡; w3 J" v8 ]/ E' d
● 内建频率抖动功能,降低EMI( v7 M; D* ~3 l3 L
● 内置65kHz开关频率
) F1 s# [! P2 M, v0 A● 轻载降低工作频率# F( Q& E) Q7 |0 X! a' k7 r
● 15ms倍频模式/ o4 D( }" U3 U2 B2 A
● 可编程外置过温保护并进入latch& z2 r$ Z; W  \5 ~+ e
● VDD过压保护和输出过压保护功能并进入latch
" I% G" I6 g- [8 w: U- B! y$ h& G● 内置前沿消隐电路' B9 v9 k8 F. d
● 内置输出二极管短路保护
' J( _' b2 A5 _% M: e● 内置过温保护并进入latch
1 B" _5 j- Q6 X8 A0 b+ `● 过载保护
5 y& ~: y+ b, a. ~● SOT23-6L封装
& \, r7 \" Y2 _3 T% I& _
- K2 m+ v- F8 z  z5 J" D基本应用
- d1 `$ a3 y- m# n% L9 n0 T, k5 j4 p1 ?0 n* I: V, O" W7 j: n
● AC/DC适配器; I2 L5 m& P$ n- Z# w
● 电机类适配器
; S4 M: p2 |3 N9 I* C+ D# r● 充电器
/ v4 Y) ~, Z4 z8 B) J● 存储设备电源$ S) @6 N9 q) f- L4 L+ y! Z2 l" I
/ z3 X- l1 M' `2 o! o  H
典型应用( H3 w4 J' x/ g6 i( l* p# f
管脚排列6 _5 b- v3 i9 W
管脚描述: t* x8 p1 ^- ^! l& P

. u+ G) A/ ]0 P+ [* L' t7 Y一、样机规格
- `: S1 c6 W; J. k& \+ V9 }
# M6 y6 E  S1 q1 ^输出电压12V,输出负载5A,IC lot:HHP02。2 p: {' S4 _& t; ^! B1 |' F
! L* [$ R* i+ d
修改参数:
% c( T! t7 N& {' @" Z7 W- I/ {; y
替换IC,RS1电阻由0.33R改为0.27R(直接并1R电阻)R9由47R改为200R,R8由33R改为20R。7 d8 B6 K8 ~4 k# J* H
5 T; A( u: g: ^" D
二、基本电性参数
9 i# Z% T) z; j# h/ D1 g. t2 s
三、基本波形
3 A. J$ o( Z! ^' |8 J: ~6 V5 h
9 N. T; h! \! S* N
XX5533 264V/50HZ MOS波形

" g: C9 i4 C! j2 K6 L0 l
CR6890H 264V/50HZ MOS波形
& [2 @) S" \; ]6 k( m
XX5533 264V/50HZ 肖特基波形

2 q( G# f1 L6 G6 a& b6 r  ]/ q8 p
CR6890H 264V/50HZ 肖特基波形

4 \6 V& v2 C0 r, `
XX5533 264V/50HZ GATE波形
# q8 T* F9 }5 e
CR6890H 264V/50HZ GATE波形
/ f2 y- m( i6 h  {7 c
XX5533 230V/50HZ 传导波形 N
% c! i; F! A. ?: Z8 h; d* e' T
XX5533 230V/50HZ 传导波形 L
5 H& L  l6 c- P2 b6 @0 C
CR6890H 230V/50HZ 传导波形 N
7 m* o8 o: c! e4 C* @# [
CR6890H 230V/50HZ 传导波形 L

( ]+ a5 Y/ M+ N  G
XX5533 230V/50HZ 辐射波形

  [+ x  L8 r4 n2 s  e) W; W" c
XX5533 230V/50HZ 辐射波形
" \5 b2 `8 p1 x  ]
CR6890H 230V/50HZ 辐射波形

- g- u. x( [3 d* z
CR6890H 230V/50HZ 辐射波形

4 L; ?; @# \6 s2 [! f" P对比结果
! U* j+ U' X4 g4 F+ \6 m
7 R4 t$ @4 e2 q1 _, k& f电性基本一致,CR6890H效率更高。
# q/ E, u0 V* _2 R
4 P5 n8 j4 W1 Q' I6 w$ q4 p2 g

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