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两款电源芯片对决,谁能遥遥领先?看完测试报告有答案

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发表于 2023-3-16 10:50:13 | 显示全部楼层 |阅读模式
本帖最后由 思睿达小妹妹 于 2023-3-16 10:55 编辑
( H8 Q2 r9 s# U# }6 B8 h5 N9 T3 ]2 g
当今世界,人们的生活已是片刻也离不开电子设备。电源管理芯片在电子设备系统中担负起对电能的变换、分配、检测及其它电能管理的职责。电源管理芯片对电子系统而言是不可或缺的,其性能的优劣对整机的性能有着直接的影响。3 x- l& ?5 H) K! f4 Z* C  d! R
3 j# e! b0 ]) q" _
电源管理芯片的应用范围十分广泛,例如本公司主推的CR6890H可应用在AC/DC适配器、电机类适配器、充电器等。接下来,我们将CR6890H和电源IC XX5533进行对比测试,看看哪一款IC更胜一筹!
6 |' i; _' I# J2 u9 R
9 w- H/ }9 ^  P: y关于CR6890H
, V7 Y" \: @7 |( a3 \7 }% ^: x, d* w. \! V1 p. v- n3 n% y
CR6890H是一款高集成度、低待机功耗的CCM+PFM混合电流模式PWM控制器。CR6890H轻载时会降低频率,最低频率22kHz可避免音频噪声。CR6890H提供了完整的保护功能,如cycle-by-cycle电流限制、OCP、OTP、VDD_OVP、UVLO等,还可以通过PRT脚分别精确设置外置过温保护和输出电压过压保护。软启动功能可以减少系统启动时MOSFET的应力,前沿消隐时间简化了系统应用。通过频率抖动和软驱动电路的设计,降低开关噪声,简化了EMI设计。CR6890H提供SOT23-6L的封装。
) a5 t# t# I4 p( G5 ?9 O( [; ^$ ~5 ~8 U' m. O1 ], m
主要特点
+ k( i8 H' s( Y- g* J5 }, ]% B/ |; f" u- V1 v- B6 x
● 较低的启动电流(大约3μA)
5 s7 h9 t2 A8 m6 A4 ^● 内置软启动减少MOSFET应力! ?/ \& a* l# {' J0 I3 z# z
● CCM+PFM控制模式
5 L) d- X7 ~7 d* l# f. V: f● 内建同步斜坡补偿,消除次谐波震荡; H7 ?  @, W( Z5 b3 h
● 内建频率抖动功能,降低EMI7 K+ L- G" t- Q6 z7 S
● 内置65kHz开关频率  O& o$ ]8 v" j5 b, D
● 轻载降低工作频率
  ~1 g  |" K* c0 p7 X● 15ms倍频模式9 V# \- Q. k4 _$ N# s, W
● 可编程外置过温保护并进入latch
5 y- x3 A, ^' w% o● VDD过压保护和输出过压保护功能并进入latch3 U5 T; U3 ?, @8 ]) @: D
● 内置前沿消隐电路
) d. [5 r2 \, L8 S* a* @, A/ }( Q1 e● 内置输出二极管短路保护! A$ d: k! n$ U$ s' O: E
● 内置过温保护并进入latch% ]) X+ C7 X2 \0 y! f2 c! ~4 P
● 过载保护* p' v: w, D2 a5 B/ y9 i0 U
● SOT23-6L封装% Z+ o6 H' q0 ?, N5 D
% M: }- {$ ~  R; _
基本应用* c. s' U0 C% o6 z4 O' i( A

4 x4 J4 M$ R: e" T/ X9 ]7 G" C3 |! t● AC/DC适配器- g" _7 |3 j1 K- I; s& Z, [! o
● 电机类适配器% B) U4 Q: s/ ?4 ]) E8 R
● 充电器
7 q( u3 J. S9 i● 存储设备电源: r; r: I/ @* {6 S' N7 o) c
9 P" @4 f* {, J2 ]& [
典型应用% a( {) w5 ?. }: l2 D/ Y- W
管脚排列' ~' z  G: M+ [7 L. F
管脚描述
% n  g2 E+ E/ h

: k# j/ @" d$ ]( q1 d# J7 d, O" G8 N一、样机规格
" b9 W% ~& w- d  k9 I
4 C( ^; D& ^. m# ]( C输出电压12V,输出负载5A,IC lot:HHP02。# W/ ^7 \7 s1 a  S+ z' M
, y/ R1 _: O1 c* {, t
修改参数:! w+ W" U  A& A  U8 u

, m. z6 P/ {# g* m6 A替换IC,RS1电阻由0.33R改为0.27R(直接并1R电阻)R9由47R改为200R,R8由33R改为20R。
; G- {# _) g1 \) q. I* \& o. i7 Z4 O% d* r3 o/ h
二、基本电性参数
+ I$ k0 M5 I/ X2 u1 @; M1 I
三、基本波形- ^  ^& A$ G' ^5 X

7 [8 t3 `9 H/ b2 K
XX5533 264V/50HZ MOS波形

& u  A4 I/ w5 g4 e' q& v: E. T. q
CR6890H 264V/50HZ MOS波形

# r$ P. ], Z& ~( z
XX5533 264V/50HZ 肖特基波形

6 V  Z# d; u. N- Q/ y1 u' d
CR6890H 264V/50HZ 肖特基波形
9 u" n# k3 q# U
XX5533 264V/50HZ GATE波形

2 r" x% h. G/ z; a5 ~( ~+ R5 N$ }
CR6890H 264V/50HZ GATE波形
2 L$ {6 e5 V6 R/ R& l* J! |; ]
XX5533 230V/50HZ 传导波形 N

- u8 h( s4 p8 {* G! y
XX5533 230V/50HZ 传导波形 L
/ ~, _' b7 X* R0 H, a7 G! c3 L
CR6890H 230V/50HZ 传导波形 N
! F( m' B0 \% p  X' f. }
CR6890H 230V/50HZ 传导波形 L

, V' _: ^- ]; ?4 |7 x0 l* u! I
XX5533 230V/50HZ 辐射波形

# ^7 L& I7 A2 c" Q9 g( k" `
XX5533 230V/50HZ 辐射波形

" Q/ i. I6 {* \+ h: S
CR6890H 230V/50HZ 辐射波形
5 ?7 G* v0 S, T2 p7 I) h- I/ _
CR6890H 230V/50HZ 辐射波形
) K+ w8 Q7 A1 [# T
对比结果
0 G) d+ h- ~# i. Q8 l! \$ N- M9 I* ^) i
电性基本一致,CR6890H效率更高。* }+ y; b* n- Y8 P& ]' l
4 w5 Q% K$ X( A" u9 r

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