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两款电源芯片对决,谁能遥遥领先?看完测试报告有答案

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发表于 2023-3-16 10:50:13 | 显示全部楼层 |阅读模式
本帖最后由 思睿达小妹妹 于 2023-3-16 10:55 编辑 5 k' B/ @: L7 G  h2 H5 ~  Q2 V+ C
+ H1 ^, s, @7 w5 \- f! P
当今世界,人们的生活已是片刻也离不开电子设备。电源管理芯片在电子设备系统中担负起对电能的变换、分配、检测及其它电能管理的职责。电源管理芯片对电子系统而言是不可或缺的,其性能的优劣对整机的性能有着直接的影响。
& Q5 ?- G$ r! K4 _$ Z, n
2 z# W2 x$ J6 k/ V+ D, I电源管理芯片的应用范围十分广泛,例如本公司主推的CR6890H可应用在AC/DC适配器、电机类适配器、充电器等。接下来,我们将CR6890H和电源IC XX5533进行对比测试,看看哪一款IC更胜一筹!% M. C* X( |4 h6 I: V2 W7 w6 J
/ [3 p$ m+ @) Q: T4 K& f
关于CR6890H
+ ^. K8 A+ L6 e8 z& f
; X+ X+ x4 P! @' L5 o; yCR6890H是一款高集成度、低待机功耗的CCM+PFM混合电流模式PWM控制器。CR6890H轻载时会降低频率,最低频率22kHz可避免音频噪声。CR6890H提供了完整的保护功能,如cycle-by-cycle电流限制、OCP、OTP、VDD_OVP、UVLO等,还可以通过PRT脚分别精确设置外置过温保护和输出电压过压保护。软启动功能可以减少系统启动时MOSFET的应力,前沿消隐时间简化了系统应用。通过频率抖动和软驱动电路的设计,降低开关噪声,简化了EMI设计。CR6890H提供SOT23-6L的封装。
' |* I8 Z# h: ]( P3 m7 n0 S7 u. @
# d+ E8 N" x# W/ t) `. A主要特点
( \. `/ \2 I; S& u. n. U4 e7 {+ m* n
● 较低的启动电流(大约3μA)0 }+ q: a3 H' s
● 内置软启动减少MOSFET应力9 u6 @9 S" B1 g/ U& u% ]
● CCM+PFM控制模式5 v8 B- ]( U; K  K' n2 J% _4 E
● 内建同步斜坡补偿,消除次谐波震荡+ e$ U1 ]- f. N8 p
● 内建频率抖动功能,降低EMI
' X! H8 P: B; L# u( W8 r  O● 内置65kHz开关频率
  w/ ~/ X2 R: J9 A+ Z' P% V● 轻载降低工作频率
, r8 u+ \$ M' C● 15ms倍频模式
1 G+ q. `( ?$ }$ Q- E. R; c● 可编程外置过温保护并进入latch
/ x. o/ }# [$ z● VDD过压保护和输出过压保护功能并进入latch
& D* C* R0 z/ w: w  q● 内置前沿消隐电路
% e3 f4 K5 x/ z● 内置输出二极管短路保护
3 p9 N, c0 w! o( m" P! M1 s● 内置过温保护并进入latch
$ q& A, w! v. u  `: D● 过载保护
+ i0 w$ b. u5 O! d4 a0 l● SOT23-6L封装
) f  w/ p, N# z! n) y: I( x1 Q0 }$ G; H* V  ?
基本应用7 ]. R7 G* r6 |  E) P

8 \  V. \- M- [5 l, W' Y4 h, C, O) J  w● AC/DC适配器7 N% d6 a" ?5 ?2 @. j% W. v
● 电机类适配器5 _' {- w! O& _( W2 n8 v6 j0 ]
● 充电器7 p1 ^+ o' h: I" x0 {" W& w
● 存储设备电源
8 r+ k% _4 b, s  `' `# p* X! }3 z% R- m' A; H+ z. Y6 r
典型应用
2 |+ `0 O' k5 X
管脚排列
: c% y6 t! w6 }# N
管脚描述9 g' }9 _& c$ o- Y

% c2 U4 |; e9 F8 b一、样机规格8 b8 a" d6 ~# t+ m0 g3 i

0 X4 n, @1 X* }- g' ]输出电压12V,输出负载5A,IC lot:HHP02。% K: G; Z5 M, V. h1 C( c4 _

# ~  b. j% N- d修改参数:
6 o/ h# g; y) n' u/ U0 Y9 I6 n2 y2 S- C7 c2 w: z7 R; T" m, @# R
替换IC,RS1电阻由0.33R改为0.27R(直接并1R电阻)R9由47R改为200R,R8由33R改为20R。
. @0 ^, x* D- f( f/ d; V6 R, ~: S" q$ q- J' e/ b
二、基本电性参数* R5 M; u/ K+ Y4 `: ?, p" L
三、基本波形
4 {) N5 {# k3 ~
% ~( b# D4 a* A, S9 ]  L
XX5533 264V/50HZ MOS波形

, ]& W: \5 o3 Q4 {. B$ z
CR6890H 264V/50HZ MOS波形
' @6 @) G! l% g7 _
XX5533 264V/50HZ 肖特基波形

9 j0 C# l/ D4 z8 e: @
CR6890H 264V/50HZ 肖特基波形

2 Q% W( E8 V* N( `1 t% G% B
XX5533 264V/50HZ GATE波形

. \* l' v% z6 `4 x; [' F8 k' ]
CR6890H 264V/50HZ GATE波形
3 v9 L* `. k  i7 T
XX5533 230V/50HZ 传导波形 N

# e* o( s9 W. L  d3 q& x" \
XX5533 230V/50HZ 传导波形 L

' {' V+ s! R/ p; n& a% m* A
CR6890H 230V/50HZ 传导波形 N

0 P/ S$ ^; N" k  S/ ]/ l4 {
CR6890H 230V/50HZ 传导波形 L

  [" c+ C( Q. S5 S& {* O
XX5533 230V/50HZ 辐射波形
: n% a0 a& L; k! K" j7 |# j
XX5533 230V/50HZ 辐射波形

% T" r1 J& k: H
CR6890H 230V/50HZ 辐射波形

' |5 ^* \2 f5 C' b: K$ J6 r# |/ f
CR6890H 230V/50HZ 辐射波形
# T1 g$ A) s0 |# X* |
对比结果+ e; s9 F3 a5 u  p

$ _8 W" T- r# Y5 i电性基本一致,CR6890H效率更高。
. u# T; C5 @& I8 J8 d" i" N7 L
0 p5 {. e2 C" s: n& }2 ]: W* s- J

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