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两款电源芯片对决,谁能遥遥领先?看完测试报告有答案

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发表于 2023-3-16 10:50:13 | 显示全部楼层 |阅读模式
本帖最后由 思睿达小妹妹 于 2023-3-16 10:55 编辑 3 P$ k% E  t$ T
1 ]# P; O3 [. ]; x
当今世界,人们的生活已是片刻也离不开电子设备。电源管理芯片在电子设备系统中担负起对电能的变换、分配、检测及其它电能管理的职责。电源管理芯片对电子系统而言是不可或缺的,其性能的优劣对整机的性能有着直接的影响。
! z+ `" K3 {# L8 s
4 l7 T4 g/ Y' X9 E5 X; y电源管理芯片的应用范围十分广泛,例如本公司主推的CR6890H可应用在AC/DC适配器、电机类适配器、充电器等。接下来,我们将CR6890H和电源IC XX5533进行对比测试,看看哪一款IC更胜一筹!, v9 S7 X5 t5 w4 k; {
! m1 E* X* K/ X
关于CR6890H
( K7 r+ W1 w% F- j2 z4 M
- n& e* a2 Y; B, {CR6890H是一款高集成度、低待机功耗的CCM+PFM混合电流模式PWM控制器。CR6890H轻载时会降低频率,最低频率22kHz可避免音频噪声。CR6890H提供了完整的保护功能,如cycle-by-cycle电流限制、OCP、OTP、VDD_OVP、UVLO等,还可以通过PRT脚分别精确设置外置过温保护和输出电压过压保护。软启动功能可以减少系统启动时MOSFET的应力,前沿消隐时间简化了系统应用。通过频率抖动和软驱动电路的设计,降低开关噪声,简化了EMI设计。CR6890H提供SOT23-6L的封装。3 Z$ t/ [0 k# Z0 O
  W) P( ?9 A, K
主要特点2 A# O  s0 D( G0 J

" x$ Y- ]' C/ t* `* v5 X● 较低的启动电流(大约3μA)' P5 h6 _1 u2 ?; ]
● 内置软启动减少MOSFET应力, r1 f& _+ \& B. i2 W* E% |- U
● CCM+PFM控制模式; i5 T( w, h) V! D
● 内建同步斜坡补偿,消除次谐波震荡
% l8 [# U& ?) c● 内建频率抖动功能,降低EMI' v  P3 q% q4 ?. @
● 内置65kHz开关频率
2 l! y: Y. R4 \, r+ V& ~● 轻载降低工作频率6 ~, ~3 ]8 q3 r3 l4 i
● 15ms倍频模式
% l' P- r; S$ H- L) F$ L● 可编程外置过温保护并进入latch2 U- r7 C. k3 ]* I
● VDD过压保护和输出过压保护功能并进入latch
' A# `( S5 B5 i● 内置前沿消隐电路
) C$ G% Z2 E! K4 \) ?● 内置输出二极管短路保护, H2 }) b5 c" ]7 h* k
● 内置过温保护并进入latch) K. n, p5 F6 E$ H  V4 O6 g# r
● 过载保护- N& Y) q" I* g; H; t& y* G5 a
● SOT23-6L封装
7 S' V  C+ v5 Z. _- P6 t: ~$ k" N0 X3 C1 w: V8 q
基本应用
! N. B9 m; X  f. }6 G
2 y3 b3 E% M) [' N+ [● AC/DC适配器4 @3 h+ H" j1 b2 ]
● 电机类适配器2 ?6 U. R3 n2 w
● 充电器- e* z1 ~1 C( \# L6 G
● 存储设备电源: N# M! Z# s2 l* }' X7 s; o3 K

; j% c  ~1 H) v, V# D: e8 r% w7 T典型应用% T- V& s, I+ t
管脚排列
, W3 X  m) ~7 X+ [4 M
管脚描述
( w# J6 f& M. V" O' H3 ]
, D, _; @3 N) _0 X9 p1 X: @0 b
一、样机规格
1 R+ H, m$ G2 U/ V% A5 B, ]8 {9 x& f
输出电压12V,输出负载5A,IC lot:HHP02。- t4 J+ R7 u& M
8 K3 c1 }! s" ]* G9 D* V
修改参数:% o6 Y  u( T' k) N+ {( P

( l2 O$ w% _! p& w4 F! @- s替换IC,RS1电阻由0.33R改为0.27R(直接并1R电阻)R9由47R改为200R,R8由33R改为20R。
( v9 ~0 N5 l* `% |' a+ O, \5 H% x- u
$ {0 O, [% D: [9 Q7 @! Z二、基本电性参数) }. l9 D$ n3 L) e6 @, F0 S
三、基本波形  X/ B" {4 v* V; x& F: {

+ j; x8 s7 F3 }% w7 c# q
XX5533 264V/50HZ MOS波形
" k/ i9 Z- q1 i( D) a
CR6890H 264V/50HZ MOS波形
; A; O7 V  W% L
XX5533 264V/50HZ 肖特基波形
9 f: q( w* Z8 g/ i$ E) m: a
CR6890H 264V/50HZ 肖特基波形

/ \3 {2 I& _! [6 C; D
XX5533 264V/50HZ GATE波形
! v4 W& b1 h3 Q5 W) C& ]
CR6890H 264V/50HZ GATE波形
/ q2 c  w6 d: c* @
XX5533 230V/50HZ 传导波形 N
. `# B3 W+ k. L
XX5533 230V/50HZ 传导波形 L

. g/ o$ }' ?- e0 t0 a! ]  v/ U
CR6890H 230V/50HZ 传导波形 N
7 O3 W3 {( @+ c
CR6890H 230V/50HZ 传导波形 L

  `3 i: E8 D5 H6 f5 ~( P7 U" l4 d
XX5533 230V/50HZ 辐射波形
& {; F' m- y7 ?% ~8 c9 p1 D( ^
XX5533 230V/50HZ 辐射波形
" `! ^8 a( M4 Q3 P( r% D. G. H
CR6890H 230V/50HZ 辐射波形
* T. R9 u2 Z" r# Z
CR6890H 230V/50HZ 辐射波形
0 I/ f2 R$ V  Y# h+ d2 i- l
对比结果
) ]( x+ Z4 ]# _& G; ~" T, C, u4 \! I, L8 J+ }
电性基本一致,CR6890H效率更高。" c9 S! q0 c5 A9 o4 e7 E  k

0 u& |/ D+ q* V3 }

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