|
本帖最后由 思睿达小妹妹 于 2023-3-16 10:55 编辑 / N" ]2 I) {) {4 E: k' Z3 G
3 t8 h/ _- A* U4 c0 }
当今世界,人们的生活已是片刻也离不开电子设备。电源管理芯片在电子设备系统中担负起对电能的变换、分配、检测及其它电能管理的职责。电源管理芯片对电子系统而言是不可或缺的,其性能的优劣对整机的性能有着直接的影响。4 B: U1 N; P, D1 m1 }& ~3 q/ u4 e
7 w/ R" H- ?, K& d8 q$ e. A- L; R/ h5 y电源管理芯片的应用范围十分广泛,例如本公司主推的CR6890H可应用在AC/DC适配器、电机类适配器、充电器等。接下来,我们将CR6890H和电源IC XX5533进行对比测试,看看哪一款IC更胜一筹!
2 }; i' o3 @* C6 X6 `
g2 b+ m w6 @% t. F8 a) A6 ~4 x$ W关于CR6890H5 ^! A: d' m: I+ a- V) Z
+ s" e6 w9 d7 @+ ~" e0 Q- A
CR6890H是一款高集成度、低待机功耗的CCM+PFM混合电流模式PWM控制器。CR6890H轻载时会降低频率,最低频率22kHz可避免音频噪声。CR6890H提供了完整的保护功能,如cycle-by-cycle电流限制、OCP、OTP、VDD_OVP、UVLO等,还可以通过PRT脚分别精确设置外置过温保护和输出电压过压保护。软启动功能可以减少系统启动时MOSFET的应力,前沿消隐时间简化了系统应用。通过频率抖动和软驱动电路的设计,降低开关噪声,简化了EMI设计。CR6890H提供SOT23-6L的封装。
7 u/ d4 b! W4 c4 ~
, L" h4 ?5 `; i# q主要特点
2 Q6 v- }/ ` I2 {8 }$ Y- R$ U) M0 R1 ?$ c6 f5 W c
● 较低的启动电流(大约3μA)% c, ^6 E1 f6 _( y; d# v) e; d
● 内置软启动减少MOSFET应力
; T/ g. m: |' A% q● CCM+PFM控制模式% r9 C4 D! i# u+ M2 G
● 内建同步斜坡补偿,消除次谐波震荡& h7 q& r* O2 c
● 内建频率抖动功能,降低EMI
3 ?: v; g' {" q% ~/ | Q" C● 内置65kHz开关频率
: f2 Y& y0 ~% @9 Y● 轻载降低工作频率
/ Z% q4 T% g, P" v% y% `● 15ms倍频模式- E/ l/ b1 j' [
● 可编程外置过温保护并进入latch
' C' b3 m0 Y4 M● VDD过压保护和输出过压保护功能并进入latch" g2 b/ n* E) w/ y
● 内置前沿消隐电路6 Q/ o9 r" A4 l2 ?5 n/ k( P
● 内置输出二极管短路保护$ e5 N7 `! s, I4 m5 z. _* }
● 内置过温保护并进入latch: E) F4 m) X) D* U- J
● 过载保护3 ~7 q/ S; x; G w4 t
● SOT23-6L封装
6 G% t: n. w. O$ B7 |" j
; d g& h9 Q8 Z" ]8 j基本应用
! `/ ^- U3 u) i, V% Y
+ N$ _% l" ?) |) f$ v● AC/DC适配器
% n6 u9 h: _+ n0 x● 电机类适配器
4 X) x$ B+ x8 ]. k● 充电器2 F. D. w# t5 F4 y% [
● 存储设备电源
% ]( t. ?$ v/ f% {% y2 M9 ^ s- \' t3 m! H, k+ j; S. f+ y8 @
典型应用
) W0 V t8 F l5 I$ b* o管脚排列( S: `: I8 S: {% X2 p/ a, }0 w' r
管脚描述* P% R. Y0 |4 \( \1 _: r" v
& K& q0 [. a% I) {" m/ w
一、样机规格 s% c* }9 }8 K% \+ q
: s1 C' w) g2 I/ H8 Z: A8 `
输出电压12V,输出负载5A,IC lot:HHP02。
0 l, B }+ W4 j# l: a+ J5 ~! j% N9 \* W( [
修改参数:
; E* G1 S; O. O6 f% f9 q7 |$ p; A4 }% Z& c% j, H1 `( s
替换IC,RS1电阻由0.33R改为0.27R(直接并1R电阻)R9由47R改为200R,R8由33R改为20R。2 u$ C7 c! S+ l# o: D1 m5 i- n
9 h" d0 F2 r* U7 {- C/ W
二、基本电性参数
- v, K$ W1 t% E1 |5 W5 |2 z9 D' F三、基本波形. j u$ A6 S+ T
@5 z2 H* r* q: A* r0 C y$ P/ E, X! s
XX5533 264V/50HZ MOS波形 5 j) {) Y6 f: I+ H9 ]
CR6890H 264V/50HZ MOS波形
# O) n x; T [7 f( vXX5533 264V/50HZ 肖特基波形
7 B. {% a& N: n1 U' S( z5 p8 x# A+ BCR6890H 264V/50HZ 肖特基波形
) P1 p5 e E3 y1 ?3 m: [* I. w9 UXX5533 264V/50HZ GATE波形
* P8 m0 h1 r7 hCR6890H 264V/50HZ GATE波形
$ w ~ t. A/ k, CXX5533 230V/50HZ 传导波形 N
% T6 c- a2 \! w8 x C/ KXX5533 230V/50HZ 传导波形 L - p1 h9 }$ z" I3 ?( K
CR6890H 230V/50HZ 传导波形 N . I0 w# {. ~6 `/ y. c, U9 p# g Z
CR6890H 230V/50HZ 传导波形 L 4 v( a& X6 t& G5 w5 F
XX5533 230V/50HZ 辐射波形
7 o( Y8 e+ d3 P8 p# e2 OXX5533 230V/50HZ 辐射波形 : o( J& P3 J* G0 Z
CR6890H 230V/50HZ 辐射波形 4 S) X7 E8 u7 J z; U; y$ B
CR6890H 230V/50HZ 辐射波形 , x; s f* H1 _! y# _5 \# X
对比结果
8 o! O% N5 R1 Y0 `! p7 k) |
% C+ U$ H4 K% o2 i) ?电性基本一致,CR6890H效率更高。0 W1 C% A& N N: L5 [
- ^2 B4 e5 T' p C+ s# o
|
本帖子中包含更多资源
您需要 登录 才可以下载或查看,没有帐号?注册
x
|