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两款电源芯片对决,谁能遥遥领先?看完测试报告有答案

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发表于 2023-3-16 10:50:13 | 显示全部楼层 |阅读模式
本帖最后由 思睿达小妹妹 于 2023-3-16 10:55 编辑
/ W4 U3 M2 B( x. e( R. l" K$ p8 |: o
当今世界,人们的生活已是片刻也离不开电子设备。电源管理芯片在电子设备系统中担负起对电能的变换、分配、检测及其它电能管理的职责。电源管理芯片对电子系统而言是不可或缺的,其性能的优劣对整机的性能有着直接的影响。$ m  {1 N5 E1 y  @* R

& ]& b" @; }+ {电源管理芯片的应用范围十分广泛,例如本公司主推的CR6890H可应用在AC/DC适配器、电机类适配器、充电器等。接下来,我们将CR6890H和电源IC XX5533进行对比测试,看看哪一款IC更胜一筹!
  e2 c% A6 O# Z! W; g
1 Z; n- X6 `1 f8 a4 G关于CR6890H
6 B7 O3 ^6 C; B
1 u) Y6 m/ i4 H* ~  wCR6890H是一款高集成度、低待机功耗的CCM+PFM混合电流模式PWM控制器。CR6890H轻载时会降低频率,最低频率22kHz可避免音频噪声。CR6890H提供了完整的保护功能,如cycle-by-cycle电流限制、OCP、OTP、VDD_OVP、UVLO等,还可以通过PRT脚分别精确设置外置过温保护和输出电压过压保护。软启动功能可以减少系统启动时MOSFET的应力,前沿消隐时间简化了系统应用。通过频率抖动和软驱动电路的设计,降低开关噪声,简化了EMI设计。CR6890H提供SOT23-6L的封装。2 ?- v3 ]6 m( i) a! X& e

; a& E  [" m, v0 q7 j/ M( x主要特点
3 E$ i0 @/ C* S9 \! s
# X( y5 s* ~  z● 较低的启动电流(大约3μA)
7 d# e* U' U4 w2 h+ F● 内置软启动减少MOSFET应力( T7 z4 m2 Y2 q6 n8 v1 I
● CCM+PFM控制模式
% {  X. V- i+ ^  j● 内建同步斜坡补偿,消除次谐波震荡
' |  R# X' e6 ]) D9 o' p● 内建频率抖动功能,降低EMI. i: G3 s  v# c! o+ F( t
● 内置65kHz开关频率
" [. u* @1 v- ^% C& Z* D● 轻载降低工作频率9 \$ s/ ?* q! q- \1 |7 ]$ `. y
● 15ms倍频模式) A" }$ u; T3 \
● 可编程外置过温保护并进入latch2 s9 g4 k* h  N% v3 [. I7 a1 |
● VDD过压保护和输出过压保护功能并进入latch
4 Q# z" @4 \6 k0 }" I% S+ L; l, R● 内置前沿消隐电路) Z+ i; W$ q4 [  T* }( s) q
● 内置输出二极管短路保护
3 h7 H4 H2 q. Y+ }+ f+ }● 内置过温保护并进入latch! u3 r2 S! P& C! u, C
● 过载保护
1 I" R! n1 k6 R/ x● SOT23-6L封装
* Q" V4 b" x3 b3 A* z3 Z% c1 c/ C' Y- B' ?
基本应用9 ~$ }' s( z) H; M& H/ u: P

4 W2 e! ]- E1 K% {● AC/DC适配器# V( ?) }' J0 C5 N6 [3 _
● 电机类适配器& B5 v$ p0 g# v" Z
● 充电器7 S/ p4 d2 G/ {1 k& E
● 存储设备电源0 g4 R% l' C4 G$ J
0 c$ I' x" E, J/ e; c# R
典型应用
! M+ x6 M# ~% |* P1 O
管脚排列
& s; {+ h  ]" P% i1 D/ m7 o
管脚描述' j( i* ]5 b2 T+ K
3 D; X& {1 L5 ]! ~* l6 m2 T
一、样机规格
/ R2 ~7 ^  v% V* ~
# H8 @; Z# }* l" O8 H8 [4 h输出电压12V,输出负载5A,IC lot:HHP02。
& e9 b& S( {5 w+ w" ?( N0 \0 @
. k& L+ a/ o" c0 u修改参数:( U8 {* i! c; _7 R

( Z3 v, c7 w3 |' ?' e$ c( ]替换IC,RS1电阻由0.33R改为0.27R(直接并1R电阻)R9由47R改为200R,R8由33R改为20R。
) V) k# A% x) z$ \
1 M3 Q3 z8 }& y0 c4 e1 J二、基本电性参数! n3 d0 F, s' m8 `# g$ A: e) h0 Q8 J# q& s
三、基本波形! b' f8 d. ~! \* {2 G

6 G8 P- j) D: I9 m% @4 i' c
XX5533 264V/50HZ MOS波形
' j) P; y# t8 f. N( d
CR6890H 264V/50HZ MOS波形
/ K) G: B- r$ ~* [. `2 \
XX5533 264V/50HZ 肖特基波形

) y6 W1 |" s9 X% c. R$ T
CR6890H 264V/50HZ 肖特基波形
: f' h. C2 f/ a" B5 q  D+ e
XX5533 264V/50HZ GATE波形
  p/ a% s1 N* v- s% J- |$ V' Y+ u
CR6890H 264V/50HZ GATE波形
, n: s  O, h5 ?9 Q% w. }. V
XX5533 230V/50HZ 传导波形 N

' @% K  B( _1 O2 f$ t8 s. j
XX5533 230V/50HZ 传导波形 L
) A: C0 ~' [4 M
CR6890H 230V/50HZ 传导波形 N

8 e0 Y0 p/ n! U( }1 \8 j
CR6890H 230V/50HZ 传导波形 L

7 y. i% ~, Q) R3 W/ r
XX5533 230V/50HZ 辐射波形

' _3 _% B, ^8 F' d; [$ R; X
XX5533 230V/50HZ 辐射波形
( e6 d% A. k" E1 p2 W* Q4 Q7 G
CR6890H 230V/50HZ 辐射波形
' T- |7 S& @9 p0 H' U
CR6890H 230V/50HZ 辐射波形
$ |% Q) B2 C! @4 B
对比结果
3 b" H1 ?, Q9 Q7 u, ?0 n6 Q2 Q$ `; y  c2 m8 A" h- Z% ?7 d
电性基本一致,CR6890H效率更高。9 c: i* e3 j3 {  f+ x: ~; v2 U5 Q
" E9 c! {5 f! q- a; K: C

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