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本帖最后由 思睿达小妹妹 于 2023-3-16 10:55 编辑 # g9 x3 C( ?' u) A2 F1 v
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当今世界,人们的生活已是片刻也离不开电子设备。电源管理芯片在电子设备系统中担负起对电能的变换、分配、检测及其它电能管理的职责。电源管理芯片对电子系统而言是不可或缺的,其性能的优劣对整机的性能有着直接的影响。# z# e! f$ p3 g8 O" J
6 }* n: ]% R1 G9 T6 b0 {) {+ k电源管理芯片的应用范围十分广泛,例如本公司主推的CR6890H可应用在AC/DC适配器、电机类适配器、充电器等。接下来,我们将CR6890H和电源IC XX5533进行对比测试,看看哪一款IC更胜一筹!
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, w' G6 u% G1 h关于CR6890H' b' M: p( R, @1 B# |
! C& s, z; q$ H) Q* w0 }1 |" qCR6890H是一款高集成度、低待机功耗的CCM+PFM混合电流模式PWM控制器。CR6890H轻载时会降低频率,最低频率22kHz可避免音频噪声。CR6890H提供了完整的保护功能,如cycle-by-cycle电流限制、OCP、OTP、VDD_OVP、UVLO等,还可以通过PRT脚分别精确设置外置过温保护和输出电压过压保护。软启动功能可以减少系统启动时MOSFET的应力,前沿消隐时间简化了系统应用。通过频率抖动和软驱动电路的设计,降低开关噪声,简化了EMI设计。CR6890H提供SOT23-6L的封装。- Y6 _! }( ^' ~
( H) c/ S3 v4 e1 j$ y* {
主要特点
; x/ b8 ^. @) y* K4 t2 F5 S# s
* }# o1 W9 q' S; J● 较低的启动电流(大约3μA)
2 u6 G3 Y2 K0 ^! u. ?● 内置软启动减少MOSFET应力
8 I5 v+ j6 i* C+ h' |● CCM+PFM控制模式& X) y1 X7 @( h# b
● 内建同步斜坡补偿,消除次谐波震荡
4 J. A# r( e* N● 内建频率抖动功能,降低EMI R9 }! k1 f# D7 M. }% V8 u
● 内置65kHz开关频率
8 V. \5 ^" O/ [● 轻载降低工作频率
0 {3 h; D f+ p, H5 M● 15ms倍频模式
, X/ r7 n( b# R2 C5 D● 可编程外置过温保护并进入latch
4 M# v7 Q# V: ~2 [0 w● VDD过压保护和输出过压保护功能并进入latch
0 Q- v) l& K/ _, c8 ]3 G! q/ w. R● 内置前沿消隐电路
' C. [* g( y+ f) c; L3 y) Y" B( U● 内置输出二极管短路保护) l! o* {+ X- ^6 n3 C" y
● 内置过温保护并进入latch
+ X& r, f; Y" h9 p T● 过载保护
2 V6 Y- ?. ~. \● SOT23-6L封装+ b- n! A! w! C5 P. f. W3 ?# s
, c) z; O5 x* I7 v8 I/ W基本应用
4 a, V' \' w. @! S4 ^! L) f, g6 ^% w
● AC/DC适配器
v- {/ ~* Z+ _- J2 u7 w4 `● 电机类适配器
: ^& d0 j5 T- l$ L* k6 s● 充电器" u- H- K3 m# c* S& F: c
● 存储设备电源3 {$ g2 \4 t+ n, j
. E) J+ a; s8 D1 X3 [典型应用 d8 A+ }. |8 o
管脚排列$ [$ n' J Y& y+ d% v# W( y) r0 r3 P
管脚描述
/ p" I( k4 ^+ a9 M! I/ H. o e8 v4 M0 S5 C. P6 X
一、样机规格" G8 ~- ~" h5 \3 c
! U; ?' Y# I& z1 A4 D1 B
输出电压12V,输出负载5A,IC lot:HHP02。
' R9 N; X/ }5 T5 w# ^
: F1 P- }* d9 f修改参数:9 B B" _3 H5 x b) z) P( P4 W
; c# Y9 u. P; W
替换IC,RS1电阻由0.33R改为0.27R(直接并1R电阻)R9由47R改为200R,R8由33R改为20R。2 {; f8 S( k. S( t
: ?" }4 Q6 a9 j. `+ `5 D9 a
二、基本电性参数
2 d. h# f0 _; R. w三、基本波形
) @$ e+ M. }1 w$ d3 l8 ~9 r" @ u) K0 X* G" }& Y
XX5533 264V/50HZ MOS波形 0 F0 ?2 [ M% q; C
CR6890H 264V/50HZ MOS波形
4 e8 u% e" n5 y0 W# O8 Q5 P* ]XX5533 264V/50HZ 肖特基波形 . s/ d2 F# v+ |1 Z
CR6890H 264V/50HZ 肖特基波形 , V6 J4 B: W K$ K0 `: X E0 {& }
XX5533 264V/50HZ GATE波形 8 g' p5 S& y+ A, V' q! h
CR6890H 264V/50HZ GATE波形 $ s; C9 |- ?8 {$ ^1 H
XX5533 230V/50HZ 传导波形 N
1 X3 u+ }) |! M Y4 LXX5533 230V/50HZ 传导波形 L % L I# w7 t1 k8 S
CR6890H 230V/50HZ 传导波形 N
% e' }! P& W) \7 W1 D5 D* eCR6890H 230V/50HZ 传导波形 L & n9 B. D* w" p
XX5533 230V/50HZ 辐射波形
. P( |0 I. q. \ V9 I8 TXX5533 230V/50HZ 辐射波形
) z. z7 l( J% q h- GCR6890H 230V/50HZ 辐射波形
& u& m4 k( d% F6 E, c: M, DCR6890H 230V/50HZ 辐射波形
9 s5 ]4 s' l6 V6 _对比结果- Y* C: n* u3 h9 j8 k$ L# A
R: x$ ? [/ n2 O2 g电性基本一致,CR6890H效率更高。
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