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本帖最后由 思睿达小妹妹 于 2023-3-16 10:55 编辑 ! q! ^, ^. T: P0 [/ `8 v
2 ^5 t8 @+ X) w* z- Z当今世界,人们的生活已是片刻也离不开电子设备。电源管理芯片在电子设备系统中担负起对电能的变换、分配、检测及其它电能管理的职责。电源管理芯片对电子系统而言是不可或缺的,其性能的优劣对整机的性能有着直接的影响。
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8 C X h( H/ ]1 V2 Y4 d电源管理芯片的应用范围十分广泛,例如本公司主推的CR6890H可应用在AC/DC适配器、电机类适配器、充电器等。接下来,我们将CR6890H和电源IC XX5533进行对比测试,看看哪一款IC更胜一筹!
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6 I+ ~7 J$ u. S6 S关于CR6890H, m; m/ ~% a9 N2 [' |6 \
8 v" C2 A9 U/ Y3 H7 u! u
CR6890H是一款高集成度、低待机功耗的CCM+PFM混合电流模式PWM控制器。CR6890H轻载时会降低频率,最低频率22kHz可避免音频噪声。CR6890H提供了完整的保护功能,如cycle-by-cycle电流限制、OCP、OTP、VDD_OVP、UVLO等,还可以通过PRT脚分别精确设置外置过温保护和输出电压过压保护。软启动功能可以减少系统启动时MOSFET的应力,前沿消隐时间简化了系统应用。通过频率抖动和软驱动电路的设计,降低开关噪声,简化了EMI设计。CR6890H提供SOT23-6L的封装。
" h3 l. C8 }! a, x$ ?! \6 R) p6 p5 c9 e% C5 u
主要特点: g a6 P9 V" W; W
. Q! \- q1 B& q T) m) ^' W/ @● 较低的启动电流(大约3μA) ~: F3 [2 `8 e6 F
● 内置软启动减少MOSFET应力
* y- K8 _ o8 d8 ` c● CCM+PFM控制模式
, w J7 q- U$ y* R- {$ T● 内建同步斜坡补偿,消除次谐波震荡
/ ^# @/ L) V) |4 r1 C! V● 内建频率抖动功能,降低EMI, b" L+ n! I7 g1 f* y
● 内置65kHz开关频率8 C+ c$ k* r7 G" q; M
● 轻载降低工作频率
* h0 H& M: T5 j8 k0 b1 q, C$ O7 n● 15ms倍频模式( w2 q% F6 V2 W3 A5 p3 m
● 可编程外置过温保护并进入latch
3 `* ], s' b5 s9 H. V- q● VDD过压保护和输出过压保护功能并进入latch& u3 P$ G" n% s) L: d7 J R! r$ U
● 内置前沿消隐电路
1 B u/ X9 u' \: ^● 内置输出二极管短路保护
7 t9 ]& s& ]5 _. M! M% [' S0 U8 X● 内置过温保护并进入latch
4 Z( r* p; h8 I2 {6 J0 _● 过载保护0 F6 I% v, H% U
● SOT23-6L封装
$ m4 x& V: B; g7 G* ]% J3 T" E8 A, M; L7 H( n: E
基本应用
: @0 s+ U9 s4 S( t' l, A
0 K) s$ U- B) c● AC/DC适配器. V3 W6 @, p5 @* r2 v& q# j, {
● 电机类适配器
8 Q7 l$ k+ s/ A, X1 y$ c! O6 A9 R8 Q7 y● 充电器
' W" C. v. ]. ?; S! o9 F● 存储设备电源
7 ?5 X. S/ `5 e$ d4 [7 Q+ ~. g2 l" e$ i) i$ Q, ?5 k
典型应用' J. U3 z. z" g0 P& y! P" e
管脚排列
" M% r, D- A, G9 c* y- z管脚描述
, F k: o% p9 M! K7 z6 v# w0 P! n; n- u
一、样机规格0 R% _2 `2 R6 F, r. J! s: f4 _( K
4 z2 f. F3 c3 A* f4 y0 z
输出电压12V,输出负载5A,IC lot:HHP02。7 s9 D5 {1 L% b8 e& d1 c, u
$ ~$ j& g4 p, V' t; b# b- b# v7 U2 F修改参数:
* V) E1 B- W4 i! m- o
4 _1 p& R) B1 n7 W替换IC,RS1电阻由0.33R改为0.27R(直接并1R电阻)R9由47R改为200R,R8由33R改为20R。
# p# G9 Q3 v1 t$ E0 F: [2 {# y4 S
二、基本电性参数& [0 k9 R/ [+ x' b7 ~' C
三、基本波形3 z4 @6 T4 h: O* Q; ^- T+ s
1 P( C6 c; b2 P' v2 T) ~XX5533 264V/50HZ MOS波形 4 Z1 m/ t2 p6 M8 Y( d% a# K
CR6890H 264V/50HZ MOS波形 / D0 |' A/ A7 I& c; r z7 i! u2 H
XX5533 264V/50HZ 肖特基波形 1 X' k& n. T3 w0 b; E* k) Q
CR6890H 264V/50HZ 肖特基波形
* d* K( |3 ]2 uXX5533 264V/50HZ GATE波形
R) F. y$ u$ M! s3 [/ pCR6890H 264V/50HZ GATE波形 + E A( @. d3 @; u& h' v" G, Y+ [
XX5533 230V/50HZ 传导波形 N 3 N9 C. J# V. R6 G
XX5533 230V/50HZ 传导波形 L ! l* Q+ l- y3 G; r6 G- z" R: r
CR6890H 230V/50HZ 传导波形 N 7 }5 \3 P$ ^4 ^: s& Z
CR6890H 230V/50HZ 传导波形 L 0 b9 N& b- q5 P; k$ O
XX5533 230V/50HZ 辐射波形
. x* M" ^0 y! z$ O9 oXX5533 230V/50HZ 辐射波形
% e8 t8 G6 h8 N c! l: J- |CR6890H 230V/50HZ 辐射波形
+ j) Z& q2 v6 n: v8 G% NCR6890H 230V/50HZ 辐射波形
* `# K2 N0 e; Q- Z( C1 n对比结果8 \) R) i6 `! f# e" ]" R
! e; K) i3 p2 v) X1 p& b7 F; w* x' J电性基本一致,CR6890H效率更高。
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