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两款电源芯片对决,谁能遥遥领先?看完测试报告有答案

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发表于 2023-3-16 10:50:13 | 显示全部楼层 |阅读模式
本帖最后由 思睿达小妹妹 于 2023-3-16 10:55 编辑
% i- S) S7 W( W  Y8 G4 N
$ d5 x# w7 ?5 E! U' a; @0 D当今世界,人们的生活已是片刻也离不开电子设备。电源管理芯片在电子设备系统中担负起对电能的变换、分配、检测及其它电能管理的职责。电源管理芯片对电子系统而言是不可或缺的,其性能的优劣对整机的性能有着直接的影响。
0 K* B5 m# l7 ?" r4 T
; N( x! J7 f  o; j- v' U& e电源管理芯片的应用范围十分广泛,例如本公司主推的CR6890H可应用在AC/DC适配器、电机类适配器、充电器等。接下来,我们将CR6890H和电源IC XX5533进行对比测试,看看哪一款IC更胜一筹!
" P3 W7 i! A% A1 G3 b5 `1 F, K' K! M# N2 p
关于CR6890H; t- k+ o% [1 d4 o, k8 I' A* J

& \. k" p0 `9 ]4 k3 }/ UCR6890H是一款高集成度、低待机功耗的CCM+PFM混合电流模式PWM控制器。CR6890H轻载时会降低频率,最低频率22kHz可避免音频噪声。CR6890H提供了完整的保护功能,如cycle-by-cycle电流限制、OCP、OTP、VDD_OVP、UVLO等,还可以通过PRT脚分别精确设置外置过温保护和输出电压过压保护。软启动功能可以减少系统启动时MOSFET的应力,前沿消隐时间简化了系统应用。通过频率抖动和软驱动电路的设计,降低开关噪声,简化了EMI设计。CR6890H提供SOT23-6L的封装。
1 y+ ^% T% x$ F' }3 t
- W5 a2 j# d: T' a+ T* O. m1 B主要特点
# B% I: D( M7 R1 M; v+ B: d, w/ O3 n8 S# Q. g  r) w
● 较低的启动电流(大约3μA)
% U* q3 K. F7 t● 内置软启动减少MOSFET应力+ n) @2 k) k) g/ f" P* C1 q
● CCM+PFM控制模式
# G  _* J! p5 h( p0 M● 内建同步斜坡补偿,消除次谐波震荡
# i. C7 u. u- K6 a" A3 }● 内建频率抖动功能,降低EMI! e7 h+ s1 x- n* G! f
● 内置65kHz开关频率
. A0 m/ [' v& y! T● 轻载降低工作频率
3 f1 X) ~) _; A7 i; w● 15ms倍频模式% r5 {  G1 ?% M& Q9 n4 O: J
● 可编程外置过温保护并进入latch
/ t3 i7 ]' u- F8 T● VDD过压保护和输出过压保护功能并进入latch" c6 Q( F0 B. {; K7 O0 I
● 内置前沿消隐电路
- j% m$ O; H, F6 R* p$ G% X+ H# N● 内置输出二极管短路保护
5 A/ l, Q  O& N! M3 `3 `: }, b0 H● 内置过温保护并进入latch
4 Q; H, E) r# t● 过载保护
' @, Y9 `' o2 B% b( O; f● SOT23-6L封装' B! [: s# c7 l6 {/ L0 \4 n# [( q5 m

( {9 ?: E3 G! n- @* Z7 @基本应用$ |, y* O) {! i

( |. Y5 a8 @" F● AC/DC适配器$ K: t% P- f1 W% z- T3 C3 G
● 电机类适配器
4 R, j0 \2 [6 j2 [" x● 充电器
/ Z. V2 A) E. s8 H. R$ j% c: _● 存储设备电源$ e- k  l9 x+ C* |$ {

& o. P( P9 i: r) R典型应用
  V, A: p5 [% k( B" u1 _
管脚排列! D& c* u8 ^6 G, T6 B3 Z6 p
管脚描述# U2 y3 W. n  O% n$ C1 }7 b: E
6 x2 P( `$ p9 r% K5 H$ \
一、样机规格2 f/ z' c8 A2 c

5 x, j8 d+ q0 \* C" O# g/ s输出电压12V,输出负载5A,IC lot:HHP02。- E. G  g; Q7 g; ?
1 |6 @; l$ v% y7 n) I
修改参数:" j8 C8 K  \1 D* L' N
4 s8 d; h( F, A1 h1 V
替换IC,RS1电阻由0.33R改为0.27R(直接并1R电阻)R9由47R改为200R,R8由33R改为20R。
( X! q. q2 G* p' R; I3 [& C1 l" K. c  V. d
二、基本电性参数  [" F4 K- e; W+ }
三、基本波形8 F% H, a/ T0 ^% m4 t/ y

. G# J3 U. z( W3 l7 _# G# J
XX5533 264V/50HZ MOS波形

( C0 ?+ a* J6 Y1 f: @) x
CR6890H 264V/50HZ MOS波形
' n/ M8 b. k2 l5 v7 x
XX5533 264V/50HZ 肖特基波形
8 T" d2 }9 L- [" l! }
CR6890H 264V/50HZ 肖特基波形

) }" C3 Q& S" ~! o7 j+ m
XX5533 264V/50HZ GATE波形
! H/ g1 j4 K7 y1 F; {
CR6890H 264V/50HZ GATE波形
! c3 Y0 i  I1 s$ w* s; V' J
XX5533 230V/50HZ 传导波形 N

9 h, f8 q( B) o% i) Y
XX5533 230V/50HZ 传导波形 L

' V! s( d4 U/ J0 U
CR6890H 230V/50HZ 传导波形 N
* @2 G6 W7 x0 H! k
CR6890H 230V/50HZ 传导波形 L
3 Y' l$ _" V; \7 z9 d4 y5 ?& C
XX5533 230V/50HZ 辐射波形
9 x1 q# D- _3 N7 t
XX5533 230V/50HZ 辐射波形
8 u: y8 V/ v3 b; n
CR6890H 230V/50HZ 辐射波形

5 g1 l4 j2 d% Q$ k" A8 H2 a
CR6890H 230V/50HZ 辐射波形
4 i2 e8 k9 H  B8 @
对比结果
* k7 Q0 I' X0 N7 V! r
1 U/ G( q0 ~5 {) e- b电性基本一致,CR6890H效率更高。7 E- q- J% p! H7 R. V
) E  Y4 J( L$ p- G

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