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两款电源芯片对决,谁能遥遥领先?看完测试报告有答案

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发表于 2023-3-16 10:50:13 | 显示全部楼层 |阅读模式
本帖最后由 思睿达小妹妹 于 2023-3-16 10:55 编辑 9 t$ J% V  R6 I
+ e/ Y6 H: k! R( q" h+ L* i( W
当今世界,人们的生活已是片刻也离不开电子设备。电源管理芯片在电子设备系统中担负起对电能的变换、分配、检测及其它电能管理的职责。电源管理芯片对电子系统而言是不可或缺的,其性能的优劣对整机的性能有着直接的影响。
0 J! N0 H# ?* I0 K; U$ T5 W, q3 j6 @  N, z" a0 @7 I
电源管理芯片的应用范围十分广泛,例如本公司主推的CR6890H可应用在AC/DC适配器、电机类适配器、充电器等。接下来,我们将CR6890H和电源IC XX5533进行对比测试,看看哪一款IC更胜一筹!% {$ }# R. x) x- |- V
" [+ X/ f$ s8 m$ W* E
关于CR6890H6 D5 m5 U1 K7 b
- [1 b( U& v8 `/ K' {% V5 ]
CR6890H是一款高集成度、低待机功耗的CCM+PFM混合电流模式PWM控制器。CR6890H轻载时会降低频率,最低频率22kHz可避免音频噪声。CR6890H提供了完整的保护功能,如cycle-by-cycle电流限制、OCP、OTP、VDD_OVP、UVLO等,还可以通过PRT脚分别精确设置外置过温保护和输出电压过压保护。软启动功能可以减少系统启动时MOSFET的应力,前沿消隐时间简化了系统应用。通过频率抖动和软驱动电路的设计,降低开关噪声,简化了EMI设计。CR6890H提供SOT23-6L的封装。# k+ }6 }( Y: |0 l$ V( K
. Z2 E; W4 d, M! A  z6 P4 b
主要特点$ w( ~1 A' T4 ?5 R
; N% d/ g0 |! I- J( u
● 较低的启动电流(大约3μA)% A+ l/ @* t& ^2 P  u% H
● 内置软启动减少MOSFET应力
0 ~# d& c* R4 ~0 Q; [+ B" c! q* S● CCM+PFM控制模式7 {  f8 A; _% C9 I7 c
● 内建同步斜坡补偿,消除次谐波震荡
- l1 i7 C* E1 p* X$ P● 内建频率抖动功能,降低EMI
7 o4 h1 `, X- g8 W! ?● 内置65kHz开关频率
5 M: B+ x( k2 D- B# M. d. D● 轻载降低工作频率, r3 q! [* _2 s8 m
● 15ms倍频模式
9 O" S1 S) u7 Q/ O● 可编程外置过温保护并进入latch: [6 X- ~% }8 C! A0 C" K* |: E5 F
● VDD过压保护和输出过压保护功能并进入latch
$ I& c6 ~2 m2 s3 m( q+ h● 内置前沿消隐电路. @* \5 k1 O' M7 G
● 内置输出二极管短路保护
; A9 D8 P. X( n● 内置过温保护并进入latch- i8 S8 ~) r( }. B' O- \9 z4 S
● 过载保护" F: @+ z' \, v
● SOT23-6L封装
' l" W4 L& s3 s+ F" g2 U* E  L; Z: I6 h' X" k& ^6 ~3 V
基本应用
9 F7 F- [8 Q% B" _9 ~9 [8 o. ]) v! t0 V) F$ C/ r- r5 u6 O
● AC/DC适配器2 Z( j7 a1 m8 I- u  z" A- {
● 电机类适配器2 P; n, h# C+ r# y$ v! ?
● 充电器
, k/ C7 n5 S8 G, D2 X6 ?, V● 存储设备电源. Z; v$ i  o( Q& X* R% n

0 u) f$ u% Y, J) {典型应用
" M$ w# Z* B, p, |6 z
管脚排列) s- I, h9 b& _9 V
管脚描述0 a) V; l. u  n4 R( d, v
- U, {+ N) `: r3 d( }$ v
一、样机规格
$ ]$ W' ]1 ~1 W4 E1 D
: C5 J! F: R/ c% C9 y" i输出电压12V,输出负载5A,IC lot:HHP02。
/ h1 v3 J: P" @6 A
" u; n! ~8 B+ H& ]0 l: t3 {9 P6 a修改参数:, Y( j4 ~& k& F. ]% m

( R" ~3 K! |- W5 Y* [替换IC,RS1电阻由0.33R改为0.27R(直接并1R电阻)R9由47R改为200R,R8由33R改为20R。( I. M& B& c8 K7 L$ z

( ^0 B4 T# G& q3 S4 b二、基本电性参数
8 ~' R: _  }* a5 N  R
三、基本波形
6 N, |& U7 H/ N6 Q) a
& U; S, w: y# Q) X1 h
XX5533 264V/50HZ MOS波形

! X, Z. Y0 r- P
CR6890H 264V/50HZ MOS波形
+ M& R, H+ J# p' l+ N) A+ [
XX5533 264V/50HZ 肖特基波形

$ b: X% \# Z/ e9 _/ q
CR6890H 264V/50HZ 肖特基波形

$ x; U$ a4 s. N  i7 a
XX5533 264V/50HZ GATE波形

9 B" G0 m: {8 K3 E9 Q
CR6890H 264V/50HZ GATE波形
+ A) q, u3 B, M8 m6 B9 c) H
XX5533 230V/50HZ 传导波形 N
& a* [0 S8 e. L
XX5533 230V/50HZ 传导波形 L

6 k: E2 M( [5 s  G
CR6890H 230V/50HZ 传导波形 N
; N7 m4 [. ?* {6 |' o
CR6890H 230V/50HZ 传导波形 L

4 N# D7 X3 E' P1 [* n
XX5533 230V/50HZ 辐射波形

' s" n. ?+ G: p4 i+ h& S& f/ B
XX5533 230V/50HZ 辐射波形
5 l7 R7 l- P5 S1 p( I8 a
CR6890H 230V/50HZ 辐射波形
$ I5 J3 {9 v* w& {
CR6890H 230V/50HZ 辐射波形
) u1 h3 ^7 ]8 `! A
对比结果; S9 L" T6 D0 J: |7 x4 N& t+ O0 R8 i
  a* H8 m0 A, K2 J6 d; O
电性基本一致,CR6890H效率更高。
: [& J" f5 i1 p2 ?, x# o( P( j7 d' J$ V7 p

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