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本帖最后由 思睿达小妹妹 于 2023-3-16 10:55 编辑 8 Q; G! \- W$ Z& S8 J7 G( Q
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当今世界，人们的生活已是片刻也离不开电子设备。电源管理芯片在电子设备系统中担负起对电能的变换、分配、检测及其它电能管理的职责。电源管理芯片对电子系统而言是不可或缺的，其性能的优劣对整机的性能有着直接的影响。) ~# R# K& ?- p' e
3 m3 D$ g4 o% \6 i% I
电源管理芯片的应用范围十分广泛，例如本公司主推的CR6890H可应用在AC/DC适配器、电机类适配器、充电器等。接下来，我们将CR6890H和电源IC XX5533进行对比测试，看看哪一款IC更胜一筹！
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% o n3 F6 Y4 v7 f关于CR6890H
3 d$ i# m w5 x
2 K e9 G) P: t7 y- j b; |: aCR6890H是一款高集成度、低待机功耗的CCM+PFM混合电流模式PWM控制器。CR6890H轻载时会降低频率，最低频率22kHz可避免音频噪声。CR6890H提供了完整的保护功能，如cycle-by-cycle电流限制、OCP、OTP、VDD_OVP、UVLO等，还可以通过PRT脚分别精确设置外置过温保护和输出电压过压保护。软启动功能可以减少系统启动时MOSFET的应力，前沿消隐时间简化了系统应用。通过频率抖动和软驱动电路的设计，降低开关噪声，简化了EMI设计。CR6890H提供SOT23-6L的封装。 d" q% X+ C: Y8 e# G
' T; D7 u( i! X主要特点
5 O8 L$ P7 t* @+ F# V0 B9 l' C2 ], H; h! j2 W2 H+ p
● 较低的启动电流(大约3μA)
6 o' [8 F Y" e5 {& t9 I● 内置软启动减少MOSFET应力# m. P! U( y! `, p
● CCM+PFM控制模式2 H' u" z7 M9 C( y) H
● 内建同步斜坡补偿，消除次谐波震荡; f1 n( v: [1 |# f7 y9 q
● 内建频率抖动功能，降低EMI3 \" g4 K* M0 B' V8 q9 Y
● 内置65kHz开关频率7 E/ I- U6 j& B& U0 G; Z2 o3 \3 d
● 轻载降低工作频率8 V5 {" x9 i" g
● 15ms倍频模式6 [3 H% L c! m
● 可编程外置过温保护并进入latch; x5 X* E3 K) [) s- Z& B9 P$ H
● VDD过压保护和输出过压保护功能并进入latch
/ W; d$ p1 A9 z3 i● 内置前沿消隐电路& K0 v9 r) _9 r: ^
● 内置输出二极管短路保护
4 ~; j( t; I9 _7 `: b$ M. v0 ?, _● 内置过温保护并进入latch- o3 K5 Y! M) e, B0 S4 A" X
● 过载保护2 y* q) S/ J0 c# m: {
● SOT23-6L封装4 c$ f! l! d6 i: k* T
2 J. t1 K. n0 r% e7 h, f基本应用
: ]' A; D. `8 l9 M6 ~7 g
/ m# Z2 `! g$ Z U# `● AC/DC适配器% f; t2 ]* @- z7 b3 {8 ?8 n8 N
● 电机类适配器: h2 r4 i, e5 S; N8 D
● 充电器
; f. v) F& S6 p3 z" _4 i● 存储设备电源$ l/ S6 N, v u1 L
. @8 C: Y) L. ~0 F. r
典型应用7 a/ e( Q6 b7 T8 ?* [
管脚排列* E' g8 O! p+ p' a" B5 h! X( D7 ^
管脚描述
0 B- v( g& r: t; ~# m8 u0 V: s
4 G$ Q' X0 V7 E0 B- Z4 `2 z一、样机规格; K N; R6 Y( K; s& a+ Z
0 v; D4 F6 I2 N; @/ y
输出电压12V，输出负载5A，IC lot：HHP02。5 b. M7 u$ t5 c2 q7 `% U
, E: K/ P! L2 _! H: A c
修改参数：- q% n2 P* U& W
, \ N2 w w! z9 h7 J
替换IC，RS1电阻由0.33R改为0.27R（直接并1R电阻）R9由47R改为200R，R8由33R改为20R。0 A) O9 c5 p1 P3 E; w7 U
g8 s; r8 l L+ l
二、基本电性参数* ^( w: Q: ]3 E
三、基本波形
: F2 |& X0 ]* L
: v: J/ _6 _ f$ qXX5533 264V/50HZ MOS波形 % t/ m' X* {6 `/ h! N: e9 Y
CR6890H 264V/50HZ MOS波形
6 F5 i: y+ C* N" P' nXX5533 264V/50HZ 肖特基波形 + ]2 y1 N- r- x0 s
CR6890H 264V/50HZ 肖特基波形
9 T+ u+ P3 H: S8 m/ ?& uXX5533 264V/50HZ GATE波形
, P9 y9 [% B# F; |+ O' ?9 c( @CR6890H 264V/50HZ GATE波形 * b. A, x' [4 U8 G! I6 Z
XX5533 230V/50HZ 传导波形 N + p5 N, N1 G3 t& i( F9 m
XX5533 230V/50HZ 传导波形 L / Z9 H3 ]0 q6 T S# `) }# Q5 Q
CR6890H 230V/50HZ 传导波形 N 5 b5 y1 w% n5 {6 F, g# z: V
CR6890H 230V/50HZ 传导波形 L 5 M+ {4 O% L G8 h' {
XX5533 230V/50HZ 辐射波形
5 R2 q& n+ l! H; ?2 ?; W. K# YXX5533 230V/50HZ 辐射波形 # h: g! t- L2 k$ _' H; v* `
CR6890H 230V/50HZ 辐射波形 ' E# W$ V& t) ]0 ]$ H1 r6 y
CR6890H 230V/50HZ 辐射波形 1 ^& S- ?6 G( e5 p' y) I2 x7 w
对比结果6 i- G. O0 E4 l9 U
" b( J% Z! T! ]* M+ x. e电性基本一致，CR6890H效率更高。
; r- ~ e& u7 j2 U1 D
' c( N* f2 a# J" s) D/ N |
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发表于 2023-3-16 10:50:13
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