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两款电源芯片对决,谁能遥遥领先?看完测试报告有答案

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发表于 2023-3-16 10:50:13 | 显示全部楼层 |阅读模式
本帖最后由 思睿达小妹妹 于 2023-3-16 10:55 编辑 ! o0 ?% T1 u; j

3 k9 z7 b: D+ L- B$ c* ]& ^当今世界,人们的生活已是片刻也离不开电子设备。电源管理芯片在电子设备系统中担负起对电能的变换、分配、检测及其它电能管理的职责。电源管理芯片对电子系统而言是不可或缺的,其性能的优劣对整机的性能有着直接的影响。
* |' A* v/ F( V) G" e- T5 O5 }! w$ _3 R2 s" G! x% p
电源管理芯片的应用范围十分广泛,例如本公司主推的CR6890H可应用在AC/DC适配器、电机类适配器、充电器等。接下来,我们将CR6890H和电源IC XX5533进行对比测试,看看哪一款IC更胜一筹!
( f0 y9 G0 c) i7 Y
' n* ]; D) U. b7 Z  {; g关于CR6890H0 Y* q4 ~, r- y3 b- H+ G

$ C' i# J# J9 x- o  @6 YCR6890H是一款高集成度、低待机功耗的CCM+PFM混合电流模式PWM控制器。CR6890H轻载时会降低频率,最低频率22kHz可避免音频噪声。CR6890H提供了完整的保护功能,如cycle-by-cycle电流限制、OCP、OTP、VDD_OVP、UVLO等,还可以通过PRT脚分别精确设置外置过温保护和输出电压过压保护。软启动功能可以减少系统启动时MOSFET的应力,前沿消隐时间简化了系统应用。通过频率抖动和软驱动电路的设计,降低开关噪声,简化了EMI设计。CR6890H提供SOT23-6L的封装。! v' v6 V0 e5 P, C3 \8 K! @4 q( {8 j' u
; T! k$ n1 V% T+ N! d" F
主要特点
* u9 B0 v' }) v4 m1 ^$ T/ b/ Y! T7 }) h+ ?. O. r2 V2 Q8 C& z& ~
● 较低的启动电流(大约3μA)
# D/ Y0 f3 m" n& z. ?, d● 内置软启动减少MOSFET应力7 v% X: a9 L1 T. n1 J. H1 D
● CCM+PFM控制模式
' _( W' E# F3 y, J$ ^# D● 内建同步斜坡补偿,消除次谐波震荡( a0 x* W! m) W! R, g' r
● 内建频率抖动功能,降低EMI+ ~& T9 ^) S& x; r! a% f
● 内置65kHz开关频率* T7 b/ m' G3 i  h$ O6 X
● 轻载降低工作频率) f! ^& \  }% q) ]" o7 s
● 15ms倍频模式$ {' [6 f$ D% d
● 可编程外置过温保护并进入latch
; J. t5 g/ ^" t8 j# h* q: C● VDD过压保护和输出过压保护功能并进入latch- A# {- a6 p9 n: m& O
● 内置前沿消隐电路# Q* x2 ?7 {# v
● 内置输出二极管短路保护
- {+ r$ z: ]- p● 内置过温保护并进入latch
2 R: ^1 v$ `; j: j& K● 过载保护1 t8 Y  b. v' m( {" q3 p. O
● SOT23-6L封装
# I  \" a" X# T# u* Q3 ^# L# I- t; ]' t: z  H9 m% _- O
基本应用6 {  Q! I' w; X
& e( E" `7 G8 X. M, J7 t8 F
● AC/DC适配器
) a& ~5 u* S- E● 电机类适配器' E% p, C' n! a5 Y6 k
● 充电器7 S# N. I, s  Z" {* D0 |7 e- H
● 存储设备电源
& k4 a4 G( g7 {% ]+ u7 r- I9 ^3 j7 M$ Z4 X; Y
典型应用5 }, b2 Q/ N) t, E6 ]
管脚排列) z% [% K7 ]! O7 O; T7 P
管脚描述! P( r- b* S0 Z2 j+ \& R+ T
" q) ~4 z- V3 v: N
一、样机规格" ^- o& ^" t! i  h3 H
: A7 C1 Q% m9 D8 U
输出电压12V,输出负载5A,IC lot:HHP02。
! B- ]+ C/ v9 P/ G( c6 Y  y
( g7 a) l- O+ F  a修改参数:
" I" F  L) n) X+ C8 ^9 j. z& O0 S3 A) A; _/ q
替换IC,RS1电阻由0.33R改为0.27R(直接并1R电阻)R9由47R改为200R,R8由33R改为20R。
- h/ |; I" n! \+ K
5 m8 ^8 j5 s% Q, h( t( ^0 q$ U# `二、基本电性参数1 _" F6 Q: ?" n" l' B' T& ]2 `
三、基本波形9 b* i! b; \% N7 V9 i' R! s

2 ^/ n" p% \1 f0 E; Y
XX5533 264V/50HZ MOS波形

9 C4 A9 U: j1 _% x' G4 l% D
CR6890H 264V/50HZ MOS波形

4 [( r! Q5 d& n6 x( D
XX5533 264V/50HZ 肖特基波形

. H/ k0 k  N# [. f* ]+ ]( a
CR6890H 264V/50HZ 肖特基波形
  e4 X4 {8 B( \" K" j9 e2 ^
XX5533 264V/50HZ GATE波形

. y. u% L) M" R$ s4 o
CR6890H 264V/50HZ GATE波形

1 B5 _4 \: |, u7 v" X' x
XX5533 230V/50HZ 传导波形 N

: t+ P9 ]$ H! {* B6 b& G1 T
XX5533 230V/50HZ 传导波形 L

5 h" {% n. {% l  y1 I6 u% x5 y
CR6890H 230V/50HZ 传导波形 N

! l# N) q- C; I4 L% C8 i
CR6890H 230V/50HZ 传导波形 L
" c, B5 ?) V! x# Z5 K% Z
XX5533 230V/50HZ 辐射波形
. G* N; ]7 w6 F' C
XX5533 230V/50HZ 辐射波形

* M# m+ L+ F; t3 u0 X
CR6890H 230V/50HZ 辐射波形
- j* c7 Q5 s7 G
CR6890H 230V/50HZ 辐射波形
+ t( r7 ^# m2 Y+ T0 [# j' _
对比结果8 @6 K: L7 a3 {2 m- i4 Q6 T; @/ M* f9 w! E
6 w5 A0 D( e. @0 p) c6 n
电性基本一致,CR6890H效率更高。
6 |* g4 Q/ k+ j( j& j# {2 g5 S6 o' ~5 Y: l# `

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