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两款电源芯片对决,谁能遥遥领先?看完测试报告有答案

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发表于 2023-3-16 10:50:13 | 显示全部楼层 |阅读模式
本帖最后由 思睿达小妹妹 于 2023-3-16 10:55 编辑
# [8 N3 g% G# P8 C- c) y- M3 c; E# u8 A; {) [2 g& c
当今世界,人们的生活已是片刻也离不开电子设备。电源管理芯片在电子设备系统中担负起对电能的变换、分配、检测及其它电能管理的职责。电源管理芯片对电子系统而言是不可或缺的,其性能的优劣对整机的性能有着直接的影响。
5 \% v# o+ `! a$ a# ?4 ~$ s/ y6 m' P1 B: x9 l$ |9 d. r4 |2 j  [
电源管理芯片的应用范围十分广泛,例如本公司主推的CR6890H可应用在AC/DC适配器、电机类适配器、充电器等。接下来,我们将CR6890H和电源IC XX5533进行对比测试,看看哪一款IC更胜一筹!3 ]" ]" N- n& k7 N5 s/ T
( `# L- L+ e  B$ S
关于CR6890H
* [4 b) K( {$ }, R) ?+ t* p% O) g4 A# ~2 L8 @
CR6890H是一款高集成度、低待机功耗的CCM+PFM混合电流模式PWM控制器。CR6890H轻载时会降低频率,最低频率22kHz可避免音频噪声。CR6890H提供了完整的保护功能,如cycle-by-cycle电流限制、OCP、OTP、VDD_OVP、UVLO等,还可以通过PRT脚分别精确设置外置过温保护和输出电压过压保护。软启动功能可以减少系统启动时MOSFET的应力,前沿消隐时间简化了系统应用。通过频率抖动和软驱动电路的设计,降低开关噪声,简化了EMI设计。CR6890H提供SOT23-6L的封装。7 w! Q: A/ M7 R$ i0 @
* ]% e& d, |* J3 }
主要特点8 R/ e( c5 m' r9 ^

8 }  E/ E/ X! F● 较低的启动电流(大约3μA)2 b- D4 L* V3 D; m, T
● 内置软启动减少MOSFET应力
" L1 u/ h( h. S6 A● CCM+PFM控制模式
% _) p9 t- q* @( K7 k$ h5 [● 内建同步斜坡补偿,消除次谐波震荡
4 z9 X6 k8 |$ }/ |- f7 z● 内建频率抖动功能,降低EMI
- s# J2 F' X$ ^$ ], W/ n● 内置65kHz开关频率6 \6 o: T" a  f) c/ v$ c
● 轻载降低工作频率" \1 I6 F  H3 H; E& G- i4 V) u$ I
● 15ms倍频模式
; }  Q$ Q0 x. Z+ i- M7 u% y6 L● 可编程外置过温保护并进入latch" H' g6 I  n6 `; v* g
● VDD过压保护和输出过压保护功能并进入latch
7 f- ~# V5 o: N7 U● 内置前沿消隐电路. g2 M, u* ]& l5 P# D5 D6 U3 c0 g
● 内置输出二极管短路保护
# `" Y* |% Q7 a- z5 o● 内置过温保护并进入latch
$ k0 ]. C/ H. k● 过载保护
1 n# I# f1 \' t* X* b% q! m● SOT23-6L封装
1 _. ?" h+ \* n4 e: H+ g1 z* T" e' ]  _7 p8 C. }. v9 _4 l0 Y4 s
基本应用
# m) K9 F2 D% q  ?
) m+ ]+ Q" E% @  O5 O# I  s) P● AC/DC适配器
3 R; _( Q% J# ~# H● 电机类适配器. c3 I6 F' ]; f. _  Z  T% @
● 充电器
0 Y9 F9 A' c' s# h● 存储设备电源5 I7 P/ n+ t, S5 Q
: A* l9 R$ q! V% U* @% }- r
典型应用! ^% S1 [  O( M7 A* }1 s
管脚排列" k8 U) s2 O- c3 }: @2 e
管脚描述
  D1 s) k8 z& O9 r: l

) r1 i: |' l' T一、样机规格
) p* W# u( w1 @3 z0 t/ T, @* B/ c  t/ X- T# s: Y
输出电压12V,输出负载5A,IC lot:HHP02。! D' ~- d3 C6 \" A2 R

" D& `! ^: D/ E- N$ X& R7 Q* m9 t修改参数:
* s0 Z$ {9 j7 o7 r" a( S) G
; S" V3 k* `: v% p8 C# T  |: I- ?替换IC,RS1电阻由0.33R改为0.27R(直接并1R电阻)R9由47R改为200R,R8由33R改为20R。
4 g. L# E3 ~! v/ q- i) ^, f+ n
+ u" I0 W+ g: A% w二、基本电性参数% s/ V; N! ]1 Q
三、基本波形
6 s( N5 r: W8 k0 N& R- a% I0 f. ^/ g3 B4 q* \) ]
XX5533 264V/50HZ MOS波形
; C: ~! M2 A5 H
CR6890H 264V/50HZ MOS波形

+ Y$ U+ s/ L8 P3 h
XX5533 264V/50HZ 肖特基波形

' h' O6 {7 I$ N! ~! d, f3 j! E4 O
CR6890H 264V/50HZ 肖特基波形
" G7 A0 f7 }' v; f: i
XX5533 264V/50HZ GATE波形
( u  g! h. `/ f" l' g- W) |( x+ ?
CR6890H 264V/50HZ GATE波形
* }4 w  D& I* D% Q
XX5533 230V/50HZ 传导波形 N

: b! e1 v  D! m6 c
XX5533 230V/50HZ 传导波形 L

" B- F# _. z8 ]7 ^9 N. B
CR6890H 230V/50HZ 传导波形 N
2 l0 d4 k, [  O# c6 G# e
CR6890H 230V/50HZ 传导波形 L

+ Q; R4 g/ y, D2 X- n+ Q) x
XX5533 230V/50HZ 辐射波形

& f1 O0 X. `, {3 U8 s. J* t1 ?
XX5533 230V/50HZ 辐射波形
" t8 C/ U) m8 o: z
CR6890H 230V/50HZ 辐射波形
3 l! W1 i4 @/ p) D7 o# G
CR6890H 230V/50HZ 辐射波形

% [/ G' s8 X; T对比结果) R' r2 X0 M0 k5 b$ T' a* K; E7 c

( n/ G3 R5 k/ o" ~7 n! i  J' Z, f5 ?电性基本一致,CR6890H效率更高。
& Y* X. [1 \1 }4 n/ Q# c0 G' H1 k( O  h, g9 g

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