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两款电源芯片对决,谁能遥遥领先?看完测试报告有答案

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发表于 2023-3-16 10:50:13 | 显示全部楼层 |阅读模式
本帖最后由 思睿达小妹妹 于 2023-3-16 10:55 编辑 7 F$ F+ Y* j0 ~
0 D! Y/ c& W6 ^  h" ~7 }; m8 @
当今世界,人们的生活已是片刻也离不开电子设备。电源管理芯片在电子设备系统中担负起对电能的变换、分配、检测及其它电能管理的职责。电源管理芯片对电子系统而言是不可或缺的,其性能的优劣对整机的性能有着直接的影响。
. l: u+ c7 y2 J% }2 m) h% G" g4 W) Y# l& ^
电源管理芯片的应用范围十分广泛,例如本公司主推的CR6890H可应用在AC/DC适配器、电机类适配器、充电器等。接下来,我们将CR6890H和电源IC XX5533进行对比测试,看看哪一款IC更胜一筹!  M6 E3 }, Y3 y6 `/ b

& A: `  B6 ]- s. J7 K关于CR6890H( y! S7 E& x9 l  G

, d2 @, i9 m* SCR6890H是一款高集成度、低待机功耗的CCM+PFM混合电流模式PWM控制器。CR6890H轻载时会降低频率,最低频率22kHz可避免音频噪声。CR6890H提供了完整的保护功能,如cycle-by-cycle电流限制、OCP、OTP、VDD_OVP、UVLO等,还可以通过PRT脚分别精确设置外置过温保护和输出电压过压保护。软启动功能可以减少系统启动时MOSFET的应力,前沿消隐时间简化了系统应用。通过频率抖动和软驱动电路的设计,降低开关噪声,简化了EMI设计。CR6890H提供SOT23-6L的封装。
3 N! A: m& B  @% z5 c+ J& c
, \4 z! i6 k) A6 p: [  G2 `; k8 t主要特点2 k8 x6 O+ a! @$ k) _

7 d. s7 s( a! b. m. H3 D. F  q● 较低的启动电流(大约3μA)/ s0 @  r  b% U" `: {
● 内置软启动减少MOSFET应力4 h3 _3 M2 E/ l/ b1 T9 q
● CCM+PFM控制模式* x( ]) `1 B! L$ x/ v# h( o( y  `
● 内建同步斜坡补偿,消除次谐波震荡
% x; w" D! m) E3 W/ H/ f● 内建频率抖动功能,降低EMI
5 S0 @3 ]; F, q4 t1 [1 P" `● 内置65kHz开关频率- ?' X1 I; F# e; N/ k6 o; a
● 轻载降低工作频率8 z2 b5 A. O. o1 q2 A/ G
● 15ms倍频模式
" T8 J9 E# m. C2 h1 |8 v( M● 可编程外置过温保护并进入latch! N5 A( `8 J5 M4 D* [2 P. [, g6 ]) x
● VDD过压保护和输出过压保护功能并进入latch
, X. E, X$ v, @! s' \1 R1 U● 内置前沿消隐电路* a( v+ G5 p1 x0 }; L1 y9 M
● 内置输出二极管短路保护
, K" J# T$ D: H/ H9 Y● 内置过温保护并进入latch# h8 \5 m1 i5 y) B' H
● 过载保护
& u2 [& p7 M3 e5 o● SOT23-6L封装8 E% ~# S' h; N2 Y3 W: L2 T; B

0 Z$ E' E/ |! }) d( ]基本应用" c! K$ m8 T4 P* o) P- v' R, t2 y

% @5 Z6 O+ K2 |& h● AC/DC适配器. F; G& ]  H5 J, A: C$ P# E4 Z: B
● 电机类适配器8 i3 T" T  E7 D6 |0 Y3 e$ I
● 充电器4 l2 _7 e' t. _$ ~' r) ?. n
● 存储设备电源& @( N: o& F! e9 m

3 J# `0 [, L% J7 j典型应用" X2 d4 Y4 ], m
管脚排列
, u9 |  h3 |/ z3 `# |
管脚描述8 i& b( D# q7 ~5 Q8 i

' D4 m3 m: a$ e- V3 U一、样机规格
  x. t8 ^" |9 T0 C" M6 S9 H1 n9 s. {% l& F+ t
输出电压12V,输出负载5A,IC lot:HHP02。2 C8 E5 q. X, F

5 y( S5 X& P0 Y$ t4 a' s& t. a修改参数:
9 L& H& Z# Q8 _6 c, M( ?/ \* D: Z, A# m$ N! F* m4 P
替换IC,RS1电阻由0.33R改为0.27R(直接并1R电阻)R9由47R改为200R,R8由33R改为20R。
2 G8 l3 [3 C7 r$ }2 L' [3 J7 E6 L/ I- _& ~, V
二、基本电性参数7 ~# l" Z" @* x3 Z/ p5 \
三、基本波形
9 e  ]- N' q+ w) R- p, K+ @
) O$ K/ S4 |1 L- I
XX5533 264V/50HZ MOS波形
6 E/ O7 m6 P4 M  \/ B
CR6890H 264V/50HZ MOS波形

0 h1 {" N- @* J% [. f
XX5533 264V/50HZ 肖特基波形
: p% Q3 g! R5 }+ C
CR6890H 264V/50HZ 肖特基波形

$ D0 r9 U4 U8 V+ M  v, s
XX5533 264V/50HZ GATE波形

( d3 r0 D3 a6 ?
CR6890H 264V/50HZ GATE波形

/ I- |9 [. I$ k/ E% d
XX5533 230V/50HZ 传导波形 N
& `9 l( p+ `0 r4 |, h) p, r
XX5533 230V/50HZ 传导波形 L

4 t0 }8 T. I1 [2 X4 H% l$ ]) ?, O
CR6890H 230V/50HZ 传导波形 N
6 ?9 u4 t, B( ?( \6 A* q% b8 [
CR6890H 230V/50HZ 传导波形 L
# N! o3 f2 ]0 b5 Q
XX5533 230V/50HZ 辐射波形

* C4 l3 _1 M- @' T6 A3 P2 U% W! V
XX5533 230V/50HZ 辐射波形

" C- h8 N& b7 u4 O5 H' L
CR6890H 230V/50HZ 辐射波形

: F4 u- W  m: ~
CR6890H 230V/50HZ 辐射波形

  s& b; l4 z; h对比结果7 P5 E6 y- f0 ]
. d6 D- u% e5 b. K
电性基本一致,CR6890H效率更高。
7 B0 e7 u8 d' M' T+ ?% t6 i0 n+ p

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