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两款电源芯片对决,谁能遥遥领先?看完测试报告有答案

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发表于 2023-3-16 10:50:13 | 显示全部楼层 |阅读模式
本帖最后由 思睿达小妹妹 于 2023-3-16 10:55 编辑 9 N& \/ u. I! c/ t% U1 c) m
* Z* d0 W. t0 D
当今世界,人们的生活已是片刻也离不开电子设备。电源管理芯片在电子设备系统中担负起对电能的变换、分配、检测及其它电能管理的职责。电源管理芯片对电子系统而言是不可或缺的,其性能的优劣对整机的性能有着直接的影响。
; a6 {' ^3 ]2 V5 L0 Y- g  y! P
* S( |  C9 g6 G: ^' q) B% x电源管理芯片的应用范围十分广泛,例如本公司主推的CR6890H可应用在AC/DC适配器、电机类适配器、充电器等。接下来,我们将CR6890H和电源IC XX5533进行对比测试,看看哪一款IC更胜一筹!
* v" X% S) s! k: e1 a
8 ^, m1 |" i1 [  u; u- o1 Q关于CR6890H
4 M; x  Q/ q  v, f; B1 f
4 X" f+ G7 P; p& ?0 OCR6890H是一款高集成度、低待机功耗的CCM+PFM混合电流模式PWM控制器。CR6890H轻载时会降低频率,最低频率22kHz可避免音频噪声。CR6890H提供了完整的保护功能,如cycle-by-cycle电流限制、OCP、OTP、VDD_OVP、UVLO等,还可以通过PRT脚分别精确设置外置过温保护和输出电压过压保护。软启动功能可以减少系统启动时MOSFET的应力,前沿消隐时间简化了系统应用。通过频率抖动和软驱动电路的设计,降低开关噪声,简化了EMI设计。CR6890H提供SOT23-6L的封装。9 ~+ H$ m1 H7 Z/ H# \( y1 g! P; M
+ x* k% Q* W* g) S6 y* J+ U3 h
主要特点
. V; u" s! Y4 C2 I; F0 w
' Z4 d( Y: c, O( H' L2 [● 较低的启动电流(大约3μA)
# S  o  D, E6 W8 f4 K: {6 i) ]4 j● 内置软启动减少MOSFET应力
( I" ^. Z# P$ U, F/ M& m● CCM+PFM控制模式1 H; B3 e0 U3 O1 H0 d% e* X
● 内建同步斜坡补偿,消除次谐波震荡% D( F8 _! D/ t9 }
● 内建频率抖动功能,降低EMI
4 k/ Y8 _( L, w5 g$ {4 t● 内置65kHz开关频率
% Q5 Q1 G: x- \3 N! @* `● 轻载降低工作频率
: D/ R1 b" i% L2 y● 15ms倍频模式/ U) v& Y) O: \, `' s  G+ {7 h9 A
● 可编程外置过温保护并进入latch
  X. {" O; G  V! N& A& e# r; X● VDD过压保护和输出过压保护功能并进入latch
, b, L6 }- ^& ^, s/ ~3 c● 内置前沿消隐电路" `4 m6 [7 I4 ~6 K1 J
● 内置输出二极管短路保护0 ]( r& V) I' w' _: k. V$ B6 m
● 内置过温保护并进入latch5 b- o8 i# [) n0 T$ ~/ O: T' F' l
● 过载保护
$ G3 h5 @4 m6 f9 ~● SOT23-6L封装
. g: Y. V9 U2 r
1 V9 c% J2 ^+ [* B; M1 i基本应用
( X# M  \1 \4 ~% R2 o0 y6 I) k8 t* V8 U
● AC/DC适配器
4 `% X' _+ `; r$ W* p( K8 N( I● 电机类适配器' i& ]! l& O9 ?
● 充电器  v* }2 L* H1 U9 \
● 存储设备电源
, h: e) |2 L0 r$ g
) B/ l0 c' r5 s; L典型应用4 A  P8 Y0 ~9 X, h9 O
管脚排列
' U6 ^$ J( H. g% F4 L
管脚描述
: u. E4 d& s, u0 M; B/ T* l* f

' j! l. i3 W& k+ y  v% d4 q+ G& f一、样机规格
3 h2 t/ n: ?2 q: f, i3 v
* V- E  n8 y8 E5 ~4 N8 ]输出电压12V,输出负载5A,IC lot:HHP02。. ]( q4 z5 z3 T# Q

9 u/ G" K" k( w# y. `1 I2 I3 e% t修改参数:$ s& d0 f% l% S- C

+ s0 R; }! h0 e7 L' z- b; j替换IC,RS1电阻由0.33R改为0.27R(直接并1R电阻)R9由47R改为200R,R8由33R改为20R。) X. i! V! q3 d  r9 {9 e4 f
3 b$ A+ d: j' a+ i2 L9 F, i
二、基本电性参数$ e) d- D1 {/ |' a9 S
三、基本波形
( _& @; A. S& }3 d
* `  U' v% r, G
XX5533 264V/50HZ MOS波形

& o, b8 h/ ~2 `0 D
CR6890H 264V/50HZ MOS波形
+ W7 D4 L$ z$ o& X$ h+ R
XX5533 264V/50HZ 肖特基波形
+ _2 i8 u( F0 C; g9 t: Z7 s
CR6890H 264V/50HZ 肖特基波形

* g+ I# N2 J0 C! T& e
XX5533 264V/50HZ GATE波形

# m) {( t( w. [0 a! M
CR6890H 264V/50HZ GATE波形

) \  ^9 o2 H  E; C& P  f
XX5533 230V/50HZ 传导波形 N

0 _& R5 t9 D7 i+ ]1 h' E' u% V
XX5533 230V/50HZ 传导波形 L

" ?) |0 n( ?7 T9 x
CR6890H 230V/50HZ 传导波形 N

2 `5 p, e! [9 s! o  I( z' A2 N
CR6890H 230V/50HZ 传导波形 L
! l& T: T: T8 ?7 R7 Y- a5 Z
XX5533 230V/50HZ 辐射波形
3 e& z3 t  M; l  S7 V
XX5533 230V/50HZ 辐射波形
* y( Y9 [8 i3 ^7 ~: f" w6 a4 [
CR6890H 230V/50HZ 辐射波形

) N& M4 }* ^: u! g
CR6890H 230V/50HZ 辐射波形

$ E5 U: X4 s" O& n对比结果: l" |# a2 B' V* ?% d
# m+ g0 v- ?, D
电性基本一致,CR6890H效率更高。
! D  f3 v6 F% x6 G7 m+ F
5 |. q# D, Y$ \, @/ J+ o9 }

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