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两款电源芯片对决,谁能遥遥领先?看完测试报告有答案

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发表于 2023-3-16 10:50:13 | 显示全部楼层 |阅读模式
本帖最后由 思睿达小妹妹 于 2023-3-16 10:55 编辑 + w6 j5 m  b1 y: V' Q

9 W$ L- l: k- @& n/ ?- i当今世界,人们的生活已是片刻也离不开电子设备。电源管理芯片在电子设备系统中担负起对电能的变换、分配、检测及其它电能管理的职责。电源管理芯片对电子系统而言是不可或缺的,其性能的优劣对整机的性能有着直接的影响。: p# _1 y/ f. h- {; a
8 }) `) `1 D+ {- B$ J" [3 F# `2 X
电源管理芯片的应用范围十分广泛,例如本公司主推的CR6890H可应用在AC/DC适配器、电机类适配器、充电器等。接下来,我们将CR6890H和电源IC XX5533进行对比测试,看看哪一款IC更胜一筹!; v9 S  E7 x, o/ E, \

3 }( F  v( H, h9 @/ Z3 G  I$ ^5 y& Q关于CR6890H( G3 C7 u/ v' K  x* v
  l2 z% n+ d' W* _& R
CR6890H是一款高集成度、低待机功耗的CCM+PFM混合电流模式PWM控制器。CR6890H轻载时会降低频率,最低频率22kHz可避免音频噪声。CR6890H提供了完整的保护功能,如cycle-by-cycle电流限制、OCP、OTP、VDD_OVP、UVLO等,还可以通过PRT脚分别精确设置外置过温保护和输出电压过压保护。软启动功能可以减少系统启动时MOSFET的应力,前沿消隐时间简化了系统应用。通过频率抖动和软驱动电路的设计,降低开关噪声,简化了EMI设计。CR6890H提供SOT23-6L的封装。5 s' l) B8 g/ o9 c6 l+ g
* q+ ^9 v4 a7 B# I/ L
主要特点
: D5 h2 X& B  \) M/ Y  A& P
7 `5 M% a& L' g, R; i4 I  c+ ]" p● 较低的启动电流(大约3μA)4 h  z2 a8 o9 S  W7 F. p3 M
● 内置软启动减少MOSFET应力
- z; g* q, k. W* v3 i● CCM+PFM控制模式
1 M* J8 ^' X& W0 b' M' ^; j● 内建同步斜坡补偿,消除次谐波震荡
) A( k: D9 z4 N' B. s● 内建频率抖动功能,降低EMI: K) ]) e# V! y5 N0 h: C6 L+ M. c4 c
● 内置65kHz开关频率, T) Y0 T% w5 a; U3 B/ z# I8 \& G& _
● 轻载降低工作频率$ H" x9 b1 B* s3 e" N) c# D. X
● 15ms倍频模式) c( K2 Z) x$ H3 K% @5 n
● 可编程外置过温保护并进入latch, I# Z9 N2 Z! [/ h: A1 v) `" Z
● VDD过压保护和输出过压保护功能并进入latch5 Q0 g: I! L( \
● 内置前沿消隐电路$ h) U4 }+ f0 ~
● 内置输出二极管短路保护
' w! o5 u, H, L" a( z, P7 u* i( W● 内置过温保护并进入latch
9 E3 ~  x3 o# E1 P! N: Y● 过载保护
  e- F8 S) ^+ m4 D● SOT23-6L封装/ V% H1 A8 p4 [/ X$ F

! O  L. o2 z! w  \9 M基本应用
& O. y8 }" e" `$ s& L2 G3 I+ }1 N) A7 s! _! z) a% c2 h
● AC/DC适配器! N: m7 z: F4 M! O9 z% V! O: |
● 电机类适配器6 |1 z, x; _7 V4 O
● 充电器
( Z1 u/ r6 W; u) v● 存储设备电源/ q  u7 {9 v  b8 k- F
* w- b0 e5 Q$ n. {! R! M! @
典型应用
) O; I( X! q$ |+ W9 y
管脚排列: c; j9 H& `# Z( a( b
管脚描述
$ c4 L$ Y& f1 f  B0 C5 O1 Q& L& }
0 ~: `4 J$ F' P( W
一、样机规格, ^. Y: c( J- y5 o( ?* V) H

- ]& g$ r% T+ i/ Q$ j% ^, B/ g输出电压12V,输出负载5A,IC lot:HHP02。9 S0 n9 I6 Z5 l( l) X* e

' w1 A, }/ d) y8 m7 E修改参数:4 R6 k3 N* X# t& T+ v8 }

5 G+ Q% R3 D) S2 u7 R替换IC,RS1电阻由0.33R改为0.27R(直接并1R电阻)R9由47R改为200R,R8由33R改为20R。
6 S( W; ?6 `3 S% z8 S0 U8 \- }! |1 m: S7 ?2 [
二、基本电性参数) B- s% d- e2 _% o- I
三、基本波形3 r8 I. w2 Q' T1 @

; G5 E! `" Q( y; F* k0 w* M% l
XX5533 264V/50HZ MOS波形

6 D) Q& `+ ^7 \8 }0 s4 l! T
CR6890H 264V/50HZ MOS波形

1 v- s* X4 U/ B; h+ |& v1 @
XX5533 264V/50HZ 肖特基波形
* p) B& F! W" W& o9 H4 w8 E+ }& t
CR6890H 264V/50HZ 肖特基波形
' @# `, I$ B6 d2 R  c: z8 P$ L$ m3 G
XX5533 264V/50HZ GATE波形
4 U* K8 Y: y5 ?4 W% U# a0 b8 u9 s
CR6890H 264V/50HZ GATE波形
8 t. z1 m- W* B6 N
XX5533 230V/50HZ 传导波形 N

2 g( t* e6 S9 y3 o1 D: z7 e5 \% M
XX5533 230V/50HZ 传导波形 L
7 A$ w% b; o# g" }( Y4 J+ a  E
CR6890H 230V/50HZ 传导波形 N

- }/ I& c& G; N) }# z
CR6890H 230V/50HZ 传导波形 L
0 m+ F; v2 `' a8 h, q
XX5533 230V/50HZ 辐射波形

! A9 N- N) e8 E3 x( D
XX5533 230V/50HZ 辐射波形

# w8 e" T7 Q0 ^6 s' K$ B
CR6890H 230V/50HZ 辐射波形
8 h( V( a" z+ u* [! ^/ g
CR6890H 230V/50HZ 辐射波形
0 s+ h: i# h* D4 R# {9 v! _
对比结果
- G+ R+ ^8 w& u( s
8 a3 V2 b6 m, F* ]9 C( a' q4 ~" N% J电性基本一致,CR6890H效率更高。
1 k' F3 g& M, T" {  l" i
- G7 N0 K# f  c+ C

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