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两款电源芯片对决,谁能遥遥领先?看完测试报告有答案

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发表于 2023-3-16 10:50:13 | 显示全部楼层 |阅读模式
本帖最后由 思睿达小妹妹 于 2023-3-16 10:55 编辑 ) O6 S7 w3 y6 w. p: t

$ `$ H7 Q2 I7 H当今世界,人们的生活已是片刻也离不开电子设备。电源管理芯片在电子设备系统中担负起对电能的变换、分配、检测及其它电能管理的职责。电源管理芯片对电子系统而言是不可或缺的,其性能的优劣对整机的性能有着直接的影响。& H  [. m$ D% W: F& G$ s: L
8 O, l: X0 S) K% @0 [! ~/ p
电源管理芯片的应用范围十分广泛,例如本公司主推的CR6890H可应用在AC/DC适配器、电机类适配器、充电器等。接下来,我们将CR6890H和电源IC XX5533进行对比测试,看看哪一款IC更胜一筹!
2 l, F. h! P! W" B; V* E
" o% G; V" ~  ?* P关于CR6890H0 c' V, t0 r; X9 c1 M
. r; F, ]& `3 G0 H+ k' ^$ L5 q
CR6890H是一款高集成度、低待机功耗的CCM+PFM混合电流模式PWM控制器。CR6890H轻载时会降低频率,最低频率22kHz可避免音频噪声。CR6890H提供了完整的保护功能,如cycle-by-cycle电流限制、OCP、OTP、VDD_OVP、UVLO等,还可以通过PRT脚分别精确设置外置过温保护和输出电压过压保护。软启动功能可以减少系统启动时MOSFET的应力,前沿消隐时间简化了系统应用。通过频率抖动和软驱动电路的设计,降低开关噪声,简化了EMI设计。CR6890H提供SOT23-6L的封装。
# F# W8 d8 q+ ~+ q- e
; R/ R0 A, l; P$ q( P6 \. j主要特点
, C/ h2 }5 q+ N3 I! r
+ ?1 \, T/ i1 G● 较低的启动电流(大约3μA)) G3 w& R3 N! U
● 内置软启动减少MOSFET应力! r4 S3 v" J9 M& t7 i/ e- l
● CCM+PFM控制模式
/ \- l4 h$ A: e: I1 H. p. U& K1 n● 内建同步斜坡补偿,消除次谐波震荡$ @& N4 ^( P) D; j; _
● 内建频率抖动功能,降低EMI
- ~# z: i* o" u5 I$ z● 内置65kHz开关频率
/ f7 j. r% o; H% p8 M) H● 轻载降低工作频率  e8 d% J0 u9 w% W" k2 d+ c
● 15ms倍频模式1 O/ m' E+ J1 V" @3 l  I
● 可编程外置过温保护并进入latch$ Q; y6 r( p, E- F& a* n
● VDD过压保护和输出过压保护功能并进入latch
$ [3 W3 _6 c8 r1 a● 内置前沿消隐电路% d. r) V5 [" _' x" H
● 内置输出二极管短路保护
. A+ B5 z# \) C9 C; c● 内置过温保护并进入latch8 \& W. H1 y, z/ ]4 _
● 过载保护/ N# ~! j) M# x3 h7 q0 F: c
● SOT23-6L封装
' O7 m" q* q* O) `7 ?* x, j$ a' ?7 W$ J. {- n
基本应用
) G% m/ P5 e* Q8 I# T6 R2 [4 K" N
● AC/DC适配器( Y7 @- U( I, E* ^6 z
● 电机类适配器
" Q& j7 M  p% K  @# a# u● 充电器
/ t* ?" H6 f1 Q4 j- z: |● 存储设备电源. V5 ^. k' {! X8 F) b# S
! Q) ]. B/ O; H9 l6 d8 z
典型应用
; B4 Z- C! r1 `6 t. I( d
管脚排列
7 C/ Q+ k+ B7 h+ k
管脚描述
$ i- A5 K" q$ S, M2 F. K0 d5 V; N# \

5 w+ r" c2 y$ g0 H, L0 W4 l一、样机规格/ a% z: Q! r9 Q% Y1 g0 a2 w
0 {: [6 f: G9 U( L
输出电压12V,输出负载5A,IC lot:HHP02。' T$ a' D2 N) f' P

/ g7 w2 F7 O; `. V修改参数:& O0 @# l0 J# K* _

2 T  ?7 E' U5 z$ A2 z/ Z替换IC,RS1电阻由0.33R改为0.27R(直接并1R电阻)R9由47R改为200R,R8由33R改为20R。+ G. j! v) v- @: m$ _/ i

  i+ `2 J1 w2 P! R3 o& q& j( k二、基本电性参数$ H( c9 u" H9 F+ \* V4 o
三、基本波形
# a' h3 e3 K8 a- P
  M! P7 A' `! R; F% v* w" }
XX5533 264V/50HZ MOS波形

5 C+ J9 Y% k7 k4 t$ |
CR6890H 264V/50HZ MOS波形

" a: p! U" G+ w9 A3 K, u& }. E
XX5533 264V/50HZ 肖特基波形
4 y4 Z. y. [' {$ ]. a/ Z/ [0 H9 `6 t
CR6890H 264V/50HZ 肖特基波形

, q7 A) e/ Z, @1 A; e- A+ f+ X9 Y
XX5533 264V/50HZ GATE波形

/ C% M4 v! Z" h& ~1 y% [" ?& E" y' ]
CR6890H 264V/50HZ GATE波形

" O/ W- M$ S! Y
XX5533 230V/50HZ 传导波形 N
  f$ D" x; i: U& S1 c
XX5533 230V/50HZ 传导波形 L

. \9 L: R" }' {
CR6890H 230V/50HZ 传导波形 N

; t7 {" \* k* L" \' |( e
CR6890H 230V/50HZ 传导波形 L

8 u- h- g4 n% A  S$ h1 Q, t/ j
XX5533 230V/50HZ 辐射波形

5 Z( G  J) M  X" t& ^
XX5533 230V/50HZ 辐射波形
4 J& ~7 C1 S' B0 T" N; |/ V
CR6890H 230V/50HZ 辐射波形
1 ^4 B2 _5 v! h) a
CR6890H 230V/50HZ 辐射波形

' ?! n  _, ?) w6 w4 @7 e对比结果5 y* A5 z! B* H" ]8 L4 i
  w7 n; V" f- g5 A. `
电性基本一致,CR6890H效率更高。4 i5 t7 H8 y3 |' x# {  W( n) k

( @5 Q1 N8 T( e9 w

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