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本帖最后由 思睿达小妹妹 于 2023-3-16 10:55 编辑
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3 c$ z; D k) \6 J当今世界,人们的生活已是片刻也离不开电子设备。电源管理芯片在电子设备系统中担负起对电能的变换、分配、检测及其它电能管理的职责。电源管理芯片对电子系统而言是不可或缺的,其性能的优劣对整机的性能有着直接的影响。, f" Z5 w3 A# F/ j# w5 g4 o
% V _- g. Z8 h1 M& t电源管理芯片的应用范围十分广泛,例如本公司主推的CR6890H可应用在AC/DC适配器、电机类适配器、充电器等。接下来,我们将CR6890H和电源IC XX5533进行对比测试,看看哪一款IC更胜一筹!+ T5 R, l; {: M% m% G9 f
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关于CR6890H+ q( B# ?9 Q2 E& C& }% b: R0 b
: O' J |/ m- y! s- OCR6890H是一款高集成度、低待机功耗的CCM+PFM混合电流模式PWM控制器。CR6890H轻载时会降低频率,最低频率22kHz可避免音频噪声。CR6890H提供了完整的保护功能,如cycle-by-cycle电流限制、OCP、OTP、VDD_OVP、UVLO等,还可以通过PRT脚分别精确设置外置过温保护和输出电压过压保护。软启动功能可以减少系统启动时MOSFET的应力,前沿消隐时间简化了系统应用。通过频率抖动和软驱动电路的设计,降低开关噪声,简化了EMI设计。CR6890H提供SOT23-6L的封装。, L& I$ A3 M5 u+ ~
8 o( y( c3 P1 k+ J主要特点
. H- f, [1 E: N# d+ v$ b4 s: i
# y1 f% k: W, p- B( N) U● 较低的启动电流(大约3μA)
0 x& g$ Z8 H8 j& J' b% Z$ ~8 ^● 内置软启动减少MOSFET应力
! T/ F5 X7 @* @* o' V● CCM+PFM控制模式9 ^+ ?# y- } \ T S) N6 |" ~
● 内建同步斜坡补偿,消除次谐波震荡1 q6 x& W; h! \; T' r
● 内建频率抖动功能,降低EMI3 Q/ J: i+ G, R& u4 n
● 内置65kHz开关频率
) r6 R$ O" T1 F- Z; T8 y1 r● 轻载降低工作频率
# t( k, W6 v$ L) B● 15ms倍频模式
( `" H+ ?! \1 X6 }3 i& B& |6 K1 \● 可编程外置过温保护并进入latch# E8 f' j+ D) U) q! x; [$ d
● VDD过压保护和输出过压保护功能并进入latch
# L# d8 x; x! \3 s& O* @( ?4 t3 S9 t● 内置前沿消隐电路5 ]% i8 r+ \( C/ g
● 内置输出二极管短路保护
$ l# ]" |) \) O5 U" u● 内置过温保护并进入latch
7 x) |% I/ P; D% Q/ M: Q0 r1 C9 h● 过载保护1 m+ ^! X9 @) R$ R5 ]' o0 n
● SOT23-6L封装7 o0 ~1 D3 f. t$ m9 m$ P) k
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基本应用) z9 j U/ ]8 t# E' H) x) V( S
$ l( f( e; D0 x- s. r3 y● AC/DC适配器. I5 D' R! E7 V7 M# l: G* o
● 电机类适配器
F! m) b" R7 ^& L: {" ~5 f) M$ |● 充电器
' X/ l( W4 w2 n3 V, B6 h# `● 存储设备电源
& G+ S! E- I7 V0 e
. d1 q- Q. ]2 x) w" O# L典型应用: W5 R3 D& _ p, G4 l7 D' [5 `
管脚排列
, d3 ^' f; q) V3 t) A: w9 O管脚描述9 w/ z. G4 q2 o8 S: B% ~( P
) m- Q, ]7 ?2 n0 s
一、样机规格2 e3 ]9 U( j/ e) L5 h3 M4 o
) W: |$ _6 s: C% m
输出电压12V,输出负载5A,IC lot:HHP02。
( A, w0 Y8 T0 x* V9 {+ D# {$ P3 f" w
( U/ S+ [/ O) l; r8 B: u修改参数:
9 p! Q5 u) m0 X/ w. {% } B1 T7 `! h4 o# o* f. Q! x
替换IC,RS1电阻由0.33R改为0.27R(直接并1R电阻)R9由47R改为200R,R8由33R改为20R。
) W( o, U: g( I, t
, n" E% o* s9 [$ r( S2 p二、基本电性参数( ?9 f# }$ v( ?# o# e
三、基本波形0 A9 q: {! E, A W( p' i8 U! e$ s
0 A( j6 `. i, d1 z8 @
XX5533 264V/50HZ MOS波形 & y) H7 ^; U- Q! v; @9 c3 }
CR6890H 264V/50HZ MOS波形
0 x) q1 m) }, a- w' d7 XXX5533 264V/50HZ 肖特基波形 0 u3 W, L' U. |! l" K+ ?
CR6890H 264V/50HZ 肖特基波形 1 S! w, W, z) X/ r0 k
XX5533 264V/50HZ GATE波形
8 g) P1 D5 }( Y, R. lCR6890H 264V/50HZ GATE波形 : p* l* I& O% y9 P
XX5533 230V/50HZ 传导波形 N
# ]* z$ @4 e* t9 u2 f4 OXX5533 230V/50HZ 传导波形 L 3 s6 y; w, M. C1 X( f
CR6890H 230V/50HZ 传导波形 N
+ J, g7 X# F) i- X9 q, V; [& OCR6890H 230V/50HZ 传导波形 L E# y8 ]$ s- I6 T$ n, \" b, V
XX5533 230V/50HZ 辐射波形 ! P( B+ J; z1 B0 t4 o1 s
XX5533 230V/50HZ 辐射波形 3 q6 Z" _1 \) l/ K0 G
CR6890H 230V/50HZ 辐射波形 ) @4 c% s/ H2 [
CR6890H 230V/50HZ 辐射波形
6 r5 G+ p4 c' r( |8 Q7 h对比结果
# p1 U2 M# F( L; \
) n7 ^& f# a; Q( g+ K6 _& E电性基本一致,CR6890H效率更高。& {8 p, b: \. E; b3 V
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