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本帖最后由 思睿达小妹妹 于 2023-3-16 10:55 编辑 2 O& r8 e+ k( {! h# K( x
1 L- Y( Z: `& M- H
当今世界,人们的生活已是片刻也离不开电子设备。电源管理芯片在电子设备系统中担负起对电能的变换、分配、检测及其它电能管理的职责。电源管理芯片对电子系统而言是不可或缺的,其性能的优劣对整机的性能有着直接的影响。
& E# x# @" E7 V S8 e: v$ q
# X5 v, ~, d/ |3 p( w( `电源管理芯片的应用范围十分广泛,例如本公司主推的CR6890H可应用在AC/DC适配器、电机类适配器、充电器等。接下来,我们将CR6890H和电源IC XX5533进行对比测试,看看哪一款IC更胜一筹!9 I" F5 T8 {6 i" [8 u' I' Q
0 J" a& X6 S8 r" q- H$ P关于CR6890H/ E+ g7 z: Z4 ^+ @/ g, l6 o4 x5 f
# Y9 @; {" U" x2 Q; f! c) Q: PCR6890H是一款高集成度、低待机功耗的CCM+PFM混合电流模式PWM控制器。CR6890H轻载时会降低频率,最低频率22kHz可避免音频噪声。CR6890H提供了完整的保护功能,如cycle-by-cycle电流限制、OCP、OTP、VDD_OVP、UVLO等,还可以通过PRT脚分别精确设置外置过温保护和输出电压过压保护。软启动功能可以减少系统启动时MOSFET的应力,前沿消隐时间简化了系统应用。通过频率抖动和软驱动电路的设计,降低开关噪声,简化了EMI设计。CR6890H提供SOT23-6L的封装。
+ d: u1 `. y/ c, }9 I4 D; B5 S) y" r3 ?# q5 b6 d0 W0 b6 ?! g
主要特点! x p3 y* s: E8 c0 o" _: i
7 l5 n9 v2 _3 `8 r' d3 S+ a
● 较低的启动电流(大约3μA)
0 f) ]$ d' X2 Y- `1 _) Y7 } E● 内置软启动减少MOSFET应力
( L$ T- l* H9 x● CCM+PFM控制模式% F0 w& l) K4 w8 }2 l2 p) o
● 内建同步斜坡补偿,消除次谐波震荡9 ~' K) }) e& Y; i
● 内建频率抖动功能,降低EMI1 d9 @3 k, t) Z1 V
● 内置65kHz开关频率
* } l: ~! N5 Z. H● 轻载降低工作频率
% d. n# s- k, ^9 ~● 15ms倍频模式
# e9 U, `3 h: w2 J● 可编程外置过温保护并进入latch T% w" a4 T6 `. o/ V2 H$ p% @
● VDD过压保护和输出过压保护功能并进入latch/ I' |& F* c; I
● 内置前沿消隐电路
" R# }+ J% O- U8 }; a/ {8 b8 [● 内置输出二极管短路保护
( {# D& E9 A$ k7 B● 内置过温保护并进入latch
0 A o1 e" a3 h, i+ m' u● 过载保护& n) p- _. V4 Z+ p( J- ^. o1 y/ G
● SOT23-6L封装% U% [- ]7 m% p0 C; l/ y' j- ?4 O( a
- i9 Y5 w9 a. t3 B4 H' M6 J
基本应用2 F! j' _( M. J0 y
2 h D% D2 P6 G$ @$ H, R
● AC/DC适配器
: t% \( j8 X8 f' U, M) A● 电机类适配器
0 Z! |' c* ?6 I N0 }# C6 ~● 充电器; @. X' `4 D% s8 A
● 存储设备电源# x& y, K4 q8 `' u" z3 V' H m$ L
: D- Y* g. X# }2 @6 b/ W; _9 ?$ H0 C典型应用 P5 N2 j- l3 F/ @) b$ q
管脚排列
. x6 e6 o' O' {. b; c# ~/ ?管脚描述# p" r G' R1 I+ z' A
6 H- M# V$ J6 T6 r: N一、样机规格
B3 ^, L' G! L4 h/ j! l( O3 a" p5 U$ V7 |6 |
输出电压12V,输出负载5A,IC lot:HHP02。
! z' p+ {' W) a6 Y, V I2 n/ G
: [0 [+ J; \+ _1 \8 N7 i修改参数:! E& ]: R) y, Z) U4 q+ c, P y# T
8 F8 U5 b+ I2 q$ X# n0 }3 b! B$ m
替换IC,RS1电阻由0.33R改为0.27R(直接并1R电阻)R9由47R改为200R,R8由33R改为20R。8 e& t* ?& T/ p
+ Y. H' Y- z" h! }, @二、基本电性参数
7 S6 ^$ O% X: v% Y+ `) ]1 W三、基本波形
6 s" W# W5 m. j4 D# H t. F% r+ X9 C% h: r. p
XX5533 264V/50HZ MOS波形
# o) S! @2 K8 A/ H: n% }- m6 ^CR6890H 264V/50HZ MOS波形 ! b9 [* R$ i; g5 `6 b
XX5533 264V/50HZ 肖特基波形
8 C/ O8 b/ N4 b3 v! M5 HCR6890H 264V/50HZ 肖特基波形
7 q$ ?. l& J+ X3 cXX5533 264V/50HZ GATE波形 ; Z1 c+ J% H F0 O) d
CR6890H 264V/50HZ GATE波形
8 q$ M# p; q6 x% V: A6 T3 LXX5533 230V/50HZ 传导波形 N - H- `) M* A! ^" }6 B9 }
XX5533 230V/50HZ 传导波形 L
: ? u2 r; T, E& }. dCR6890H 230V/50HZ 传导波形 N ' }( r: q9 C& A. L6 s
CR6890H 230V/50HZ 传导波形 L $ O- B7 @0 B7 X8 R' M& x; ~, M
XX5533 230V/50HZ 辐射波形
, p( x, }) J% R; o# C0 {: wXX5533 230V/50HZ 辐射波形 5 O( _/ l2 P. G! c
CR6890H 230V/50HZ 辐射波形 : j* J, q$ T' g' F
CR6890H 230V/50HZ 辐射波形
8 t) T7 ]0 K4 ^; C2 B对比结果$ y- q" Q6 W" ?8 t$ D% i' B! C
; b2 I' R3 B$ f# j
电性基本一致,CR6890H效率更高。
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