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两款电源芯片对决,谁能遥遥领先?看完测试报告有答案

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发表于 2023-3-16 10:50:13 | 显示全部楼层 |阅读模式
本帖最后由 思睿达小妹妹 于 2023-3-16 10:55 编辑
5 H! T7 ~8 ^4 Y: W; X4 N4 i8 A- x1 E" R3 M, N% E
当今世界,人们的生活已是片刻也离不开电子设备。电源管理芯片在电子设备系统中担负起对电能的变换、分配、检测及其它电能管理的职责。电源管理芯片对电子系统而言是不可或缺的,其性能的优劣对整机的性能有着直接的影响。3 v5 ^' K, s8 I
% E2 {$ @4 N, l, r) D3 [
电源管理芯片的应用范围十分广泛,例如本公司主推的CR6890H可应用在AC/DC适配器、电机类适配器、充电器等。接下来,我们将CR6890H和电源IC XX5533进行对比测试,看看哪一款IC更胜一筹!
# a* B7 C# P$ R( \" [
3 x+ b# K; M2 A, U% r关于CR6890H% ~+ R6 F+ A$ T1 ^6 }
8 |( Z% y3 K. }6 C
CR6890H是一款高集成度、低待机功耗的CCM+PFM混合电流模式PWM控制器。CR6890H轻载时会降低频率,最低频率22kHz可避免音频噪声。CR6890H提供了完整的保护功能,如cycle-by-cycle电流限制、OCP、OTP、VDD_OVP、UVLO等,还可以通过PRT脚分别精确设置外置过温保护和输出电压过压保护。软启动功能可以减少系统启动时MOSFET的应力,前沿消隐时间简化了系统应用。通过频率抖动和软驱动电路的设计,降低开关噪声,简化了EMI设计。CR6890H提供SOT23-6L的封装。
% y8 `% S2 r$ ?7 x" v& s8 h  P  @0 z
主要特点
: B( e' h; E- j. x2 K' j* E9 m$ g5 F5 H. _. [3 t+ N
● 较低的启动电流(大约3μA)2 D# p" E: f; k' i6 I( u9 S
● 内置软启动减少MOSFET应力
. z  i7 |( y9 D  l● CCM+PFM控制模式
6 d1 ]- B& \( [7 _* ~# j9 N● 内建同步斜坡补偿,消除次谐波震荡1 k# d/ J- t7 I- r
● 内建频率抖动功能,降低EMI
3 c  A1 Q6 p% O9 N8 n/ Z● 内置65kHz开关频率5 {. ?$ [" v" y
● 轻载降低工作频率
& ^7 s+ Q' k+ W7 `● 15ms倍频模式: F0 b8 F  l8 A
● 可编程外置过温保护并进入latch
1 t8 t# s. w/ ~- h● VDD过压保护和输出过压保护功能并进入latch, S8 j0 u3 q: @2 }
● 内置前沿消隐电路
* L$ x, I3 M# ^* f● 内置输出二极管短路保护
+ T, d- K% U" t$ N6 ]% w● 内置过温保护并进入latch4 D  c9 o8 P0 k8 T  j/ U' n* H
● 过载保护
' x  c( }8 x0 ~/ P6 |, I6 F3 @● SOT23-6L封装0 q) z- L. m, E# `! l; o
$ \" P8 V, [0 Q0 |7 _
基本应用4 n$ I' N  j+ A

& T. N) r" L9 `● AC/DC适配器) S* d+ T. O* I2 D4 H, K% ^
● 电机类适配器" r7 i8 ^9 U( C; L
● 充电器
- ?; |+ l' @3 o: _& u$ W# s4 C5 Y● 存储设备电源
+ f4 {. w6 ]0 b. A# u- s8 P# T8 p+ O) s8 I
典型应用$ q- E4 a# }: T0 x
管脚排列; {: f3 K$ a2 R- s! r
管脚描述: ~1 b1 u! ]9 n; P8 f
3 h. I* K! Z  C
一、样机规格* L; s9 d6 d5 }' [: b+ z4 O
4 p- h! z( h+ |( A: N/ \
输出电压12V,输出负载5A,IC lot:HHP02。, T# ~6 `: F  C
9 ^. w8 e; {/ x6 i3 t. @( A
修改参数:
, p, I) A" {9 {- g& }
4 L' j: N* i+ j/ g替换IC,RS1电阻由0.33R改为0.27R(直接并1R电阻)R9由47R改为200R,R8由33R改为20R。
: C1 B7 ~' V0 i$ p! M" E2 f* h  m) z. c& s, P% A9 r6 s# w8 n" Q
二、基本电性参数
  w  G" }# A4 g
三、基本波形/ w# a( i1 s) K5 s4 q
  d; H( U" N( J1 E9 M3 F
XX5533 264V/50HZ MOS波形
' e# _# y" S; |
CR6890H 264V/50HZ MOS波形
) Q: ]( `( H) T% ^2 w- ?9 a/ N( y( _
XX5533 264V/50HZ 肖特基波形
+ Z$ [* t2 F! ?6 i8 z
CR6890H 264V/50HZ 肖特基波形

5 q; A) F* X1 i, x5 o+ M9 d
XX5533 264V/50HZ GATE波形
+ z% W  ?# y, Y; B1 z1 e* {
CR6890H 264V/50HZ GATE波形
/ l+ Y: \( J" m+ X/ x
XX5533 230V/50HZ 传导波形 N
* i1 |3 W& k) B  J. S7 u1 z8 e: m7 [
XX5533 230V/50HZ 传导波形 L

) b* o1 o0 q6 b/ }% {+ ^1 ^; K" k! _4 C
CR6890H 230V/50HZ 传导波形 N
- c; x2 F( f# Q1 |) s
CR6890H 230V/50HZ 传导波形 L
# {0 K  f. g3 t/ a0 O
XX5533 230V/50HZ 辐射波形

; @1 K" V8 b; T3 X$ F
XX5533 230V/50HZ 辐射波形
" V5 c  B& ~5 f. n
CR6890H 230V/50HZ 辐射波形

. Z$ A- a$ d% j+ ^
CR6890H 230V/50HZ 辐射波形
/ r# K7 E5 z# [6 f
对比结果
" q$ o2 z( t+ h' {+ G6 C; W3 _# A4 {. |3 f# q1 o" ~
电性基本一致,CR6890H效率更高。
8 R3 h: z" `4 N& a5 n4 u6 t' n4 w8 R; h! p! B3 n7 k( N

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