本帖最后由 思睿达小妹妹 于 2023-3-2 14:22 编辑 $ T- A/ ?5 z7 [" G9 o
- `/ F! u- F8 X0 s. o电源管理芯片是电子设备的电能**，负责电子设备所需的电能变换、分配、检测等管控功能，是电子设备中的关键器件，其性能优劣对电子产品的性能和可靠性有着直接影响，并且广泛运用于各类电子产品和设备中。
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2 ?0 {# Q- l* V$ G3 E5 s2 B' V例如公司主推的CR6863B芯片是一款高集成度、低功耗的中等功率反激电源控制IC。它的电路结构简单、较少的外围元器件，适用于中小功率AC/DC 电源适配器。) E4 S' R8 Z3 G* q% i5 B$ |
. ]1 L; ?* h4 d; V) T& S! K接下来，我们将对CR6863B和XX2293B进行对比测试，看看公司主推的CR6863B是不是略胜一筹？一起来揭晓吧！
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4 X [9 m. s( Z- gCR6863B & XX2293B对比测试3 F& ~: U. O" _6 P& W: @
5 x! z% J3 Q7 T9 `5 h- V: y
一、样机规格
8 s& i& G9 M2 P0 S1 ^' n9 O( Z* Z
+ s- t$ I. Z2 c2 T: p" U输出电压12V、输出负载2A。
a" A; ^6 {7 \- W" c% s2 `
& [! M: z. w- Q6 P {8 g! C. j8 m) P
1 Y/ K. f D1 Z9 b: G* a修改参数：
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直接替换IC，R5、R6由3R改为2.2R；R4由3R改为2.4R；R11由3R改为0R ；D7由A7改为RS1M。
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) n H3 k# N# z4 rCR6863B产品概述" ~$ q; n6 b* T& ?. N8 R% S7 \
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CR6863B是一款高集成度、低待机功耗的CCM+PFM混合电流模式PWM控制器。CR6863B轻载时会降低频率，最低频率22kHz可避免音频噪声。CR6863B提供了完整的保护功能，如cycle-by-cycle 电流限制、OCP、OTP、VDD_OVP、UVLO等。软启动功能可以减少系统启动时MOSFET的应力，前沿消隐时间简化了系统应用。通过频率抖动和软驱动电路的设计，降低开关噪声，简化了EMI设计，CR6863B还提供VDD电压从8.5V-36.5V更宽的工作范围。CR6863B提供SOT23-6L/DIP-8L/SOP-8L的封装。
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/ R0 k1 [0 p0 J4 N1 [3 X芯片特性
) @& C( |* _$ E" {, x3 R9 G% U
% H) x( r( P% i: f& w& j* C% Q1 Z● 较低的启动电流 (大约3μA)2 X5 m% @5 k3 I$ a7 K" [
● 内置软启动减少MOSFET应力
2 b! \' t0 e# `/ [8 C6 \● CCM+PFM控制模式9 S) R: a4 c" `1 K( f, {5 v
● 内建同步斜坡补偿，消除次谐波震荡6 k3 ]4 o! u8 r" U; ]' E
● 内建频率抖动功能，降低EMI
# k% y t1 K7 U& }6 H+ V● 内置65kHz开关频率
9 ^; s: J4 {+ o% p, y5 G: o. P● 轻载降低工作频率9 F ]: g5 X/ k t
● VDD电压8.5V-36.5V，工作范围更宽
* s2 D. Q! x. P" f5 {: `/ N. m+ f● VDD过压保护功能" M: q2 C+ X. f3 i, `
● 内置前沿消隐电路7 q" G: O, q6 [* U: W. J, z! p
● 内置过温保护/ P* s N7 ^2 `% ^( t. @
● 过载保护
2 K2 V5 y0 I B, H" B+ o$ m+ n● SOT23-6L/DIP-8L/SOP-8L封装4 X9 k A/ U: Z8 {; p( Y3 M5 U4 i" }
% Q. h. R$ R- H0 Z4 ~, p
基本应用6 F. ]) \3 E! \/ B9 [, C
" p) s9 t% |/ e% k0 F3 G! b4 T2 T● AC/DC适配器
# |! f; W- S. P: ~( W& T● 电视及监视器电源
' D9 U% F! h* P: Z+ k& u" t● 充电器 Q0 U3 }7 n5 }
● 存储设备电源
: v5 \ u ]% m7 t! U
y8 l- U6 V+ M8 O- K; G, j典型应用" m# A( e; u4 K9 ?
2 b: m O; N" M# {/ g; I$ I
管脚排列
! `; s5 Z" i4 j' u& Z: ^9 S: R
. h* J; c" L8 L管脚描述7 ^3 Z. o6 a8 I/ E7 s
9 V" v: b% y6 B# I0 S
二、基本电性参数
8 @2 K0 Y% K& X7 ^& h9 \" N+ p6 n- T' M+ K& @: J( y
三、基本波形XX2293B 90V/60HZ输出纹波
2 w" {4 z0 H. p4 UCR6863B 90V/60HZ输出纹波 7 T& ]: r! q# L/ h
XX2293B 264V/50HZ输出纹波
" ]: m( d- |, NCR6863B 264V/50HZ输出纹波 . V( e C1 e1 T2 \ k
XX2293B 90V/60HZ MOS波形+肖特基波形 3 f. p3 ?5 h. P9 i0 R
CR6863B 90V/60HZ MOS波形+肖特基波形
3 ]$ L2 Q4 X7 k6 |, kXX2293B 90V/60HZ 负载满载 OVP波形 2 Q& x9 g0 `( B1 [' F, z+ J+ ^
CR6863B 90V/60HZ 负载满载 OVP波形
6 d/ e, y7 o- EXX2293B 90V/60HZ GATE波形 / z- ]* i$ T1 ~( T2 A& a
CR6863B 90V/60HZ GATE波形 2 G5 h9 C: @1 ?3 P4 n1 r o( {
XX2293B 90V/60HZ CS波形 e% \" j0 |. V
CR6863B 90V/60HZ CS波形 # Y4 P Z( L8 P3 c- _. _
XX2293B 264V/50HZ MOS波形+肖特基波形 0 `# H: _; D# ^* g- E3 H) B
CR6863B 264V/50HZ MOS波形+肖特基波形
9 r2 G7 c$ M! V$ wXX2293B 264V/50HZ 负载满载 OVP波形
" y% O6 n; [" _- I" BCR6863B 264V/50HZ 负载满载 OVP波形
! ?* U1 K2 ^% j. I9 s- HXX2293B 264V/50HZ GATE波形 & t1 O2 A5 J; c) Q r
CR6863B 264V/50HZ GATE波形 F' p( p: ?! {4 d- _8 z
XX2293B 264V/50HZ CS波形
4 \% B3 X. ]2 r( J7 A" H4 k9 a3 g1 @CR6863B 264V/50HZ CS波形
# ]- s$ y7 ?, |2 M. H- r对比结果：电性基本一致，CR6863B效率略高于XX2293B，推荐使用公司主推的CR6863B。4 I8 L, D* w! F2 z
[7 u7 [& y& [) y( Q! B4 a
8 \" u# m) z! `# m1 x8 g( j: ]* }) P' n/ k3 x" C
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发表于 2023-3-2 14:19:00
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