本帖最后由 思睿达小妹妹 于 2023-3-2 14:22 编辑 - T9 K, Y% t5 o, X4 q2 `6 j
8 W3 U; L# Q! W电源管理芯片是电子设备的电能**,负责电子设备所需的电能变换、分配、检测等管控功能,是电子设备中的关键器件,其性能优劣对电子产品的性能和可靠性有着直接影响,并且广泛运用于各类电子产品和设备中。: N D' s5 S; N3 b0 w# j
( ~, d8 F$ H+ E4 W例如公司主推的CR6863B芯片是一款高集成度、低功耗的中等功率反激电源控制IC。它的电路结构简单、较少的外围元器件,适用于中小功率AC/DC 电源适配器。
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/ j0 |# K4 X7 J) H接下来,我们将对CR6863B和XX2293B进行对比测试,看看公司主推的CR6863B是不是略胜一筹?一起来揭晓吧!
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; X" \# @' ]$ b7 JCR6863B & XX2293B对比测试! _) R% e6 Y6 }1 [! X
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一、样机规格
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输出电压12V、输出负载2A。0 A7 y8 P, i' j! h
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( A: d) S' D8 N# @& H, s" u& M6 i修改参数:
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直接替换IC,R5、R6由3R改为2.2R;R4由3R改为2.4R;R11由3R改为0R ;D7由A7改为RS1M。
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CR6863B产品概述/ @$ U- }4 T- I- N
6 O% _! y* u% l8 j" p/ ?0 yCR6863B是一款高集成度、低待机功耗的CCM+PFM混合电流模式PWM控制器。CR6863B轻载时会降低频率,最低频率22kHz可避免音频噪声。CR6863B提供了完整的保护功能,如cycle-by-cycle 电流限制、OCP、OTP、VDD_OVP、UVLO等。软启动功能可以减少系统启动时MOSFET的应力,前沿消隐时间简化了系统应用。通过频率抖动和软驱动电路的设计,降低开关噪声,简化了EMI设计,CR6863B还提供VDD电压从8.5V-36.5V更宽的工作范围。CR6863B提供SOT23-6L/DIP-8L/SOP-8L的封装。# O% S/ g8 f; k) [! ~3 B
7 g) m) S9 I( T2 E; d芯片特性
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● 较低的启动电流 (大约3μA) W8 a: D8 i5 N8 ~
● 内置软启动减少MOSFET应力
6 y7 j) y& T) D# t3 a● CCM+PFM控制模式6 z" M* W9 R1 S, N/ x4 ?- N* `" v* i
● 内建同步斜坡补偿,消除次谐波震荡6 ~$ d% j# [8 B* P2 x% A. s
● 内建频率抖动功能,降低EMI
( ^, x, n! C( }) d n. [+ {3 F2 ?● 内置65kHz开关频率
( O3 ?; M* V7 X● 轻载降低工作频率' O" t' A; K& W% o A' w
● VDD电压8.5V-36.5V,工作范围更宽
) P2 b) R3 Q+ F9 V) G# D4 [● VDD过压保护功能
E; K1 W% b' K/ B2 b$ r● 内置前沿消隐电路
9 T2 {- |& h# \& J r, X● 内置过温保护
. k# v+ {( _ k# `% Y5 X● 过载保护2 Z& `3 }, s5 O" [$ r8 d6 ?/ n
● SOT23-6L/DIP-8L/SOP-8L封装9 _4 q/ l7 L* Q u: T
% [" `( h6 M1 u9 T基本应用
1 D0 K( H0 }5 T$ T# d. X. ^$ l1 i0 ]$ K' o
● AC/DC适配器0 M3 Y8 v: r0 b
● 电视及监视器电源9 e; i- c Z4 |# m0 q. u
● 充电器
' v! u4 t! d2 B2 B● 存储设备电源# y' U" C' {8 `
+ j- E# S' \* z: s9 D% x# ?典型应用
& E* T/ M7 j) i9 a8 _3 E d: M' v6 d
管脚排列
" P- O% m' z" ?" A+ b, M* i
) J! }5 I1 l, D$ t# e+ H6 F管脚描述
' z+ U+ K6 Y0 @- r! z* Z* V) `
& @2 Q' z7 S4 ]( c二、基本电性参数
" D. k6 |. N. n! R0 \: O x2 x: X3 m) U- M
三、基本波形XX2293B 90V/60HZ输出纹波
. a6 u; f+ }; ]1 O0 _* uCR6863B 90V/60HZ输出纹波
# D0 I$ z% t2 j( r* n v% PXX2293B 264V/50HZ输出纹波 2 y) |( l# Z' b2 E! f( x
CR6863B 264V/50HZ输出纹波
" T _0 f$ C# j+ M: j FXX2293B 90V/60HZ MOS波形+肖特基波形
2 }9 l W% m JCR6863B 90V/60HZ MOS波形+肖特基波形 9 a7 X& u7 z$ }6 o1 i3 V5 S5 u
XX2293B 90V/60HZ 负载满载 OVP波形 ) c" ^) v6 J2 L/ V# }
CR6863B 90V/60HZ 负载满载 OVP波形
c: Q- O( b( z' r$ lXX2293B 90V/60HZ GATE波形
' V5 G- \" s1 T: |2 S" ~9 J2 YCR6863B 90V/60HZ GATE波形
3 c; k# X3 w' p) a. ?XX2293B 90V/60HZ CS波形
! l! P, `, e5 T4 tCR6863B 90V/60HZ CS波形 . c* w; A7 B0 W: K4 s# g/ v) v y2 g
XX2293B 264V/50HZ MOS波形+肖特基波形
. B9 c' [. `. cCR6863B 264V/50HZ MOS波形+肖特基波形 : M! _' q4 x0 A1 P5 ^ ]6 A$ s
XX2293B 264V/50HZ 负载满载 OVP波形 0 {# x* l, m0 `% \
CR6863B 264V/50HZ 负载满载 OVP波形
) S9 y$ t( l- u# Y. i8 p. A" aXX2293B 264V/50HZ GATE波形 0 ^' l* b5 \/ l
CR6863B 264V/50HZ GATE波形
3 i' M) R5 ]0 [* j# OXX2293B 264V/50HZ CS波形
- C: T6 s1 L& w/ LCR6863B 264V/50HZ CS波形
" @- s8 i _$ q对比结果:电性基本一致,CR6863B效率略高于XX2293B,推荐使用公司主推的CR6863B。8 U9 X0 r; I: t* G5 Z3 j' O
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