本帖最后由 思睿达小妹妹 于 2023-3-2 14:22 编辑
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3 N9 L+ T. P1 o, U0 _: o电源管理芯片是电子设备的电能**，负责电子设备所需的电能变换、分配、检测等管控功能，是电子设备中的关键器件，其性能优劣对电子产品的性能和可靠性有着直接影响，并且广泛运用于各类电子产品和设备中。
+ P/ ~0 s5 O# [. M
. b, d, n* q8 z$ s" N例如公司主推的CR6863B芯片是一款高集成度、低功耗的中等功率反激电源控制IC。它的电路结构简单、较少的外围元器件，适用于中小功率AC/DC 电源适配器。% N2 j! ^' G1 _* E( P/ d% M1 V' j
/ t n ~3 Y, X3 D接下来，我们将对CR6863B和XX2293B进行对比测试，看看公司主推的CR6863B是不是略胜一筹？一起来揭晓吧！
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CR6863B & XX2293B对比测试3 z4 y" t* `+ U2 r
+ u" l: |, A2 R, N- u) U! u. g一、样机规格
+ g) n- F! X. A5 P/ `* V% m5 k% w: O" _2 J& w
输出电压12V、输出负载2A。
5 j/ j1 l5 x& I1 B. V$ a" ?) C; Y* g; |+ D) G
% _5 o# a! w9 U$ z( u
: g/ D* n' f" H5 J' D+ P3 w修改参数：
# ^8 _7 N" V" b: A) e
, w3 o, p% V, u8 M4 _$ F% x; h直接替换IC，R5、R6由3R改为2.2R；R4由3R改为2.4R；R11由3R改为0R ；D7由A7改为RS1M。
6 m7 `; S' B+ [# a9 T6 g
v, ^" d4 q& w* Q0 h3 JCR6863B产品概述/ y+ g* z( A9 J& h2 A( d( P
# r' P+ S& Q6 A& G4 {( mCR6863B是一款高集成度、低待机功耗的CCM+PFM混合电流模式PWM控制器。CR6863B轻载时会降低频率，最低频率22kHz可避免音频噪声。CR6863B提供了完整的保护功能，如cycle-by-cycle 电流限制、OCP、OTP、VDD_OVP、UVLO等。软启动功能可以减少系统启动时MOSFET的应力，前沿消隐时间简化了系统应用。通过频率抖动和软驱动电路的设计，降低开关噪声，简化了EMI设计，CR6863B还提供VDD电压从8.5V-36.5V更宽的工作范围。CR6863B提供SOT23-6L/DIP-8L/SOP-8L的封装。. _, \; }5 v' g, h
2 y. P+ B5 q' W+ j+ G* m芯片特性' ]- O% I9 D h& m P' N
, q* \" t# f; n/ u D2 o
● 较低的启动电流 (大约3μA)
5 r" B% }7 B0 u) v$ t" a● 内置软启动减少MOSFET应力0 A8 o, l6 u$ _2 ?( ]( n9 F0 i, `" s
● CCM+PFM控制模式
1 G( w# p Y d1 ?% n: v( R6 |" S5 x! `3 j● 内建同步斜坡补偿，消除次谐波震荡
# ~ J5 J3 i: o* l0 \● 内建频率抖动功能，降低EMI
& i0 e$ l0 q- w3 h7 O1 h( j# ~● 内置65kHz开关频率
, I$ J2 C1 u \0 ?, c● 轻载降低工作频率
4 ]1 {5 y. K$ f4 ^- D● VDD电压8.5V-36.5V，工作范围更宽. W8 Z0 [( x9 T, r
● VDD过压保护功能
0 @$ z5 i6 p# |8 J7 o: x● 内置前沿消隐电路6 d( P% {8 P* a* s8 ]
● 内置过温保护# z/ P" ?9 u1 i- P" O+ u% T
● 过载保护( h* ]! l/ v9 g/ k9 r8 z) t2 f
● SOT23-6L/DIP-8L/SOP-8L封装8 u# g8 w- x+ v& h6 m+ B( M- y
3 A# y$ W$ S0 P" ?! k$ r5 U7 q% Y
基本应用
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) J3 c$ n5 A( o# Z● AC/DC适配器+ U$ z; @5 R3 A0 [
● 电视及监视器电源9 L9 a8 i$ A: Y. R
● 充电器
4 T4 z( F* N* i4 G● 存储设备电源
$ s9 |4 j: f- H3 u) J" k
% j; U# m n0 U典型应用6 J3 M# f( P5 Y. h& X% ^, |
9 o2 ^ _/ z( a% M管脚排列
1 h2 a# k" F% Z! z& K, R9 d8 h M6 H4 O& j0 l
管脚描述
& Z, e$ B' D9 a }) B8 r* E, m4 f- B" {8 i- x. }
二、基本电性参数8 \' c' p0 D3 j& I! f- U1 L
* p7 v5 A8 D- y0 V2 ~* l三、基本波形XX2293B 90V/60HZ输出纹波 5 L: s( B% l& ?) n5 T7 o' S
CR6863B 90V/60HZ输出纹波
5 G4 X3 }+ K- m" G% Z/ s, QXX2293B 264V/50HZ输出纹波
! X3 ?. r0 D2 k; h& j' vCR6863B 264V/50HZ输出纹波
5 P4 e/ i7 U' h* j& E, ZXX2293B 90V/60HZ MOS波形+肖特基波形 2 H. ?, {2 Q+ q
CR6863B 90V/60HZ MOS波形+肖特基波形 6 `) t. I8 g4 G) a% h$ V. f
XX2293B 90V/60HZ 负载满载 OVP波形
' c. H) Q+ b( z& x+ E4 }, R9 wCR6863B 90V/60HZ 负载满载 OVP波形 9 U+ ^8 {& b7 }0 V: f: V
XX2293B 90V/60HZ GATE波形 0 c; c5 j' v8 V
CR6863B 90V/60HZ GATE波形
# R1 Z( w+ S2 L: g% fXX2293B 90V/60HZ CS波形 % T- K4 D4 h" m9 [% k+ b1 {& z* Y
CR6863B 90V/60HZ CS波形 1 f$ x- G! `5 J# P$ i r* j* h
XX2293B 264V/50HZ MOS波形+肖特基波形 7 K. f8 q1 E, q1 r. s& v; m' R7 y x
CR6863B 264V/50HZ MOS波形+肖特基波形 9 |( c% Q" F- |; E( w4 S: }7 w& x$ R
XX2293B 264V/50HZ 负载满载 OVP波形 * F1 W2 p# _2 O' u0 A# R
CR6863B 264V/50HZ 负载满载 OVP波形 1 s1 {$ w O+ h
XX2293B 264V/50HZ GATE波形 7 a. z* ~$ D4 R* g! G6 p* C
CR6863B 264V/50HZ GATE波形 1 k9 H0 ^, u: ^* k& S
XX2293B 264V/50HZ CS波形
. B2 h+ u! G% h3 JCR6863B 264V/50HZ CS波形 & e. z( z: B, @& L- R) E' u( Y8 x
对比结果：电性基本一致，CR6863B效率略高于XX2293B，推荐使用公司主推的CR6863B。 L. [3 I$ t; e7 t
& m7 f- h# N4 p% |: n8 x. J. t! Y
0 D4 ?2 {- H( s/ p3 H1 O n0 S' j6 }+ C2 e
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发表于 2023-3-2 14:19:00
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