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我们帮你找到XX2293B芯片替代料,这颗高能效IC就不错~

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发表于 2023-3-2 14:19:00 | 显示全部楼层 |阅读模式
本帖最后由 思睿达小妹妹 于 2023-3-2 14:22 编辑
4 B; n+ \2 w+ p( v9 x. o5 k" L, n  o' w, Z0 |& b: I$ \
电源管理芯片是电子设备的电能**,负责电子设备所需的电能变换、分配、检测等管控功能,是电子设备中的关键器件,其性能优劣对电子产品的性能和可靠性有着直接影响,并且广泛运用于各类电子产品和设备中。
+ M- X* b  W2 N6 T. ~" P1 t# E
# C7 {' Z, H# i% ?( b' T: u4 s' P例如公司主推的CR6863B芯片是一款高集成度、低功耗的中等功率反激电源控制IC。它的电路结构简单、较少的外围元器件,适用于中小功率AC/DC 电源适配器。
- m* G; u# S' ^' h) i6 I) _6 d9 {" G- ^
接下来,我们将对CR6863B和XX2293B进行对比测试,看看公司主推的CR6863B是不是略胜一筹?一起来揭晓吧!) l# S3 T& g9 |' V0 u
; I7 K. \% }# X8 c" y( b$ Y" H/ P) p8 C
CR6863B & XX2293B对比测试8 G+ e' ~% h+ D7 T0 b1 W

: G, g$ ]' ^) `" F3 K& l一、样机规格
( m( Z5 s2 T+ x/ l) w' H' w6 V' U6 G

4 m3 D( b( K% l# g输出电压12V、输出负载2A。/ y! R. S! V2 F) Y( n

* F1 q' ~4 }( m0 K/ I; d- D
5 n" Y6 l; ^, I0 ^

- Q' F! H$ @( ?: Z/ Q修改参数:0 y3 C- C2 P) j5 @# _# Y

7 {# B6 ?3 `" @  N, q# S直接替换IC,R5、R6由3R改为2.2R;R4由3R改为2.4R;R11由3R改为0R ;D7由A7改为RS1M。
+ a! Y; i. u4 m, P3 B% T/ X' {9 X% ~+ y$ O6 @
CR6863B产品概述
# M9 i( M) g6 ]6 A5 y
2 |3 ]) W2 j: ?CR6863B是一款高集成度、低待机功耗的CCM+PFM混合电流模式PWM控制器。CR6863B轻载时会降低频率,最低频率22kHz可避免音频噪声。CR6863B提供了完整的保护功能,如cycle-by-cycle 电流限制、OCP、OTP、VDD_OVP、UVLO等。软启动功能可以减少系统启动时MOSFET的应力,前沿消隐时间简化了系统应用。通过频率抖动和软驱动电路的设计,降低开关噪声,简化了EMI设计,CR6863B还提供VDD电压从8.5V-36.5V更宽的工作范围。CR6863B提供SOT23-6L/DIP-8L/SOP-8L的封装。9 p: e  _1 _/ P! e( Z. W& g: u, D
8 G: d1 {" k, [
芯片特性& }4 w+ |7 G2 Z* T% H% j' _

! E" \# ^( l% `0 R! j% F# R● 较低的启动电流 (大约3μA)& A* ]$ l! T4 n5 [, j
● 内置软启动减少MOSFET应力* I  t2 ~% D5 D
● CCM+PFM控制模式. E+ h& ?5 F. v+ ~# |: l% i7 e
● 内建同步斜坡补偿,消除次谐波震荡$ E0 H2 j, f" X' z9 {
● 内建频率抖动功能,降低EMI6 w! F3 A3 l* l% |# m( f  p! u$ _
● 内置65kHz开关频率
- F, r  x1 }! B# L4 B0 |● 轻载降低工作频率" D( O8 K+ r. t7 t
● VDD电压8.5V-36.5V,工作范围更宽
1 s4 B% F6 G9 ?● VDD过压保护功能
' c1 ~) p) A7 s) }$ U8 T! p● 内置前沿消隐电路, z) _2 z' j& ^, G: p, n7 U8 h/ s
● 内置过温保护
: b; l" F. K& y& N● 过载保护3 j4 M' Z- ~6 v7 G2 T' Z
● SOT23-6L/DIP-8L/SOP-8L封装
4 i9 e4 o+ K  G7 u& j
7 `; Y- g  a1 d2 `2 O基本应用
! x. [3 @2 a) g# i/ t4 j5 z% U. ~3 D2 t  }; Q5 W8 b! b7 K, O- [# l
● AC/DC适配器$ H2 p7 q! K' N
● 电视及监视器电源4 m, v& }' I( y2 [$ h
● 充电器
* Q- _  j$ g* i4 W. W; @( L$ H● 存储设备电源6 r) X: E- B9 P* d0 l

( ^: B/ A! S' R# q典型应用: S8 T8 M( p1 e6 f% q: B+ z6 x( e
+ w2 }; Z. W* ~, M2 B
管脚排列% f& `6 ^6 a) z+ V% d
5 u3 R3 |* H$ E  q
管脚描述
& u+ k$ y, K' r/ H( N6 c
. c& j2 f; v9 j6 @# q: _
二、基本电性参数
7 t* y" N0 ]- h+ ^7 ?/ A( \) W
( @8 E2 E2 Z! T0 {
三、基本波形
XX2293B 90V/60HZ输出纹波

& H3 Q2 a0 O* e* E( A* V
CR6863B 90V/60HZ输出纹波

6 A. ?) }( Y" }" k: W& m0 `" u
XX2293B 264V/50HZ输出纹波
+ H  Q) ^& V3 V5 x0 i
CR6863B 264V/50HZ输出纹波
5 x/ {+ o# ~: K9 T0 @' o5 u+ X) N
XX2293B 90V/60HZ MOS波形+肖特基波形

: o# }  A! u( t( l. j2 R
CR6863B 90V/60HZ MOS波形+肖特基波形
7 A$ X& t5 ^$ k( T/ ?. V( h/ Z. x; L
XX2293B 90V/60HZ 负载满载 OVP波形

: G) }, N% k; d" C( K  ^+ w
CR6863B 90V/60HZ 负载满载 OVP波形

/ c7 g5 N- x( y5 E0 u* c& g
XX2293B 90V/60HZ GATE波形
" W, d. x$ k# ?( p
CR6863B 90V/60HZ GATE波形

* P8 J6 V, E* L* b: q0 ]
XX2293B 90V/60HZ CS波形

) r0 V8 E! j' h$ J. t8 s% Y8 O* H) ]
CR6863B 90V/60HZ CS波形

& {/ X% K; c! J: c$ Y. @. R3 e
XX2293B 264V/50HZ MOS波形+肖特基波形
% U! R* d9 }  e! A
CR6863B 264V/50HZ MOS波形+肖特基波形
. R6 }7 t9 n- Z, I
XX2293B 264V/50HZ 负载满载 OVP波形
! Y+ |' W( c: x2 C
CR6863B 264V/50HZ 负载满载 OVP波形
* }3 h7 o0 i3 P- ^5 [( e) b
XX2293B 264V/50HZ GATE波形

! `' s, J  |# U+ T
CR6863B 264V/50HZ GATE波形
6 J4 L; O. o- I5 ]* k
XX2293B 264V/50HZ CS波形
5 X! B3 r  @( z* h$ G5 X7 e% H
CR6863B 264V/50HZ CS波形
) h: ^2 Y. D9 b. F4 l& Y+ c
对比结果:电性基本一致,CR6863B效率略高于XX2293B,推荐使用公司主推的CR6863B。
0 Q% I1 F2 n) t5 f: G3 c, \. F$ H9 O2 E, I( x

+ Q) F# J$ e/ |% ~' y& Q: b2 r" f  r7 o2 c2 P0 H8 }) m

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