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我们帮你找到XX2293B芯片替代料,这颗高能效IC就不错~

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发表于 2023-3-2 14:19:00 | 显示全部楼层 |阅读模式
本帖最后由 思睿达小妹妹 于 2023-3-2 14:22 编辑 8 H+ l; n) `. V$ A, A

0 c: i7 H5 f! X电源管理芯片是电子设备的电能**,负责电子设备所需的电能变换、分配、检测等管控功能,是电子设备中的关键器件,其性能优劣对电子产品的性能和可靠性有着直接影响,并且广泛运用于各类电子产品和设备中。
1 o' J8 a; E+ I% a8 W# t; l' u' P
例如公司主推的CR6863B芯片是一款高集成度、低功耗的中等功率反激电源控制IC。它的电路结构简单、较少的外围元器件,适用于中小功率AC/DC 电源适配器。
) I2 y; N) D9 a! q9 C
# t* ]9 @6 g. G0 |) Z接下来,我们将对CR6863B和XX2293B进行对比测试,看看公司主推的CR6863B是不是略胜一筹?一起来揭晓吧!
  e/ x* I+ h% [2 q+ E7 ?/ ?! ^5 k
' M2 f$ ?8 R7 E& }7 z$ jCR6863B & XX2293B对比测试* u: W* t0 ]0 v% t; u- ?0 Z

2 ^  c; {6 V( F, {) d一、样机规格

9 W( @0 O- b% T, W
1 x: [, q! z+ _" G" r% q* b输出电压12V、输出负载2A。- L/ E) d# K, q5 x! @' C

& F; W% E( q6 u' ~( v/ e
9 x( Z- I2 K) |/ G# d2 Y2 W' _0 Q

+ y# U( o: J5 w  O% U修改参数:
2 T$ _: U" {* r8 U- L, b" P5 ]/ R4 N
直接替换IC,R5、R6由3R改为2.2R;R4由3R改为2.4R;R11由3R改为0R ;D7由A7改为RS1M。
% ]& b  a0 \/ t9 s9 L0 k" _
: N* \  H- u2 G2 D" w! v1 ]- V* a8 ~9 `CR6863B产品概述
! b" U" P! ?) H7 ~6 G+ f$ i# j: |# \" I. C, N6 c5 p
CR6863B是一款高集成度、低待机功耗的CCM+PFM混合电流模式PWM控制器。CR6863B轻载时会降低频率,最低频率22kHz可避免音频噪声。CR6863B提供了完整的保护功能,如cycle-by-cycle 电流限制、OCP、OTP、VDD_OVP、UVLO等。软启动功能可以减少系统启动时MOSFET的应力,前沿消隐时间简化了系统应用。通过频率抖动和软驱动电路的设计,降低开关噪声,简化了EMI设计,CR6863B还提供VDD电压从8.5V-36.5V更宽的工作范围。CR6863B提供SOT23-6L/DIP-8L/SOP-8L的封装。
- T' M% _( y& D- K4 K2 i$ _2 v4 }
5 P3 r/ Z3 t/ _芯片特性; ^8 K4 w/ C  o# s
1 a( P* c& q$ \4 j
● 较低的启动电流 (大约3μA)
+ L) g% ?3 w0 P1 Z4 n7 H6 M● 内置软启动减少MOSFET应力3 \: ^7 Z( \# G* J) P7 K! y
● CCM+PFM控制模式
$ `& u2 G5 D% q+ n● 内建同步斜坡补偿,消除次谐波震荡
8 q7 p( c$ T% J9 u2 p: D● 内建频率抖动功能,降低EMI
+ }9 R* I& ^6 S) G9 }- ]. ]0 q+ T● 内置65kHz开关频率7 \4 X# p  a3 [
● 轻载降低工作频率9 \! d  H) {0 ]. b' C% W, O
● VDD电压8.5V-36.5V,工作范围更宽. v2 j; U* O1 Q5 w4 [; F, N9 }+ J
● VDD过压保护功能
" ?9 {0 |/ x% S6 r/ O9 W0 z) M● 内置前沿消隐电路/ K8 T; M% U0 Y1 z/ U, q
● 内置过温保护
8 C& ~& J0 Z) a$ L. t  x" c● 过载保护! }* N6 g  I, [- p) i9 ]$ b
● SOT23-6L/DIP-8L/SOP-8L封装6 t7 ?; H* m( x- S) i2 Z  a9 Y; f
) h* i4 `8 E- o
基本应用8 |; {6 |( f3 c! |
! n9 e- t* B* E. d' w' B9 k
● AC/DC适配器
8 Z# ^2 r# e* B. a- X* l, h● 电视及监视器电源) m: a' }. |- {8 R2 d
● 充电器0 M6 i2 s8 D! F, Z
● 存储设备电源
8 o8 \9 F( t+ j0 z
/ }# S8 {$ W& D, u典型应用6 ]. {8 n' V. N- E9 o/ C" }: ]: O0 k

. T6 k; o0 g3 J- Y3 v
管脚排列
3 A1 V( T6 r; }) Z2 k! p+ l
( @9 t) |! z/ B3 o' Z
管脚描述
  v5 H4 C/ @; B' E  X

! l) p+ i) w- F: _7 D二、基本电性参数
8 D" W7 Q: n! p3 |2 _

2 e. y6 ~& m' r" J! e6 J三、基本波形
XX2293B 90V/60HZ输出纹波
, m8 F7 c& B+ ^8 m
CR6863B 90V/60HZ输出纹波

* }% P% m$ h5 b
XX2293B 264V/50HZ输出纹波
  ~" m6 g+ \2 o  N+ D2 j* z. }7 u
CR6863B 264V/50HZ输出纹波
9 Q) R+ k  B2 `7 p
XX2293B 90V/60HZ MOS波形+肖特基波形
- ~. m; r% v7 n7 X+ l0 R7 M7 M8 t
CR6863B 90V/60HZ MOS波形+肖特基波形
! k* j! |8 B% [  }1 _
XX2293B 90V/60HZ 负载满载 OVP波形

( w( N  n7 F( k) `3 L3 n: H8 B# D3 _( F
CR6863B 90V/60HZ 负载满载 OVP波形
3 h" _/ v: h9 c( k9 V7 f
XX2293B 90V/60HZ GATE波形
: p2 v5 X# M, _4 W( Y- I. {
CR6863B 90V/60HZ GATE波形

" A( B' T& g2 }* W+ @
XX2293B 90V/60HZ CS波形

# g& y4 _( f" ?/ b5 J/ n) R$ n$ _; D
CR6863B 90V/60HZ CS波形

: j8 d% J# p6 K
XX2293B 264V/50HZ MOS波形+肖特基波形

2 `- U' {- E, X+ i4 `/ p0 Z
CR6863B 264V/50HZ MOS波形+肖特基波形
  V; E3 v. u2 i3 H$ I9 m: U
XX2293B 264V/50HZ 负载满载 OVP波形

7 s0 h4 _  z' b
CR6863B 264V/50HZ 负载满载 OVP波形
+ b) j% N" B, T7 z' Y8 n1 n; v7 F
XX2293B 264V/50HZ GATE波形
6 @0 |/ c7 X5 {9 f, n. D* L2 [
CR6863B 264V/50HZ GATE波形

3 Q9 [- j- L# I7 x
XX2293B 264V/50HZ CS波形

2 c9 Y$ k7 C: W% v- L  V
CR6863B 264V/50HZ CS波形
3 g; ^% P) ]7 A4 x3 x$ }  T  P
对比结果:电性基本一致,CR6863B效率略高于XX2293B,推荐使用公司主推的CR6863B。, l- P# E7 G2 g1 I9 W/ ^
' J7 r- S* o+ a" c* N7 c
; e; |% o3 o3 H, y# g
# q# h) g, L# U6 j% m6 ?

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