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我们帮你找到XX2293B芯片替代料,这颗高能效IC就不错~

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发表于 2023-3-2 14:19:00 | 显示全部楼层 |阅读模式
本帖最后由 思睿达小妹妹 于 2023-3-2 14:22 编辑
) x7 Z' z  G- l: S/ ?, ]' S4 F7 J; z" ]9 ]( p9 h! t
电源管理芯片是电子设备的电能**,负责电子设备所需的电能变换、分配、检测等管控功能,是电子设备中的关键器件,其性能优劣对电子产品的性能和可靠性有着直接影响,并且广泛运用于各类电子产品和设备中。: M1 |: F# h& y8 |6 o4 ~

/ P5 s9 V4 n! m7 G+ L8 T例如公司主推的CR6863B芯片是一款高集成度、低功耗的中等功率反激电源控制IC。它的电路结构简单、较少的外围元器件,适用于中小功率AC/DC 电源适配器。+ y+ ]# G& x. U) U3 d! O
  k) [, [( }, ^4 R( S2 I
接下来,我们将对CR6863B和XX2293B进行对比测试,看看公司主推的CR6863B是不是略胜一筹?一起来揭晓吧!
7 f9 ~6 q3 [+ E. P7 i! W
% Q5 h5 u1 [% J  l! t  t$ c& z* \) tCR6863B & XX2293B对比测试; q2 X2 ~4 |, h
* t/ O! V; x. n, \! V
一、样机规格

$ n% p$ G( h4 ~9 z  B0 Q" R. w! ~* |! |8 \8 K& H
输出电压12V、输出负载2A。
- ?/ Z% t: |  S7 _+ s, ]0 e; b/ Z+ A. k; a
7 S) y, \! f3 P/ @) s8 r

  k- J% q3 F) W4 ^( ^. K+ r& h修改参数:
6 J5 h) `# s" z: l- f- t. R4 _; ^, [6 y& M6 P
直接替换IC,R5、R6由3R改为2.2R;R4由3R改为2.4R;R11由3R改为0R ;D7由A7改为RS1M。
9 v. a* T8 _2 @) X! A) q5 \
# L+ w; M  n: l' K* ACR6863B产品概述
9 U( l; n  b0 H& s; p; j2 x% q! R3 K+ x& K
CR6863B是一款高集成度、低待机功耗的CCM+PFM混合电流模式PWM控制器。CR6863B轻载时会降低频率,最低频率22kHz可避免音频噪声。CR6863B提供了完整的保护功能,如cycle-by-cycle 电流限制、OCP、OTP、VDD_OVP、UVLO等。软启动功能可以减少系统启动时MOSFET的应力,前沿消隐时间简化了系统应用。通过频率抖动和软驱动电路的设计,降低开关噪声,简化了EMI设计,CR6863B还提供VDD电压从8.5V-36.5V更宽的工作范围。CR6863B提供SOT23-6L/DIP-8L/SOP-8L的封装。  Z! Z& U+ E, E" n* f$ d9 R
" {! v7 \% x" q8 P7 }' \
芯片特性
% X( }9 x1 R5 d# N9 N. @2 w+ z# U, N& ?; t- R# G
● 较低的启动电流 (大约3μA)
# u) T& I/ S. e' C! L3 K: j. g( R● 内置软启动减少MOSFET应力
4 Y2 ]5 S& e% G  G$ c( @● CCM+PFM控制模式
# Z4 e2 [9 u4 L* r; I● 内建同步斜坡补偿,消除次谐波震荡6 ^& B% r% G  H8 l( M% {
● 内建频率抖动功能,降低EMI) P" Z5 \4 r& m, }% n" q
● 内置65kHz开关频率( l' A+ P, n. H6 r4 G9 [
● 轻载降低工作频率, J& u4 B/ D- ~% b. y
● VDD电压8.5V-36.5V,工作范围更宽5 e" u9 s; |; e
● VDD过压保护功能
; @2 p) s2 u* a3 c● 内置前沿消隐电路
1 F& Y2 ?* w  p* s( i. M● 内置过温保护" l& O+ N! D: M, i
● 过载保护0 L7 H, a5 Z: J, ?; o5 N1 b- f8 M
● SOT23-6L/DIP-8L/SOP-8L封装' ^& y- N. b* e6 t& P

& z7 i- s8 J; L$ M/ S0 G+ Q基本应用( `6 Y4 ?) v7 s3 v) M% R9 K
2 M" @) ]% W$ n$ ]3 \5 Y# M
● AC/DC适配器
8 {  X, P4 ?0 n* ~9 l● 电视及监视器电源. U) z2 R3 e8 ~9 \1 i4 K, V1 z
● 充电器
9 F. @5 [/ i& d# z0 q" o● 存储设备电源
3 F9 m+ Z( S1 O( U; S* t
; ^2 z- ?. g3 U典型应用# i# g7 h8 M' r! o; m
4 I2 i8 J! X  M# q: N* e! V) \
管脚排列
/ C$ [; d. a; p5 n8 x( o  K
' ^/ r% ^/ g; S( H
管脚描述+ T2 Z7 O4 n. ^0 I
6 \/ W. x+ T9 O* g3 k
二、基本电性参数- b' Z! l  Y* u4 J
: Y' _3 b6 i8 A! q) p: S" M# Y% w
三、基本波形
XX2293B 90V/60HZ输出纹波
3 H* ]# Y$ Q- t/ M6 l- M) L
CR6863B 90V/60HZ输出纹波

" j8 x( q) r' o3 ?
XX2293B 264V/50HZ输出纹波
. V6 V+ K8 d& Z' C+ L  K0 b% m: P
CR6863B 264V/50HZ输出纹波
  h- C& o- _  h% a- ^' [
XX2293B 90V/60HZ MOS波形+肖特基波形
2 }2 `" D$ ]  {# I& i4 [5 g0 L* r. g' t
CR6863B 90V/60HZ MOS波形+肖特基波形
. L; v0 X. [1 O) s
XX2293B 90V/60HZ 负载满载 OVP波形

1 |, N% |. m: o
CR6863B 90V/60HZ 负载满载 OVP波形
: s1 u. i- j+ m3 C8 E5 `
XX2293B 90V/60HZ GATE波形
! i6 h, o( i) E1 H# k# w
CR6863B 90V/60HZ GATE波形

" I' C6 P$ R9 X! w4 P2 l0 I, Z
XX2293B 90V/60HZ CS波形

. X9 R2 V* i3 P+ q$ U5 y
CR6863B 90V/60HZ CS波形

; W: p! Q+ f% p& E9 |+ _& z
XX2293B 264V/50HZ MOS波形+肖特基波形
1 w) N8 A! U2 f, M/ L# x  U7 J, w
CR6863B 264V/50HZ MOS波形+肖特基波形

8 ]$ [2 Y2 T) I) \2 c7 s  K
XX2293B 264V/50HZ 负载满载 OVP波形
1 R" |& P, b; _/ U
CR6863B 264V/50HZ 负载满载 OVP波形

4 O* N. n# w) R  l; A! q: w  n' ?
XX2293B 264V/50HZ GATE波形
% z/ ]6 K4 o' N' ^' l
CR6863B 264V/50HZ GATE波形

1 `# l/ e; M: ~; Q( x, D
XX2293B 264V/50HZ CS波形

: F! V- o' g9 x  b
CR6863B 264V/50HZ CS波形
3 P) a6 G1 u. l6 F6 p' {
对比结果:电性基本一致,CR6863B效率略高于XX2293B,推荐使用公司主推的CR6863B。9 W* y( c. ^, m! s. ?
' p! L8 O/ z( K& M" Q" O& I9 H+ s7 P

& v7 U( E* f1 J. E" U
+ f+ q: v! x/ y# W" [7 V7 b

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