本帖最后由 思睿达小妹妹 于 2023-3-2 14:22 编辑
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) s2 j) a# q' O电源管理芯片是电子设备的电能**,负责电子设备所需的电能变换、分配、检测等管控功能,是电子设备中的关键器件,其性能优劣对电子产品的性能和可靠性有着直接影响,并且广泛运用于各类电子产品和设备中。
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例如公司主推的CR6863B芯片是一款高集成度、低功耗的中等功率反激电源控制IC。它的电路结构简单、较少的外围元器件,适用于中小功率AC/DC 电源适配器。' T" X; m' t( O
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接下来,我们将对CR6863B和XX2293B进行对比测试,看看公司主推的CR6863B是不是略胜一筹?一起来揭晓吧!
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CR6863B & XX2293B对比测试
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一、样机规格: F9 b4 g. U. x, y6 T" q
9 |/ r A) B1 P2 g( ]$ C1 U5 |" c输出电压12V、输出负载2A。
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1 Z& @5 w" G# L! T6 h/ q4 E, o( J1 q5 v9 z6 x* S
修改参数:
) L1 T4 k5 C: x, x, n5 T! m2 d7 I. K
直接替换IC,R5、R6由3R改为2.2R;R4由3R改为2.4R;R11由3R改为0R ;D7由A7改为RS1M。! O; u& S3 u: n7 D, f
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CR6863B产品概述
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CR6863B是一款高集成度、低待机功耗的CCM+PFM混合电流模式PWM控制器。CR6863B轻载时会降低频率,最低频率22kHz可避免音频噪声。CR6863B提供了完整的保护功能,如cycle-by-cycle 电流限制、OCP、OTP、VDD_OVP、UVLO等。软启动功能可以减少系统启动时MOSFET的应力,前沿消隐时间简化了系统应用。通过频率抖动和软驱动电路的设计,降低开关噪声,简化了EMI设计,CR6863B还提供VDD电压从8.5V-36.5V更宽的工作范围。CR6863B提供SOT23-6L/DIP-8L/SOP-8L的封装。
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芯片特性
7 a8 g% O/ R. {* w. l- X: j& a7 B6 O9 B+ u' F$ s; y
● 较低的启动电流 (大约3μA)
: c+ f* C! U+ u1 M& ~# c, `- m$ u● 内置软启动减少MOSFET应力
, V- A1 U5 K+ G; C0 Y, i& \● CCM+PFM控制模式
6 e9 N( f9 N8 u$ C● 内建同步斜坡补偿,消除次谐波震荡0 l! }3 y9 K" H- {$ w8 o$ ~1 i
● 内建频率抖动功能,降低EMI
* P4 e9 w: S! K0 U7 _% X● 内置65kHz开关频率# X% M: b1 Q) K; E. {
● 轻载降低工作频率
9 o& L' l0 ~& }% c7 a$ _● VDD电压8.5V-36.5V,工作范围更宽( w( Q3 {& \0 X, D
● VDD过压保护功能" S, X) j1 z- g
● 内置前沿消隐电路
3 f3 I; p8 A* n/ {● 内置过温保护
/ b6 `) c* h# W& n' X7 n+ U● 过载保护
& o' j. e/ D% Q4 m( }' M● SOT23-6L/DIP-8L/SOP-8L封装
& X' K. x) M9 x" s" U% f/ I
* \0 w5 U9 l: f# C基本应用' A+ J* {. p: X3 [ p
8 a8 M6 }" f3 V* E& `* Z7 @8 S● AC/DC适配器
* u) A3 }+ J" X2 l4 d● 电视及监视器电源
2 _8 ^, f" ^" ~7 R● 充电器
7 K# }1 |7 A5 a● 存储设备电源
* |+ K8 t8 P$ d s6 D2 X6 I7 m5 I# n
$ ^9 s. R! i2 b/ F/ t1 k典型应用1 c' }! B* V4 v* j
0 _' q4 B8 }6 L. G0 ~" e, I3 s
管脚排列
( n' O+ U0 z! U- E5 `/ @4 s
% ?6 [. m+ t7 ^2 M/ i管脚描述
C }8 C* g+ ?. m6 d: z/ [/ B4 _' g; `" W6 P) C( |) T
二、基本电性参数
3 V1 L" W& _7 S f8 q# G0 a0 V9 `* ?# X5 b5 N0 q+ \& z" ?% X
三、基本波形XX2293B 90V/60HZ输出纹波
/ n* \8 `3 v: J* e' U& hCR6863B 90V/60HZ输出纹波
& U0 G* l( Y4 NXX2293B 264V/50HZ输出纹波 4 w2 h9 q0 l! N9 p, c' d
CR6863B 264V/50HZ输出纹波
# v2 n( N8 |9 y% l: G1 \3 \XX2293B 90V/60HZ MOS波形+肖特基波形 X# {" U d3 @% [+ ^; ~0 z
CR6863B 90V/60HZ MOS波形+肖特基波形 - b& @& Z4 I. b' j
XX2293B 90V/60HZ 负载满载 OVP波形 3 b0 S) R% a/ [
CR6863B 90V/60HZ 负载满载 OVP波形 * h5 O# \8 i( l) s( N2 a
XX2293B 90V/60HZ GATE波形
/ t: n! Y7 S7 }$ B. ?, L f" ICR6863B 90V/60HZ GATE波形 3 ]5 V: i/ w" R# p% M) e$ H3 H/ I% u
XX2293B 90V/60HZ CS波形 % V% L. M7 M; x+ u, T& B& c# [
CR6863B 90V/60HZ CS波形
# G& X2 H1 \9 K4 O K) M sXX2293B 264V/50HZ MOS波形+肖特基波形
. c- ~: t% J$ n. nCR6863B 264V/50HZ MOS波形+肖特基波形 1 G' T. p {$ Y; j+ F2 p% q( [
XX2293B 264V/50HZ 负载满载 OVP波形
2 {; c) Y S0 UCR6863B 264V/50HZ 负载满载 OVP波形
/ D# R$ S% p" Q2 @% N6 x u# G/ v; N4 HXX2293B 264V/50HZ GATE波形 ; n5 z* i2 J' s, G
CR6863B 264V/50HZ GATE波形
6 U$ T( {+ F: E8 ? a! m/ zXX2293B 264V/50HZ CS波形
- Z9 R4 z5 ^2 n) Z; n# mCR6863B 264V/50HZ CS波形 / X$ a5 k+ J+ D% W* U; x5 u
对比结果:电性基本一致,CR6863B效率略高于XX2293B,推荐使用公司主推的CR6863B。* d {+ X+ u0 A6 a1 ^: L0 E: ?" |
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