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我们帮你找到XX2293B芯片替代料,这颗高能效IC就不错~

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发表于 2023-3-2 14:19:00 | 显示全部楼层 |阅读模式
本帖最后由 思睿达小妹妹 于 2023-3-2 14:22 编辑
8 b* T5 {" _0 B1 }9 O0 g
* A  c5 t5 M+ B$ Q0 D, C+ @7 [电源管理芯片是电子设备的电能**,负责电子设备所需的电能变换、分配、检测等管控功能,是电子设备中的关键器件,其性能优劣对电子产品的性能和可靠性有着直接影响,并且广泛运用于各类电子产品和设备中。
; F6 d  C' r4 _. b+ @
) ?( W4 D) _+ x6 Q- J例如公司主推的CR6863B芯片是一款高集成度、低功耗的中等功率反激电源控制IC。它的电路结构简单、较少的外围元器件,适用于中小功率AC/DC 电源适配器。( h0 p# b/ t; c; p" q8 s
3 ^4 L8 u- Q, c( P* ]
接下来,我们将对CR6863B和XX2293B进行对比测试,看看公司主推的CR6863B是不是略胜一筹?一起来揭晓吧!$ \% x, C0 S. X, i" S4 H1 i
8 E  a. t0 i* H2 n8 I6 \+ L- P/ A
CR6863B & XX2293B对比测试7 [5 V# l9 I" I) m7 \) M% i
9 g+ i/ t4 `" b" Z) \
一、样机规格

4 V1 O0 }1 w4 d6 o- j
% g5 u' Q, C, O- u& m6 w3 l输出电压12V、输出负载2A。+ u- @- T" ~- L

" F! Z5 e* p" c4 F

/ j6 y/ d$ _8 X" \9 _

1 J1 D: u) n0 o' z' N修改参数:+ ~" n; E4 P+ r) @  ?; N5 X

/ V) f0 L6 s! M% K1 U直接替换IC,R5、R6由3R改为2.2R;R4由3R改为2.4R;R11由3R改为0R ;D7由A7改为RS1M。
+ g$ G& a' M, Q
# d2 a, e* A4 D  pCR6863B产品概述
8 b0 m+ c8 r6 m8 w/ v- K& B& ?+ L3 m1 N' i/ E2 ^  |8 Y. o8 k2 J
CR6863B是一款高集成度、低待机功耗的CCM+PFM混合电流模式PWM控制器。CR6863B轻载时会降低频率,最低频率22kHz可避免音频噪声。CR6863B提供了完整的保护功能,如cycle-by-cycle 电流限制、OCP、OTP、VDD_OVP、UVLO等。软启动功能可以减少系统启动时MOSFET的应力,前沿消隐时间简化了系统应用。通过频率抖动和软驱动电路的设计,降低开关噪声,简化了EMI设计,CR6863B还提供VDD电压从8.5V-36.5V更宽的工作范围。CR6863B提供SOT23-6L/DIP-8L/SOP-8L的封装。2 ~, l- [: d5 m- g
5 _: E! F: A* t, X2 N! a
芯片特性
' D/ o1 Q! n7 y$ i4 M$ m% w- J! p$ y  c* O3 B0 f) j3 Y
● 较低的启动电流 (大约3μA)- p: m# Z* F8 k: m  _9 V8 n, M
● 内置软启动减少MOSFET应力
3 G7 Q7 ^1 y9 x* p$ X● CCM+PFM控制模式: j1 C8 ?8 U. |" \1 W4 Q! y
● 内建同步斜坡补偿,消除次谐波震荡: b9 V" z# Y. g7 N# g4 i
● 内建频率抖动功能,降低EMI5 g- h1 F8 J! w- m
● 内置65kHz开关频率- }" B$ y: f' L2 T
● 轻载降低工作频率
# q' }1 o! b8 f8 L+ `) T● VDD电压8.5V-36.5V,工作范围更宽9 b1 _# ~; x' L! r) k' `% i
● VDD过压保护功能9 B  L" Y7 r9 C  V# h8 T
● 内置前沿消隐电路
& Y% H; D4 u4 T% u0 Q● 内置过温保护9 c+ m# h1 H/ }- b0 G0 N
● 过载保护( v! w2 k3 r5 X
● SOT23-6L/DIP-8L/SOP-8L封装
+ G$ l/ R- G( y; H" d# o  |9 f7 S1 k+ T; U
基本应用
. u# }# B& k( o$ @8 C1 H0 {4 w
$ e4 }: A! r, ]$ t; O5 R1 a8 S: }● AC/DC适配器; o2 E' c  w( E/ F8 z
● 电视及监视器电源8 V: V( Q9 r/ Q1 ~9 ]) ~5 n
● 充电器7 O( H9 T: z7 |
● 存储设备电源- _& M% d9 Z4 d

. O* D& \8 z4 S典型应用
# u( n" |  A# c
( d2 v6 H) ?8 l1 i& Y
管脚排列
8 m/ C! M8 Z! F; Q; Y" R9 h0 k1 D( N3 l. i" P5 h2 Y
管脚描述! [: D7 X3 f+ N8 O: j6 q5 @2 f/ S4 O% q
  s3 Q3 a: I9 v2 L/ F8 x- m
二、基本电性参数
, j% G6 b  l0 d" I7 b3 A8 q

' U! o) g5 I. ]6 I* ~* b三、基本波形
XX2293B 90V/60HZ输出纹波
5 v' S4 }. ~9 w+ b9 F/ T
CR6863B 90V/60HZ输出纹波

4 ?- A. _2 v1 }. |5 A5 d& f1 P
XX2293B 264V/50HZ输出纹波
5 J' @* l  O/ E  n" U* t1 X
CR6863B 264V/50HZ输出纹波
/ e1 E8 ~6 j( V8 k- \: V
XX2293B 90V/60HZ MOS波形+肖特基波形
% f- ]  D# N: r8 M) k7 n1 e
CR6863B 90V/60HZ MOS波形+肖特基波形

1 R( ~8 a( ], h; _
XX2293B 90V/60HZ 负载满载 OVP波形
* l- f! {4 V; k( N- k- Y. q9 ?/ N
CR6863B 90V/60HZ 负载满载 OVP波形
9 F4 U, z. L9 ~  z8 C
XX2293B 90V/60HZ GATE波形

* l* q+ A/ L9 E9 t0 {+ P- u0 J* y; j3 c0 Q
CR6863B 90V/60HZ GATE波形

. d. R  h5 I' |# H' E
XX2293B 90V/60HZ CS波形
0 P/ J/ c" z' x7 D
CR6863B 90V/60HZ CS波形

3 @( I; s! {5 p+ F) K
XX2293B 264V/50HZ MOS波形+肖特基波形

" G4 C: w* V' u" c
CR6863B 264V/50HZ MOS波形+肖特基波形
8 e3 n. f9 h; K- r- p" u* |* }
XX2293B 264V/50HZ 负载满载 OVP波形
$ p4 M7 ]( T& ?3 |
CR6863B 264V/50HZ 负载满载 OVP波形

6 O# h3 ?5 O0 |2 b
XX2293B 264V/50HZ GATE波形
) ~. [0 n+ @. L) F8 h5 H
CR6863B 264V/50HZ GATE波形
4 p: m8 P5 Z7 |# a
XX2293B 264V/50HZ CS波形
! ^9 T/ S/ r% [+ Z% d3 r
CR6863B 264V/50HZ CS波形

1 Y2 T7 O2 f9 `9 v% O对比结果:电性基本一致,CR6863B效率略高于XX2293B,推荐使用公司主推的CR6863B。
. B& S; g, o; y. b* Q) j: B+ f( v6 L
/ R  w% V; z, x5 t' d# Q, P) G$ H+ ^( P" L

1 q5 D4 r9 z1 A- G* `7 ?: o

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