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我们帮你找到XX2293B芯片替代料,这颗高能效IC就不错~

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发表于 2023-3-2 14:19:00 | 显示全部楼层 |阅读模式
本帖最后由 思睿达小妹妹 于 2023-3-2 14:22 编辑
1 o( ~' m& ~4 n& v' R! B9 l9 a. x% @& p9 J
电源管理芯片是电子设备的电能**,负责电子设备所需的电能变换、分配、检测等管控功能,是电子设备中的关键器件,其性能优劣对电子产品的性能和可靠性有着直接影响,并且广泛运用于各类电子产品和设备中。
$ J3 o& S1 T! s" @/ p2 u& w' N8 I- {
例如公司主推的CR6863B芯片是一款高集成度、低功耗的中等功率反激电源控制IC。它的电路结构简单、较少的外围元器件,适用于中小功率AC/DC 电源适配器。
9 T4 U1 j" C5 k9 v* M0 f
1 y) y( W3 S7 A* ~& x  ]3 `接下来,我们将对CR6863B和XX2293B进行对比测试,看看公司主推的CR6863B是不是略胜一筹?一起来揭晓吧!& v/ t" i/ N+ ^2 I5 s
0 G2 P# L5 f$ |5 v6 K1 K4 _, O
CR6863B & XX2293B对比测试
& c% }9 H$ L  _2 A' {& u; |- u% C$ a" e! K% K  E) t, u& _# |
一、样机规格
1 l- Z* B( a8 B$ z4 U

: v& U  C7 e. J3 P7 P输出电压12V、输出负载2A。' ~! l' \/ M& G

- q3 x7 r$ S% f) o+ u' o1 s# p, a
& |$ q8 [& q  K$ W3 E! h+ ~
- a; h  d6 g0 H! _6 a6 D3 K, f
修改参数:! b, }1 @9 h7 J2 d$ K9 H/ j4 r5 i
$ I. g+ B( n  Q+ l; j3 j
直接替换IC,R5、R6由3R改为2.2R;R4由3R改为2.4R;R11由3R改为0R ;D7由A7改为RS1M。7 ]3 k- A: c! _5 ^% X

) f0 `7 ]- G# V& ^7 m$ p4 `: o7 _CR6863B产品概述" H& P& T0 y6 U1 `- g, d
% X6 K- s2 _7 M8 E
CR6863B是一款高集成度、低待机功耗的CCM+PFM混合电流模式PWM控制器。CR6863B轻载时会降低频率,最低频率22kHz可避免音频噪声。CR6863B提供了完整的保护功能,如cycle-by-cycle 电流限制、OCP、OTP、VDD_OVP、UVLO等。软启动功能可以减少系统启动时MOSFET的应力,前沿消隐时间简化了系统应用。通过频率抖动和软驱动电路的设计,降低开关噪声,简化了EMI设计,CR6863B还提供VDD电压从8.5V-36.5V更宽的工作范围。CR6863B提供SOT23-6L/DIP-8L/SOP-8L的封装。" h0 m* ^+ D; j5 f

! p" M) a. _% q. @# w8 ~5 V芯片特性
) |! z# V2 t: B# [8 D6 d
. a7 B  f; c5 J. d6 v. P" P+ L3 F● 较低的启动电流 (大约3μA)
& U: S8 Z+ P' c; U5 }. ^2 L, W● 内置软启动减少MOSFET应力
% `8 p- P/ G3 M3 `! k$ V( I● CCM+PFM控制模式/ z1 H- E9 h1 [0 @
● 内建同步斜坡补偿,消除次谐波震荡8 |7 E; @2 \, Q+ {6 J
● 内建频率抖动功能,降低EMI
& o8 f& E" ], R, d& D● 内置65kHz开关频率
- E* ?1 @% U% h7 C: V● 轻载降低工作频率% e( h6 m1 E# a( Q
● VDD电压8.5V-36.5V,工作范围更宽6 u4 R/ ~. e3 q3 t3 T2 k
● VDD过压保护功能
0 N2 A( D/ X* l- y. T' t● 内置前沿消隐电路* w- K! V( Z8 _" L$ H
● 内置过温保护
/ [" N' p# v' q8 j● 过载保护
9 a1 [4 q" b. u/ g: r4 z● SOT23-6L/DIP-8L/SOP-8L封装2 L- N" u5 L+ A. f. d% m& z( {

9 X$ c3 p9 l, x  K# Q  [/ k7 i基本应用0 H- e# a. \6 \6 D& i- V& ~2 l
, `! }# X% b& j# J: L
● AC/DC适配器% f5 ?. U8 l! o/ A! z! l
● 电视及监视器电源: v! ^  t; A$ H9 ^% t0 h
● 充电器! h9 z2 o$ s9 F2 L
● 存储设备电源
8 d0 Q8 V9 d* w) ^1 Z/ R  G7 p' I* }4 T" f( n7 n6 |: r
典型应用% E$ }7 o4 G6 s& N. O

! Q- l2 W$ |9 l2 ?0 o
管脚排列
2 X9 I* O! b4 S- g! Z
  A- i, k5 p2 y' a9 d
管脚描述
. V9 o/ E  r; R$ D

# F' M2 V& c; `# `: E$ R$ I二、基本电性参数
& w+ B  f8 p9 o/ w
# t- F& n- Y5 j# u' S$ N0 L) d
三、基本波形
XX2293B 90V/60HZ输出纹波

4 P2 B# ?1 z; V& R+ S
CR6863B 90V/60HZ输出纹波

! d" k; e' V; ?4 a0 C/ D
XX2293B 264V/50HZ输出纹波

7 V! I, T! k2 N7 |! v8 p2 K8 l9 _$ e: s
CR6863B 264V/50HZ输出纹波

$ n8 X  `' F$ ~4 F+ c1 _7 i  _
XX2293B 90V/60HZ MOS波形+肖特基波形
( D( l: }. m# ], S
CR6863B 90V/60HZ MOS波形+肖特基波形

0 J1 v6 k! \: }' Q
XX2293B 90V/60HZ 负载满载 OVP波形

$ h* a! p, v2 {9 V2 `! W/ a
CR6863B 90V/60HZ 负载满载 OVP波形
3 w# ~: _& H9 z
XX2293B 90V/60HZ GATE波形

% m3 I  D. B% y: i5 c: J( R) m
CR6863B 90V/60HZ GATE波形
0 [( Q4 h# Y/ _6 P" ~/ {/ u
XX2293B 90V/60HZ CS波形

- A  Y2 {8 @2 y% I
CR6863B 90V/60HZ CS波形

& H: u6 G4 [9 A  a
XX2293B 264V/50HZ MOS波形+肖特基波形

, M$ c1 \/ Z8 C8 i' \
CR6863B 264V/50HZ MOS波形+肖特基波形

- Z6 H5 P: d5 L- L& t* K' X/ `4 m
XX2293B 264V/50HZ 负载满载 OVP波形
- S5 m3 k- k! t0 Y
CR6863B 264V/50HZ 负载满载 OVP波形

! \$ X6 \( F! V% X! ~
XX2293B 264V/50HZ GATE波形

# H$ |/ I0 H! k
CR6863B 264V/50HZ GATE波形

  {0 X" ~0 [7 X0 d
XX2293B 264V/50HZ CS波形

. l- R) e. M9 u" F
CR6863B 264V/50HZ CS波形
& U! w+ f6 C. @' o3 ]( \% t
对比结果:电性基本一致,CR6863B效率略高于XX2293B,推荐使用公司主推的CR6863B。
. j" q* w  _* k2 M- K
( M$ [8 m% E( T: D: z
% @3 z$ k7 K" Q% c
% ^* g/ V7 S0 _2 J2 d6 @8 R

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