本帖最后由 思睿达小妹妹 于 2023-3-2 14:22 编辑 4 C( J$ X9 X/ {7 a
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电源管理芯片是电子设备的电能**,负责电子设备所需的电能变换、分配、检测等管控功能,是电子设备中的关键器件,其性能优劣对电子产品的性能和可靠性有着直接影响,并且广泛运用于各类电子产品和设备中。" h* r; I' G: z3 n, u
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例如公司主推的CR6863B芯片是一款高集成度、低功耗的中等功率反激电源控制IC。它的电路结构简单、较少的外围元器件,适用于中小功率AC/DC 电源适配器。' _, B1 U8 R9 G: M; A2 n" _; e! ?
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接下来,我们将对CR6863B和XX2293B进行对比测试,看看公司主推的CR6863B是不是略胜一筹?一起来揭晓吧!) `; d7 R* {% F; f$ ? b+ Z# Z
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CR6863B & XX2293B对比测试' s7 d, I4 [ {1 J) a( z, g* e
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一、样机规格7 _% ^! u9 [: `7 z6 Y
( `6 x& y1 O7 w输出电压12V、输出负载2A。
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修改参数:' _; J) V1 w3 {$ g, e' z7 ?5 c
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直接替换IC,R5、R6由3R改为2.2R;R4由3R改为2.4R;R11由3R改为0R ;D7由A7改为RS1M。
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CR6863B产品概述
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) } K. r( q* j3 KCR6863B是一款高集成度、低待机功耗的CCM+PFM混合电流模式PWM控制器。CR6863B轻载时会降低频率,最低频率22kHz可避免音频噪声。CR6863B提供了完整的保护功能,如cycle-by-cycle 电流限制、OCP、OTP、VDD_OVP、UVLO等。软启动功能可以减少系统启动时MOSFET的应力,前沿消隐时间简化了系统应用。通过频率抖动和软驱动电路的设计,降低开关噪声,简化了EMI设计,CR6863B还提供VDD电压从8.5V-36.5V更宽的工作范围。CR6863B提供SOT23-6L/DIP-8L/SOP-8L的封装。
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- P4 |6 a+ y$ B& c1 o- S! N芯片特性
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● 较低的启动电流 (大约3μA)
: @( U3 x* w6 o" ?% @● 内置软启动减少MOSFET应力
5 n9 r4 Y# R" o● CCM+PFM控制模式
1 S% x0 O, |' w) _0 j7 v- V; v● 内建同步斜坡补偿,消除次谐波震荡2 d( G4 t- N" f" n4 A
● 内建频率抖动功能,降低EMI
# [' \) q- r$ N( x7 g" C+ m● 内置65kHz开关频率- r( P# |2 D1 w3 g! n( V9 R( m* C% }
● 轻载降低工作频率% b. v7 T% l1 n. @
● VDD电压8.5V-36.5V,工作范围更宽
- P2 e& T# F+ h3 I* L( X7 m, h! v0 W● VDD过压保护功能
( B+ [. x u) Y& Q( ]● 内置前沿消隐电路3 X t4 W" G4 a: c
● 内置过温保护; n5 s9 R1 {0 Z) k! x/ m @
● 过载保护1 T0 h' D6 b( A) p
● SOT23-6L/DIP-8L/SOP-8L封装; S8 }1 T7 a8 P- U5 `" w2 C5 @
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基本应用
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● AC/DC适配器
' O5 Z+ G+ H v; y% ^6 r7 X● 电视及监视器电源
0 T6 z1 y) v5 }) C1 ~● 充电器
N, ?8 q0 x" b- K7 _# S● 存储设备电源
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3 b' g- o; U0 k7 y: r5 w典型应用
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8 j# S5 e" p2 s5 T管脚排列
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管脚描述
( I$ g: D8 i( |0 C: h( H" M
; |# _4 @' l2 ]! V6 Y二、基本电性参数8 Y% ?5 W7 E/ u* A/ g
+ Y, a/ A! `( U
三、基本波形XX2293B 90V/60HZ输出纹波
# {3 C) N6 J ]5 k9 `8 p+ vCR6863B 90V/60HZ输出纹波
. l2 z W! V. X. N% aXX2293B 264V/50HZ输出纹波
M* m, v1 _& f: z8 ~CR6863B 264V/50HZ输出纹波
: P9 z8 Z& P: @/ X$ t% _/ \0 oXX2293B 90V/60HZ MOS波形+肖特基波形 & ~' s; e- k. D3 s) p8 T9 }
CR6863B 90V/60HZ MOS波形+肖特基波形 u. h% M3 a3 W' w; g2 c' s
XX2293B 90V/60HZ 负载满载 OVP波形
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XX2293B 90V/60HZ GATE波形 % Z! y2 v+ @# \" Z) A1 A, v* b0 T4 w
CR6863B 90V/60HZ GATE波形
5 K+ [& Y: i6 iXX2293B 90V/60HZ CS波形
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XX2293B 264V/50HZ MOS波形+肖特基波形 6 W% O2 E+ E! m& ^; _
CR6863B 264V/50HZ MOS波形+肖特基波形 - i+ ?( N- ^- N1 B* t ^
XX2293B 264V/50HZ 负载满载 OVP波形 5 n3 U' ? f% m8 Y( x/ |
CR6863B 264V/50HZ 负载满载 OVP波形
]& ~! f# }+ ?0 ?8 `; bXX2293B 264V/50HZ GATE波形 ! d- ^7 X, U* U+ j2 m6 o# k8 B8 g
CR6863B 264V/50HZ GATE波形
/ O9 a1 x4 `- {1 R' p2 `# kXX2293B 264V/50HZ CS波形 ( s6 t& n$ r* d& x ~3 j
CR6863B 264V/50HZ CS波形 + r7 Y8 q- P# r8 z( b
对比结果:电性基本一致,CR6863B效率略高于XX2293B,推荐使用公司主推的CR6863B。
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