本帖最后由 思睿达小妹妹 于 2023-3-2 14:22 编辑 " [9 r: Z5 Y" n) Y6 @+ \
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电源管理芯片是电子设备的电能**，负责电子设备所需的电能变换、分配、检测等管控功能，是电子设备中的关键器件，其性能优劣对电子产品的性能和可靠性有着直接影响，并且广泛运用于各类电子产品和设备中。
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k( x' b6 \# Z& b例如公司主推的CR6863B芯片是一款高集成度、低功耗的中等功率反激电源控制IC。它的电路结构简单、较少的外围元器件，适用于中小功率AC/DC 电源适配器。4 r, E; m2 ?% K: D1 y
& O m& |* W2 l6 L. X. ]接下来，我们将对CR6863B和XX2293B进行对比测试，看看公司主推的CR6863B是不是略胜一筹？一起来揭晓吧！3 F( a$ p& u2 ?
* Z. C) T A# ]0 I4 a( ^3 M3 M7 yCR6863B & XX2293B对比测试
6 S3 y4 F! o, _. Y6 D. k* j; b8 f1 Z$ @! X
一、样机规格+ l7 Q5 f. l# }, {
) t9 B; l3 S+ K8 Q输出电压12V、输出负载2A。
" \ y8 e" h; g. w) F2 D6 { J, Q( k
, ]1 u1 f5 g4 K6 {. R% ?7 O
$ ]/ ~' {) x3 i4 u& j5 E) ~修改参数：3 \# x2 j) U% C& \: z1 {, g
" W* q2 |# `) P% S/ v; j# C3 e
直接替换IC，R5、R6由3R改为2.2R；R4由3R改为2.4R；R11由3R改为0R ；D7由A7改为RS1M。
0 e6 g$ S1 u: C) p( i m, D: J3 u6 {7 ?' i4 d( q4 s) X
CR6863B产品概述
! ~: A, S g7 J, f* x" j# [5 U
! O3 g+ R t" e" {CR6863B是一款高集成度、低待机功耗的CCM+PFM混合电流模式PWM控制器。CR6863B轻载时会降低频率，最低频率22kHz可避免音频噪声。CR6863B提供了完整的保护功能，如cycle-by-cycle 电流限制、OCP、OTP、VDD_OVP、UVLO等。软启动功能可以减少系统启动时MOSFET的应力，前沿消隐时间简化了系统应用。通过频率抖动和软驱动电路的设计，降低开关噪声，简化了EMI设计，CR6863B还提供VDD电压从8.5V-36.5V更宽的工作范围。CR6863B提供SOT23-6L/DIP-8L/SOP-8L的封装。
* \: e1 N0 q7 D6 ^) V( p5 N$ {; n7 Y3 t G5 h
芯片特性/ B! C" @1 h* i$ F) M
" I0 o {- Q4 Q3 R# ]% |5 [● 较低的启动电流 (大约3μA)6 {! X0 h7 \+ L+ y: e
● 内置软启动减少MOSFET应力
' }* o5 R% y* l4 Z. t" i9 ~● CCM+PFM控制模式: y" v1 `) }$ P8 n/ P
● 内建同步斜坡补偿，消除次谐波震荡 {( l+ q; t& _- B9 q6 G
● 内建频率抖动功能，降低EMI
2 f( J4 R$ M& v7 x! c& G% O2 l● 内置65kHz开关频率
8 c$ C( V# H, `- S6 v● 轻载降低工作频率1 {! _% \% G" {# Y
● VDD电压8.5V-36.5V，工作范围更宽
2 k$ p& k* r* c5 `4 E& t● VDD过压保护功能
2 s" Q/ X5 Q. ]$ s. c7 H● 内置前沿消隐电路0 w6 g$ Q3 u! }4 P8 Q7 p
● 内置过温保护' a6 ^0 Z5 q0 R+ l" z2 S) Z! D# |8 o
● 过载保护
; M7 F/ N |: p● SOT23-6L/DIP-8L/SOP-8L封装: `' s7 ~- v1 b3 ], i
# Q- M, h, k- u7 c+ c2 r
基本应用
+ J) k9 q- r; L% d C* g U; N- G: W+ ^6 B. c
● AC/DC适配器) }" U; e7 U) ]( L6 i# D& |( c
● 电视及监视器电源7 U4 t7 G4 h) S3 V' w4 O
● 充电器. s5 C. d- k3 K% r3 g; f3 F* l
● 存储设备电源; ` y, C4 X$ r
2 Q; Q8 G+ C: `( ^
典型应用
. u: W+ Z% y' @+ B, Z& r8 P, m- ], c
管脚排列
# Q# E/ Z r1 ?( d( U) H7 n# [+ [ X
管脚描述6 C+ G* O- k+ N
) A( w, l* X9 T/ H& z二、基本电性参数
; W: _' e0 ^- t& v3 R, G# V" |4 y7 D1 {, w& W. \
三、基本波形XX2293B 90V/60HZ输出纹波 & T0 K m# ^" ]5 o9 i* J& E6 S
CR6863B 90V/60HZ输出纹波 3 N# k& B! v. ^. h$ N
XX2293B 264V/50HZ输出纹波
- X/ |" _5 \; y0 a, nCR6863B 264V/50HZ输出纹波 ! h8 o$ K7 E+ `1 G+ _4 u' |
XX2293B 90V/60HZ MOS波形+肖特基波形
' I! b3 ~) m) g" CCR6863B 90V/60HZ MOS波形+肖特基波形 8 d: s7 L8 D. y& e3 a& X2 f; N
XX2293B 90V/60HZ 负载满载 OVP波形 ( \" z8 N1 ]4 K) v; A
CR6863B 90V/60HZ 负载满载 OVP波形
2 ~. e+ H$ }2 }6 J0 g9 aXX2293B 90V/60HZ GATE波形
9 x7 Y. s1 N3 r$ v MCR6863B 90V/60HZ GATE波形
5 P9 N ~/ k+ x( r9 }& y; YXX2293B 90V/60HZ CS波形 5 J& \- _, W& k l
CR6863B 90V/60HZ CS波形 " S L T; M" s9 F, s5 R9 ?
XX2293B 264V/50HZ MOS波形+肖特基波形
* P5 A+ W( c ^# G9 BCR6863B 264V/50HZ MOS波形+肖特基波形 , u7 c5 J: y. S& {6 R+ O% d
XX2293B 264V/50HZ 负载满载 OVP波形 & j" J! v9 E& D3 ]- ^( R0 W+ ~+ }
CR6863B 264V/50HZ 负载满载 OVP波形
' G' a' w; t+ w. l/ r$ ]6 PXX2293B 264V/50HZ GATE波形 + B1 }5 l& c/ i! Q8 ^! d: A& _) F
CR6863B 264V/50HZ GATE波形 3 `6 M* E7 ^0 Y. f0 a' L! J2 M
XX2293B 264V/50HZ CS波形
" m% L3 V3 t4 w0 N X$ bCR6863B 264V/50HZ CS波形
+ z' G* q- r7 a) o4 V3 i! K, H对比结果：电性基本一致，CR6863B效率略高于XX2293B，推荐使用公司主推的CR6863B。# x; q* g. L6 D- E J3 @( _; f' M
6 a5 @8 v( ~2 a Q) M
# t5 K j% p9 s+ y' ~" C8 P' a- E0 R" C4 r
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发表于 2023-3-2 14:19:00
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