本帖最后由 思睿达小妹妹 于 2023-3-2 14:22 编辑
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电源管理芯片是电子设备的电能**，负责电子设备所需的电能变换、分配、检测等管控功能，是电子设备中的关键器件，其性能优劣对电子产品的性能和可靠性有着直接影响，并且广泛运用于各类电子产品和设备中。6 y6 k9 H. Z% v$ l% ?9 K7 T
: `+ [* x4 F" p% {例如公司主推的CR6863B芯片是一款高集成度、低功耗的中等功率反激电源控制IC。它的电路结构简单、较少的外围元器件，适用于中小功率AC/DC 电源适配器。6 G% @& C1 J* v1 f
! i2 o5 T( R- T* S接下来，我们将对CR6863B和XX2293B进行对比测试，看看公司主推的CR6863B是不是略胜一筹？一起来揭晓吧！
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6 w3 \' ^/ A }& mCR6863B & XX2293B对比测试/ T( b5 ?: ^9 T$ J
+ Y. m, v, ]( h% y
一、样机规格# ^2 L* P( g1 I0 X
- o$ `; z9 P/ z; x. g
输出电压12V、输出负载2A。
6 t" }8 g$ Y8 s$ }9 `, D7 m3 ^2 t# A
' y. k5 S t7 A$ S2 N) j( v
6 h( E* U [. Z9 o6 L修改参数：0 h( ^4 ?7 y. z" B9 L
0 {9 l/ t. K. m$ K- F9 H6 y直接替换IC，R5、R6由3R改为2.2R；R4由3R改为2.4R；R11由3R改为0R ；D7由A7改为RS1M。
) C' t+ r1 J" P9 _3 y+ L5 M: r( f/ J' |& c. m7 E' P D8 [
CR6863B产品概述
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* g5 o0 h! E% c' lCR6863B是一款高集成度、低待机功耗的CCM+PFM混合电流模式PWM控制器。CR6863B轻载时会降低频率，最低频率22kHz可避免音频噪声。CR6863B提供了完整的保护功能，如cycle-by-cycle 电流限制、OCP、OTP、VDD_OVP、UVLO等。软启动功能可以减少系统启动时MOSFET的应力，前沿消隐时间简化了系统应用。通过频率抖动和软驱动电路的设计，降低开关噪声，简化了EMI设计，CR6863B还提供VDD电压从8.5V-36.5V更宽的工作范围。CR6863B提供SOT23-6L/DIP-8L/SOP-8L的封装。) F# E2 E$ x8 `1 `: F3 }
+ `7 v. ?9 Z7 R- ?) [+ \# n
芯片特性
9 I+ G- E' l9 ~4 |6 a. b" V& O! v. i% U) T2 C Z/ J) O
● 较低的启动电流 (大约3μA)6 U7 J' |# K' l) H) ^: K
● 内置软启动减少MOSFET应力
" U3 `7 B! F5 [ L7 i● CCM+PFM控制模式. A! X1 n# v/ d0 \4 N) j, s" O3 D* n m
● 内建同步斜坡补偿，消除次谐波震荡4 q, Y( ~ J* z( E& V* P9 S
● 内建频率抖动功能，降低EMI
; y1 x# H, J% I' }$ l8 i8 Q● 内置65kHz开关频率
: W, Z) b8 t7 ~$ b$ G● 轻载降低工作频率
- B2 p9 D% c6 l: K; M( O. r● VDD电压8.5V-36.5V，工作范围更宽& i F7 V0 q; F+ A4 w
● VDD过压保护功能
* }* n! d* Q- A: S● 内置前沿消隐电路
1 }2 n& ^$ k1 U) {1 S● 内置过温保护; `5 z% n1 h" i9 w1 \
● 过载保护- b* s. j7 z8 [9 J' P: P
● SOT23-6L/DIP-8L/SOP-8L封装
1 V4 U! w7 k3 P, v x+ J. O# ]$ q
" z5 E% Z7 W5 K, C2 q/ U1 K# F% L基本应用7 Q) A1 }0 o$ E0 @* \ t; \
5 s V- L7 y8 _ _# x2 l● AC/DC适配器
- V, K2 L+ h6 X● 电视及监视器电源, ], R* P) c f6 i, f. q! c3 `" W- h3 ~
● 充电器
* [6 Y/ i6 S) _ L0 V0 r% H4 S● 存储设备电源
% W: W/ W" W* O6 A
% y0 Q }: X! _9 [/ Z" H( p典型应用
$ Z3 ]& i1 ], e1 n6 X' U. c/ t( _$ ?' u1 r8 v) S
管脚排列. ]5 G' Q, r" J7 ]2 U3 c
. j, E" w' i" Y z0 r& n
管脚描述, u0 u+ a5 i; O+ r: @9 s
7 u9 D" j& [) B G二、基本电性参数
0 O; A1 x' A* e j" D/ v1 o! H1 f, N% o& A1 `) Z" s
三、基本波形XX2293B 90V/60HZ输出纹波 / c6 L* ?5 V3 V
CR6863B 90V/60HZ输出纹波
& \# c4 B. b3 _5 g6 Q" t* iXX2293B 264V/50HZ输出纹波
$ f. S" D; y4 |, R# a2 CCR6863B 264V/50HZ输出纹波
9 ]6 d0 [8 ?5 v- e, w) d/ GXX2293B 90V/60HZ MOS波形+肖特基波形
8 a& n# k' z* O+ s0 f) l5 q6 y8 BCR6863B 90V/60HZ MOS波形+肖特基波形 4 \( |' \% A2 ~2 n% o p) h% C
XX2293B 90V/60HZ 负载满载 OVP波形
9 `5 I2 d1 c Y6 y% N& g3 QCR6863B 90V/60HZ 负载满载 OVP波形
- ~) x2 U& l% ]- B% gXX2293B 90V/60HZ GATE波形
9 ` W6 N* F* ~& m$ JCR6863B 90V/60HZ GATE波形 6 v. F! v3 A! w6 Z8 M# |3 r4 W
XX2293B 90V/60HZ CS波形 " H! H3 }, i# K
CR6863B 90V/60HZ CS波形 + M- Q- o, U, C$ c5 _2 c
XX2293B 264V/50HZ MOS波形+肖特基波形 , I7 @6 v) u; D* J+ L9 `( x
CR6863B 264V/50HZ MOS波形+肖特基波形 9 t& l; s5 b! s2 [1 X0 W+ T
XX2293B 264V/50HZ 负载满载 OVP波形 # p3 P: c5 x/ X, f0 c/ h
CR6863B 264V/50HZ 负载满载 OVP波形 ; M3 d# J' P- K& y' H& H! \! b% ^1 _
XX2293B 264V/50HZ GATE波形
$ G) N9 Z3 P& FCR6863B 264V/50HZ GATE波形
* S5 T' o c/ z( fXX2293B 264V/50HZ CS波形 6 X( o \" f8 h4 W+ W
CR6863B 264V/50HZ CS波形
* H6 A, a% V; [5 n对比结果：电性基本一致，CR6863B效率略高于XX2293B，推荐使用公司主推的CR6863B。 R1 W* W& `. X/ j/ h, y
7 z$ W! ?, S# `& X0 D" X
" e! I8 L1 u$ V' B* I6 ~* D: r, H6 \& E# @( @ D& O" Y# J
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发表于 2023-3-2 14:19:00
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