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我们帮你找到XX2293B芯片替代料,这颗高能效IC就不错~

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发表于 2023-3-2 14:19:00 | 显示全部楼层 |阅读模式
本帖最后由 思睿达小妹妹 于 2023-3-2 14:22 编辑 ) Q6 `# s; K% g4 w. G# G/ l
# J4 f4 H8 }, ~+ L6 H. A
电源管理芯片是电子设备的电能**,负责电子设备所需的电能变换、分配、检测等管控功能,是电子设备中的关键器件,其性能优劣对电子产品的性能和可靠性有着直接影响,并且广泛运用于各类电子产品和设备中。' T0 }# w, N( H9 m9 o! p% J) h" c) r
3 A  l) B9 z* y* T
例如公司主推的CR6863B芯片是一款高集成度、低功耗的中等功率反激电源控制IC。它的电路结构简单、较少的外围元器件,适用于中小功率AC/DC 电源适配器。
' K; n4 m" R# Q
# S' R, t8 ]2 s0 x( X3 j) l接下来,我们将对CR6863B和XX2293B进行对比测试,看看公司主推的CR6863B是不是略胜一筹?一起来揭晓吧!
2 }2 Q+ m7 |% T; }% ~3 N# c$ x& r  }' y  Y2 K! Y
CR6863B & XX2293B对比测试
; O* E+ ^# D0 z1 p( r- w& P! M4 ~: P+ Z1 C, d4 C/ z
一、样机规格
& T  s  `0 ^; _3 d6 `/ j

5 _& J2 L9 {) s- X/ `输出电压12V、输出负载2A。2 P7 s8 h2 f9 Q4 p

+ }6 S+ X8 c. b8 s/ C( w. O2 c4 \! v+ B
- Y8 j3 Q% V7 w0 E

3 i1 n' H3 b( x# b) J修改参数:' j0 `6 R/ S7 K% L3 Z- r
) u% c% x* z4 P4 {/ q: \
直接替换IC,R5、R6由3R改为2.2R;R4由3R改为2.4R;R11由3R改为0R ;D7由A7改为RS1M。
; \+ ]  C) D0 d; K
* F. D( u% M3 R5 Y0 m" @. YCR6863B产品概述9 b* g$ I* Y0 `7 y" A- l
! X7 |! A$ m9 B# D* g- D
CR6863B是一款高集成度、低待机功耗的CCM+PFM混合电流模式PWM控制器。CR6863B轻载时会降低频率,最低频率22kHz可避免音频噪声。CR6863B提供了完整的保护功能,如cycle-by-cycle 电流限制、OCP、OTP、VDD_OVP、UVLO等。软启动功能可以减少系统启动时MOSFET的应力,前沿消隐时间简化了系统应用。通过频率抖动和软驱动电路的设计,降低开关噪声,简化了EMI设计,CR6863B还提供VDD电压从8.5V-36.5V更宽的工作范围。CR6863B提供SOT23-6L/DIP-8L/SOP-8L的封装。
+ g0 v9 H4 ^3 H6 \
$ z0 @' B* I' g6 g9 y5 T4 F) n芯片特性& V) q( l3 u& i& ~

- l. x! @6 b; L6 u- k3 w2 A● 较低的启动电流 (大约3μA)
" ~: P% B" S6 Q● 内置软启动减少MOSFET应力" K8 v: A2 X$ T9 c3 B, M
● CCM+PFM控制模式
& D8 E# J& v7 r/ e0 z● 内建同步斜坡补偿,消除次谐波震荡) i: X  Z1 n+ G* s& D
● 内建频率抖动功能,降低EMI
7 a  H7 E7 K0 Z* ~" f- Y# B● 内置65kHz开关频率
5 A' ]+ `: Y# w, v. z# ^) ]! R( t● 轻载降低工作频率" Z- J. h6 A8 P$ p- {9 X7 ~
● VDD电压8.5V-36.5V,工作范围更宽; _, b2 I; A" Y8 W. I
● VDD过压保护功能# d  z9 D8 v3 {+ Z
● 内置前沿消隐电路
+ V; X' k+ B3 x4 H, Q. A7 \● 内置过温保护  x" C& q. I9 j) U; a" Y
● 过载保护
& e+ ^. B( w% h7 Q  X● SOT23-6L/DIP-8L/SOP-8L封装
2 I0 y& A4 A4 c8 _6 e
/ o5 h/ y; H- u# s( U( Y& X0 ^& ^基本应用5 X. _( Q! d" ~8 P; f, I

" c4 A# U  M& W● AC/DC适配器7 d# ^  g7 `; `9 x7 S
● 电视及监视器电源
8 O7 O; _3 X# }$ ]● 充电器
' i/ s' v6 p5 l, q) r! r● 存储设备电源6 k+ p+ A# \1 C- r1 r$ G" C+ s0 d9 n
2 R9 F/ ]% l4 Y/ h
典型应用
/ ~1 K; x  F: R# H- a
3 Q5 D: R" `. ]. @( }0 C
管脚排列
, ~/ M7 ^; o1 @, K8 J! p
+ f! u( [& |" y# M8 q4 A- N/ a
管脚描述& x- ?7 P! g( _; X0 J* R$ A

  b& u, C/ G$ g* \+ K0 S二、基本电性参数2 ^/ k8 A3 r. G: C$ K1 [, U4 h9 j& V  V
/ I3 N; G  y( @7 u, b
三、基本波形
XX2293B 90V/60HZ输出纹波
8 H) Q* n$ F8 Z
CR6863B 90V/60HZ输出纹波
( A* c2 m9 T: v3 E, _
XX2293B 264V/50HZ输出纹波
2 R8 b# C) n! f$ R" x+ q. w5 v
CR6863B 264V/50HZ输出纹波

9 I' v/ {0 H- i, S+ {! f
XX2293B 90V/60HZ MOS波形+肖特基波形

# C/ \, A- ~0 R- C; F
CR6863B 90V/60HZ MOS波形+肖特基波形
- u1 T0 S5 \& D- h) L9 ~
XX2293B 90V/60HZ 负载满载 OVP波形

6 R" A% j! V- L" q7 E: J
CR6863B 90V/60HZ 负载满载 OVP波形
% R0 M1 v6 i; ?! E
XX2293B 90V/60HZ GATE波形
2 `. K* M4 |9 |8 P" n1 [2 Q
CR6863B 90V/60HZ GATE波形

7 ~/ z: a) ]  [+ o: t) {1 E
XX2293B 90V/60HZ CS波形
- W1 Q( Y6 O- x% i9 Z% T. ?
CR6863B 90V/60HZ CS波形

% e) P2 H0 j* K8 N: u- j
XX2293B 264V/50HZ MOS波形+肖特基波形

! q: l/ ^% L! ~# A
CR6863B 264V/50HZ MOS波形+肖特基波形
) w2 W: Z/ a9 S1 t+ @7 q- a# V5 m  A+ g3 p
XX2293B 264V/50HZ 负载满载 OVP波形

( K3 g9 z4 F2 o9 ^! ~( g
CR6863B 264V/50HZ 负载满载 OVP波形

! j  N: f  I0 g" c8 G# X
XX2293B 264V/50HZ GATE波形
6 b* i/ i$ x; w1 {( |
CR6863B 264V/50HZ GATE波形

7 F* n9 g5 S8 h! q( ~
XX2293B 264V/50HZ CS波形
! P1 P& m& ?" x, U1 l2 ]7 p1 y; |4 i
CR6863B 264V/50HZ CS波形

& J1 S4 T: [% F+ E, W对比结果:电性基本一致,CR6863B效率略高于XX2293B,推荐使用公司主推的CR6863B。- p' X+ {' _( f! S' q1 o
2 P9 Q5 t6 Z3 V4 q4 n! F8 o' t: C

' F1 z/ g1 L& j& q) r( S1 f1 ]7 ?& F4 ^) Z8 o( o# Y

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