本帖最后由 思睿达小妹妹 于 2023-3-2 14:22 编辑 . ]) Y. I) y0 s/ E+ s( k- z) }& T
' x7 o1 b7 ~6 i5 a4 a! y" t8 Z电源管理芯片是电子设备的电能**,负责电子设备所需的电能变换、分配、检测等管控功能,是电子设备中的关键器件,其性能优劣对电子产品的性能和可靠性有着直接影响,并且广泛运用于各类电子产品和设备中。
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z, F2 u! w1 u0 s, u5 o例如公司主推的CR6863B芯片是一款高集成度、低功耗的中等功率反激电源控制IC。它的电路结构简单、较少的外围元器件,适用于中小功率AC/DC 电源适配器。
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接下来,我们将对CR6863B和XX2293B进行对比测试,看看公司主推的CR6863B是不是略胜一筹?一起来揭晓吧!
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/ f+ o: c% o7 {0 L( ^4 \CR6863B & XX2293B对比测试
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一、样机规格
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输出电压12V、输出负载2A。
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4 _- D) S2 @8 L7 p/ a修改参数:
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直接替换IC,R5、R6由3R改为2.2R;R4由3R改为2.4R;R11由3R改为0R ;D7由A7改为RS1M。( O' w7 b5 X% B, F( D: C3 Z
: i' m% L) _3 v: j0 x/ k( MCR6863B产品概述5 l: |' s: V6 W; P
+ N( \+ L8 b3 D! d. V9 u6 S4 @/ F% pCR6863B是一款高集成度、低待机功耗的CCM+PFM混合电流模式PWM控制器。CR6863B轻载时会降低频率,最低频率22kHz可避免音频噪声。CR6863B提供了完整的保护功能,如cycle-by-cycle 电流限制、OCP、OTP、VDD_OVP、UVLO等。软启动功能可以减少系统启动时MOSFET的应力,前沿消隐时间简化了系统应用。通过频率抖动和软驱动电路的设计,降低开关噪声,简化了EMI设计,CR6863B还提供VDD电压从8.5V-36.5V更宽的工作范围。CR6863B提供SOT23-6L/DIP-8L/SOP-8L的封装。
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. i0 v* Q0 I" | K0 N% Y( B' ]芯片特性
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● 较低的启动电流 (大约3μA)% \% q0 h. i9 F; n
● 内置软启动减少MOSFET应力% b/ S2 X4 n' i8 P7 C0 G
● CCM+PFM控制模式
& D8 e; n9 {, r ]● 内建同步斜坡补偿,消除次谐波震荡) w3 k4 b1 e4 K2 g4 ~" z, w/ J
● 内建频率抖动功能,降低EMI0 y, `+ _( M$ P# u
● 内置65kHz开关频率
% ^4 Q9 D' }; y● 轻载降低工作频率
, b6 k. `* k, b/ \+ n● VDD电压8.5V-36.5V,工作范围更宽
4 p) [) Y7 S6 t9 O● VDD过压保护功能3 q" p2 I; q" V7 t1 t
● 内置前沿消隐电路
! M9 v% e& I9 |; j# C● 内置过温保护/ s9 p7 Y Z( x
● 过载保护4 Q( V; Y! {4 _& e1 Y
● SOT23-6L/DIP-8L/SOP-8L封装
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: F; T q1 L% }8 N. w0 ^基本应用
2 { ?8 j' q5 o2 t$ j @: N* C4 f& d+ Z4 F! W9 G" H! O( E
● AC/DC适配器
; D$ V& s' I; X9 k, v● 电视及监视器电源, K/ ~+ A0 W9 I; N Y
● 充电器& R/ X- Z# u' q( ]
● 存储设备电源" o; Y. ~4 Y. Z; |9 \
5 q0 T" ?# A* A$ I9 b2 S典型应用
2 _) A! O$ ^0 q$ E0 T; A0 h
) R& j$ n7 D; A( g" @管脚排列6 |: P F! n, ]% z5 v) f0 W
3 I* d, c4 i% D* J* u x
管脚描述; F+ U: q# s; P# b) y
) U- s. |. M4 V- i
二、基本电性参数5 d& K" k0 r7 i8 X& D
* d1 t4 {$ v# }2 Z) v, j
三、基本波形XX2293B 90V/60HZ输出纹波
3 e+ B( I1 J: @CR6863B 90V/60HZ输出纹波
1 X1 S! M3 |0 b, t! k& l+ v8 |XX2293B 264V/50HZ输出纹波
. C5 R1 I/ s/ d) p) L- {CR6863B 264V/50HZ输出纹波
4 N0 T/ r, D/ O0 uXX2293B 90V/60HZ MOS波形+肖特基波形 ! u. H" F+ g. j; F/ r% O
CR6863B 90V/60HZ MOS波形+肖特基波形 / |+ Y8 X1 ]% k+ `9 Y6 L; W
XX2293B 90V/60HZ 负载满载 OVP波形 3 K8 O2 S5 X, J! U- C
CR6863B 90V/60HZ 负载满载 OVP波形 6 X0 Z$ D- h$ j0 J6 @! B
XX2293B 90V/60HZ GATE波形 + }; T4 [0 X2 S8 U
CR6863B 90V/60HZ GATE波形 - z) C1 q2 A3 S5 C$ M5 b: [
XX2293B 90V/60HZ CS波形 # V+ r/ ^. B' Q( G) b
CR6863B 90V/60HZ CS波形
* r/ P0 S4 p- c" v3 M p' E, wXX2293B 264V/50HZ MOS波形+肖特基波形 * c% c2 k: }* [' p
CR6863B 264V/50HZ MOS波形+肖特基波形 % w: q" Y2 S- Z! r0 {" Y4 R7 u6 u
XX2293B 264V/50HZ 负载满载 OVP波形
2 b6 f) a3 G) d9 [5 j1 Q- g5 J# R6 bCR6863B 264V/50HZ 负载满载 OVP波形
; r9 i U5 I5 E! ?% c2 qXX2293B 264V/50HZ GATE波形
/ n, Z( d8 s+ b3 VCR6863B 264V/50HZ GATE波形 ) O+ }/ f6 Y1 l& T1 H9 M) U
XX2293B 264V/50HZ CS波形
$ U! v& U0 j! C! OCR6863B 264V/50HZ CS波形 ; E" O1 m; o0 X8 |# s/ ]
对比结果:电性基本一致,CR6863B效率略高于XX2293B,推荐使用公司主推的CR6863B。
: r5 ]* Z( i7 B$ Q& r( ]+ R/ v% P9 U/ b: K+ j( [1 V0 l0 k& B1 ~2 y/ F
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