本帖最后由 思睿达小妹妹 于 2023-3-2 14:22 编辑
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电源管理芯片是电子设备的电能**，负责电子设备所需的电能变换、分配、检测等管控功能，是电子设备中的关键器件，其性能优劣对电子产品的性能和可靠性有着直接影响，并且广泛运用于各类电子产品和设备中。9 ^( R o# i: J
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例如公司主推的CR6863B芯片是一款高集成度、低功耗的中等功率反激电源控制IC。它的电路结构简单、较少的外围元器件，适用于中小功率AC/DC 电源适配器。
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接下来，我们将对CR6863B和XX2293B进行对比测试，看看公司主推的CR6863B是不是略胜一筹？一起来揭晓吧！" u' b# g A. c' y. }
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CR6863B & XX2293B对比测试8 P7 q& h8 x- W1 n
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一、样机规格* Q# o& Q9 ]1 T) p: F0 D
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输出电压12V、输出负载2A。2 c0 ]- Q. [. W
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修改参数：/ b0 w0 p. U" v8 Z H4 b7 x7 _
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直接替换IC，R5、R6由3R改为2.2R；R4由3R改为2.4R；R11由3R改为0R ；D7由A7改为RS1M。$ k6 f. U' R) p% ^# X! z
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CR6863B产品概述8 s7 q [' [) I+ W: Z
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CR6863B是一款高集成度、低待机功耗的CCM+PFM混合电流模式PWM控制器。CR6863B轻载时会降低频率，最低频率22kHz可避免音频噪声。CR6863B提供了完整的保护功能，如cycle-by-cycle 电流限制、OCP、OTP、VDD_OVP、UVLO等。软启动功能可以减少系统启动时MOSFET的应力，前沿消隐时间简化了系统应用。通过频率抖动和软驱动电路的设计，降低开关噪声，简化了EMI设计，CR6863B还提供VDD电压从8.5V-36.5V更宽的工作范围。CR6863B提供SOT23-6L/DIP-8L/SOP-8L的封装。% C4 ?3 C d4 r
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芯片特性
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) z! H0 d7 T+ ]/ f, Y2 p4 a& B/ g● 较低的启动电流 (大约3μA)
$ _1 y& y7 o3 Y; s● 内置软启动减少MOSFET应力# D" o# J( k7 {% g& R
● CCM+PFM控制模式
8 p( P5 w* [+ X% [ i: e● 内建同步斜坡补偿，消除次谐波震荡, M6 [. {1 o' v ]& s2 L7 c( d
● 内建频率抖动功能，降低EMI& }% G8 u6 X1 `' k% _/ K# \2 ?3 o
● 内置65kHz开关频率
0 U% A- L0 Z' d4 C/ ]2 b● 轻载降低工作频率
' f) {5 V) S$ R1 @3 c● VDD电压8.5V-36.5V，工作范围更宽
) d" m3 a$ S7 r% ~● VDD过压保护功能
/ D6 }0 W7 T5 M/ b% @: p: l● 内置前沿消隐电路5 k' U& V" \# f& X/ g- o
● 内置过温保护
9 y q: \2 V/ c+ M) ~● 过载保护
0 H4 }! C$ u8 i; C4 P● SOT23-6L/DIP-8L/SOP-8L封装5 z5 ?! R$ f& F8 B& C* _
2 O0 C" ^% E+ b2 a: `+ c
基本应用
, R4 K/ p' Y; U% u! a* h( M9 [) ?
● AC/DC适配器
0 ?. s2 g5 t: m e0 R# `2 ^; ?1 _" H● 电视及监视器电源7 t2 |9 Y9 l/ Q' M
● 充电器
' y0 h( m( ~4 h● 存储设备电源
7 Z$ v) w. f& y& ~% x/ `+ c; |* t' G. q; _/ S+ e" _) t
典型应用% N5 z# T( I7 Y7 y' u% k7 w- k$ Y
& |7 @! C5 f2 ]: _2 z4 ~4 \. X管脚排列, m+ I/ [9 _/ k$ X
: V% A: @. K; t# @ p9 H管脚描述
8 G5 T* q8 M$ i3 i
; l! G! E2 l! ~1 V6 x' ^' K二、基本电性参数
* C. C7 j3 G) x0 L6 T: Y, `8 t: O4 ^" W y( ^$ |2 H: z
三、基本波形XX2293B 90V/60HZ输出纹波 3 k/ f# Z/ h# w- L( y. @, T& ^
CR6863B 90V/60HZ输出纹波 j' p' d' O. U' T
XX2293B 264V/50HZ输出纹波
; I, U* s9 h, U, R; I: kCR6863B 264V/50HZ输出纹波 / ~9 V. i1 A- X9 b" q
XX2293B 90V/60HZ MOS波形+肖特基波形 + x; |% {( i- m: _% U3 B
CR6863B 90V/60HZ MOS波形+肖特基波形
; ^) z9 w. H* e: W: dXX2293B 90V/60HZ 负载满载 OVP波形 3 F, `( |7 T9 p6 \
CR6863B 90V/60HZ 负载满载 OVP波形
6 T$ t( j! h. S4 nXX2293B 90V/60HZ GATE波形
* d9 G, V9 p0 y9 E! g5 L6 K4 hCR6863B 90V/60HZ GATE波形 3 N* H( B5 D/ U! \. j* P
XX2293B 90V/60HZ CS波形
7 x0 y/ W* c; Q' i5 W5 dCR6863B 90V/60HZ CS波形
* V. P/ P" ^: AXX2293B 264V/50HZ MOS波形+肖特基波形 8 H! n* r2 [ V
CR6863B 264V/50HZ MOS波形+肖特基波形 + R1 D# Z' B, }: G/ N, h
XX2293B 264V/50HZ 负载满载 OVP波形
. n0 T5 u1 i, P; L+ w( {' i2 jCR6863B 264V/50HZ 负载满载 OVP波形 % b8 C0 k- L9 ^3 R2 D9 h/ C- {0 U6 p
XX2293B 264V/50HZ GATE波形 . b$ b+ t$ `$ l/ p L' X+ W
CR6863B 264V/50HZ GATE波形
I1 g/ P' \! N9 a2 C- pXX2293B 264V/50HZ CS波形 8 q3 B$ k9 _( S' Z8 u7 ~
CR6863B 264V/50HZ CS波形
+ k1 N- I2 @( Q9 Z6 f对比结果：电性基本一致，CR6863B效率略高于XX2293B，推荐使用公司主推的CR6863B。
) R$ i( `! P8 y" Z, n$ x* V) v5 {: a$ K
; c0 y/ U( C- d8 y1 I. j
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发表于 2023-3-2 14:19:00
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