本帖最后由 思睿达小妹妹 于 2023-3-2 14:22 编辑 & L/ H- v5 r# w. f6 q; @6 r9 e% g
+ l" u3 ]# p6 O9 |8 e* M电源管理芯片是电子设备的电能**,负责电子设备所需的电能变换、分配、检测等管控功能,是电子设备中的关键器件,其性能优劣对电子产品的性能和可靠性有着直接影响,并且广泛运用于各类电子产品和设备中。
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例如公司主推的CR6863B芯片是一款高集成度、低功耗的中等功率反激电源控制IC。它的电路结构简单、较少的外围元器件,适用于中小功率AC/DC 电源适配器。9 y+ ]9 K) y' V. J
( H; y X3 \- ]" _接下来,我们将对CR6863B和XX2293B进行对比测试,看看公司主推的CR6863B是不是略胜一筹?一起来揭晓吧!' ]0 b9 A6 M9 N9 m" \
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CR6863B & XX2293B对比测试' \6 |" z9 s' I; \
5 O1 d7 R% w( v+ |/ g! a2 R- o2 J+ B一、样机规格
R) _9 W2 N! b3 B' R
; j& u! P% f S- l' j# g输出电压12V、输出负载2A。5 a1 L1 k" W$ H7 _) T! |
4 C: ]7 j) j" X
4 N. B! ~0 I; _; r# ~! v- g- ]* }
5 w: [' Z. _+ I" l) t! \修改参数:$ K$ D0 q1 N3 M3 w- Z: m
8 O R. F/ N, S. O- z
直接替换IC,R5、R6由3R改为2.2R;R4由3R改为2.4R;R11由3R改为0R ;D7由A7改为RS1M。0 {1 ~$ ~9 L1 C1 c
* d' c. }- K; F7 `CR6863B产品概述
8 \" h: s& q( s% m) y# y# ] u ~- d
CR6863B是一款高集成度、低待机功耗的CCM+PFM混合电流模式PWM控制器。CR6863B轻载时会降低频率,最低频率22kHz可避免音频噪声。CR6863B提供了完整的保护功能,如cycle-by-cycle 电流限制、OCP、OTP、VDD_OVP、UVLO等。软启动功能可以减少系统启动时MOSFET的应力,前沿消隐时间简化了系统应用。通过频率抖动和软驱动电路的设计,降低开关噪声,简化了EMI设计,CR6863B还提供VDD电压从8.5V-36.5V更宽的工作范围。CR6863B提供SOT23-6L/DIP-8L/SOP-8L的封装。7 P D' e$ v$ G' U( n* D
, d) x. m1 b7 d8 T! }芯片特性) J* \7 c1 z+ E. E( E( y
' j" ?" t/ x1 ]& a; B● 较低的启动电流 (大约3μA)8 A7 k: @( m1 ~9 x; h5 C
● 内置软启动减少MOSFET应力1 O! b3 k7 Z$ z" t2 @
● CCM+PFM控制模式
8 ~7 X5 o$ Y* h" f. b0 E● 内建同步斜坡补偿,消除次谐波震荡% k2 z1 `$ t- p$ |: P& W4 W
● 内建频率抖动功能,降低EMI
6 H7 d( t7 c4 f* I1 d● 内置65kHz开关频率$ M7 r: @% l) E( L# a
● 轻载降低工作频率
7 G6 F) k( B1 a2 K● VDD电压8.5V-36.5V,工作范围更宽
0 z i P/ a& q2 o1 z/ [+ R● VDD过压保护功能
+ J& R# N* S+ U/ f" S' o# W& l& [● 内置前沿消隐电路9 d( M$ K5 q2 U2 A3 b# M2 O
● 内置过温保护5 |6 b9 R$ y* T( }, M
● 过载保护
* S8 `) o5 P; c) u5 o8 i: a● SOT23-6L/DIP-8L/SOP-8L封装
- B/ B( [* ]" F; g- z
3 y$ Q+ x% V5 c' e* K基本应用: z r( a) o# c0 ~: ]7 \0 G8 J
, U j1 Z! F5 E● AC/DC适配器5 ~* z! X* Z2 D5 d% h% S! T" K
● 电视及监视器电源! E! f6 B" B6 q) O- B
● 充电器/ \6 o0 D7 [5 i& \' y, M6 T3 ?6 L
● 存储设备电源
% ?% S9 A0 o* }) c; g5 `9 F* @. t5 ?% a
典型应用
7 A$ x$ n9 @+ f( I- L4 b+ k. P. N( U" g9 P; e" S/ v& i
管脚排列
m( U% |# N- z ]
, O7 ?- ?( \- ]4 y0 j4 D管脚描述
0 o j/ |( }$ u& B# C* x0 G, Y! }- Z. Y" K4 @6 J9 y
二、基本电性参数1 _. G; u, U; b9 I
/ i% }9 I3 j" q) o& a7 f
三、基本波形XX2293B 90V/60HZ输出纹波
4 i( R) u0 F( M( {3 cCR6863B 90V/60HZ输出纹波
( x) j% @# z& s0 N7 O, H3 \XX2293B 264V/50HZ输出纹波 6 h% m+ i/ D1 U- L
CR6863B 264V/50HZ输出纹波
+ ^6 D6 O# p0 N/ s, B4 a' CXX2293B 90V/60HZ MOS波形+肖特基波形
n# S2 L2 N& R+ k, \2 \ SCR6863B 90V/60HZ MOS波形+肖特基波形 + Q: S8 F! {! k3 i# h7 S
XX2293B 90V/60HZ 负载满载 OVP波形
, z, K& i. `- [2 W+ W/ e3 F$ fCR6863B 90V/60HZ 负载满载 OVP波形 8 ^, R9 K0 J C/ [' K
XX2293B 90V/60HZ GATE波形
8 {8 j! ~- D: Z x) O4 NCR6863B 90V/60HZ GATE波形
( s$ f" }- a; g1 _4 o3 n% rXX2293B 90V/60HZ CS波形 7 Z" Y" p" O$ m: O/ }( V
CR6863B 90V/60HZ CS波形 u- S L; I: w
XX2293B 264V/50HZ MOS波形+肖特基波形
2 P4 n1 S; C' S) x3 M* e" FCR6863B 264V/50HZ MOS波形+肖特基波形
3 C7 [( p! B7 p7 H) I! PXX2293B 264V/50HZ 负载满载 OVP波形 e8 f c' Z: q+ c
CR6863B 264V/50HZ 负载满载 OVP波形
( @3 | l, \4 P. G& I. ]XX2293B 264V/50HZ GATE波形
* L/ O# b) R' L- h" h4 v+ TCR6863B 264V/50HZ GATE波形
8 N0 X/ P5 ^" e$ c1 w% BXX2293B 264V/50HZ CS波形
$ E# u' W; G+ O. bCR6863B 264V/50HZ CS波形 N% \& \5 L% P0 i& X
对比结果:电性基本一致,CR6863B效率略高于XX2293B,推荐使用公司主推的CR6863B。* u. ~2 r0 m7 M6 u9 S% M6 w+ g
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4 F& o) c9 u y; K$ z% ~ |