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我们帮你找到XX2293B芯片替代料,这颗高能效IC就不错~

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发表于 2023-3-2 14:19:00 | 显示全部楼层 |阅读模式
本帖最后由 思睿达小妹妹 于 2023-3-2 14:22 编辑
, V# F- m" o. S6 |  F) @6 @: H$ W$ ~4 Q, m' }9 h& y
电源管理芯片是电子设备的电能**,负责电子设备所需的电能变换、分配、检测等管控功能,是电子设备中的关键器件,其性能优劣对电子产品的性能和可靠性有着直接影响,并且广泛运用于各类电子产品和设备中。
. y1 h* n2 _# Z+ j0 u- p
- {' G5 D" B( a/ ^! Q例如公司主推的CR6863B芯片是一款高集成度、低功耗的中等功率反激电源控制IC。它的电路结构简单、较少的外围元器件,适用于中小功率AC/DC 电源适配器。/ U1 K) ~/ r9 ]# f8 ^  R( G* y
% _$ b  n8 v+ T$ I: U; x/ ~
接下来,我们将对CR6863B和XX2293B进行对比测试,看看公司主推的CR6863B是不是略胜一筹?一起来揭晓吧!7 c4 b4 }0 g5 o9 L1 m! t  V% V
1 U/ b( |4 }' k
CR6863B & XX2293B对比测试5 U1 q) S4 C' h" x) Z) `% S
) U' h  W9 {' ]# |7 l' V" _
一、样机规格
' w. k3 v, \% j* {) g" [

% F7 @9 j5 Y6 H* t5 x& W输出电压12V、输出负载2A。
: C" z3 o, {# T6 l1 A
2 W7 O- M8 Z1 r+ f9 ]
( }: e8 }. u6 @7 j, j
3 ^1 e" u% |+ U. R! A9 [' F
修改参数:# L" H# R4 q/ \" o6 |: m
# d, l, M2 k4 h3 x8 v
直接替换IC,R5、R6由3R改为2.2R;R4由3R改为2.4R;R11由3R改为0R ;D7由A7改为RS1M。
+ M9 {, G( E* B& _5 c/ c. ^0 p' Z7 T+ \7 |2 e& ^) r
CR6863B产品概述
6 I4 I. d0 m, ~9 d5 Q5 f! o- V' j5 M2 V, Q# z
CR6863B是一款高集成度、低待机功耗的CCM+PFM混合电流模式PWM控制器。CR6863B轻载时会降低频率,最低频率22kHz可避免音频噪声。CR6863B提供了完整的保护功能,如cycle-by-cycle 电流限制、OCP、OTP、VDD_OVP、UVLO等。软启动功能可以减少系统启动时MOSFET的应力,前沿消隐时间简化了系统应用。通过频率抖动和软驱动电路的设计,降低开关噪声,简化了EMI设计,CR6863B还提供VDD电压从8.5V-36.5V更宽的工作范围。CR6863B提供SOT23-6L/DIP-8L/SOP-8L的封装。
7 Z' s, H7 R/ u# d2 @; t  ~; B& N& u5 g( l1 }
芯片特性% f  {! u- A" V/ L% N4 n9 m

* o; I, B# ?: u5 ^4 p● 较低的启动电流 (大约3μA)
% D# n2 u! x6 V- r/ {! |● 内置软启动减少MOSFET应力
1 {' U7 @1 B7 P  i! N$ p4 C( W● CCM+PFM控制模式$ ]2 v; z* I% [3 W& e
● 内建同步斜坡补偿,消除次谐波震荡( V' Z% M) p( M5 B5 \- o" W
● 内建频率抖动功能,降低EMI; o5 u/ s- n4 R1 Y
● 内置65kHz开关频率$ g1 e$ Q4 R0 u# h1 L' z* ]
● 轻载降低工作频率' A0 ~5 B! q# ~8 C/ @" q- z% v, p# [7 f
● VDD电压8.5V-36.5V,工作范围更宽
+ T2 m9 W' x3 @* t● VDD过压保护功能
/ X& [( F5 p/ p+ ~● 内置前沿消隐电路) E& D1 Z. K* j: {- b  S1 F
● 内置过温保护
. M4 m0 y: ]( B" R● 过载保护# |; K, i$ [) S
● SOT23-6L/DIP-8L/SOP-8L封装
+ k8 x1 I, R( ^" ?5 o; D1 q0 |  Q7 |# L9 E$ T- d
基本应用2 c* H$ N+ H0 t  ~4 Q2 o
' y% T( ]( H1 }: ^+ K5 z2 Q
● AC/DC适配器+ m$ |: h8 q2 a8 |8 b
● 电视及监视器电源
* O% l5 H7 X. ~( z/ ^4 u3 f● 充电器9 @5 ^4 K% `2 ^$ R4 d
● 存储设备电源
2 ]6 R' f9 z% L# c( l0 C7 y
1 z/ ]" f1 Q1 _. {" i8 [9 i+ l典型应用% P7 u: {, Q7 D7 c: s9 X% ?+ r

  k- Y" f7 M) _  M
管脚排列
- E- |! F8 M  O) o
4 g# M; q/ t3 V$ u, j/ P& x
管脚描述! y/ a; s# Q$ ]# n& d/ e7 V$ J
- g7 q* L$ k! H" s, |! H" G
二、基本电性参数0 `( ^& O# M4 F9 x, U- {1 d* n

3 s( y/ _5 @, F三、基本波形
XX2293B 90V/60HZ输出纹波
' E6 v) \/ g  z7 V; ^! t3 Q
CR6863B 90V/60HZ输出纹波
  z6 f- h7 D" F# ]
XX2293B 264V/50HZ输出纹波

: U9 Z7 o/ j% x# q6 J( v
CR6863B 264V/50HZ输出纹波
/ B1 m3 R5 ]0 `
XX2293B 90V/60HZ MOS波形+肖特基波形
6 R$ V! {( g0 n+ ?+ j1 y
CR6863B 90V/60HZ MOS波形+肖特基波形

- X8 Y9 R9 U7 ~. x2 t: S" [
XX2293B 90V/60HZ 负载满载 OVP波形

: u1 X/ \; L& H8 L. Z  n
CR6863B 90V/60HZ 负载满载 OVP波形
. k7 n* A, }% @8 p, t$ N. p; m
XX2293B 90V/60HZ GATE波形
5 M3 B* h- [% {$ N- u! |
CR6863B 90V/60HZ GATE波形

8 W, A2 l: A& r- w
XX2293B 90V/60HZ CS波形

$ r2 ?( W3 O2 u% l9 \
CR6863B 90V/60HZ CS波形

9 ~. G+ N/ N8 u& [) Y% ^
XX2293B 264V/50HZ MOS波形+肖特基波形

9 ~* L" B8 k8 T4 F. ?. q
CR6863B 264V/50HZ MOS波形+肖特基波形

: @$ i- B% ~$ g! r" _7 `
XX2293B 264V/50HZ 负载满载 OVP波形
1 [  _# j! X. N& r
CR6863B 264V/50HZ 负载满载 OVP波形

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XX2293B 264V/50HZ GATE波形
$ S# O" `( _2 [- p
CR6863B 264V/50HZ GATE波形
0 r0 n' {/ V4 |4 A9 x
XX2293B 264V/50HZ CS波形

8 J! X  p6 `, h
CR6863B 264V/50HZ CS波形

: [- }1 }7 Q( |$ P) |对比结果:电性基本一致,CR6863B效率略高于XX2293B,推荐使用公司主推的CR6863B。2 ~* R5 c1 ?5 B  w

$ X9 P( b" s' E8 T8 l1 {
1 v5 S5 Z$ }' `! N& T: H# w$ P7 G. R* ]2 E3 }5 h

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