本帖最后由 思睿达小妹妹 于 2023-3-2 14:22 编辑
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# D) c3 e( V. m) G# S电源管理芯片是电子设备的电能**，负责电子设备所需的电能变换、分配、检测等管控功能，是电子设备中的关键器件，其性能优劣对电子产品的性能和可靠性有着直接影响，并且广泛运用于各类电子产品和设备中。
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( B, I- g! u- l% t- p例如公司主推的CR6863B芯片是一款高集成度、低功耗的中等功率反激电源控制IC。它的电路结构简单、较少的外围元器件，适用于中小功率AC/DC 电源适配器。6 p( B: p- N3 n4 G E( P! q
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接下来，我们将对CR6863B和XX2293B进行对比测试，看看公司主推的CR6863B是不是略胜一筹？一起来揭晓吧！# l/ _' g' x; L
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CR6863B & XX2293B对比测试
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一、样机规格* \6 e5 h( |' v# v) M3 D7 K
$ I: [% Y. S2 h# o, `输出电压12V、输出负载2A。
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/ B' Z. T, O. A/ j8 t$ K修改参数：
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, _: d( M. U8 Y0 T8 n; l: c( @0 J直接替换IC，R5、R6由3R改为2.2R；R4由3R改为2.4R；R11由3R改为0R ；D7由A7改为RS1M。$ v5 u; Z q7 @' |# H4 i
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CR6863B产品概述
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- N: n3 Y0 z J/ D2 i0 A# P8 PCR6863B是一款高集成度、低待机功耗的CCM+PFM混合电流模式PWM控制器。CR6863B轻载时会降低频率，最低频率22kHz可避免音频噪声。CR6863B提供了完整的保护功能，如cycle-by-cycle 电流限制、OCP、OTP、VDD_OVP、UVLO等。软启动功能可以减少系统启动时MOSFET的应力，前沿消隐时间简化了系统应用。通过频率抖动和软驱动电路的设计，降低开关噪声，简化了EMI设计，CR6863B还提供VDD电压从8.5V-36.5V更宽的工作范围。CR6863B提供SOT23-6L/DIP-8L/SOP-8L的封装。
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芯片特性+ g7 Q5 c7 {/ Q7 O: h. N" q
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● 较低的启动电流 (大约3μA)$ H% m) x) g3 _, V; P* B
● 内置软启动减少MOSFET应力
3 y7 _4 P1 m5 [, r/ B# _' @● CCM+PFM控制模式
2 `( Z0 q; V2 z5 F$ ^5 H4 Z8 p● 内建同步斜坡补偿，消除次谐波震荡$ n+ O# o" I% H8 N& c4 \7 m: d, }
● 内建频率抖动功能，降低EMI* k3 X! _) a7 g+ n h7 W
● 内置65kHz开关频率" x. l5 G! o% a: V6 x$ f' t
● 轻载降低工作频率
. E& ^- h$ s4 m3 v● VDD电压8.5V-36.5V，工作范围更宽" h9 @# J5 M7 D) e
● VDD过压保护功能
6 N! b7 L8 u, L/ ~● 内置前沿消隐电路
7 _& ^2 Z* }1 U● 内置过温保护
7 X( v; R' Q* {& L" g" C● 过载保护& B: a) T/ |9 d* Q% Y4 y v
● SOT23-6L/DIP-8L/SOP-8L封装 F. j4 U7 j1 \- o
F; i. F5 L7 X+ A基本应用% o1 G; o5 P4 a! a9 s. P
- q( k. T2 g) B$ U3 [# {● AC/DC适配器
, U0 ]8 h) ~, ^" u2 T' i● 电视及监视器电源 [$ l* ^6 j/ `4 c! r
● 充电器& i2 ?3 e* P6 P& p, {
● 存储设备电源0 u: W( A3 B, X2 f+ [
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典型应用4 ]: m8 Y# V8 ?. J# k+ G# m
; Z/ l+ O1 @! ?$ {( L; G管脚排列" M# ^ S. N2 {
1 K; o z, v- {0 `# N( T
管脚描述1 \6 g" }, g, R. f) [) J
4 Y, q% u# T6 Q8 f7 M8 \
二、基本电性参数
, q" f; m* K# X. q: E" K
# w/ d/ F* B6 E9 r- q1 q; k三、基本波形XX2293B 90V/60HZ输出纹波 ) M% D$ F3 C7 m9 X9 k
CR6863B 90V/60HZ输出纹波
! g8 x8 K$ q$ S$ O3 UXX2293B 264V/50HZ输出纹波 . ?4 m, K7 Z! L* I
CR6863B 264V/50HZ输出纹波 $ b5 z5 x, d7 V) P% s
XX2293B 90V/60HZ MOS波形+肖特基波形
) v/ q0 ~ Y0 bCR6863B 90V/60HZ MOS波形+肖特基波形 & P% E; W, }$ a% p* r% }
XX2293B 90V/60HZ 负载满载 OVP波形
% t! a* ^ D1 i( aCR6863B 90V/60HZ 负载满载 OVP波形 # k2 V/ Q/ t) K( q5 R2 R4 s H. j+ K
XX2293B 90V/60HZ GATE波形 " X% ~% @, N1 V7 F
CR6863B 90V/60HZ GATE波形
& H- g0 J2 y- |/ |XX2293B 90V/60HZ CS波形
9 I( D: X* j+ g8 T _CR6863B 90V/60HZ CS波形 # j# W( A/ k& T7 X1 }) ]' j
XX2293B 264V/50HZ MOS波形+肖特基波形
0 \+ H9 T9 n2 X7 p: rCR6863B 264V/50HZ MOS波形+肖特基波形
$ h1 v, h" C+ b7 ?! eXX2293B 264V/50HZ 负载满载 OVP波形 ' L1 M& s, W k3 K1 u9 j
CR6863B 264V/50HZ 负载满载 OVP波形
- ` U$ @. A) C' Z8 G& b( P5 _" \' U |XX2293B 264V/50HZ GATE波形
2 K1 v& r, v! c& zCR6863B 264V/50HZ GATE波形 + H4 `* r/ q2 B+ Z% F% j+ h
XX2293B 264V/50HZ CS波形
! }# h# G8 s* k5 C7 R) L7 o7 c- H YCR6863B 264V/50HZ CS波形
4 h1 |9 \: H& M4 ]. F对比结果：电性基本一致，CR6863B效率略高于XX2293B，推荐使用公司主推的CR6863B。) N% `7 c. p: H, S
+ {$ f6 }% M1 }5 u7 H: }* P- ^& I! O% T n% k/ j
4 x2 P, X4 b1 @ f) W | 
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发表于 2023-3-2 14:19:00
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