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我们帮你找到XX2293B芯片替代料,这颗高能效IC就不错~

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发表于 2023-3-2 14:19:00 | 显示全部楼层 |阅读模式
本帖最后由 思睿达小妹妹 于 2023-3-2 14:22 编辑 9 o; o' W3 p- _
6 u5 K* F1 j7 ~+ G; m( V' a
电源管理芯片是电子设备的电能**,负责电子设备所需的电能变换、分配、检测等管控功能,是电子设备中的关键器件,其性能优劣对电子产品的性能和可靠性有着直接影响,并且广泛运用于各类电子产品和设备中。
1 h& j# A+ ~/ j1 N( \# z  }7 o/ f
例如公司主推的CR6863B芯片是一款高集成度、低功耗的中等功率反激电源控制IC。它的电路结构简单、较少的外围元器件,适用于中小功率AC/DC 电源适配器。& E" F2 ~- v7 m2 Z9 m

+ d: H3 Y. \# D8 C! f/ k接下来,我们将对CR6863B和XX2293B进行对比测试,看看公司主推的CR6863B是不是略胜一筹?一起来揭晓吧!% u5 q( e1 V% e' T4 `# r4 u9 i' Y

% {3 H, C# d; ?8 a: eCR6863B & XX2293B对比测试
' ]; Q, L8 C' D# |7 g' C$ j
- |- F& e$ `& i6 m4 J0 W5 \2 h一、样机规格
4 _' m) B7 _7 ^% a* g
0 {' x! Z, Q0 ?  N
输出电压12V、输出负载2A。0 {" W4 u6 ~  M7 Q' R
, N- @% t" I6 Z1 b' E
  R2 e( S  M5 |1 S; u
  G1 D/ g9 n; Q- {8 V, s# k' c( S
修改参数:. [$ O; q9 N# K0 c$ o5 a
6 g2 `; F* w. l9 F+ N* G
直接替换IC,R5、R6由3R改为2.2R;R4由3R改为2.4R;R11由3R改为0R ;D7由A7改为RS1M。
! F' i/ |# _, i3 A  p! {. A; W% Z8 n
0 D3 t' F% a: W8 i, x) o- @3 Y. TCR6863B产品概述
$ P7 u3 j2 }7 i& q! y% `% Q
. f7 r2 M2 U, [3 u7 \+ Q2 qCR6863B是一款高集成度、低待机功耗的CCM+PFM混合电流模式PWM控制器。CR6863B轻载时会降低频率,最低频率22kHz可避免音频噪声。CR6863B提供了完整的保护功能,如cycle-by-cycle 电流限制、OCP、OTP、VDD_OVP、UVLO等。软启动功能可以减少系统启动时MOSFET的应力,前沿消隐时间简化了系统应用。通过频率抖动和软驱动电路的设计,降低开关噪声,简化了EMI设计,CR6863B还提供VDD电压从8.5V-36.5V更宽的工作范围。CR6863B提供SOT23-6L/DIP-8L/SOP-8L的封装。
3 l  J% `5 l6 e% C7 a+ x$ ]1 X0 j4 O( h' s4 E0 L4 W% R; E9 l  S
芯片特性- a* r2 A4 J0 q8 l( C0 u7 p7 L
7 g3 s3 _4 m( g( V& N- d
● 较低的启动电流 (大约3μA): a0 ~% l# H  J4 b7 @
● 内置软启动减少MOSFET应力# l5 g/ _$ n0 w2 z" i. b
● CCM+PFM控制模式
/ ^9 v- z2 l5 P5 L● 内建同步斜坡补偿,消除次谐波震荡
# C" C6 P5 Y7 P$ h6 Y* S● 内建频率抖动功能,降低EMI! c( z  n) [3 o" T% R9 Z& z% t
● 内置65kHz开关频率+ b) t/ j/ j1 j4 l2 ?
● 轻载降低工作频率% a' t. ?- c' i
● VDD电压8.5V-36.5V,工作范围更宽! ?, W! N/ R" _: m; V
● VDD过压保护功能/ _' O  |/ d3 ~1 Y) [( P
● 内置前沿消隐电路
7 {: X* C4 {) ^( ]5 C● 内置过温保护. D+ X& B# [, C5 f
● 过载保护
8 X8 z: p4 \+ g% K; Y● SOT23-6L/DIP-8L/SOP-8L封装
' H9 F9 m  A3 |/ u
8 f& R" N  |/ y8 y9 y基本应用8 e5 c- N% r. D( k

2 j3 `' D* m' D/ k● AC/DC适配器
# p" t" J! T: V' ~; x5 c● 电视及监视器电源
0 C; `- P7 H0 [2 z8 i% j# q● 充电器
7 _! d  C3 [7 O7 C8 r● 存储设备电源) x4 b% O: W2 k# ~5 ^
/ h' j0 r, @8 h' W
典型应用
( B2 a9 r: }- m; T! c  f9 Q1 G* b+ @
管脚排列& d( D$ N3 V- C7 {; l7 ~
% f8 J7 t6 ^# ~8 P6 s  W9 s
管脚描述
9 _4 u2 Z$ ?( e* A/ f5 I

1 ]& ?9 a7 h! A+ Q$ e二、基本电性参数( D9 m& I5 z3 d0 A7 S7 f, I
0 G! S4 S3 _; N5 c& B. j
三、基本波形
XX2293B 90V/60HZ输出纹波
, u& \$ c8 M1 m% t. }# Z! {
CR6863B 90V/60HZ输出纹波
- ?$ x4 t4 O" t1 \) k: g- T
XX2293B 264V/50HZ输出纹波
' f6 H5 J& o4 r& G. G$ U+ [
CR6863B 264V/50HZ输出纹波
+ R* t$ n; I6 A) ~# g9 o! ?* M
XX2293B 90V/60HZ MOS波形+肖特基波形
$ B) k# f) h! ~6 h
CR6863B 90V/60HZ MOS波形+肖特基波形

+ H% {5 e$ b# S6 @& f% c/ E
XX2293B 90V/60HZ 负载满载 OVP波形
: Q$ p! e) P2 z
CR6863B 90V/60HZ 负载满载 OVP波形
5 u) I0 {# |" w/ Y
XX2293B 90V/60HZ GATE波形
- g$ D  C$ D7 b( q5 h' o
CR6863B 90V/60HZ GATE波形

, V; a  X8 c" r5 B$ |1 c8 @6 z
XX2293B 90V/60HZ CS波形
9 Y4 x, w% N. y" {% K! T8 m" s* m
CR6863B 90V/60HZ CS波形

3 F, ~. j- k5 e0 ^1 e1 h- y+ c
XX2293B 264V/50HZ MOS波形+肖特基波形

# ~2 H  Z" D& W6 K- w
CR6863B 264V/50HZ MOS波形+肖特基波形
+ {5 _' b: G. k3 m; s. N7 [
XX2293B 264V/50HZ 负载满载 OVP波形
0 T* ?' ?. p4 z/ C3 c
CR6863B 264V/50HZ 负载满载 OVP波形
+ `" r% b3 z: K8 ^4 w2 z- f; ?
XX2293B 264V/50HZ GATE波形

# C) M/ o" U+ P, V; ^" u
CR6863B 264V/50HZ GATE波形

  S* n/ C7 p3 m/ t' H; |5 {/ s
XX2293B 264V/50HZ CS波形
: ]4 Y+ e! S2 j5 L
CR6863B 264V/50HZ CS波形
7 `- L' |) C. S
对比结果:电性基本一致,CR6863B效率略高于XX2293B,推荐使用公司主推的CR6863B。
7 d; c- S% v, v9 [! P. G8 H5 Y7 x3 M# e' K- }# z. q5 n

  k. C% m0 g/ T+ J+ l6 M
) {4 c$ g6 o1 j$ n: |

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