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我们帮你找到XX2293B芯片替代料,这颗高能效IC就不错~

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发表于 2023-3-2 14:19:00 | 显示全部楼层 |阅读模式
本帖最后由 思睿达小妹妹 于 2023-3-2 14:22 编辑
4 S* ]+ M& z. h( u) U4 z; l3 i- ~  l% e+ i
电源管理芯片是电子设备的电能**,负责电子设备所需的电能变换、分配、检测等管控功能,是电子设备中的关键器件,其性能优劣对电子产品的性能和可靠性有着直接影响,并且广泛运用于各类电子产品和设备中。
2 v3 u, Y/ v% }
- k* ^- ^: B; O例如公司主推的CR6863B芯片是一款高集成度、低功耗的中等功率反激电源控制IC。它的电路结构简单、较少的外围元器件,适用于中小功率AC/DC 电源适配器。
* `1 \, n6 a2 Y1 F, Z2 J( p: b
接下来,我们将对CR6863B和XX2293B进行对比测试,看看公司主推的CR6863B是不是略胜一筹?一起来揭晓吧!. u7 r+ T2 _& q: P, O& {8 v

2 S9 s) f; m( HCR6863B & XX2293B对比测试% J$ N) f) R$ K* Y  y1 V

  t  _$ y* O& T, ^! d- W% }一、样机规格
5 ~" n# h8 u% H

) H! i1 A1 C% o% U输出电压12V、输出负载2A。8 Y5 n1 `0 L$ m) z$ w) H

) j  \9 c4 v0 ~  h

* E* \2 F( Q+ ~% b" N  W, ]

; f: }( T5 [0 p) o修改参数:" f2 K) E4 E. N6 m  q1 g# q

1 ^% ?* |, ?; B% X: }直接替换IC,R5、R6由3R改为2.2R;R4由3R改为2.4R;R11由3R改为0R ;D7由A7改为RS1M。
/ `  E& Q2 U& A
0 X+ b% x# C0 V# x, A+ G& i- j6 KCR6863B产品概述) c# Y+ [4 Z& \' D

: C1 v$ p2 r- @1 MCR6863B是一款高集成度、低待机功耗的CCM+PFM混合电流模式PWM控制器。CR6863B轻载时会降低频率,最低频率22kHz可避免音频噪声。CR6863B提供了完整的保护功能,如cycle-by-cycle 电流限制、OCP、OTP、VDD_OVP、UVLO等。软启动功能可以减少系统启动时MOSFET的应力,前沿消隐时间简化了系统应用。通过频率抖动和软驱动电路的设计,降低开关噪声,简化了EMI设计,CR6863B还提供VDD电压从8.5V-36.5V更宽的工作范围。CR6863B提供SOT23-6L/DIP-8L/SOP-8L的封装。5 N* l. O1 r+ e' ?% E* B, \! c4 e
) f/ i2 T' C+ e3 ~! P
芯片特性
# b" H+ e7 a2 D( W6 K  I8 u6 d7 T- Y2 I! F$ e# S
● 较低的启动电流 (大约3μA)0 [& x6 n% k+ l% x
● 内置软启动减少MOSFET应力! n5 N6 b0 d1 g
● CCM+PFM控制模式# v5 o1 A: T7 s9 E& R( r6 L7 V, z6 m
● 内建同步斜坡补偿,消除次谐波震荡9 ]0 V8 L2 I/ Q& v
● 内建频率抖动功能,降低EMI5 W8 Z! Y0 F( O, G% S8 r
● 内置65kHz开关频率* H4 k( }; J/ t" [- b
● 轻载降低工作频率% J6 a5 B3 r! T; ?) z9 v
● VDD电压8.5V-36.5V,工作范围更宽
$ D9 h) t8 y9 y  M. X● VDD过压保护功能
4 H: `; v. Z% J  M● 内置前沿消隐电路
8 R0 Z7 Z. f+ ~/ J● 内置过温保护8 @5 M( H# H1 F% c5 V- s2 p, G0 a
● 过载保护2 c, Y& Q1 P; t
● SOT23-6L/DIP-8L/SOP-8L封装" Y1 u% F3 e) s' v1 H

; {: t+ A; b* R& r基本应用5 o2 [5 P: u: d- }# Z: S- g
: H/ N" v) ]- l1 u8 ^1 b: i
● AC/DC适配器
- z1 I: Y$ M5 E7 F) [● 电视及监视器电源- r& ?  }- Y% y8 L( @4 |
● 充电器
" b. I- e. ?: x" v" V, o  f4 }4 W● 存储设备电源% L8 }5 E7 d8 D9 \3 D3 O
6 V+ R" d5 K  j4 T# u+ g! N4 [
典型应用
; u  T% |* G1 y, L$ z) _8 a, T
5 o( v- ~. e9 m' T$ ^$ t- x4 k
管脚排列7 j) n8 k7 g! d' \6 `. b5 t9 B
2 V1 Z& C$ \. e0 k9 o% X  n
管脚描述; P2 A% w4 r* L, f5 w- g" N

3 Z) s0 P# M, U" Z  ~9 O2 K二、基本电性参数7 m4 B" K! g4 K) Y

+ D* Y- I+ q9 ^8 `# q6 V( J三、基本波形
XX2293B 90V/60HZ输出纹波

8 ?! Y/ h* A8 R* i
CR6863B 90V/60HZ输出纹波

  c2 ?0 c9 L7 w. i2 E' U' ]
XX2293B 264V/50HZ输出纹波
" k$ p3 O4 p2 ^! m1 {3 p  N
CR6863B 264V/50HZ输出纹波

( |# ~4 K1 V+ k$ A
XX2293B 90V/60HZ MOS波形+肖特基波形

) K5 H6 ?  T0 Z( |$ `2 q
CR6863B 90V/60HZ MOS波形+肖特基波形

1 V7 G% ]. Y& t6 b3 O7 J" C
XX2293B 90V/60HZ 负载满载 OVP波形
( K4 g  Q6 e- G
CR6863B 90V/60HZ 负载满载 OVP波形
, t5 L% Y+ k* v. K
XX2293B 90V/60HZ GATE波形
( n3 d( J* Z4 T  M
CR6863B 90V/60HZ GATE波形

; I! H$ p- h( j3 A
XX2293B 90V/60HZ CS波形
9 k7 I) |9 \5 T6 N
CR6863B 90V/60HZ CS波形

( c  \5 |1 M* x  s8 S1 T
XX2293B 264V/50HZ MOS波形+肖特基波形
% l4 c- f6 x5 ?4 ]- n, S$ c7 Q
CR6863B 264V/50HZ MOS波形+肖特基波形
  p3 Q# e+ d  I" k9 A
XX2293B 264V/50HZ 负载满载 OVP波形
: S$ @* c  G! R7 y8 ]. P
CR6863B 264V/50HZ 负载满载 OVP波形
% b5 _+ V% p5 Q! ~2 r2 E
XX2293B 264V/50HZ GATE波形

  N' m& a4 d7 V! Q5 v+ N* v
CR6863B 264V/50HZ GATE波形
: N+ u6 M+ I; U. k
XX2293B 264V/50HZ CS波形
* T; E! }# F) d
CR6863B 264V/50HZ CS波形
# K0 o3 I( e, p/ _4 E9 j# U
对比结果:电性基本一致,CR6863B效率略高于XX2293B,推荐使用公司主推的CR6863B。  g1 w' d+ w# b/ ]
4 n, x2 ?7 Q, O% ^. D
6 E4 G  h% ?4 D

5 t6 {6 g4 j* M% j! \1 i

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