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我们帮你找到XX2293B芯片替代料,这颗高能效IC就不错~

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发表于 2023-3-2 14:19:00 | 显示全部楼层 |阅读模式
本帖最后由 思睿达小妹妹 于 2023-3-2 14:22 编辑 " r0 z4 o! w& e: q1 m

: z% I# f$ s% Q电源管理芯片是电子设备的电能**,负责电子设备所需的电能变换、分配、检测等管控功能,是电子设备中的关键器件,其性能优劣对电子产品的性能和可靠性有着直接影响,并且广泛运用于各类电子产品和设备中。) M9 ?2 x- v! f- o
/ D: U% H% G. s' A5 p
例如公司主推的CR6863B芯片是一款高集成度、低功耗的中等功率反激电源控制IC。它的电路结构简单、较少的外围元器件,适用于中小功率AC/DC 电源适配器。7 y& x) f1 M- e* }+ h- ^

) V5 f6 s: b5 A/ V7 p$ ?4 `接下来,我们将对CR6863B和XX2293B进行对比测试,看看公司主推的CR6863B是不是略胜一筹?一起来揭晓吧!
% M) R' W; C1 e( ~! {1 a7 P; A* `& m# Q- z* o7 v8 N1 E# q4 u
CR6863B & XX2293B对比测试- U( y: p9 @0 S. x# x3 m

6 Y7 y3 A$ c  \0 o' Q8 x一、样机规格

1 G* k  X. E% u# u/ L+ p
7 c0 w' Q8 l+ d4 o% g: R5 [5 m# a输出电压12V、输出负载2A。
0 h( _7 e. {5 S" m
: L' a8 {$ e3 W. T; p
2 [- C* E1 i  j6 Z) K5 E% q, l5 _

/ v. O8 O) }' ]4 e, D. G" A7 e修改参数:
8 O0 L% B# J4 l
  g4 c: t" S* h0 e) U/ m$ l# ^. l直接替换IC,R5、R6由3R改为2.2R;R4由3R改为2.4R;R11由3R改为0R ;D7由A7改为RS1M。
/ g1 k) _7 B4 o: F8 X+ ^  j1 ?3 a  f- V
CR6863B产品概述
4 f6 H2 B$ c# K4 Q; n, n& Q- D- P& {  r: e
CR6863B是一款高集成度、低待机功耗的CCM+PFM混合电流模式PWM控制器。CR6863B轻载时会降低频率,最低频率22kHz可避免音频噪声。CR6863B提供了完整的保护功能,如cycle-by-cycle 电流限制、OCP、OTP、VDD_OVP、UVLO等。软启动功能可以减少系统启动时MOSFET的应力,前沿消隐时间简化了系统应用。通过频率抖动和软驱动电路的设计,降低开关噪声,简化了EMI设计,CR6863B还提供VDD电压从8.5V-36.5V更宽的工作范围。CR6863B提供SOT23-6L/DIP-8L/SOP-8L的封装。7 r1 h) Z5 G) L

6 J9 L. T5 c; ], N1 r芯片特性
6 g& a( c  H  o2 b- @; a7 W, t- o3 N, {2 d( B( t$ k( Q
● 较低的启动电流 (大约3μA)
( t: Z. }! t% S! ~& a  J  z● 内置软启动减少MOSFET应力
! r  {* ~# a. t3 y3 I● CCM+PFM控制模式
  I* s+ k) p4 l, p● 内建同步斜坡补偿,消除次谐波震荡! T9 L$ b4 G; x% F
● 内建频率抖动功能,降低EMI8 x/ u4 o  G1 q2 S
● 内置65kHz开关频率8 `9 b% |: g  e: j  w
● 轻载降低工作频率
+ L3 j' N2 Y8 j, f7 G. i● VDD电压8.5V-36.5V,工作范围更宽4 I- [7 A& y% ~# G; q7 A  x
● VDD过压保护功能
& Z9 R' W( E& z- e4 c/ \5 d● 内置前沿消隐电路) [: |" @- c9 _4 Y; P
● 内置过温保护
9 ~% c! b# ]; w9 X  C9 G● 过载保护6 @, `+ W8 [+ [8 q* [0 N/ `
● SOT23-6L/DIP-8L/SOP-8L封装
- T/ S& m! K: s0 m# Z3 P
% u0 G: i. L/ G9 ^; @& q5 r基本应用
# K  g" i7 Y" `' i6 X: f
9 q( E' _' \) G7 e6 M● AC/DC适配器$ G+ N! a# _' i( O
● 电视及监视器电源
& s) c$ D0 K5 Y- v+ w" ?: s$ y7 @● 充电器
& r! P; H1 L: g0 g" q● 存储设备电源8 W. a& v+ u# P& Y. d5 s

2 L6 z3 Z! l# z- K% F典型应用& D8 |7 y$ j2 R0 p0 ~* |

5 T- _) W0 y% I5 y+ R0 ^7 v
管脚排列
! _, h  l3 T3 f$ V1 ]* q; j3 Z; c3 \9 p. |+ O# F5 ]1 E
管脚描述
3 E" L" s6 [; J; E% Y" ^* h" o' v

. t+ _3 f! a6 Y/ }# k9 v二、基本电性参数5 f& p: \0 M" j2 {) F

8 o/ u& M0 q3 z2 e  U  ~三、基本波形
XX2293B 90V/60HZ输出纹波
1 H$ `& f$ S+ S, L. P; q" [& U
CR6863B 90V/60HZ输出纹波
) w# B1 M" X9 M/ \
XX2293B 264V/50HZ输出纹波

7 n9 T3 ~; ?" C3 r! U1 E/ J9 j
CR6863B 264V/50HZ输出纹波
# b" e9 n- c4 i6 H
XX2293B 90V/60HZ MOS波形+肖特基波形

, I8 L3 j1 a3 K& Y6 s" ^7 H$ \
CR6863B 90V/60HZ MOS波形+肖特基波形
# U. ~! @6 H& E0 e2 R* z
XX2293B 90V/60HZ 负载满载 OVP波形
) f6 O3 c, W4 G0 d4 T. ?1 L2 E
CR6863B 90V/60HZ 负载满载 OVP波形
5 d' m$ ~3 Z- O$ d  c) d9 v; ]
XX2293B 90V/60HZ GATE波形

; O# s  o8 z! x* |
CR6863B 90V/60HZ GATE波形

- v/ v: b/ m; ]7 Y' E4 T. r
XX2293B 90V/60HZ CS波形
% `! e; [+ \; y: ^9 [9 T: ~
CR6863B 90V/60HZ CS波形
9 Y$ @- j6 T1 B6 M$ U, J  t# `
XX2293B 264V/50HZ MOS波形+肖特基波形

/ s! n9 a# a6 v0 x  @' B1 F
CR6863B 264V/50HZ MOS波形+肖特基波形
; o5 }3 o, \" h* _) L0 f; c% J
XX2293B 264V/50HZ 负载满载 OVP波形
5 J8 }9 H: ^9 ]& p$ J' `& S- v
CR6863B 264V/50HZ 负载满载 OVP波形

0 n2 }. f; |) d7 b8 z8 K8 O; f0 ^
XX2293B 264V/50HZ GATE波形

1 q# h0 H/ Z1 \( j8 F& T0 W
CR6863B 264V/50HZ GATE波形
1 U# e7 s: \3 F/ Y
XX2293B 264V/50HZ CS波形

6 f- `0 U0 B' _1 F! ~: V0 ?
CR6863B 264V/50HZ CS波形

$ {) I6 S+ {$ R对比结果:电性基本一致,CR6863B效率略高于XX2293B,推荐使用公司主推的CR6863B。! q: Z& E! |: f

) k8 ~( L3 c. V9 u8 r
4 C8 w/ K) }% O6 `
& Y5 u4 A, Q: \% o' n" }8 [  z

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