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我们帮你找到XX2293B芯片替代料,这颗高能效IC就不错~

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发表于 2023-3-2 14:19:00 | 显示全部楼层 |阅读模式
本帖最后由 思睿达小妹妹 于 2023-3-2 14:22 编辑 . ]) Y. I) y0 s/ E+ s( k- z) }& T

' x7 o1 b7 ~6 i5 a4 a! y" t8 Z电源管理芯片是电子设备的电能**,负责电子设备所需的电能变换、分配、检测等管控功能,是电子设备中的关键器件,其性能优劣对电子产品的性能和可靠性有着直接影响,并且广泛运用于各类电子产品和设备中。
! N: g6 C& Y3 ^( h2 B5 a
  z, F2 u! w1 u0 s, u5 o例如公司主推的CR6863B芯片是一款高集成度、低功耗的中等功率反激电源控制IC。它的电路结构简单、较少的外围元器件,适用于中小功率AC/DC 电源适配器。
. E( O1 R1 d0 ?" ^1 y- |2 i' M5 S9 S3 e% k9 Q+ B
接下来,我们将对CR6863B和XX2293B进行对比测试,看看公司主推的CR6863B是不是略胜一筹?一起来揭晓吧!
8 U4 X( m9 `2 ]0 \+ u
/ f+ o: c% o7 {0 L( ^4 \CR6863B & XX2293B对比测试
" v& X* I, C0 f* v1 [! C0 S) W1 V. \& ^' O+ k4 h3 u+ f  e0 z0 v( b
一、样机规格

, _" T7 W9 c7 s. y; ]$ O* G, F) B% ]5 H  o
输出电压12V、输出负载2A。
- I# W) e- J4 h( h9 J6 a1 \2 C6 p; `$ N/ Y: O0 K* s

6 _; b7 j" B' x3 ~( ?

4 _- D) S2 @8 L7 p/ a修改参数:
7 J$ R0 E- z1 a7 C' s1 t$ ]9 X/ v5 S7 w- x
直接替换IC,R5、R6由3R改为2.2R;R4由3R改为2.4R;R11由3R改为0R ;D7由A7改为RS1M。( O' w7 b5 X% B, F( D: C3 Z

: i' m% L) _3 v: j0 x/ k( MCR6863B产品概述5 l: |' s: V6 W; P

+ N( \+ L8 b3 D! d. V9 u6 S4 @/ F% pCR6863B是一款高集成度、低待机功耗的CCM+PFM混合电流模式PWM控制器。CR6863B轻载时会降低频率,最低频率22kHz可避免音频噪声。CR6863B提供了完整的保护功能,如cycle-by-cycle 电流限制、OCP、OTP、VDD_OVP、UVLO等。软启动功能可以减少系统启动时MOSFET的应力,前沿消隐时间简化了系统应用。通过频率抖动和软驱动电路的设计,降低开关噪声,简化了EMI设计,CR6863B还提供VDD电压从8.5V-36.5V更宽的工作范围。CR6863B提供SOT23-6L/DIP-8L/SOP-8L的封装。
% A3 Y9 R+ t2 C& \% p5 |2 j
. i0 v* Q0 I" |  K0 N% Y( B' ]芯片特性
! e8 u* L5 e" u2 d/ K8 w4 _: ~# h2 j8 P
● 较低的启动电流 (大约3μA)% \% q0 h. i9 F; n
● 内置软启动减少MOSFET应力% b/ S2 X4 n' i8 P7 C0 G
● CCM+PFM控制模式
& D8 e; n9 {, r  ]● 内建同步斜坡补偿,消除次谐波震荡) w3 k4 b1 e4 K2 g4 ~" z, w/ J
● 内建频率抖动功能,降低EMI0 y, `+ _( M$ P# u
● 内置65kHz开关频率
% ^4 Q9 D' }; y● 轻载降低工作频率
, b6 k. `* k, b/ \+ n● VDD电压8.5V-36.5V,工作范围更宽
4 p) [) Y7 S6 t9 O● VDD过压保护功能3 q" p2 I; q" V7 t1 t
● 内置前沿消隐电路
! M9 v% e& I9 |; j# C● 内置过温保护/ s9 p7 Y  Z( x
● 过载保护4 Q( V; Y! {4 _& e1 Y
● SOT23-6L/DIP-8L/SOP-8L封装
' R0 C! J6 j6 |% V) y
: F; T  q1 L% }8 N. w0 ^基本应用
2 {  ?8 j' q5 o2 t$ j  @: N* C4 f& d+ Z4 F! W9 G" H! O( E
● AC/DC适配器
; D$ V& s' I; X9 k, v● 电视及监视器电源, K/ ~+ A0 W9 I; N  Y
● 充电器& R/ X- Z# u' q( ]
● 存储设备电源" o; Y. ~4 Y. Z; |9 \

5 q0 T" ?# A* A$ I9 b2 S典型应用
2 _) A! O$ ^0 q$ E0 T; A0 h
) R& j$ n7 D; A( g" @
管脚排列6 |: P  F! n, ]% z5 v) f0 W
3 I* d, c4 i% D* J* u  x
管脚描述; F+ U: q# s; P# b) y
) U- s. |. M4 V- i
二、基本电性参数5 d& K" k0 r7 i8 X& D
* d1 t4 {$ v# }2 Z) v, j
三、基本波形
XX2293B 90V/60HZ输出纹波

3 e+ B( I1 J: @
CR6863B 90V/60HZ输出纹波

1 X1 S! M3 |0 b, t! k& l+ v8 |
XX2293B 264V/50HZ输出纹波

. C5 R1 I/ s/ d) p) L- {
CR6863B 264V/50HZ输出纹波

4 N0 T/ r, D/ O0 u
XX2293B 90V/60HZ MOS波形+肖特基波形
! u. H" F+ g. j; F/ r% O
CR6863B 90V/60HZ MOS波形+肖特基波形
/ |+ Y8 X1 ]% k+ `9 Y6 L; W
XX2293B 90V/60HZ 负载满载 OVP波形
3 K8 O2 S5 X, J! U- C
CR6863B 90V/60HZ 负载满载 OVP波形
6 X0 Z$ D- h$ j0 J6 @! B
XX2293B 90V/60HZ GATE波形
+ }; T4 [0 X2 S8 U
CR6863B 90V/60HZ GATE波形
- z) C1 q2 A3 S5 C$ M5 b: [
XX2293B 90V/60HZ CS波形
# V+ r/ ^. B' Q( G) b
CR6863B 90V/60HZ CS波形

* r/ P0 S4 p- c" v3 M  p' E, w
XX2293B 264V/50HZ MOS波形+肖特基波形
* c% c2 k: }* [' p
CR6863B 264V/50HZ MOS波形+肖特基波形
% w: q" Y2 S- Z! r0 {" Y4 R7 u6 u
XX2293B 264V/50HZ 负载满载 OVP波形

2 b6 f) a3 G) d9 [5 j1 Q- g5 J# R6 b
CR6863B 264V/50HZ 负载满载 OVP波形

; r9 i  U5 I5 E! ?% c2 q
XX2293B 264V/50HZ GATE波形

/ n, Z( d8 s+ b3 V
CR6863B 264V/50HZ GATE波形
) O+ }/ f6 Y1 l& T1 H9 M) U
XX2293B 264V/50HZ CS波形

$ U! v& U0 j! C! O
CR6863B 264V/50HZ CS波形
; E" O1 m; o0 X8 |# s/ ]
对比结果:电性基本一致,CR6863B效率略高于XX2293B,推荐使用公司主推的CR6863B。
: r5 ]* Z( i7 B$ Q& r( ]+ R/ v% P9 U/ b: K+ j( [1 V0 l0 k& B1 ~2 y/ F
  E" w. z0 I* {0 E9 I( }- c

$ @& p! B1 F# j( Y( y" J  q

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