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我们帮你找到XX2293B芯片替代料,这颗高能效IC就不错~

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发表于 2023-3-2 14:19:00 | 显示全部楼层 |阅读模式
本帖最后由 思睿达小妹妹 于 2023-3-2 14:22 编辑
+ @' R4 F+ M1 _2 L
5 p) x& @( ^! P电源管理芯片是电子设备的电能**,负责电子设备所需的电能变换、分配、检测等管控功能,是电子设备中的关键器件,其性能优劣对电子产品的性能和可靠性有着直接影响,并且广泛运用于各类电子产品和设备中。
+ u0 t4 z& V3 e0 S/ E( u" E& }7 q$ |
例如公司主推的CR6863B芯片是一款高集成度、低功耗的中等功率反激电源控制IC。它的电路结构简单、较少的外围元器件,适用于中小功率AC/DC 电源适配器。* f6 ]0 w# `. l: h  n% C& R

! k8 p6 g3 g5 d, H& ?6 G: W* H接下来,我们将对CR6863B和XX2293B进行对比测试,看看公司主推的CR6863B是不是略胜一筹?一起来揭晓吧!+ [7 R- Y2 r' e$ Z0 K6 x3 l. U8 d
# T% R$ e- g1 Z* H) }  O2 k
CR6863B & XX2293B对比测试
2 d" }! u2 \. {/ R8 N$ `/ M! G) W! |/ I. B6 \; h& j8 r1 l
一、样机规格
) \5 Y, Y5 E; _9 Q5 c

" h5 [  u4 ^5 N输出电压12V、输出负载2A。2 X* z1 V) M! h# P1 Z, m7 \! K
; q6 O+ ~" D( A! ^. r# P& a$ r
& T5 U6 W) ^: z3 c' q

. A( E! t8 Y% N/ c- T9 l0 [修改参数:
1 Q5 F9 k4 `' C, S7 D! b8 ]% d7 z
! y( H: a" R) z$ r- A, z% O直接替换IC,R5、R6由3R改为2.2R;R4由3R改为2.4R;R11由3R改为0R ;D7由A7改为RS1M。
% K& ]! H+ ^2 P0 G- ^/ K
% F& }& x9 c6 h/ ?4 g6 m% ?0 f2 wCR6863B产品概述
8 E# q; B; N- r" z/ B, W7 G- D$ m. h- b* a0 R
CR6863B是一款高集成度、低待机功耗的CCM+PFM混合电流模式PWM控制器。CR6863B轻载时会降低频率,最低频率22kHz可避免音频噪声。CR6863B提供了完整的保护功能,如cycle-by-cycle 电流限制、OCP、OTP、VDD_OVP、UVLO等。软启动功能可以减少系统启动时MOSFET的应力,前沿消隐时间简化了系统应用。通过频率抖动和软驱动电路的设计,降低开关噪声,简化了EMI设计,CR6863B还提供VDD电压从8.5V-36.5V更宽的工作范围。CR6863B提供SOT23-6L/DIP-8L/SOP-8L的封装。
  Y0 {  {" `5 }! E4 R
4 z6 U4 w! t  l/ Z4 X芯片特性
3 u7 N  n$ V% @' z0 f7 o$ u
0 O+ T" v! S4 |+ G. J) V● 较低的启动电流 (大约3μA)
* B% t# X2 T" S" A' B" |. j4 P. D● 内置软启动减少MOSFET应力
" C& p% R, B* Z' F: u$ B● CCM+PFM控制模式1 _6 R% [* i0 u* K: n5 B  e
● 内建同步斜坡补偿,消除次谐波震荡
3 z" Y9 W% S3 L2 s2 V+ z/ K● 内建频率抖动功能,降低EMI
& R/ ?  y/ ~$ b, l5 X8 Q● 内置65kHz开关频率
( w7 B4 y) ~9 W* J● 轻载降低工作频率
+ F; q3 w9 Y; g; M● VDD电压8.5V-36.5V,工作范围更宽
' a9 a- }7 B2 s6 g/ D) k1 c, }" o& |+ S● VDD过压保护功能6 n. e$ W: I$ }, o& p
● 内置前沿消隐电路
! j* [. g1 o) K● 内置过温保护) W0 c2 ?$ f8 f$ |; p. X
● 过载保护
7 J9 w' I2 T1 G● SOT23-6L/DIP-8L/SOP-8L封装: j& T, Z+ @" ^5 Q! s$ s; W8 q
( M+ h7 H1 k$ t1 ^, A
基本应用( k2 D$ z8 [: Z# `1 ]

( I- u5 v& j* l! \" n2 P; a, L● AC/DC适配器  r2 ~- [0 v+ |* U
● 电视及监视器电源- N* Y4 Y7 N- A; R. e" F7 V' Q
● 充电器  p% x# G5 R! i; z* H, Z
● 存储设备电源
, L: r% D% ~) {! Y1 v3 ^8 x7 F* D3 I0 K6 J/ Z
典型应用
0 K, W5 \: W5 y1 a5 f9 a& a( j
3 V- J* {0 N! v/ e1 U: s: b
管脚排列! D/ z2 T4 h. J- S/ ~
' v3 A' Z! Z& a4 n- F9 y8 M
管脚描述
: F9 P: m7 Q7 E! T: ]
6 R9 R. F2 d8 E0 P0 f
二、基本电性参数2 _* z& c4 X7 W( E- f
6 V4 n; c, l; g5 m
三、基本波形
XX2293B 90V/60HZ输出纹波
, R  g/ ~: Z& U# C5 X/ `; v
CR6863B 90V/60HZ输出纹波
! x' E7 A7 z* c
XX2293B 264V/50HZ输出纹波

! B$ R* V5 Z' @0 z
CR6863B 264V/50HZ输出纹波

6 b8 U; A8 o/ ?( f9 i+ v
XX2293B 90V/60HZ MOS波形+肖特基波形
2 l* H2 k  K9 _) _
CR6863B 90V/60HZ MOS波形+肖特基波形

* V  P2 I; h" [* J3 k9 Y2 A8 N& x
XX2293B 90V/60HZ 负载满载 OVP波形

. z& W4 U% W% y3 x
CR6863B 90V/60HZ 负载满载 OVP波形

7 ~% x, X- A3 \2 i4 r3 ?
XX2293B 90V/60HZ GATE波形

( Q( b" c' W( u/ e% k
CR6863B 90V/60HZ GATE波形

: O2 @% R4 g" V9 e
XX2293B 90V/60HZ CS波形
0 L* ?8 f2 \: O  \
CR6863B 90V/60HZ CS波形
4 c! y& S2 g1 K2 ]4 p
XX2293B 264V/50HZ MOS波形+肖特基波形
- P3 i6 {" G! X7 ?1 u+ I7 u2 C
CR6863B 264V/50HZ MOS波形+肖特基波形
1 v* o0 Q+ g" \
XX2293B 264V/50HZ 负载满载 OVP波形
( ?' H! h# M3 S+ T+ @0 z
CR6863B 264V/50HZ 负载满载 OVP波形

# z) J* g/ P( h% {$ Y  o
XX2293B 264V/50HZ GATE波形

: m8 Q9 k% Y+ f. W' h5 y0 y) g
CR6863B 264V/50HZ GATE波形
0 h: ]$ v" \5 T! a7 u( H+ S; m! D( p
XX2293B 264V/50HZ CS波形

3 x! v; M' H0 V% n0 `+ x' y
CR6863B 264V/50HZ CS波形

- {' T: Q5 e/ J$ X3 z对比结果:电性基本一致,CR6863B效率略高于XX2293B,推荐使用公司主推的CR6863B。
. l( _5 N  e, N1 W' F+ K& o9 k' }
0 B$ Z1 R, }) s0 ?+ X5 E, A: h) A9 O$ V
( H! p+ d" P+ c+ y

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