本帖最后由 思睿达小妹妹 于 2023-3-2 14:22 编辑 - M& D- Y, q/ t4 C* R2 {* c1 Q6 {! w
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电源管理芯片是电子设备的电能**,负责电子设备所需的电能变换、分配、检测等管控功能,是电子设备中的关键器件,其性能优劣对电子产品的性能和可靠性有着直接影响,并且广泛运用于各类电子产品和设备中。# }1 R$ f4 N# B4 r2 x
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例如公司主推的CR6863B芯片是一款高集成度、低功耗的中等功率反激电源控制IC。它的电路结构简单、较少的外围元器件,适用于中小功率AC/DC 电源适配器。" M* d/ v- I" W, a7 |
; G- r# U6 y9 g/ P r0 S接下来,我们将对CR6863B和XX2293B进行对比测试,看看公司主推的CR6863B是不是略胜一筹?一起来揭晓吧!! v7 C0 B! Q& i* R9 b I) r, ^
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CR6863B & XX2293B对比测试& C4 U' s$ ]- F# s; I& e
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一、样机规格* h# A4 A: u1 X1 q% H' T8 z
. t% i: { G3 @; y9 h! z( s输出电压12V、输出负载2A。
. f, M. c8 h+ n' l$ G7 y1 C) P. e7 M: D3 ^7 Q; l- O) {' }9 u
' f2 n; ]1 V' c$ V& T, u+ P) T0 i& [( `
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修改参数:* I) }1 W& o e( s! X5 \9 T
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直接替换IC,R5、R6由3R改为2.2R;R4由3R改为2.4R;R11由3R改为0R ;D7由A7改为RS1M。. N) `; M& }; w: l B2 |6 E) {
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CR6863B产品概述# q: X# _* M8 `0 A7 _
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CR6863B是一款高集成度、低待机功耗的CCM+PFM混合电流模式PWM控制器。CR6863B轻载时会降低频率,最低频率22kHz可避免音频噪声。CR6863B提供了完整的保护功能,如cycle-by-cycle 电流限制、OCP、OTP、VDD_OVP、UVLO等。软启动功能可以减少系统启动时MOSFET的应力,前沿消隐时间简化了系统应用。通过频率抖动和软驱动电路的设计,降低开关噪声,简化了EMI设计,CR6863B还提供VDD电压从8.5V-36.5V更宽的工作范围。CR6863B提供SOT23-6L/DIP-8L/SOP-8L的封装。+ Y" ]; z) O6 o J2 p% Y2 t
7 J' ?6 ~+ u$ j2 ~芯片特性3 ]9 y) s& V& e4 v2 E7 E( j
& Q2 ]& \. i" C7 {+ w● 较低的启动电流 (大约3μA)
+ \8 {4 z# J2 y4 s● 内置软启动减少MOSFET应力. U" D" B( U2 N/ H( Q
● CCM+PFM控制模式
, ~2 w7 p2 D. u& j2 z* k# [: |● 内建同步斜坡补偿,消除次谐波震荡7 t# K% D7 _$ [% }' q7 U
● 内建频率抖动功能,降低EMI
( F$ k/ P8 w( k1 F+ C* t% R7 j● 内置65kHz开关频率
/ m. u7 ?$ j1 F0 i6 Q● 轻载降低工作频率
9 ?. [8 m* Q- O {2 I0 s$ z● VDD电压8.5V-36.5V,工作范围更宽
7 K; i) a' |, i: P● VDD过压保护功能 u( o( z C: W6 r; K+ a* s; S2 N
● 内置前沿消隐电路
9 O% N% k+ u, n● 内置过温保护
! V' q' E9 C; R● 过载保护& ]4 C* Q, l, d; L6 S# a: p
● SOT23-6L/DIP-8L/SOP-8L封装
! T9 d" F% l0 M* ]) p6 b
* y6 ?0 y; X9 o" M2 f7 @基本应用( I- u0 e9 p0 I, W
% M# J& ] ^5 P6 s
● AC/DC适配器0 W4 w [' b) g! @- y) }+ J1 [3 `
● 电视及监视器电源
# c+ _0 Z3 ?, d4 y5 P● 充电器' z, p5 P& Y. y3 K1 f8 R! Q
● 存储设备电源1 |5 b. P4 f" _, x" u9 l
% I, f, _2 d7 @" N7 \$ o( @- ?典型应用
5 h+ T' R& u# O x4 x) D
% @( B# Y+ B4 j/ S+ _3 R$ O, m; j管脚排列# [: s, f5 v9 N
2 l. W ^( Z, ^' i管脚描述; S4 }1 L! J, y8 e
2 r$ m, S+ r1 g0 g. @二、基本电性参数
5 ^- b3 ?/ N/ M# l1 F! T U
7 `. ^5 r' k: @3 d2 Z三、基本波形XX2293B 90V/60HZ输出纹波
. `) Z7 |/ t# {; G5 n: m6 r# vCR6863B 90V/60HZ输出纹波
/ Z- T( @1 z2 J0 Q' N. ?XX2293B 264V/50HZ输出纹波
# g5 ]' [5 ~/ \+ M5 l; a3 z9 yCR6863B 264V/50HZ输出纹波
5 I( \& ~6 O) _5 ]$ ~XX2293B 90V/60HZ MOS波形+肖特基波形
) i h# p# c1 [5 V$ C+ fCR6863B 90V/60HZ MOS波形+肖特基波形
# R/ h- G2 c9 n) B$ lXX2293B 90V/60HZ 负载满载 OVP波形
( s% n. p/ S5 q( Z0 |CR6863B 90V/60HZ 负载满载 OVP波形 0 h6 e9 b% S8 z8 w# A" {1 |
XX2293B 90V/60HZ GATE波形
2 ^/ {% W0 z& q1 b2 tCR6863B 90V/60HZ GATE波形 4 ^" F' t; l$ g
XX2293B 90V/60HZ CS波形
; ^( W. u- f% `1 K7 ZCR6863B 90V/60HZ CS波形 ! `" Y/ |( B- B1 T/ s& r
XX2293B 264V/50HZ MOS波形+肖特基波形 ( F z6 u$ y6 |9 f+ b2 \1 c/ M
CR6863B 264V/50HZ MOS波形+肖特基波形 " M3 a( V! [9 t! d, K7 M, h
XX2293B 264V/50HZ 负载满载 OVP波形 3 z. d8 W* M( P; U" V
CR6863B 264V/50HZ 负载满载 OVP波形 1 c- w; Z- c! a
XX2293B 264V/50HZ GATE波形
: \! Z/ Z( ^% ~3 ECR6863B 264V/50HZ GATE波形 ) E9 {% q7 o" q- |: Y" R
XX2293B 264V/50HZ CS波形
|6 Q9 N0 f4 ~/ P# e$ Q1 }2 f9 y* XCR6863B 264V/50HZ CS波形 # s5 X# }) w9 ^& J$ h8 f" S' M
对比结果:电性基本一致,CR6863B效率略高于XX2293B,推荐使用公司主推的CR6863B。
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