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我们帮你找到XX2293B芯片替代料,这颗高能效IC就不错~

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发表于 2023-3-2 14:19:00 | 显示全部楼层 |阅读模式
本帖最后由 思睿达小妹妹 于 2023-3-2 14:22 编辑 / X2 Q$ z- A1 q' w  S

, y" ^( I5 U5 {7 m& ^4 V2 ^电源管理芯片是电子设备的电能**,负责电子设备所需的电能变换、分配、检测等管控功能,是电子设备中的关键器件,其性能优劣对电子产品的性能和可靠性有着直接影响,并且广泛运用于各类电子产品和设备中。9 B2 U' w: A) E

7 ~% l. S5 Q, G' A" n+ D# `* a例如公司主推的CR6863B芯片是一款高集成度、低功耗的中等功率反激电源控制IC。它的电路结构简单、较少的外围元器件,适用于中小功率AC/DC 电源适配器。2 `! e) ?) ^6 z2 s; Z) w* K( f

& {- r& e/ w2 |接下来,我们将对CR6863B和XX2293B进行对比测试,看看公司主推的CR6863B是不是略胜一筹?一起来揭晓吧!$ `7 e' y  a$ e

; q7 g3 U: Q/ W7 fCR6863B & XX2293B对比测试
! O$ `% o0 N6 O+ r5 x( j) U6 b) }0 k
一、样机规格
# K9 h7 {2 [2 S% w

+ h" R# Z) {. Y! c) p* {; j输出电压12V、输出负载2A。+ b6 j2 e% }2 p8 [6 `( g

, n2 j* e$ D% M/ t4 W
- S" W7 `" b) _1 R! p3 f, ^, N

; B9 F7 ~: Z9 Z4 U, B* d修改参数:4 D! P" S. L1 Q) x& u: O& e, h
+ s+ z5 f/ `5 ]4 Z! }2 h, A
直接替换IC,R5、R6由3R改为2.2R;R4由3R改为2.4R;R11由3R改为0R ;D7由A7改为RS1M。
2 ^/ x. t( @5 l& \% F6 e* C
$ A: m, r4 r4 A& c2 `  bCR6863B产品概述' g$ w7 L# e: I5 C
) s6 G# ?: N2 d
CR6863B是一款高集成度、低待机功耗的CCM+PFM混合电流模式PWM控制器。CR6863B轻载时会降低频率,最低频率22kHz可避免音频噪声。CR6863B提供了完整的保护功能,如cycle-by-cycle 电流限制、OCP、OTP、VDD_OVP、UVLO等。软启动功能可以减少系统启动时MOSFET的应力,前沿消隐时间简化了系统应用。通过频率抖动和软驱动电路的设计,降低开关噪声,简化了EMI设计,CR6863B还提供VDD电压从8.5V-36.5V更宽的工作范围。CR6863B提供SOT23-6L/DIP-8L/SOP-8L的封装。& u, {8 w4 ]0 N) `4 d8 i! |8 C
# J* C$ f+ {1 M3 J) Z& u$ |
芯片特性
* {6 A$ f( J9 H2 C/ U/ b$ O
, O& _7 R, R2 Q% R) n' h( Z● 较低的启动电流 (大约3μA)
% P* y4 ]- N# h2 D& d● 内置软启动减少MOSFET应力
  C, z& |2 y' k  f: y8 @7 q● CCM+PFM控制模式8 B" m9 l; o% Y2 m2 x$ X
● 内建同步斜坡补偿,消除次谐波震荡
4 V% s1 i6 r+ z: P2 ?● 内建频率抖动功能,降低EMI' w7 l/ r6 V" W6 E: F. l5 `1 L
● 内置65kHz开关频率* ?& P, M4 U" o6 l3 s
● 轻载降低工作频率* V9 u2 ^; c2 W  U' i) _) a( p
● VDD电压8.5V-36.5V,工作范围更宽" b; e( C8 M2 y( u
● VDD过压保护功能
/ u$ K6 h  r( [5 q● 内置前沿消隐电路) Y) R  z! ~5 R0 Z6 T2 B
● 内置过温保护# L! ]$ `7 ~6 d
● 过载保护
4 C7 ~4 S( i  H, {8 H! w. c; c8 E4 P: z● SOT23-6L/DIP-8L/SOP-8L封装3 F0 b% i' L" a" d5 }, l

6 Y9 m$ e! C/ r- A! Q# h基本应用9 e! j4 s) \; D6 I( Q9 i# g2 I: a
' _8 v7 j$ T: L# \: z, Y, z  ]; P
● AC/DC适配器
$ j( T, b. B7 R2 y" f● 电视及监视器电源% [, T) |, p: i, A" z/ F8 ]
● 充电器
+ h. A7 ~" a: `● 存储设备电源0 M) ]2 P$ C6 h

  W& t( T  g. F& \典型应用
4 p$ k' [& }) s0 ]3 ~% @) u0 V% D; L! J) R
管脚排列
' h6 \+ p7 c7 V# A# h4 y( r6 D: D- o, s# M
管脚描述
* R( S+ C5 q2 T/ K0 M( x
. H6 h+ ?5 O2 S6 b: T/ N5 S
二、基本电性参数
- ]& U5 Z: V) r

  v( t- U* m  |6 A. E/ c三、基本波形
XX2293B 90V/60HZ输出纹波

( x/ M8 I. y6 f2 \
CR6863B 90V/60HZ输出纹波
! A2 L: `/ u, I! M
XX2293B 264V/50HZ输出纹波
6 I* H! w8 }  `, p+ _
CR6863B 264V/50HZ输出纹波

$ p; g0 J1 O7 M. f3 _+ I$ @  B* j+ Q
XX2293B 90V/60HZ MOS波形+肖特基波形

0 Z8 f) i- C8 |) {
CR6863B 90V/60HZ MOS波形+肖特基波形

. ?. a( C& I8 C0 I1 j1 d: u* O
XX2293B 90V/60HZ 负载满载 OVP波形
9 X7 H& Z1 q- U
CR6863B 90V/60HZ 负载满载 OVP波形

. W, ~* v* Y; C; N. A. K
XX2293B 90V/60HZ GATE波形
6 o  G2 T6 }4 Z
CR6863B 90V/60HZ GATE波形

! ~4 M1 @( M1 H: c$ D
XX2293B 90V/60HZ CS波形

' d, G+ M: K; G9 y7 _; I
CR6863B 90V/60HZ CS波形
! b# n3 e4 Y; ]) e6 k! ~
XX2293B 264V/50HZ MOS波形+肖特基波形

/ x8 j* }, W- n, E
CR6863B 264V/50HZ MOS波形+肖特基波形

8 P( Q4 H4 v2 C* X  D' t" y
XX2293B 264V/50HZ 负载满载 OVP波形
  F7 R- p: k1 X2 D! J
CR6863B 264V/50HZ 负载满载 OVP波形
! N+ R1 _# \- ^& K3 {5 p
XX2293B 264V/50HZ GATE波形

: r. v, a" w! _8 e- c
CR6863B 264V/50HZ GATE波形

6 }1 u# l" z% J: |! Z0 s
XX2293B 264V/50HZ CS波形
' \% ~! y9 P$ j0 O
CR6863B 264V/50HZ CS波形

) t2 s% e3 h* x# T4 F. I0 B对比结果:电性基本一致,CR6863B效率略高于XX2293B,推荐使用公司主推的CR6863B。7 ?# h* {1 h% q) [

0 v2 w8 F5 V4 w+ }
$ D! w9 L0 N1 W6 [3 x2 i* {) v2 z  t6 O8 e& }" C, R

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