本帖最后由 思睿达小妹妹 于 2023-3-2 14:22 编辑
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# ?- j5 M5 V# Q2 D3 \电源管理芯片是电子设备的电能**,负责电子设备所需的电能变换、分配、检测等管控功能,是电子设备中的关键器件,其性能优劣对电子产品的性能和可靠性有着直接影响,并且广泛运用于各类电子产品和设备中。
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例如公司主推的CR6863B芯片是一款高集成度、低功耗的中等功率反激电源控制IC。它的电路结构简单、较少的外围元器件,适用于中小功率AC/DC 电源适配器。6 t5 |! m' I: Z* N+ O5 B# g
3 a3 J$ h( y6 |1 `接下来,我们将对CR6863B和XX2293B进行对比测试,看看公司主推的CR6863B是不是略胜一筹?一起来揭晓吧!
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CR6863B & XX2293B对比测试
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一、样机规格
- Z. I( y0 W* j( ?4 L2 Q, o8 ~ p/ r% Z2 a9 C- ]
输出电压12V、输出负载2A。: [% y; e8 ~# T+ \ _
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- {7 B; w; L$ C/ g修改参数:
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直接替换IC,R5、R6由3R改为2.2R;R4由3R改为2.4R;R11由3R改为0R ;D7由A7改为RS1M。
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& x5 f( t# D. e) D0 F5 Y/ LCR6863B产品概述3 Z$ I9 z) K+ u7 k1 f
% F; a2 J3 l- v0 Q: \CR6863B是一款高集成度、低待机功耗的CCM+PFM混合电流模式PWM控制器。CR6863B轻载时会降低频率,最低频率22kHz可避免音频噪声。CR6863B提供了完整的保护功能,如cycle-by-cycle 电流限制、OCP、OTP、VDD_OVP、UVLO等。软启动功能可以减少系统启动时MOSFET的应力,前沿消隐时间简化了系统应用。通过频率抖动和软驱动电路的设计,降低开关噪声,简化了EMI设计,CR6863B还提供VDD电压从8.5V-36.5V更宽的工作范围。CR6863B提供SOT23-6L/DIP-8L/SOP-8L的封装。
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4 R# ]5 D, V! ^& _; p芯片特性
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● 较低的启动电流 (大约3μA)# O/ r X5 h' a6 [ C n- c
● 内置软启动减少MOSFET应力" }0 x* N/ F+ Q& j
● CCM+PFM控制模式
I& B* b/ M: t, b● 内建同步斜坡补偿,消除次谐波震荡
7 d, d/ Q; B6 G5 j' h8 m3 I● 内建频率抖动功能,降低EMI" h3 p! g) M1 W8 m6 ]
● 内置65kHz开关频率; p5 ^% _/ F& Z
● 轻载降低工作频率
- f$ j" T/ Z0 P● VDD电压8.5V-36.5V,工作范围更宽
; X8 t0 S; }7 M# e" e% X& z● VDD过压保护功能+ K1 ]2 j9 p' f8 Q+ J
● 内置前沿消隐电路 @1 ]4 S; J: `9 k9 r
● 内置过温保护
' C& c/ \* q% G' L6 i8 O● 过载保护
% ^% b, }3 m$ b5 K4 e● SOT23-6L/DIP-8L/SOP-8L封装9 W# `+ o, ? r& D( ~2 M! E' T
) ]# [/ a" N1 l2 Y8 g基本应用
$ [! e. U% Z& ]7 A* y3 P0 z& {: g+ Y( r
● AC/DC适配器0 [3 e2 J. q4 G) ? X: t
● 电视及监视器电源: V. C( F7 p7 M2 ?
● 充电器5 F: Z4 n# [) L; i) Y7 f
● 存储设备电源! a* l5 W# m, b0 R* w6 M
/ p3 J+ @% s7 F典型应用+ ^# }4 q- r7 j# }, s" g, }
* K# M% M" `- x. o0 ^8 U' Y; J管脚排列
E' J" z3 B. e% w3 e9 b
& r7 J/ r, z) d5 F8 p( z" g, g, ^( N5 B管脚描述9 M& q D6 H; y+ ]
' }- B& H8 Q) G" A二、基本电性参数
+ L5 h! p; v/ B7 R3 d3 A
' s# g a! \% `) N三、基本波形XX2293B 90V/60HZ输出纹波
1 b" x) H0 d7 p, Z1 H1 ]* QCR6863B 90V/60HZ输出纹波
/ I+ o+ S/ @' L8 Q& yXX2293B 264V/50HZ输出纹波
$ d9 z9 M% O* t+ ACR6863B 264V/50HZ输出纹波 0 F$ I* W3 e/ ]" A, p
XX2293B 90V/60HZ MOS波形+肖特基波形 7 {! P) H# T( a. W( [ k2 [* @
CR6863B 90V/60HZ MOS波形+肖特基波形
" j! { X( X& T Y. L) ?XX2293B 90V/60HZ 负载满载 OVP波形
1 e, ~# }6 M" Y9 Z& O/ |CR6863B 90V/60HZ 负载满载 OVP波形 % |: d; a' w2 T: a* i5 n
XX2293B 90V/60HZ GATE波形
+ ]9 p+ c7 Z: N4 E; ~CR6863B 90V/60HZ GATE波形
. q; L& b3 u7 V1 gXX2293B 90V/60HZ CS波形
. r3 L4 ?5 k0 H0 V8 S3 o- M, XCR6863B 90V/60HZ CS波形
4 O0 }* c7 a- W% d0 x9 W1 `XX2293B 264V/50HZ MOS波形+肖特基波形 : k. B9 _) O& W
CR6863B 264V/50HZ MOS波形+肖特基波形
3 ^ k4 X9 V8 P) Z3 {: r- WXX2293B 264V/50HZ 负载满载 OVP波形
8 H+ t( w" Q' k, KCR6863B 264V/50HZ 负载满载 OVP波形
2 G; G! m; W* j$ NXX2293B 264V/50HZ GATE波形 0 f& z- s( ~8 M6 O
CR6863B 264V/50HZ GATE波形 6 E, E( S- r1 X% e! [
XX2293B 264V/50HZ CS波形 2 q$ N1 u) D! t4 z
CR6863B 264V/50HZ CS波形 ; [2 A1 K1 @' I) d
对比结果:电性基本一致,CR6863B效率略高于XX2293B,推荐使用公司主推的CR6863B。; e1 @! J5 r3 N6 j2 Z
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