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我们帮你找到XX2293B芯片替代料,这颗高能效IC就不错~

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发表于 2023-3-2 14:19:00 | 显示全部楼层 |阅读模式
本帖最后由 思睿达小妹妹 于 2023-3-2 14:22 编辑 . |/ d3 s* f& v+ S, L) g

. ?' l1 t; w( v% M8 ?1 X: }4 ]3 U  E" y电源管理芯片是电子设备的电能**,负责电子设备所需的电能变换、分配、检测等管控功能,是电子设备中的关键器件,其性能优劣对电子产品的性能和可靠性有着直接影响,并且广泛运用于各类电子产品和设备中。
  Z, Y: w# `5 I) _* [7 X4 ~
7 ^4 T5 }% t) n  L% b- }例如公司主推的CR6863B芯片是一款高集成度、低功耗的中等功率反激电源控制IC。它的电路结构简单、较少的外围元器件,适用于中小功率AC/DC 电源适配器。* @) Q8 [* o- S$ r% @

8 J' ?$ d& p: B接下来,我们将对CR6863B和XX2293B进行对比测试,看看公司主推的CR6863B是不是略胜一筹?一起来揭晓吧!
' u9 s7 D( H) j. K
. t7 j' J' M: x# V4 dCR6863B & XX2293B对比测试3 V* K1 c. o# j, Y

- @) ?3 N0 Y+ }! }一、样机规格
4 |2 M4 b0 E2 u1 w- p- \0 E# B
+ O, u8 y4 l2 `' A7 {: [' e3 v
输出电压12V、输出负载2A。; {+ {) X/ c/ ?% v# w9 y6 }

  r; j9 ]; K# P! j! v; s& G! z

3 B: z$ g3 I/ i& m

; w- L: P0 g5 ^, a1 H; s- e+ k修改参数:
  H% N" e; P: c" J
! P0 r! O5 x7 K8 Y  G直接替换IC,R5、R6由3R改为2.2R;R4由3R改为2.4R;R11由3R改为0R ;D7由A7改为RS1M。
2 J/ g/ P' Q% S3 ?+ a. K$ ^; s4 w0 F) k" S6 S; j0 N* k
CR6863B产品概述9 Z( U1 z* a* g) j7 n
0 O3 N! U- _: _% D) \+ D; ^
CR6863B是一款高集成度、低待机功耗的CCM+PFM混合电流模式PWM控制器。CR6863B轻载时会降低频率,最低频率22kHz可避免音频噪声。CR6863B提供了完整的保护功能,如cycle-by-cycle 电流限制、OCP、OTP、VDD_OVP、UVLO等。软启动功能可以减少系统启动时MOSFET的应力,前沿消隐时间简化了系统应用。通过频率抖动和软驱动电路的设计,降低开关噪声,简化了EMI设计,CR6863B还提供VDD电压从8.5V-36.5V更宽的工作范围。CR6863B提供SOT23-6L/DIP-8L/SOP-8L的封装。/ K! @7 K% m. g( {; z$ c

! g( j- z2 D2 f. x芯片特性
0 O1 S6 L9 L+ v+ n* I
5 t7 [0 Y6 }0 m/ [/ U3 T4 C3 r( G● 较低的启动电流 (大约3μA)
* _7 c9 h! X# H: l8 I1 I$ Z2 S  a● 内置软启动减少MOSFET应力
$ b/ M& Q9 M( y& {+ s* V● CCM+PFM控制模式9 b3 I  [2 k, h- s
● 内建同步斜坡补偿,消除次谐波震荡: L$ v8 t7 X' {# Y8 e# W) _: `
● 内建频率抖动功能,降低EMI
3 P  t* _8 b0 d7 A● 内置65kHz开关频率. S0 X- {! c- m, X) z
● 轻载降低工作频率
+ Z1 Q  x9 x* q5 P  ]$ Q3 s: V0 c● VDD电压8.5V-36.5V,工作范围更宽% ^( g8 N4 ~# b3 O5 d5 ^" b
● VDD过压保护功能
# u2 d6 Q; H# L: k● 内置前沿消隐电路
5 E% L" [; f3 n● 内置过温保护' a( p  A2 [3 b: D
● 过载保护8 h& [! d, H" v' P5 I4 G( o6 \$ q
● SOT23-6L/DIP-8L/SOP-8L封装
7 e5 Q- m- Y9 k8 M$ w1 }. Q9 O  P9 G) Q8 q
基本应用
6 V9 p, K, O# s1 F2 w" g8 _
; G; W6 Z& s, T) c. o0 U2 B0 z2 K2 y● AC/DC适配器  K  Y4 l9 z1 Z+ K: M; ?! q. n
● 电视及监视器电源
9 w7 g( B' A+ J/ z0 v7 F● 充电器
! X: K# [$ f1 O# c● 存储设备电源* Y. O8 \+ n1 r3 J/ g3 L

* m* M3 t0 h5 }; K2 b# h0 i典型应用5 q0 L  O  f3 K. u% y
3 X6 m1 z+ w; M
管脚排列! w8 v* v6 n9 s2 C0 z

1 ?+ `8 }) C: M& G* ~: h
管脚描述
& E7 @' v% E$ v! V
, A2 ?6 L; X/ h  l
二、基本电性参数
" @2 b& a, r# Y. R, s8 i; `4 i

& @6 C5 p. I9 v# O- d( y; O; X三、基本波形
XX2293B 90V/60HZ输出纹波
. j7 Q( s* B, M7 A
CR6863B 90V/60HZ输出纹波

3 ]. x  a; i7 E, o7 `
XX2293B 264V/50HZ输出纹波

' S9 a! E2 \4 n/ q0 m, j9 m, Y6 d
CR6863B 264V/50HZ输出纹波

9 v% z$ I; U' Y8 w$ f, p9 E
XX2293B 90V/60HZ MOS波形+肖特基波形

; p% u5 W/ b( p0 l
CR6863B 90V/60HZ MOS波形+肖特基波形

8 d7 _( |7 q: {2 B
XX2293B 90V/60HZ 负载满载 OVP波形
. }$ i) T2 v" W$ }- i
CR6863B 90V/60HZ 负载满载 OVP波形

. N4 h( Z7 Y3 C; Q
XX2293B 90V/60HZ GATE波形
, v$ R3 p5 W5 G/ y0 S: }$ [
CR6863B 90V/60HZ GATE波形

' Q  K% Z$ K( x5 d0 b
XX2293B 90V/60HZ CS波形
! o& E4 r# \$ f4 T
CR6863B 90V/60HZ CS波形
2 v: ]" d: `+ A
XX2293B 264V/50HZ MOS波形+肖特基波形
% |$ p0 I5 B& {# _7 L; g
CR6863B 264V/50HZ MOS波形+肖特基波形
1 d/ _8 m2 o# S$ j1 }
XX2293B 264V/50HZ 负载满载 OVP波形
( a* J! W* m! [9 I/ E
CR6863B 264V/50HZ 负载满载 OVP波形

4 K7 z, h# d, U
XX2293B 264V/50HZ GATE波形

. F" P' I' v2 h2 z8 _2 [
CR6863B 264V/50HZ GATE波形

0 v# o4 W  b% U6 n
XX2293B 264V/50HZ CS波形
* b# ~4 A, u, `7 n* ~) X$ @
CR6863B 264V/50HZ CS波形
  r, s% D. H9 d. _$ C
对比结果:电性基本一致,CR6863B效率略高于XX2293B,推荐使用公司主推的CR6863B。; x+ \: b* f. N
2 q% \& ~! O; y

3 u. P9 @* Z5 y8 S, S! O
( }: R) ^7 `; _' E4 A: k6 N

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