高性能可编程、自供电！这款非隔离电源芯片超“硬核”(...

思睿达小妹妹

( S7 C8 L: T0 l. e8 g8 d! e8 G; A
6 ^$ {5 i* i2 m2 ^- g, e使用非隔离电源，其电路拓扑更简单，低成本、效率极高并且具备短路保护、欠压保护等功能。下文将为大家介绍的是高性能电源方案，它是基于CR3215A 5V0.3A 参考设计。
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CR3215A是一款低成本高精度待机电源芯片。内置功率管，极小的LEB时间可以实现 AC264V 输入，5V输出的应用需求。IC具有自供电能力无需启动电阻，同时 IC 具有多重保护功能。本设计为 AC230V 输入，使用 DR9*12 工字电感设计。

+ Z. E1 I  k& e0 Q01、原理图、样机
. A! E2 t2 Y5 Y! ~) i+ i8 ^

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CR3215A
+ j4 \0 f1 `  c1 e6 u" a
0 @$ ?2 w& \5 V- P( E# t1 DCR3215A集成非隔离式电源控制器，高雪崩能力功率 MOSFET，以及高压启动 MOSFET，用于外围元器件精简的小功率非隔离开关电源。多模式输出：输出电压可通过FB电阻调整，并实现 3.3V 以上多电压输出功能或固定输出 12V 功能。可通过CS引脚外接采样电阻实现可编程输出电流控制。芯片内置高压启动与自供电模块，实现系统快速启动、超低待机、自供电功能。该芯片提供了完整的智能化保护功能，包括过载保护（OLP），过温保护（OTP），欠压保护（UVLO），FB短路保护，FB 开路保护，输出过压保护，输出短路保护，磁饱和保护等。另外芯片的降频调制和频率抖动技术有助于改善EMI特性。

8 h1 G  X8 S3 _! s' E主要特点
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8 Q' x2 q& k0 \* C: Z● 内置650V高雪崩能力功率MOSFET
● 内置高压启动和自供电电路
● 适用于Buck、Buck-Boost等多种架构
1 C& Q- _. e4 p7 i● 多模式输出（输出电压大于3.3V，可通过FB电阻调整或固定输出12V）
  u; o( I6 o1 r" d+ \+ k● 输出功率可编程
● 改善EMI的频率抖动技术
  F4 }; V. G& Z1 F, I2 j% w● 优异的负载调整率和工作效率
( P$ C3 J! {2 G● 全面的保护功能：过载保护（OLP），过温保护（OTP），欠压保护（UVLO），FB短路保护，CS悬空保护，输出过压保护，磁饱和保护等

5 H4 ?1 Z, h# q3 H6 U. _8 d. o基本应用

/ \! R' Q8 o5 G* _/ t● 非隔离辅助电源
  D" N" f; G5 u8 c9 R● 小家电
● 智能家居
● LED
# ~! |! r! I( _; |
, z2 s& h  ~2 n* Z# c; Y引脚分布
! U+ n7 s5 y6 N5 H

引脚描述

典型应用

输出电压可调应用方案

6 O/ x( B% g% @! H2 U7 T

固定输出12V应用方案

02、BOM LIST

& n5 P! ~! d0 w! k4 o03、效率测试
9 n* [; f* p) a- j" @. y

! L3 \/ ?0 ?, U, u7 t9 @* R04、线性、负载调整率
8 q" H* |# a/ t; u' e

+ B  a8 T8 v- o; V9 X9 \05、过流点测试
- ~0 m$ f- ^' u# Q5 T

: |1 n* W) n! a* B5 s06、工作波形
6 r$ r: e+ C) S
* Q: R  J4 ?7 E: \1 {

264V 启动波形 I_L3&V_D3

I_L3&V_D3 230VAC Io=0.3A

注意：
4 r  j! l7 R( ^8 o* J1 M- t在最大输入电压下带载启动，工字电感不能出现饱和，否则请使用更大截面积磁芯。工字电感的磁路易受到外部介质影响，同时也对外界电路影响较大，请慎重选择。