高性能可编程、自供电！这款非隔离电源芯片超“硬核”(...

思睿达小妹妹

- V7 t  t9 J7 S: L* E使用非隔离电源，其电路拓扑更简单，低成本、效率极高并且具备短路保护、欠压保护等功能。下文将为大家介绍的是高性能电源方案，它是基于CR3215A 5V0.3A 参考设计。

CR3215A是一款低成本高精度待机电源芯片。内置功率管，极小的LEB时间可以实现 AC264V 输入，5V输出的应用需求。IC具有自供电能力无需启动电阻，同时 IC 具有多重保护功能。本设计为 AC230V 输入，使用 DR9*12 工字电感设计。
5 B) o, J$ |# w5 I1 O1 G
01、原理图、样机
: E2 w& n, F! ~; R8 g9 j$ f, |+ ?

CR3215A
8 D; z$ u" U* @$ }
" y  _$ A. ~; g9 {9 pCR3215A集成非隔离式电源控制器，高雪崩能力功率 MOSFET，以及高压启动 MOSFET，用于外围元器件精简的小功率非隔离开关电源。多模式输出：输出电压可通过FB电阻调整，并实现 3.3V 以上多电压输出功能或固定输出 12V 功能。可通过CS引脚外接采样电阻实现可编程输出电流控制。芯片内置高压启动与自供电模块，实现系统快速启动、超低待机、自供电功能。该芯片提供了完整的智能化保护功能，包括过载保护（OLP），过温保护（OTP），欠压保护（UVLO），FB短路保护，FB 开路保护，输出过压保护，输出短路保护，磁饱和保护等。另外芯片的降频调制和频率抖动技术有助于改善EMI特性。
/ W4 U0 }/ i1 Z% X: e
主要特点
& A/ C3 G+ z4 H- D) B' f4 j
/ s( R' _9 H% e; F" D5 O● 内置650V高雪崩能力功率MOSFET
● 内置高压启动和自供电电路
7 m& e$ r& j, U2 N/ [5 A● 适用于Buck、Buck-Boost等多种架构
/ b0 X8 {4 U! r2 q, {● 多模式输出（输出电压大于3.3V，可通过FB电阻调整或固定输出12V）
● 输出功率可编程
* ^$ ?0 f3 f. {: c6 }! Q3 x0 Y  D● 改善EMI的频率抖动技术
● 优异的负载调整率和工作效率
5 f3 U9 V) H! ?# T' ^● 全面的保护功能：过载保护（OLP），过温保护（OTP），欠压保护（UVLO），FB短路保护，CS悬空保护，输出过压保护，磁饱和保护等
) N0 `6 }/ f- H3 C
基本应用

7 b" P: O5 ?4 h0 u$ k3 m& J& U# z' X● 非隔离辅助电源
● 小家电
: }5 n8 B9 ?4 a$ z* h2 |* {● 智能家居
/ [7 P, P: `8 B: o, O● LED

4 U# ?4 k+ c9 i8 j引脚分布

0 C$ W0 y$ I, f

引脚描述
$ o( K2 J$ M1 G  H! l1 Z

典型应用

输出电压可调应用方案

+ l1 G! x8 _: e( E5 ~0 N

固定输出12V应用方案

5 T& d# r& h6 P+ J& c
8 x6 H3 ~  T) F3 W02、BOM LIST

; J9 J* m/ }# w3 H4 y# n03、效率测试

. ?, J. n. a# y( _6 u04、线性、负载调整率
) t1 S' r) M! Q! g. a( N

05、过流点测试
2 B6 X; o- ]6 U

06、工作波形
7 S) t) X/ I5 d- y5 l( ^" P+ `
$ R1 a% M/ C2 b8 n) {; \. g8 S

264V 启动波形 I_L3&V_D3

* t1 e4 i% @8 a7 H; f8 Y3 j

I_L3&V_D3 230VAC Io=0.3A

. r: f; |. J+ {( B' A( ~( w注意：
在最大输入电压下带载启动，工字电感不能出现饱和，否则请使用更大截面积磁芯。工字电感的磁路易受到外部介质影响，同时也对外界电路影响较大，请慎重选择。
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