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本帖最后由 思睿达小妹妹 于 2022-4-28 11:05 编辑 B; U# A" S0 D/ H! p: D3 W5 K
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使用非隔离电源,其电路拓扑更简单,低成本、效率极高并且具备短路保护、欠压保护等功能。下文将为大家介绍的是高性能电源方案,它是基于CR3215A 5V0.3A 参考设计。% ~" ^1 L7 i6 v6 X) Z0 F' z) A
$ C% @% C* M( Z( a3 n4 uCR3215A是一款低成本高精度待机电源芯片。内置功率管,极小的LEB时间可以实现 AC264V 输入,5V输出的应用需求。IC具有自供电能力无需启动电阻,同时 IC 具有多重保护功能。本设计为 AC230V 输入,使用 DR9*12 工字电感设计。
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: T! Y( ] N, }: x01、原理图、样机) i/ }3 E9 \- r9 g# S
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) e# |5 Z( H, o3 o
; H) k( X8 n6 j9 hCR3215A
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CR3215A集成非隔离式电源控制器,高雪崩能力功率 MOSFET,以及高压启动 MOSFET,用于外围元器件精简的小功率非隔离开关电源。多模式输出:输出电压可通过FB电阻调整,并实现 3.3V 以上多电压输出功能或固定输出 12V 功能。可通过CS引脚外接采样电阻实现可编程输出电流控制。芯片内置高压启动与自供电模块,实现系统快速启动、超低待机、自供电功能。该芯片提供了完整的智能化保护功能,包括过载保护(OLP),过温保护(OTP),欠压保护(UVLO),FB短路保护,FB 开路保护,输出过压保护,输出短路保护,磁饱和保护等。另外芯片的降频调制和频率抖动技术有助于改善EMI特性。% s1 ~0 N9 s" P( F& z5 g( D
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主要特点
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6 \) Y3 P/ J# |● 内置650V高雪崩能力功率MOSFET* l. ]# K; \: J. y. Z% S. ]
● 内置高压启动和自供电电路
3 U+ x; i* p' _6 }6 p● 适用于Buck、Buck-Boost等多种架构, ?+ e. L. S5 @: H" P" Z
● 多模式输出(输出电压大于3.3V,可通过FB电阻调整或固定输出12V)# \+ r$ H7 A, d+ t+ W8 `! I0 D
● 输出功率可编程4 [. m4 ^; G3 \) y- U! k
● 改善EMI的频率抖动技术& q( S+ ?: _+ H- V) A8 i
● 优异的负载调整率和工作效率1 Z, z8 A! ~1 |' o0 @
● 全面的保护功能:过载保护(OLP),过温保护(OTP),欠压保护(UVLO),FB短路保护,CS悬空保护,输出过压保护,磁饱和保护等; L* m$ `% g" f5 `3 T
1 M, M: o! h) f+ @: W基本应用$ ], l6 L6 e0 v3 _
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● 非隔离辅助电源
; X! P( S! b0 l4 @" r' d● 小家电 h: ~' q- S }+ n/ z& `4 T2 |
● 智能家居
- s& v: d. E7 U$ R. k4 u6 X● LED
$ }: g# B3 i5 X5 l7 r. G; B+ p) P+ i
引脚分布+ q& ?9 }+ H+ \, ^+ C9 H' ?
4 k1 U6 G% n4 c4 n% w, D9 q3 S" p, m! D/ u
引脚描述
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& `9 X3 ?5 L$ I8 l典型应用% `, D: n7 ?3 h- p5 B
输出电压可调应用方案
* G) Q6 Q1 S7 v1 ^7 z& B/ e
固定输出12V应用方案
' |* Q2 `& U; O
# U5 @+ L& G) q# Q7 w2 V( ?02、BOM LIST
" x ] V* k7 M/ s5 G: B% Z' M$ }) |5 U& C
03、效率测试
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( u& Y/ I+ t9 C- D) E0 `04、线性、负载调整率, a6 e& V- [/ w
6 R+ M* r1 E U
05、过流点测试
Y3 t2 C K6 `* k0 F/ ~; p3 \! q: n* N% @* t Y" j- H' l9 V
06、工作波形1 ], F. N! _9 f$ q& u# X" d
+ z9 {0 G4 K, a- F9 O0 F ?' k
264V 启动波形 I_L3&V_D3
, C. K* j/ i& `
I_L3&V_D3 230VAC Io=0.3A
, W, o. S& q( A2 y2 _- O4 Y$ p注意:
j. {+ i% V s a在最大输入电压下带载启动,工字电感不能出现饱和,否则请使用更大截面积磁芯。工字电感的磁路易受到外部介质影响,同时也对外界电路影响较大,请慎重选择。& {2 V3 a8 Z! m4 d
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