高性能可编程、自供电！这款非隔离电源芯片超“硬核”(...

思睿达小妹妹

* ^% r) L. E+ Y; i4 H4 p使用非隔离电源，其电路拓扑更简单，低成本、效率极高并且具备短路保护、欠压保护等功能。下文将为大家介绍的是高性能电源方案，它是基于CR3215A 5V0.3A 参考设计。

* g5 Z; c6 Z2 c& D- SCR3215A是一款低成本高精度待机电源芯片。内置功率管，极小的LEB时间可以实现 AC264V 输入，5V输出的应用需求。IC具有自供电能力无需启动电阻，同时 IC 具有多重保护功能。本设计为 AC230V 输入，使用 DR9*12 工字电感设计。

01、原理图、样机
) K) w8 y  N" O7 \

4 V" H: H' B/ u3 o; q

# Q2 _: w& I3 G0 SCR3215A

: U/ b  f/ N" i6 VCR3215A集成非隔离式电源控制器，高雪崩能力功率 MOSFET，以及高压启动 MOSFET，用于外围元器件精简的小功率非隔离开关电源。多模式输出：输出电压可通过FB电阻调整，并实现 3.3V 以上多电压输出功能或固定输出 12V 功能。可通过CS引脚外接采样电阻实现可编程输出电流控制。芯片内置高压启动与自供电模块，实现系统快速启动、超低待机、自供电功能。该芯片提供了完整的智能化保护功能，包括过载保护（OLP），过温保护（OTP），欠压保护（UVLO），FB短路保护，FB 开路保护，输出过压保护，输出短路保护，磁饱和保护等。另外芯片的降频调制和频率抖动技术有助于改善EMI特性。
. [8 g( _; k9 \$ Z8 h# @
9 }, T' b0 O- j1 {% K主要特点

0 V4 F. }8 I% {- c/ E9 a● 内置650V高雪崩能力功率MOSFET
● 内置高压启动和自供电电路
● 适用于Buck、Buck-Boost等多种架构
  d6 g9 C9 s) q9 E: N+ J! c● 多模式输出（输出电压大于3.3V，可通过FB电阻调整或固定输出12V）
● 输出功率可编程
● 改善EMI的频率抖动技术
$ X/ I* `* T# }$ x5 q● 优异的负载调整率和工作效率
' D6 V) c; U( E; N' ?: R$ T( w● 全面的保护功能：过载保护（OLP），过温保护（OTP），欠压保护（UVLO），FB短路保护，CS悬空保护，输出过压保护，磁饱和保护等

* T& h3 N5 e) M9 @基本应用
- M+ v" c* I& W) @! A8 f( R
● 非隔离辅助电源
● 小家电
, v. Z; {3 z- _/ D& G& |: t● 智能家居
, S1 D/ Q, {" R$ _● LED

  ]2 {* e/ g# |, b引脚分布
$ y) e  I0 }% F9 _' s

- X, j1 k  P3 I' Y: b引脚描述

: A) |5 c& B& I典型应用
+ v. A& R- ]+ J2 e/ i  w2 o

输出电压可调应用方案

固定输出12V应用方案

. U2 ?2 R; ]! k8 q  ~$ D02、BOM LIST
4 m6 O8 V. G7 S! r6 G* S- Q

" b- |1 w4 u+ T0 ^  v: s/ l/ L03、效率测试

  [4 p) J7 q# L. _2 n+ `2 Z4 v04、线性、负载调整率
+ z8 r# W# q' Z$ \0 X

& \7 H- ?  A1 W8 g) J& ^05、过流点测试
5 l1 x! a; y# I+ N) P! Q

06、工作波形

! A% M0 n$ t) `. x' G+ L

264V 启动波形 I_L3&V_D3

8 i1 e& j1 i- E( x

I_L3&V_D3 230VAC Io=0.3A

注意：
$ H7 ~8 ?8 J* g# P; ~% q  t- J4 }在最大输入电压下带载启动，工字电感不能出现饱和，否则请使用更大截面积磁芯。工字电感的磁路易受到外部介质影响，同时也对外界电路影响较大，请慎重选择。
$ K) l# a$ x; l/ x" B' I& z9 A