高性能可编程、自供电！这款非隔离电源芯片超“硬核”(...

思睿达小妹妹

6 e: C$ b/ t! T2 V使用非隔离电源，其电路拓扑更简单，低成本、效率极高并且具备短路保护、欠压保护等功能。下文将为大家介绍的是高性能电源方案，它是基于CR3215A 5V0.3A 参考设计。

CR3215A是一款低成本高精度待机电源芯片。内置功率管，极小的LEB时间可以实现 AC264V 输入，5V输出的应用需求。IC具有自供电能力无需启动电阻，同时 IC 具有多重保护功能。本设计为 AC230V 输入，使用 DR9*12 工字电感设计。
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01、原理图、样机
9 d& ]4 \) S  v- H- q  N

  o+ d" i. s! e& h; l- f

* {2 [( K8 v" A# o) \- p( x
8 K: a% X$ T0 }5 z9 b% i4 qCR3215A
# L: I, P: P1 J  B1 d8 P' E) M
6 r& V: W/ h  HCR3215A集成非隔离式电源控制器，高雪崩能力功率 MOSFET，以及高压启动 MOSFET，用于外围元器件精简的小功率非隔离开关电源。多模式输出：输出电压可通过FB电阻调整，并实现 3.3V 以上多电压输出功能或固定输出 12V 功能。可通过CS引脚外接采样电阻实现可编程输出电流控制。芯片内置高压启动与自供电模块，实现系统快速启动、超低待机、自供电功能。该芯片提供了完整的智能化保护功能，包括过载保护（OLP），过温保护（OTP），欠压保护（UVLO），FB短路保护，FB 开路保护，输出过压保护，输出短路保护，磁饱和保护等。另外芯片的降频调制和频率抖动技术有助于改善EMI特性。
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' ^6 `/ q2 N) S) G; g主要特点

8 X( K8 X7 a5 \, m$ L● 内置650V高雪崩能力功率MOSFET
2 }6 H& N5 k$ x" H% T9 z" v1 `● 内置高压启动和自供电电路
● 适用于Buck、Buck-Boost等多种架构
* r7 P" |( J4 f% F- c● 多模式输出（输出电压大于3.3V，可通过FB电阻调整或固定输出12V）
3 b3 J) u8 r$ M7 f● 输出功率可编程
( f8 ^3 R9 ^, d& i9 [9 o8 y3 f● 改善EMI的频率抖动技术
● 优异的负载调整率和工作效率
' R" s: P& `. v● 全面的保护功能：过载保护（OLP），过温保护（OTP），欠压保护（UVLO），FB短路保护，CS悬空保护，输出过压保护，磁饱和保护等

基本应用

/ D2 y; b0 R; K& p● 非隔离辅助电源
2 ?6 p; g3 F! q: M● 小家电
/ F2 H8 n/ g3 r* s● 智能家居
/ G+ M# Q( D2 a( B" W9 Z● LED
# t+ i8 T& h  z1 U4 W- w. m
# s0 ]* E, ~. N% T) [! H1 X引脚分布

引脚描述
0 g6 _+ P! L* s) s# Q

典型应用

输出电压可调应用方案

固定输出12V应用方案

7 E6 _, ?) [' i! _- j+ Z
0 _( w8 F, l# i02、BOM LIST
0 N$ J: `% ^% c' f3 \+ Y

& z; a; S3 h. O5 h' D9 @03、效率测试
0 b5 d8 Y$ G. h# ]

5 h: O" `) V% d+ }! C- N04、线性、负载调整率

05、过流点测试

06、工作波形
" U7 g" q, b  O
$ K. e* b2 e" [  c! M' W3 k

264V 启动波形 I_L3&V_D3

I_L3&V_D3 230VAC Io=0.3A

/ |, m! u/ B" ?" M- ^注意：
在最大输入电压下带载启动，工字电感不能出现饱和，否则请使用更大截面积磁芯。工字电感的磁路易受到外部介质影响，同时也对外界电路影响较大，请慎重选择。