高性能可编程、自供电！这款非隔离电源芯片超“硬核”(...

思睿达小妹妹

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7 P9 R: d6 ^8 _) g" ^. d使用非隔离电源，其电路拓扑更简单，低成本、效率极高并且具备短路保护、欠压保护等功能。下文将为大家介绍的是高性能电源方案，它是基于CR3215A 5V0.3A 参考设计。

5 _3 Q$ ^' U: d8 JCR3215A是一款低成本高精度待机电源芯片。内置功率管，极小的LEB时间可以实现 AC264V 输入，5V输出的应用需求。IC具有自供电能力无需启动电阻，同时 IC 具有多重保护功能。本设计为 AC230V 输入，使用 DR9*12 工字电感设计。
* J; l' L. w0 d
01、原理图、样机
6 R+ U4 q9 `( A2 ]

0 A1 [0 V& o9 C+ N5 m8 E, z

( Q) R& t5 U8 \' Z+ ]CR3215A
5 X+ j* W+ k( [6 X
8 e# f5 \$ q% s, a$ kCR3215A集成非隔离式电源控制器，高雪崩能力功率 MOSFET，以及高压启动 MOSFET，用于外围元器件精简的小功率非隔离开关电源。多模式输出：输出电压可通过FB电阻调整，并实现 3.3V 以上多电压输出功能或固定输出 12V 功能。可通过CS引脚外接采样电阻实现可编程输出电流控制。芯片内置高压启动与自供电模块，实现系统快速启动、超低待机、自供电功能。该芯片提供了完整的智能化保护功能，包括过载保护（OLP），过温保护（OTP），欠压保护（UVLO），FB短路保护，FB 开路保护，输出过压保护，输出短路保护，磁饱和保护等。另外芯片的降频调制和频率抖动技术有助于改善EMI特性。
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主要特点

. e1 O6 @/ q2 t! Z% _$ Y& E● 内置650V高雪崩能力功率MOSFET
● 内置高压启动和自供电电路
● 适用于Buck、Buck-Boost等多种架构
: p- x/ p1 |) I; D! r● 多模式输出（输出电压大于3.3V，可通过FB电阻调整或固定输出12V）
* Y# _4 r7 r" a- Y" B4 J● 输出功率可编程
1 Q6 E$ P: Y, Q- u* V& z( r● 改善EMI的频率抖动技术
● 优异的负载调整率和工作效率
● 全面的保护功能：过载保护（OLP），过温保护（OTP），欠压保护（UVLO），FB短路保护，CS悬空保护，输出过压保护，磁饱和保护等

基本应用

4 T+ {0 s* t6 H* d$ j% U1 F● 非隔离辅助电源
% Y: b  l% w/ ?● 小家电
% p/ w; q  L9 s3 H6 m* D  O● 智能家居
' ]* {/ o! `( G9 E4 s; f- x● LED

引脚分布

2 R7 D; N3 s, P* D! t  `

引脚描述

  }$ b4 k9 ]( b( M典型应用
( d5 i  {  f$ X9 b+ F% J7 K

输出电压可调应用方案

0 h" ~* K5 o5 N# i

固定输出12V应用方案

1 V# b6 \# i" Z8 q. G# a$ W3 l3 {: J02、BOM LIST
& n: M# k7 l1 q, X: ]: {5 e$ r7 u

03、效率测试

04、线性、负载调整率

05、过流点测试

4 ?9 D3 [- i5 M3 f2 p* d8 x6 k# h06、工作波形
8 H6 R" L0 q  I6 f- }
! d& l* `  s( T! |$ @; J: _

264V 启动波形 I_L3&V_D3

- f) F; ?2 V' ]. `0 j3 I: g

I_L3&V_D3 230VAC Io=0.3A

注意：
3 ]2 r2 }9 z: D) ?" c在最大输入电压下带载启动，工字电感不能出现饱和，否则请使用更大截面积磁芯。工字电感的磁路易受到外部介质影响，同时也对外界电路影响较大，请慎重选择。
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