高性能可编程、自供电！这款非隔离电源芯片超“硬核”(...

思睿达小妹妹

! q1 S& e6 _2 O
$ h; D3 e+ J& P" o7 C" l使用非隔离电源，其电路拓扑更简单，低成本、效率极高并且具备短路保护、欠压保护等功能。下文将为大家介绍的是高性能电源方案，它是基于CR3215A 5V0.3A 参考设计。
+ Q6 ]1 G0 _' @" U6 x
- ^8 }5 @7 M/ d/ |* i- [CR3215A是一款低成本高精度待机电源芯片。内置功率管，极小的LEB时间可以实现 AC264V 输入，5V输出的应用需求。IC具有自供电能力无需启动电阻，同时 IC 具有多重保护功能。本设计为 AC230V 输入，使用 DR9*12 工字电感设计。

& I5 p1 J/ P& D( Z01、原理图、样机
. ~' R2 F+ }4 c

! m' S! V( o. h/ @) F- v

8 q/ s* Y6 T1 z' E7 E
( K" b2 {4 T  v- D7 HCR3215A
- G3 _3 V' G- Z, O. K) b" q
CR3215A集成非隔离式电源控制器，高雪崩能力功率 MOSFET，以及高压启动 MOSFET，用于外围元器件精简的小功率非隔离开关电源。多模式输出：输出电压可通过FB电阻调整，并实现 3.3V 以上多电压输出功能或固定输出 12V 功能。可通过CS引脚外接采样电阻实现可编程输出电流控制。芯片内置高压启动与自供电模块，实现系统快速启动、超低待机、自供电功能。该芯片提供了完整的智能化保护功能，包括过载保护（OLP），过温保护（OTP），欠压保护（UVLO），FB短路保护，FB 开路保护，输出过压保护，输出短路保护，磁饱和保护等。另外芯片的降频调制和频率抖动技术有助于改善EMI特性。
* z2 g! Z! o: a- {, V
主要特点

3 r; r6 Y/ k0 |% q9 T) O● 内置650V高雪崩能力功率MOSFET
● 内置高压启动和自供电电路
● 适用于Buck、Buck-Boost等多种架构
● 多模式输出（输出电压大于3.3V，可通过FB电阻调整或固定输出12V）
● 输出功率可编程
● 改善EMI的频率抖动技术
● 优异的负载调整率和工作效率
  t5 S5 V" c4 g+ R3 g* m6 L% a  H' |" n, Z● 全面的保护功能：过载保护（OLP），过温保护（OTP），欠压保护（UVLO），FB短路保护，CS悬空保护，输出过压保护，磁饱和保护等
9 o8 ^* h5 t, n7 r# y% f2 x! n
基本应用
# k/ D. P4 U- O. ]- Y; y/ ^4 `2 r4 c- d
● 非隔离辅助电源
- I4 u7 ~7 J. N  O● 小家电
6 k3 ?9 _* e+ }# v1 {' K' D4 T● 智能家居
● LED
+ Y! J% S- L  J+ v2 K, @8 |4 |  I8 ?
) d0 A/ I7 ~6 D4 Y9 K引脚分布
- Z, O, W7 }1 h1 M6 i% w

1 ^+ v- y. Q$ \6 {引脚描述
+ D8 Z' N: T, g

! z4 }6 j+ @# e2 o5 U* ^8 S: V, Y- [典型应用
9 B1 E4 x8 ?. F

输出电压可调应用方案

7 j- d- o4 w3 Y3 b

固定输出12V应用方案

02、BOM LIST

03、效率测试
- }3 j9 @3 ^6 n" _( b+ e- H. K4 ?

, @3 W# Q- W! O% d04、线性、负载调整率
3 n1 H! e1 F. W2 z2 Z; j& T

" S- E' c0 }6 i" ?9 M' i05、过流点测试
# `; n0 j0 E& P4 k8 ]& c+ t  R

6 R# O  I+ A7 R: X: Q0 U5 U( o06、工作波形

  Z1 l; Z, O6 n" O$ _: z# c! r

264V 启动波形 I_L3&V_D3

& k/ [- Z! S) a5 d+ l- ~

I_L3&V_D3 230VAC Io=0.3A

注意：
在最大输入电压下带载启动，工字电感不能出现饱和，否则请使用更大截面积磁芯。工字电感的磁路易受到外部介质影响，同时也对外界电路影响较大，请慎重选择。