高性能可编程、自供电！这款非隔离电源芯片超“硬核”(...

思睿达小妹妹

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% W6 z6 Y9 e8 Z! D, O5 ?使用非隔离电源，其电路拓扑更简单，低成本、效率极高并且具备短路保护、欠压保护等功能。下文将为大家介绍的是高性能电源方案，它是基于CR3215A 5V0.3A 参考设计。
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- u: s, L7 u3 Z# HCR3215A是一款低成本高精度待机电源芯片。内置功率管，极小的LEB时间可以实现 AC264V 输入，5V输出的应用需求。IC具有自供电能力无需启动电阻，同时 IC 具有多重保护功能。本设计为 AC230V 输入，使用 DR9*12 工字电感设计。
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' I0 r9 K$ j( Q9 o& O1 n$ V01、原理图、样机
* R, [) F3 r; y) D7 ^+ q

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; f- p+ i6 ]0 x1 d2 a8 ?8 q" ]CR3215A

* L' p" M3 x! WCR3215A集成非隔离式电源控制器，高雪崩能力功率 MOSFET，以及高压启动 MOSFET，用于外围元器件精简的小功率非隔离开关电源。多模式输出：输出电压可通过FB电阻调整，并实现 3.3V 以上多电压输出功能或固定输出 12V 功能。可通过CS引脚外接采样电阻实现可编程输出电流控制。芯片内置高压启动与自供电模块，实现系统快速启动、超低待机、自供电功能。该芯片提供了完整的智能化保护功能，包括过载保护（OLP），过温保护（OTP），欠压保护（UVLO），FB短路保护，FB 开路保护，输出过压保护，输出短路保护，磁饱和保护等。另外芯片的降频调制和频率抖动技术有助于改善EMI特性。
( o* C4 L, f% u* {: c2 c9 P% X
. @, C, x3 i/ r! H# L" O: o主要特点
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● 内置650V高雪崩能力功率MOSFET
● 内置高压启动和自供电电路
3 Q4 X/ `5 K) H1 v* N$ D● 适用于Buck、Buck-Boost等多种架构
; {2 _) j8 Y* J' i0 g' X● 多模式输出（输出电压大于3.3V，可通过FB电阻调整或固定输出12V）
● 输出功率可编程
● 改善EMI的频率抖动技术
- v- V. J2 ]! f$ N+ a● 优异的负载调整率和工作效率
# {% g$ `% H+ [! }' u● 全面的保护功能：过载保护（OLP），过温保护（OTP），欠压保护（UVLO），FB短路保护，CS悬空保护，输出过压保护，磁饱和保护等
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$ R& |* q& ~- y8 D; f4 t基本应用
+ o. B. K( \: X' y# \- p. _6 o
# i3 t9 i0 `- O; [- r: ?2 u● 非隔离辅助电源
9 k, S) T8 n! q, a+ P5 T  Z● 小家电
: ^) X$ k" L$ x- j* j● 智能家居
● LED

7 S0 g8 \& x( a5 Z' I+ V, E引脚分布
$ d/ |1 j" A( J0 c. j
; t9 M" }0 p) o7 o7 c/ U

- @8 X. L3 k6 O引脚描述
5 C+ d- Q7 D! ^9 S/ C8 }4 u

6 ?- K7 `, p$ @: G. d' {/ g典型应用
6 l0 l4 z& v# ~5 Q

输出电压可调应用方案

: k( b+ ?- Z' d1 G

固定输出12V应用方案

02、BOM LIST
( z+ B) p) c0 f3 ~6 C

03、效率测试

04、线性、负载调整率

' }* R7 c4 L9 i4 t4 Y" b05、过流点测试

$ r2 V1 _) }, b4 f+ o! A06、工作波形
" W9 U+ X6 I' t0 {

264V 启动波形 I_L3&V_D3

I_L3&V_D3 230VAC Io=0.3A

注意：
! s3 |8 F/ Q' H0 s& _0 e在最大输入电压下带载启动，工字电感不能出现饱和，否则请使用更大截面积磁芯。工字电感的磁路易受到外部介质影响，同时也对外界电路影响较大，请慎重选择。
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