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本帖最后由 思睿达小妹妹 于 2022-4-28 11:05 编辑
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使用非隔离电源,其电路拓扑更简单,低成本、效率极高并且具备短路保护、欠压保护等功能。下文将为大家介绍的是高性能电源方案,它是基于CR3215A 5V0.3A 参考设计。1 N" z* e1 c0 ?& S7 x+ G
3 t [. K* J' ]2 M6 }CR3215A是一款低成本高精度待机电源芯片。内置功率管,极小的LEB时间可以实现 AC264V 输入,5V输出的应用需求。IC具有自供电能力无需启动电阻,同时 IC 具有多重保护功能。本设计为 AC230V 输入,使用 DR9*12 工字电感设计。2 ]9 ?" n# t0 N, n2 E, @0 n# u& c
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01、原理图、样机1 N( q- d/ k% ` u1 c+ n5 `. T5 ^
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+ f2 f9 X3 Z+ U: }; a( B- C# |; Y; o: ^- V# Z$ C: X7 l
: N* m9 s* ]2 F4 B2 }5 r! t. CCR3215A
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q5 `* {& L" ~' ^, i2 F7 Y% }CR3215A集成非隔离式电源控制器,高雪崩能力功率 MOSFET,以及高压启动 MOSFET,用于外围元器件精简的小功率非隔离开关电源。多模式输出:输出电压可通过FB电阻调整,并实现 3.3V 以上多电压输出功能或固定输出 12V 功能。可通过CS引脚外接采样电阻实现可编程输出电流控制。芯片内置高压启动与自供电模块,实现系统快速启动、超低待机、自供电功能。该芯片提供了完整的智能化保护功能,包括过载保护(OLP),过温保护(OTP),欠压保护(UVLO),FB短路保护,FB 开路保护,输出过压保护,输出短路保护,磁饱和保护等。另外芯片的降频调制和频率抖动技术有助于改善EMI特性。
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1 R9 m U! ^& [0 u7 G2 w: j; _主要特点
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7 i5 v. T2 Y2 P$ [/ J3 D- Z& ]● 内置650V高雪崩能力功率MOSFET
5 _+ d$ Z& M6 H! p3 M! F# `● 内置高压启动和自供电电路2 a% k$ d2 x' S8 Z
● 适用于Buck、Buck-Boost等多种架构
( M' I, N! e* ^$ _. [● 多模式输出(输出电压大于3.3V,可通过FB电阻调整或固定输出12V)
0 A$ A+ i1 J2 G7 k/ }● 输出功率可编程5 D) i& z# D c0 _' N5 H
● 改善EMI的频率抖动技术
% Z5 Q% K3 T [2 G" {) m& R6 u● 优异的负载调整率和工作效率; ~6 u2 |$ k9 o
● 全面的保护功能:过载保护(OLP),过温保护(OTP),欠压保护(UVLO),FB短路保护,CS悬空保护,输出过压保护,磁饱和保护等& m6 y; H+ E J
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基本应用
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+ A2 |9 L$ x `' A4 R1 T● 非隔离辅助电源: b! G+ B0 G- j. H8 R
● 小家电
2 b$ H) f8 f& p/ ^9 H● 智能家居
; L/ _3 \8 F Y: G: T C# `( s● LED
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8 k+ w0 m4 J" N2 O引脚分布
* C2 `3 H; { Z$ }; K/ O- M7 U$ K+ {' p% y- A. t
4 Q1 M- L4 r( _7 A7 Z( O9 {引脚描述
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典型应用
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输出电压可调应用方案
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固定输出12V应用方案
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8 A# u( W+ i- g/ R6 E02、BOM LIST. U3 d+ X/ _, w4 ]* k9 _
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03、效率测试
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04、线性、负载调整率
4 ~0 e1 \+ D- B% a! M2 v- `3 V" w& ]$ q, p+ }, z" P
05、过流点测试- o s% C+ ? @ Z
; A0 Z3 y6 U! [+ m2 ^- P
06、工作波形7 N: m+ E. B6 }- w
0 ` p. _, \/ [) e6 J. Q, G
264V 启动波形 I_L3&V_D3 / g5 s! U" i! @# m. `
I_L3&V_D3 230VAC Io=0.3A % \7 X' c0 p, p* @5 K+ d% X
注意:
" l4 |- K3 M7 s- s! r在最大输入电压下带载启动,工字电感不能出现饱和,否则请使用更大截面积磁芯。工字电感的磁路易受到外部介质影响,同时也对外界电路影响较大,请慎重选择。
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