高性能可编程、自供电！这款非隔离电源芯片超“硬核”(...

思睿达小妹妹

使用非隔离电源，其电路拓扑更简单，低成本、效率极高并且具备短路保护、欠压保护等功能。下文将为大家介绍的是高性能电源方案，它是基于CR3215A 5V0.3A 参考设计。

2 {  F$ [$ P, Z( Y" c& N# z: KCR3215A是一款低成本高精度待机电源芯片。内置功率管，极小的LEB时间可以实现 AC264V 输入，5V输出的应用需求。IC具有自供电能力无需启动电阻，同时 IC 具有多重保护功能。本设计为 AC230V 输入，使用 DR9*12 工字电感设计。

6 o0 P1 R# V5 ^/ E% S: S01、原理图、样机
" K! U2 d$ |( H" a+ i

5 Y" M1 a6 {/ j! T9 ~) I: x) @

4 c+ x$ J3 B+ n9 V) V
3 x$ o3 t2 l5 F$ vCR3215A
$ l* j$ u: D" e/ R+ S" k; V
CR3215A集成非隔离式电源控制器，高雪崩能力功率 MOSFET，以及高压启动 MOSFET，用于外围元器件精简的小功率非隔离开关电源。多模式输出：输出电压可通过FB电阻调整，并实现 3.3V 以上多电压输出功能或固定输出 12V 功能。可通过CS引脚外接采样电阻实现可编程输出电流控制。芯片内置高压启动与自供电模块，实现系统快速启动、超低待机、自供电功能。该芯片提供了完整的智能化保护功能，包括过载保护（OLP），过温保护（OTP），欠压保护（UVLO），FB短路保护，FB 开路保护，输出过压保护，输出短路保护，磁饱和保护等。另外芯片的降频调制和频率抖动技术有助于改善EMI特性。

& ]' A6 q3 S: X5 h( H2 a6 n- h. `) z主要特点

● 内置650V高雪崩能力功率MOSFET
: }' u+ ^7 q. m● 内置高压启动和自供电电路
+ E' g  N7 v$ N● 适用于Buck、Buck-Boost等多种架构
% I8 R1 d  @8 [& `● 多模式输出（输出电压大于3.3V，可通过FB电阻调整或固定输出12V）
/ ?* L# S8 o6 q" r2 O+ I* w● 输出功率可编程
● 改善EMI的频率抖动技术
, s  d% A: |: M● 优异的负载调整率和工作效率
● 全面的保护功能：过载保护（OLP），过温保护（OTP），欠压保护（UVLO），FB短路保护，CS悬空保护，输出过压保护，磁饱和保护等

基本应用
* I: V  M! h* W& L2 L
' `1 L: Z1 T( W* s* m) e  R8 a/ p● 非隔离辅助电源
! ^: z4 K9 C# h. }● 小家电
● 智能家居
' v. y, C: [3 j2 L0 M0 O● LED
1 Y5 \3 }" z" d7 N9 z# a) I+ e
0 T" n- w# H1 [0 p引脚分布
8 U+ P0 t- }( F- J8 |- m
* H% b) P& f, m- N% I' A

1 ^1 `& z% h" O# ?  M' N* p$ w引脚描述
6 L9 Q3 c+ G) w7 e

典型应用

输出电压可调应用方案

固定输出12V应用方案

8 I( j8 }5 c5 m' q3 H
  r1 j$ I6 \' F02、BOM LIST
! p/ n1 }" ^8 B0 Q' [$ _- Z4 @

9 @$ [3 k1 c- x0 t03、效率测试

04、线性、负载调整率
% _: e5 I& y. v

05、过流点测试
* ^& H8 Q* L/ n9 a2 V& e: _

" E; j' M5 H# O06、工作波形
* a* I8 A, }0 I0 }& z; p4 |
! H  h2 s& P6 F' s9 m) d

264V 启动波形 I_L3&V_D3

I_L3&V_D3 230VAC Io=0.3A

注意：
: K9 H) ^( Q% w/ I; [) Y' {+ F在最大输入电压下带载启动，工字电感不能出现饱和，否则请使用更大截面积磁芯。工字电感的磁路易受到外部介质影响，同时也对外界电路影响较大，请慎重选择。
: h: k' `3 @9 I0 D