高性能可编程、自供电！这款非隔离电源芯片超“硬核”(...

思睿达小妹妹

% M/ E: q, z! U2 B) H% E使用非隔离电源，其电路拓扑更简单，低成本、效率极高并且具备短路保护、欠压保护等功能。下文将为大家介绍的是高性能电源方案，它是基于CR3215A 5V0.3A 参考设计。

CR3215A是一款低成本高精度待机电源芯片。内置功率管，极小的LEB时间可以实现 AC264V 输入，5V输出的应用需求。IC具有自供电能力无需启动电阻，同时 IC 具有多重保护功能。本设计为 AC230V 输入，使用 DR9*12 工字电感设计。
+ G# o8 N: ^  }# |# r8 Y
* Z' h& @1 v  q) `! O- b* ]01、原理图、样机

+ s' [. S9 t! i- g; ?3 f) A! P

! |' R4 J5 t# K/ b& m" W$ l8 r

, j) v; o  v5 M; T) T0 E7 vCR3215A

CR3215A集成非隔离式电源控制器，高雪崩能力功率 MOSFET，以及高压启动 MOSFET，用于外围元器件精简的小功率非隔离开关电源。多模式输出：输出电压可通过FB电阻调整，并实现 3.3V 以上多电压输出功能或固定输出 12V 功能。可通过CS引脚外接采样电阻实现可编程输出电流控制。芯片内置高压启动与自供电模块，实现系统快速启动、超低待机、自供电功能。该芯片提供了完整的智能化保护功能，包括过载保护（OLP），过温保护（OTP），欠压保护（UVLO），FB短路保护，FB 开路保护，输出过压保护，输出短路保护，磁饱和保护等。另外芯片的降频调制和频率抖动技术有助于改善EMI特性。

- \) ^+ [6 V9 s( ?' F主要特点
3 q* q+ O  H& H8 Y1 C5 }
● 内置650V高雪崩能力功率MOSFET
' @4 a" q$ |1 z/ \! o; ^4 m● 内置高压启动和自供电电路
/ S$ i; I; S2 F5 H, r/ G● 适用于Buck、Buck-Boost等多种架构
" a, |$ w5 ?( m* x● 多模式输出（输出电压大于3.3V，可通过FB电阻调整或固定输出12V）
3 G0 _0 k- y& S8 g& z% Z● 输出功率可编程
- Z' B; a# J2 l8 q% X● 改善EMI的频率抖动技术
+ _1 F- w% D/ b8 x3 Y1 V9 V8 ?● 优异的负载调整率和工作效率
● 全面的保护功能：过载保护（OLP），过温保护（OTP），欠压保护（UVLO），FB短路保护，CS悬空保护，输出过压保护，磁饱和保护等
- e( l: ]% S/ J- }$ J2 C
+ f( v! N; \& S  z: M基本应用
  S" a9 F. G. q, o+ n; z
● 非隔离辅助电源
' j# L  F+ O$ r1 ^' {2 Q● 小家电
0 S8 J7 c0 \3 Z+ I● 智能家居
$ w, J' C: c' f' x2 m- l- ^● LED

( m9 C2 d/ |$ ^7 E引脚分布
0 d0 T" b& o! M& P2 W! F
4 m7 s3 E8 @4 p( {7 |, e; V# T

引脚描述

$ F7 e) M8 R1 ~9 E& c' C( S2 h典型应用

输出电压可调应用方案

固定输出12V应用方案

/ Z% u" L3 n8 Y- w  X& k02、BOM LIST
' Z& e8 m% T6 O

: O  t6 o( ], p$ t+ b03、效率测试

9 [- [" w5 _3 c$ Y# V) W04、线性、负载调整率
5 |1 s- G: |! z0 d/ t4 S8 {

. K; ~% s8 J# X: f! K05、过流点测试

8 V1 m+ g7 V! X1 z1 J1 x06、工作波形
. {/ A6 C, e) t( t1 a6 w

264V 启动波形 I_L3&V_D3

3 L( \- U! D! I$ X- W5 {

I_L3&V_D3 230VAC Io=0.3A

注意：
- P% s/ P+ V6 z* c& F* l在最大输入电压下带载启动，工字电感不能出现饱和，否则请使用更大截面积磁芯。工字电感的磁路易受到外部介质影响，同时也对外界电路影响较大，请慎重选择。
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