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本帖最后由 思睿达小妹妹 于 2022-4-28 11:05 编辑 6 b8 Y( J. ~8 e& u# z
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使用非隔离电源,其电路拓扑更简单,低成本、效率极高并且具备短路保护、欠压保护等功能。下文将为大家介绍的是高性能电源方案,它是基于CR3215A 5V0.3A 参考设计。 v" ^) U; t( c/ C$ Y+ a* @
% k _% D( p# M) P, K9 p& PCR3215A是一款低成本高精度待机电源芯片。内置功率管,极小的LEB时间可以实现 AC264V 输入,5V输出的应用需求。IC具有自供电能力无需启动电阻,同时 IC 具有多重保护功能。本设计为 AC230V 输入,使用 DR9*12 工字电感设计。
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01、原理图、样机" G4 E6 \3 p+ s4 R4 |& @( w* ?5 Y
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1 [ v& F4 u/ Y, ^% R) s# }- L! U$ i' H
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1 |! H( k/ p2 K& x1 M. RCR3215A
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* C& k$ f+ z( K: q7 SCR3215A集成非隔离式电源控制器,高雪崩能力功率 MOSFET,以及高压启动 MOSFET,用于外围元器件精简的小功率非隔离开关电源。多模式输出:输出电压可通过FB电阻调整,并实现 3.3V 以上多电压输出功能或固定输出 12V 功能。可通过CS引脚外接采样电阻实现可编程输出电流控制。芯片内置高压启动与自供电模块,实现系统快速启动、超低待机、自供电功能。该芯片提供了完整的智能化保护功能,包括过载保护(OLP),过温保护(OTP),欠压保护(UVLO),FB短路保护,FB 开路保护,输出过压保护,输出短路保护,磁饱和保护等。另外芯片的降频调制和频率抖动技术有助于改善EMI特性。
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: G4 D( `0 I0 a主要特点
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● 内置650V高雪崩能力功率MOSFET2 S% M$ [1 C1 d' |9 N7 I
● 内置高压启动和自供电电路 U I; c% t, X. E2 j% P8 Y3 ~
● 适用于Buck、Buck-Boost等多种架构2 u& f& l& k) u c4 c) V
● 多模式输出(输出电压大于3.3V,可通过FB电阻调整或固定输出12V)+ D* Q- m/ n/ f- [/ n
● 输出功率可编程; t& j* t# Z! u8 _$ f5 h
● 改善EMI的频率抖动技术, j4 T. E @4 I$ O1 Q, e5 t9 c
● 优异的负载调整率和工作效率
?- G" r0 u1 l0 H4 _● 全面的保护功能:过载保护(OLP),过温保护(OTP),欠压保护(UVLO),FB短路保护,CS悬空保护,输出过压保护,磁饱和保护等3 l3 @; U9 V2 t+ `$ c
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基本应用
- A/ A* K. p6 I$ K8 M, w0 |' ?: c: ]3 r4 W* d: `
● 非隔离辅助电源( K9 S! b- I4 L. A
● 小家电' o& S& w. c5 F& x; n
● 智能家居
9 i; R( \; x: y7 F4 W; j% P* ]0 s● LED
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引脚分布
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' N9 t, ^- v: n. p( t
引脚描述+ } r1 V7 s) r' ^- T9 d7 g
' u; p8 A/ h+ H5 C* P! ~2 }
典型应用
( E5 k: U- D" V, U
输出电压可调应用方案 , x. s2 X0 ~" f% a* g% L/ o
固定输出12V应用方案 ! {0 N K4 E1 {
8 R. K( q' A$ z! f. u! ^8 z02、BOM LIST. X7 C5 y6 ~! `+ o$ j W4 E! r
# ]' M6 j1 F2 i0 j5 g( s$ ^: N. J
03、效率测试
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- Q4 a8 c% g. b' p6 h+ ^04、线性、负载调整率
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05、过流点测试' \- U" C2 D2 l( i4 S+ C* ^
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06、工作波形: X& y5 K- U1 j# y
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264V 启动波形 I_L3&V_D3
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I_L3&V_D3 230VAC Io=0.3A # u* H- |" o! ]) i. U" e+ G
注意:+ U1 k" |8 p( X& W0 i, Q( v
在最大输入电压下带载启动,工字电感不能出现饱和,否则请使用更大截面积磁芯。工字电感的磁路易受到外部介质影响,同时也对外界电路影响较大,请慎重选择。
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