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本帖最后由 思睿达小妹妹 于 2022-4-28 11:05 编辑 / V( `6 ~: `' ~: |
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使用非隔离电源,其电路拓扑更简单,低成本、效率极高并且具备短路保护、欠压保护等功能。下文将为大家介绍的是高性能电源方案,它是基于CR3215A 5V0.3A 参考设计。; x5 f! e# Q+ b, Z
! t5 ^, O% P- H3 ?2 ~CR3215A是一款低成本高精度待机电源芯片。内置功率管,极小的LEB时间可以实现 AC264V 输入,5V输出的应用需求。IC具有自供电能力无需启动电阻,同时 IC 具有多重保护功能。本设计为 AC230V 输入,使用 DR9*12 工字电感设计。- d* L- P+ f$ i
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01、原理图、样机
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, m& h6 X. q& O' ]1 A
! p4 E9 w2 z$ h- E) H" D2 BCR3215A, ]* n1 k% Y% d" C# T" j7 v7 ~
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CR3215A集成非隔离式电源控制器,高雪崩能力功率 MOSFET,以及高压启动 MOSFET,用于外围元器件精简的小功率非隔离开关电源。多模式输出:输出电压可通过FB电阻调整,并实现 3.3V 以上多电压输出功能或固定输出 12V 功能。可通过CS引脚外接采样电阻实现可编程输出电流控制。芯片内置高压启动与自供电模块,实现系统快速启动、超低待机、自供电功能。该芯片提供了完整的智能化保护功能,包括过载保护(OLP),过温保护(OTP),欠压保护(UVLO),FB短路保护,FB 开路保护,输出过压保护,输出短路保护,磁饱和保护等。另外芯片的降频调制和频率抖动技术有助于改善EMI特性。
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5 r ~) o1 \! Q' i, U' L' s主要特点; e! U2 D2 n" \# T; M; M
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● 内置650V高雪崩能力功率MOSFET
3 o8 v z& V- @6 W3 m: F9 v● 内置高压启动和自供电电路
3 i+ ~! q3 ~6 M+ a) J● 适用于Buck、Buck-Boost等多种架构. j8 T3 C/ u4 \" e+ {
● 多模式输出(输出电压大于3.3V,可通过FB电阻调整或固定输出12V)& o; B6 c! K$ |. z
● 输出功率可编程
3 i4 Z5 @7 \9 H& F# y● 改善EMI的频率抖动技术6 ^5 @7 W0 E) X
● 优异的负载调整率和工作效率* L& t2 U) M- y7 v$ h6 i" `( |7 \
● 全面的保护功能:过载保护(OLP),过温保护(OTP),欠压保护(UVLO),FB短路保护,CS悬空保护,输出过压保护,磁饱和保护等9 Y- \. r# t0 \2 ~
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基本应用9 d; Z' A3 N; k- O/ H
4 \+ }3 T5 R3 r2 t! ^3 r* \● 非隔离辅助电源
" n6 @! ~& ^2 }; ~* C) _● 小家电
! Y2 l* J* |1 O; t● 智能家居
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6 g; L( d2 }5 w' P
引脚分布
1 `9 i6 d1 O4 T0 Z( t- T& K$ q" y
8 c6 T; R6 P. e6 u' b6 M2 p% ` U0 Y) T% l* ~. B; ?; s1 j* T
引脚描述
, P. B! P0 s4 _5 V( ? a+ N; X. d* Y( R1 y- L1 W
典型应用# c/ f/ }6 z7 g" `3 {& }
输出电压可调应用方案
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固定输出12V应用方案 / Y$ R3 w ]0 I6 R# H
+ L( b* l% q, V9 r$ P- I0 g02、BOM LIST
" v; a5 o; W: |; @- E0 e6 e
! i! K% m4 v. w& P a+ `03、效率测试 q% w- e4 F' s* E6 v9 a
& w' P* u# }/ O `
04、线性、负载调整率
* D! ^1 P I& i3 E) p/ P: C. Z2 s4 [( y) P
05、过流点测试. [& k8 @. z0 r& g8 L r# o
, Q; W( x% f f4 n# }; P
06、工作波形
6 }. x. }7 n& ~9 @) W) n7 i* H3 N5 D( @
264V 启动波形 I_L3&V_D3 ! _" T/ C3 ], V6 Y
I_L3&V_D3 230VAC Io=0.3A
* B, g4 J3 D5 }0 W( t. k8 o5 {注意:% x1 y9 b) _- b
在最大输入电压下带载启动,工字电感不能出现饱和,否则请使用更大截面积磁芯。工字电感的磁路易受到外部介质影响,同时也对外界电路影响较大,请慎重选择。
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