高性能可编程、自供电！这款非隔离电源芯片超“硬核”(...

思睿达小妹妹

0 `- ?$ }8 u) K! L. ^使用非隔离电源，其电路拓扑更简单，低成本、效率极高并且具备短路保护、欠压保护等功能。下文将为大家介绍的是高性能电源方案，它是基于CR3215A 5V0.3A 参考设计。
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; n: }1 ^8 _7 \& tCR3215A是一款低成本高精度待机电源芯片。内置功率管，极小的LEB时间可以实现 AC264V 输入，5V输出的应用需求。IC具有自供电能力无需启动电阻，同时 IC 具有多重保护功能。本设计为 AC230V 输入，使用 DR9*12 工字电感设计。

6 E2 N5 W1 l9 Z7 q5 c01、原理图、样机
) B' \/ d. z# c- D& r- ^

, C1 [, B! @! {% _0 }0 BCR3215A
2 k0 ?; c3 m% c4 z
" A6 L2 U$ ^1 d! v  T+ RCR3215A集成非隔离式电源控制器，高雪崩能力功率 MOSFET，以及高压启动 MOSFET，用于外围元器件精简的小功率非隔离开关电源。多模式输出：输出电压可通过FB电阻调整，并实现 3.3V 以上多电压输出功能或固定输出 12V 功能。可通过CS引脚外接采样电阻实现可编程输出电流控制。芯片内置高压启动与自供电模块，实现系统快速启动、超低待机、自供电功能。该芯片提供了完整的智能化保护功能，包括过载保护（OLP），过温保护（OTP），欠压保护（UVLO），FB短路保护，FB 开路保护，输出过压保护，输出短路保护，磁饱和保护等。另外芯片的降频调制和频率抖动技术有助于改善EMI特性。
/ D8 J% l' ^: r; A; C* i
/ |$ S# q( V1 {0 z% y( P: P主要特点

● 内置650V高雪崩能力功率MOSFET
6 e: e! J9 W) {. C- g2 Y' Z! d; C● 内置高压启动和自供电电路
% e. t, Z; X+ ~  \● 适用于Buck、Buck-Boost等多种架构
● 多模式输出（输出电压大于3.3V，可通过FB电阻调整或固定输出12V）
5 y0 s$ [* H: e$ P" R# `  q+ n● 输出功率可编程
2 D3 l: f- W/ ~● 改善EMI的频率抖动技术
● 优异的负载调整率和工作效率
7 C$ |+ u$ O* f; T$ s; L# B● 全面的保护功能：过载保护（OLP），过温保护（OTP），欠压保护（UVLO），FB短路保护，CS悬空保护，输出过压保护，磁饱和保护等

# V  h  z4 |) v2 }& M" t基本应用
; \$ _) `7 F+ h3 P) y) `8 [( O
● 非隔离辅助电源
● 小家电
● 智能家居
● LED

5 {0 O3 q! H. p# V+ w, ]2 x引脚分布
7 K0 b9 A: ~1 Z2 A. M# x/ |
( S) ]7 G9 |( A% n2 [

引脚描述

典型应用
8 m- M) g/ f8 J7 @

输出电压可调应用方案

0 w- v. g) ]6 E. b+ o

固定输出12V应用方案

2 D6 N( ~7 P8 D% m
02、BOM LIST

03、效率测试

6 ^; i- D5 s7 U) A04、线性、负载调整率

05、过流点测试
" ]3 `* U: b6 ~: E& E; U4 L% e2 i

06、工作波形
/ q' u& I( ?7 I8 {0 c% L' X) x
4 E3 |" ]7 P6 w* ?7 m

264V 启动波形 I_L3&V_D3

* j; u' e. `& O: \" l' ?+ X

I_L3&V_D3 230VAC Io=0.3A

注意：
在最大输入电压下带载启动，工字电感不能出现饱和，否则请使用更大截面积磁芯。工字电感的磁路易受到外部介质影响，同时也对外界电路影响较大，请慎重选择。