高性能可编程、自供电！这款非隔离电源芯片超“硬核”(...

思睿达小妹妹

5 `0 N, D  A: o" Q7 ?3 y) N使用非隔离电源，其电路拓扑更简单，低成本、效率极高并且具备短路保护、欠压保护等功能。下文将为大家介绍的是高性能电源方案，它是基于CR3215A 5V0.3A 参考设计。
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9 b; l! @" S0 D& \CR3215A是一款低成本高精度待机电源芯片。内置功率管，极小的LEB时间可以实现 AC264V 输入，5V输出的应用需求。IC具有自供电能力无需启动电阻，同时 IC 具有多重保护功能。本设计为 AC230V 输入，使用 DR9*12 工字电感设计。
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01、原理图、样机
# X8 l4 j3 z2 t& t- G) n

- k5 t5 s& p* H1 g  w# D

, x$ t8 n  o, d4 l# T
: O- U( n8 n% R6 w: _CR3215A
+ s9 Q1 Z* k9 o9 ^% p" c( n' r$ Q
* J; @8 D7 j# D, ?: J" v# tCR3215A集成非隔离式电源控制器，高雪崩能力功率 MOSFET，以及高压启动 MOSFET，用于外围元器件精简的小功率非隔离开关电源。多模式输出：输出电压可通过FB电阻调整，并实现 3.3V 以上多电压输出功能或固定输出 12V 功能。可通过CS引脚外接采样电阻实现可编程输出电流控制。芯片内置高压启动与自供电模块，实现系统快速启动、超低待机、自供电功能。该芯片提供了完整的智能化保护功能，包括过载保护（OLP），过温保护（OTP），欠压保护（UVLO），FB短路保护，FB 开路保护，输出过压保护，输出短路保护，磁饱和保护等。另外芯片的降频调制和频率抖动技术有助于改善EMI特性。

主要特点

2 Z( c3 }0 E' F● 内置650V高雪崩能力功率MOSFET
2 i# v% f8 x6 ?● 内置高压启动和自供电电路
● 适用于Buck、Buck-Boost等多种架构
● 多模式输出（输出电压大于3.3V，可通过FB电阻调整或固定输出12V）
● 输出功率可编程
  ?; \+ S( Q6 l5 E# _5 _  G● 改善EMI的频率抖动技术
; D+ P( H% a2 J9 G; g● 优异的负载调整率和工作效率
● 全面的保护功能：过载保护（OLP），过温保护（OTP），欠压保护（UVLO），FB短路保护，CS悬空保护，输出过压保护，磁饱和保护等
1 d+ a6 l! D- V6 P- E; x
1 V1 M9 i% n# l$ O8 f6 u' l基本应用

' T: |3 V$ h  m2 s+ X/ k● 非隔离辅助电源
● 小家电
● 智能家居
9 h' Z7 S; W* X7 C5 K/ k( `# v! ]● LED

引脚分布

  b4 l5 c  t/ g( Z; E3 ?( \引脚描述

5 Q# t( t7 f$ Z3 i% J典型应用
/ f9 H3 F2 O& Q; C# D, e

输出电压可调应用方案

  I0 G# v  e6 V% w0 c

固定输出12V应用方案

2 o3 ?2 J+ ?" k, T
02、BOM LIST

03、效率测试
& q3 b" U$ d0 Y

7 W: E$ K" ]* ?/ G2 N4 ?/ U' ~; @04、线性、负载调整率
$ _5 h$ y' F5 X* T6 Q  A

& p' W: Q8 Z( s, X  \* M: b1 ]05、过流点测试

9 |8 t. ?+ c( x0 P8 p06、工作波形
* t& E' |) r4 c0 ?; L
) W/ y: t  F% Q& I9 v0 I1 S

264V 启动波形 I_L3&V_D3

- Q9 h; V) C: e3 E  e

I_L3&V_D3 230VAC Io=0.3A

/ a, \/ Q6 ~) A/ \9 l/ P; W注意：
在最大输入电压下带载启动，工字电感不能出现饱和，否则请使用更大截面积磁芯。工字电感的磁路易受到外部介质影响，同时也对外界电路影响较大，请慎重选择。