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本帖最后由 思睿达小妹妹 于 2022-4-28 11:05 编辑 9 Q4 G7 V; ]+ Z3 `4 _
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使用非隔离电源,其电路拓扑更简单,低成本、效率极高并且具备短路保护、欠压保护等功能。下文将为大家介绍的是高性能电源方案,它是基于CR3215A 5V0.3A 参考设计。6 P0 W8 i7 m D! h" H
: Y9 D2 S; l. pCR3215A是一款低成本高精度待机电源芯片。内置功率管,极小的LEB时间可以实现 AC264V 输入,5V输出的应用需求。IC具有自供电能力无需启动电阻,同时 IC 具有多重保护功能。本设计为 AC230V 输入,使用 DR9*12 工字电感设计。1 j5 ], ` Q/ c* z8 l, D/ E
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01、原理图、样机" {6 j3 M; T$ A& E
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& D+ j. |6 B2 ~7 J& R$ J6 t" q) P; u6 D8 X
9 o( V8 t1 V: ]5 ~CR3215A6 n$ e, Q5 @5 s3 n! E- X
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CR3215A集成非隔离式电源控制器,高雪崩能力功率 MOSFET,以及高压启动 MOSFET,用于外围元器件精简的小功率非隔离开关电源。多模式输出:输出电压可通过FB电阻调整,并实现 3.3V 以上多电压输出功能或固定输出 12V 功能。可通过CS引脚外接采样电阻实现可编程输出电流控制。芯片内置高压启动与自供电模块,实现系统快速启动、超低待机、自供电功能。该芯片提供了完整的智能化保护功能,包括过载保护(OLP),过温保护(OTP),欠压保护(UVLO),FB短路保护,FB 开路保护,输出过压保护,输出短路保护,磁饱和保护等。另外芯片的降频调制和频率抖动技术有助于改善EMI特性。
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" b5 C, o! J/ S' C- S& p6 Q* ?主要特点
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6 ]) i# ^7 R% o+ s4 j d" t A● 内置650V高雪崩能力功率MOSFET
: N, x: x# @9 B4 w. }7 c● 内置高压启动和自供电电路2 [3 D, o* B, |1 Q: U' G1 _
● 适用于Buck、Buck-Boost等多种架构
) T9 C5 H2 r8 a7 R+ B0 @● 多模式输出(输出电压大于3.3V,可通过FB电阻调整或固定输出12V)5 [/ d1 v% S$ d( c
● 输出功率可编程
( y+ B* F; H+ p, B2 h& V6 i8 K● 改善EMI的频率抖动技术8 l+ W8 H) n# a/ o4 k6 A8 A
● 优异的负载调整率和工作效率
- q; p6 D( J3 y3 v" A {% m4 x5 t/ O● 全面的保护功能:过载保护(OLP),过温保护(OTP),欠压保护(UVLO),FB短路保护,CS悬空保护,输出过压保护,磁饱和保护等+ a9 `* ]5 A% T
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基本应用+ M" @1 I- u! J1 Z. T0 z
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● 非隔离辅助电源4 @, Q4 H9 z- X+ u! ~- g# \$ N
● 小家电
9 d) U/ o" |, k# W9 `● 智能家居
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& ?3 W l7 q; y% B( E9 o2 X引脚分布- V* s# H! p& z( f: s ^! `
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引脚描述
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# i# q' f/ e/ K) u- N典型应用+ U9 w, y1 o& S z6 o! [8 W
输出电压可调应用方案 5 R) `) f% v8 C. {
固定输出12V应用方案 # i* M* E8 T+ T( [
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02、BOM LIST
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03、效率测试1 \, n3 X- W: l. Z K* Y! N
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04、线性、负载调整率. o# E. h) j- u0 x5 W2 X3 A* _# x4 X
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05、过流点测试
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* r' V' c7 z/ z4 ?* j06、工作波形+ [& L" d" z7 r
; {/ i/ ] O& k0 I
264V 启动波形 I_L3&V_D3
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I_L3&V_D3 230VAC Io=0.3A $ x r1 r4 p- }' d
注意:
% @# R. Z- L; t4 n7 e在最大输入电压下带载启动,工字电感不能出现饱和,否则请使用更大截面积磁芯。工字电感的磁路易受到外部介质影响,同时也对外界电路影响较大,请慎重选择。
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