高性能可编程、自供电！这款非隔离电源芯片超“硬核”(...

思睿达小妹妹

4 \) P& ~' P1 T. I7 W* k' P
/ r0 x! P2 \+ T/ N$ l. i( S: G0 A使用非隔离电源，其电路拓扑更简单，低成本、效率极高并且具备短路保护、欠压保护等功能。下文将为大家介绍的是高性能电源方案，它是基于CR3215A 5V0.3A 参考设计。
; U- L3 |& e( h
/ n0 j$ x5 U( F( r6 `CR3215A是一款低成本高精度待机电源芯片。内置功率管，极小的LEB时间可以实现 AC264V 输入，5V输出的应用需求。IC具有自供电能力无需启动电阻，同时 IC 具有多重保护功能。本设计为 AC230V 输入，使用 DR9*12 工字电感设计。

- y; H  }% Y" p5 U( t, p% O$ Y6 ?# |4 d01、原理图、样机

. `7 V% }: J3 w( a

CR3215A

- E* V9 R' a' \! m8 k+ U# WCR3215A集成非隔离式电源控制器，高雪崩能力功率 MOSFET，以及高压启动 MOSFET，用于外围元器件精简的小功率非隔离开关电源。多模式输出：输出电压可通过FB电阻调整，并实现 3.3V 以上多电压输出功能或固定输出 12V 功能。可通过CS引脚外接采样电阻实现可编程输出电流控制。芯片内置高压启动与自供电模块，实现系统快速启动、超低待机、自供电功能。该芯片提供了完整的智能化保护功能，包括过载保护（OLP），过温保护（OTP），欠压保护（UVLO），FB短路保护，FB 开路保护，输出过压保护，输出短路保护，磁饱和保护等。另外芯片的降频调制和频率抖动技术有助于改善EMI特性。
* r# R: y' N4 x
主要特点

1 |1 E, S: r8 [● 内置650V高雪崩能力功率MOSFET
: g4 i4 k+ |9 T- Z( B2 P/ ]● 内置高压启动和自供电电路
  |/ b& M% W2 T5 b+ x● 适用于Buck、Buck-Boost等多种架构
' O8 A% F3 P+ v6 S! h● 多模式输出（输出电压大于3.3V，可通过FB电阻调整或固定输出12V）
● 输出功率可编程
$ F: `7 v2 Y8 ~5 [● 改善EMI的频率抖动技术
: j) e# W6 {; e% F* Y● 优异的负载调整率和工作效率
● 全面的保护功能：过载保护（OLP），过温保护（OTP），欠压保护（UVLO），FB短路保护，CS悬空保护，输出过压保护，磁饱和保护等

0 r% y$ r2 {/ |" ^) E' L基本应用
" p' [7 j4 O' |# k9 y, @# L! |6 Q
. Q, e- P3 i$ Q# Q7 M● 非隔离辅助电源
5 |$ M- T# v# W● 小家电
● 智能家居
● LED
8 x2 E8 C, v, A) [0 h$ J6 z; I
& ~7 }8 v3 Y; ]' U/ w, b引脚分布

# J- u0 a# O% V0 Y$ T! @

引脚描述
( L; V- M& `' H5 r2 {. Z

3 |. c; L9 ~7 [* Z典型应用

输出电压可调应用方案

& x7 S% _( f+ a2 i- y* ~' m

固定输出12V应用方案

- T1 }" s% w. q3 W( f! ]02、BOM LIST

, \4 ]9 g; O9 W! {  n' K7 ]( k- h03、效率测试
9 k& F, J& y& {! v  u. M

) [4 ?( Y; }$ }, c  S( P. J04、线性、负载调整率
3 l. [, S0 L6 F

1 \2 s# D% o1 f* l, W05、过流点测试
; v3 s& G* n, `

06、工作波形

264V 启动波形 I_L3&V_D3

4 z; {1 v4 \9 U. c

I_L3&V_D3 230VAC Io=0.3A

注意：
8 b: E- I$ f3 ?在最大输入电压下带载启动，工字电感不能出现饱和，否则请使用更大截面积磁芯。工字电感的磁路易受到外部介质影响，同时也对外界电路影响较大，请慎重选择。
4 C$ i, c; e) }; u: m% F7 C/ R