高性能可编程、自供电！这款非隔离电源芯片超“硬核”(...

思睿达小妹妹

6 g, z/ O5 v  f- [' \使用非隔离电源，其电路拓扑更简单，低成本、效率极高并且具备短路保护、欠压保护等功能。下文将为大家介绍的是高性能电源方案，它是基于CR3215A 5V0.3A 参考设计。
. K* u/ x9 L- c0 J
CR3215A是一款低成本高精度待机电源芯片。内置功率管，极小的LEB时间可以实现 AC264V 输入，5V输出的应用需求。IC具有自供电能力无需启动电阻，同时 IC 具有多重保护功能。本设计为 AC230V 输入，使用 DR9*12 工字电感设计。
3 ~: s7 l# U1 m  R' _% }
& h1 J  A, J2 F% @) t01、原理图、样机

$ \7 Q' m1 z5 |6 a$ G( ~8 R

* A1 b% ^  j* W( ^( BCR3215A

/ Q7 v7 z1 @* y( KCR3215A集成非隔离式电源控制器，高雪崩能力功率 MOSFET，以及高压启动 MOSFET，用于外围元器件精简的小功率非隔离开关电源。多模式输出：输出电压可通过FB电阻调整，并实现 3.3V 以上多电压输出功能或固定输出 12V 功能。可通过CS引脚外接采样电阻实现可编程输出电流控制。芯片内置高压启动与自供电模块，实现系统快速启动、超低待机、自供电功能。该芯片提供了完整的智能化保护功能，包括过载保护（OLP），过温保护（OTP），欠压保护（UVLO），FB短路保护，FB 开路保护，输出过压保护，输出短路保护，磁饱和保护等。另外芯片的降频调制和频率抖动技术有助于改善EMI特性。

8 E# [! N* b: [- m+ V* @' W4 m2 l0 `1 a) _. u主要特点

● 内置650V高雪崩能力功率MOSFET
● 内置高压启动和自供电电路
- S. Y1 W' o) ~7 E$ S8 G● 适用于Buck、Buck-Boost等多种架构
● 多模式输出（输出电压大于3.3V，可通过FB电阻调整或固定输出12V）
8 b; j' g1 _  {. a; l9 ?+ F● 输出功率可编程
● 改善EMI的频率抖动技术
7 F$ }: N7 H% E( r● 优异的负载调整率和工作效率
● 全面的保护功能：过载保护（OLP），过温保护（OTP），欠压保护（UVLO），FB短路保护，CS悬空保护，输出过压保护，磁饱和保护等
9 ^2 v' H0 k" J
& L8 q" I/ \# W* F1 `' \基本应用

; M3 B  [' N5 p7 l- P● 非隔离辅助电源
1 j' d1 {8 B( g& _0 ^/ C( O" }, H● 小家电
6 x" f" x4 U( x5 ~● 智能家居
● LED
, O6 y$ A! Z& v1 \& T
5 f8 V; m# I: e引脚分布

4 ~2 Y, ^/ K/ d; x

3 g" `) |- F1 S1 h引脚描述
4 X/ Y$ p  t0 A. B3 p

典型应用
# L8 W4 {+ w( q3 C

输出电压可调应用方案

固定输出12V应用方案

02、BOM LIST
) E( B( m2 h4 D* @6 V/ E% q2 |

; n( D: g8 v& h, j4 R; R03、效率测试

, m1 ]. v. H  L7 N: S04、线性、负载调整率
- C1 N; ?6 N! S% Y; Q; \2 j

! [  T; H" f, e' ]2 \$ i& n2 C05、过流点测试

$ Y/ v5 R" ~# ]3 p06、工作波形
- b2 i! e" B- j. o- ?) f0 z

264V 启动波形 I_L3&V_D3

I_L3&V_D3 230VAC Io=0.3A

注意：
在最大输入电压下带载启动，工字电感不能出现饱和，否则请使用更大截面积磁芯。工字电感的磁路易受到外部介质影响，同时也对外界电路影响较大，请慎重选择。