高性能可编程、自供电！这款非隔离电源芯片超“硬核”(...

思睿达小妹妹

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使用非隔离电源，其电路拓扑更简单，低成本、效率极高并且具备短路保护、欠压保护等功能。下文将为大家介绍的是高性能电源方案，它是基于CR3215A 5V0.3A 参考设计。
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' ?7 W- |8 Q. `5 C# |CR3215A是一款低成本高精度待机电源芯片。内置功率管，极小的LEB时间可以实现 AC264V 输入，5V输出的应用需求。IC具有自供电能力无需启动电阻，同时 IC 具有多重保护功能。本设计为 AC230V 输入，使用 DR9*12 工字电感设计。

1 p% Q' x; }' [# g% q01、原理图、样机

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2 |) i% r5 j& e$ L# h

CR3215A
* I7 q; F& j  J7 z' T( i
CR3215A集成非隔离式电源控制器，高雪崩能力功率 MOSFET，以及高压启动 MOSFET，用于外围元器件精简的小功率非隔离开关电源。多模式输出：输出电压可通过FB电阻调整，并实现 3.3V 以上多电压输出功能或固定输出 12V 功能。可通过CS引脚外接采样电阻实现可编程输出电流控制。芯片内置高压启动与自供电模块，实现系统快速启动、超低待机、自供电功能。该芯片提供了完整的智能化保护功能，包括过载保护（OLP），过温保护（OTP），欠压保护（UVLO），FB短路保护，FB 开路保护，输出过压保护，输出短路保护，磁饱和保护等。另外芯片的降频调制和频率抖动技术有助于改善EMI特性。
' Y0 B5 c: B, e0 H/ ?6 u+ o
7 b1 }/ n" p5 q0 A主要特点
7 ]# s0 k7 P' m
. N7 R4 y) U$ F5 U( n7 _7 M# A, C● 内置650V高雪崩能力功率MOSFET
. D7 A$ a( `) [" m' c9 G( }● 内置高压启动和自供电电路
' o* {- V0 G; Y7 m8 g! G/ Z0 b● 适用于Buck、Buck-Boost等多种架构
" v* W6 O- a- q4 j9 B● 多模式输出（输出电压大于3.3V，可通过FB电阻调整或固定输出12V）
5 P% b) D8 C0 W6 K0 m- l7 L● 输出功率可编程
● 改善EMI的频率抖动技术
- a1 Q/ G' o7 }/ A. k" `● 优异的负载调整率和工作效率
  W9 g* [* U  B/ c( {7 }7 v● 全面的保护功能：过载保护（OLP），过温保护（OTP），欠压保护（UVLO），FB短路保护，CS悬空保护，输出过压保护，磁饱和保护等
. Q% l9 b4 F8 V0 \5 B
  p9 _9 N. c; d4 P' q  @; P基本应用

3 x) R1 ]) [9 {2 e● 非隔离辅助电源
● 小家电
8 p% |- L% k3 X& P0 J- P2 ~& Z. d● 智能家居
● LED

引脚分布
+ \+ L/ `- X0 l4 B! J2 e! {2 V
; B% Y  z. }) ^* n5 J  H& U

引脚描述
: C3 d8 E/ y; @5 l" H8 v% {

典型应用

输出电压可调应用方案

固定输出12V应用方案

02、BOM LIST

% L" a  B" z% F, {8 H& G4 P8 ~1 \2 ~03、效率测试
' I# R/ U& c9 o  {# A! T' G

6 S" L0 P% X1 I& |04、线性、负载调整率

9 L9 |7 a) y5 k9 q4 d* p05、过流点测试
% L/ |1 L+ g& r8 d  F4 m' C

9 y# ^; i: f" G$ E9 ^06、工作波形
' I3 B" V" U. w7 Y+ Z- G4 t* {

264V 启动波形 I_L3&V_D3

I_L3&V_D3 230VAC Io=0.3A

注意：
( |6 \5 }" d, q) J( P在最大输入电压下带载启动，工字电感不能出现饱和，否则请使用更大截面积磁芯。工字电感的磁路易受到外部介质影响，同时也对外界电路影响较大，请慎重选择。