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最全开关电源变压器的计算公式,给大家整理好了

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发表于 2022-4-21 16:13:14 | 显示全部楼层 |阅读模式
本帖最后由 思睿达小妹妹 于 2022-4-21 16:37 编辑 - Y; U) u! r! N9 g- U8 C" _
+ T6 d$ J0 u8 @$ {. m( O( z5 R- p

在电子专业里,经常能看到变压器的身影,变压器是一种供电所常用的机器,它的主要作用是改变电压。变压器的工作原理其实很简单,就是通过电磁感应让交流电的电压发生改变。其主要构件包括初级线圈、次级线圈、铁芯。其实变压器的作用不只是改变电压那么简单,它的作用还包括电压变换电流变化等。

; n3 @- T. X( t: |, J6 i
7 {5 t) N" e+ J) r( N9 U% N! _' A
6 f4 ?" s4 c* e5 `$ q& r

接下来,小编为大家整理了开关电源变压器相关的计算公式,赶紧收藏起来吧!

, r2 N2 g3 u/ U9 o

1、确定系统规格

2 X2 |" [1 Q) S2 I, R7 A9 M
! V: A5 @  c, ~8 ^$ M& t* @

最小AC输入电压:VACMIN,单位:伏特。


) K& s8 ^6 A3 P9 s0 N

最大AC输入电压:VACMAX,单位:伏特。

6 m  ]+ k- `9 ?- ]" p4 c+ B

输入电压频率:fL,50Hz或者60Hz。


8 W+ d9 @, k; v

输出电压:VO,单位:伏特。

. f# {- e2 p9 Y

最大负载电流:IO,单位:安培。


# ?0 r( a: z3 r# _) E* c$ T6 L3 l+ Y

输出功率:PO,单位:瓦特。

/ q- W/ {+ C- Y2 t

电源效率:η,如无数据可供参考,则对于低电压输出(低于6V)应用和高电压输出应用,应分别将η设定为0.75~0.79和0.8~0.89。

计算最大输入功率:PIN,单位:瓦特。

& W) v# V* S* E! y$ J
( D) ?6 i( Y9 q" }+ o
4 _/ s  m4 s5 t4 j) r6 `

2、直流电压范围(VMIN、VMAX)


; k: y! c, h* P( U

最小直流输入电压VMIN


. n% C+ Q" F- U! I1 X

& _! c, [8 n  g1 S2 o# u' U7 F& k5 T! k

其中,

3 E! U/ O0 y* {0 m' h0 t. Q

fL为输入交流电压频率(50Hz/60Hz);

tC为桥式整流大额导通时间,如无数据可供参考,则取3ms;

所有单位分别为伏特、瓦特、赫兹、秒、法拉第。

最大直流输入电压VMAX

0 F6 ^! ^! f: M, g0 k0 \2 Z4 l# s3 g

3、相应工作模式和定义电流波形参数KP


. }9 D5 F1 D9 X) {+ f' u4 x

0 [* M/ b2 q2 f% p4 W

图2.2 电流波形与工作模式

当KP≤1,连续模式,如图2.2a;

5 i& z: s3 ?( O5 k7 H" Z+ J0 T

/ }4 O6 S9 y4 @9 o, q

其中:IR为初级纹波电流,IP为初级峰值电流。


5 r8 S$ x) C1 C

当KP≥1,非连续模式,如图2.2b;

% U* x1 t8 K1 h: H  p  u' E

在连续模式设计中,宽电压输入时,设定KP=0.4;230V单电压或者115V倍压整流输入时,设定KP=0.6。在非连续模式设计中,设定KP=1。


- H/ Y8 x$ O; Y0 v8 y2 a# T

4、确定反射的输出电压VOR和最大占空比DMAX


2 I  u  V5 q, W! {6 w2 n" j5 R5 ~7 Y- a- E( K5 x

反射电压VOR设定在80V~110V。


8 f! g: v- I- K2 B  H$ b

连续模式时计算DMAX:


* d4 G. j( n# k4 x

非连续模式时计算DMAX:


( E9 G7 ~* T3 c! r3 R7 I1 J

其中,设定CR5842外接功率MOSFET漏极和源极VDS=10V。

; w3 D6 g& ^' p1 z6 Q/ \

5、用产品手册选择磁芯材料,确定ΔB大小

# g- b' F8 a# ?4 b: h5 v# f

. {" y) m5 N9 ?

选择有磁芯材料应该考虑高Bs,低损耗及高ui 材料,还要结合成本考量;见意选项用PC40以上的材质。为了防止出现瞬态饱和效应以低ΔB设计:

3 V3 ]' u0 F# ?3 K6 J! b1 y! D

- g0 L* j6 ~3 k3 B5 u
$ n( G4 I2 m' G+ x) s6 v8 m
& @, h( G+ E1 r6 i7 d

式中:ΔB为最大磁通密度摆幅,Bs为饱和磁通密度,Br为剩磁,BM为最大磁通密度,一般取在0.2~0.3范围之内,若BM>0.3T,需增加磁芯的横截面积或增加初级匝数NP,范围之内。如BM<0.2T,就应选择尺寸较小的磁芯或减小初级匝数NP值。

4 q2 V2 B# C( p% J

6、确定合适的磁芯


4 `% K& X3 N9 f( z

实际上,磁芯的初始选择肯定是很粗略的,因为变量太多了。选择合适磁芯的方法之一是查阅制造商提供的磁芯选择指南。如果没有可参考资料,可采用下面作为参考。   

                       


% L$ [# S3 e! \" H


: K# P' K! }* Z0 D7 j6 ]% S

传递功率:

/ r2 W6 N' I: k, Q4 h) S+ W

电流密度:

6 x9 H  L! x7 v5 h( e, E8 j" B

绕组系数:

! t! n5 n% ~( N; t( ^

式中,AP单位为mm4,Aw为窗口面积,Ae为磁芯的截面积,如图2.3。ΔB为正常操作状态下的最大磁通密度(单位:特拉斯(T))。为了防止磁芯因高温而瞬间出现磁饱和,对于大多数功率铁氧体磁芯的尺寸越大Ae越高,所做的功率就越大。


1 t6 D/ R6 `; O) g. Q

# i" o+ t1 y" e+ T5 [

图2.3:磁芯窗口面积和截面积


) Y& j5 \9 D% [/ t) P

7、估算DCM/CCM临界电流IOB


% a! F) q- l1 L- c' ^3 C
8 a3 ], S, r. c" E0 w! b3 [

8、计算初级绕组与次级绕组匝数比

1 N, Y1 s2 O- g: Z8 _, F5 d+ T
' }: V& a: [' j' U5 V% I" A" S. h

其中,NP和NS分别为初级侧和次级侧匝数。VO为输出电压,VF为二极管正向电压:对超快速PN结二极管选取0.7V,肖特基二极管选取0.5V。VDCMIN为最小输入直流电压,DMAX为设置的最大占空比, VOR 为反射电压。


/ ^0 t8 [- i: {& Y5 ?

9、计算DCM/CCM临界时副边峰值电流ΔISB:

# g6 I3 g+ R4 y( @; f1 O1 Q

10、计算CCM状态下副边峰值电流ΔISP:


$ o" g9 [2 }/ S8 i- o' @

11、计算CCM状态时原边峰值电流ΔIPP:

8 j( _+ I' H2 ^+ t) i7 u

12、计算副边电感LS及原边电感LP:


5 M2 j0 ~" {' O3 f! e$ Y# @4 u& Z3 ~! g


+ d3 K7 `& T: m) h6 Y! Y1 }0 i8 k! Y

由于此电感值为临界电感,若需要电路工作于CCM则可增大此电感值,若需要工作于DCM则可适当调小此电感值。

# J/ e- S0 Q' o% Z2 R0 y) q

13、确定原边最小NP匝数与副边NS匝数:

其中单位分别为特拉斯、安培、微亨、平方厘米,,如无参考数据,则使用

以特拉斯(T)为单位。


3 z4 Z( L% B3 _* z, Y7 d

14、次级绕组和辅助绕组

; K  o* A) K* e* u; J

初级绕组与次级绕组匝数比:


" u  R0 C% p! J& U

其中,NP和NS分别为初级侧和次级侧匝数。VO为输出电压,VD为二极管正向电压:对超快速PN结二极管选取0.7V,肖特基二极管选取0.5V。

% j  m3 H/ J4 c

然后确定正确的NS,使得最终的NP不得小于NP,MIN。有的时候最终的NP比NP,MIN大得多,这就需要更换一个大的磁芯,或者在无法更换磁芯时,则通过增加KP值来减小LP,这样,最终的初级侧匝数也会减小。


0 P0 l4 W) R& P: T% |! E& D" V

辅助绕组匝数


8 Y3 }/ j4 f! p+ E7 y# D

其中,VDD为辅助绕组整流后的电压,VDB为偏置绕组整流管正向电压;


) M& {9 i" k! |# u, Q, ~* P: c

考虑到系统在满载和空载转变瞬间,由于能量瞬间导致VDD下冲误触发UVLO,在系统允许的输入电压范围内且输出为空载时,建议VDD 按13V来计算。

! D: L# p& ]7 q2 `1 ^5 f  w! V+ X, ]

确定磁芯气隙长度:   

2 d6 t# c" k$ l+ k+ I

. R% M& |+ k6 O# u

其中,Lg单位为毫米,Ae单位为平方厘米,AL为无间隙情况下的AL值,单位为纳亨/圈2,LP单位为微亨。

( I5 k! k- ?' u3 H) q2 b0 G/ u

通常不推荐对中心柱气隙磁芯使用小于0.1 mm的值,因为这样会导致初级电感量容差增大。如果您需要使用小于0.1 mm的Lg值,请咨询变压器供应商以获得指导。


, O  u+ _7 d3 V$ k

15.根据有效值电流来确定每个绕组的导线直径。

. X1 ^: j# a) z6 u
, E1 a+ Q7 f9 t: L! f4 Q

当导线很长时(>1m),电流密度可以取5A/mm2。当导线较短且匝数较少时,6~10A/mm2的电流密度也是可取的。应避免使用直径大于1mm的导线,防止产生严重的涡流损耗并使绕线更加容易。对于大电流输出,最好采用多股细线并绕的方式绕制,减小集肤效应的影响。


' P. b3 z' e8 s' q& ^

检查一下磁芯的绕组窗口面积是否足以容纳导线。所需的窗口面积由以下公式给出:


6 o7 s0 P. n- U3 j


5 g% n9 t/ K& `5 j, A& _5 V' ^5 |
1 j8 V! x3 k4 ~9 h

式中,AC为实际的导体面积,KF为填充系数。填充系数通常为0.2~0.3。


. e5 d0 i$ Y5 w9 s% H$ z/ [# i' q

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