本帖最后由 思睿达小妹妹 于 2022-4-21 16:37 编辑
2 W y6 c8 }! d5 }# b7 j
% k) Q# P1 f9 y" A t在电子专业里,经常能看到变压器的身影,变压器是一种供电所常用的机器,它的主要作用是改变电压。变压器的工作原理其实很简单,就是通过电磁感应让交流电的电压发生改变。其主要构件包括初级线圈、次级线圈、铁芯。其实变压器的作用不只是改变电压那么简单,它的作用还包括电压变换电流变化等。
) C* U2 ]% A- y4 h/ t; }- h4 q$ B4 n. s7 o5 u9 ~
6 `* q' Y) E/ ?; o: r
接下来,小编为大家整理了开关电源变压器相关的计算公式,赶紧收藏起来吧! * A6 N9 y+ o' ^
1、确定系统规格
# N2 ^' A) n2 m3 R, O9 Y7 V" F8 M3 H: @, f2 C" u( j$ T* j
最小AC输入电压:VACMIN,单位:伏特。 * h/ X, j$ F2 Y5 F* c+ M" Q! F
最大AC输入电压:VACMAX,单位:伏特。 4 d& I2 P/ N f: q2 v
输入电压频率:fL,50Hz或者60Hz。 & a+ U3 _& M; P( J6 ?
输出电压:VO,单位:伏特。
# X6 _* X @/ j
最大负载电流:IO,单位:安培。
4 [9 p$ z% N1 [6 T
输出功率:PO,单位:瓦特。
' B% A5 B* B- c& ?
电源效率:η,如无数据可供参考,则对于低电压输出(低于6V)应用和高电压输出应用,应分别将η设定为0.75~0.79和0.8~0.89。 计算最大输入功率:PIN,单位:瓦特。 & d* B% ]: O K; Q* u+ G
; h# J y1 U( O$ ]& D) a% c9 A
' G0 d" T5 }# x( j2、直流电压范围(VMIN、VMAX)
# z6 L! g/ w) R最小直流输入电压VMIN
& D8 T1 V3 p0 [% K* n+ @- \; j( h! |1 [$ k- T! x$ R9 B
其中,
8 P. _2 a7 M& l8 d+ M6 O
fL为输入交流电压频率(50Hz/60Hz); tC为桥式整流大额导通时间,如无数据可供参考,则取3ms; 所有单位分别为伏特、瓦特、赫兹、秒、法拉第。 最大直流输入电压VMAX / i' u3 q9 W7 w% Y3 N
3、相应工作模式和定义电流波形参数KP
& @6 L8 ]+ [* T: X. U
$ ~; o: u9 Q$ y/ `" r @图2.2 电流波形与工作模式 当KP≤1,连续模式,如图2.2a; 2 c* T8 }0 z9 ?( L
5 X# P( P/ S9 T) C" m g0 E3 m
其中:IR为初级纹波电流,IP为初级峰值电流。 % {* V& W0 n5 f. S3 D5 n
当KP≥1,非连续模式,如图2.2b;
}2 |. q# Z$ K在连续模式设计中,宽电压输入时,设定KP=0.4;230V单电压或者115V倍压整流输入时,设定KP=0.6。在非连续模式设计中,设定KP=1。
. _, r! M; f6 ]$ a3 _' N: r, l1 j
4、确定反射的输出电压VOR和最大占空比DMAX
9 R- E" w0 f- }( U' D) q, m% f
7 U5 ]3 H# T9 R [ ?" b反射电压VOR设定在80V~110V。
8 E# [3 {, H7 i* U2 B# M5 ~ J
连续模式时计算DMAX: . Y2 v! s4 C# f1 [& N. b, r
非连续模式时计算DMAX: 4 W* q v5 D) F
其中,设定CR5842外接功率MOSFET漏极和源极VDS=10V。
- N" X* ^2 Q$ f
5、用产品手册选择磁芯材料,确定ΔB大小 " z- g. x' m+ ^. M$ U+ D
' `' Q7 p7 q% N) a- Z选择有磁芯材料应该考虑高Bs,低损耗及高ui 材料,还要结合成本考量;见意选项用PC40以上的材质。为了防止出现瞬态饱和效应以低ΔB设计:
/ \+ ~5 u0 d# J9 O
3 N- T" e+ C$ E$ L, n1 U
" l+ T0 R4 S& E9 {$ s$ h# m/ ]' j+ `$ [2 t( V0 X; y! ]( @5 @$ s8 v) V6 w
式中:ΔB为最大磁通密度摆幅,Bs为饱和磁通密度,Br为剩磁,BM为最大磁通密度,一般取在0.2~0.3范围之内,若BM>0.3T,需增加磁芯的横截面积或增加初级匝数NP,范围之内。如BM<0.2T,就应选择尺寸较小的磁芯或减小初级匝数NP值。 4 O8 K: x) q/ A" g% t3 D
6、确定合适的磁芯
: K/ r& ^, N9 G. S$ Q3 L- v实际上,磁芯的初始选择肯定是很粗略的,因为变量太多了。选择合适磁芯的方法之一是查阅制造商提供的磁芯选择指南。如果没有可参考资料,可采用下面作为参考。 $ Z) u- v* n' z2 L
0 F! b* l+ ~4 g
传递功率: 4 h/ E g2 W+ ?" S! B3 M
电流密度:
3 o& U) g* V& K绕组系数: + W" O9 }/ d$ U1 N& z6 k6 ]
式中,AP单位为mm4,Aw为窗口面积,Ae为磁芯的截面积,如图2.3。ΔB为正常操作状态下的最大磁通密度(单位:特拉斯(T))。为了防止磁芯因高温而瞬间出现磁饱和,对于大多数功率铁氧体磁芯的尺寸越大Ae越高,所做的功率就越大。 8 g: f7 e/ h1 z7 P# b* f+ c
2 B" H" N$ |! n) F1 B2 a' }: r& J图2.3:磁芯窗口面积和截面积 . t- @: c7 q, W- M8 y
7、估算DCM/CCM临界电流IOB . P+ V4 M$ C; K7 ^& x2 ]
: V4 H6 O# i$ a: U
8、计算初级绕组与次级绕组匝数比 7 ^0 [7 V* r* |
6 \% u8 Y, e- {( h其中,NP和NS分别为初级侧和次级侧匝数。VO为输出电压,VF为二极管正向电压:对超快速PN结二极管选取0.7V,肖特基二极管选取0.5V。VDCMIN为最小输入直流电压,DMAX为设置的最大占空比, VOR 为反射电压。 ! r( ` p* u r- ?8 |' d7 D
9、计算DCM/CCM临界时副边峰值电流ΔISB: 3 f* L6 K A! Z6 C: h4 q
10、计算CCM状态下副边峰值电流ΔISP:
7 I- V4 K# ~8 I11、计算CCM状态时原边峰值电流ΔIPP:
5 w' ?( U2 Y) L* v! a12、计算副边电感LS及原边电感LP: 5 z1 ?! V7 c$ r
3 O3 |9 p' ^2 r3 s6 x由于此电感值为临界电感,若需要电路工作于CCM则可增大此电感值,若需要工作于DCM则可适当调小此电感值。
1 L0 y/ q X( m0 s; ]1 j
13、确定原边最小NP匝数与副边NS匝数: 其中单位分别为特拉斯、安培、微亨、平方厘米,,如无参考数据,则使用 以特拉斯(T)为单位。 4 q( Y$ W2 {5 G) |; v
14、次级绕组和辅助绕组 ' L# Y% b Q1 ^
初级绕组与次级绕组匝数比: & z! q+ [5 a, x+ H# e/ K3 x! N
其中,NP和NS分别为初级侧和次级侧匝数。VO为输出电压,VD为二极管正向电压:对超快速PN结二极管选取0.7V,肖特基二极管选取0.5V。 S* F. ~1 h2 @2 a
然后确定正确的NS,使得最终的NP不得小于NP,MIN。有的时候最终的NP比NP,MIN大得多,这就需要更换一个大的磁芯,或者在无法更换磁芯时,则通过增加KP值来减小LP,这样,最终的初级侧匝数也会减小。 8 j! U. }* z. n( C9 r/ g. V6 t
辅助绕组匝数 ) W, P S: _" A9 ]( _# C+ h: e& }
其中,VDD为辅助绕组整流后的电压,VDB为偏置绕组整流管正向电压; # A# {6 c' [7 n. `# J- e! L1 z3 f
考虑到系统在满载和空载转变瞬间,由于能量瞬间导致VDD下冲误触发UVLO,在系统允许的输入电压范围内且输出为空载时,建议VDD 按13V来计算。 ' i! e- P; ^, j6 ]% ^% F
确定磁芯气隙长度:
' x d `" x% {% X
3 O) n* l, G7 C# ], l4 d- ^其中,Lg单位为毫米,Ae单位为平方厘米,AL为无间隙情况下的AL值,单位为纳亨/圈2,LP单位为微亨。 0 D; r5 b+ |. ]
通常不推荐对中心柱气隙磁芯使用小于0.1 mm的值,因为这样会导致初级电感量容差增大。如果您需要使用小于0.1 mm的Lg值,请咨询变压器供应商以获得指导。 8 o* y- `" O$ x5 F9 i( I$ C! b% z
15.根据有效值电流来确定每个绕组的导线直径。 - [- W: L# l6 E/ e ^
% ~# f0 @ @6 Y1 ?当导线很长时(>1m),电流密度可以取5A/mm2。当导线较短且匝数较少时,6~10A/mm2的电流密度也是可取的。应避免使用直径大于1mm的导线,防止产生严重的涡流损耗并使绕线更加容易。对于大电流输出,最好采用多股细线并绕的方式绕制,减小集肤效应的影响。 4 R0 m. S+ L% V1 P
检查一下磁芯的绕组窗口面积是否足以容纳导线。所需的窗口面积由以下公式给出: % @: ^5 G. f1 E" C8 t2 r
: v1 \* n* y9 Y! ^% ?. v% c; ^; s$ {7 z2 Y" b/ j* w
式中,AC为实际的导体面积,KF为填充系数。填充系数通常为0.2~0.3。
& d; I0 J: {" b, o$ q |