本帖最后由 思睿达小妹妹 于 2022-4-21 16:37 编辑
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在电子专业里,经常能看到变压器的身影,变压器是一种供电所常用的机器,它的主要作用是改变电压。变压器的工作原理其实很简单,就是通过电磁感应让交流电的电压发生改变。其主要构件包括初级线圈、次级线圈、铁芯。其实变压器的作用不只是改变电压那么简单,它的作用还包括电压变换电流变化等。
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% z0 V) V% s3 a" [, p接下来,小编为大家整理了开关电源变压器相关的计算公式,赶紧收藏起来吧!
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1、确定系统规格
# A, a' x- \1 T* U+ D
( d) q! V+ `' b/ N& V1 J: F; i/ s最小AC输入电压:VACMIN,单位:伏特。
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最大AC输入电压:VACMAX,单位:伏特。 / h5 N/ T" L2 a) \+ b
输入电压频率:fL,50Hz或者60Hz。 9 c5 \0 v% c+ Q" R0 I
输出电压:VO,单位:伏特。
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最大负载电流:IO,单位:安培。 " f2 r+ ^& b& |4 n% e7 ~' x
输出功率:PO,单位:瓦特。
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电源效率:η,如无数据可供参考,则对于低电压输出(低于6V)应用和高电压输出应用,应分别将η设定为0.75~0.79和0.8~0.89。 计算最大输入功率:PIN,单位:瓦特。 % Y v/ \+ M. H2 X- k9 [( |
: D/ d" I! n0 G' S4 e3 G1 i0 v9 s& t1 x9 g
2、直流电压范围(VMIN、VMAX)
- f% c+ v8 t. u- r. y最小直流输入电压VMIN
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其中,
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fL为输入交流电压频率(50Hz/60Hz); tC为桥式整流大额导通时间,如无数据可供参考,则取3ms; 所有单位分别为伏特、瓦特、赫兹、秒、法拉第。 最大直流输入电压VMAX
) g5 y' z+ X( x3 R3、相应工作模式和定义电流波形参数KP : h3 f8 [6 E- F" S" A
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图2.2 电流波形与工作模式 当KP≤1,连续模式,如图2.2a; 9 d) d: ]# L$ d1 `+ ?- D
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其中:IR为初级纹波电流,IP为初级峰值电流。
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当KP≥1,非连续模式,如图2.2b; 7 l0 ^2 D) e0 b. ~
在连续模式设计中,宽电压输入时,设定KP=0.4;230V单电压或者115V倍压整流输入时,设定KP=0.6。在非连续模式设计中,设定KP=1。
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4、确定反射的输出电压VOR和最大占空比DMAX
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1 U$ W, q' a5 g" m' {反射电压VOR设定在80V~110V。
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连续模式时计算DMAX: 8 k" p' m" D9 O7 @8 s
非连续模式时计算DMAX:
* i4 o, A& @, B4 t) L其中,设定CR5842外接功率MOSFET漏极和源极VDS=10V。 3 p' e$ E! A$ {# r3 G7 Z
5、用产品手册选择磁芯材料,确定ΔB大小
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! L2 l1 d2 v7 M1 [1 r1 ^% C选择有磁芯材料应该考虑高Bs,低损耗及高ui 材料,还要结合成本考量;见意选项用PC40以上的材质。为了防止出现瞬态饱和效应以低ΔB设计:
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式中:ΔB为最大磁通密度摆幅,Bs为饱和磁通密度,Br为剩磁,BM为最大磁通密度,一般取在0.2~0.3范围之内,若BM>0.3T,需增加磁芯的横截面积或增加初级匝数NP,范围之内。如BM<0.2T,就应选择尺寸较小的磁芯或减小初级匝数NP值。
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6、确定合适的磁芯 * B8 K" _5 n1 i3 E* D6 c2 C
实际上,磁芯的初始选择肯定是很粗略的,因为变量太多了。选择合适磁芯的方法之一是查阅制造商提供的磁芯选择指南。如果没有可参考资料,可采用下面作为参考。
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传递功率:
- T `. d( z; b; C- G. T+ O电流密度:
/ l+ L. I1 s1 ^3 A5 V绕组系数: 9 o" i4 h. F/ a8 I& V' _
式中,AP单位为mm4,Aw为窗口面积,Ae为磁芯的截面积,如图2.3。ΔB为正常操作状态下的最大磁通密度(单位:特拉斯(T))。为了防止磁芯因高温而瞬间出现磁饱和,对于大多数功率铁氧体磁芯的尺寸越大Ae越高,所做的功率就越大。
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2 ^( t. t, a$ Y+ z% e8 i5 }9 ]图2.3:磁芯窗口面积和截面积
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7、估算DCM/CCM临界电流IOB - E) [6 s' m# ?% Y1 Z# }' s
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8、计算初级绕组与次级绕组匝数比
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其中,NP和NS分别为初级侧和次级侧匝数。VO为输出电压,VF为二极管正向电压:对超快速PN结二极管选取0.7V,肖特基二极管选取0.5V。VDCMIN为最小输入直流电压,DMAX为设置的最大占空比, VOR 为反射电压。 ' c! t3 u, w) E/ T& D- Q
9、计算DCM/CCM临界时副边峰值电流ΔISB:
4 \' T- n' P8 z2 \10、计算CCM状态下副边峰值电流ΔISP:
8 E$ D* T. c4 ?' U7 u# a D- Q11、计算CCM状态时原边峰值电流ΔIPP: " D7 ~) Y% ~, [
12、计算副边电感LS及原边电感LP: / Z# H4 ^8 F& B' j
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由于此电感值为临界电感,若需要电路工作于CCM则可增大此电感值,若需要工作于DCM则可适当调小此电感值。 8 J2 P$ h2 `% L! M E2 f
13、确定原边最小NP匝数与副边NS匝数: 其中单位分别为特拉斯、安培、微亨、平方厘米,,如无参考数据,则使用 以特拉斯(T)为单位。 j9 [! S2 Q5 k7 H
14、次级绕组和辅助绕组
/ c- w$ C; n& A: ]0 h. E初级绕组与次级绕组匝数比: / |# _ L. D' h6 O9 R
其中,NP和NS分别为初级侧和次级侧匝数。VO为输出电压,VD为二极管正向电压:对超快速PN结二极管选取0.7V,肖特基二极管选取0.5V。
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然后确定正确的NS,使得最终的NP不得小于NP,MIN。有的时候最终的NP比NP,MIN大得多,这就需要更换一个大的磁芯,或者在无法更换磁芯时,则通过增加KP值来减小LP,这样,最终的初级侧匝数也会减小。
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辅助绕组匝数
1 v2 N1 R/ p/ h其中,VDD为辅助绕组整流后的电压,VDB为偏置绕组整流管正向电压; 9 W% ]5 W9 ]9 v$ r6 N# v" Y' H
考虑到系统在满载和空载转变瞬间,由于能量瞬间导致VDD下冲误触发UVLO,在系统允许的输入电压范围内且输出为空载时,建议VDD 按13V来计算。 2 D5 C' ]- Z/ C; m$ N
确定磁芯气隙长度: 7 k' Q4 m+ ^" z
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其中,Lg单位为毫米,Ae单位为平方厘米,AL为无间隙情况下的AL值,单位为纳亨/圈2,LP单位为微亨。 : `3 w8 f" {, `; P5 Y6 J
通常不推荐对中心柱气隙磁芯使用小于0.1 mm的值,因为这样会导致初级电感量容差增大。如果您需要使用小于0.1 mm的Lg值,请咨询变压器供应商以获得指导。 4 v3 A- Y, _8 ]; R5 w, \) v
15.根据有效值电流来确定每个绕组的导线直径。 5 \4 A/ q* v# o1 v
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当导线很长时(>1m),电流密度可以取5A/mm2。当导线较短且匝数较少时,6~10A/mm2的电流密度也是可取的。应避免使用直径大于1mm的导线,防止产生严重的涡流损耗并使绕线更加容易。对于大电流输出,最好采用多股细线并绕的方式绕制,减小集肤效应的影响。 : D2 [! P9 q( {
检查一下磁芯的绕组窗口面积是否足以容纳导线。所需的窗口面积由以下公式给出:
* E0 ~! l5 b; f0 s0 Z0 O- Z
, q6 i. ~+ ^3 M: x7 s: e g" o" X) p: i* L+ O
式中,AC为实际的导体面积,KF为填充系数。填充系数通常为0.2~0.3。 / c$ Z. |, T% Z# Y
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