本帖最后由 思睿达小妹妹 于 2022-4-21 16:37 编辑 - Y; U) u! r! N9 g- U8 C" _
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在电子专业里,经常能看到变压器的身影,变压器是一种供电所常用的机器,它的主要作用是改变电压。变压器的工作原理其实很简单,就是通过电磁感应让交流电的电压发生改变。其主要构件包括初级线圈、次级线圈、铁芯。其实变压器的作用不只是改变电压那么简单,它的作用还包括电压变换电流变化等。 ; n3 @- T. X( t: |, J6 i
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接下来,小编为大家整理了开关电源变压器相关的计算公式,赶紧收藏起来吧! , r2 N2 g3 u/ U9 o
1、确定系统规格 2 X2 |" [1 Q) S2 I, R7 A9 M
! V: A5 @ c, ~8 ^$ M& t* @
最小AC输入电压:VACMIN,单位:伏特。
) K& s8 ^6 A3 P9 s0 N
最大AC输入电压:VACMAX,单位:伏特。 6 m ]+ k- `9 ?- ]" p4 c+ B
输入电压频率:fL,50Hz或者60Hz。
8 W+ d9 @, k; v
输出电压:VO,单位:伏特。 . f# {- e2 p9 Y
最大负载电流:IO,单位:安培。
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输出功率:PO,单位:瓦特。 / q- W/ {+ C- Y2 t
电源效率:η,如无数据可供参考,则对于低电压输出(低于6V)应用和高电压输出应用,应分别将η设定为0.75~0.79和0.8~0.89。 计算最大输入功率:PIN,单位:瓦特。 & W) v# V* S* E! y$ J
( D) ?6 i( Y9 q" }+ o
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2、直流电压范围(VMIN、VMAX)
; k: y! c, h* P( U最小直流输入电压VMIN
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& _! c, [8 n g1 S2 o# u' U7 F& k5 T! k其中, 3 E! U/ O0 y* {0 m' h0 t. Q
fL为输入交流电压频率(50Hz/60Hz); tC为桥式整流大额导通时间,如无数据可供参考,则取3ms; 所有单位分别为伏特、瓦特、赫兹、秒、法拉第。 最大直流输入电压VMAX 0 F6 ^! ^! f: M, g0 k0 \2 Z4 l# s3 g
3、相应工作模式和定义电流波形参数KP
. }9 D5 F1 D9 X) {+ f' u4 x
0 [* M/ b2 q2 f% p4 W图2.2 电流波形与工作模式 当KP≤1,连续模式,如图2.2a; 5 i& z: s3 ?( O5 k7 H" Z+ J0 T
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其中:IR为初级纹波电流,IP为初级峰值电流。
5 r8 S$ x) C1 C
当KP≥1,非连续模式,如图2.2b; % U* x1 t8 K1 h: H p u' E
在连续模式设计中,宽电压输入时,设定KP=0.4;230V单电压或者115V倍压整流输入时,设定KP=0.6。在非连续模式设计中,设定KP=1。
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4、确定反射的输出电压VOR和最大占空比DMAX
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反射电压VOR设定在80V~110V。
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连续模式时计算DMAX:
* d4 G. j( n# k4 x非连续模式时计算DMAX:
( E9 G7 ~* T3 c! r3 R7 I1 J其中,设定CR5842外接功率MOSFET漏极和源极VDS=10V。 ; w3 D6 g& ^' p1 z6 Q/ \
5、用产品手册选择磁芯材料,确定ΔB大小 # g- b' F8 a# ?4 b: h5 v# f
. {" y) m5 N9 ?选择有磁芯材料应该考虑高Bs,低损耗及高ui 材料,还要结合成本考量;见意选项用PC40以上的材质。为了防止出现瞬态饱和效应以低ΔB设计: 3 V3 ]' u0 F# ?3 K6 J! b1 y! D
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式中:ΔB为最大磁通密度摆幅,Bs为饱和磁通密度,Br为剩磁,BM为最大磁通密度,一般取在0.2~0.3范围之内,若BM>0.3T,需增加磁芯的横截面积或增加初级匝数NP,范围之内。如BM<0.2T,就应选择尺寸较小的磁芯或减小初级匝数NP值。 4 q2 V2 B# C( p% J
6、确定合适的磁芯
4 `% K& X3 N9 f( z实际上,磁芯的初始选择肯定是很粗略的,因为变量太多了。选择合适磁芯的方法之一是查阅制造商提供的磁芯选择指南。如果没有可参考资料,可采用下面作为参考。
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: K# P' K! }* Z0 D7 j6 ]% S
传递功率: / r2 W6 N' I: k, Q4 h) S+ W
电流密度: 6 x9 H L! x7 v5 h( e, E8 j" B
绕组系数: ! t! n5 n% ~( N; t( ^
式中,AP单位为mm4,Aw为窗口面积,Ae为磁芯的截面积,如图2.3。ΔB为正常操作状态下的最大磁通密度(单位:特拉斯(T))。为了防止磁芯因高温而瞬间出现磁饱和,对于大多数功率铁氧体磁芯的尺寸越大Ae越高,所做的功率就越大。
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图2.3:磁芯窗口面积和截面积
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7、估算DCM/CCM临界电流IOB
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8 a3 ], S, r. c" E0 w! b3 [8、计算初级绕组与次级绕组匝数比 1 N, Y1 s2 O- g: Z8 _, F5 d+ T
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其中,NP和NS分别为初级侧和次级侧匝数。VO为输出电压,VF为二极管正向电压:对超快速PN结二极管选取0.7V,肖特基二极管选取0.5V。VDCMIN为最小输入直流电压,DMAX为设置的最大占空比, VOR 为反射电压。
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9、计算DCM/CCM临界时副边峰值电流ΔISB: # g6 I3 g+ R4 y( @; f1 O1 Q
10、计算CCM状态下副边峰值电流ΔISP:
$ o" g9 [2 }/ S8 i- o' @11、计算CCM状态时原边峰值电流ΔIPP: 8 j( _+ I' H2 ^+ t) i7 u
12、计算副边电感LS及原边电感LP:
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+ d3 K7 `& T: m) h6 Y! Y1 }0 i8 k! Y由于此电感值为临界电感,若需要电路工作于CCM则可增大此电感值,若需要工作于DCM则可适当调小此电感值。 # J/ e- S0 Q' o% Z2 R0 y) q
13、确定原边最小NP匝数与副边NS匝数: 其中单位分别为特拉斯、安培、微亨、平方厘米,,如无参考数据,则使用 以特拉斯(T)为单位。
3 z4 Z( L% B3 _* z, Y7 d14、次级绕组和辅助绕组 ; K o* A) K* e* u; J
初级绕组与次级绕组匝数比:
" u R0 C% p! J& U其中,NP和NS分别为初级侧和次级侧匝数。VO为输出电压,VD为二极管正向电压:对超快速PN结二极管选取0.7V,肖特基二极管选取0.5V。 % j m3 H/ J4 c
然后确定正确的NS,使得最终的NP不得小于NP,MIN。有的时候最终的NP比NP,MIN大得多,这就需要更换一个大的磁芯,或者在无法更换磁芯时,则通过增加KP值来减小LP,这样,最终的初级侧匝数也会减小。
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辅助绕组匝数
8 Y3 }/ j4 f! p+ E7 y# D其中,VDD为辅助绕组整流后的电压,VDB为偏置绕组整流管正向电压;
) M& {9 i" k! |# u, Q, ~* P: c
考虑到系统在满载和空载转变瞬间,由于能量瞬间导致VDD下冲误触发UVLO,在系统允许的输入电压范围内且输出为空载时,建议VDD 按13V来计算。 ! D: L# p& ]7 q2 `1 ^5 f w! V+ X, ]
确定磁芯气隙长度: 2 d6 t# c" k$ l+ k+ I
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其中,Lg单位为毫米,Ae单位为平方厘米,AL为无间隙情况下的AL值,单位为纳亨/圈2,LP单位为微亨。 ( I5 k! k- ?' u3 H) q2 b0 G/ u
通常不推荐对中心柱气隙磁芯使用小于0.1 mm的值,因为这样会导致初级电感量容差增大。如果您需要使用小于0.1 mm的Lg值,请咨询变压器供应商以获得指导。
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15.根据有效值电流来确定每个绕组的导线直径。 . X1 ^: j# a) z6 u
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当导线很长时(>1m),电流密度可以取5A/mm2。当导线较短且匝数较少时,6~10A/mm2的电流密度也是可取的。应避免使用直径大于1mm的导线,防止产生严重的涡流损耗并使绕线更加容易。对于大电流输出,最好采用多股细线并绕的方式绕制,减小集肤效应的影响。
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检查一下磁芯的绕组窗口面积是否足以容纳导线。所需的窗口面积由以下公式给出:
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1 j8 V! x3 k4 ~9 h式中,AC为实际的导体面积,KF为填充系数。填充系数通常为0.2~0.3。
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