本帖最后由 思睿达小妹妹 于 2022-4-21 16:37 编辑 : q, L0 }% t' c3 j
) \2 h* }+ T* U0 S. M6 H在电子专业里,经常能看到变压器的身影,变压器是一种供电所常用的机器,它的主要作用是改变电压。变压器的工作原理其实很简单,就是通过电磁感应让交流电的电压发生改变。其主要构件包括初级线圈、次级线圈、铁芯。其实变压器的作用不只是改变电压那么简单,它的作用还包括电压变换电流变化等。
5 v- h9 |: `) s# c$ ^1 V1 f
" T7 V- q4 U: }( N" m& G Z- x1 L4 Z0 H: S" \
接下来,小编为大家整理了开关电源变压器相关的计算公式,赶紧收藏起来吧! ' n* f7 [: ?/ u7 h J: t+ \
1、确定系统规格
6 l. u$ {, y1 k' s& I* u/ n: @0 l' `
6 ]- Y$ _" q$ E7 H! K7 a1 r最小AC输入电压:VACMIN,单位:伏特。
# [* S" ~, I0 r" s& e" p
最大AC输入电压:VACMAX,单位:伏特。 3 z/ t' T2 r( _/ I8 o% u: u
输入电压频率:fL,50Hz或者60Hz。 . d) _9 e& O2 ]" v
输出电压:VO,单位:伏特。 9 m |2 E; ]1 x) U$ T
最大负载电流:IO,单位:安培。 / L- I$ G1 n4 t. y: f' L& h, x( e
输出功率:PO,单位:瓦特。 * |* u4 h. b0 H0 z- B
电源效率:η,如无数据可供参考,则对于低电压输出(低于6V)应用和高电压输出应用,应分别将η设定为0.75~0.79和0.8~0.89。 计算最大输入功率:PIN,单位:瓦特。 ! A% ~0 ~% x+ W2 X
) Y/ m. f1 l/ k4 i, A0 I! ]+ v5 p; ?" o& I X5 l- S0 j
2、直流电压范围(VMIN、VMAX)
. s+ x" h$ p+ D& M- q最小直流输入电压VMIN O. |- }- g5 g. W- f2 ^
! t7 i6 v9 R6 x3 P, d2 L" \
其中, ( l2 ? B0 D3 V3 a
fL为输入交流电压频率(50Hz/60Hz); tC为桥式整流大额导通时间,如无数据可供参考,则取3ms; 所有单位分别为伏特、瓦特、赫兹、秒、法拉第。 最大直流输入电压VMAX 5 |7 X- d( U! l. V1 t% S; S z: p$ f
3、相应工作模式和定义电流波形参数KP
! ]- r7 R- L: g& H1 g2 {# S 8 b% N+ F. b7 X( |+ c1 h0 i* u$ d
图2.2 电流波形与工作模式 当KP≤1,连续模式,如图2.2a; % q2 Y, C& i# |! [& H/ W B
7 E6 z" j; b0 W$ q6 m& q {9 [
其中:IR为初级纹波电流,IP为初级峰值电流。 2 O+ T# u# Y, ?+ B6 B& ~
当KP≥1,非连续模式,如图2.2b;
* y2 B, q. J3 z$ e在连续模式设计中,宽电压输入时,设定KP=0.4;230V单电压或者115V倍压整流输入时,设定KP=0.6。在非连续模式设计中,设定KP=1。 0 X2 t9 N6 ^+ J5 M2 }$ s
4、确定反射的输出电压VOR和最大占空比DMAX
. e: Q6 Z0 y$ V/ q4 N! K. K' ?2 e3 V8 n' ?$ L, m
反射电压VOR设定在80V~110V。 " i$ A3 J3 s: D
连续模式时计算DMAX:
7 l9 H/ f: J" z非连续模式时计算DMAX:
" M/ D5 q8 k+ b* N其中,设定CR5842外接功率MOSFET漏极和源极VDS=10V。
5 f4 f+ y1 G/ N/ L$ L) U, b& N" u
5、用产品手册选择磁芯材料,确定ΔB大小
) b( P" z4 }. O8 j. b3 g% [5 A* x0 e' T# m/ n
选择有磁芯材料应该考虑高Bs,低损耗及高ui 材料,还要结合成本考量;见意选项用PC40以上的材质。为了防止出现瞬态饱和效应以低ΔB设计: 9 \ z1 a8 O# t- H U
% U$ {' e; S# ]# L' _7 ?7 ]0 L
+ B( F% J: p4 R4 w$ W" J
4 V) l5 a1 h* `1 c! `式中:ΔB为最大磁通密度摆幅,Bs为饱和磁通密度,Br为剩磁,BM为最大磁通密度,一般取在0.2~0.3范围之内,若BM>0.3T,需增加磁芯的横截面积或增加初级匝数NP,范围之内。如BM<0.2T,就应选择尺寸较小的磁芯或减小初级匝数NP值。
- l( I; h X( H3 ?( r' ~4 R6 i
6、确定合适的磁芯
5 y, }* d$ p9 L: {; D! Q实际上,磁芯的初始选择肯定是很粗略的,因为变量太多了。选择合适磁芯的方法之一是查阅制造商提供的磁芯选择指南。如果没有可参考资料,可采用下面作为参考。 ( m" f9 O9 k# C3 F1 \
0 `& l7 S" T$ L- E7 x4 }
传递功率: " s3 }! J' i+ T# J* o4 r) N
电流密度: 8 K, N9 _8 c: e
绕组系数:
6 v$ v4 q5 \0 A7 s8 a3 \( h" |式中,AP单位为mm4,Aw为窗口面积,Ae为磁芯的截面积,如图2.3。ΔB为正常操作状态下的最大磁通密度(单位:特拉斯(T))。为了防止磁芯因高温而瞬间出现磁饱和,对于大多数功率铁氧体磁芯的尺寸越大Ae越高,所做的功率就越大。 # L9 z; O2 I* j
- M% `4 e8 Q0 ^6 w7 Q图2.3:磁芯窗口面积和截面积
, s }3 R# j5 U* L, E" l
7、估算DCM/CCM临界电流IOB
6 M2 { T% J! D# H! s* G
" i( `/ w0 ^# v9 _8、计算初级绕组与次级绕组匝数比
' I0 v8 L/ _# p+ Z+ M7 S
; a, y7 c$ G& R+ S: t5 r* E4 j其中,NP和NS分别为初级侧和次级侧匝数。VO为输出电压,VF为二极管正向电压:对超快速PN结二极管选取0.7V,肖特基二极管选取0.5V。VDCMIN为最小输入直流电压,DMAX为设置的最大占空比, VOR 为反射电压。
" ^, v P- R- W* ?0 b% k" L
9、计算DCM/CCM临界时副边峰值电流ΔISB: , N4 l0 S7 _' Z5 e% V* c9 I. ^
10、计算CCM状态下副边峰值电流ΔISP: $ D5 x' X: F# w6 q' M
11、计算CCM状态时原边峰值电流ΔIPP: + k! v! `5 l9 y
12、计算副边电感LS及原边电感LP:
( m; ?, P1 w) l1 r( x3 |; n( O3 a: X5 d% B( J9 Z
由于此电感值为临界电感,若需要电路工作于CCM则可增大此电感值,若需要工作于DCM则可适当调小此电感值。
4 U. H1 A1 R8 `
13、确定原边最小NP匝数与副边NS匝数: 其中单位分别为特拉斯、安培、微亨、平方厘米,,如无参考数据,则使用 以特拉斯(T)为单位。 % o" h3 L6 G4 V; Y2 a# K
14、次级绕组和辅助绕组 * z) U! P' @2 o
初级绕组与次级绕组匝数比: & s* t! ~9 D6 s
其中,NP和NS分别为初级侧和次级侧匝数。VO为输出电压,VD为二极管正向电压:对超快速PN结二极管选取0.7V,肖特基二极管选取0.5V。 * L, S9 ]0 N, S% N0 L1 h
然后确定正确的NS,使得最终的NP不得小于NP,MIN。有的时候最终的NP比NP,MIN大得多,这就需要更换一个大的磁芯,或者在无法更换磁芯时,则通过增加KP值来减小LP,这样,最终的初级侧匝数也会减小。
! q5 d) r @5 k5 { j) `: `3 K; S
辅助绕组匝数
0 G, ~/ W( ~( ^) N) `5 \其中,VDD为辅助绕组整流后的电压,VDB为偏置绕组整流管正向电压;
; M! }* } x3 J6 J1 P
考虑到系统在满载和空载转变瞬间,由于能量瞬间导致VDD下冲误触发UVLO,在系统允许的输入电压范围内且输出为空载时,建议VDD 按13V来计算。 ; C' ^" X; p. U, y# q' `- m& @
确定磁芯气隙长度: $ S8 e) O0 H. {7 m
; J6 U: Q3 Y0 q0 x! c4 B, s8 r
其中,Lg单位为毫米,Ae单位为平方厘米,AL为无间隙情况下的AL值,单位为纳亨/圈2,LP单位为微亨。 2 G. K. T2 h& g
通常不推荐对中心柱气隙磁芯使用小于0.1 mm的值,因为这样会导致初级电感量容差增大。如果您需要使用小于0.1 mm的Lg值,请咨询变压器供应商以获得指导。 ' R: f2 G( |! D6 G4 b
15.根据有效值电流来确定每个绕组的导线直径。 ( y# }8 k9 n! G( e2 h; D, f7 T
% s. v# O( L% k& {$ J/ T当导线很长时(>1m),电流密度可以取5A/mm2。当导线较短且匝数较少时,6~10A/mm2的电流密度也是可取的。应避免使用直径大于1mm的导线,防止产生严重的涡流损耗并使绕线更加容易。对于大电流输出,最好采用多股细线并绕的方式绕制,减小集肤效应的影响。 2 B/ J: q8 a3 ^6 w4 z/ W
检查一下磁芯的绕组窗口面积是否足以容纳导线。所需的窗口面积由以下公式给出:
$ ^6 @& {; a! \0 M) k$ k
, a% ~! C2 V: \- E3 n6 O7 o: q$ }& ^5 s. L
式中,AC为实际的导体面积,KF为填充系数。填充系数通常为0.2~0.3。
5 ~" p! k8 Y7 T" L# ]; i& \2 x |