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最全开关电源变压器的计算公式,给大家整理好了

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发表于 2022-4-21 16:13:14 | 显示全部楼层 |阅读模式
本帖最后由 思睿达小妹妹 于 2022-4-21 16:37 编辑
/ K' {- ]6 U  @' j. ~8 D' p' a: T2 a# F5 Y: g2 f* y

在电子专业里,经常能看到变压器的身影,变压器是一种供电所常用的机器,它的主要作用是改变电压。变压器的工作原理其实很简单,就是通过电磁感应让交流电的电压发生改变。其主要构件包括初级线圈、次级线圈、铁芯。其实变压器的作用不只是改变电压那么简单,它的作用还包括电压变换电流变化等。


& X+ P/ i7 E" p0 Q1 E& d4 [

$ B' _+ Y! j  [, E9 `* |5 n& @( F* W+ o+ K& a" F

接下来,小编为大家整理了开关电源变压器相关的计算公式,赶紧收藏起来吧!

1 f4 b5 B2 D0 K' N# U0 l

1、确定系统规格


- j% B) @; E& D% A7 m& i- `1 a/ ^6 c( e- p% H) i! w

最小AC输入电压:VACMIN,单位:伏特。

. o7 C$ f0 ^5 ?# c: X

最大AC输入电压:VACMAX,单位:伏特。

4 Y1 i  d) f! B; V; D0 o

输入电压频率:fL,50Hz或者60Hz。


3 A1 H% J  a/ C) T! B

输出电压:VO,单位:伏特。


. y4 X; c' C% V- S7 C* p* ?

最大负载电流:IO,单位:安培。


9 J6 _9 l" w, _, g+ h+ l: I+ q+ }

输出功率:PO,单位:瓦特。


, k/ u. ?+ a( g$ S- S' e  u& N& U

电源效率:η,如无数据可供参考,则对于低电压输出(低于6V)应用和高电压输出应用,应分别将η设定为0.75~0.79和0.8~0.89。

计算最大输入功率:PIN,单位:瓦特。


. d. a* n+ Q* s: D

7 I7 e! _, N' ~2 s
- \3 B# D& [% n- O+ w$ `: R

2、直流电压范围(VMIN、VMAX)

+ {% ?4 U  b. {& P

最小直流输入电压VMIN

  Y) F, _/ h' I7 q# C  j) k

1 X0 R5 e: Z7 V

其中,


# u2 ?0 \6 k8 x: X' L

fL为输入交流电压频率(50Hz/60Hz);

tC为桥式整流大额导通时间,如无数据可供参考,则取3ms;

所有单位分别为伏特、瓦特、赫兹、秒、法拉第。

最大直流输入电压VMAX


  j1 U' y5 v# J" ]

3、相应工作模式和定义电流波形参数KP

) {, j. t% F* E2 x
6 o9 X( U& y3 N$ [& F

图2.2 电流波形与工作模式

当KP≤1,连续模式,如图2.2a;

. ]( f. t  t+ Y9 m3 k


, n2 Q, i; k6 \6 W3 M# `

其中:IR为初级纹波电流,IP为初级峰值电流。


- x, g8 l* C  Q) D6 |

当KP≥1,非连续模式,如图2.2b;

* ^' J6 g% j$ i4 I* g+ N& |

在连续模式设计中,宽电压输入时,设定KP=0.4;230V单电压或者115V倍压整流输入时,设定KP=0.6。在非连续模式设计中,设定KP=1。


$ Q1 M4 T3 m( g1 `

4、确定反射的输出电压VOR和最大占空比DMAX

/ U' ]* K& {- E9 l# ?

! W% p6 J$ ?5 b) u. x

反射电压VOR设定在80V~110V。


+ {" J0 n% E1 T/ ]! t( C) |" A

连续模式时计算DMAX:

: |  O1 M* @4 W& D* F, r0 v

非连续模式时计算DMAX:


9 o/ e: p# p& ]1 ]

其中,设定CR5842外接功率MOSFET漏极和源极VDS=10V。

, O, j5 w9 Q9 u6 z( j8 }# v

5、用产品手册选择磁芯材料,确定ΔB大小

$ c2 w! Q3 w, a/ t" v# |7 Y' I& f; N
+ N7 R7 N1 e* V; E

选择有磁芯材料应该考虑高Bs,低损耗及高ui 材料,还要结合成本考量;见意选项用PC40以上的材质。为了防止出现瞬态饱和效应以低ΔB设计:

1 T; ]+ t) A* Y6 x* H


& x  L# b/ u: v  j9 G" h8 Q3 H
6 D! Z8 R7 h2 k1 O! v: J5 }0 r

式中:ΔB为最大磁通密度摆幅,Bs为饱和磁通密度,Br为剩磁,BM为最大磁通密度,一般取在0.2~0.3范围之内,若BM>0.3T,需增加磁芯的横截面积或增加初级匝数NP,范围之内。如BM<0.2T,就应选择尺寸较小的磁芯或减小初级匝数NP值。


7 _! M2 q7 C  r+ C  `- `

6、确定合适的磁芯


* l4 M, [+ `0 f5 `( z$ Z: S* z

实际上,磁芯的初始选择肯定是很粗略的,因为变量太多了。选择合适磁芯的方法之一是查阅制造商提供的磁芯选择指南。如果没有可参考资料,可采用下面作为参考。   

                       


6 G# y3 ^9 U4 |  @* Z- n


5 `) ~3 {+ ]9 D0 a

传递功率:


9 S) c( t- {2 [) b7 t# v2 G4 o

电流密度:

% J+ I8 ^% |4 y! E) ?# g, V2 N

绕组系数:

- L5 p  w# a1 q' V/ ]

式中,AP单位为mm4,Aw为窗口面积,Ae为磁芯的截面积,如图2.3。ΔB为正常操作状态下的最大磁通密度(单位:特拉斯(T))。为了防止磁芯因高温而瞬间出现磁饱和,对于大多数功率铁氧体磁芯的尺寸越大Ae越高,所做的功率就越大。


# F0 Q# ?+ d& a6 p* j


- B! W8 v# ?* i5 V0 _+ T

图2.3:磁芯窗口面积和截面积


: }7 B( C, A' d" P  T

7、估算DCM/CCM临界电流IOB


/ B5 E+ o! z0 F: P' ?
! Y, W$ q. N- m/ G; u0 @3 H

8、计算初级绕组与次级绕组匝数比


) h# _0 E3 y+ w! h0 G& ?1 {8 K  x% I+ y* c# N0 X

其中,NP和NS分别为初级侧和次级侧匝数。VO为输出电压,VF为二极管正向电压:对超快速PN结二极管选取0.7V,肖特基二极管选取0.5V。VDCMIN为最小输入直流电压,DMAX为设置的最大占空比, VOR 为反射电压。

% `& I9 ~$ C# f3 @

9、计算DCM/CCM临界时副边峰值电流ΔISB:


; C$ y, |  M% c9 A7 \1 Y

10、计算CCM状态下副边峰值电流ΔISP:


4 X  f" M+ s6 S4 e5 S. I

11、计算CCM状态时原边峰值电流ΔIPP:

& E; j( ?9 N$ X% z

12、计算副边电感LS及原边电感LP:


( Y: y, p5 g6 }6 U3 v) o8 v


3 j6 c6 l; a0 w% R

由于此电感值为临界电感,若需要电路工作于CCM则可增大此电感值,若需要工作于DCM则可适当调小此电感值。

: f! p4 o. Y! w( C5 c

13、确定原边最小NP匝数与副边NS匝数:

其中单位分别为特拉斯、安培、微亨、平方厘米,,如无参考数据,则使用

以特拉斯(T)为单位。

: i  y4 |) C- f- o

14、次级绕组和辅助绕组


3 A0 Z/ M& c; b9 }

初级绕组与次级绕组匝数比:


1 B8 E! u' }# Z* P

其中,NP和NS分别为初级侧和次级侧匝数。VO为输出电压,VD为二极管正向电压:对超快速PN结二极管选取0.7V,肖特基二极管选取0.5V。


# }% a" }. r2 W4 x- }/ A

然后确定正确的NS,使得最终的NP不得小于NP,MIN。有的时候最终的NP比NP,MIN大得多,这就需要更换一个大的磁芯,或者在无法更换磁芯时,则通过增加KP值来减小LP,这样,最终的初级侧匝数也会减小。

2 `/ B" b" Q( m! H! {& ]

辅助绕组匝数


3 \7 a) F$ s) ~

其中,VDD为辅助绕组整流后的电压,VDB为偏置绕组整流管正向电压;

6 J4 v+ z: f  {: _4 E5 Q% s2 E

考虑到系统在满载和空载转变瞬间,由于能量瞬间导致VDD下冲误触发UVLO,在系统允许的输入电压范围内且输出为空载时,建议VDD 按13V来计算。

, q! A  A/ U! {, C' e( F! m8 \( ]# z( H# w

确定磁芯气隙长度:   


8 |5 A* v  l/ t7 \" b2 P6 ]/ _


2 s$ J9 F: x! M' E  W

其中,Lg单位为毫米,Ae单位为平方厘米,AL为无间隙情况下的AL值,单位为纳亨/圈2,LP单位为微亨。


; O# i( h8 d$ K

通常不推荐对中心柱气隙磁芯使用小于0.1 mm的值,因为这样会导致初级电感量容差增大。如果您需要使用小于0.1 mm的Lg值,请咨询变压器供应商以获得指导。


  ?* V$ X2 E, a8 ^$ n

15.根据有效值电流来确定每个绕组的导线直径。


, L3 a- }- M+ s/ M4 {4 [! }1 i1 j5 U

当导线很长时(>1m),电流密度可以取5A/mm2。当导线较短且匝数较少时,6~10A/mm2的电流密度也是可取的。应避免使用直径大于1mm的导线,防止产生严重的涡流损耗并使绕线更加容易。对于大电流输出,最好采用多股细线并绕的方式绕制,减小集肤效应的影响。

- N1 J, m4 z2 X& @5 m( j

检查一下磁芯的绕组窗口面积是否足以容纳导线。所需的窗口面积由以下公式给出:

, o, {4 F  i6 s7 P/ Z


6 B  [& [3 n+ [. l) K! `1 V, }6 J! A" g/ k7 I& m1 L6 F

式中,AC为实际的导体面积,KF为填充系数。填充系数通常为0.2~0.3。


/ h/ L5 Z9 L1 t" V- y, p: i3 u( _

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