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最全开关电源变压器的计算公式,给大家整理好了

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发表于 2022-4-21 16:13:14 | 显示全部楼层 |阅读模式
本帖最后由 思睿达小妹妹 于 2022-4-21 16:37 编辑
) f7 q  x; q( Y8 a% s. Z9 b
  ?" y0 `" g5 J3 w

在电子专业里,经常能看到变压器的身影,变压器是一种供电所常用的机器,它的主要作用是改变电压。变压器的工作原理其实很简单,就是通过电磁感应让交流电的电压发生改变。其主要构件包括初级线圈、次级线圈、铁芯。其实变压器的作用不只是改变电压那么简单,它的作用还包括电压变换电流变化等。

/ C9 ~, d: }9 D* Y- P; ]  u
6 X5 Y) |1 W1 ?2 P  E
/ I9 m) r$ x* c2 }' }/ f! t

接下来,小编为大家整理了开关电源变压器相关的计算公式,赶紧收藏起来吧!


( s1 @3 e- q$ X" q( U# W" b

1、确定系统规格


" W+ o: ?8 a" n) Q( R: y6 G! A' o( s. G7 c

最小AC输入电压:VACMIN,单位:伏特。


* y" Z. m! n) g3 W; Z- ^

最大AC输入电压:VACMAX,单位:伏特。

5 P& }% C; d6 S' t

输入电压频率:fL,50Hz或者60Hz。

1 ]5 L2 h4 r& Y4 ]" X1 f" E

输出电压:VO,单位:伏特。

8 o6 \/ J1 ]) d8 O1 }# T

最大负载电流:IO,单位:安培。

7 V3 |" \" R8 S! f% _( @" l% M" D( ~

输出功率:PO,单位:瓦特。

8 n8 r' \4 E0 R4 k0 {4 U. H

电源效率:η,如无数据可供参考,则对于低电压输出(低于6V)应用和高电压输出应用,应分别将η设定为0.75~0.79和0.8~0.89。

计算最大输入功率:PIN,单位:瓦特。

) \  q7 d3 k+ }
4 |$ U( N4 s8 x1 \
' e) X, Z) k/ M+ p0 _6 A

2、直流电压范围(VMIN、VMAX)


0 h. ]- g# y5 Q5 e9 N. `

最小直流输入电压VMIN

" T: c' B  o' P: z( g6 u/ ]
, d$ H0 ]# d# l

其中,


8 O4 ]) V' @5 b

fL为输入交流电压频率(50Hz/60Hz);

tC为桥式整流大额导通时间,如无数据可供参考,则取3ms;

所有单位分别为伏特、瓦特、赫兹、秒、法拉第。

最大直流输入电压VMAX

) [) K' j8 ^5 O$ n( i* ]% K

3、相应工作模式和定义电流波形参数KP

4 E% g- z5 w% r8 N

# P5 f- [+ H7 d

图2.2 电流波形与工作模式

当KP≤1,连续模式,如图2.2a;


7 a3 O# m0 b8 q$ `2 n! u5 z

2 s* Z# G6 S; t# c! ?

其中:IR为初级纹波电流,IP为初级峰值电流。

1 W4 R- r  j# ~: [8 i6 W4 d/ t: R

当KP≥1,非连续模式,如图2.2b;

/ |3 }& d: ?. h

在连续模式设计中,宽电压输入时,设定KP=0.4;230V单电压或者115V倍压整流输入时,设定KP=0.6。在非连续模式设计中,设定KP=1。


3 _: Q7 ]% P8 o, @  Z) e; t0 M

4、确定反射的输出电压VOR和最大占空比DMAX


: n# `" J9 Z6 A. R1 O1 g2 p0 c+ C' w6 X

反射电压VOR设定在80V~110V。

3 [2 e9 _6 V+ m; J. W( x

连续模式时计算DMAX:


$ G; e! W% V: X3 N

非连续模式时计算DMAX:

* g8 T4 o$ `" f% O

其中,设定CR5842外接功率MOSFET漏极和源极VDS=10V。

7 N7 E. b3 B2 q: q/ M1 i

5、用产品手册选择磁芯材料,确定ΔB大小


- |5 K: b. ~. |9 v2 i; M$ O. k& B3 z) `. k+ E4 S/ Y! z

选择有磁芯材料应该考虑高Bs,低损耗及高ui 材料,还要结合成本考量;见意选项用PC40以上的材质。为了防止出现瞬态饱和效应以低ΔB设计:

0 L# T+ M0 ^" V* f: L


, q% f0 k5 a8 @* U0 T
1 J; k& q/ Z3 I' z( Z. ]* t5 U. P8 z% `4 Y" c! i1 c" ^9 \4 {

式中:ΔB为最大磁通密度摆幅,Bs为饱和磁通密度,Br为剩磁,BM为最大磁通密度,一般取在0.2~0.3范围之内,若BM>0.3T,需增加磁芯的横截面积或增加初级匝数NP,范围之内。如BM<0.2T,就应选择尺寸较小的磁芯或减小初级匝数NP值。

; i$ `' e# N1 I( i2 l0 T; G4 A

6、确定合适的磁芯

; b; r. ~: T/ J& s2 c

实际上,磁芯的初始选择肯定是很粗略的,因为变量太多了。选择合适磁芯的方法之一是查阅制造商提供的磁芯选择指南。如果没有可参考资料,可采用下面作为参考。   

                       

: c4 _+ d6 f/ N# {+ c+ c) n7 _; O

! G) j9 E3 M+ T9 r6 \

传递功率:


9 b  e+ G) n7 C/ J- R

电流密度:


  g1 I1 n! n0 C5 j) ^

绕组系数:

. v  X) U9 i& u- o- J7 ~% v

式中,AP单位为mm4,Aw为窗口面积,Ae为磁芯的截面积,如图2.3。ΔB为正常操作状态下的最大磁通密度(单位:特拉斯(T))。为了防止磁芯因高温而瞬间出现磁饱和,对于大多数功率铁氧体磁芯的尺寸越大Ae越高,所做的功率就越大。

/ \8 Y, S  p4 r8 y( Y

3 V# p. e4 \7 g# _# m/ x' O& q

图2.3:磁芯窗口面积和截面积

1 v) N) h' z- D6 |

7、估算DCM/CCM临界电流IOB


/ f3 r" [% g# P$ y0 L- g- p3 v  R  X2 @/ @% R, s* _; w

8、计算初级绕组与次级绕组匝数比


* o: u; f- M2 z* q1 V/ j" @0 s7 r% @8 \+ |0 {6 w  [* M

其中,NP和NS分别为初级侧和次级侧匝数。VO为输出电压,VF为二极管正向电压:对超快速PN结二极管选取0.7V,肖特基二极管选取0.5V。VDCMIN为最小输入直流电压,DMAX为设置的最大占空比, VOR 为反射电压。


! c) ~) [- K4 i2 s: v! _

9、计算DCM/CCM临界时副边峰值电流ΔISB:

7 O# k7 Y+ m5 f  ]9 e3 Z0 ?+ e

10、计算CCM状态下副边峰值电流ΔISP:

) y* Y/ [; A! p. P5 @

11、计算CCM状态时原边峰值电流ΔIPP:

, }, n" _  f1 G) C( b+ i

12、计算副边电感LS及原边电感LP:

- R/ A6 K( C0 w1 q+ Q. P


( k$ W; [9 {8 o8 c

由于此电感值为临界电感,若需要电路工作于CCM则可增大此电感值,若需要工作于DCM则可适当调小此电感值。

5 h& h+ z/ X0 Y0 O

13、确定原边最小NP匝数与副边NS匝数:

其中单位分别为特拉斯、安培、微亨、平方厘米,,如无参考数据,则使用

以特拉斯(T)为单位。

, ^+ F) q7 D, p& G

14、次级绕组和辅助绕组

+ K9 w( l, O9 i' l

初级绕组与次级绕组匝数比:


0 u! i* _0 v' Y" N# F6 V

其中,NP和NS分别为初级侧和次级侧匝数。VO为输出电压,VD为二极管正向电压:对超快速PN结二极管选取0.7V,肖特基二极管选取0.5V。


6 g1 p5 V  j2 G% j5 }

然后确定正确的NS,使得最终的NP不得小于NP,MIN。有的时候最终的NP比NP,MIN大得多,这就需要更换一个大的磁芯,或者在无法更换磁芯时,则通过增加KP值来减小LP,这样,最终的初级侧匝数也会减小。


$ h2 A9 g) s: n& ^

辅助绕组匝数


9 X1 @, v$ G! F) Y2 J' D# c

其中,VDD为辅助绕组整流后的电压,VDB为偏置绕组整流管正向电压;

9 v% n% `0 |5 P' |1 k

考虑到系统在满载和空载转变瞬间,由于能量瞬间导致VDD下冲误触发UVLO,在系统允许的输入电压范围内且输出为空载时,建议VDD 按13V来计算。


) n3 t2 x; \9 S' L! @

确定磁芯气隙长度:   


) ^% }( R2 J% x+ e


$ [+ n) h) l. ~" @) G

其中,Lg单位为毫米,Ae单位为平方厘米,AL为无间隙情况下的AL值,单位为纳亨/圈2,LP单位为微亨。


0 n+ j$ R6 L7 P" \" [+ z

通常不推荐对中心柱气隙磁芯使用小于0.1 mm的值,因为这样会导致初级电感量容差增大。如果您需要使用小于0.1 mm的Lg值,请咨询变压器供应商以获得指导。

4 p+ j; w; t5 ?. D1 J

15.根据有效值电流来确定每个绕组的导线直径。

4 T5 t" g. J8 {( C+ x

) x9 `, `5 g5 }+ P! Q$ D

当导线很长时(>1m),电流密度可以取5A/mm2。当导线较短且匝数较少时,6~10A/mm2的电流密度也是可取的。应避免使用直径大于1mm的导线,防止产生严重的涡流损耗并使绕线更加容易。对于大电流输出,最好采用多股细线并绕的方式绕制,减小集肤效应的影响。

* i* ?" u8 f) y, ^' _3 Y: u

检查一下磁芯的绕组窗口面积是否足以容纳导线。所需的窗口面积由以下公式给出:

/ V/ ]# a  t8 t6 B4 w4 P, Z

4 J, k2 f( p3 L1 ~: Y1 A$ t

; P( o# R1 s" Y" f9 S; Q

式中,AC为实际的导体面积,KF为填充系数。填充系数通常为0.2~0.3。


/ ^% D& i5 Z. D# ~9 i! r& z

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