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最全开关电源变压器的计算公式,给大家整理好了

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发表于 2022-4-21 16:13:14 | 显示全部楼层 |阅读模式
本帖最后由 思睿达小妹妹 于 2022-4-21 16:37 编辑 / p! y9 P- W+ k# l, E" k. K9 n

' B$ Z4 C& L/ m& p( @

在电子专业里,经常能看到变压器的身影,变压器是一种供电所常用的机器,它的主要作用是改变电压。变压器的工作原理其实很简单,就是通过电磁感应让交流电的电压发生改变。其主要构件包括初级线圈、次级线圈、铁芯。其实变压器的作用不只是改变电压那么简单,它的作用还包括电压变换电流变化等。


( `7 a- {2 w1 A4 N* f
: k6 }- p0 h; x
) X" O; Z4 k  P6 m% R

接下来,小编为大家整理了开关电源变压器相关的计算公式,赶紧收藏起来吧!

2 Y9 `& C' w. ^! b* |0 C4 {5 G/ [0 H

1、确定系统规格


) O9 l0 L. @- |5 G; K( e) B9 ^
& Z6 C/ B* g& e* I- r" N# P

最小AC输入电压:VACMIN,单位:伏特。


: D, V. U9 C+ K) b) L

最大AC输入电压:VACMAX,单位:伏特。


& ~) a2 _; d7 r0 J

输入电压频率:fL,50Hz或者60Hz。

2 X2 C3 q9 o  \* h7 R

输出电压:VO,单位:伏特。

" `5 u6 v! y2 Y8 t. [  y& o

最大负载电流:IO,单位:安培。


" |* n4 |: s( O6 w& g4 j2 a* n9 f+ {

输出功率:PO,单位:瓦特。

3 g( |$ N& t- p: l, S

电源效率:η,如无数据可供参考,则对于低电压输出(低于6V)应用和高电压输出应用,应分别将η设定为0.75~0.79和0.8~0.89。

计算最大输入功率:PIN,单位:瓦特。

* T# Y; q8 o& i3 g3 I' `
8 n8 s+ Q" [2 B( n/ i) ]. k
) x4 s- E# k: f6 [1 [

2、直流电压范围(VMIN、VMAX)


' B% d- O: G' Z5 E

最小直流输入电压VMIN

- O! u& ~6 o' @
; r/ e  {& K) z' P; l; U! W

其中,

! `# x, j. F: G( o

fL为输入交流电压频率(50Hz/60Hz);

tC为桥式整流大额导通时间,如无数据可供参考,则取3ms;

所有单位分别为伏特、瓦特、赫兹、秒、法拉第。

最大直流输入电压VMAX

3 f* B$ A1 N/ c8 a7 n

3、相应工作模式和定义电流波形参数KP


4 H; L- m: m- |! ^
! ?' y; y8 ^! R: J6 {

图2.2 电流波形与工作模式

当KP≤1,连续模式,如图2.2a;

- S8 C2 j1 i8 c0 L% I


& b9 l5 ~! \- ?" R6 u% r

其中:IR为初级纹波电流,IP为初级峰值电流。


2 Z9 Z5 T8 _- {: r( U" L2 T! E4 Q

当KP≥1,非连续模式,如图2.2b;

5 a6 J- [8 e  d  m0 f% I6 [( S' ?; d; u

在连续模式设计中,宽电压输入时,设定KP=0.4;230V单电压或者115V倍压整流输入时,设定KP=0.6。在非连续模式设计中,设定KP=1。


8 d6 w" W$ A& }* M& O: n

4、确定反射的输出电压VOR和最大占空比DMAX


% l( ?  L0 ~( a- z1 V1 n8 B, I) n8 V/ `' x/ C8 M- V  R& b

反射电压VOR设定在80V~110V。


$ Q5 M0 X! j8 H) g( W) [$ `3 n2 n' m

连续模式时计算DMAX:

$ f) \" Z' K) \+ X; ]2 F. n! G

非连续模式时计算DMAX:

5 V: [# P# X* F

其中,设定CR5842外接功率MOSFET漏极和源极VDS=10V。


7 q- V- j4 n6 [" [( [

5、用产品手册选择磁芯材料,确定ΔB大小

3 U( a, S( J6 Z/ Q
: E+ H5 `$ d* k$ l1 L

选择有磁芯材料应该考虑高Bs,低损耗及高ui 材料,还要结合成本考量;见意选项用PC40以上的材质。为了防止出现瞬态饱和效应以低ΔB设计:

+ P9 M  O4 ~- D. B3 q" h


% Q( y: [+ k' i! W8 f  x+ W8 E& n0 Z- p  v# N: ~: T; E* w' o9 C
; s% Z8 j  a- J( ^6 c' I

式中:ΔB为最大磁通密度摆幅,Bs为饱和磁通密度,Br为剩磁,BM为最大磁通密度,一般取在0.2~0.3范围之内,若BM>0.3T,需增加磁芯的横截面积或增加初级匝数NP,范围之内。如BM<0.2T,就应选择尺寸较小的磁芯或减小初级匝数NP值。

8 G4 N- B1 m( F" \% C

6、确定合适的磁芯

, b  ^! T- O' z5 N+ z# Z

实际上,磁芯的初始选择肯定是很粗略的,因为变量太多了。选择合适磁芯的方法之一是查阅制造商提供的磁芯选择指南。如果没有可参考资料,可采用下面作为参考。   

                       


- K; C$ b2 j& K/ K; W& d& ~" I! ~

2 i- K* B' o5 F  D% _# X( Q

传递功率:

$ A  L9 W+ P1 E

电流密度:

# c# X) d% _: d1 H" c; q4 {

绕组系数:

; x" y6 [% Y& @+ `$ N) |

式中,AP单位为mm4,Aw为窗口面积,Ae为磁芯的截面积,如图2.3。ΔB为正常操作状态下的最大磁通密度(单位:特拉斯(T))。为了防止磁芯因高温而瞬间出现磁饱和,对于大多数功率铁氧体磁芯的尺寸越大Ae越高,所做的功率就越大。

3 W  x: l& M' d& ]


8 e  i2 U, z' f9 `& x4 L

图2.3:磁芯窗口面积和截面积


( y/ @6 ], ?; v' v% `

7、估算DCM/CCM临界电流IOB


7 d( X; y+ q4 H9 l- I' j0 u; d! j( W! u. ^4 }* g

8、计算初级绕组与次级绕组匝数比


1 U! v* J9 p  X6 R+ S* y- {& x, K& B$ b8 v& z2 G

其中,NP和NS分别为初级侧和次级侧匝数。VO为输出电压,VF为二极管正向电压:对超快速PN结二极管选取0.7V,肖特基二极管选取0.5V。VDCMIN为最小输入直流电压,DMAX为设置的最大占空比, VOR 为反射电压。


' B% T( V% s5 M2 M4 U

9、计算DCM/CCM临界时副边峰值电流ΔISB:


4 O( N; H. e) N% r

10、计算CCM状态下副边峰值电流ΔISP:

+ {! C/ i; L/ Y5 R. D2 Z3 f- ^+ ~

11、计算CCM状态时原边峰值电流ΔIPP:


+ Y5 M4 d9 [: r& Z8 D6 I5 h

12、计算副边电感LS及原边电感LP:


% X+ x3 z3 W* d# n9 m


: Z8 _1 H4 A8 d7 b: D8 a

由于此电感值为临界电感,若需要电路工作于CCM则可增大此电感值,若需要工作于DCM则可适当调小此电感值。


. G9 e% w' n' ~6 S

13、确定原边最小NP匝数与副边NS匝数:

其中单位分别为特拉斯、安培、微亨、平方厘米,,如无参考数据,则使用

以特拉斯(T)为单位。

" O. I* i: {% N  d4 e1 C) _

14、次级绕组和辅助绕组

$ R( x9 g0 z2 J3 h

初级绕组与次级绕组匝数比:

+ }, o2 n7 l0 P# l4 l

其中,NP和NS分别为初级侧和次级侧匝数。VO为输出电压,VD为二极管正向电压:对超快速PN结二极管选取0.7V,肖特基二极管选取0.5V。

. H+ J3 C& t2 H+ J, S

然后确定正确的NS,使得最终的NP不得小于NP,MIN。有的时候最终的NP比NP,MIN大得多,这就需要更换一个大的磁芯,或者在无法更换磁芯时,则通过增加KP值来减小LP,这样,最终的初级侧匝数也会减小。

! V7 w- W' |4 Z9 r4 Q

辅助绕组匝数


) A+ o5 _; K- I# U( a- b

其中,VDD为辅助绕组整流后的电压,VDB为偏置绕组整流管正向电压;

' u9 f7 w  }9 n5 |+ d) L/ D+ v

考虑到系统在满载和空载转变瞬间,由于能量瞬间导致VDD下冲误触发UVLO,在系统允许的输入电压范围内且输出为空载时,建议VDD 按13V来计算。


7 K! s7 @2 X  J; N+ p. S2 q+ G

确定磁芯气隙长度:   


9 ]5 P' v1 g/ _# Q8 U# Y: v

. I/ y/ c% N; R4 x& o

其中,Lg单位为毫米,Ae单位为平方厘米,AL为无间隙情况下的AL值,单位为纳亨/圈2,LP单位为微亨。

1 [( ]* @" P. C: ~5 c0 B( M" c) D

通常不推荐对中心柱气隙磁芯使用小于0.1 mm的值,因为这样会导致初级电感量容差增大。如果您需要使用小于0.1 mm的Lg值,请咨询变压器供应商以获得指导。

0 l7 z" u. L% L7 g/ I7 x2 w

15.根据有效值电流来确定每个绕组的导线直径。


' T3 l$ [# {$ }% Y; E# P5 Z6 ?9 |/ O1 R' E3 Z8 r( I3 J

当导线很长时(>1m),电流密度可以取5A/mm2。当导线较短且匝数较少时,6~10A/mm2的电流密度也是可取的。应避免使用直径大于1mm的导线,防止产生严重的涡流损耗并使绕线更加容易。对于大电流输出,最好采用多股细线并绕的方式绕制,减小集肤效应的影响。


4 A" W% V# D9 K* P$ R: c, G3 X

检查一下磁芯的绕组窗口面积是否足以容纳导线。所需的窗口面积由以下公式给出:


2 j/ m: m5 k9 C* p

, }7 c2 T' _+ v* y8 h+ P; g

2 {: y6 [/ N: W3 A1 T5 h

式中,AC为实际的导体面积,KF为填充系数。填充系数通常为0.2~0.3。


" j+ d! i8 Y/ w# C! n" u

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