本帖最后由 思睿达小妹妹 于 2022-4-21 16:37 编辑
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# X: a1 \- ]. k4 k0 W2 S& r9 k在电子专业里,经常能看到变压器的身影,变压器是一种供电所常用的机器,它的主要作用是改变电压。变压器的工作原理其实很简单,就是通过电磁感应让交流电的电压发生改变。其主要构件包括初级线圈、次级线圈、铁芯。其实变压器的作用不只是改变电压那么简单,它的作用还包括电压变换电流变化等。 - o, p F3 x+ T! V J4 m: j
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7 @; y* R- }& V' n0 W6 V接下来,小编为大家整理了开关电源变压器相关的计算公式,赶紧收藏起来吧!
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1、确定系统规格 8 c* K( [% Z; V; B6 k2 `
- }7 _0 `/ i+ N, K+ ]$ ?
最小AC输入电压:VACMIN,单位:伏特。
4 m4 @3 I1 F8 x. l7 c- f
最大AC输入电压:VACMAX,单位:伏特。
" h) @& R d+ L/ u" B
输入电压频率:fL,50Hz或者60Hz。 8 m5 m7 A6 b% o3 a- H
输出电压:VO,单位:伏特。 , C% J' ^# T, [8 o: b
最大负载电流:IO,单位:安培。 : Z6 h) H9 ~9 Q: ^
输出功率:PO,单位:瓦特。 ( Q' R- o8 k4 |6 _( i
电源效率:η,如无数据可供参考,则对于低电压输出(低于6V)应用和高电压输出应用,应分别将η设定为0.75~0.79和0.8~0.89。 计算最大输入功率:PIN,单位:瓦特。 $ n7 a+ n/ |( r: g; Q
0 F3 E- }. k4 g9 m8 g5 P1 Z# D
+ V; \7 T2 Y: H5 U; ?# @3 M9 s2、直流电压范围(VMIN、VMAX) % ?5 u8 I) T3 C% }5 Y
最小直流输入电压VMIN
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其中,
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fL为输入交流电压频率(50Hz/60Hz); tC为桥式整流大额导通时间,如无数据可供参考,则取3ms; 所有单位分别为伏特、瓦特、赫兹、秒、法拉第。 最大直流输入电压VMAX
# G: \8 T4 P% ?6 c9 r: d+ v& |3、相应工作模式和定义电流波形参数KP & |# s1 b# N8 I: e
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图2.2 电流波形与工作模式 当KP≤1,连续模式,如图2.2a;
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# |: w H8 ?3 F( \8 n4 {* I( }其中:IR为初级纹波电流,IP为初级峰值电流。
( w( K2 Y: a$ }6 M7 J
当KP≥1,非连续模式,如图2.2b; % \( d" J& p; _
在连续模式设计中,宽电压输入时,设定KP=0.4;230V单电压或者115V倍压整流输入时,设定KP=0.6。在非连续模式设计中,设定KP=1。
' y. [/ d# j$ ]" ?$ v1 p
4、确定反射的输出电压VOR和最大占空比DMAX
: V3 I" S; \& T% ]- ?: E; `) T# y$ B" u3 |) w1 H
反射电压VOR设定在80V~110V。 2 H6 V* v: ~/ `8 t2 b9 @/ ?
连续模式时计算DMAX: 5 x3 e' [0 j5 }5 T, m
非连续模式时计算DMAX:
h2 \4 C J' s2 y4 @0 _* j其中,设定CR5842外接功率MOSFET漏极和源极VDS=10V。 6 p w4 s9 p- S" l5 Y m/ l$ N
5、用产品手册选择磁芯材料,确定ΔB大小
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选择有磁芯材料应该考虑高Bs,低损耗及高ui 材料,还要结合成本考量;见意选项用PC40以上的材质。为了防止出现瞬态饱和效应以低ΔB设计: # X7 o( g/ S' Y: u( Z6 c6 y K
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7 X1 L6 Q* H* |- J/ y. k7 X式中:ΔB为最大磁通密度摆幅,Bs为饱和磁通密度,Br为剩磁,BM为最大磁通密度,一般取在0.2~0.3范围之内,若BM>0.3T,需增加磁芯的横截面积或增加初级匝数NP,范围之内。如BM<0.2T,就应选择尺寸较小的磁芯或减小初级匝数NP值。 ( I! a2 m8 U1 a4 t1 U
6、确定合适的磁芯 9 c, L* q9 V; U* K9 h1 |$ ^: V
实际上,磁芯的初始选择肯定是很粗略的,因为变量太多了。选择合适磁芯的方法之一是查阅制造商提供的磁芯选择指南。如果没有可参考资料,可采用下面作为参考。
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传递功率:
* a. {/ x/ c! I( J电流密度: 1 _6 z# j6 d5 x) n: E; i
绕组系数:
& f5 ?- e+ j; A. ^7 f4 k! T式中,AP单位为mm4,Aw为窗口面积,Ae为磁芯的截面积,如图2.3。ΔB为正常操作状态下的最大磁通密度(单位:特拉斯(T))。为了防止磁芯因高温而瞬间出现磁饱和,对于大多数功率铁氧体磁芯的尺寸越大Ae越高,所做的功率就越大。 3 U3 y& c0 J0 F# R, B3 z5 R0 e
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图2.3:磁芯窗口面积和截面积 " C+ k% S7 ^& H, W
7、估算DCM/CCM临界电流IOB
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8、计算初级绕组与次级绕组匝数比 ; P& P/ P$ J$ H3 {( o3 k5 }9 {
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其中,NP和NS分别为初级侧和次级侧匝数。VO为输出电压,VF为二极管正向电压:对超快速PN结二极管选取0.7V,肖特基二极管选取0.5V。VDCMIN为最小输入直流电压,DMAX为设置的最大占空比, VOR 为反射电压。 7 w+ p/ {1 }& [
9、计算DCM/CCM临界时副边峰值电流ΔISB: % p3 D- I) D, Z1 b- x
10、计算CCM状态下副边峰值电流ΔISP:
8 o u% f# v9 n" s# \! ^6 K11、计算CCM状态时原边峰值电流ΔIPP:
9 i9 Q1 k; F7 q4 A# Q) |0 x) H12、计算副边电感LS及原边电感LP:
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由于此电感值为临界电感,若需要电路工作于CCM则可增大此电感值,若需要工作于DCM则可适当调小此电感值。 1 d9 Y; O4 f2 ~7 J M n
13、确定原边最小NP匝数与副边NS匝数: 其中单位分别为特拉斯、安培、微亨、平方厘米,,如无参考数据,则使用 以特拉斯(T)为单位。 0 V( `! q5 _8 P* C f# Q) e
14、次级绕组和辅助绕组
+ T1 h. a5 _$ c5 l4 E; h初级绕组与次级绕组匝数比:
0 R5 V; E: i+ `/ A4 `6 V' j其中,NP和NS分别为初级侧和次级侧匝数。VO为输出电压,VD为二极管正向电压:对超快速PN结二极管选取0.7V,肖特基二极管选取0.5V。 / E/ U0 `( X% ]/ ]9 f: E, N
然后确定正确的NS,使得最终的NP不得小于NP,MIN。有的时候最终的NP比NP,MIN大得多,这就需要更换一个大的磁芯,或者在无法更换磁芯时,则通过增加KP值来减小LP,这样,最终的初级侧匝数也会减小。
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辅助绕组匝数
. a( y' ^. `" ^2 }6 u其中,VDD为辅助绕组整流后的电压,VDB为偏置绕组整流管正向电压; & h4 s! ` [* c- G. c0 P$ e
考虑到系统在满载和空载转变瞬间,由于能量瞬间导致VDD下冲误触发UVLO,在系统允许的输入电压范围内且输出为空载时,建议VDD 按13V来计算。
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确定磁芯气隙长度: * N3 F: n# K# D4 ]5 l
6 D/ l3 \1 @; w* M- b9 o其中,Lg单位为毫米,Ae单位为平方厘米,AL为无间隙情况下的AL值,单位为纳亨/圈2,LP单位为微亨。
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通常不推荐对中心柱气隙磁芯使用小于0.1 mm的值,因为这样会导致初级电感量容差增大。如果您需要使用小于0.1 mm的Lg值,请咨询变压器供应商以获得指导。 . x; t5 y0 x, ?, q6 g
15.根据有效值电流来确定每个绕组的导线直径。 " C( b K2 c. V
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当导线很长时(>1m),电流密度可以取5A/mm2。当导线较短且匝数较少时,6~10A/mm2的电流密度也是可取的。应避免使用直径大于1mm的导线,防止产生严重的涡流损耗并使绕线更加容易。对于大电流输出,最好采用多股细线并绕的方式绕制,减小集肤效应的影响。
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检查一下磁芯的绕组窗口面积是否足以容纳导线。所需的窗口面积由以下公式给出: ) [) x" j+ K2 ^9 v4 R
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% `: k" P) H5 x8 e" K+ K* B& ]2 ]式中,AC为实际的导体面积,KF为填充系数。填充系数通常为0.2~0.3。
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