本帖最后由 思睿达小妹妹 于 2022-4-21 16:37 编辑 % D0 G0 o9 W& {9 W: e. e- n
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在电子专业里,经常能看到变压器的身影,变压器是一种供电所常用的机器,它的主要作用是改变电压。变压器的工作原理其实很简单,就是通过电磁感应让交流电的电压发生改变。其主要构件包括初级线圈、次级线圈、铁芯。其实变压器的作用不只是改变电压那么简单,它的作用还包括电压变换电流变化等。 ; z2 ]7 U0 B7 s6 l; R4 g
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S7 H# P, U& S2 ~# z. r接下来,小编为大家整理了开关电源变压器相关的计算公式,赶紧收藏起来吧! / n% U; H8 B; E; ^& Y# M
1、确定系统规格
" L R! m' n, @: F7 d" x' q M0 o2 i& t. L
最小AC输入电压:VACMIN,单位:伏特。
2 m* r) l6 N4 L4 X2 ^
最大AC输入电压:VACMAX,单位:伏特。 0 y. Z/ U2 L9 K
输入电压频率:fL,50Hz或者60Hz。 1 Q/ y: Y0 Q, b
输出电压:VO,单位:伏特。 0 P" ?1 X6 S3 ^" q
最大负载电流:IO,单位:安培。
' O# i3 U- W# S4 L
输出功率:PO,单位:瓦特。 1 [1 _8 k$ f. a% v" B
电源效率:η,如无数据可供参考,则对于低电压输出(低于6V)应用和高电压输出应用,应分别将η设定为0.75~0.79和0.8~0.89。 计算最大输入功率:PIN,单位:瓦特。 ( q, f0 B0 q' |6 j# b9 \, {
1 z* i; u! O* i% d L9 e' U+ D6 l. I5 u
2、直流电压范围(VMIN、VMAX)
3 ?5 ~ C$ T- t+ K最小直流输入电压VMIN
7 }% F$ [0 ~+ s% Q4 Z
, a! t) h9 [6 F其中, $ K8 C8 e5 M2 m- K
fL为输入交流电压频率(50Hz/60Hz); tC为桥式整流大额导通时间,如无数据可供参考,则取3ms; 所有单位分别为伏特、瓦特、赫兹、秒、法拉第。 最大直流输入电压VMAX
. O5 @- U9 W, h% \$ w, w( ]& G( O3、相应工作模式和定义电流波形参数KP
7 G2 l T# L) ]7 o6 v! K
$ f( ~0 m2 ^+ V) d! J图2.2 电流波形与工作模式 当KP≤1,连续模式,如图2.2a;
$ F4 Q1 D1 M1 i
5 J% G$ h; e7 C# G' t其中:IR为初级纹波电流,IP为初级峰值电流。
# i T, S* `; L# I+ O- B
当KP≥1,非连续模式,如图2.2b;
( r) D7 O! r) H在连续模式设计中,宽电压输入时,设定KP=0.4;230V单电压或者115V倍压整流输入时,设定KP=0.6。在非连续模式设计中,设定KP=1。 ( j' A1 K8 X/ A+ A% x# ^1 i2 F
4、确定反射的输出电压VOR和最大占空比DMAX
3 U x* r( o7 r) v- ?8 _! _
" R) ?' |7 q# `# P, ` R, z反射电压VOR设定在80V~110V。 : j, r; p" F$ [% g$ {1 ]8 w
连续模式时计算DMAX: / }! S4 X, m& r- Z* z8 s
非连续模式时计算DMAX:
9 v5 o) ~6 @, W5 w其中,设定CR5842外接功率MOSFET漏极和源极VDS=10V。 " ?- } K$ r/ [; @
5、用产品手册选择磁芯材料,确定ΔB大小 5 o8 k5 ?6 T0 s0 r o( F
) ~$ {& L- n) V! p" z
选择有磁芯材料应该考虑高Bs,低损耗及高ui 材料,还要结合成本考量;见意选项用PC40以上的材质。为了防止出现瞬态饱和效应以低ΔB设计: 0 \* \9 ~4 [) l' |6 s% p1 n
9 D+ d8 Y- |; C' F1 [
b& E( c* |9 T7 l6 a
8 r' y. R, t8 ~; `7 b# H式中:ΔB为最大磁通密度摆幅,Bs为饱和磁通密度,Br为剩磁,BM为最大磁通密度,一般取在0.2~0.3范围之内,若BM>0.3T,需增加磁芯的横截面积或增加初级匝数NP,范围之内。如BM<0.2T,就应选择尺寸较小的磁芯或减小初级匝数NP值。 . P- R/ O, r9 w, L r( }) ^( A1 f" G
6、确定合适的磁芯
) m" }; q/ F6 O# l# I5 G实际上,磁芯的初始选择肯定是很粗略的,因为变量太多了。选择合适磁芯的方法之一是查阅制造商提供的磁芯选择指南。如果没有可参考资料,可采用下面作为参考。
K y" e' B: I' n0 u2 l2 z
" |% ~% Q+ S P9 H* L
传递功率:
3 x% n0 T6 F# G. G1 O7 f; O+ `电流密度:
, ^ a$ p6 T4 O) ]* P, S绕组系数: 8 Y' h; m$ W" V7 ]' E) v; N
式中,AP单位为mm4,Aw为窗口面积,Ae为磁芯的截面积,如图2.3。ΔB为正常操作状态下的最大磁通密度(单位:特拉斯(T))。为了防止磁芯因高温而瞬间出现磁饱和,对于大多数功率铁氧体磁芯的尺寸越大Ae越高,所做的功率就越大。
1 I+ [- b1 B5 d7 C5 D: d0 A
3 B. p! w; T& J' a5 G& ?/ j$ D6 B
图2.3:磁芯窗口面积和截面积 7 _# f$ G+ a1 N* O/ h" `# u5 B+ D. u
7、估算DCM/CCM临界电流IOB , `$ D, d) @3 L
, P- x9 u2 L+ w! O1 H4 h
8、计算初级绕组与次级绕组匝数比
9 @2 C, u8 }0 r+ U1 ?* a; x$ Y% E2 f% N4 [
其中,NP和NS分别为初级侧和次级侧匝数。VO为输出电压,VF为二极管正向电压:对超快速PN结二极管选取0.7V,肖特基二极管选取0.5V。VDCMIN为最小输入直流电压,DMAX为设置的最大占空比, VOR 为反射电压。
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9、计算DCM/CCM临界时副边峰值电流ΔISB:
/ }8 n: v# \ X0 k9 w% j' J% u* v10、计算CCM状态下副边峰值电流ΔISP:
0 C5 _5 Z! E6 `$ F/ ]) m" P" W11、计算CCM状态时原边峰值电流ΔIPP: ( E2 h) C" H6 x( F5 B
12、计算副边电感LS及原边电感LP:
, ~4 n0 K2 v: H9 u9 [6 X8 R- }2 P5 R0 |, n
由于此电感值为临界电感,若需要电路工作于CCM则可增大此电感值,若需要工作于DCM则可适当调小此电感值。 5 @) z) o9 \7 G! [( E9 a
13、确定原边最小NP匝数与副边NS匝数: 其中单位分别为特拉斯、安培、微亨、平方厘米,,如无参考数据,则使用 以特拉斯(T)为单位。 * ]) \, X: P' \* g4 `2 G+ R' l
14、次级绕组和辅助绕组
' Q* G( b' v2 T初级绕组与次级绕组匝数比: - C) l* s4 J+ V- }0 e, V. I6 f
其中,NP和NS分别为初级侧和次级侧匝数。VO为输出电压,VD为二极管正向电压:对超快速PN结二极管选取0.7V,肖特基二极管选取0.5V。
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然后确定正确的NS,使得最终的NP不得小于NP,MIN。有的时候最终的NP比NP,MIN大得多,这就需要更换一个大的磁芯,或者在无法更换磁芯时,则通过增加KP值来减小LP,这样,最终的初级侧匝数也会减小。 0 T8 ^$ o, `9 a/ e3 j: R
辅助绕组匝数
4 y: L( B) K+ B, E) \0 j其中,VDD为辅助绕组整流后的电压,VDB为偏置绕组整流管正向电压;
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考虑到系统在满载和空载转变瞬间,由于能量瞬间导致VDD下冲误触发UVLO,在系统允许的输入电压范围内且输出为空载时,建议VDD 按13V来计算。 ! x; W8 ?3 x; T" t1 T& C: a) q3 g
确定磁芯气隙长度: ) s7 X/ O6 F* R5 L/ L7 P
; M7 [: A; G, S) b4 g
其中,Lg单位为毫米,Ae单位为平方厘米,AL为无间隙情况下的AL值,单位为纳亨/圈2,LP单位为微亨。
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通常不推荐对中心柱气隙磁芯使用小于0.1 mm的值,因为这样会导致初级电感量容差增大。如果您需要使用小于0.1 mm的Lg值,请咨询变压器供应商以获得指导。
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15.根据有效值电流来确定每个绕组的导线直径。
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( ?: T9 ]' h1 C4 \% t2 w当导线很长时(>1m),电流密度可以取5A/mm2。当导线较短且匝数较少时,6~10A/mm2的电流密度也是可取的。应避免使用直径大于1mm的导线,防止产生严重的涡流损耗并使绕线更加容易。对于大电流输出,最好采用多股细线并绕的方式绕制,减小集肤效应的影响。
. x0 J' u, h3 i4 U. `* d6 M
检查一下磁芯的绕组窗口面积是否足以容纳导线。所需的窗口面积由以下公式给出: % w( x3 a- n. ^1 ?% w" A
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" l8 I4 y0 M5 J' J式中,AC为实际的导体面积,KF为填充系数。填充系数通常为0.2~0.3。
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