本帖最后由 思睿达小妹妹 于 2022-4-21 16:37 编辑 & I6 }% p. [2 ?
: s( ]& C1 f8 y% z _- q在电子专业里,经常能看到变压器的身影,变压器是一种供电所常用的机器,它的主要作用是改变电压。变压器的工作原理其实很简单,就是通过电磁感应让交流电的电压发生改变。其主要构件包括初级线圈、次级线圈、铁芯。其实变压器的作用不只是改变电压那么简单,它的作用还包括电压变换电流变化等。 ' S! Q7 e/ {* k S9 S1 m
8 s, }( A1 Z' ?, v, R
: T* P }1 M9 ~6 r- \$ r7 ?
接下来,小编为大家整理了开关电源变压器相关的计算公式,赶紧收藏起来吧!
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1、确定系统规格
4 g6 q- q5 Z: T# r# a
' z' I- M8 k" S' `- K! a5 X8 v0 _3 w6 a最小AC输入电压:VACMIN,单位:伏特。
$ T2 N2 l' K3 j8 {! Z
最大AC输入电压:VACMAX,单位:伏特。
6 [' M6 Q6 z# @+ x1 s
输入电压频率:fL,50Hz或者60Hz。 $ u9 A" X C4 C5 O% N/ Z
输出电压:VO,单位:伏特。 6 @5 P: Z4 A7 |: k3 w+ p( @$ b
最大负载电流:IO,单位:安培。 3 k% U; ~% l8 N {
输出功率:PO,单位:瓦特。 : Z% ]8 c3 y) K) ?
电源效率:η,如无数据可供参考,则对于低电压输出(低于6V)应用和高电压输出应用,应分别将η设定为0.75~0.79和0.8~0.89。 计算最大输入功率:PIN,单位:瓦特。
7 G4 Y D/ f* Y; @ i* h1 J! L. a
* G- Q/ z& h0 G# o% @& N# r# ~2、直流电压范围(VMIN、VMAX) 4 N7 P+ t; n! u5 B# ]) _
最小直流输入电压VMIN - t+ J6 J, x$ e: d' c. U5 }4 p# b
- n$ a: U" a- X( s! }/ H其中, 2 x, H& [# n8 z/ V# X1 w
fL为输入交流电压频率(50Hz/60Hz); tC为桥式整流大额导通时间,如无数据可供参考,则取3ms; 所有单位分别为伏特、瓦特、赫兹、秒、法拉第。 最大直流输入电压VMAX ! l0 S4 P5 V$ {9 e% _6 P
3、相应工作模式和定义电流波形参数KP
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! d0 y0 L* r/ N. b图2.2 电流波形与工作模式 当KP≤1,连续模式,如图2.2a; / e0 r" r8 y2 k; Q5 w9 Y
' t; [8 e" [# C" ]+ L
其中:IR为初级纹波电流,IP为初级峰值电流。 8 L3 P; T3 ~# o
当KP≥1,非连续模式,如图2.2b;
. A0 D5 r0 O; O" Y) c在连续模式设计中,宽电压输入时,设定KP=0.4;230V单电压或者115V倍压整流输入时,设定KP=0.6。在非连续模式设计中,设定KP=1。 , Y/ z& h/ N" D% `& m
4、确定反射的输出电压VOR和最大占空比DMAX 4 N% }: n4 @. {* h
" L4 D* H5 J8 s, _$ i1 f% M' D
反射电压VOR设定在80V~110V。 7 A' `3 H$ E8 c
连续模式时计算DMAX:
0 Y; x" P2 j. o+ `$ @+ O& N非连续模式时计算DMAX: & \/ B: I7 Q' z7 Q3 f' e
其中,设定CR5842外接功率MOSFET漏极和源极VDS=10V。
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5、用产品手册选择磁芯材料,确定ΔB大小 4 ~, ~( M! w6 l( q1 ?+ A) w6 o# K
$ ^7 B4 _3 {7 X. _) K" H# y7 ]选择有磁芯材料应该考虑高Bs,低损耗及高ui 材料,还要结合成本考量;见意选项用PC40以上的材质。为了防止出现瞬态饱和效应以低ΔB设计: . F P" _4 a) y6 u
# g, I3 K6 ~9 s0 ]. P! r6 E0 N- F/ i* q
0 `6 g$ I! C7 _式中:ΔB为最大磁通密度摆幅,Bs为饱和磁通密度,Br为剩磁,BM为最大磁通密度,一般取在0.2~0.3范围之内,若BM>0.3T,需增加磁芯的横截面积或增加初级匝数NP,范围之内。如BM<0.2T,就应选择尺寸较小的磁芯或减小初级匝数NP值。 4 M7 |/ a$ l3 _+ J
6、确定合适的磁芯 & ^! U5 g9 l$ |1 Z+ L/ q% a
实际上,磁芯的初始选择肯定是很粗略的,因为变量太多了。选择合适磁芯的方法之一是查阅制造商提供的磁芯选择指南。如果没有可参考资料,可采用下面作为参考。 9 a0 @; D3 N# F; M) ?
6 z' U" F2 g+ z# N3 X% a" r$ z# Q p
传递功率: : [, I, e/ K0 u! t+ _3 G9 A; N" V _
电流密度: 3 `# a7 T: g( o! ~- {& J2 n% X
绕组系数: . B* { p9 w' U$ `' n; L8 @ P4 X- p
式中,AP单位为mm4,Aw为窗口面积,Ae为磁芯的截面积,如图2.3。ΔB为正常操作状态下的最大磁通密度(单位:特拉斯(T))。为了防止磁芯因高温而瞬间出现磁饱和,对于大多数功率铁氧体磁芯的尺寸越大Ae越高,所做的功率就越大。
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- k' Y7 \- a. D0 b" z; }图2.3:磁芯窗口面积和截面积 ' X' s- Z+ Y4 `4 x+ v
7、估算DCM/CCM临界电流IOB J$ S* I- J& E4 g/ q3 l
4 M' A$ Y! ^5 X8、计算初级绕组与次级绕组匝数比 9 z: Q: z% E! ~/ h) M
) i# H! B2 ^! t2 W/ f其中,NP和NS分别为初级侧和次级侧匝数。VO为输出电压,VF为二极管正向电压:对超快速PN结二极管选取0.7V,肖特基二极管选取0.5V。VDCMIN为最小输入直流电压,DMAX为设置的最大占空比, VOR 为反射电压。 3 ?. A; t. V% A- x$ }; y
9、计算DCM/CCM临界时副边峰值电流ΔISB: 0 c% O3 k+ v- W
10、计算CCM状态下副边峰值电流ΔISP:
1 l' {2 J. c' ?4 A9 Q- n11、计算CCM状态时原边峰值电流ΔIPP: ' x( L- w3 @, o+ ^% }8 A
12、计算副边电感LS及原边电感LP: 4 ]/ N: m$ [- `0 j* Y
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由于此电感值为临界电感,若需要电路工作于CCM则可增大此电感值,若需要工作于DCM则可适当调小此电感值。
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13、确定原边最小NP匝数与副边NS匝数: 其中单位分别为特拉斯、安培、微亨、平方厘米,,如无参考数据,则使用 以特拉斯(T)为单位。 U4 {8 U! ~- x4 m
14、次级绕组和辅助绕组
5 f$ |( X( s k* N初级绕组与次级绕组匝数比:
) g" o% ~8 F" L& s其中,NP和NS分别为初级侧和次级侧匝数。VO为输出电压,VD为二极管正向电压:对超快速PN结二极管选取0.7V,肖特基二极管选取0.5V。 . X# [0 D6 b3 O J9 k, k5 ]1 X! t
然后确定正确的NS,使得最终的NP不得小于NP,MIN。有的时候最终的NP比NP,MIN大得多,这就需要更换一个大的磁芯,或者在无法更换磁芯时,则通过增加KP值来减小LP,这样,最终的初级侧匝数也会减小。 " s. c4 K1 ^( D$ n' c; J& V, \4 v7 S
辅助绕组匝数
2 D2 U) Q; y7 h# T: _4 L: |8 z其中,VDD为辅助绕组整流后的电压,VDB为偏置绕组整流管正向电压; # H8 Y5 J' R9 p
考虑到系统在满载和空载转变瞬间,由于能量瞬间导致VDD下冲误触发UVLO,在系统允许的输入电压范围内且输出为空载时,建议VDD 按13V来计算。
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确定磁芯气隙长度: 3 p% [* h% \+ ^
. x7 E; D0 }/ h2 k: S
其中,Lg单位为毫米,Ae单位为平方厘米,AL为无间隙情况下的AL值,单位为纳亨/圈2,LP单位为微亨。
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通常不推荐对中心柱气隙磁芯使用小于0.1 mm的值,因为这样会导致初级电感量容差增大。如果您需要使用小于0.1 mm的Lg值,请咨询变压器供应商以获得指导。 6 I4 B; o, l& S7 ]/ `
15.根据有效值电流来确定每个绕组的导线直径。
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- i3 O0 R. M5 f6 j当导线很长时(>1m),电流密度可以取5A/mm2。当导线较短且匝数较少时,6~10A/mm2的电流密度也是可取的。应避免使用直径大于1mm的导线,防止产生严重的涡流损耗并使绕线更加容易。对于大电流输出,最好采用多股细线并绕的方式绕制,减小集肤效应的影响。
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检查一下磁芯的绕组窗口面积是否足以容纳导线。所需的窗口面积由以下公式给出:
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; w$ M4 m9 n. H) [, s x" }6 K式中,AC为实际的导体面积,KF为填充系数。填充系数通常为0.2~0.3。
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