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最全开关电源变压器的计算公式,给大家整理好了

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发表于 2022-4-21 16:13:14 | 显示全部楼层 |阅读模式
本帖最后由 思睿达小妹妹 于 2022-4-21 16:37 编辑 / B6 L3 B5 w) \/ e$ K+ ]* Q
7 K! g8 i% f" f& h/ e( M

在电子专业里,经常能看到变压器的身影,变压器是一种供电所常用的机器,它的主要作用是改变电压。变压器的工作原理其实很简单,就是通过电磁感应让交流电的电压发生改变。其主要构件包括初级线圈、次级线圈、铁芯。其实变压器的作用不只是改变电压那么简单,它的作用还包括电压变换电流变化等。

/ ?- \7 l$ h8 R- b
. T7 \% @  `5 I6 h( b' ]2 l
8 {1 D/ C! @3 w, R; W6 U6 R! t

接下来,小编为大家整理了开关电源变压器相关的计算公式,赶紧收藏起来吧!

4 h$ ~$ Z0 J5 w' F3 P

1、确定系统规格


: ?3 S9 X, [+ X/ n3 a* V5 G1 D8 q. u8 h" F7 Z

最小AC输入电压:VACMIN,单位:伏特。


0 S3 O9 r4 Q6 M3 F

最大AC输入电压:VACMAX,单位:伏特。

  l1 E9 X; Q5 C) u! t

输入电压频率:fL,50Hz或者60Hz。


( m, z* ]. Y$ |

输出电压:VO,单位:伏特。


% B* N% N" I1 Y% y) {" ]

最大负载电流:IO,单位:安培。


5 r- n* S3 x- K, I9 L/ {

输出功率:PO,单位:瓦特。


' V% q% p9 o- |  K% ~

电源效率:η,如无数据可供参考,则对于低电压输出(低于6V)应用和高电压输出应用,应分别将η设定为0.75~0.79和0.8~0.89。

计算最大输入功率:PIN,单位:瓦特。


7 `! G' J  P- ^
' ~" \& ~0 c/ B! Q$ N' t
5 x5 D8 ?. V+ ?7 Z

2、直流电压范围(VMIN、VMAX)


3 c: f; v% [# J( U3 G- U

最小直流输入电压VMIN

- C! d( g6 p% E; z5 z

8 f% [3 I1 _1 q' ?! F7 Z& |% Z

其中,


# Z, f& Y, `, T) C

fL为输入交流电压频率(50Hz/60Hz);

tC为桥式整流大额导通时间,如无数据可供参考,则取3ms;

所有单位分别为伏特、瓦特、赫兹、秒、法拉第。

最大直流输入电压VMAX

6 C# I9 f( d) a5 J; y+ `" |

3、相应工作模式和定义电流波形参数KP

7 u) @, F: |. s( j: c* n  N: l

9 F. R0 q/ _' h# E' }& Q

图2.2 电流波形与工作模式

当KP≤1,连续模式,如图2.2a;


3 J: d: f/ P/ X$ {4 R( U- {

7 Y& n( Y$ H6 J, s$ H) C

其中:IR为初级纹波电流,IP为初级峰值电流。


6 K5 W' b" d  q6 z0 Y

当KP≥1,非连续模式,如图2.2b;


7 \' K. s. V# ]0 ^

在连续模式设计中,宽电压输入时,设定KP=0.4;230V单电压或者115V倍压整流输入时,设定KP=0.6。在非连续模式设计中,设定KP=1。


  W9 @9 C( `$ A6 i, g9 B+ Q

4、确定反射的输出电压VOR和最大占空比DMAX


! ^. u4 Q+ B2 S: E9 I' R7 ?9 x/ K3 w$ K7 |$ u6 V8 |

反射电压VOR设定在80V~110V。


: _! G: `5 a: |0 c" p) f- O4 A# G

连续模式时计算DMAX:

" y; Q+ l  O9 e! C( u% S

非连续模式时计算DMAX:


* W$ A/ \* P' @; d

其中,设定CR5842外接功率MOSFET漏极和源极VDS=10V。

6 a% \% i) L5 X) O% j4 Y

5、用产品手册选择磁芯材料,确定ΔB大小


2 I' I# ~$ d* t6 ^, o
! w- W9 q( t* b5 |3 U9 F

选择有磁芯材料应该考虑高Bs,低损耗及高ui 材料,还要结合成本考量;见意选项用PC40以上的材质。为了防止出现瞬态饱和效应以低ΔB设计:


! C5 z8 s1 j" S8 n2 K) \

( A! b/ D/ t/ V' T# \
2 V2 c) b% m+ n$ M" F7 s

1 \1 t0 O" Q2 G4 P4 R  W

式中:ΔB为最大磁通密度摆幅,Bs为饱和磁通密度,Br为剩磁,BM为最大磁通密度,一般取在0.2~0.3范围之内,若BM>0.3T,需增加磁芯的横截面积或增加初级匝数NP,范围之内。如BM<0.2T,就应选择尺寸较小的磁芯或减小初级匝数NP值。

2 ]. |$ w; g' |# @! r- h7 ~

6、确定合适的磁芯

: w  ?+ c4 K  Z' f$ |" E( ?: S

实际上,磁芯的初始选择肯定是很粗略的,因为变量太多了。选择合适磁芯的方法之一是查阅制造商提供的磁芯选择指南。如果没有可参考资料,可采用下面作为参考。   

                       


  D- r/ _+ R  f% s& f1 G9 y  B

2 N. ?; t1 p" ]. o5 z

传递功率:

) j+ X% u) J6 p. z0 U

电流密度:

8 R$ u0 p0 P( V: h, k. G: Q

绕组系数:


' i) Q6 k4 ]. M' r5 T

式中,AP单位为mm4,Aw为窗口面积,Ae为磁芯的截面积,如图2.3。ΔB为正常操作状态下的最大磁通密度(单位:特拉斯(T))。为了防止磁芯因高温而瞬间出现磁饱和,对于大多数功率铁氧体磁芯的尺寸越大Ae越高,所做的功率就越大。

6 N$ w5 B* Z, ^2 L0 G4 O


# H! n. p* i: `& [4 f, u

图2.3:磁芯窗口面积和截面积

- H$ H" }5 e! P0 v9 Q

7、估算DCM/CCM临界电流IOB


* b% o' E  o5 s% J' `( U- `2 h! G2 }  L) g2 c

8、计算初级绕组与次级绕组匝数比

) L. {3 V$ z+ f; e/ A( x7 z
& ~) k1 l$ @, e  D( {

其中,NP和NS分别为初级侧和次级侧匝数。VO为输出电压,VF为二极管正向电压:对超快速PN结二极管选取0.7V,肖特基二极管选取0.5V。VDCMIN为最小输入直流电压,DMAX为设置的最大占空比, VOR 为反射电压。

7 f( [0 d- K/ g' F/ i

9、计算DCM/CCM临界时副边峰值电流ΔISB:


( \  r. b, }! _6 N1 ]& n2 q

10、计算CCM状态下副边峰值电流ΔISP:


6 J! E& M. b; h, O/ r/ [& x

11、计算CCM状态时原边峰值电流ΔIPP:


: p: M; i" F% E# t3 n

12、计算副边电感LS及原边电感LP:


* m1 O1 b, `6 t) w


* `( q$ l' f* U; q* l

由于此电感值为临界电感,若需要电路工作于CCM则可增大此电感值,若需要工作于DCM则可适当调小此电感值。


; \& }/ p: |7 }

13、确定原边最小NP匝数与副边NS匝数:

其中单位分别为特拉斯、安培、微亨、平方厘米,,如无参考数据,则使用

以特拉斯(T)为单位。


5 _: b- j1 V/ v

14、次级绕组和辅助绕组


; Q# _- `- C# @2 f, ^7 g1 }2 ~

初级绕组与次级绕组匝数比:


! g) }; o. N' [* s

其中,NP和NS分别为初级侧和次级侧匝数。VO为输出电压,VD为二极管正向电压:对超快速PN结二极管选取0.7V,肖特基二极管选取0.5V。


, E# e8 i' V8 T# q  U

然后确定正确的NS,使得最终的NP不得小于NP,MIN。有的时候最终的NP比NP,MIN大得多,这就需要更换一个大的磁芯,或者在无法更换磁芯时,则通过增加KP值来减小LP,这样,最终的初级侧匝数也会减小。

7 [0 N9 b. X! W' @# k# X: u) y4 z

辅助绕组匝数


2 \& V' U4 `- _! o2 L

其中,VDD为辅助绕组整流后的电压,VDB为偏置绕组整流管正向电压;

- R+ ?# w4 j' G7 h" H

考虑到系统在满载和空载转变瞬间,由于能量瞬间导致VDD下冲误触发UVLO,在系统允许的输入电压范围内且输出为空载时,建议VDD 按13V来计算。


: g8 z' y+ v+ Q

确定磁芯气隙长度:   


& `* r3 x* U  A7 {% a5 G& W


( {; j: ~! y- R. R  }

其中,Lg单位为毫米,Ae单位为平方厘米,AL为无间隙情况下的AL值,单位为纳亨/圈2,LP单位为微亨。

* @" [5 ]1 D6 X0 Q0 m

通常不推荐对中心柱气隙磁芯使用小于0.1 mm的值,因为这样会导致初级电感量容差增大。如果您需要使用小于0.1 mm的Lg值,请咨询变压器供应商以获得指导。

" Z5 H" x" _6 b2 \, r

15.根据有效值电流来确定每个绕组的导线直径。


5 \4 s$ L$ k1 N- \, u) |4 |& e

当导线很长时(>1m),电流密度可以取5A/mm2。当导线较短且匝数较少时,6~10A/mm2的电流密度也是可取的。应避免使用直径大于1mm的导线,防止产生严重的涡流损耗并使绕线更加容易。对于大电流输出,最好采用多股细线并绕的方式绕制,减小集肤效应的影响。

; @# F0 Q# D# w

检查一下磁芯的绕组窗口面积是否足以容纳导线。所需的窗口面积由以下公式给出:


5 T$ c3 V- }! C


3 j8 J/ R  J( ]7 N; d- p
8 H. d% M" d8 m% Y, ^/ \

式中,AC为实际的导体面积,KF为填充系数。填充系数通常为0.2~0.3。


: w% T+ p  ?7 ^% [

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