两款芯片大比拼，谁是电源适配器的完美搭档？对比见分晓

思睿达小妹妹

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6 G0 e& y6 {9 ?2 M4 S在前几篇的文章中，我们给各位小伙伴带来了精彩的对比测试分享。相信大家看了测试数据也知道，选择本公司电源管理芯片替代其它产品是比较靠谱的，完美的实现国产替代。接下来，继续给各位小伙伴带来更多的测试分享。本文介绍公司主推的CR6248替代XX33AP的对比测试报告。

关于CR6248概述
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CR6248是一款高性能原边检测控制的PWM开关，待机功耗小于75mW。CR6248 内部采用了多模式控制的效率均衡技术，用于优化芯片系统待机功耗。QR控制模式提升效率，同时采用了初级电感量补偿技术和内部集成的输出线电压补偿技术，保证了芯片在批量生产过程中 CC/CV 输出精度，内置的全电压功率自适应补偿技术保证了系统在全电压范围（90V~264V）内输出恒定的功率。

CR6248集成了多种功能和保护特性，包括欠压锁定（UVLO），VDD过压保护（OVP），软启动，过温保护（OTP），逐周期电流限制（OCP），CS引脚悬空保 护，输出短路保护，内置前沿消隐电路，输出整流二极管短路保护电路，输出过压 保护电路。而且内置所有PIN脚悬空保护功能，使得芯片具有更高的可靠性。

$ f  n2 W" `+ E# }* G主要特点

● 待机低于75mW
+ M7 t1 s0 a0 }● 原边检测拓扑结构，无需光耦和TL431
● 全电压范围内高精度恒压和恒流输出
6 i+ T/ H; S$ w● 可编程CC/CV模式控制
● 采用多模式控制的效率均衡技术
● 高能效QR控制模式
. _9 H9 m  \. k8 O- z  u● 内置输出线电压补偿功能
● 内置初级电感量偏差补偿功能
● 内置全电压功率自适应补偿功能
, x# F# s. `" P4 i8 o● 动态负载响应功能
● 内置过温度保护功能
● 内置输出短路保护功能
● 内置前沿消隐
● 启动电流和工作电流低
7 C, m  x9 S/ B. d% m● VDD端过压保护和钳位保
● 逐周期过流保护
$ {& H+ K( w4 V* O- U● 内置输出整流二极管短路保护
. w8 ^4 V* Z/ N0 F% J- y● 内置输出过压保护功能
● 内置所有PIN脚悬空保护功能
● DIP-8L绿色封装
2 U) D. ]+ V# u: H$ z) G0 {; E+ [
! g/ n, M* y1 s+ E; U3 Z9 L基本应用

● 小功率电源适配器
& G' v; R6 h+ J# I9 m5 [$ M0 h) \( v● 蜂窝电话充电器
● 数码电源充电器
, A$ W6 v3 G; `- l( {1 X: J● 电脑和服务器辅助电源
" D' C- i4 t& V! `● 替代线性调整器和RCC
0 q# _: D6 @% H4 F  m  \
6 @5 X- n8 y" A. z引脚分布
  b7 }$ h8 w: `! n

引脚描述

典型应用
: q- e; g  r! C  G( S

' f  b: ~6 L% g; v了解了本公司的CR6248产品的内容，那么接下来将介绍本公司CR6248和XX33AP的测试报告：

9 C$ J+ _0 A' v9 l/ Q' X0 ~% m7 G3 `CR6248替代XX33AP对比测试报告
6 u. E: `( {+ Q) ]
# F& k! n! m, B0 p' m' ^

CR6248 替换XX33AP需更改元件如下：

* d' e/ v, n! w7 }4 Q; D$ y% _1、R2取消；
. w8 D6 J) I# n7 p( O2、R1更改为2K 0805 +/-1%电阻；
3 [& I3 _5 O& s- @. X5 b3、R11更改为0R 1206；
4、R12 更改为11K 0805 +/-1%电阻；

* q: u4 R1 Y& ?2 q+ F0 X此改动针对测试样板，仅供参考。
2 Q9 E9 F6 O8 L
4 g9 |$ O) e. Z6 c
一、电性对比如下

7 n+ F+ P# @1 e2 T. }: O

. l0 s4 d- B- z. I" K注意：
1、以上效率为板端测试
' d' e  ]% c7 ?2、测试仪器为：
1 q2 w1 V. c5 E, ^. h; e示波器：泰克MDO3014
: R' o$ l7 r6 q% g  X2 o5 C功率计：WT210
7 }  _: f7 Q+ C1 r9 i( W负载机：IT8511A
万用表：FLUKE 15BEMI
# {! a" ]* i$ L* p, N) D测试仪：KH3939
; t' R2 S3 B! a$ V% l
6 G8 h0 s0 {$ Z3 f& L# s二、关键波形对比如下

4 b8 W8 g. s& l) p1 Z! g

XX33AP 115V 12V1A CH1VDS CH2 肖特基波形

$ ?0 Q+ F* x3 d

CR6248 115V 12V1A CH1VDS CH2 肖特基波形

XX33AP 230V 12V1A CH1VDS CH2 肖特基波形

- w+ j( O% \; S  J& ~7 R

CR6248 230V 12V1A CH1VDS CH2 肖特基波形

XX33AP 264V 12V1A CH1VDS CH2 肖特基波形

  L9 G4 D8 a3 q

CR6248 264V 12V1A CH1VDS CH2 肖特基波形

2 }. m0 j' g/ W6 \+ J

XX33AP 90V 12V1A CS 波形

CR6248 90V 12V1A CS 波形

三、EMI对比
5 y2 S( ]8 b! Z4 N7 v3 ]) Z
' C7 ?/ J7 S) x& F' j- u" HEMI对比如下：（EMI报告只是作为对比测试参考，最终EMI结果请以第三方检测机构为准）

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- w. {3 j, }& O( }: T

* ?- N8 o0 Z0 Z% ]

2 P5 ]& }6 i2 s+ v4 m' r

9 `& t( y9 p- {& b: [$ v2 R建议：

1、因XX33AP的VDD导通阀值电压比CR6248 的VDD 导通阀值电压低，请客户小批量试产再确定是否可以更换。

3 M1 Z  \* b2 j" ]% q- U/ H测试结果
1 G% ]- u1 @/ v& a' n2 |' t1 G
5 @1 |0 i" G( G9 @0 }根据以上对比测试报告，我们可以得出结论：本公司主推的CR6248会比XX33AP的效率高，功耗小。