|
|
本帖最后由 思睿达小妹妹 于 2022-12-22 17:33 编辑 . e0 G. ~3 V. k: R' k/ g
* P" H D4 R! s' l( m
在上一篇文章中,我们介绍了思睿达TT9932 一体板方案。 A) Y ^4 }* z# R4 \" P- V
, z: w, Z) v( ]$ X. E8 i; N
接下来,我们给大家介绍“基于思睿达主推的CR5243_5V1.2A 无Y电容 电源适配器设计参考”,希望对工程师们有所帮助!
9 M+ B. T0 I) ~7 p9 C! c3 e0 L) E4 Y2 i
01、电路参考设计
/ F( P8 t/ E# |$ M! y1 g! F
+ V4 `# V- k& e4 f1.1、参考原理图及PCB:. D( l8 w h" ^
3 w8 S2 O3 H) f0 }. }4 _& T
( T, \" ]( v. A- v' D# }' o2 B' ^9 v5 w: ^
( C' h) d& @+ p+ Q; _) L; M7 ]& ~% H9 }7 T9 A
关于CR5243
2 {$ @# G3 `( n
9 H7 F( t5 R( H% u6 X" qCR5243是一款高性能的电流控制型PWM开关,全电压范围内待机功耗小于75mW,满足能效六标准。为了减少待机功耗和提升效率,CR5243集成了多种工作模式。随着负载的变化,CR5243可以工作在三种不同的模式,并且每种模式都做了优化。当负载很重时,系统工作在传统的PWM(脉冲宽度调制)模式。当负载变轻时,系统进入PFM(脉冲频率调制)模式。在PFM模式下,随着负载的逐渐变轻,开关频率也逐渐的减小。CR5243中独有的频率变换模块可以使开关频率平滑降低而不产生噪声。由于频率的降低,开关损耗也被有效的减小了。当负载继续降低而低于某一设定值时,系统进入PSM(跳频调制)模式。在PSM模式下,一些开关周期被跳过,这些周期内开关管完全关断,因此这种模式可进一步降低待机功耗。在上述的三种工作模式下,都集成了频率抖动功能,来提升系统的EMI特性。7 }9 {( b' v4 q( ~, b, S
7 X% `% T1 A1 l0 S( F' M4 a* W芯片还集成了最大输出功率动态补偿模块,从而保证系统在全电压交流输入范围(90V~264V)内最大输出功率点恒定。3 J$ f7 q, N- y
+ Y/ m, d) |1 p5 ECR5243集成了多种功能和保护特性,包括欠压锁定(UVLO),VDD过压保护(OVP),软启动,过温保护(OTP),逐周期电流限制(OCP),过载保护(OLP),SENSE引脚悬空保护,GATE端箝位,前沿消隐等。+ g5 D7 i9 o+ y3 K5 N
7 z3 A: g3 f7 W$ w: o4 l
主要特点
# x0 Q3 Z2 r, H( r2 j0 c: `' R7 m, [) k: Y" f- J7 k6 l7 ^; m
● 全电压范围待机低于75mW. C( u( o: k0 K8 A1 a
● 满足能效六级标准 h* T& s1 i% I* v6 W
● PSM模式降低待机功耗
; _2 ~- V% P/ l# L( F● 内置软启动
7 J- R0 |& Q+ i0 Y8 W● 良好的EMI特性; v, l% j* u4 U' j
● 零噪声工作# L$ C8 d) d0 J6 C- b7 c
● 典型65kHz开关频率
/ M& \5 y% Y5 t, j! X, s0 y' o● 电流模式控制* j4 X0 I6 m" n' t2 o
● 内置斜坡补偿' ^% c' _+ h5 C5 |1 ~3 c5 f1 ^
● 内置前沿消隐8 d1 {$ H5 N# H) y, j$ U
● 启动电流和工作电流低9 I g" A( u7 r# d+ n$ j
● VDD端过压保护
o) `( T+ p- ^● 过载保护
( k' g3 z! j; F● 逐周期过流保护
& M) c8 p, k1 c" y$ L% x● 过温保护
+ Q9 u$ P/ _% f2 k& {2 ?. l9 h3 Y: P● 输出整流二极管短路保护0 ~" V- i4 P3 W8 \
● 磁芯饱和保护% X" k8 Q; x5 `2 w
● DIP-8L、SOP-8L绿色封装. g/ h- T- A! V1 Y: t. e
2 L" D% a/ x- p7 A# \! k8 T基本应用7 v4 A: Q, k- O# B- W6 r
: J9 |: s- r& \0 ]. l9 j. |3 v● 电源适配器7 Q5 x: d! m9 a) ~9 x6 v: w
● 开放式电源, [+ J) \* B* [% `$ m
● 数码相机和摄像机电源
; p$ J7 j7 Q1 y' [$ t● 电脑和服务器辅助电源
& U: A, b& w7 {$ A+ u● 机顶盒电源- p4 w" k; h8 {# J: k
● 掌上电脑电源
/ V" h) f1 `5 H! ?; f- Y# i1 e2 ^
- \" ?7 o6 E: z% @. {4 G引脚分布
" x0 J6 ^3 ~/ h8 J4 O
6 _/ \/ A$ ?! w2 D. [! K引脚描述/ A( E6 S4 E& ~$ q7 f
, M! ]4 a; ? r) Z7 A典型应用% ~3 F4 E- c. f; `/ p6 E- o
* A( a8 J# n5 n1.2、推荐参数:
6 R% L& A( P; O- x+ N5 \
( H0 l; o& G$ {* c* Q$ v$ S0 {1.3、变压器参考设计:5 F/ F$ V8 h% ]
6 Q# Q+ f0 Q8 K8 C$ l
02、性能测试
/ x3 e$ M( t& {' e
( L3 ^. J4 l. A3 ]2 C6 C p5 V注:以下测试中,被测试电源均处于开放式;环境温度:25℃。
* D$ E: u) q/ M2 {/ J
/ ?" ~; H- d7 F! r& G2.1、样机效率测试@PCB END:9 x' W5 Q H+ o5 K! w0 O
# [0 N' |; i. r) l+ Q1 [( [2.2、待机功耗测试:
; A' Y7 K) b+ T" I" Y) Z' z: C5 R2 C1 H, a7 G" _. I/ ?, ]
2.3、过载及短路测试:
2 y+ T+ D F- n* s4 j4 Q
: \" V4 m& M, ?3 r7 g$ L7 D; q" v2.4、老化测试:: F, b/ f& y$ `8 W' [
! x) c5 o( k( P- M( a: X% x s* I/ e2.5、EMI 摸底测试@5V1.2A:
; N; I2 G) n/ k" E1 B9 a
) u3 M- u; y9 |4 ]1 ?CE_L@AC230V/50Hz
; u1 R) q! _/ j2 X% R/ G0 R" ]
0 |$ |) S7 w/ a; rCE_N@AC230V/50Hz
4 }" z' i b* v( ]+ K8 _1 A( X4 D- B# U2 [
RE_@AC230V/50Hz
0 w/ g' O1 A& ]3 F9 P; Z$ L; i5 }7 a. t4 T. F5 l1 V: L# {: e
& o" I' ~% U/ I, t2 y1 [0 X/ c/ [5 D2 [2 Y/ C; c
|
本帖子中包含更多资源
您需要 登录 才可以下载或查看,没有帐号?注册
x
|