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思睿达小妹妹

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在上一篇文章中，我们介绍了思睿达TT9932 一体板方案。
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接下来，我们给大家介绍“基于思睿达主推的CR5243_5V1.2A 无Y电容 电源适配器设计参考”，希望对工程师们有所帮助！

01、电路参考设计

1.1、参考原理图及PCB：

' A) G4 a% s) x9 N- ^! y1 j+ O+ x

关于CR5243

CR5243是一款高性能的电流控制型PWM开关，全电压范围内待机功耗小于75mW，满足能效六标准。为了减少待机功耗和提升效率，CR5243集成了多种工作模式。随着负载的变化，CR5243可以工作在三种不同的模式，并且每种模式都做了优化。当负载很重时，系统工作在传统的PWM（脉冲宽度调制）模式。当负载变轻时，系统进入PFM（脉冲频率调制）模式。在PFM模式下，随着负载的逐渐变轻，开关频率也逐渐的减小。CR5243中独有的频率变换模块可以使开关频率平滑降低而不产生噪声。由于频率的降低，开关损耗也被有效的减小了。当负载继续降低而低于某一设定值时，系统进入PSM（跳频调制）模式。在PSM模式下，一些开关周期被跳过，这些周期内开关管完全关断，因此这种模式可进一步降低待机功耗。在上述的三种工作模式下，都集成了频率抖动功能，来提升系统的EMI特性。

芯片还集成了最大输出功率动态补偿模块，从而保证系统在全电压交流输入范围（90V~264V）内最大输出功率点恒定。

  o" I0 L1 B2 T) BCR5243集成了多种功能和保护特性，包括欠压锁定（UVLO），VDD过压保护（OVP），软启动，过温保护（OTP），逐周期电流限制（OCP），过载保护（OLP），SENSE引脚悬空保护，GATE端箝位，前沿消隐等。

% ?9 O/ Y# W6 Z& B主要特点
8 S3 m0 a! B* Q! ?9 Y
● 全电压范围待机低于75mW
● 满足能效六级标准
● PSM模式降低待机功耗
! X( V+ w! B% @7 n● 内置软启动
- I0 o; q: b( t6 f4 Q$ l) A● 良好的EMI特性
● 零噪声工作
● 典型65kHz开关频率
# `* t5 }, l$ x# M7 U1 r. `4 _$ r● 电流模式控制
; n4 y" J$ t' F) P● 内置斜坡补偿
● 内置前沿消隐
● 启动电流和工作电流低
● VDD端过压保护
: D, x4 Y) \7 L9 f6 k● 过载保护
8 d' b! s' v% `7 n4 t  ~$ e2 w● 逐周期过流保护
● 过温保护
● 输出整流二极管短路保护
( F) a: m9 |0 }" y) B● 磁芯饱和保护
3 E7 l0 A1 d' r  j7 _8 s  s● DIP-8L、SOP-8L绿色封装

( p2 \; @9 s: X; |) ~基本应用
4 ~! C. K& U3 B$ q" W: D& `% N. `; ~+ [
# V5 t2 F  Z# X" m' k● 电源适配器
' c3 ]% p# B3 J# E4 H  x4 u● 开放式电源
● 数码相机和摄像机电源
7 X! k8 `! j  m9 J● 电脑和服务器辅助电源
: o- ~0 ]4 Y# N& ~● 机顶盒电源
● 掌上电脑电源

引脚分布
+ Z% Y" B3 a3 a( L: R

: k/ A, g5 _% N# j' X! q4 c; h( R引脚描述
1 v7 X1 X7 M# n3 g% f

典型应用
* u- w* M4 ~6 P/ Q9 m

. C' q2 e8 \' u1 c. Q1.2、推荐参数：

1.3、变压器参考设计：
7 H$ ^3 W) l/ P

02、性能测试

注：以下测试中，被测试电源均处于开放式；环境温度：25℃。

8 o! F& J4 P: P+ \' X$ _0 x2.1、样机效率测试@PCB END：

6 `2 N: g* O$ v7 p+ c2.2、待机功耗测试：
9 ]+ A5 t6 d: l' \% d

, z3 U9 s& F- D7 F) O2.3、过载及短路测试：

! |( ^3 T- i" U6 J, ]& R- x/ P4 t2.4、老化测试：
. q! p  c8 ?% ?' Q8 }

. h; s9 O2 S7 T. C: n8 g1 D" @  J2.5、EMI 摸底测试@5V1.2A：
# G" D' N" q+ B$ `, O9 A9 |

CE_L@AC230V/50Hz

, R9 c" |+ ]& k- n( i+ C' ^/ d

5 |) D: u) |- G+ F  O

CE_N@AC230V/50Hz

0 C8 i2 X& a! {7 W. H; R+ G* k6 G9 T# n2 R

RE_@AC230V/50Hz

" D; R) V5 h- E% A( J4 Q