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本帖最后由 思睿达小妹妹 于 2022-12-22 17:33 编辑 0 u6 J* |" b$ l' f
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在上一篇文章中,我们介绍了思睿达TT9932 一体板方案。5 s& l1 `6 R y: ?, Y% U1 H
0 s, H3 K I9 K1 B接下来,我们给大家介绍“基于思睿达主推的CR5243_5V1.2A 无Y电容 电源适配器设计参考”,希望对工程师们有所帮助!* Z, Q4 l& m3 u
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01、电路参考设计
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- X& z U$ O# m/ ~9 g$ x1.1、参考原理图及PCB:
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关于CR5243+ l- I- D+ `3 ~9 P" ~
# n! C3 e- D& a4 s6 g; ZCR5243是一款高性能的电流控制型PWM开关,全电压范围内待机功耗小于75mW,满足能效六标准。为了减少待机功耗和提升效率,CR5243集成了多种工作模式。随着负载的变化,CR5243可以工作在三种不同的模式,并且每种模式都做了优化。当负载很重时,系统工作在传统的PWM(脉冲宽度调制)模式。当负载变轻时,系统进入PFM(脉冲频率调制)模式。在PFM模式下,随着负载的逐渐变轻,开关频率也逐渐的减小。CR5243中独有的频率变换模块可以使开关频率平滑降低而不产生噪声。由于频率的降低,开关损耗也被有效的减小了。当负载继续降低而低于某一设定值时,系统进入PSM(跳频调制)模式。在PSM模式下,一些开关周期被跳过,这些周期内开关管完全关断,因此这种模式可进一步降低待机功耗。在上述的三种工作模式下,都集成了频率抖动功能,来提升系统的EMI特性。6 p0 F& {; x0 G
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芯片还集成了最大输出功率动态补偿模块,从而保证系统在全电压交流输入范围(90V~264V)内最大输出功率点恒定。2 P! b: O8 O2 z7 x' i6 E
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CR5243集成了多种功能和保护特性,包括欠压锁定(UVLO),VDD过压保护(OVP),软启动,过温保护(OTP),逐周期电流限制(OCP),过载保护(OLP),SENSE引脚悬空保护,GATE端箝位,前沿消隐等。6 A# K. {1 E n5 p( {
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主要特点& I5 p( w* z! O% _' i7 V
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● 全电压范围待机低于75mW
& D# r2 X% t; l0 E6 |+ c● 满足能效六级标准
! A; _. o# P/ |9 a0 w1 ]- M0 E● PSM模式降低待机功耗
7 V9 I9 q( v0 T+ u● 内置软启动
# P/ f& Q6 G7 {● 良好的EMI特性& i& V! ^' j$ {2 B" K1 @' O
● 零噪声工作# H! N$ R+ H3 a
● 典型65kHz开关频率
6 P& ^4 s: \. O. Q● 电流模式控制. P- R. h+ l9 w2 x, a
● 内置斜坡补偿
" N; s& Y0 @3 s" E; D● 内置前沿消隐) |9 U' \# Q; Z
● 启动电流和工作电流低
9 x# c2 i: l. ^0 z) ]6 z: X● VDD端过压保护
. f5 }( T H- A; J( ~3 Y! E4 s● 过载保护
6 c% d9 d7 }6 ], H% {, e% r● 逐周期过流保护
& X+ \4 P, e$ a+ Z6 i● 过温保护1 I$ ^4 o2 a: @: J _
● 输出整流二极管短路保护 ]: o6 W" v" S5 g8 O! K
● 磁芯饱和保护* e# H) [$ V0 Z+ m
● DIP-8L、SOP-8L绿色封装
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" B; n& ]' w6 O% o+ b; _2 t基本应用9 n9 U# N6 n& @0 ?2 y9 f
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● 电源适配器
_+ [5 z3 k8 }$ J7 H1 Y+ s5 F● 开放式电源* n9 @9 h6 u/ b
● 数码相机和摄像机电源
- w [% {7 C* w' e3 w- J3 W* W● 电脑和服务器辅助电源) K5 G9 q* o7 P" g- x
● 机顶盒电源
/ a0 P$ R7 i: ]0 N. g2 U- n9 [, ^● 掌上电脑电源
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引脚分布
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引脚描述
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1 G7 \* L+ U8 g, R, {典型应用( l* K9 S% `2 \! g( C/ J5 s S
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1.2、推荐参数:, I. b8 \& n3 Y5 z1 `6 g- J7 r( `
0 L. D6 p2 w% x3 E8 i1 G1.3、变压器参考设计:1 p# U9 i) i" l# ?% r5 G: k
8 F+ k3 n7 F6 w. ]02、性能测试+ {' B( E# A. T+ ^4 C
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注:以下测试中,被测试电源均处于开放式;环境温度:25℃。
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0 w: H0 k0 p- s+ c& w7 J2.1、样机效率测试@PCB END:
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2.2、待机功耗测试:; B G0 G* q, n1 k* T
* T' M: [0 d$ _( I. }" g+ a7 B2.3、过载及短路测试:
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3 |; o. N, {' Z0 B+ e2.4、老化测试:; s- U) z* x9 d
, ?" ]" e- [) {+ I P) I
2.5、EMI 摸底测试@5V1.2A:7 c8 J, ]0 d2 O0 X% ^- G) b0 f$ ~
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CE_L@AC230V/50Hz $ g$ }: b2 n# k2 Q
D3 }6 u# R2 v: h* Y( wCE_N@AC230V/50Hz . V, A+ f/ o. r: Q- p. e" K
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