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基于TT9932 12W以太网供电(PoE)解决方案

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发表于 2022-4-28 11:08:22 | 显示全部楼层 |阅读模式
本帖最后由 思睿达小妹妹 于 2022-4-28 11:23 编辑 6 j) U2 E8 M4 A! I9 o
9 V& R* I5 U" o; m2 b
本文概述
( S% N$ u; w8 G* x

7 ?- G- S& g0 D* c- I- L% g随着WLAN、VoIP、网络视频监控等新业务的飞速发展,大量的Wireless LAN AP、IP Phone、IP Camera等基于IP的终端出现在我们生活周围。这些设备通常数量众多、位置特殊、数据\电源线布线复杂、设备取电困难,因而PoE(Power Over Ethernet)供电技术应运而生。尤其是伴随着网路视频监控系统的发展以及未来5G小基站和CPE设备的普及,PoE供电也将迎来新的发展机遇。
( \$ H; r% E! g8 L& T0 q

本文,我们将介绍基于TT9932 PoE 12W 工程样机测试报告,一起来看看吧!


, @% Q8 @/ q0 M

1、电路参考、PCB、BOM list

6 }6 J! B% i: E: h

样机采TT9932最大输出 12V 1A ,支持最大功率12W;POE应用,样机兼容 IEEE802.3af,兼容网线 4-5/7-8 和 1-2/3-6 两种供电方式,可应用于安防监控、 RFID、视频等。


7 v4 E. W- u* A
% p! K& v. b/ H) t  w' X7 V" f
8 |- e9 q) Q4 q( z8 M+ {# X

BOM List:


3 I4 Y# E! x% v# \0 }, F6 ?

变压器参数:


' j  H& O0 n* ?6 o8 ~8 D

TT9932:高性能DCDC控制器

& f4 H0 s1 z: Q! A0 X) b  J$ u

TT9932是一款用于以太网供电系统(POE,power over Ethernet)的DC/DC 控制器。采用原边控制方式,内置200V高压MOS,适用于flyback拓扑,提供精确的恒压控制环路, 具有较高的系统效率。TT9932提供SOP-7L的封装。


* T' @' L& ]! r: r2 {7 e

特性

% U. `8 Z% ]# A* O4 L% G

● 较低的启动电流 (大约 7μA)

● 欠压锁定功能

● 原边控制模式

● 轻载降频,降低能耗

● VCC过压保护

● 输出过压保护功能

● 输出短路保护

● 内部过热保护

● 软启动功能

● 峰值电流控制模式

● 内置LEB电路

● 过载保护

! b5 z8 S. A6 O+ I3 w

基本应用


: M+ e  _" Q/ f6 A6 w

● 视频监控

● IP电话

● 无线SP


& D. v$ U+ L: r4 t4 S5 _

管脚排列


: I% m$ m8 L3 V1 @0 t! B% T9 {

管脚描述


) I6 x9 B  z6 f  M' y  H

典型应用


8 H0 u# N3 w0 E
( F: n9 z5 i2 K& e7 H0 ^. y2、样机特性
; v; m) v  F1 u, S9 o

本小节对工程样机的输入部分、输出部分、各种保护以及一些时序进行了测试。 样机使用直流输入时,DC 电源连接于+48V和GND间。

5 m8 H# @& @& g; w% J' v7 c

* \# r6 G# F! N1 o! ]( b$ a

注:样机待机状态输入电流较小,低于PSE特性维持电流要求(要求大于10mA或者每325ms至少有75ms的10mA 脉冲电流)。当连接PSE时,PD端应当提供一定的负载以满足该电流要求。

3 w; |5 m+ b! `# b; d7 Y

2.1、协议功能测试

3 ~$ o/ F* {0 s) k4 E

检测分级协议测试


- R$ j6 i$ e" ?! ~# u' W# `

CH1:VDD-VSS CH1:VC CH2:V_Drain

; c/ n4 x, d' O- k* h+ |" {

2.2、DC/DC 转换性能测试

. Z0 q2 V+ ~% O) b% O& M

# J$ u3 G1 D2 ~1 q0 S) W

DC电源连接于+48V 和GND间,调整输入电压38V~57V,对TT9932能量转换性能评估测试。

( h; ^/ a+ ^/ E( x

2.2.1、转换效率测试


+ q% j6 D) h5 x( K

2.2.2、负载/线性调整率


( S- z& ~+ t; W

2.2.3、CV下恒流点测试


! S; M' h6 M( b7 Y) V

2.2.4、动态测试


$ d4 W# y' D. J+ ]

VIN=48V Iout=1A@5ms+0A@5ms 动态

Vout=11.92V~12.52V


, |. q) R8 I2 \: H7 a7 y

VIN=48V Iout=1A @10ms+0A@10ms 动态

Vout=11.92V~12.52V


( ^# u; T& E7 x6 ?& Z* [+ `

2.2.5、输出纹波 输出并联10uf/50V和100nF瓷片电容,探头限值20MHz测试


  X1 a* o8 U2 Y; G+ l

38V@1A C_out=680uF+10uF Ripple=202mV


. |: N) q. J8 i: Y5 W. q

57V@1A C_out=680uF+10uF Ripple=202mV


; A; G8 w2 B# N  J, W, Q

2.2.6、部分工作波形

6 m3 b2 I& Q2 [, R

CH1:V_VCC CH2:Drain

VIN=48V 时 TT9932 上电启动波形


. ]5 o) @, ?5 N( p4 k8 c2 o

CH2:V_Drain CH1:CS

VIN=38V Iout=1A

" G9 ~, q% ?( L9 w# l( b

V_Drain最大应力130V

Vin=57V Iout=1A


7 d7 V- \8 j- w4 M5 s: |7 x

输出二极管应力36V

VIN=57V Iout=1A

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