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基于TT9932 12W以太网供电(PoE)解决方案

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发表于 2022-4-28 11:08:22 | 显示全部楼层 |阅读模式
本帖最后由 思睿达小妹妹 于 2022-4-28 11:23 编辑 % Z# J$ |$ l$ k$ v

/ w$ b: W- x& {  p5 d8 z7 U本文概述
+ v4 S; A8 D3 R4 Y! I

; t; S: r% q1 T/ j6 J, s! v* d/ {6 E随着WLAN、VoIP、网络视频监控等新业务的飞速发展,大量的Wireless LAN AP、IP Phone、IP Camera等基于IP的终端出现在我们生活周围。这些设备通常数量众多、位置特殊、数据\电源线布线复杂、设备取电困难,因而PoE(Power Over Ethernet)供电技术应运而生。尤其是伴随着网路视频监控系统的发展以及未来5G小基站和CPE设备的普及,PoE供电也将迎来新的发展机遇。9 t  I' L  b. \* j

本文,我们将介绍基于TT9932 PoE 12W 工程样机测试报告,一起来看看吧!


1 J: }; h3 S4 z+ v9 F" k" r: S

1、电路参考、PCB、BOM list

' |% k  b) O& E: ~& t

样机采TT9932最大输出 12V 1A ,支持最大功率12W;POE应用,样机兼容 IEEE802.3af,兼容网线 4-5/7-8 和 1-2/3-6 两种供电方式,可应用于安防监控、 RFID、视频等。

5 y8 ~" P( J; A6 j6 M
% s! n# A+ I' J& @& _7 V
# g8 Y) W+ p5 b1 D2 I+ P

BOM List:

# I  m. {, Z/ l8 e

变压器参数:


$ d" n: d- z$ l( g( M

TT9932:高性能DCDC控制器

" M! L) l2 V8 e' g$ y5 v# l

TT9932是一款用于以太网供电系统(POE,power over Ethernet)的DC/DC 控制器。采用原边控制方式,内置200V高压MOS,适用于flyback拓扑,提供精确的恒压控制环路, 具有较高的系统效率。TT9932提供SOP-7L的封装。

* {4 U$ [0 r! ?3 v. U7 ^3 o& e1 `

特性


3 ?8 U4 U: h. G7 _5 D  e

● 较低的启动电流 (大约 7μA)

● 欠压锁定功能

● 原边控制模式

● 轻载降频,降低能耗

● VCC过压保护

● 输出过压保护功能

● 输出短路保护

● 内部过热保护

● 软启动功能

● 峰值电流控制模式

● 内置LEB电路

● 过载保护


0 ~5 ]2 j, Z  }% q1 k- l

基本应用

  C4 Y* h* k" w

● 视频监控

● IP电话

● 无线SP

. ]( W, e; _1 k/ g1 r+ K

管脚排列

3 I% h% O2 ~2 J

管脚描述

- O1 G+ v' q8 S* J$ |

典型应用


! z% Y- h6 S; R9 M3 f* _) ?( A- \0 C+ L; t; i. k/ D/ K
2、样机特性
3 u4 Z8 M  P9 K& P9 r7 S; {

本小节对工程样机的输入部分、输出部分、各种保护以及一些时序进行了测试。 样机使用直流输入时,DC 电源连接于+48V和GND间。


1 C  S$ L  c% g1 G# p


) e1 o4 K' e- ^! K- g& C

注:样机待机状态输入电流较小,低于PSE特性维持电流要求(要求大于10mA或者每325ms至少有75ms的10mA 脉冲电流)。当连接PSE时,PD端应当提供一定的负载以满足该电流要求。


  Z& p. y' p+ T- i, a' W" y

2.1、协议功能测试

4 q. [$ S; i& D: K* w

检测分级协议测试

9 W" r! _  R1 p- q2 Z. a5 @, f

CH1:VDD-VSS CH1:VC CH2:V_Drain

% Z7 A' b* Z' X

2.2、DC/DC 转换性能测试


% Y, w5 n9 b# D/ D+ ^; O$ c/ T& h0 M8 n) J) y/ W7 p9 x

DC电源连接于+48V 和GND间,调整输入电压38V~57V,对TT9932能量转换性能评估测试。


' W* B1 _% n$ _+ V% D+ F2 S

2.2.1、转换效率测试


: E9 X' \3 J7 a

2.2.2、负载/线性调整率

3 c9 @1 u5 Q. |7 o, m

2.2.3、CV下恒流点测试

, z2 K4 z4 E/ k: n

2.2.4、动态测试

# I2 c2 e! m& @: ~) m% v+ T1 ]" L

VIN=48V Iout=1A@5ms+0A@5ms 动态

Vout=11.92V~12.52V

& `# ~6 N8 d' V  C

VIN=48V Iout=1A @10ms+0A@10ms 动态

Vout=11.92V~12.52V


9 G. A5 n& {  i! N" X' N

2.2.5、输出纹波 输出并联10uf/50V和100nF瓷片电容,探头限值20MHz测试

+ `3 n: Q' L+ Z9 ?2 g( v

38V@1A C_out=680uF+10uF Ripple=202mV


% e5 A- j1 l8 i# k- G

57V@1A C_out=680uF+10uF Ripple=202mV

$ T9 c0 V7 S' S/ [/ D; z! ]

2.2.6、部分工作波形

6 H, |! x, p% y- {9 k8 H

CH1:V_VCC CH2:Drain

VIN=48V 时 TT9932 上电启动波形

: ]8 t0 {- y) X& t4 Z4 D$ \, T9 y/ j

CH2:V_Drain CH1:CS

VIN=38V Iout=1A

/ l  s, k8 C$ M) T

V_Drain最大应力130V

Vin=57V Iout=1A


+ v) |/ o0 k7 Y: M6 K* i5 w

输出二极管应力36V

VIN=57V Iout=1A

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