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基于TT9932 12W以太网供电(PoE)解决方案

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发表于 2022-4-28 11:08:22 | 显示全部楼层 |阅读模式
本帖最后由 思睿达小妹妹 于 2022-4-28 11:23 编辑 ' p# c9 j0 t; L; v

2 Q2 n  K( W: `8 v* H5 l7 |本文概述
' V8 X6 h5 r7 g! {- ?! v9 I

% M8 J. q6 Q1 `: [2 i随着WLAN、VoIP、网络视频监控等新业务的飞速发展,大量的Wireless LAN AP、IP Phone、IP Camera等基于IP的终端出现在我们生活周围。这些设备通常数量众多、位置特殊、数据\电源线布线复杂、设备取电困难,因而PoE(Power Over Ethernet)供电技术应运而生。尤其是伴随着网路视频监控系统的发展以及未来5G小基站和CPE设备的普及,PoE供电也将迎来新的发展机遇。0 D! I2 D$ ^9 C! v) J

本文,我们将介绍基于TT9932 PoE 12W 工程样机测试报告,一起来看看吧!


( A4 d. L% N& ?

1、电路参考、PCB、BOM list


0 m4 V0 |% L3 _, b

样机采TT9932最大输出 12V 1A ,支持最大功率12W;POE应用,样机兼容 IEEE802.3af,兼容网线 4-5/7-8 和 1-2/3-6 两种供电方式,可应用于安防监控、 RFID、视频等。

" A3 b+ y  J: x; P5 D3 f

) @: j5 [1 Q2 A# H
* P% v. ?! ^7 R7 a: C; U" i. W7 D

BOM List:


2 F% J$ D( V4 b5 k! i6 {8 H

变压器参数:


5 b7 @7 x# Z7 j9 p

TT9932:高性能DCDC控制器

# Z! v; \* Y4 w" k5 }- p* }$ ?

TT9932是一款用于以太网供电系统(POE,power over Ethernet)的DC/DC 控制器。采用原边控制方式,内置200V高压MOS,适用于flyback拓扑,提供精确的恒压控制环路, 具有较高的系统效率。TT9932提供SOP-7L的封装。

) m$ l% l1 O3 b( v0 t

特性

# O: J/ c& P- {, [9 m$ \

● 较低的启动电流 (大约 7μA)

● 欠压锁定功能

● 原边控制模式

● 轻载降频,降低能耗

● VCC过压保护

● 输出过压保护功能

● 输出短路保护

● 内部过热保护

● 软启动功能

● 峰值电流控制模式

● 内置LEB电路

● 过载保护


. {) X% g; w- E# J0 i1 n4 d0 C

基本应用


7 k1 G3 h% b7 e! E5 \- s* q

● 视频监控

● IP电话

● 无线SP

+ q3 {2 a, A& j2 O% }3 R3 n

管脚排列


2 ?' s4 r# O. V6 H/ `) V7 u

管脚描述


. @1 b/ _1 a* p" X: \

典型应用

& T  y% i9 H; b$ E/ `, Y% ^
3 G: b7 X7 w& p# f/ I/ D$ F
2、样机特性; z! T$ C5 Q; Y; x

本小节对工程样机的输入部分、输出部分、各种保护以及一些时序进行了测试。 样机使用直流输入时,DC 电源连接于+48V和GND间。


4 C- E* x- S+ [9 t, R/ x. c

3 v; c1 ^9 f4 ?* h. l4 y8 t

注:样机待机状态输入电流较小,低于PSE特性维持电流要求(要求大于10mA或者每325ms至少有75ms的10mA 脉冲电流)。当连接PSE时,PD端应当提供一定的负载以满足该电流要求。

1 f0 s7 B6 a1 s

2.1、协议功能测试


* d% a( A1 D. Z8 U" L

检测分级协议测试

0 d& Y( W& W, W4 X3 i7 c9 X9 Z# H

CH1:VDD-VSS CH1:VC CH2:V_Drain

6 i! z$ L7 E. D

2.2、DC/DC 转换性能测试

7 \: e8 V$ A& e; @

# i( v8 V/ s( O

DC电源连接于+48V 和GND间,调整输入电压38V~57V,对TT9932能量转换性能评估测试。


# d: U* I* r2 \! @1 W3 B( z

2.2.1、转换效率测试


! m; O  K' M, M. p( Q

2.2.2、负载/线性调整率

; `- I8 Q/ ]! ]- y5 s5 w, L+ ?

2.2.3、CV下恒流点测试


# `' l8 L' c. P/ U+ S9 H

2.2.4、动态测试

' p5 a7 W" i! q/ |5 s6 X$ v7 ~( t

VIN=48V Iout=1A@5ms+0A@5ms 动态

Vout=11.92V~12.52V


) @- a1 X/ t# V5 e( x- M& x

VIN=48V Iout=1A @10ms+0A@10ms 动态

Vout=11.92V~12.52V

: a* Y7 W+ k/ w0 w* Z/ ?

2.2.5、输出纹波 输出并联10uf/50V和100nF瓷片电容,探头限值20MHz测试

8 G# ]) V& E' r! F% l

38V@1A C_out=680uF+10uF Ripple=202mV

7 I4 n! d# V# Y- e' V4 A9 [

57V@1A C_out=680uF+10uF Ripple=202mV


5 T* _# _0 T9 d& W) j

2.2.6、部分工作波形


8 s9 j' h, C) k4 {

CH1:V_VCC CH2:Drain

VIN=48V 时 TT9932 上电启动波形

( {3 N6 t- f( F4 X

CH2:V_Drain CH1:CS

VIN=38V Iout=1A


3 ]: j5 P/ q9 u1 |7 b' \1 N3 ~4 X

V_Drain最大应力130V

Vin=57V Iout=1A


0 G, I0 C! p5 l

输出二极管应力36V

VIN=57V Iout=1A

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