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基于TT9932 12W以太网供电(PoE)解决方案

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发表于 2022-4-28 11:08:22 | 显示全部楼层 |阅读模式
本帖最后由 思睿达小妹妹 于 2022-4-28 11:23 编辑 3 |9 Q5 N( B( t  t
- W; |: x6 X* m' ^$ D
本文概述8 t8 O4 B) i4 D* m$ w

' W2 S) {1 X5 }2 V* }( _. U' b- U随着WLAN、VoIP、网络视频监控等新业务的飞速发展,大量的Wireless LAN AP、IP Phone、IP Camera等基于IP的终端出现在我们生活周围。这些设备通常数量众多、位置特殊、数据\电源线布线复杂、设备取电困难,因而PoE(Power Over Ethernet)供电技术应运而生。尤其是伴随着网路视频监控系统的发展以及未来5G小基站和CPE设备的普及,PoE供电也将迎来新的发展机遇。& u4 F  _: D5 s

本文,我们将介绍基于TT9932 PoE 12W 工程样机测试报告,一起来看看吧!


* ^/ `2 t5 |5 i; x7 z3 Y* q

1、电路参考、PCB、BOM list


) a0 E' G- a4 g

样机采TT9932最大输出 12V 1A ,支持最大功率12W;POE应用,样机兼容 IEEE802.3af,兼容网线 4-5/7-8 和 1-2/3-6 两种供电方式,可应用于安防监控、 RFID、视频等。


8 r# v6 ^# L7 }8 Y* P

/ S0 f( w& w; w4 }! Z

' s! ^; }! t. I* }7 x% J

BOM List:

) H$ D7 {) I1 }5 t+ p

变压器参数:

5 u5 d& [- q, H: X( |% Z; F- C. S

TT9932:高性能DCDC控制器


  Z7 l. U2 T3 w5 p, |

TT9932是一款用于以太网供电系统(POE,power over Ethernet)的DC/DC 控制器。采用原边控制方式,内置200V高压MOS,适用于flyback拓扑,提供精确的恒压控制环路, 具有较高的系统效率。TT9932提供SOP-7L的封装。


& Z/ _: D  H7 F' H; f7 ~# J

特性


( z& C0 u) c1 S8 K" I

● 较低的启动电流 (大约 7μA)

● 欠压锁定功能

● 原边控制模式

● 轻载降频,降低能耗

● VCC过压保护

● 输出过压保护功能

● 输出短路保护

● 内部过热保护

● 软启动功能

● 峰值电流控制模式

● 内置LEB电路

● 过载保护

9 p6 t3 s9 x. h& U2 H. y

基本应用

* ~- P5 X1 c( r" _) W" E

● 视频监控

● IP电话

● 无线SP


  h# s9 c+ G+ m! s

管脚排列

/ G1 C( q8 N) G: F4 y/ z+ k

管脚描述

( I! p% D) t( B

典型应用


! R2 H) W. c! f5 r  j9 b' w7 }7 p8 ~& [
2、样机特性+ ?' [) [! D- H( Z& f

本小节对工程样机的输入部分、输出部分、各种保护以及一些时序进行了测试。 样机使用直流输入时,DC 电源连接于+48V和GND间。

: W4 R" A$ N1 K* r


) e% o* ~1 X  |8 `- W5 `( H: ~

注:样机待机状态输入电流较小,低于PSE特性维持电流要求(要求大于10mA或者每325ms至少有75ms的10mA 脉冲电流)。当连接PSE时,PD端应当提供一定的负载以满足该电流要求。

2 E# S/ s  O1 {! `

2.1、协议功能测试

) O0 X, x% y4 m( b- T5 P

检测分级协议测试

1 j) I4 P+ h. q  X+ G- a  E, j6 m

CH1:VDD-VSS CH1:VC CH2:V_Drain


8 J4 E- p- W/ h8 U/ e

2.2、DC/DC 转换性能测试


/ B! D$ e3 l0 Z; ~+ l. c0 H' N- `) k. }1 w6 @3 {" ^5 U

DC电源连接于+48V 和GND间,调整输入电压38V~57V,对TT9932能量转换性能评估测试。

# J/ z; g8 T8 x# j; S; |2 ?

2.2.1、转换效率测试


$ K- J- ~7 ?  g2 r; _2 U. y

2.2.2、负载/线性调整率

7 Z. A) [# n4 V+ ~

2.2.3、CV下恒流点测试


/ @! _9 O( V/ [! a* c; d

2.2.4、动态测试

" p4 M& U: v# H: n1 r- y; E) @

VIN=48V Iout=1A@5ms+0A@5ms 动态

Vout=11.92V~12.52V

2 a+ \3 m  f0 c0 [; X& t

VIN=48V Iout=1A @10ms+0A@10ms 动态

Vout=11.92V~12.52V

0 H) t0 K* U  `: T

2.2.5、输出纹波 输出并联10uf/50V和100nF瓷片电容,探头限值20MHz测试


+ S( u- M/ d, l+ |4 v  x6 t$ u4 x+ _

38V@1A C_out=680uF+10uF Ripple=202mV


2 o6 _% k7 f1 g. [+ h3 H" o

57V@1A C_out=680uF+10uF Ripple=202mV

( ^6 b6 v  r4 O! t5 B  t/ \

2.2.6、部分工作波形

+ I; ?/ G7 n( p2 M4 L) M

CH1:V_VCC CH2:Drain

VIN=48V 时 TT9932 上电启动波形


0 P6 W1 u. t- [5 g" I0 ]/ U

CH2:V_Drain CH1:CS

VIN=38V Iout=1A


5 C) g( U, i0 g, w. l" t& _

V_Drain最大应力130V

Vin=57V Iout=1A


" r8 |3 I. W+ E) t3 ~

输出二极管应力36V

VIN=57V Iout=1A

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