本帖最后由 思睿达小妹妹 于 2022-4-21 16:07 编辑 $ L8 f5 J- R9 e' e
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PoE(Power over Ethernet)是一种有线以太网供电技术,网线传输数据的同时具备直流供电能力。全面应用于POE交换机、IP摄像头、IP电话、无线AP、便携设备充电器、刷卡机、数据采集等供需端产品。 1 y9 S) ^( j" s$ [/ U: F
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5 v8 k5 e! P3 ~3 u9 Y& I一个完整的PoE系统包括供电端设备(PSE, Power Sourcing Equipment)和受电端设备(PD, Power Device)两部分。PSE设备是为以太网客户端设备供电的设备,同时也是整个POE以太网供电过程的管理者。传输介质由水晶头、模块(POE)、配线架和网线组成。 8 S: y* ?% {1 u! W. v2 _* p
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! j& d* _* M* @9 U. _" J由于PoE减少了电线的数量,降低了成本,简化了基础设施管理的同时安装也非常灵活,在人们的生活中,POE应用也多了起来。 ) z* L( n; q2 D' a) w
PoE需求一直呈现上升趋势。数据显示,以太网供电(PoE)芯片组2017年的市场规模为4.648亿美元。预计从2021年到2027年将以12%的复合年增长率增长。尤其随着运营商推出了 “智慧家庭”概念,使得POE摄像头普及到了城市每家每户,以及三四线农村家庭。
8 I: W: m$ G9 L# _" r/ @* A1 Q& w5 }; u在安防市场,随着运营商POE -IP摄像头集采数量的不断增加,标准POE芯片的供应远远无法满足。 ) B) {9 @- D6 ^. g
发现这个需求后,专门为安防市场定制芯片,推出了精简版POE芯片TT9932,应用于12V 1A的场景,并有两个核心优势:1)纹波低;2)效率高!TT9932在解决供应问题的同时也满足了运营商对PoE 摄像头低成本的要求。
! H% l5 m f, C4 t P, O* t巧妙的让客户避开国外品牌“天价”芯片,又满足了本地需求,解决了客户的燃眉之急,一经推出就获得了很多厂商的认可。 - Z* s! i5 E5 m1 o: B1 y
废话不多说,基于主推TT9932 以太网供电(PoE) 12W解决方案,一起来看看吧!/ T* l: j9 v, d: P1 J. @
8 F# F+ q% \6 j* g1、电路参考、PCB、BOM list
7 J# v3 _; G! E- g* N- s! ]- d样机采用了主推的TT9932,最大输出 12V 1A ,支持最大功率12W;PoE应用,样机兼容 IEEE802.3af,兼容网线 4-5/7-8 和 1-2/3-6 两种供电方式,可应用于安防监控、 RFID、视频等。 - L2 ?1 A4 r4 h+ k" ^* M
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BOM List:
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6 H( o* O. L- `7 i变压器参数:8 C$ }. A7 J7 E1 i9 q5 D
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/ r5 ?, S+ z F: UTT9932:高性能DCDC控制器 , [- k7 }& J$ T1 |5 ?' W$ |2 ]7 w
TT9932是一款用于以太网供电系统(PoE,power over Ethernet)的DC/DC 控制器。采用原边控制方式,内置200V高压MOS,适用于flyback拓扑,提供精确的恒压控制环路, 具有较高的系统效率。TT9932提供SOP-7L的封装。5 P5 |0 y, q, ]7 Q
. a0 t# `: s2 p2 M7 U& HTT9932核心优势
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1)纹波低;
" R" O3 w& \4 e8 d$ D- d2)效率高;
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特性
+ ~. o/ t. x9 V( l2 E) u8 t较低的启动电流 (大约 7μA) 欠压锁定功能 原边控制模式 轻载降频,降低能耗 VCC过压保护 输出过压保护功能 输出短路保护 内部过热保护 软启动功能 峰值电流控制模式 内置LEB电路 过载保护
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* x u9 ?. Q9 @; R ]- e基本应用
: c! a" E3 B5 Y. C/ f) p安防领域
& U. |5 L9 w% G. i 视频监控 IP电话 无线SP / P3 c$ c1 u e
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管脚排列( D6 K2 w/ H% X
' _' z1 m, [4 l* p+ p
" W4 d! ^( H Q* r# ^0 Q& r管脚描述
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1 ~* h( [/ {& ?5 F6 h U典型应用
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. D: _9 P0 a4 [. a9 y$ @7 o: O2、样机特性
+ a; b# j# C. @! Q$ e! }本小节对工程样机的输入部分、输出部分、各种保护以及一些时序进行了测试。
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# j9 d9 V, E3 c$ o+ s5 B! o样机使用直流输入时,DC 电源连接于+48V和GND间。: b \9 W/ Z2 e# g
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; G8 y2 b, Y9 E, b, \9 j0 f, n3 q
$ F, U4 p7 G+ \) h+ w5 L注:样机待机状态输入电流较小,低于PSE特性维持电流要求(要求大于10mA或者每325ms至少有75ms的10mA 脉冲电流)。当连接PSE时,PD端应当提供一定的负载以满足该电流要求。
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2.1、协议功能测试 / D5 r4 v, u2 @
: a7 S+ k- ^/ v9 b1 |
a: b8 k N! `
& t2 u$ R) \2 p2 E6 D; B+ N! s2.2、DC/DC 转换性能测试1 H4 ~7 e/ [2 o& K) ]
0 e: r0 S' c9 @' p
% q/ y) z. d @$ B% b9 FDC电源连接于+48V 和GND间,调整输入电压38V~57V,对TT9932能量转换性能评估测试。& ]2 L+ H5 E/ u% i$ I
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2.2.1、转换效率测试' X- Z5 k( v, u9 q* h1 g
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+ U, h4 N# R# W3 m; I, @
% p$ ?: @9 ? t9 L+ K2.2.2、负载/线性调整率: `; I: @* o9 @6 w# T, |$ A, t" p
- e1 M; s, r* Y9 m: K2.2.3、CV下恒流点测试, W4 ^' y L7 S6 ]+ W
: A+ }' s; ~% d1 b; ^8 _5 ^
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2.2.4、动态测试
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4 B9 `9 D, @# M! RVIN=48V Iout=1A@5ms+0A@5ms 动态 Vout=11.92V~12.52V
: Y p+ u% A7 o% p2 H3 W 7 ]3 z& O, N. `; N4 E" W2 e, {3 M
VIN=48V Iout=1A @10ms+0A@10ms 动态 Vout=11.92V~12.52V
, Y% h) v# J$ _! [2 Y0 e* R7 o. x; y+ l y: Z
2.2.5、输出纹波
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输出并联10uf/50V和100nF瓷片电容,探头限值20MHz测试。3 ^. A% w) {/ C( h1 z! P+ P
% P1 ?2 ^7 F1 `. M
1 h' u/ B$ e8 {( \+ ]& F
5 U0 b) I1 L, j m& \
38V@1A C_out=680uF+10uF Ripple=202mV ' A& d: B3 c! T
3 ?8 v/ ] K0 z& }; Z9 P+ D$ W2 P4 ~9 w- k- t
57V@1A C_out=680uF+10uF Ripple=202mV % u- W; ?6 L: O% h, X' X
5 C, h! {7 k- j! p- { Y
2.2.6、部分工作波形) j+ y% W% ~+ B) L
$ w& Q9 ?# B. Q W& @( S3 ~/ s
: z! a0 p9 o2 M! e" C3 CCH1:V_VCC CH2:Drain VIN=48V 时 TT9932 上电启动波形 6 l( w2 E* N: z+ `* ~# _! I
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CH2:V_Drain CH1:CS VIN=38V Iout=1A 3 V: \& v+ C# h2 H$ Z- U
V_Drain最大应力130V Vin=57V Iout=1A
9 Y. G6 E; z; {2 Q' }输出二极管应力36V VIN=57V Iout=1A
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