本帖最后由 思睿达小妹妹 于 2022-4-21 16:07 编辑
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5 e; C& m6 x% J& X; y/ }4 DPoE(Power over Ethernet)是一种有线以太网供电技术,网线传输数据的同时具备直流供电能力。全面应用于POE交换机、IP摄像头、IP电话、无线AP、便携设备充电器、刷卡机、数据采集等供需端产品。 7 U: H( F& u, G8 L
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) {* x% {6 E! [ q% O* v
一个完整的PoE系统包括供电端设备(PSE, Power Sourcing Equipment)和受电端设备(PD, Power Device)两部分。PSE设备是为以太网客户端设备供电的设备,同时也是整个POE以太网供电过程的管理者。传输介质由水晶头、模块(POE)、配线架和网线组成。
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由于PoE减少了电线的数量,降低了成本,简化了基础设施管理的同时安装也非常灵活,在人们的生活中,POE应用也多了起来。 % g5 k) f2 {7 x; D @
PoE需求一直呈现上升趋势。数据显示,以太网供电(PoE)芯片组2017年的市场规模为4.648亿美元。预计从2021年到2027年将以12%的复合年增长率增长。尤其随着运营商推出了 “智慧家庭”概念,使得POE摄像头普及到了城市每家每户,以及三四线农村家庭。
, ? u5 D, K5 W; R3 ]在安防市场,随着运营商POE -IP摄像头集采数量的不断增加,标准POE芯片的供应远远无法满足。
) V* Q* x7 v( H发现这个需求后,专门为安防市场定制芯片,推出了精简版POE芯片TT9932,应用于12V 1A的场景,并有两个核心优势:1)纹波低;2)效率高!TT9932在解决供应问题的同时也满足了运营商对PoE 摄像头低成本的要求。 4 P7 u1 O7 B" V0 I
巧妙的让客户避开国外品牌“天价”芯片,又满足了本地需求,解决了客户的燃眉之急,一经推出就获得了很多厂商的认可。
: d- u1 T" V( G2 t* v废话不多说,基于主推TT9932 以太网供电(PoE) 12W解决方案,一起来看看吧!- `) {! p5 a/ C" }; |. h
& ^& f9 H9 [/ k* n- Z$ ?1、电路参考、PCB、BOM list
1 Z# t3 c, _( T样机采用了主推的TT9932,最大输出 12V 1A ,支持最大功率12W;PoE应用,样机兼容 IEEE802.3af,兼容网线 4-5/7-8 和 1-2/3-6 两种供电方式,可应用于安防监控、 RFID、视频等。
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2 k/ o/ r+ F, N+ L) R
& l T% M' `2 F7 ]/ lBOM List:
) }5 @* e& d$ A3 X& G. g# u7 x
, N. v6 M5 P4 c/ e
6 g( }; u; s: M, f: s变压器参数:
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( U+ \8 |1 v% |9 z9 r; H% V
$ { m* _/ L/ ?7 I( HTT9932:高性能DCDC控制器
; J. O+ o, I* ?8 V& }TT9932是一款用于以太网供电系统(PoE,power over Ethernet)的DC/DC 控制器。采用原边控制方式,内置200V高压MOS,适用于flyback拓扑,提供精确的恒压控制环路, 具有较高的系统效率。TT9932提供SOP-7L的封装。7 X% G4 K1 h2 ~/ x
& K# C$ @& y Y& T6 pTT9932核心优势
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/ a$ H4 A0 f" _9 }0 l& R2 C; U1)纹波低;- h/ S* L! A7 O6 u% a' D- D
2)效率高;8 p. N3 B4 v, ~
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特性 l: m6 g3 [+ x5 d) L
较低的启动电流 (大约 7μA) 欠压锁定功能 原边控制模式 轻载降频,降低能耗 VCC过压保护 输出过压保护功能 输出短路保护 内部过热保护 软启动功能 峰值电流控制模式 内置LEB电路 过载保护 ' M* S u' D! }( y- }1 p* E
5 F% Q0 l6 ]3 n& N基本应用. J6 _3 o3 H K( }! v8 i' n5 n
, u k6 g8 I1 y; C$ t8 y9 v
管脚排列
6 H" N& r! J; F8 [7 k# O; G. g Z) i# m# N( t
- m* F# @& [2 J) f$ c管脚描述
9 {7 y; i- ^ Z$ r$ {- b, N" t4 l+ e! X8 X. ~- i- R
1 o5 s' X: D U+ u
典型应用% |. U. }: A: X% ?
+ E1 d n7 N8 N2 r7 E: g; [
( O1 @, s& R# q3 [ r7 E/ x: V, Q2、样机特性 ' x! A, ^; T) k4 }7 _, g; O
本小节对工程样机的输入部分、输出部分、各种保护以及一些时序进行了测试。
4 E z. e @4 B6 z, d( W7 e s$ B5 I
样机使用直流输入时,DC 电源连接于+48V和GND间。9 o Z' M3 f& C! T: E) ?4 Y6 ?
, h1 R$ m+ r4 s! s
: S$ \$ H% N: B* U3 u" {8 z) l6 G. m9 h. Q) E, P2 W
注:样机待机状态输入电流较小,低于PSE特性维持电流要求(要求大于10mA或者每325ms至少有75ms的10mA 脉冲电流)。当连接PSE时,PD端应当提供一定的负载以满足该电流要求。# y% z# o* N$ K* I! E5 ]
& M* {2 c. Z1 r2.1、协议功能测试 + _" U7 G/ m" x* B# s- u, ]
. ] }9 E# @ ]
4 o# F& S. }! G* |) ~+ i) V
5 r. U& d9 |8 l2 P2.2、DC/DC 转换性能测试
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8 Q: _+ u) ]8 o5 u/ ~5 yDC电源连接于+48V 和GND间,调整输入电压38V~57V,对TT9932能量转换性能评估测试。# h0 N) q0 ^# B# b6 M, r1 G
. k, z) o3 R' u0 z9 p( z2.2.1、转换效率测试5 n0 S# r( j9 F) q: j
) } `. n7 I3 s6 \/ C" Y6 |9 M: q8 i: d: d0 w; v T3 d/ H/ E
1 ?' W! [" L6 e. O, ^6 ?* ?7 X3 Q7 E% l) c, v
2.2.2、负载/线性调整率* ]0 d/ u* W6 m# e, v5 N
/ e5 I: P2 A7 ?
2.2.3、CV下恒流点测试
0 Q$ L! h7 O+ R! P
) t0 m$ n: S2 E& O! J- b! \8 f% M0 C i. |7 C a1 ]7 U
2.2.4、动态测试/ X* X0 k: _" a; l& s
" h* v# Z/ h) [1 zVIN=48V Iout=1A@5ms+0A@5ms 动态 Vout=11.92V~12.52V
L, ?5 }! {' ^6 z
1 e2 i& y( ~/ M1 a7 m$ m; l6 d/ KVIN=48V Iout=1A @10ms+0A@10ms 动态 Vout=11.92V~12.52V
, H* t: F$ s+ z1 g& o& k$ \4 ^2 g; ^% l, e8 q
2.2.5、输出纹波
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输出并联10uf/50V和100nF瓷片电容,探头限值20MHz测试。* }. P# ]" M- g7 H5 B9 P
, N9 O- ^" K1 _) ]7 |" O' K! a. y
/ h7 t& e5 `; w+ ?# N, D$ I0 o38V@1A C_out=680uF+10uF Ripple=202mV 2 S# i O& p+ E
4 h% Y0 B k7 S% Z
+ {% M( j; q; X$ B' N57V@1A C_out=680uF+10uF Ripple=202mV & x8 c9 b# A1 m& u5 A% B/ u
6 b: a7 X4 O! Z. z' F7 i4 T* f2.2.6、部分工作波形6 X2 A. y3 M7 q' c
- X6 M$ w0 L! l& \ U9 {. g( s7 o/ _- ]6 B3 s
CH1:V_VCC CH2:Drain VIN=48V 时 TT9932 上电启动波形 m4 O4 }& `' l% @8 W8 c) ?7 k
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CH2:V_Drain CH1:CS VIN=38V Iout=1A
7 r" v" o3 W0 c" X9 n* ]V_Drain最大应力130V Vin=57V Iout=1A
( y7 N* E0 Y7 N9 T7 e, q6 Q$ J$ a输出二极管应力36V VIN=57V Iout=1A
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