重磅！TT9932 以太网供电(PoE) 12W解决方案

思睿达小妹妹

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PoE（Power over Ethernet）是一种有线以太网供电技术，网线传输数据的同时具备直流供电能力。全面应用于POE交换机、IP摄像头、IP电话、无线AP、便携设备充电器、刷卡机、数据采集等供需端产品。

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一个完整的PoE系统包括供电端设备(PSE, Power Sourcing Equipment)和受电端设备(PD, Power Device)两部分。PSE设备是为以太网客户端设备供电的设备，同时也是整个POE以太网供电过程的管理者。传输介质由水晶头、模块(POE)、配线架和网线组成。

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由于PoE减少了电线的数量，降低了成本，简化了基础设施管理的同时安装也非常灵活，在人们的生活中，POE应用也多了起来。

PoE需求一直呈现上升趋势。数据显示，以太网供电(PoE)芯片组2017年的市场规模为4.648亿美元。预计从2021年到2027年将以12%的复合年增长率增长。尤其随着运营商推出了 “智慧家庭”概念，使得POE摄像头普及到了城市每家每户，以及三四线农村家庭。

在安防市场，随着运营商POE -IP摄像头集采数量的不断增加，标准POE芯片的供应远远无法满足。

发现这个需求后，专门为安防市场定制芯片，推出了精简版POE芯片TT9932，应用于12V 1A的场景，并有两个核心优势：1）纹波低；2）效率高！TT9932在解决供应问题的同时也满足了运营商对PoE 摄像头低成本的要求。

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巧妙的让客户避开国外品牌“天价”芯片，又满足了本地需求，解决了客户的燃眉之急，一经推出就获得了很多厂商的认可。

废话不多说，基于主推TT9932 以太网供电(PoE) 12W解决方案，一起来看看吧！

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1、电路参考、PCB、BOM list

样机采用了主推的TT9932，最大输出 12V 1A ，支持最大功率12W；PoE应用，样机兼容 IEEE802.3af，兼容网线 4-5/7-8 和 1-2/3-6 两种供电方式，可应用于安防监控、 RFID、视频等。

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$ [5 B* ~: G' P* ?  T9 gBOM List：
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/ D# W+ H% y& T/ T' G2 L

变压器参数：

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TT9932：高性能DCDC控制器

: b( F+ H' R4 G, e, D5 O1 gTT9932是一款用于以太网供电系统（PoE，power over Ethernet）的DC/DC 控制器。采用原边控制方式，内置200V高压MOS，适用于flyback拓扑，提供精确的恒压控制环路， 具有较高的系统效率。TT9932提供SOP-7L的封装。
: T9 _2 W  i% K: O
$ m8 R3 y( A$ L. H4 UTT9932核心优势
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1）纹波低；
) ~: Z- N$ \* U3 ~& T4 p8 v7 @' t2）效率高；

9 }" w0 K( Q7 J5 G! l4 q特性

• 较低的启动电流 (大约 7μA)
• 欠压锁定功能
• 原边控制模式
• 轻载降频，降低能耗
• VCC过压保护
• 输出过压保护功能
• 输出短路保护
• 内部过热保护
• 软启动功能
• 峰值电流控制模式
• 内置LEB电路
• 过载保护
  
    |, D4 j' |6 q% [; y6 q

  b/ Y, Q7 @; `7 \% c基本应用
  f* Q" `, S1 r, s0 e

• 安防领域
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• 视频监控
• IP电话
• 无线SP
  
  

- U% M; Z  w+ V; d6 s# [% p管脚排列
7 z  y# Z; O% u3 ~7 C6 p

管脚描述

, B& X" N7 a( {; E' S典型应用
5 u$ w' J4 m) M8 V+ X
) Q: a) j; o! ]6 |/ b

2、样机特性

本小节对工程样机的输入部分、输出部分、各种保护以及一些时序进行了测试。

样机使用直流输入时，DC 电源连接于+48V和GND间。

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注：样机待机状态输入电流较小，低于PSE特性维持电流要求（要求大于10mA或者每325ms至少有75ms的10mA 脉冲电流）。当连接PSE时，PD端应当提供一定的负载以满足该电流要求。

. E" ]# _' c. o* c) ^2.1、协议功能测试
3 g" x# P* G/ }' @' V

: o7 Q3 ^3 z  L+ X
2 e5 b' w& k4 }6 m2.2、DC/DC 转换性能测试
3 V8 X' m0 l" C4 m
+ U; Z! Q/ _( q4 T: o6 {6 z
2 p+ A2 C# j" wDC电源连接于+48V 和GND间，调整输入电压38V~57V，对TT9932能量转换性能评估测试。
% ^& y/ k: @0 N. W
: O) y! `+ K) T- O' Y2 A2.2.1、转换效率测试
0 R: t  X& I5 ?& G, q4 L; N

! d- O) o. d# K7 `# E7 _$ b1 i
* s4 L  B. z3 T! s: v. X2.2.2、负载/线性调整率
% @; l0 T4 x# @/ S

4 M. u+ X5 \5 l- A  y' _  \# W9 l2.2.3、CV下恒流点测试
) {, ]3 j  \3 `/ H! `: V

2.2.4、动态测试
; m( y* N& b3 d6 l: i, _) N% g

VIN=48V Iout=1A@5ms+0A@5ms 动态

Vout=11.92V~12.52V

VIN=48V Iout=1A @10ms+0A@10ms 动态

Vout=11.92V~12.52V

* L9 u% Z1 q0 q4 H" _0 C$ E
2.2.5、输出纹波

9 o1 `4 B2 _' ?输出并联10uf/50V和100nF瓷片电容，探头限值20MHz测试。

1 @+ U* L( h2 |4 J9 ~

38V@1A C_out=680uF+10uF Ripple=202mV

9 T( X$ I4 @# ~# A# Y) s

3 W' Y  u( d* s1 Y- G0 m

57V@1A C_out=680uF+10uF Ripple=202mV

2.2.6、部分工作波形
3 b/ M: S+ k- T9 R' U, k

4 I, H8 o$ F# C; }

CH1：V_VCC CH2：Drain

VIN=48V 时 TT9932 上电启动波形

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CH2：V_Drain CH1：CS

VIN=38V Iout=1A

! \, Y0 \9 E5 ?) h: K* o+ T

V_Drain最大应力130V

Vin=57V Iout=1A

输出二极管应力36V

VIN=57V Iout=1A

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