重磅！TT9932 以太网供电(PoE) 12W解决方案

思睿达小妹妹

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PoE（Power over Ethernet）是一种有线以太网供电技术，网线传输数据的同时具备直流供电能力。全面应用于POE交换机、IP摄像头、IP电话、无线AP、便携设备充电器、刷卡机、数据采集等供需端产品。

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一个完整的PoE系统包括供电端设备(PSE, Power Sourcing Equipment)和受电端设备(PD, Power Device)两部分。PSE设备是为以太网客户端设备供电的设备，同时也是整个POE以太网供电过程的管理者。传输介质由水晶头、模块(POE)、配线架和网线组成。

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由于PoE减少了电线的数量，降低了成本，简化了基础设施管理的同时安装也非常灵活，在人们的生活中，POE应用也多了起来。

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PoE需求一直呈现上升趋势。数据显示，以太网供电(PoE)芯片组2017年的市场规模为4.648亿美元。预计从2021年到2027年将以12%的复合年增长率增长。尤其随着运营商推出了 “智慧家庭”概念，使得POE摄像头普及到了城市每家每户，以及三四线农村家庭。

在安防市场，随着运营商POE -IP摄像头集采数量的不断增加，标准POE芯片的供应远远无法满足。

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发现这个需求后，专门为安防市场定制芯片，推出了精简版POE芯片TT9932，应用于12V 1A的场景，并有两个核心优势：1）纹波低；2）效率高！TT9932在解决供应问题的同时也满足了运营商对PoE 摄像头低成本的要求。

巧妙的让客户避开国外品牌“天价”芯片，又满足了本地需求，解决了客户的燃眉之急，一经推出就获得了很多厂商的认可。

废话不多说，基于主推TT9932 以太网供电(PoE) 12W解决方案，一起来看看吧！

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1、电路参考、PCB、BOM list

样机采用了主推的TT9932，最大输出 12V 1A ，支持最大功率12W；PoE应用，样机兼容 IEEE802.3af，兼容网线 4-5/7-8 和 1-2/3-6 两种供电方式，可应用于安防监控、 RFID、视频等。

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0 @* ?/ M2 s1 {, a" ?* R, |- N
BOM List：
  B9 D; h  @  J* p+ }
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1 K  y7 h9 w+ R2 ]& Z8 J变压器参数：
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TT9932：高性能DCDC控制器

) c1 A+ }0 v$ H0 v7 ?TT9932是一款用于以太网供电系统（PoE，power over Ethernet）的DC/DC 控制器。采用原边控制方式，内置200V高压MOS，适用于flyback拓扑，提供精确的恒压控制环路， 具有较高的系统效率。TT9932提供SOP-7L的封装。
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TT9932核心优势
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4 @5 s) x! f0 p5 G/ ~/ j1）纹波低；
0 F9 {( {- p8 @) v; @8 C8 j2）效率高；
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8 x- G& r1 }) J) {( h9 b& c特性

• 较低的启动电流 (大约 7μA)
• 欠压锁定功能
• 原边控制模式
• 轻载降频，降低能耗
• VCC过压保护
• 输出过压保护功能
• 输出短路保护
• 内部过热保护
• 软启动功能
• 峰值电流控制模式
• 内置LEB电路
• 过载保护
  
  

' U! C* S" C/ k: d. d基本应用

• 安防领域
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• 视频监控
• IP电话
• 无线SP
  
  

管脚排列
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. c- A' j: J: U5 _. c6 ?7 B  f0 F

管脚描述

6 L2 W- U4 N9 J: c) }典型应用

8 Z, e8 ^) h2 V, f4 b$ O

2、样机特性

1 z6 p# m4 o* ~$ H, J本小节对工程样机的输入部分、输出部分、各种保护以及一些时序进行了测试。
+ ^7 F% y: O2 ^; N/ F; U& ~
样机使用直流输入时，DC 电源连接于+48V和GND间。

" B' e7 i+ N  F) M: w
0 E* f& ], A- w1 ^注：样机待机状态输入电流较小，低于PSE特性维持电流要求（要求大于10mA或者每325ms至少有75ms的10mA 脉冲电流）。当连接PSE时，PD端应当提供一定的负载以满足该电流要求。
  B; R- N+ i7 c8 Y6 d
, `( H# H! s4 K9 k2.1、协议功能测试

6 `; L. G+ g" m
/ W; h0 j3 M# }2.2、DC/DC 转换性能测试

0 G/ L; P1 ?& W( g+ L8 E0 y" M
' {6 n! U* ~7 G; HDC电源连接于+48V 和GND间，调整输入电压38V~57V，对TT9932能量转换性能评估测试。

% p# Y# u' C; D" \  [; o9 ?2.2.1、转换效率测试
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, q: K, t3 L) U7 i& H

7 `- D1 ?' [. J6 L6 ?
$ f7 i: ]$ h' w$ A$ M5 ~, C  L2.2.2、负载/线性调整率
1 V% Q* [: o: x/ M+ ^! ^# S

+ }: ?- ?: l1 e+ i( J! W2.2.3、CV下恒流点测试
: V* v- w" @! _* o

2.2.4、动态测试

- i: U( b1 m7 m% a1 d% o! F

VIN=48V Iout=1A@5ms+0A@5ms 动态

Vout=11.92V~12.52V

5 i( a. L* G9 h4 k: c  i

VIN=48V Iout=1A @10ms+0A@10ms 动态

Vout=11.92V~12.52V

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2.2.5、输出纹波
  r  Z& F0 d% W' b
输出并联10uf/50V和100nF瓷片电容，探头限值20MHz测试。
7 f+ p0 O& J) [+ Q3 r

38V@1A C_out=680uF+10uF Ripple=202mV

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. W# c5 r  |( w/ T) R9 f& F

57V@1A C_out=680uF+10uF Ripple=202mV

0 [: L2 s" I  O8 g: l+ k
' S' L4 ]- J: i6 ~6 b2.2.6、部分工作波形

$ a" C4 C2 y5 q  D+ i

CH1：V_VCC CH2：Drain

VIN=48V 时 TT9932 上电启动波形

CH2：V_Drain CH1：CS

VIN=38V Iout=1A

1 R0 V" Z( @$ ?$ a$ q; E  d

V_Drain最大应力130V

Vin=57V Iout=1A

输出二极管应力36V

VIN=57V Iout=1A