重磅！TT9932 以太网供电(PoE) 12W解决方案

思睿达小妹妹

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PoE（Power over Ethernet）是一种有线以太网供电技术，网线传输数据的同时具备直流供电能力。全面应用于POE交换机、IP摄像头、IP电话、无线AP、便携设备充电器、刷卡机、数据采集等供需端产品。

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一个完整的PoE系统包括供电端设备(PSE, Power Sourcing Equipment)和受电端设备(PD, Power Device)两部分。PSE设备是为以太网客户端设备供电的设备，同时也是整个POE以太网供电过程的管理者。传输介质由水晶头、模块(POE)、配线架和网线组成。

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由于PoE减少了电线的数量，降低了成本，简化了基础设施管理的同时安装也非常灵活，在人们的生活中，POE应用也多了起来。

PoE需求一直呈现上升趋势。数据显示，以太网供电(PoE)芯片组2017年的市场规模为4.648亿美元。预计从2021年到2027年将以12%的复合年增长率增长。尤其随着运营商推出了 “智慧家庭”概念，使得POE摄像头普及到了城市每家每户，以及三四线农村家庭。

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在安防市场，随着运营商POE -IP摄像头集采数量的不断增加，标准POE芯片的供应远远无法满足。

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发现这个需求后，专门为安防市场定制芯片，推出了精简版POE芯片TT9932，应用于12V 1A的场景，并有两个核心优势：1）纹波低；2）效率高！TT9932在解决供应问题的同时也满足了运营商对PoE 摄像头低成本的要求。

巧妙的让客户避开国外品牌“天价”芯片，又满足了本地需求，解决了客户的燃眉之急，一经推出就获得了很多厂商的认可。

( K4 N, @6 M8 G; P- i0 N% N废话不多说，基于主推TT9932 以太网供电(PoE) 12W解决方案，一起来看看吧！

1、电路参考、PCB、BOM list

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样机采用了主推的TT9932，最大输出 12V 1A ，支持最大功率12W；PoE应用，样机兼容 IEEE802.3af，兼容网线 4-5/7-8 和 1-2/3-6 两种供电方式，可应用于安防监控、 RFID、视频等。

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BOM List：

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; Y- s" J3 B+ |变压器参数：

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7 w. r7 x2 K1 J2 P$ R- S

TT9932：高性能DCDC控制器

& {1 I  Y" G, r; j- U' qTT9932是一款用于以太网供电系统（PoE，power over Ethernet）的DC/DC 控制器。采用原边控制方式，内置200V高压MOS，适用于flyback拓扑，提供精确的恒压控制环路， 具有较高的系统效率。TT9932提供SOP-7L的封装。

* p( u+ l' ~2 ]TT9932核心优势

1）纹波低；
) [; p( d, h& F# R8 M* J! h- V2）效率高；
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2 I  f0 r& a1 g% V( V特性

• 较低的启动电流 (大约 7μA)
• 欠压锁定功能
• 原边控制模式
• 轻载降频，降低能耗
• VCC过压保护
• 输出过压保护功能
• 输出短路保护
• 内部过热保护
• 软启动功能
• 峰值电流控制模式
• 内置LEB电路
• 过载保护
  
  

基本应用
- @1 m' h( y8 X! t1 M

• 安防领域
  3 k( D/ T. X0 k+ e* ]& i3 C# E1 A& @
• 视频监控
• IP电话
• 无线SP
  
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管脚排列
  w+ w7 r/ c- G! K% P

% Q/ r2 D  R7 U1 `& [( I管脚描述
4 y  @  q$ P; x: E

典型应用

% u$ I$ B9 g% J2 W/ D/ O

% K. z, e% J- [7 p+ G) _( ~8 E

2、样机特性

本小节对工程样机的输入部分、输出部分、各种保护以及一些时序进行了测试。
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: M9 j, g) J. I' V  z样机使用直流输入时，DC 电源连接于+48V和GND间。
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$ L6 _2 T! C$ _+ i! M7 z3 j
+ W3 v. ?+ j/ t# h) u- ]注：样机待机状态输入电流较小，低于PSE特性维持电流要求（要求大于10mA或者每325ms至少有75ms的10mA 脉冲电流）。当连接PSE时，PD端应当提供一定的负载以满足该电流要求。

2.1、协议功能测试
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2.2、DC/DC 转换性能测试
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$ w1 h2 d# R. {DC电源连接于+48V 和GND间，调整输入电压38V~57V，对TT9932能量转换性能评估测试。
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2.2.1、转换效率测试

* T* X' t" X6 m$ ]1 V; `

) V# e% v  O* k, G, K# N* U! B
2.2.2、负载/线性调整率
; l' Z# o: [3 r! ~4 b+ S5 c/ P( V

' \1 t- T$ m, o2.2.3、CV下恒流点测试

; G; a! Y$ p% }$ j+ g- X4 }: n

2.2.4、动态测试

* y. ?1 V7 e+ d0 X2 F: f

VIN=48V Iout=1A@5ms+0A@5ms 动态

Vout=11.92V~12.52V

" W* J. y6 P- ~; h' A

" b  F3 T3 n' |8 m

VIN=48V Iout=1A @10ms+0A@10ms 动态

Vout=11.92V~12.52V

2.2.5、输出纹波
. S" H8 R4 X1 [/ d
' O# w* Y3 m6 `8 u+ V输出并联10uf/50V和100nF瓷片电容，探头限值20MHz测试。
$ e, [# P# [( H( A; b
8 r% l7 U, a: r- f$ }

. H5 o/ Q% w" }4 ]. f

38V@1A C_out=680uF+10uF Ripple=202mV

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57V@1A C_out=680uF+10uF Ripple=202mV

; U2 w! W0 R# A, @# L+ i- T2.2.6、部分工作波形

* z9 b9 X+ R2 L( a

/ A3 F( b0 L% o% o( t4 L( Z' k

CH1：V_VCC CH2：Drain

VIN=48V 时 TT9932 上电启动波形

- Z1 E: [: u& Z; E% K* i

% O8 {% {! M" j. w& C5 S

CH2：V_Drain CH1：CS

VIN=38V Iout=1A

# f$ q- S0 O# u

V_Drain最大应力130V

Vin=57V Iout=1A

输出二极管应力36V

VIN=57V Iout=1A

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