重磅！TT9932 以太网供电(PoE) 12W解决方案

思睿达小妹妹

PoE（Power over Ethernet）是一种有线以太网供电技术，网线传输数据的同时具备直流供电能力。全面应用于POE交换机、IP摄像头、IP电话、无线AP、便携设备充电器、刷卡机、数据采集等供需端产品。

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一个完整的PoE系统包括供电端设备(PSE, Power Sourcing Equipment)和受电端设备(PD, Power Device)两部分。PSE设备是为以太网客户端设备供电的设备，同时也是整个POE以太网供电过程的管理者。传输介质由水晶头、模块(POE)、配线架和网线组成。

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由于PoE减少了电线的数量，降低了成本，简化了基础设施管理的同时安装也非常灵活，在人们的生活中，POE应用也多了起来。

PoE需求一直呈现上升趋势。数据显示，以太网供电(PoE)芯片组2017年的市场规模为4.648亿美元。预计从2021年到2027年将以12%的复合年增长率增长。尤其随着运营商推出了 “智慧家庭”概念，使得POE摄像头普及到了城市每家每户，以及三四线农村家庭。

在安防市场，随着运营商POE -IP摄像头集采数量的不断增加，标准POE芯片的供应远远无法满足。

发现这个需求后，专门为安防市场定制芯片，推出了精简版POE芯片TT9932，应用于12V 1A的场景，并有两个核心优势：1）纹波低；2）效率高！TT9932在解决供应问题的同时也满足了运营商对PoE 摄像头低成本的要求。

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巧妙的让客户避开国外品牌“天价”芯片，又满足了本地需求，解决了客户的燃眉之急，一经推出就获得了很多厂商的认可。

1 i) }. Y4 H( E) d4 F/ D: [% T废话不多说，基于主推TT9932 以太网供电(PoE) 12W解决方案，一起来看看吧！
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1、电路参考、PCB、BOM list

样机采用了主推的TT9932，最大输出 12V 1A ，支持最大功率12W；PoE应用，样机兼容 IEEE802.3af，兼容网线 4-5/7-8 和 1-2/3-6 两种供电方式，可应用于安防监控、 RFID、视频等。

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! h* c5 U) v( F. l* N" F/ K( EBOM List：
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4 x+ a( e' i& k# F7 T& f变压器参数：

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TT9932：高性能DCDC控制器

6 Z" c# D, {$ J6 U0 a% cTT9932是一款用于以太网供电系统（PoE，power over Ethernet）的DC/DC 控制器。采用原边控制方式，内置200V高压MOS，适用于flyback拓扑，提供精确的恒压控制环路， 具有较高的系统效率。TT9932提供SOP-7L的封装。

TT9932核心优势
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( E; F: e; A! y- h$ ^6 C1）纹波低；
& M  `& V6 h1 D: H5 R% E2）效率高；

8 E! h. x$ C- e8 L, R& g7 R+ ~& ?特性

• 较低的启动电流 (大约 7μA)
• 欠压锁定功能
• 原边控制模式
• 轻载降频，降低能耗
• VCC过压保护
• 输出过压保护功能
• 输出短路保护
• 内部过热保护
• 软启动功能
• 峰值电流控制模式
• 内置LEB电路
• 过载保护
  
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基本应用
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• 安防领域
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• 视频监控
• IP电话
• 无线SP
  
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. A. m( X5 ?4 r- _5 @8 }3 l管脚排列

管脚描述

典型应用
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, A+ w! c. s# S1 s% G6 P' v/ H

2、样机特性

本小节对工程样机的输入部分、输出部分、各种保护以及一些时序进行了测试。

0 _3 X$ q: o9 h样机使用直流输入时，DC 电源连接于+48V和GND间。

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- p6 w5 h0 ]" J  p0 m* f( y
7 f- H4 j0 L6 D( n5 a  Y- y注：样机待机状态输入电流较小，低于PSE特性维持电流要求（要求大于10mA或者每325ms至少有75ms的10mA 脉冲电流）。当连接PSE时，PD端应当提供一定的负载以满足该电流要求。

2.1、协议功能测试

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- \+ X; `: @* e5 D2.2、DC/DC 转换性能测试


DC电源连接于+48V 和GND间，调整输入电压38V~57V，对TT9932能量转换性能评估测试。

) s. r6 B: z2 D: _  _: Z7 y2.2.1、转换效率测试

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2.2.2、负载/线性调整率

2.2.3、CV下恒流点测试
& D- w: A+ a0 Z/ X( R2 R0 Q
) x% \  @$ G8 p; J) j* ~

& R- h! t0 C$ c+ p( U- p9 s4 q2.2.4、动态测试
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% P+ \0 c1 `. y, Q# ]4 z

VIN=48V Iout=1A@5ms+0A@5ms 动态

Vout=11.92V~12.52V

, s% _0 I/ J$ |1 u- P8 _

VIN=48V Iout=1A @10ms+0A@10ms 动态

Vout=11.92V~12.52V

0 u4 y0 s( c( p- L/ B8 m2.2.5、输出纹波
0 B. Y- c2 k1 ]
输出并联10uf/50V和100nF瓷片电容，探头限值20MHz测试。
+ `* w  V4 {6 |5 N

4 m# z: J4 b% [1 O

38V@1A C_out=680uF+10uF Ripple=202mV

# W# h+ P6 ]7 F1 `. T5 A

! T7 F' L1 t1 A5 Q

57V@1A C_out=680uF+10uF Ripple=202mV

4 c4 v+ K( s$ j9 R0 c2.2.6、部分工作波形
/ n8 C( W$ V" ?  i  u8 [7 S

CH1：V_VCC CH2：Drain

VIN=48V 时 TT9932 上电启动波形

/ @: s2 }6 I" V% D$ I3 f

CH2：V_Drain CH1：CS

VIN=38V Iout=1A

V_Drain最大应力130V

Vin=57V Iout=1A

0 b) a& v( T7 y) L; }

输出二极管应力36V

VIN=57V Iout=1A

# k" `6 ~- H6 V