重磅！TT9932 以太网供电(PoE) 12W解决方案

思睿达小妹妹

PoE（Power over Ethernet）是一种有线以太网供电技术，网线传输数据的同时具备直流供电能力。全面应用于POE交换机、IP摄像头、IP电话、无线AP、便携设备充电器、刷卡机、数据采集等供需端产品。

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+ ^& F) I' t- u* U. H+ q+ l7 W7 @# E

一个完整的PoE系统包括供电端设备(PSE, Power Sourcing Equipment)和受电端设备(PD, Power Device)两部分。PSE设备是为以太网客户端设备供电的设备，同时也是整个POE以太网供电过程的管理者。传输介质由水晶头、模块(POE)、配线架和网线组成。

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由于PoE减少了电线的数量，降低了成本，简化了基础设施管理的同时安装也非常灵活，在人们的生活中，POE应用也多了起来。

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PoE需求一直呈现上升趋势。数据显示，以太网供电(PoE)芯片组2017年的市场规模为4.648亿美元。预计从2021年到2027年将以12%的复合年增长率增长。尤其随着运营商推出了 “智慧家庭”概念，使得POE摄像头普及到了城市每家每户，以及三四线农村家庭。

在安防市场，随着运营商POE -IP摄像头集采数量的不断增加，标准POE芯片的供应远远无法满足。

发现这个需求后，专门为安防市场定制芯片，推出了精简版POE芯片TT9932，应用于12V 1A的场景，并有两个核心优势：1）纹波低；2）效率高！TT9932在解决供应问题的同时也满足了运营商对PoE 摄像头低成本的要求。

巧妙的让客户避开国外品牌“天价”芯片，又满足了本地需求，解决了客户的燃眉之急，一经推出就获得了很多厂商的认可。

8 S; P3 j( e1 L" \  ^2 q$ ?废话不多说，基于主推TT9932 以太网供电(PoE) 12W解决方案，一起来看看吧！

1、电路参考、PCB、BOM list

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样机采用了主推的TT9932，最大输出 12V 1A ，支持最大功率12W；PoE应用，样机兼容 IEEE802.3af，兼容网线 4-5/7-8 和 1-2/3-6 两种供电方式，可应用于安防监控、 RFID、视频等。

BOM List：
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变压器参数：

TT9932：高性能DCDC控制器

TT9932是一款用于以太网供电系统（PoE，power over Ethernet）的DC/DC 控制器。采用原边控制方式，内置200V高压MOS，适用于flyback拓扑，提供精确的恒压控制环路， 具有较高的系统效率。TT9932提供SOP-7L的封装。
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TT9932核心优势
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1）纹波低；
8 U4 K0 ?& b% B- Q* {- Y3 g6 J2）效率高；
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特性

• 较低的启动电流 (大约 7μA)
• 欠压锁定功能
• 原边控制模式
• 轻载降频，降低能耗
• VCC过压保护
• 输出过压保护功能
• 输出短路保护
• 内部过热保护
• 软启动功能
• 峰值电流控制模式
• 内置LEB电路
• 过载保护
  
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基本应用

• 安防领域
  
• 视频监控
• IP电话
• 无线SP
  
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. @! |1 l+ L* [管脚排列
) @! L% e" D- i  B0 F

# L& Z: u/ w! `4 g8 c管脚描述
" p6 p0 b+ a0 i0 H& N7 F9 W# `

. p. b+ r4 j6 F( ^) U7 s" {
2 F7 }  K4 g# K, B4 Y8 Y3 a. Q典型应用

2、样机特性

本小节对工程样机的输入部分、输出部分、各种保护以及一些时序进行了测试。
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样机使用直流输入时，DC 电源连接于+48V和GND间。
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注：样机待机状态输入电流较小，低于PSE特性维持电流要求（要求大于10mA或者每325ms至少有75ms的10mA 脉冲电流）。当连接PSE时，PD端应当提供一定的负载以满足该电流要求。
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: J9 t6 x3 }$ t% k0 l) w( b$ c2.1、协议功能测试

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2.2、DC/DC 转换性能测试


1 V% F$ o+ r- \; e6 GDC电源连接于+48V 和GND间，调整输入电压38V~57V，对TT9932能量转换性能评估测试。
4 ^8 i* _5 D) _! E8 d$ U' H; `
0 }: [" G: O8 v6 D1 L" X2.2.1、转换效率测试

) ~9 t% I0 [# P+ d/ v8 V, S2 C

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8 i* o# R# X5 a8 a- B0 L( p: N' K
2.2.2、负载/线性调整率

2.2.3、CV下恒流点测试

2.2.4、动态测试
2 s# G8 J+ {, Q3 q
4 q" ~) b. H0 v7 L* m- B  b* g

VIN=48V Iout=1A@5ms+0A@5ms 动态

Vout=11.92V~12.52V

7 z: N1 q- T" y- G" m! V/ I1 u

, ]1 O, D# D/ }. c- {" ]; E

VIN=48V Iout=1A @10ms+0A@10ms 动态

Vout=11.92V~12.52V

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7 }9 }" M4 d- q6 i; u' x! y7 K: q2.2.5、输出纹波
) j- p) b, |) g, O5 e* S7 C
% z6 u6 Y6 t. V0 B! j$ Q输出并联10uf/50V和100nF瓷片电容，探头限值20MHz测试。
1 j9 v+ V& u' j1 _- m
2 B1 t/ M/ K! S; {

+ {; R; o( B" J3 p, M+ p- ^

38V@1A C_out=680uF+10uF Ripple=202mV

1 H5 M- E; ]+ y( k$ H$ |& A
% y7 z2 o5 J1 W$ G8 D

57V@1A C_out=680uF+10uF Ripple=202mV

0 q0 p5 O0 A; H; M# @, q8 ^
+ k/ E3 A, R8 d2 y2.2.6、部分工作波形

& q/ n5 \1 y( B+ L

% ]; ]5 E1 s8 D: D4 F8 a4 I, \

CH1：V_VCC CH2：Drain

VIN=48V 时 TT9932 上电启动波形

+ t. m) ~7 C, \( J

, H0 h. N# D$ r) X, K" c! k. Q/ f( g

CH2：V_Drain CH1：CS

VIN=38V Iout=1A

V_Drain最大应力130V

Vin=57V Iout=1A

输出二极管应力36V

VIN=57V Iout=1A

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' c. T+ A" d+ D' c# V' Y' @# M