本帖最后由 思睿达小妹妹 于 2022-4-21 16:07 编辑 $ ?" T; m0 u' W% e8 t8 N8 }
/ [; Y" [; J6 @7 P: z# WPoE(Power over Ethernet)是一种有线以太网供电技术,网线传输数据的同时具备直流供电能力。全面应用于POE交换机、IP摄像头、IP电话、无线AP、便携设备充电器、刷卡机、数据采集等供需端产品。
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% I/ S8 L# d( z, P$ N% f4 O# P, j一个完整的PoE系统包括供电端设备(PSE, Power Sourcing Equipment)和受电端设备(PD, Power Device)两部分。PSE设备是为以太网客户端设备供电的设备,同时也是整个POE以太网供电过程的管理者。传输介质由水晶头、模块(POE)、配线架和网线组成。
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由于PoE减少了电线的数量,降低了成本,简化了基础设施管理的同时安装也非常灵活,在人们的生活中,POE应用也多了起来。
( z4 x9 u1 \! ]0 qPoE需求一直呈现上升趋势。数据显示,以太网供电(PoE)芯片组2017年的市场规模为4.648亿美元。预计从2021年到2027年将以12%的复合年增长率增长。尤其随着运营商推出了 “智慧家庭”概念,使得POE摄像头普及到了城市每家每户,以及三四线农村家庭。
9 O+ I2 F# L7 J在安防市场,随着运营商POE -IP摄像头集采数量的不断增加,标准POE芯片的供应远远无法满足。
( w4 G4 O1 \% ?4 e发现这个需求后,专门为安防市场定制芯片,推出了精简版POE芯片TT9932,应用于12V 1A的场景,并有两个核心优势:1)纹波低;2)效率高!TT9932在解决供应问题的同时也满足了运营商对PoE 摄像头低成本的要求。
# w. R# ?( w5 L: s8 p5 y巧妙的让客户避开国外品牌“天价”芯片,又满足了本地需求,解决了客户的燃眉之急,一经推出就获得了很多厂商的认可。 % f; h$ k7 z9 P7 G7 k
废话不多说,基于主推TT9932 以太网供电(PoE) 12W解决方案,一起来看看吧!' m1 ]8 K7 W$ G7 W% r) L2 K" @
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1、电路参考、PCB、BOM list
; y6 v* `+ o/ Z样机采用了主推的TT9932,最大输出 12V 1A ,支持最大功率12W;PoE应用,样机兼容 IEEE802.3af,兼容网线 4-5/7-8 和 1-2/3-6 两种供电方式,可应用于安防监控、 RFID、视频等。
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BOM List:- ?9 @0 j! x: U- P' m7 l- ]. i
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' v$ k# n, }1 B# R& K变压器参数:$ H& h0 k7 a5 a' f A
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TT9932:高性能DCDC控制器
4 k4 I, g( R9 M% nTT9932是一款用于以太网供电系统(PoE,power over Ethernet)的DC/DC 控制器。采用原边控制方式,内置200V高压MOS,适用于flyback拓扑,提供精确的恒压控制环路, 具有较高的系统效率。TT9932提供SOP-7L的封装。. I# S( L; P% L% z
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TT9932核心优势: j7 T$ T: {6 z9 A, m
/ s) [0 r1 o) P0 }% }5 j) k0 A p; C* w1)纹波低;
6 V _6 |5 \ O8 Z6 b/ \2)效率高;- R! Z, G3 |* o0 I( }. I1 u; B3 z
* T/ K& _; l ]5 }* [# @* H. P
特性) p' ?" b* \( K) h3 B p! x) \
较低的启动电流 (大约 7μA) 欠压锁定功能 原边控制模式 轻载降频,降低能耗 VCC过压保护 输出过压保护功能 输出短路保护 内部过热保护 软启动功能 峰值电流控制模式 内置LEB电路 过载保护 " w7 j4 {' f; e3 t B. v% q" t. D& _
9 h+ E1 D! `* ^; c0 Y: ]( o! B( {基本应用" M) Z& j$ f" t" A7 y6 Z- B& L+ M2 E
安防领域' W% H! L/ W& _
视频监控 IP电话 无线SP * p' ]& r l8 W/ Z
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管脚排列
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2 r* y s3 e( [% |管脚描述
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典型应用
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( @- C" z* O# c: H, h1 ?9 E# ?
3 {2 z# R0 Q e ~! C1 Y8 j; j2、样机特性
; I5 w5 @' y, }0 x, E本小节对工程样机的输入部分、输出部分、各种保护以及一些时序进行了测试。! C$ h- T- f' t2 R5 H# M# W
3 p2 L& p; q' \9 e: }- F* p样机使用直流输入时,DC 电源连接于+48V和GND间。8 X4 S) q. E- e A& O2 r
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, z0 s( w: k! W- I, d' ]0 Q0 N7 Y, g6 }& A
注:样机待机状态输入电流较小,低于PSE特性维持电流要求(要求大于10mA或者每325ms至少有75ms的10mA 脉冲电流)。当连接PSE时,PD端应当提供一定的负载以满足该电流要求。8 d1 S9 W; W" f! D! w: P
+ j U$ _- \ a( t/ Z. m! L: _ o3 r2.1、协议功能测试 6 _$ R7 j& @' U {3 k; s' t
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, {7 y; _0 }9 I: r; Q2.2、DC/DC 转换性能测试
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4 M( R* g) {/ IDC电源连接于+48V 和GND间,调整输入电压38V~57V,对TT9932能量转换性能评估测试。% l9 A$ |( B- H
0 |: g6 D* [4 w2.2.1、转换效率测试: r2 k w: C" [4 z7 X
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- o5 {/ y6 e# A0 v0 Q- t0 ^& b( A+ h% p) z' V
2.2.2、负载/线性调整率# m' m- u' b4 y! E$ K# z& v) c4 M
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2.2.3、CV下恒流点测试
$ X7 w! X; T# z+ _2 B: d$ q, B% N) S6 r( W- L. N
% e% V1 `( N1 |2 e% z2 \& U
2.2.4、动态测试 \% H- m: D# `9 c9 p4 C6 P" d
U! {6 [. I; c3 {( [5 [% K( GVIN=48V Iout=1A@5ms+0A@5ms 动态 Vout=11.92V~12.52V 7 G4 O; f) O: X/ [! H% s
- m! C" i' k; o6 G4 j) X2 mVIN=48V Iout=1A @10ms+0A@10ms 动态 Vout=11.92V~12.52V 9 `4 `0 ~6 m2 A& S8 o
: Q0 C7 C; u; y3 |5 A
2.2.5、输出纹波
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输出并联10uf/50V和100nF瓷片电容,探头限值20MHz测试。
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! S0 y5 v$ I- Z4 `) ]7 V$ g
9 b: J/ w8 A3 g6 i38V@1A C_out=680uF+10uF Ripple=202mV
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57V@1A C_out=680uF+10uF Ripple=202mV 7 H; y# C' ^/ C* _" H" G# V
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2.2.6、部分工作波形% ]1 v: s7 [5 d5 `$ u2 L
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9 I9 N# X, j& V- l* t7 f8 lCH1:V_VCC CH2:Drain VIN=48V 时 TT9932 上电启动波形 , g3 x8 l# K5 B& Z1 _! `8 s
" S: \; t- D2 [8 B6 Q3 ECH2:V_Drain CH1:CS VIN=38V Iout=1A
- y0 N e2 p; ^ M$ qV_Drain最大应力130V Vin=57V Iout=1A . s7 G3 _: N, ?- O
输出二极管应力36V VIN=57V Iout=1A - d6 q( T$ I! w x
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