|
对于电容的安装,首先要提到的就是安装距离。容值最小的电容,有最高的谐振频率,去耦半径最小,因此放在最靠近芯片的位置,容值稍大些的可以距离稍远,最外层放置容值最大的。但是,所有对该芯片去耦的电容都尽量靠近芯片。
F0 Q+ p3 M% A9 l: O9 [: N0 ~2 J/ U- z7 m2 i; G
那么PCB板布局时如何摆放及安装?相信不少人是有疑问的,今天精科裕隆就跟大家解答一下!0 ~ L* P+ ^1 \; P3 X/ i
. ^' q4 [, {% u& r, z, K
尖峰电流的形成
2 K& c1 y! K& u0 C% a+ E/ r3 e: |5 p' M" T/ ^! \
数字电路输出高电平时从电源拉出的电流Ioh和低电平输出时灌入的电流Iol的大小一般是不同的,即:Iol>Ioh。
# E& B7 O$ I# \0 W7 g/ k
# i+ C, A, E9 k( k+ P- }, u产生尖峰电流的主要原因
" I# Y, b; t X) Z [9 x1 \. M; T: D+ G4 I. _% w: D8 Z6 m9 {
输出级的T3、T4管短设计内同时导通,在与非门由输出低电平转向高电平的过程中,输入电压的负跳变在T2和T3的基极回路内产生很大的反向驱动电流,由于T3的饱和深度设计得比T2大,反向驱动电流将使T2首先脱离饱和而截止。( L- P% E5 ]' R9 d2 e
8 `+ ^ u( i' V5 O- G* f) PT2截止后,其集电极电位上升,使T4导通,可是此时T3还未脱离饱和,因此在极短得设计内T3和T4将同时导通,从而产生很大的ic4,使电源电流形成尖峰电流。
: x+ P& ~4 @8 D/ p" _! n; O8 F* [7 p1 k* O, {) Z
低功耗型TTL门电路中的R4较大,因此其尖峰电流较小,当输入电压由低电平变为高电平时,与非门输出电平由高变低,这时T3、T4也可能同时导通,但当T3开始进入导通时,T4处于放大状态,两管的集-射间电压较大,故所产生的尖峰电流较小,对电源电流产生的影响相对较小。6 q" }$ w$ I- B5 x, s$ o
7 v% g6 Q6 ?; x; ~$ R. V0 S& _
产生尖峰电流的另一个原因是负载电容的影响,与非门输出端实际上存在负载电容CL,当门的输出由低转换到高时,电源电压由T4对电容CL充电,因此形成尖峰电流。
( v1 ?. C2 z+ {8 T& t
7 n1 Z; t+ Q; ^% z当与非门的输出由高电平转换到低电平时,电容CL通过T3放电,此时放电电流不通过电源,故CL的放电电流对电源电流无影响。( Y k; [+ x% Z' {& G
+ k9 }: v7 b# O尖峰电流的抑制方法4 @ @) {$ Z6 `3 i
4 d- p$ Z) Z$ _1 ?+ Q1、在电路板布线上采取措施,使信号线的杂散电容降到最小;6 r- u% w$ ]6 I' s. _2 [% b
; V: f% h- _% d9 ~: g- u2、另一种方法是设法降低供电电源的内阻,使尖峰电流不至于引起过大的电源电压波动;
0 u! X4 N$ A6 i$ ~- y! j
- G6 J! s' n. i' w# m3、通常的作法是使用去耦电容来滤波,一般是在电路板的电源入口处放一个1uF~10uF的去耦电容,滤除低频噪声,在电路板内的每一个有源器件的电源和地之间放置一个0.01uF~0.1uF的去耦电容(高频滤波电容),用于滤除高频噪声,滤波的目的是要滤除叠加在电源上的交流干扰,但并不是使用的电容容量越大越好,因为实际的电容并不是理想电容,不具备理想电容的所有特性。
: |; E* W) d+ o# y) ~5 r# s; V. d% P u) m/ z& c7 a
去耦电容的选取可按C=1/F计算,其中F为电路频率,即10MHz取0.1uF,100MHz取0.01uF。一般取0.1~0.01uF均可。: Z$ m0 F% H8 m* v
& D; W# l; H. W# E( z
放置在有源器件旁的高频滤波电容的作用有两个,其一是滤除沿电源传导过来的高频干扰,其二是及时补充器件高速工作时所需的尖峰电流,所以电容的放置位置是需要考虑的。6 [1 R0 Q y& W. A4 A% t. p
. P ]6 o- x& ?+ @" V! |
实际的电容由于存在寄生参数,可等效为串联在电容上的电阻和电感,将其称为等效串联电阻(ESR)和等效串联电感(ESL)。这样,实际的电容就是一个串联谐振电路,其谐振频率为:
9 R! W; J6 Z0 d" C% S8 j- u
& p+ l6 T' V1 k2 k实际的电容在低于Fr的频率呈现容性,而在高于Fr的频率上则呈现感性,所以电容更象是一个带阻滤波器。
3 S" t& k) n3 G1 Y: F& x8 w- w1 _
4 R6 x: c$ V9 O, ~2 }( j- i10uF的电解电容由于其ESL较大,Fr小于1MHz,对于50Hz这样的低频噪声有较好的滤波效果,对上百兆的高频开关噪声则没有什么作用。
! p. x$ C- I& q6 E7 [
* N, N8 |' p' x0 h! O电容的ESR和ESL是由电容的结构和所用的介质决定的,而不是电容量。通过使用更大容量的电容并不能提高抑制高频干扰的能力,同类型的电容,在低于Fr的频率下,大容量的比小容量的阻抗小,但如果频率高于Fr,ESL决定了两者的阻抗不会有什么区别。& I) G: H* r& O( Y1 q/ D" }
' g4 d& _! p: k0 ~' w5 l电路板上使用过多的大容量电容对于滤除高频干扰并没有什么帮助,特别是使用高频开关电源供电时。另一个问题是,大容量电容过多,增加了上电及热插拔电路板时对电源的冲击,容易引起如电源电压下跌、电路板接插件打火、电路板内电压上升慢等问题。
2 `0 w/ A1 U, _; S% v) c2 v
+ g {$ t* a' O1 G% c, aPCB布局时去耦电容摆放
. B/ X- F, @4 p, U% {
* C1 T: }2 j' o# g对于电容的安装,首先要提到的就是安装距离。容值最小的电容,有最高的谐振频率,去耦半径最小,因此放在最靠近芯片的位置,容值稍大些的可以距离稍远,最外层放置容值最大的。但是,所有对该芯片去耦的电容都尽量靠近芯片。
7 y1 |0 Q' v: r% }+ D; f
- r& l$ j* S0 C N% x还有一点要注意,在放置时,最好均匀分布在芯片的四周,对每一个容值等级都要这样,通常芯片在设计的时候就考虑到了电源和地引脚的排列位置,一般都是均匀分布在芯片的四个边上的。
% B' Z$ D& s& R9 W
( q0 K0 d* `3 ~# U$ d因此电压扰动在芯片的四周都存在,去耦也必须对整个芯片所在区域均匀去耦,如果把上图中的680pF电容都放在芯片的上部,由于存在去耦半径问题,那么就不能对芯片下部的电压扰动很好的去耦。
8 B% k1 g2 X6 u6 {3 N- t, r4 n
5 V$ B, T* g. `& F j7 s电容的安装- Q1 f `& C. t$ t+ A0 v
. d8 |: G6 y- J# K6 v( ?$ `
在安装电容时,要从焊盘拉出一小段引出线,然后通过过孔和电源平面连接,接地端也是同样,这样流经电容的电流回路为:电源平面——过孔——引出线——焊盘——电容——焊盘——引出线——过孔——地平面,下图直观的显示了电流的回流路径。
' ?- X/ o' U3 ~7 a7 `1 u' P8 s2 u9 f2 B
1、方法从焊盘引出很长的引出线然后连接过孔,这会引入很大的寄生电感,一定要避免这样做,这是最糟糕的安装方式;
, F+ O: _% [6 I' U6 c* Z) L! f* k. D& W0 ]# `1 I! A& C1 R0 }9 a
2、方法在焊盘的两个端点紧邻焊盘打孔,比第一种方法路面积小得多,寄生电感也较小,可以接受;
7 f# t5 w+ }7 ^& h" N5 H1 y5 G3 Q+ R: k6 k6 {1 H
3、在焊盘侧面打孔,进一步减小了回路面积,寄生电感比第二种更小,是比较好的方法;' Q% A8 C- h. ]$ V* k& M, p1 u! x
1 D3 x) [# y5 C, I2 k
4、在焊盘两侧都打孔,和第三种方法相比,相当于电容每一端都是通过过孔的并联接入电源平面和地平面,比第三种寄生电感更小,只要空间允许,尽量用这种方法;
9 c! J* y0 @; B- k
3 b9 D! n2 G5 P$ ?5、在焊盘上直接打孔,寄生电感最小,但是焊接是可能会出现问题,是否使用要看加工能力和方式。& o( @( \9 ? h) c* L" n
( b% I5 p, n, B1 Q推荐使用第三种和第四种方法。
) i( \+ e0 k% w
5 F9 z/ j! r6 y1 N R需要强调一点:有些工程师为了节省空间,有时让多个电容使用公共过孔,任何情况下都不要这样做。最好想办法优化电容组合的设计,减少电容数量。
* \. f4 V( a! D: }7 {6 a7 ~0 l0 D8 v! W
由于印制线越宽,电感越小,从焊盘到过孔的引出线尽量加宽,如果可能,尽量和焊盘宽度相同,这样即使是0402封装的电容,你也可以使用20mil宽的引出线,引出线和过孔安装如图5所示,注意图中的各种尺寸。
! |, \6 P' Z/ W4 v$ P8 b0 [- U- f1 y* b& j+ R7 |
以上就是精科裕隆小编给你们介绍的PCB板布局时如何摆放及安装,希望大家看后有所帮助! |
|