|
对于电容的安装,首先要提到的就是安装距离。容值最小的电容,有最高的谐振频率,去耦半径最小,因此放在最靠近芯片的位置,容值稍大些的可以距离稍远,最外层放置容值最大的。但是,所有对该芯片去耦的电容都尽量靠近芯片。+ F' M( i3 Q3 b$ ?
" b& r6 j2 c- r* C那么PCB板布局时如何摆放及安装?相信不少人是有疑问的,今天精科裕隆就跟大家解答一下!
3 \* S! [7 J3 }1 k# o
7 E; W/ p( u5 F8 ^% P尖峰电流的形成
/ y% U: R# r2 z7 F
~& @5 {' Y, S" d4 \ X数字电路输出高电平时从电源拉出的电流Ioh和低电平输出时灌入的电流Iol的大小一般是不同的,即:Iol>Ioh。0 U* ^9 Y+ l3 W: o6 ?" }8 I
' Q/ }" a% a* W' o6 O产生尖峰电流的主要原因
) ~, y8 H2 L8 o+ g! p, K# l A
- i2 B4 w! ^7 q* v. O输出级的T3、T4管短设计内同时导通,在与非门由输出低电平转向高电平的过程中,输入电压的负跳变在T2和T3的基极回路内产生很大的反向驱动电流,由于T3的饱和深度设计得比T2大,反向驱动电流将使T2首先脱离饱和而截止。
& N- C1 E! S9 ^+ e
/ }9 ~, M4 N- E% E7 P9 V* m4 nT2截止后,其集电极电位上升,使T4导通,可是此时T3还未脱离饱和,因此在极短得设计内T3和T4将同时导通,从而产生很大的ic4,使电源电流形成尖峰电流。* \+ c8 r, m* e2 [) t
4 B; O j2 @3 r/ Q; }) l, O; L
低功耗型TTL门电路中的R4较大,因此其尖峰电流较小,当输入电压由低电平变为高电平时,与非门输出电平由高变低,这时T3、T4也可能同时导通,但当T3开始进入导通时,T4处于放大状态,两管的集-射间电压较大,故所产生的尖峰电流较小,对电源电流产生的影响相对较小。( y4 u& F5 b$ l% a1 ~9 m# `5 f2 J3 s
' L/ d( \& y. {/ e) [2 ^" y产生尖峰电流的另一个原因是负载电容的影响,与非门输出端实际上存在负载电容CL,当门的输出由低转换到高时,电源电压由T4对电容CL充电,因此形成尖峰电流。
b5 q, W- A5 I8 ^
9 Z8 L' j" |5 q+ n当与非门的输出由高电平转换到低电平时,电容CL通过T3放电,此时放电电流不通过电源,故CL的放电电流对电源电流无影响。9 w! l+ l* z' | X
9 q8 d8 R2 I1 ?尖峰电流的抑制方法! Y" x5 r* \- I6 ^
, m- v% i0 j+ a% Q9 S! N1、在电路板布线上采取措施,使信号线的杂散电容降到最小;2 u3 o7 `2 a: S$ u
- P/ ]) N/ f4 {3 r2、另一种方法是设法降低供电电源的内阻,使尖峰电流不至于引起过大的电源电压波动;
# M* _$ S1 Q" ^$ t- l" N) I% j8 ~* [
3、通常的作法是使用去耦电容来滤波,一般是在电路板的电源入口处放一个1uF~10uF的去耦电容,滤除低频噪声,在电路板内的每一个有源器件的电源和地之间放置一个0.01uF~0.1uF的去耦电容(高频滤波电容),用于滤除高频噪声,滤波的目的是要滤除叠加在电源上的交流干扰,但并不是使用的电容容量越大越好,因为实际的电容并不是理想电容,不具备理想电容的所有特性。3 ~; ]) L, ^& M8 F4 a
/ ]- Y+ p2 R5 t' A去耦电容的选取可按C=1/F计算,其中F为电路频率,即10MHz取0.1uF,100MHz取0.01uF。一般取0.1~0.01uF均可。
9 c6 g; g2 q: c5 k* r
: U; u1 s9 x- Q) Z5 {( @放置在有源器件旁的高频滤波电容的作用有两个,其一是滤除沿电源传导过来的高频干扰,其二是及时补充器件高速工作时所需的尖峰电流,所以电容的放置位置是需要考虑的。
* c4 ^1 e1 p2 _6 ~) g% z1 z( d. L. s! @7 _( g9 u2 v6 }
实际的电容由于存在寄生参数,可等效为串联在电容上的电阻和电感,将其称为等效串联电阻(ESR)和等效串联电感(ESL)。这样,实际的电容就是一个串联谐振电路,其谐振频率为:
. n7 w* v9 k: g( J% h7 w( h" H5 W! g' E5 [* F1 k& o3 E
实际的电容在低于Fr的频率呈现容性,而在高于Fr的频率上则呈现感性,所以电容更象是一个带阻滤波器。
! ~8 j7 @; w$ y: V8 @" K- ^. g% B' a2 ?+ N; M0 x, k
10uF的电解电容由于其ESL较大,Fr小于1MHz,对于50Hz这样的低频噪声有较好的滤波效果,对上百兆的高频开关噪声则没有什么作用。
, V# p* ]' M; `9 `8 T
) e9 i) m# K3 X/ h电容的ESR和ESL是由电容的结构和所用的介质决定的,而不是电容量。通过使用更大容量的电容并不能提高抑制高频干扰的能力,同类型的电容,在低于Fr的频率下,大容量的比小容量的阻抗小,但如果频率高于Fr,ESL决定了两者的阻抗不会有什么区别。
( n1 K& v2 w5 q$ y0 Z( H9 O
$ Z* o& a b+ u7 _, ^% i( x9 G: ~电路板上使用过多的大容量电容对于滤除高频干扰并没有什么帮助,特别是使用高频开关电源供电时。另一个问题是,大容量电容过多,增加了上电及热插拔电路板时对电源的冲击,容易引起如电源电压下跌、电路板接插件打火、电路板内电压上升慢等问题。8 x5 Q! H" T( @3 q
7 A4 t+ @4 m- H( ZPCB布局时去耦电容摆放
1 c2 J6 N+ f0 \! O5 H7 v" g9 ~! x. m2 u4 @
对于电容的安装,首先要提到的就是安装距离。容值最小的电容,有最高的谐振频率,去耦半径最小,因此放在最靠近芯片的位置,容值稍大些的可以距离稍远,最外层放置容值最大的。但是,所有对该芯片去耦的电容都尽量靠近芯片。
; s- g3 B3 i7 I2 y* Y$ O/ P
3 V+ {( u* W9 {' z! y/ V还有一点要注意,在放置时,最好均匀分布在芯片的四周,对每一个容值等级都要这样,通常芯片在设计的时候就考虑到了电源和地引脚的排列位置,一般都是均匀分布在芯片的四个边上的。
* O* ]. q. ~$ _/ l$ e/ ]. h2 m0 v4 R. Q' d4 h. u7 K
因此电压扰动在芯片的四周都存在,去耦也必须对整个芯片所在区域均匀去耦,如果把上图中的680pF电容都放在芯片的上部,由于存在去耦半径问题,那么就不能对芯片下部的电压扰动很好的去耦。
1 I6 y' J2 ~# _2 ], h0 ? k; s, N7 K0 m, D' X
电容的安装+ j5 B; F4 H c5 e
8 h5 ^- _; U f1 h9 f+ B' \
在安装电容时,要从焊盘拉出一小段引出线,然后通过过孔和电源平面连接,接地端也是同样,这样流经电容的电流回路为:电源平面——过孔——引出线——焊盘——电容——焊盘——引出线——过孔——地平面,下图直观的显示了电流的回流路径。
e( o1 r9 ?- k( M% X* V3 ^$ x0 i% A! g) U: f- \7 T y% v
1、方法从焊盘引出很长的引出线然后连接过孔,这会引入很大的寄生电感,一定要避免这样做,这是最糟糕的安装方式;5 r% Q ]5 \7 z8 i& |
+ H' A* u4 H% W( V2、方法在焊盘的两个端点紧邻焊盘打孔,比第一种方法路面积小得多,寄生电感也较小,可以接受;
$ n: ^' W8 V" ^# p- f! X* N! x0 ]6 x" ~; P! [& n
3、在焊盘侧面打孔,进一步减小了回路面积,寄生电感比第二种更小,是比较好的方法;/ K( [* \1 q' D! t/ k) \4 Y; V
* B, S" i8 @) k. @1 z% N8 @
4、在焊盘两侧都打孔,和第三种方法相比,相当于电容每一端都是通过过孔的并联接入电源平面和地平面,比第三种寄生电感更小,只要空间允许,尽量用这种方法;, T7 y8 i# [' y
! f% m: a3 r5 W- U J, Q# T
5、在焊盘上直接打孔,寄生电感最小,但是焊接是可能会出现问题,是否使用要看加工能力和方式。- [6 x1 o. g H0 b6 _
5 n( v' I! h# V9 }, g推荐使用第三种和第四种方法。# r/ Z8 k5 }2 }) R$ g5 C: q$ Y% o
2 o' i# j" k, |3 m$ H# y5 @( P需要强调一点:有些工程师为了节省空间,有时让多个电容使用公共过孔,任何情况下都不要这样做。最好想办法优化电容组合的设计,减少电容数量。
" T# t# l. ]( e3 W7 l" I; f8 p1 c: w6 `: a5 y3 Y9 c7 N
由于印制线越宽,电感越小,从焊盘到过孔的引出线尽量加宽,如果可能,尽量和焊盘宽度相同,这样即使是0402封装的电容,你也可以使用20mil宽的引出线,引出线和过孔安装如图5所示,注意图中的各种尺寸。4 d v+ a) C8 \+ ^% e6 k+ d
0 V$ G5 l. c2 Z4 U/ O$ G1 {, W
以上就是精科裕隆小编给你们介绍的PCB板布局时如何摆放及安装,希望大家看后有所帮助! |
|