|
对于电容的安装,首先要提到的就是安装距离。容值最小的电容,有最高的谐振频率,去耦半径最小,因此放在最靠近芯片的位置,容值稍大些的可以距离稍远,最外层放置容值最大的。但是,所有对该芯片去耦的电容都尽量靠近芯片。1 N% X+ d: @8 }) u! w* R ~6 g
, n$ e: Q# ^+ ?# N. D' _那么PCB板布局时如何摆放及安装?相信不少人是有疑问的,今天精科裕隆就跟大家解答一下!9 E+ ?0 C: _& D- W" Z- g
" ^2 {( l5 Z( ~尖峰电流的形成( h1 _$ V" | ~9 P, u5 P9 f
7 b8 d/ a$ h* c, k! \8 [数字电路输出高电平时从电源拉出的电流Ioh和低电平输出时灌入的电流Iol的大小一般是不同的,即:Iol>Ioh。3 _* H: W; j7 z" |) E4 U
2 k4 l7 i- t/ w* H, ^4 ^ V; q产生尖峰电流的主要原因
1 z' C; _" c% @" e# ]: {; V, D7 ?! x( Z
输出级的T3、T4管短设计内同时导通,在与非门由输出低电平转向高电平的过程中,输入电压的负跳变在T2和T3的基极回路内产生很大的反向驱动电流,由于T3的饱和深度设计得比T2大,反向驱动电流将使T2首先脱离饱和而截止。) Z8 h7 [( O) U5 F) a" F, j; s" l: x
# a( G) }5 Y. u6 B- j7 {! }
T2截止后,其集电极电位上升,使T4导通,可是此时T3还未脱离饱和,因此在极短得设计内T3和T4将同时导通,从而产生很大的ic4,使电源电流形成尖峰电流。1 [7 f7 z: p& h) Y
# Y$ {9 q4 {6 A7 r2 J低功耗型TTL门电路中的R4较大,因此其尖峰电流较小,当输入电压由低电平变为高电平时,与非门输出电平由高变低,这时T3、T4也可能同时导通,但当T3开始进入导通时,T4处于放大状态,两管的集-射间电压较大,故所产生的尖峰电流较小,对电源电流产生的影响相对较小。
$ w8 e# e4 r! @6 B7 d h2 L
( ]2 l. ?9 y9 [产生尖峰电流的另一个原因是负载电容的影响,与非门输出端实际上存在负载电容CL,当门的输出由低转换到高时,电源电压由T4对电容CL充电,因此形成尖峰电流。
+ Q( P4 K- E7 j4 k; o7 N6 `
- ]: H- X# _& M* L9 t# o! y当与非门的输出由高电平转换到低电平时,电容CL通过T3放电,此时放电电流不通过电源,故CL的放电电流对电源电流无影响。' A6 g' c% J( P1 t
0 }6 z8 x3 \5 x2 z% f尖峰电流的抑制方法1 l. B' o9 j3 {
3 _+ ~$ p8 p& a2 n5 D1、在电路板布线上采取措施,使信号线的杂散电容降到最小;- Y6 A f+ @8 y' p# u; u
; D/ g/ K8 O& ~1 h9 d2、另一种方法是设法降低供电电源的内阻,使尖峰电流不至于引起过大的电源电压波动;
+ @; t: |' x. L; ~( f( {: @" H1 Z
) j# Y3 N0 O0 S9 P3、通常的作法是使用去耦电容来滤波,一般是在电路板的电源入口处放一个1uF~10uF的去耦电容,滤除低频噪声,在电路板内的每一个有源器件的电源和地之间放置一个0.01uF~0.1uF的去耦电容(高频滤波电容),用于滤除高频噪声,滤波的目的是要滤除叠加在电源上的交流干扰,但并不是使用的电容容量越大越好,因为实际的电容并不是理想电容,不具备理想电容的所有特性。
$ U6 p" w( G0 i5 N: B( N- g
4 n4 y9 P# x: o去耦电容的选取可按C=1/F计算,其中F为电路频率,即10MHz取0.1uF,100MHz取0.01uF。一般取0.1~0.01uF均可。 D2 Y2 |' M# d0 O- Y) }2 T
! v& x8 N% Q; }: D7 b放置在有源器件旁的高频滤波电容的作用有两个,其一是滤除沿电源传导过来的高频干扰,其二是及时补充器件高速工作时所需的尖峰电流,所以电容的放置位置是需要考虑的。* s! `. I7 D' [
" v- e% [' V7 g {7 j* Q
实际的电容由于存在寄生参数,可等效为串联在电容上的电阻和电感,将其称为等效串联电阻(ESR)和等效串联电感(ESL)。这样,实际的电容就是一个串联谐振电路,其谐振频率为:! z& R) X6 a' w
U4 H: f. {0 K: l实际的电容在低于Fr的频率呈现容性,而在高于Fr的频率上则呈现感性,所以电容更象是一个带阻滤波器。3 H f0 o; @% N. g. I9 L. w
# Z; e8 s- @/ K2 I& i( h+ h10uF的电解电容由于其ESL较大,Fr小于1MHz,对于50Hz这样的低频噪声有较好的滤波效果,对上百兆的高频开关噪声则没有什么作用。1 [# O; S& B' D0 i& z$ D2 L
/ J3 a( w* f4 C: N# n8 Z# ]9 I电容的ESR和ESL是由电容的结构和所用的介质决定的,而不是电容量。通过使用更大容量的电容并不能提高抑制高频干扰的能力,同类型的电容,在低于Fr的频率下,大容量的比小容量的阻抗小,但如果频率高于Fr,ESL决定了两者的阻抗不会有什么区别。
' ]' u, T; ~' `* C
3 P. E" f3 p# w. {) |) C: U- g电路板上使用过多的大容量电容对于滤除高频干扰并没有什么帮助,特别是使用高频开关电源供电时。另一个问题是,大容量电容过多,增加了上电及热插拔电路板时对电源的冲击,容易引起如电源电压下跌、电路板接插件打火、电路板内电压上升慢等问题。& [4 {/ i- Y3 n$ `. |" O+ t1 G/ F7 _) T
8 e$ Q# z3 f) E; [" K' }
PCB布局时去耦电容摆放$ |6 o) [" E8 p( c6 O8 M5 L
, c$ q o1 k0 _; ~6 f5 g对于电容的安装,首先要提到的就是安装距离。容值最小的电容,有最高的谐振频率,去耦半径最小,因此放在最靠近芯片的位置,容值稍大些的可以距离稍远,最外层放置容值最大的。但是,所有对该芯片去耦的电容都尽量靠近芯片。# w5 y, |# B- z" {4 D2 t4 ]
) _ i4 E. T" F1 m3 O还有一点要注意,在放置时,最好均匀分布在芯片的四周,对每一个容值等级都要这样,通常芯片在设计的时候就考虑到了电源和地引脚的排列位置,一般都是均匀分布在芯片的四个边上的。
1 Z, t$ k- k- Q) {
7 K; V) C7 {7 o因此电压扰动在芯片的四周都存在,去耦也必须对整个芯片所在区域均匀去耦,如果把上图中的680pF电容都放在芯片的上部,由于存在去耦半径问题,那么就不能对芯片下部的电压扰动很好的去耦。& o1 ?" Y7 h! _- p( o
2 A x4 C9 L% G& [7 p" N: t- |电容的安装5 A- ?3 r$ J# Y7 z* ]
# w1 O0 a, V( P2 B在安装电容时,要从焊盘拉出一小段引出线,然后通过过孔和电源平面连接,接地端也是同样,这样流经电容的电流回路为:电源平面——过孔——引出线——焊盘——电容——焊盘——引出线——过孔——地平面,下图直观的显示了电流的回流路径。
5 G4 s; L5 j3 m0 m+ m
( C4 T, t0 F F- M ^/ K1、方法从焊盘引出很长的引出线然后连接过孔,这会引入很大的寄生电感,一定要避免这样做,这是最糟糕的安装方式;' |7 ~! X9 Z ]' T2 l, t! `: a. y4 |& `
" O& Y8 i! \5 f% f
2、方法在焊盘的两个端点紧邻焊盘打孔,比第一种方法路面积小得多,寄生电感也较小,可以接受;
9 Z, v/ T6 A* O! ~6 @8 g, h8 p6 D- z; b6 ^ P
3、在焊盘侧面打孔,进一步减小了回路面积,寄生电感比第二种更小,是比较好的方法;5 x9 ^( M0 {; c8 e- y
: o+ s9 k2 ?1 C+ p+ d2 O
4、在焊盘两侧都打孔,和第三种方法相比,相当于电容每一端都是通过过孔的并联接入电源平面和地平面,比第三种寄生电感更小,只要空间允许,尽量用这种方法;
" M7 i6 Q( c+ p% T/ ?$ W
; r- l- d, t, n# y3 W1 B5、在焊盘上直接打孔,寄生电感最小,但是焊接是可能会出现问题,是否使用要看加工能力和方式。6 A0 M0 B! G6 F {' B! Y
' r1 L& |) U& _3 b- f& f# V0 _ W
推荐使用第三种和第四种方法。
$ G" I! ]* v; `! l$ L
) d% W2 L, G: U7 Q8 p需要强调一点:有些工程师为了节省空间,有时让多个电容使用公共过孔,任何情况下都不要这样做。最好想办法优化电容组合的设计,减少电容数量。" I. Q8 v" f& L# P9 T' \9 Y
' j7 Q5 f# b9 [- r0 f. g
由于印制线越宽,电感越小,从焊盘到过孔的引出线尽量加宽,如果可能,尽量和焊盘宽度相同,这样即使是0402封装的电容,你也可以使用20mil宽的引出线,引出线和过孔安装如图5所示,注意图中的各种尺寸。9 K& b% A9 i- p( M6 \
& s% q ~. w+ S% I以上就是精科裕隆小编给你们介绍的PCB板布局时如何摆放及安装,希望大家看后有所帮助! |
|