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$ Z2 }, K! N* S9 n% v; I, p- |
可能原因三个 :
' x: Y9 z6 C- z) w4 _( k; w) Q1. 匹配组件受Shielding Cover影响 以至于阻抗偏了
9 G" L& z% E8 G) G1 ^3 O: _若Shielding Cover跟匹配组件太近 其寄生效应改变其电感或电容值
7 K- T5 O+ H* x% M+ Y; ^+ ?/ j( d y; E以至于阻抗改变 那当然传导谐波变大
4 Q# Z# G8 w9 X( g0 Y尤其是早期0402组件更容易这样 但现在0201组件很少会这样了
5 @5 k: I& J/ G8 N8 W; P/ U2. RF 讯号泄漏到PA的Vcc
6 z* c/ q. C- @8 |当你盖上屏蔽罩时 PA会把RF讯号 辐射或耦合到屏蔽罩上方8 C2 W! P5 \( {6 h" ~4 l
也就是说 屏蔽罩上方 会有残留的TX讯号
, H3 {. ?6 X" E( E0 c2 ^6 ~若屏蔽罩接地良好 那么这些残留的TX讯号 会通通流到GND% E; b( M: k9 D( r: H, L9 n
若屏蔽罩接地良好 那么这些残留的TX讯号6 X2 a4 K. R( K" }* U2 T* d+ @
一部分流到GND 一部分会再反射9 }4 a% S7 n1 G: H% [; X- [4 H; ^# [
若反射的TX讯号 打到PA的Vcc 那当然TX性能就劣化
7 z2 v8 I) W. g; }+ {0 F8 Z3 H7 ^# z
( F9 z+ A, j3 z, i- @/ @3. 屏蔽罩跟PA离太近 之间的寄生效应 改变了PA特性
6 d: u3 g5 b) p" ]验证方式 :4 M7 ?8 t( Z; J% U
第一种现在很少见了 所以就不提
9 P5 q* {+ S6 l$ C$ L第二种的话 可以这样验证 % `+ c3 [$ K- n% v
因为你说没加屏蔽罩时 其传导杂散会比较好- w' V( D& Y! t/ k5 f* W
因此 如果在没加屏蔽罩状况下 你用这种方式
' T. l1 ]4 X( M% T其传导杂散变得跟加了屏蔽罩时一样差
. I( a, e* l. \& h: ]9 E2 ~3 p那凶手就可能是来自这原因! l8 C" N1 ]% ]5 T! `, ~
值得注意的是 那个DC Block要加0 Y" v/ {2 O6 Y5 c" N
避免Vcc的直流电源 回灌到PA或CMW500 T) X. F/ \$ h) G: B
3 d- {% D- @. q u$ W! u" M% `
第三种的话 在没加屏蔽罩状况下
/ b, J t& ?! o, ?在PA上方先贴个胶带 再随便放个金属片
# J% d3 G2 e8 q, U! D3 U- V' l( |, T& z9 i) y( x: r
一样 你说没加屏蔽罩时 其传导杂散会比较好% ^7 j- X" n& U% x
因此 如果在没加屏蔽罩状况下 你用这种方式6 `7 F, o4 ^, p9 D4 y+ e! j U
若其传导杂散变得跟加了屏蔽罩时一样差! b! q5 e0 h5 H, m. O
那凶手就可能是来自这原因
. z' a( I* E/ \( Z* V' ^9 `) s# g: I解决方案:
" P* l @, @5 H1 k( A0 m5 ]第一种现在很少见了 所以就不提. c4 Q. w2 b: ]# f3 c- A* f
第二种的话0 i; {/ A0 ^# S0 p1 P8 d
+ F# A2 u y1 |# a因为凶手是来自RF讯号灌入Vcc 所以你在Vcc那边& E+ t; |0 `( j( n; B# Q
摆放一个落地电容 让灌入Vcc的RF讯号流到GND
/ E9 s" r! A' |( i6 [/ q5 ~7 H7 Y既然你主频是DCS 以0201的电容来讲 你就放个18 pF' F3 Z' ^, m+ u3 ^. Z: z7 i
: V2 R( o6 M2 l# I" ^) m _/ [第三种只能改机构' ?7 ?' z8 i- W; [( P$ g
要嘛把屏蔽罩跟PA之间距离拉大
1 s( t. c P0 ]5 v不然就是PA上方直接开天窗1 I- V+ M# o2 O5 W
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