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F/ f* W0 }6 J' M' E
可能原因三个 :3 w5 B6 p: P0 M- ?3 Z* [3 d
1. 匹配组件受Shielding Cover影响 以至于阻抗偏了
/ l5 f' ]3 E l: ^0 `若Shielding Cover跟匹配组件太近 其寄生效应改变其电感或电容值
+ Z" q" t: G- B3 v4 ~3 M以至于阻抗改变 那当然传导谐波变大1 J0 A4 V" e) k# S) J
尤其是早期0402组件更容易这样 但现在0201组件很少会这样了4 |% A- u/ N) [/ l) L) g* K
2. RF 讯号泄漏到PA的Vcc
0 }& B t' u( O4 C( \! N3 G( N当你盖上屏蔽罩时 PA会把RF讯号 辐射或耦合到屏蔽罩上方; C( w7 T$ p; V6 S
也就是说 屏蔽罩上方 会有残留的TX讯号' z8 P5 J1 t+ j4 e3 ^
若屏蔽罩接地良好 那么这些残留的TX讯号 会通通流到GND
. K- s# C6 ^; [: j6 x若屏蔽罩接地良好 那么这些残留的TX讯号' D) \2 _/ I% N
一部分流到GND 一部分会再反射1 d0 a$ u6 h$ I8 q
若反射的TX讯号 打到PA的Vcc 那当然TX性能就劣化) B5 p0 T( O9 m; p$ Q
, J: }+ y t* P/ ~4 z1 \ K4 p: ^3. 屏蔽罩跟PA离太近 之间的寄生效应 改变了PA特性2 M9 {2 J: T9 U, q
验证方式 :7 `$ c" H4 _) V( e% C
第一种现在很少见了 所以就不提/ ?! y4 c% O- O6 C" \ O
第二种的话 可以这样验证 ! C/ A% R. i# u& x) k! O
因为你说没加屏蔽罩时 其传导杂散会比较好
$ ~$ q" ^ G: C0 F0 O因此 如果在没加屏蔽罩状况下 你用这种方式. s/ _- h( s |% c, V
其传导杂散变得跟加了屏蔽罩时一样差
4 [" V6 b. I2 f5 m" e+ V' n那凶手就可能是来自这原因; d6 f" ]' D1 g8 W+ N) p( D! m" n
值得注意的是 那个DC Block要加
, ?" R- Z+ o+ j$ q' g避免Vcc的直流电源 回灌到PA或CMW500! Z" I# K; M3 a
! I" P' z' n; w2 z d6 G9 i第三种的话 在没加屏蔽罩状况下
& t4 [ ], x7 a: i在PA上方先贴个胶带 再随便放个金属片
6 i- n0 u5 v! `" b7 j# ?+ a9 ^3 F4 f& G: {$ r! z( e3 s' s
一样 你说没加屏蔽罩时 其传导杂散会比较好
1 t: N" S1 p2 `6 O因此 如果在没加屏蔽罩状况下 你用这种方式/ |. B, o5 i. | c
若其传导杂散变得跟加了屏蔽罩时一样差/ C" u" b8 b* s3 w
那凶手就可能是来自这原因" |# M' H% J% `( Q0 G% i% e8 z2 T
解决方案:' t, R6 K" p9 Y# h) C1 V% x1 m
第一种现在很少见了 所以就不提
% y+ i* _' G" Y2 i* C2 w" _第二种的话, V1 i; ]- \( e/ _: \& V2 a4 A
% N3 j* Q" o0 Q2 T+ C Q因为凶手是来自RF讯号灌入Vcc 所以你在Vcc那边# w5 g7 Y- A% R+ q# M) O
摆放一个落地电容 让灌入Vcc的RF讯号流到GND
! |2 T; [% ~4 E/ F# j既然你主频是DCS 以0201的电容来讲 你就放个18 pF
. j- ?1 Y$ t# n7 h: F% o2 b: W) B& X2 D0 ^9 {- N- q0 y
第三种只能改机构6 w5 P5 V) D; R' k Q0 t0 i U
要嘛把屏蔽罩跟PA之间距离拉大
& A! k( Z) t6 ~8 s& W不然就是PA上方直接开天窗$ |* z* N/ @; o$ V
. u# g3 D' ~! M1 H |
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发表于 2019-12-3 14:46:00
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