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* \# @. V9 d1 U8 [可能原因三个 :0 p: Z9 M7 h% z+ \; m
1. 匹配组件受Shielding Cover影响 以至于阻抗偏了
- O% k, c. G B$ u若Shielding Cover跟匹配组件太近 其寄生效应改变其电感或电容值& G2 N/ m% ^6 t
以至于阻抗改变 那当然传导谐波变大' j- Z$ {2 c, @2 k6 Z
尤其是早期0402组件更容易这样 但现在0201组件很少会这样了
' b' R$ T# `# e$ j2. RF 讯号泄漏到PA的Vcc
7 M* @& e0 j. x9 B( o( {当你盖上屏蔽罩时 PA会把RF讯号 辐射或耦合到屏蔽罩上方
2 ~ m2 R7 H3 \& c也就是说 屏蔽罩上方 会有残留的TX讯号
/ {( A7 I1 n0 x' M若屏蔽罩接地良好 那么这些残留的TX讯号 会通通流到GND7 U- E" U5 i, ?# ?
若屏蔽罩接地良好 那么这些残留的TX讯号
6 L- |; X2 a% X: X. R# i一部分流到GND 一部分会再反射
" c0 M% w9 A7 k4 U G, c, P若反射的TX讯号 打到PA的Vcc 那当然TX性能就劣化0 q c* _+ v# P7 X
4 R* K4 w( W3 {! u* z7 A% D6 ]$ O
3. 屏蔽罩跟PA离太近 之间的寄生效应 改变了PA特性
- t- t1 p" u1 f$ A6 z9 I: x, v验证方式 :
' Y2 j6 B0 m# O第一种现在很少见了 所以就不提
7 E8 ~3 |8 N$ w第二种的话 可以这样验证 1 w; x6 r3 |# n! H7 {& i
因为你说没加屏蔽罩时 其传导杂散会比较好4 A8 i& r$ g' k \4 v
因此 如果在没加屏蔽罩状况下 你用这种方式
9 O. W% Y. P+ v; E' @! _1 y其传导杂散变得跟加了屏蔽罩时一样差1 z, ~1 h8 T. r: _9 U
那凶手就可能是来自这原因, h' u: b, a- h- Y1 L
值得注意的是 那个DC Block要加1 ?7 m% ^, ?1 d7 t; b+ j6 x
避免Vcc的直流电源 回灌到PA或CMW500- v* r* z( n) E2 C# {, ^6 k
3 F- g4 A/ V9 ^, v
第三种的话 在没加屏蔽罩状况下; ?5 k: I/ d; ?2 O1 ^* m" D1 c/ X
在PA上方先贴个胶带 再随便放个金属片0 o" a/ m* B4 r" s2 _: |
; |$ `( N" R* P一样 你说没加屏蔽罩时 其传导杂散会比较好
% H# |; c- |: t) g! J2 r因此 如果在没加屏蔽罩状况下 你用这种方式9 u! t/ y4 l1 f2 {0 E6 y3 m0 ]
若其传导杂散变得跟加了屏蔽罩时一样差& s% S8 ]' |: A6 Y$ Y& F
那凶手就可能是来自这原因& K1 k2 X$ E, r2 Z( z1 u: c- B U9 e3 |
解决方案:
( x0 m: t: A# ^第一种现在很少见了 所以就不提
6 _- ?- U* A+ c& O* W: u5 x) S. H# \第二种的话
2 O+ y3 Z* q; r5 Z9 _
; N2 a7 B% U+ a因为凶手是来自RF讯号灌入Vcc 所以你在Vcc那边, R+ K! M1 r4 c" e: N% `
摆放一个落地电容 让灌入Vcc的RF讯号流到GND
" L3 u2 S" @4 p% f既然你主频是DCS 以0201的电容来讲 你就放个18 pF" O; E) r+ Q2 Z R8 w: o
* P/ X% Q8 t/ X1 H& s4 q& K第三种只能改机构 G1 r1 U4 j+ j ^* O0 l: l9 Y
要嘛把屏蔽罩跟PA之间距离拉大6 e9 l+ {# r$ Z1 C( K8 f
不然就是PA上方直接开天窗
0 d U6 x9 r! ?; T& @* V7 O4 X6 L) s+ z; S; P' W
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