|
|
& j, ]2 S$ k; |
可能原因三个 :
- G/ M" L4 H+ ^2 X; `1. 匹配组件受Shielding Cover影响 以至于阻抗偏了
2 r$ @$ \+ J2 p W. ^# W若Shielding Cover跟匹配组件太近 其寄生效应改变其电感或电容值
9 O& M& C* V% u- P5 u5 ?以至于阻抗改变 那当然传导谐波变大
1 s) f8 R+ g F- C `尤其是早期0402组件更容易这样 但现在0201组件很少会这样了
3 k/ \2 [* e* p# q" i T8 Q2. RF 讯号泄漏到PA的Vcc; U$ a! G. w# f- p) y I6 P
当你盖上屏蔽罩时 PA会把RF讯号 辐射或耦合到屏蔽罩上方
$ g1 r3 ?; ]+ m1 r也就是说 屏蔽罩上方 会有残留的TX讯号- b3 P, R! ~% C; e) K7 a/ j
若屏蔽罩接地良好 那么这些残留的TX讯号 会通通流到GND4 {4 F+ U* N6 g2 d3 T
若屏蔽罩接地良好 那么这些残留的TX讯号
* f& T1 j% m* ~) \3 O一部分流到GND 一部分会再反射% s# `7 M1 G7 l
若反射的TX讯号 打到PA的Vcc 那当然TX性能就劣化
" e4 v/ K! G v/ B3 Q1 t4 Q! x% M; `; z3 x: {
3. 屏蔽罩跟PA离太近 之间的寄生效应 改变了PA特性
- K- c4 ~: ]; R0 e, K验证方式 :
) S$ [7 H- i A. G& R, h1 u第一种现在很少见了 所以就不提
+ ]1 l# h+ s% x/ a: `. T( Y8 F第二种的话 可以这样验证
- R3 s& E i1 ~ u因为你说没加屏蔽罩时 其传导杂散会比较好( u% K( U( t- ?5 l
因此 如果在没加屏蔽罩状况下 你用这种方式
( \9 k( y1 N( ~/ F其传导杂散变得跟加了屏蔽罩时一样差
1 H) L+ r" C: B( D7 m L! l" l那凶手就可能是来自这原因: r; F5 H, y3 P( Y2 b7 Z
值得注意的是 那个DC Block要加
" d2 o: g% E5 ]% j" b9 g避免Vcc的直流电源 回灌到PA或CMW500* F* K8 ]! _( e: ^
! K( ^" ~) |) j8 ~* v6 q$ a* |
第三种的话 在没加屏蔽罩状况下
: m: H5 m7 s$ S- u% ]( d在PA上方先贴个胶带 再随便放个金属片
) Q' J k% H% F# ?" w; R# O: U; y: ?4 g% X9 r& ], j3 d- q1 {
一样 你说没加屏蔽罩时 其传导杂散会比较好
, d2 w5 O/ `) G3 g& K因此 如果在没加屏蔽罩状况下 你用这种方式
7 B; V3 S9 C1 U: A( Q) [6 R若其传导杂散变得跟加了屏蔽罩时一样差
' k! n' B+ v6 d* \+ B4 i7 O0 `那凶手就可能是来自这原因
# T& r* U1 `" T4 o解决方案:( b$ ~% r1 `: S- H: ` x
第一种现在很少见了 所以就不提4 |0 l) d2 X4 X" R( |6 c
第二种的话
0 m3 N4 D$ X3 `( _# f
; f R# \& l$ G/ n" x4 }8 N! ^因为凶手是来自RF讯号灌入Vcc 所以你在Vcc那边. W, c. H! n& A* i( G4 D
摆放一个落地电容 让灌入Vcc的RF讯号流到GND1 g7 q0 h$ c! l
既然你主频是DCS 以0201的电容来讲 你就放个18 pF
j9 ]+ n1 s" y% G7 b! G% i+ o0 K% T# q. k. v9 J0 u; T, x
第三种只能改机构, }% V/ [) N5 p
要嘛把屏蔽罩跟PA之间距离拉大' r6 y$ g7 s4 r. v7 ?! ~/ k4 N
不然就是PA上方直接开天窗# z5 E) z, ^' a, v9 V2 ?8 p
1 o& k4 q; o6 j2 h+ ^" Q; }1 C/ e8 T |
|