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1 z5 J3 D" P9 Y$ k$ J( t可能原因三个 :2 z4 c, F) v! q( o8 R
1. 匹配组件受Shielding Cover影响 以至于阻抗偏了
& V- L/ R$ w2 J' U1 @: [若Shielding Cover跟匹配组件太近 其寄生效应改变其电感或电容值
7 g& ^ N3 P: | n$ Z/ g* D以至于阻抗改变 那当然传导谐波变大
9 P9 u1 _& _- N$ {# ^+ g尤其是早期0402组件更容易这样 但现在0201组件很少会这样了/ \2 v! ]1 r# u4 _/ I0 X9 V( Q
2. RF 讯号泄漏到PA的Vcc
8 x* o Q) i; Z! g0 U0 `3 ^8 v当你盖上屏蔽罩时 PA会把RF讯号 辐射或耦合到屏蔽罩上方) a# x' K2 z+ Q5 W+ n
也就是说 屏蔽罩上方 会有残留的TX讯号7 j1 n U/ q2 g, P: }; P( D4 \
若屏蔽罩接地良好 那么这些残留的TX讯号 会通通流到GND+ }7 J9 @2 C; ]/ f+ L. T H
若屏蔽罩接地良好 那么这些残留的TX讯号! H. w0 l& G7 @/ s: B C; n
一部分流到GND 一部分会再反射
; \% A8 z, q8 r$ {% D" Z3 F' U若反射的TX讯号 打到PA的Vcc 那当然TX性能就劣化5 j. v: I1 K) W" @/ F9 W
! s( l; z" k( @) q& l
3. 屏蔽罩跟PA离太近 之间的寄生效应 改变了PA特性 J- A6 x( M7 A0 c8 h
验证方式 :7 D4 ~( g% k9 c/ {6 I2 f) T; V3 z
第一种现在很少见了 所以就不提1 \# P# G, F# D. V1 M
第二种的话 可以这样验证 , y2 ~$ y# J- o1 `. a3 G
因为你说没加屏蔽罩时 其传导杂散会比较好! w7 g2 N9 L# r" M2 G
因此 如果在没加屏蔽罩状况下 你用这种方式
$ ^: a$ K2 j: B2 b( S其传导杂散变得跟加了屏蔽罩时一样差$ |% C% M6 ^+ i2 ?$ p
那凶手就可能是来自这原因% j& f8 v: s Q# V# g* T
值得注意的是 那个DC Block要加
3 G: H4 Q' _. D- J避免Vcc的直流电源 回灌到PA或CMW500
4 v& O& A# X! u; d3 [# S3 c
. F* Z8 t0 h4 I9 J第三种的话 在没加屏蔽罩状况下( o6 ?. h( T& \% [' D3 O! w- S
在PA上方先贴个胶带 再随便放个金属片# [. [) P5 g1 T+ N# Y0 b* b+ C7 y
) m9 n- q$ _% N
一样 你说没加屏蔽罩时 其传导杂散会比较好
7 a; ` ]6 _$ Y' ?. D0 l9 D, O因此 如果在没加屏蔽罩状况下 你用这种方式
1 d0 {: _8 o7 q" n) R' z' W若其传导杂散变得跟加了屏蔽罩时一样差
$ s: Q- G# W9 A& M9 r' P- T' z+ R1 G那凶手就可能是来自这原因- [% [. ^. {0 ?6 [: D) d0 ~* J
解决方案:
0 | {# |: X9 i1 I第一种现在很少见了 所以就不提$ [0 b' f; t8 R! u' Y5 p- q7 `
第二种的话/ L: p; V1 |$ N. P; M2 G, \
9 e# Z5 U# W) u7 Z8 ]5 m4 `$ q因为凶手是来自RF讯号灌入Vcc 所以你在Vcc那边
! n* r* @* C6 g& g% Q摆放一个落地电容 让灌入Vcc的RF讯号流到GND
; U! @) d8 @1 w+ X. a既然你主频是DCS 以0201的电容来讲 你就放个18 pF
% s8 X3 i8 H8 ~/ _, U4 m
3 g, L( f$ J' k' p, n第三种只能改机构: j7 a5 p# o) J0 K6 n/ R$ z& i: ]' Z
要嘛把屏蔽罩跟PA之间距离拉大$ F2 ^$ r- e" q
不然就是PA上方直接开天窗, s) \4 R8 ?& ]1 L
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