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: Z1 _$ i7 S" F可能原因三个 :
- I2 b! ~: e% v/ Q+ v1 Q& Y1. 匹配组件受Shielding Cover影响 以至于阻抗偏了* K3 z4 |2 K) M# a9 t6 a9 ^
若Shielding Cover跟匹配组件太近 其寄生效应改变其电感或电容值
6 t' m) J% r3 F5 ?: m; t以至于阻抗改变 那当然传导谐波变大. I4 K4 A$ Z: L
尤其是早期0402组件更容易这样 但现在0201组件很少会这样了' A3 g$ q; z- r- z$ o" U
2. RF 讯号泄漏到PA的Vcc$ M+ h9 Q$ G6 Y( h4 w7 [5 X
当你盖上屏蔽罩时 PA会把RF讯号 辐射或耦合到屏蔽罩上方, I- g2 ~- r9 ]' K# C6 x/ W
也就是说 屏蔽罩上方 会有残留的TX讯号
/ v9 o; L" w0 a3 n若屏蔽罩接地良好 那么这些残留的TX讯号 会通通流到GND4 c" z+ p1 T2 E
若屏蔽罩接地良好 那么这些残留的TX讯号
) e8 D' S' F N z6 V, ^7 x$ W一部分流到GND 一部分会再反射 S/ \ [3 R: J6 E+ P$ t, A
若反射的TX讯号 打到PA的Vcc 那当然TX性能就劣化
5 F- e7 w7 Y& Y
, g% z( H# z- Q! {3. 屏蔽罩跟PA离太近 之间的寄生效应 改变了PA特性
1 u* U! ?% u a8 k' B( K- M. I8 O验证方式 :
0 r2 b3 o& n" V1 [" f0 F第一种现在很少见了 所以就不提* G. V! \/ c0 `
第二种的话 可以这样验证 6 v) o0 o9 a5 A4 D2 [
因为你说没加屏蔽罩时 其传导杂散会比较好7 }+ D7 w: f; ?( J' z1 M
因此 如果在没加屏蔽罩状况下 你用这种方式
% l- I$ [) y$ c6 A, ]/ \$ l其传导杂散变得跟加了屏蔽罩时一样差$ _( U$ Q; g$ t
那凶手就可能是来自这原因* s* C# `6 _1 e P3 R2 b6 E6 q2 `
值得注意的是 那个DC Block要加8 H7 ]% u7 {- \; \" v+ H
避免Vcc的直流电源 回灌到PA或CMW500
8 k1 }8 H% b* @6 {8 f1 x) \9 `# j
第三种的话 在没加屏蔽罩状况下; {9 W' b2 F0 W6 i1 G
在PA上方先贴个胶带 再随便放个金属片
: }$ z" X4 s; z; R* }+ U
+ C1 l" Y# o+ _& y% K一样 你说没加屏蔽罩时 其传导杂散会比较好1 G3 g! C' j9 y" V
因此 如果在没加屏蔽罩状况下 你用这种方式
" l& S- u! V9 p0 C( E, R% U, m若其传导杂散变得跟加了屏蔽罩时一样差+ O* T/ {2 C$ F, X9 D# G
那凶手就可能是来自这原因
# _; A5 ~: y' r( E$ F解决方案:
! @ U+ M/ u3 R9 h# t% A# P+ V( F" i第一种现在很少见了 所以就不提
5 P4 y o. S7 \+ w第二种的话7 E0 r( q5 \& t% t" s( T# S& {9 `
( M) ^2 [) P8 }因为凶手是来自RF讯号灌入Vcc 所以你在Vcc那边* p/ M- x/ v- u
摆放一个落地电容 让灌入Vcc的RF讯号流到GND1 T! N; {2 \ [' k& Z7 Z/ }6 _
既然你主频是DCS 以0201的电容来讲 你就放个18 pF$ G5 }. S+ R9 V" ~
& j' i4 N1 l |! u4 B+ f0 B9 T
第三种只能改机构( `& c3 @) x5 Z) R( E! \- R. i
要嘛把屏蔽罩跟PA之间距离拉大
* }; i) G" E: j不然就是PA上方直接开天窗8 D- y: i" _' K) s0 i1 E
3 m$ }, F; A+ ~% H
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