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) i$ j) g' f, B2 h( c4 Y3 U( ]可能原因三个 :
9 n6 ?: p5 X9 `8 o, L. i1. 匹配组件受Shielding Cover影响 以至于阻抗偏了
0 l/ ? o) @1 S- h! Z c若Shielding Cover跟匹配组件太近 其寄生效应改变其电感或电容值
) Z5 K! `' `6 ~3 l; w% ~以至于阻抗改变 那当然传导谐波变大) y# y6 L d3 C6 R! ?( y7 F5 N
尤其是早期0402组件更容易这样 但现在0201组件很少会这样了, j+ H0 g ~4 o$ Q8 w5 _9 E
2. RF 讯号泄漏到PA的Vcc4 O4 G" o3 D7 @2 X+ A0 |
当你盖上屏蔽罩时 PA会把RF讯号 辐射或耦合到屏蔽罩上方/ n m8 ~$ f5 H3 j
也就是说 屏蔽罩上方 会有残留的TX讯号; F! U b; l& I
若屏蔽罩接地良好 那么这些残留的TX讯号 会通通流到GND
i; D' u3 _/ u7 X# i# z" K若屏蔽罩接地良好 那么这些残留的TX讯号
* C% f- m4 `' R4 ^1 f3 I: a8 f \一部分流到GND 一部分会再反射
* z( X# h0 u' G若反射的TX讯号 打到PA的Vcc 那当然TX性能就劣化, [, q# A; Q: R* k% [- F
6 f, U$ T/ C' W; M/ {/ B
3. 屏蔽罩跟PA离太近 之间的寄生效应 改变了PA特性0 H; _) P' {5 ]- A7 A& T8 R& p
验证方式 :
# M) C$ ], h1 s8 T6 j第一种现在很少见了 所以就不提
5 c& X. `- z( }8 G# Q3 X# _0 _第二种的话 可以这样验证 e* P# G2 n t3 t* B5 n0 A5 i2 l
因为你说没加屏蔽罩时 其传导杂散会比较好; p) b: M+ t% ?& L1 h
因此 如果在没加屏蔽罩状况下 你用这种方式4 l1 ~; _" e1 u' |( D/ C
其传导杂散变得跟加了屏蔽罩时一样差
' r' Z' [# g3 u) `0 H那凶手就可能是来自这原因, ?3 H5 K( Z! F4 p/ u7 G
值得注意的是 那个DC Block要加& @$ ^& }5 @% V, S. Y
避免Vcc的直流电源 回灌到PA或CMW5004 I% e5 f! I& o* x, _3 S. W i8 q, K
; r: p5 d* b+ z* T3 V1 G3 W第三种的话 在没加屏蔽罩状况下1 S1 ^) Y$ n% R! u
在PA上方先贴个胶带 再随便放个金属片
1 x5 l1 A4 u# ^4 U9 ^+ g1 R2 _) X
9 v5 r, G* H [" I8 T( {( r一样 你说没加屏蔽罩时 其传导杂散会比较好
3 {2 c$ n- h ?4 @7 I Z( j因此 如果在没加屏蔽罩状况下 你用这种方式* p2 y: F2 A+ }3 S) g1 K
若其传导杂散变得跟加了屏蔽罩时一样差, t! s" w8 ~9 o
那凶手就可能是来自这原因
9 I9 w( d4 x1 A解决方案:* A6 x9 C% s3 q0 N4 _( r- u- U$ Y
第一种现在很少见了 所以就不提
% I) b4 u1 U# r) v0 C第二种的话 c1 @% E$ x0 a$ n* C/ C
8 k* I7 J2 K' Y因为凶手是来自RF讯号灌入Vcc 所以你在Vcc那边4 X" o9 [6 T2 x+ c7 Z9 X, j
摆放一个落地电容 让灌入Vcc的RF讯号流到GND
' _2 f( n4 _5 p" ^% a0 _既然你主频是DCS 以0201的电容来讲 你就放个18 pF# W4 \) `, v% Y0 r5 a
& e* C, P9 Q5 v! @# C3 w3 |
第三种只能改机构
$ Q& ~% w W0 S* }* K: \4 J要嘛把屏蔽罩跟PA之间距离拉大7 n6 R; u& K9 y8 `& }: s
不然就是PA上方直接开天窗
8 V3 h, p- p- L g& C q4 f0 Y8 m4 [4 `5 A- W s
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