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: w' p9 _ `8 y& B可能原因三个 :
) i+ O5 K& R: x( g, a: M& }1. 匹配组件受Shielding Cover影响 以至于阻抗偏了
2 D: l# ^, p$ E. i2 l, H若Shielding Cover跟匹配组件太近 其寄生效应改变其电感或电容值
% \- T5 R+ l& T! h/ l ~以至于阻抗改变 那当然传导谐波变大
1 ?: K0 D: w# p) D0 K尤其是早期0402组件更容易这样 但现在0201组件很少会这样了1 @! `: V# i$ X3 `( Y( R
2. RF 讯号泄漏到PA的Vcc
6 v2 v5 x( R# U$ ^3 \' n9 E4 [0 M4 l当你盖上屏蔽罩时 PA会把RF讯号 辐射或耦合到屏蔽罩上方
* U$ L5 ~- O& e! ~也就是说 屏蔽罩上方 会有残留的TX讯号- L2 D' `" B1 L' v. s1 H* X
若屏蔽罩接地良好 那么这些残留的TX讯号 会通通流到GND
$ G! J1 H0 l* G$ ^) M- R2 N4 M$ k若屏蔽罩接地良好 那么这些残留的TX讯号& g# m, V( I% V( j
一部分流到GND 一部分会再反射/ \: V+ W) e0 H
若反射的TX讯号 打到PA的Vcc 那当然TX性能就劣化
8 _0 b2 ]" S6 M. P2 X3 O4 y, n3 X6 u$ ]8 E. {: @/ e
3. 屏蔽罩跟PA离太近 之间的寄生效应 改变了PA特性 Z6 a6 G5 \( x# Z' n
验证方式 :, G2 z+ t% S( n( v* b: T0 |
第一种现在很少见了 所以就不提1 B) @4 s; g7 j+ O
第二种的话 可以这样验证
; `! z1 n+ Y' @- ?因为你说没加屏蔽罩时 其传导杂散会比较好
E% o# E% m1 R7 p因此 如果在没加屏蔽罩状况下 你用这种方式, K8 `# ~2 A5 q
其传导杂散变得跟加了屏蔽罩时一样差
( N! f$ t' |7 B( I那凶手就可能是来自这原因! Z8 i2 L" G: W7 `
值得注意的是 那个DC Block要加
) q' i+ B; y x/ l9 {避免Vcc的直流电源 回灌到PA或CMW500
9 P7 W& R3 |( G) g4 g' T8 B5 j; ]* R0 T( V. a) B
第三种的话 在没加屏蔽罩状况下) o" s9 n O1 n) s* s- f; r% r- f! b
在PA上方先贴个胶带 再随便放个金属片5 e$ i f2 h1 Q7 D! m
' u: P0 x; Q. L2 U: t; K
一样 你说没加屏蔽罩时 其传导杂散会比较好
$ d1 \$ h" O2 W! ]- c/ i因此 如果在没加屏蔽罩状况下 你用这种方式
" I V' W+ Z3 M4 k若其传导杂散变得跟加了屏蔽罩时一样差6 J9 {% T# Q* F9 J/ N9 B+ f
那凶手就可能是来自这原因
* x; c" L6 p b4 Y/ F$ ^2 N2 V解决方案:7 \! _ W# O. |8 X
第一种现在很少见了 所以就不提' D g. S8 d T( E6 S- X- {
第二种的话) ^; K+ m( |& e2 b: b$ P
+ C$ N L- W6 [; A N- ]- ^& m, l
因为凶手是来自RF讯号灌入Vcc 所以你在Vcc那边4 C1 m6 e" i7 U/ Q; l
摆放一个落地电容 让灌入Vcc的RF讯号流到GND+ i- |: O; _( C# _8 j3 r
既然你主频是DCS 以0201的电容来讲 你就放个18 pF
9 X5 Z. E; ^' `, X1 j- H | M- J9 |
第三种只能改机构# \* U$ U4 F" p$ m6 O b& ?4 `& Q
要嘛把屏蔽罩跟PA之间距离拉大3 `7 B/ B, r! B# Z: ~3 e
不然就是PA上方直接开天窗
' I+ s2 l. h# G% }
2 i" h9 x; V. }+ F& H+ }1 J" q+ K |
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