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' X; @, e9 s( a# J0 B1 L$ w可能原因三个 :: i# H1 o/ V- ~: d; N" ]
1. 匹配组件受Shielding Cover影响 以至于阻抗偏了
8 `0 q- t1 k# t若Shielding Cover跟匹配组件太近 其寄生效应改变其电感或电容值7 K/ d8 Y" j, ]( W
以至于阻抗改变 那当然传导谐波变大$ S% t1 ]% R- V8 ` p: h
尤其是早期0402组件更容易这样 但现在0201组件很少会这样了
3 n2 O3 y* T) v" y, H2. RF 讯号泄漏到PA的Vcc: H5 D$ R' g0 S2 w9 |/ e1 E- @# e
当你盖上屏蔽罩时 PA会把RF讯号 辐射或耦合到屏蔽罩上方- \/ Y6 S4 n% j9 H* q# g; v- \5 E9 R) L
也就是说 屏蔽罩上方 会有残留的TX讯号
5 G: r& ^2 |( e若屏蔽罩接地良好 那么这些残留的TX讯号 会通通流到GND: T: m, h* r/ ^/ w$ j, }* p4 {" G
若屏蔽罩接地良好 那么这些残留的TX讯号
8 P1 Q1 p4 I I0 W+ S& h2 i一部分流到GND 一部分会再反射1 p- A4 r- N7 I# k# y. X; x
若反射的TX讯号 打到PA的Vcc 那当然TX性能就劣化
2 p4 z$ i6 q8 R# @! R' @2 I
( K! r- M4 ? \, J D# J7 F, u3. 屏蔽罩跟PA离太近 之间的寄生效应 改变了PA特性8 ?$ i9 o; O! E, V9 m7 @
验证方式 :9 X% b$ B/ v2 B' T0 E+ W2 Q
第一种现在很少见了 所以就不提
( b# L7 `& s' n) P, I9 [第二种的话 可以这样验证
" j2 u; S0 S; x7 b7 C3 ~+ H因为你说没加屏蔽罩时 其传导杂散会比较好5 @ w/ r) Y! }, @* H# o O$ Y
因此 如果在没加屏蔽罩状况下 你用这种方式0 m" N: ?& A3 S; B9 S% E" h
其传导杂散变得跟加了屏蔽罩时一样差' Q8 u! o9 D' x+ G
那凶手就可能是来自这原因; z" D/ ?% \, I) ]+ Z" |* R0 T
值得注意的是 那个DC Block要加4 ?& D/ P. R) L8 G" G. J
避免Vcc的直流电源 回灌到PA或CMW500& }# E" `% N' a/ g; j
1 Q, _, M2 F7 I0 P8 t3 O( G
第三种的话 在没加屏蔽罩状况下
8 R* g& B! e- M在PA上方先贴个胶带 再随便放个金属片/ [1 B5 `# Y, _( ]. `
8 r, R- l( @4 p1 G# @3 |一样 你说没加屏蔽罩时 其传导杂散会比较好
/ H( I1 V* r5 ^# _1 D1 I% ?因此 如果在没加屏蔽罩状况下 你用这种方式2 e/ p, p# A) P, L( L! {; U/ i5 b
若其传导杂散变得跟加了屏蔽罩时一样差
B' q; w) V* Z) K那凶手就可能是来自这原因
/ x2 Z+ R3 i' G4 G' Z解决方案:# l1 X- I. D6 `2 |
第一种现在很少见了 所以就不提 {" b$ \$ C' {/ H4 ?- J8 q
第二种的话) ^/ i2 u4 y/ |, f
8 ~9 E9 l* f+ r; s: a; M5 y# D. C因为凶手是来自RF讯号灌入Vcc 所以你在Vcc那边& R7 w" o; m$ T2 @ S
摆放一个落地电容 让灌入Vcc的RF讯号流到GND* t7 K# P5 m% A8 y3 b# {3 F' s) @
既然你主频是DCS 以0201的电容来讲 你就放个18 pF7 r& T; _7 K9 t3 y+ V: g/ a
& P# u4 {- J% J第三种只能改机构$ k+ b. M/ c* p4 p/ j% r5 g, a: Z
要嘛把屏蔽罩跟PA之间距离拉大* z) n& Z- f L# Y
不然就是PA上方直接开天窗8 z4 M& {7 ` }. X( [! u* R/ T
9 N1 u4 H5 T5 `( }- l# B |
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发表于 2019-12-3 14:46:00
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