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9 E; i' O3 Y, X$ U1 n" _可能原因三个 :; i+ F6 A' I0 a; O
1. 匹配组件受Shielding Cover影响 以至于阻抗偏了
- a O( Y& p- H) Y( A$ H若Shielding Cover跟匹配组件太近 其寄生效应改变其电感或电容值5 c+ m5 N6 W4 P
以至于阻抗改变 那当然传导谐波变大4 S& h' X: q8 D; `/ X
尤其是早期0402组件更容易这样 但现在0201组件很少会这样了5 W+ L& p$ S0 X S
2. RF 讯号泄漏到PA的Vcc
# V( _8 [, I b' p1 y1 E6 L, t当你盖上屏蔽罩时 PA会把RF讯号 辐射或耦合到屏蔽罩上方
( k' a. v; d% p也就是说 屏蔽罩上方 会有残留的TX讯号
3 e# _' Z- Q7 V9 g5 S+ j4 r$ Z. r若屏蔽罩接地良好 那么这些残留的TX讯号 会通通流到GND
: M% K7 \6 }9 j% L7 g6 o4 r若屏蔽罩接地良好 那么这些残留的TX讯号
, F. q; U, e' C一部分流到GND 一部分会再反射1 L0 p3 _, L0 j
若反射的TX讯号 打到PA的Vcc 那当然TX性能就劣化$ D6 k8 y5 R6 _! I0 ~% q3 {0 L
/ N" @: O3 c) {7 h7 @3. 屏蔽罩跟PA离太近 之间的寄生效应 改变了PA特性! ? v* f8 j# w. ?: c
验证方式 :0 S# w+ O" h1 j1 L
第一种现在很少见了 所以就不提0 v1 d% m/ v8 F9 C
第二种的话 可以这样验证 . k+ e+ ]0 n' _$ @7 _4 ]3 \: A9 z
因为你说没加屏蔽罩时 其传导杂散会比较好
2 o5 a7 [# |* y7 p因此 如果在没加屏蔽罩状况下 你用这种方式; }) A6 r6 Y1 c K
其传导杂散变得跟加了屏蔽罩时一样差
b- A! M- b/ A& B9 R0 @/ C那凶手就可能是来自这原因
4 k7 b+ ?' }% N1 \值得注意的是 那个DC Block要加3 Z/ {4 b( a- m$ ^. C+ \
避免Vcc的直流电源 回灌到PA或CMW500
# P3 _0 X, U2 n! H* \! k% _9 M
" Y4 x8 Y0 C" u5 P第三种的话 在没加屏蔽罩状况下
) c% d8 z/ \% W% @在PA上方先贴个胶带 再随便放个金属片
+ s* K2 d( J, e3 X3 J; p; y
9 `1 B4 y7 E* b* G2 {* b一样 你说没加屏蔽罩时 其传导杂散会比较好
l2 e' a( `* n& q {( M+ Z4 H因此 如果在没加屏蔽罩状况下 你用这种方式3 J* ~5 t5 Q$ N6 i& E
若其传导杂散变得跟加了屏蔽罩时一样差3 ^* V) o! o' _& Z2 ^
那凶手就可能是来自这原因7 N/ m2 Y8 c b' G1 T1 m
解决方案:2 K* n& ^* \# S, e: J+ Z
第一种现在很少见了 所以就不提6 k9 [1 o4 V" ?, {
第二种的话
9 ?5 z8 k4 A% j9 j! ~
: c( A; L( y* u因为凶手是来自RF讯号灌入Vcc 所以你在Vcc那边
2 j) h: U4 i% E9 @1 h* M摆放一个落地电容 让灌入Vcc的RF讯号流到GND
6 Y" q6 L0 q! P# b" {( n( }既然你主频是DCS 以0201的电容来讲 你就放个18 pF
, J, |2 \- x! Q4 R
! m) D2 i" m9 D: H9 e, V/ ~第三种只能改机构
# o6 ]2 S, Y9 G) d' Z3 B# h要嘛把屏蔽罩跟PA之间距离拉大, D7 H8 C: D! m6 q$ D1 r# n; P U, t
不然就是PA上方直接开天窗$ W4 ^5 @1 y2 y$ j
* w# ^8 k; R, C( b- x$ S6 Z- V' ~9 F |
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