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" M/ C( D9 w" F, x+ p可能原因三个 :! a' w; _7 ~& h
1. 匹配组件受Shielding Cover影响 以至于阻抗偏了" U: y' i1 ]' N* J
若Shielding Cover跟匹配组件太近 其寄生效应改变其电感或电容值
$ C/ g# G0 W. M: C' ]- }$ ? S1 U以至于阻抗改变 那当然传导谐波变大" N% P- u5 K- |# ~4 w
尤其是早期0402组件更容易这样 但现在0201组件很少会这样了
/ O L; v6 `2 \* ~2. RF 讯号泄漏到PA的Vcc
' z3 }! m7 l4 L# G. j3 B3 N当你盖上屏蔽罩时 PA会把RF讯号 辐射或耦合到屏蔽罩上方
; ]! B; M M* _也就是说 屏蔽罩上方 会有残留的TX讯号2 I- v1 e0 W* W. r ?4 s" {
若屏蔽罩接地良好 那么这些残留的TX讯号 会通通流到GND
1 n$ y! M9 R/ y若屏蔽罩接地良好 那么这些残留的TX讯号
, n# ^3 E+ F' |( }一部分流到GND 一部分会再反射
: i2 W+ @* B# `, l' q若反射的TX讯号 打到PA的Vcc 那当然TX性能就劣化5 u6 W$ W2 I/ N8 T" [8 J" A' u
6 U, n6 M) B4 o4 U$ W3. 屏蔽罩跟PA离太近 之间的寄生效应 改变了PA特性, |) O' B% d& @1 W% a
验证方式 :$ @7 D/ z! l: q2 l, g$ N
第一种现在很少见了 所以就不提$ j5 i2 b/ |: M
第二种的话 可以这样验证 Y6 y# b8 \5 b* G
因为你说没加屏蔽罩时 其传导杂散会比较好
" Q# O! \9 r1 ^2 p因此 如果在没加屏蔽罩状况下 你用这种方式
c7 r2 }1 K' Z0 _其传导杂散变得跟加了屏蔽罩时一样差3 R# u( I0 O6 K7 a
那凶手就可能是来自这原因
; r& s" _" v2 G1 F7 t6 Q- p" S! r值得注意的是 那个DC Block要加
8 { b% e! B; ~' l/ }避免Vcc的直流电源 回灌到PA或CMW500
" S7 y! t; Y9 n9 l: b& ~6 r* H
! Y" [5 q; \! {7 i5 p第三种的话 在没加屏蔽罩状况下( p3 C; ^" c% K7 p7 @
在PA上方先贴个胶带 再随便放个金属片; M" |* t, @) k7 j) Z
* }: K9 o! z, B# S- u5 d
一样 你说没加屏蔽罩时 其传导杂散会比较好$ c" E% T7 G, [
因此 如果在没加屏蔽罩状况下 你用这种方式
# q% f! g) B2 a. |3 u, b4 b. [5 X, G若其传导杂散变得跟加了屏蔽罩时一样差$ t) a1 Q* H* `1 t+ C1 z0 n# }* q
那凶手就可能是来自这原因
; B( s+ r {4 j& c" e) m: e解决方案:
- v' e8 f3 W. o8 C第一种现在很少见了 所以就不提6 p9 R6 @2 ^: }1 g0 K1 s7 L" Q
第二种的话
* p2 P w( a% W5 g- Q4 v
- y! E7 ^: q3 l! g% E因为凶手是来自RF讯号灌入Vcc 所以你在Vcc那边
' P* d4 K$ I3 ^' ~1 ^1 z, A' I摆放一个落地电容 让灌入Vcc的RF讯号流到GND
) s4 N" q5 W% w) ~" q& F既然你主频是DCS 以0201的电容来讲 你就放个18 pF) L3 n5 u% x" l/ {( S2 R( r
5 j% l! S! |/ f9 w0 O
第三种只能改机构0 n* k1 j" Q" C; X! z0 b
要嘛把屏蔽罩跟PA之间距离拉大" B2 V4 b, J# t: E4 U! l, U
不然就是PA上方直接开天窗! q- @) q( t* U* ?4 U+ V
# g# i( E) i& O+ |, i1 k3 B |
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