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* ` t( C# T( B7 b, N$ f/ K
可能原因三个 :- k) }9 \( u- C
1. 匹配组件受Shielding Cover影响 以至于阻抗偏了
( ]/ S. h$ O, S. }& ^) r) H若Shielding Cover跟匹配组件太近 其寄生效应改变其电感或电容值
8 d% c* S% J+ k3 E4 N以至于阻抗改变 那当然传导谐波变大
& Y2 S1 _( m) R/ O; a- T6 P尤其是早期0402组件更容易这样 但现在0201组件很少会这样了
& t" Q0 G3 I& N2 |$ \2. RF 讯号泄漏到PA的Vcc' O4 \& C" N$ m3 A) S! R5 s
当你盖上屏蔽罩时 PA会把RF讯号 辐射或耦合到屏蔽罩上方
b; a6 \! E! t f8 h也就是说 屏蔽罩上方 会有残留的TX讯号
7 t5 R8 Y8 l }- y若屏蔽罩接地良好 那么这些残留的TX讯号 会通通流到GND
$ N7 P6 }+ `) K# G+ k/ A若屏蔽罩接地良好 那么这些残留的TX讯号
" \, g K0 t% Z. h% e一部分流到GND 一部分会再反射
1 I+ g. E J" a0 i/ t; i若反射的TX讯号 打到PA的Vcc 那当然TX性能就劣化
) ~" N! m% E, v, O9 Y# U( s; U
2 J& N3 ?3 Z% N- L2 v* u1 L- a3. 屏蔽罩跟PA离太近 之间的寄生效应 改变了PA特性
2 }) _; O1 q( p6 `) k7 l验证方式 :; w2 U$ b8 m7 B& a+ }
第一种现在很少见了 所以就不提
, O4 g6 _0 e: G! w* G第二种的话 可以这样验证 % ^4 `3 A. ]/ w: |
因为你说没加屏蔽罩时 其传导杂散会比较好
9 [. n/ ?5 x0 X4 o# n" X* ?/ e因此 如果在没加屏蔽罩状况下 你用这种方式
1 W& V8 i5 O9 d. Y其传导杂散变得跟加了屏蔽罩时一样差
0 Z5 u$ F3 M; a那凶手就可能是来自这原因0 T4 b: K6 b7 \8 t
值得注意的是 那个DC Block要加* L& Q! D/ h* h f1 X! W
避免Vcc的直流电源 回灌到PA或CMW500
. x; X, F8 S4 a/ W
6 B+ N9 _" P" o7 I7 A+ F' {第三种的话 在没加屏蔽罩状况下) g \# ]5 m+ q& a# a
在PA上方先贴个胶带 再随便放个金属片
8 L4 W3 z) n3 P2 h% o; M4 i5 b6 ?; y3 y9 c
一样 你说没加屏蔽罩时 其传导杂散会比较好& T2 @7 e! y# B& R5 g
因此 如果在没加屏蔽罩状况下 你用这种方式
& r: U, r! p8 c" v/ x5 C4 @若其传导杂散变得跟加了屏蔽罩时一样差) w2 _# a/ a5 b- \$ w
那凶手就可能是来自这原因/ T( }9 P/ L4 ~) X P1 ~5 w
解决方案:
7 ?( L3 |5 O* q$ w2 O第一种现在很少见了 所以就不提+ B% ^% c7 @, A/ |0 z' o
第二种的话
4 L0 b' {& H- v8 u& C$ M# f B$ j. o! }; f% s% v
因为凶手是来自RF讯号灌入Vcc 所以你在Vcc那边) k" G0 v1 ]) a) a+ N4 j
摆放一个落地电容 让灌入Vcc的RF讯号流到GND
. O0 o; i6 e1 Z7 X3 i8 S既然你主频是DCS 以0201的电容来讲 你就放个18 pF( W) d& g. O) s K
" f' L: n9 K/ ^2 D: p
第三种只能改机构6 D7 c2 c: U0 [" m, a9 I
要嘛把屏蔽罩跟PA之间距离拉大1 `+ ]0 O- e* |* ?5 r
不然就是PA上方直接开天窗7 T4 k0 Q" ` z4 Z! W
* d3 l2 i* U. @* `1 q B
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发表于 2019-12-3 14:46:00
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