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可能原因三个 :1 }" Y7 S' F& ^7 f5 U- V7 _
1. 匹配组件受Shielding Cover影响 以至于阻抗偏了4 n; n) _7 Z8 h# |+ E u
若Shielding Cover跟匹配组件太近 其寄生效应改变其电感或电容值
- Q# g, Y/ m: R( l9 U以至于阻抗改变 那当然传导谐波变大
9 K4 R6 L8 G# X w. x尤其是早期0402组件更容易这样 但现在0201组件很少会这样了
. u( i% M. L9 u" z) \# S# J2. RF 讯号泄漏到PA的Vcc
! j3 J2 ]! X2 y/ a9 k' b/ p当你盖上屏蔽罩时 PA会把RF讯号 辐射或耦合到屏蔽罩上方8 I s( z# D/ s; W% W$ ]
也就是说 屏蔽罩上方 会有残留的TX讯号
9 i5 K; r9 Q0 Y. P+ ]若屏蔽罩接地良好 那么这些残留的TX讯号 会通通流到GND1 Q4 V- e6 S$ v& l+ k
若屏蔽罩接地良好 那么这些残留的TX讯号7 B) P% b2 z9 y* N. ]! p
一部分流到GND 一部分会再反射
& P- N4 O5 w7 ~% [/ o2 t8 S5 w若反射的TX讯号 打到PA的Vcc 那当然TX性能就劣化, ~# G" o) q' B% u0 o
% G% p0 y$ G0 s5 j2 i; ?/ |
3. 屏蔽罩跟PA离太近 之间的寄生效应 改变了PA特性
5 |4 O' d$ o0 n4 W2 S+ \, i验证方式 :
# L2 k5 d/ {1 L1 m# P6 u7 Q第一种现在很少见了 所以就不提
5 \" S! S g8 @) b第二种的话 可以这样验证 2 S" m6 {$ n( D9 B9 R! a9 G
因为你说没加屏蔽罩时 其传导杂散会比较好
1 F1 _/ U8 U6 L8 r" v. k因此 如果在没加屏蔽罩状况下 你用这种方式* f. ]$ D1 S4 h! _+ J
其传导杂散变得跟加了屏蔽罩时一样差1 n" q F" h$ g2 X6 _- ~
那凶手就可能是来自这原因
/ T& ^- p: B) U2 X3 `: N' y值得注意的是 那个DC Block要加
% Q3 M( O; {- e# G避免Vcc的直流电源 回灌到PA或CMW500$ j2 ~& y/ V1 v8 G: d/ N' j* a
! R9 t# K; Z; x0 w第三种的话 在没加屏蔽罩状况下
8 w; W6 ]9 k, ~) x3 ]7 \: h; m, W( F在PA上方先贴个胶带 再随便放个金属片
( _3 N9 B% U5 F+ F5 }2 h* a) v$ W, j. F \: W% r
一样 你说没加屏蔽罩时 其传导杂散会比较好
, R* t: B% v* W$ m3 t因此 如果在没加屏蔽罩状况下 你用这种方式
+ A! R& I \: @# G1 j% f若其传导杂散变得跟加了屏蔽罩时一样差( z' t) y4 k) T- m" Z" B
那凶手就可能是来自这原因 J- \* X5 S+ e) k
解决方案:7 d0 o; P; v0 w# P5 z
第一种现在很少见了 所以就不提
+ M5 k4 H: p/ c" }- B, w$ D第二种的话
/ Q% o; s3 R# n2 N3 }1 j) o
( o2 V- z9 d( Q- q, c因为凶手是来自RF讯号灌入Vcc 所以你在Vcc那边
, n* c5 q7 o% k# z摆放一个落地电容 让灌入Vcc的RF讯号流到GND
. U. a [8 J2 ^$ d9 s( s# |, B' I既然你主频是DCS 以0201的电容来讲 你就放个18 pF, ^; [% G, V, D a. [1 v
3 }: ~, Z, k3 v9 r第三种只能改机构) b* z8 j3 C! F. h
要嘛把屏蔽罩跟PA之间距离拉大
' s8 H k- U F$ `不然就是PA上方直接开天窗
; G7 x* K$ v& o$ J
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