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: D" T" O) Y; ^+ w可能原因三个 :* S& H$ h' {3 Q; Q* P
1. 匹配组件受Shielding Cover影响 以至于阻抗偏了8 `4 c+ ^" \. R8 M
若Shielding Cover跟匹配组件太近 其寄生效应改变其电感或电容值
5 m8 V8 A/ Z9 ?% L1 f以至于阻抗改变 那当然传导谐波变大
* w3 o" b1 [: e+ Q* y+ B尤其是早期0402组件更容易这样 但现在0201组件很少会这样了
8 J$ F% r# j0 k! \2. RF 讯号泄漏到PA的Vcc
! Q9 v! C9 L1 L: @当你盖上屏蔽罩时 PA会把RF讯号 辐射或耦合到屏蔽罩上方- f( {6 p0 _3 p! U
也就是说 屏蔽罩上方 会有残留的TX讯号$ P0 B8 u$ o) B ?9 r
若屏蔽罩接地良好 那么这些残留的TX讯号 会通通流到GND. e% u( K" K: C% X% C
若屏蔽罩接地良好 那么这些残留的TX讯号
f3 @+ ]* N! X% _' K% K一部分流到GND 一部分会再反射- K5 _+ {, t- w5 P! X3 }
若反射的TX讯号 打到PA的Vcc 那当然TX性能就劣化
# C& @1 l; O* l0 x8 b5 ~. |3 B
0 V; @2 J8 k9 R2 ~3. 屏蔽罩跟PA离太近 之间的寄生效应 改变了PA特性 v7 M9 q4 S# V- |
验证方式 :
* G, R$ v# W. I+ S第一种现在很少见了 所以就不提: c% }& ^ ~# Y( v5 l: J
第二种的话 可以这样验证 " c t H$ Y4 m
因为你说没加屏蔽罩时 其传导杂散会比较好
) h3 U V9 N" I5 c2 b; X因此 如果在没加屏蔽罩状况下 你用这种方式
# C% Y, w7 [6 M4 s* q$ Q+ t. M其传导杂散变得跟加了屏蔽罩时一样差( x$ z! @; ~* H- E% I, ]" `0 P
那凶手就可能是来自这原因" Y% A, \ |0 F
值得注意的是 那个DC Block要加
% R* s, ]2 f. h6 N避免Vcc的直流电源 回灌到PA或CMW500
9 a* q9 ~# v/ {0 P/ p( L
6 z6 W W& e& S; Z第三种的话 在没加屏蔽罩状况下
( T+ @- H( g. `7 T2 q: x% r- J在PA上方先贴个胶带 再随便放个金属片) e, W! O% C$ n. W, h
* B) o6 F* R1 f! n7 F0 k一样 你说没加屏蔽罩时 其传导杂散会比较好+ j" O1 s/ Q0 K3 A& E9 c9 ?
因此 如果在没加屏蔽罩状况下 你用这种方式" t, b' W2 T) L0 R& N2 q
若其传导杂散变得跟加了屏蔽罩时一样差& }# f+ Z# u+ R: e. K* @' _
那凶手就可能是来自这原因
: H; c5 R0 S7 V8 ]解决方案:
% F" M" h9 w4 o! X第一种现在很少见了 所以就不提
) ~9 @/ F" E7 ?$ h5 n第二种的话
+ s; M* c ]! |. F$ I& J* }5 R$ @" Y' J h& [/ T1 x
因为凶手是来自RF讯号灌入Vcc 所以你在Vcc那边
5 S' m4 o. p m8 q1 B& K$ Z摆放一个落地电容 让灌入Vcc的RF讯号流到GND5 H7 j. l0 }7 y( `
既然你主频是DCS 以0201的电容来讲 你就放个18 pF
5 j3 F7 u8 L+ B$ H3 T' y& H. j; o, E# k2 E3 u. \
第三种只能改机构
# o/ \) m% ?! k/ Y要嘛把屏蔽罩跟PA之间距离拉大
! P' z! a( |- p6 e& b, T不然就是PA上方直接开天窗
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' d" V' t1 |. X( U- U# r |
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