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* C' Z2 l7 k1 k+ A可能原因三个 :
- ~1 E; x. |* q. k3 T1. 匹配组件受Shielding Cover影响 以至于阻抗偏了
d' }4 _) r; G7 Q$ B" k若Shielding Cover跟匹配组件太近 其寄生效应改变其电感或电容值5 H' q5 z- ]8 Z* I% ?
以至于阻抗改变 那当然传导谐波变大) [1 O, N/ G# l$ y) j
尤其是早期0402组件更容易这样 但现在0201组件很少会这样了- W% c1 y( C# ^2 x @
2. RF 讯号泄漏到PA的Vcc. q$ C- g4 }5 \3 D4 a' l
当你盖上屏蔽罩时 PA会把RF讯号 辐射或耦合到屏蔽罩上方
4 L2 `& S. k) k6 F% ~也就是说 屏蔽罩上方 会有残留的TX讯号 m* d6 o! z. i$ H& \/ h
若屏蔽罩接地良好 那么这些残留的TX讯号 会通通流到GND
. Q% Y3 l9 m4 o) m1 P' v若屏蔽罩接地良好 那么这些残留的TX讯号
/ J2 I0 t8 h& X w3 P3 F8 E一部分流到GND 一部分会再反射
2 g% s4 b( V( w3 W若反射的TX讯号 打到PA的Vcc 那当然TX性能就劣化
7 l5 U* p2 W3 d0 u; F9 S5 S
% _$ S. c- ?5 u3 u! W9 \3. 屏蔽罩跟PA离太近 之间的寄生效应 改变了PA特性5 n0 Z6 P5 t/ p5 T& O3 r( O
验证方式 :
' q& i# \1 j) B' L4 A第一种现在很少见了 所以就不提
' f/ P" S: A4 ? J第二种的话 可以这样验证 $ I% f1 _$ Y7 d3 X) Q, Y
因为你说没加屏蔽罩时 其传导杂散会比较好' D2 t8 Z6 ~0 ?. n
因此 如果在没加屏蔽罩状况下 你用这种方式
- m+ t( H, e1 ~! e2 _! J4 l5 }9 H2 t其传导杂散变得跟加了屏蔽罩时一样差
" H7 { Y+ r2 w) i# L% f& ]+ d那凶手就可能是来自这原因
' R- ?$ k" c, P5 y值得注意的是 那个DC Block要加
% R9 f; i2 r, s9 Q' i# r) F, J避免Vcc的直流电源 回灌到PA或CMW5009 Z- D' z# N) e& x5 ~, s2 J1 e5 w
. c0 d C& C% y' i! Q
第三种的话 在没加屏蔽罩状况下
2 n6 x! T) r1 y) I9 G9 J在PA上方先贴个胶带 再随便放个金属片
, e& x x- d a9 w; M6 O% x2 t3 g: G% y
一样 你说没加屏蔽罩时 其传导杂散会比较好2 R# \2 G& R, [- K' }6 \" U2 e
因此 如果在没加屏蔽罩状况下 你用这种方式6 k+ x4 v7 J' s6 b
若其传导杂散变得跟加了屏蔽罩时一样差
4 g' d" s' t0 Y那凶手就可能是来自这原因
2 t! E5 e7 h+ v' @# _" h解决方案:
8 \: g0 C2 c1 h/ D! r9 x) ~第一种现在很少见了 所以就不提
2 K# [) ]9 q2 ]第二种的话
* b! F V; |& }) H- n# g1 W3 F* Q8 X! f& h' n) r2 i
因为凶手是来自RF讯号灌入Vcc 所以你在Vcc那边# G; I3 D f( D
摆放一个落地电容 让灌入Vcc的RF讯号流到GND( h- e0 {9 U$ B+ G
既然你主频是DCS 以0201的电容来讲 你就放个18 pF
' s) G% d2 @3 |
- k, R( ~2 U: c9 @5 f% E# ?2 g第三种只能改机构
2 _/ q F9 O+ S$ w$ a要嘛把屏蔽罩跟PA之间距离拉大8 m4 K; a+ e- _6 r' J
不然就是PA上方直接开天窗1 v$ Z2 |" g! ?& W( ~0 N
3 g) j, I% {0 w" x" f
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