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# i, {. _% E/ _: D) E2 s可能原因三个 :5 k0 u: i/ i& i( I2 K* {
1. 匹配组件受Shielding Cover影响 以至于阻抗偏了0 J5 x8 q# C. A2 A8 w; M! {
若Shielding Cover跟匹配组件太近 其寄生效应改变其电感或电容值% ]* |4 h# M4 L1 y/ s6 ^/ j! `# k
以至于阻抗改变 那当然传导谐波变大
( T- Y& m/ @8 |+ E) g尤其是早期0402组件更容易这样 但现在0201组件很少会这样了9 S( J# v/ }" Z9 _
2. RF 讯号泄漏到PA的Vcc4 G- |% H1 m) Z1 T M
当你盖上屏蔽罩时 PA会把RF讯号 辐射或耦合到屏蔽罩上方" u& V6 R Y/ ^0 V* u$ F
也就是说 屏蔽罩上方 会有残留的TX讯号" l( {; R' _- t0 _0 p4 f9 J8 C
若屏蔽罩接地良好 那么这些残留的TX讯号 会通通流到GND7 ?; v3 S% M8 P" j# Y- D. I8 p
若屏蔽罩接地良好 那么这些残留的TX讯号# W4 D! w! ^0 ~+ B: B4 j
一部分流到GND 一部分会再反射2 w; s0 F9 _+ I' w; i
若反射的TX讯号 打到PA的Vcc 那当然TX性能就劣化
. c+ [% Q4 Z. A+ A0 S, @4 c0 e3 m" T+ |: t. \
3. 屏蔽罩跟PA离太近 之间的寄生效应 改变了PA特性
( I/ S- k+ r; A. s V: X9 @! {$ Z) ~验证方式 :! B! ~) x% W! {1 C9 @1 L( x/ |, J
第一种现在很少见了 所以就不提' r9 n5 M \$ c( r5 y
第二种的话 可以这样验证 1 v& X0 }- E8 ]
因为你说没加屏蔽罩时 其传导杂散会比较好
" G+ e* G' ]) k; W, X. {因此 如果在没加屏蔽罩状况下 你用这种方式9 M P7 S6 W& n2 R) H5 c6 k9 O
其传导杂散变得跟加了屏蔽罩时一样差& ^( B/ r" G, ]: B4 W5 V4 Z
那凶手就可能是来自这原因
9 ~. Y( k6 ?. l# E3 {: g: r值得注意的是 那个DC Block要加
% N0 z# D- J- F. P0 b避免Vcc的直流电源 回灌到PA或CMW500
2 C, Q9 r0 T+ n9 \6 e) h9 \) S [0 v* v' S8 ]/ M
第三种的话 在没加屏蔽罩状况下
6 }* g U6 n4 t* F) g在PA上方先贴个胶带 再随便放个金属片2 I. Q! c) }) v3 G: Q/ m5 d) q
8 O/ _8 F0 v9 z$ W# y一样 你说没加屏蔽罩时 其传导杂散会比较好
5 F( Z" N# P ~2 _% k* G$ y因此 如果在没加屏蔽罩状况下 你用这种方式; @6 o8 s0 s# ~7 y/ N) ?$ k
若其传导杂散变得跟加了屏蔽罩时一样差8 D0 m: m; ]" [
那凶手就可能是来自这原因9 a9 G/ D5 `1 S$ j p
解决方案:" z C, i A1 a: `
第一种现在很少见了 所以就不提: v4 d/ g% E, h/ o
第二种的话7 E! [& @/ w+ b6 y7 F% H* v
3 f8 I/ ~) V* e6 t1 o
因为凶手是来自RF讯号灌入Vcc 所以你在Vcc那边2 `% [" Z6 |' i4 k/ @
摆放一个落地电容 让灌入Vcc的RF讯号流到GND, c9 g9 E8 ]9 X8 ], K% S4 p G
既然你主频是DCS 以0201的电容来讲 你就放个18 pF- x6 S; J/ Z( \ v1 u
) C7 {- Z0 A' c4 s第三种只能改机构% y* c1 r" h( T5 Y
要嘛把屏蔽罩跟PA之间距离拉大
9 R' c, W! L/ D& n& S- ?不然就是PA上方直接开天窗* ~% n( `- q/ F$ ~8 w5 d7 q
# L: n7 F Y% c" h5 z
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发表于 2019-12-3 14:46:00
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