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[供应] 手机信号屏蔽器放大器有屏蔽罩的传导杂散比无屏蔽罩的要差5-6dB

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发表于 2019-12-3 14:46:00 | 显示全部楼层 |阅读模式

7 [( ~& D# {& i" j  l) v可能原因三个 :6 J7 A" L3 X2 v% t; D+ a
1. 匹配组件受Shielding Cover影响 以至于阻抗偏了' I9 I7 m% K$ J* k& u
若Shielding Cover跟匹配组件太近 其寄生效应改变其电感或电容值& z+ M; W4 b7 B' n
以至于阻抗改变 那当然传导谐波变大
1 w) o) c4 C1 g4 M* M0 h( d尤其是早期0402组件更容易这样 但现在0201组件很少会这样了( h& r6 h6 t) C* z
2. RF 讯号泄漏到PA的Vcc- k: \: ?* p/ E7 b
当你盖上屏蔽罩时 PA会把RF讯号 辐射或耦合到屏蔽罩上方
  x, S8 h5 m* [; \, y也就是说 屏蔽罩上方 会有残留的TX讯号
: ?- s3 \8 a  Y& J: C- b若屏蔽罩接地良好 那么这些残留的TX讯号 会通通流到GND
0 {( Z, Z; D9 Z& M. q若屏蔽罩接地良好 那么这些残留的TX讯号' R% F- c8 `, d6 o9 A- l
一部分流到GND 一部分会再反射5 a9 s6 ~. T7 N
若反射的TX讯号 打到PA的Vcc 那当然TX性能就劣化
8 J2 n4 y8 j! o. e" x
' y/ d3 b6 l' D& q( g4 j9 C3. 屏蔽罩跟PA离太近 之间的寄生效应 改变了PA特性6 C( Y% k, S% L
验证方式 :
& m' D- G7 G1 |/ o5 D第一种现在很少见了 所以就不提8 c& P4 ?% h  [( P( N
第二种的话 可以这样验证 3 V0 [, H/ o/ M0 i+ y& C) W- g
因为你说没加屏蔽罩时 其传导杂散会比较好& W2 {0 H) ?5 i+ b0 M2 \& Y6 Q  W
因此 如果在没加屏蔽罩状况下 你用这种方式4 b% X) ^! Z: q
其传导杂散变得跟加了屏蔽罩时一样差
( u$ e7 f! R0 Z# J那凶手就可能是来自这原因
2 N8 _+ Z4 O: m2 {值得注意的是 那个DC Block要加6 ^3 f$ a& s  |0 _
避免Vcc的直流电源 回灌到PA或CMW500
. O( u6 K) @& R  Z/ Y
6 i2 i$ |7 W! H4 B$ |& Z+ U第三种的话 在没加屏蔽罩状况下
9 }, X; T9 Z) }; A1 G在PA上方先贴个胶带 再随便放个金属片" P. f: X4 ^, M5 n
6 m9 G% w8 L% V; R) ~
一样 你说没加屏蔽罩时 其传导杂散会比较好
# y# c7 Q  [2 ~9 e" P因此 如果在没加屏蔽罩状况下 你用这种方式
: |" K+ [# v6 @9 e- x  ]若其传导杂散变得跟加了屏蔽罩时一样差
1 {& f: F% `& ?3 N那凶手就可能是来自这原因6 S/ {( \3 ^! m3 c/ `
解决方案:
1 A0 Y" j& e; L* o第一种现在很少见了 所以就不提& w4 @. C8 N, R+ }
第二种的话
3 O! \8 G3 b) _
$ |5 |1 i- v6 X/ u因为凶手是来自RF讯号灌入Vcc 所以你在Vcc那边
3 T- c* l) C* ^' |- _4 T摆放一个落地电容 让灌入Vcc的RF讯号流到GND- y' u" p( ~& u6 s1 y' S: c
既然你主频是DCS 以0201的电容来讲 你就放个18 pF
$ b  T) f8 Q4 G: U! b1 X$ N3 D6 F0 e9 K3 B$ x3 k  W! |
第三种只能改机构7 O; A4 }. X) P+ L7 j0 M" B
要嘛把屏蔽罩跟PA之间距离拉大" |9 N2 Q$ E5 b+ o  g, I8 b  N/ ]
不然就是PA上方直接开天窗
' ?- b3 Z* U6 k5 L" M
! J# F7 i3 ?. }- @3 x" _
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