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+ Y" I, _, \$ O C
可能原因三个 :! {# H" b% O0 H& U( h$ w# e2 S
1. 匹配组件受Shielding Cover影响 以至于阻抗偏了' L7 I4 i3 f9 q+ \
若Shielding Cover跟匹配组件太近 其寄生效应改变其电感或电容值- W. b% D5 B& N9 |( `7 I6 b
以至于阻抗改变 那当然传导谐波变大; g5 w! X; F5 d
尤其是早期0402组件更容易这样 但现在0201组件很少会这样了
3 i) r3 D, C9 g1 c- ]7 ~2. RF 讯号泄漏到PA的Vcc
( [ f& U- c+ H. _* Y S0 F当你盖上屏蔽罩时 PA会把RF讯号 辐射或耦合到屏蔽罩上方
+ g) u! d* I9 {也就是说 屏蔽罩上方 会有残留的TX讯号
9 _8 q, q: P( g3 d; B. u; {若屏蔽罩接地良好 那么这些残留的TX讯号 会通通流到GND
# ?9 r! O8 Q. @" c若屏蔽罩接地良好 那么这些残留的TX讯号
* R3 B( T( d7 C1 L8 C3 i, X一部分流到GND 一部分会再反射; [+ [. K4 ~7 z
若反射的TX讯号 打到PA的Vcc 那当然TX性能就劣化
2 s& d$ Z5 ^2 W6 m
3 U$ @! a" E' ^' j0 u$ B1 K3. 屏蔽罩跟PA离太近 之间的寄生效应 改变了PA特性
Q, h9 Q. Q' L) |2 j& ^验证方式 :- m- [$ s P" D) Y" o% U
第一种现在很少见了 所以就不提
' \2 q1 [2 W4 p1 w$ v. s第二种的话 可以这样验证
1 G: B" e0 u! c- v因为你说没加屏蔽罩时 其传导杂散会比较好
- d/ h1 H4 Q2 Z3 [5 C; d因此 如果在没加屏蔽罩状况下 你用这种方式
2 a. P$ |' r; O" o9 u* S2 q- `( ^其传导杂散变得跟加了屏蔽罩时一样差6 {4 A3 {1 \1 i
那凶手就可能是来自这原因) b" S, m) u) y1 j s: V' z. R
值得注意的是 那个DC Block要加* [" ~4 M9 R1 u: Z1 N) G/ _
避免Vcc的直流电源 回灌到PA或CMW500
$ Q5 t' c* U, J8 e
% R9 Z; a' K( _6 ~第三种的话 在没加屏蔽罩状况下 j( M' H( F* c! K# J+ N
在PA上方先贴个胶带 再随便放个金属片4 B4 X( O5 }. o9 j: h* C
* _8 n! Q# {7 P/ i7 U5 X
一样 你说没加屏蔽罩时 其传导杂散会比较好
; [& h9 w! ?+ g1 p' I6 |因此 如果在没加屏蔽罩状况下 你用这种方式
* e/ Z1 Y, X/ [$ n5 c若其传导杂散变得跟加了屏蔽罩时一样差
, z2 \% u/ f! i% ^* D6 U- ^那凶手就可能是来自这原因9 N( W0 }* K) t' R, w3 J
解决方案:
- e2 Z! X1 R$ K' y4 q6 @0 W. R第一种现在很少见了 所以就不提
0 G `. j7 M& W第二种的话
5 K1 {6 J( k' |8 k2 u# t& m5 |1 c
1 u& R1 b6 G. t/ V. e# y因为凶手是来自RF讯号灌入Vcc 所以你在Vcc那边0 n4 p3 |3 h2 J3 P
摆放一个落地电容 让灌入Vcc的RF讯号流到GND& k4 j2 |0 _4 X2 x0 b1 _
既然你主频是DCS 以0201的电容来讲 你就放个18 pF9 ^1 j4 \9 E1 P3 O1 B; e( @
: w2 p- a# w3 x5 u
第三种只能改机构
: V7 Q" l# `6 T- t要嘛把屏蔽罩跟PA之间距离拉大$ V/ k* `. P4 h- ^# M
不然就是PA上方直接开天窗2 l: \% R( h3 L3 A" J' E9 B
% b9 o( y9 _% g% r
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