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4 x, M' Y4 o' M5 r/ d' A. t可能原因三个 : W1 ]& N# r& s9 ` B
1. 匹配组件受Shielding Cover影响 以至于阻抗偏了& W3 o+ p$ C% M* Q) u$ k
若Shielding Cover跟匹配组件太近 其寄生效应改变其电感或电容值0 g0 ?' D1 |( u9 |) a
以至于阻抗改变 那当然传导谐波变大
Z( ^6 H4 Z: \, ?5 |尤其是早期0402组件更容易这样 但现在0201组件很少会这样了# ~4 d8 X6 ] H/ F5 x1 ]- M- Y
2. RF 讯号泄漏到PA的Vcc2 ^6 [( M0 Y, y$ `
当你盖上屏蔽罩时 PA会把RF讯号 辐射或耦合到屏蔽罩上方: H7 @3 O' a! }& V2 K& D
也就是说 屏蔽罩上方 会有残留的TX讯号
% Y& W( y) V1 c1 M4 Z3 H! f0 ~3 A若屏蔽罩接地良好 那么这些残留的TX讯号 会通通流到GND6 \9 T* \$ }* d3 P- j' o. D* x
若屏蔽罩接地良好 那么这些残留的TX讯号
4 {/ @! T8 b% z9 s' ]; B一部分流到GND 一部分会再反射) w/ @0 N; N+ e" y
若反射的TX讯号 打到PA的Vcc 那当然TX性能就劣化8 ]* ~7 g) ^: R& T+ L0 F
# I! @) N6 z& F$ ?3. 屏蔽罩跟PA离太近 之间的寄生效应 改变了PA特性
+ P: L' C$ v! D+ Y$ p验证方式 :8 n% d7 y6 f6 [9 `5 `
第一种现在很少见了 所以就不提6 o' }1 }" H! t
第二种的话 可以这样验证
& i+ t, ~6 f" k9 A因为你说没加屏蔽罩时 其传导杂散会比较好2 w" e ]4 Q- y- z. _. e
因此 如果在没加屏蔽罩状况下 你用这种方式
& Z( O2 A% j0 {其传导杂散变得跟加了屏蔽罩时一样差
7 {2 i: q) O0 P- |6 x1 H那凶手就可能是来自这原因& g% ~& M4 o9 k" \, \2 w" ]2 |
值得注意的是 那个DC Block要加3 _, R+ ]1 [ j$ g) _/ R% ?5 x. i
避免Vcc的直流电源 回灌到PA或CMW500
& ~: E" j& G* Y1 f9 a; n$ ~* w4 o0 n4 S- o0 E" Q
第三种的话 在没加屏蔽罩状况下! l" y7 {& x2 Z$ Y
在PA上方先贴个胶带 再随便放个金属片& b2 W/ Q+ Z2 H) B) c# A0 G# l
! ]% ]! [$ Z! _! U# D
一样 你说没加屏蔽罩时 其传导杂散会比较好
' j7 |" N# H8 y% k' Z因此 如果在没加屏蔽罩状况下 你用这种方式
$ _ r# `6 {, p8 \7 K8 K4 q8 y若其传导杂散变得跟加了屏蔽罩时一样差
& g: E4 H9 v1 K那凶手就可能是来自这原因1 q7 L) I& T" z$ k3 R
解决方案:
9 A" b3 s- B7 j* A$ h# ^( N5 t第一种现在很少见了 所以就不提
$ `. c) F* X- p5 m3 P. P. o8 ]第二种的话, L. V8 H+ R1 [! H/ U
' }1 B& B% k( j1 ^
因为凶手是来自RF讯号灌入Vcc 所以你在Vcc那边
' ]# i- Q+ S7 X2 E: W摆放一个落地电容 让灌入Vcc的RF讯号流到GND
7 @7 L y! _' l6 z$ w# h9 N# N既然你主频是DCS 以0201的电容来讲 你就放个18 pF$ N% \+ n- u& s: _; v
1 o4 \, u6 @/ U& H3 y- I$ S第三种只能改机构
, O4 D9 M+ y& F& N7 i' L要嘛把屏蔽罩跟PA之间距离拉大+ y% k& D% z- }8 a z$ G1 `4 ?9 Z
不然就是PA上方直接开天窗* }1 z$ |2 `9 b5 J
$ I5 ?; c: A) A |
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