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( n9 h8 s; y4 Z9 y9 O2 `
可能原因三个 :/ V) B) |9 j5 p* E
1. 匹配组件受Shielding Cover影响 以至于阻抗偏了
$ B. U R! `/ X若Shielding Cover跟匹配组件太近 其寄生效应改变其电感或电容值, [( G: v, E a
以至于阻抗改变 那当然传导谐波变大
" ]1 o8 v2 c8 o; I5 Y/ f尤其是早期0402组件更容易这样 但现在0201组件很少会这样了2 t# U+ y8 f/ i
2. RF 讯号泄漏到PA的Vcc
- ^2 k; U0 @; U( h9 O8 k当你盖上屏蔽罩时 PA会把RF讯号 辐射或耦合到屏蔽罩上方
' t- q9 Z k F7 G( Z. e5 G' ^6 |也就是说 屏蔽罩上方 会有残留的TX讯号
! [& D7 |. _* s若屏蔽罩接地良好 那么这些残留的TX讯号 会通通流到GND# N% |5 V$ r6 o, L
若屏蔽罩接地良好 那么这些残留的TX讯号
, [7 a% X- z% q" y5 X j一部分流到GND 一部分会再反射
% E9 s! o$ L1 _% }8 E若反射的TX讯号 打到PA的Vcc 那当然TX性能就劣化- B; l/ S; j# W0 Q+ c
5 z) ^* [; `3 p. Z
3. 屏蔽罩跟PA离太近 之间的寄生效应 改变了PA特性+ \" L& }% Z" {8 Z# R4 [
验证方式 : F( @0 l1 J3 i! l' Z' c% I
第一种现在很少见了 所以就不提+ \ f7 W, d. c9 ~
第二种的话 可以这样验证 $ v1 z/ \% H7 I6 |6 R. d7 Z9 d& z
因为你说没加屏蔽罩时 其传导杂散会比较好5 h8 {0 E" i E, E( o* C
因此 如果在没加屏蔽罩状况下 你用这种方式
, t1 C+ `' N$ a其传导杂散变得跟加了屏蔽罩时一样差
' G0 g7 O5 P$ k: ^ f$ n N0 i那凶手就可能是来自这原因4 x: j- S) ~% y& z8 G: S" T' `
值得注意的是 那个DC Block要加
3 o' k4 a* M5 |8 w避免Vcc的直流电源 回灌到PA或CMW500/ p' b' @' \' x" x9 R+ _+ u
: F- Q* ~% d3 I. A C" v1 h+ U
第三种的话 在没加屏蔽罩状况下
0 a3 P" I: D; f在PA上方先贴个胶带 再随便放个金属片# H1 R, w7 _5 ~" x
1 L# y1 B" E7 H
一样 你说没加屏蔽罩时 其传导杂散会比较好1 O$ B% F, ^: g
因此 如果在没加屏蔽罩状况下 你用这种方式$ W+ }$ j4 u: s
若其传导杂散变得跟加了屏蔽罩时一样差
+ f. d& J) `- g" K( ]$ `) t那凶手就可能是来自这原因- K2 J" R0 i( z$ c9 H
解决方案:
. F$ [4 p7 j) f' O- g. A第一种现在很少见了 所以就不提
0 t [; p8 O* F第二种的话
: ^) M: D7 `1 a5 [- ?/ w5 @% R2 s* s" S$ Z+ G; L: d; y0 m+ _
因为凶手是来自RF讯号灌入Vcc 所以你在Vcc那边/ ~ @+ \7 }! c7 A e3 H" L- ~% Q
摆放一个落地电容 让灌入Vcc的RF讯号流到GND* f; A- C: J! p' m2 Z; C8 k
既然你主频是DCS 以0201的电容来讲 你就放个18 pF8 _! {8 \, M; R8 j0 j
0 ?+ U K& o3 y1 n
第三种只能改机构
4 c* `2 }, f1 T0 J/ A$ u8 u; A要嘛把屏蔽罩跟PA之间距离拉大
+ `! o3 W: R g4 C不然就是PA上方直接开天窗
; A2 ^) D+ \0 f! j) O% k) P
$ p) Y9 R4 r6 Z/ j4 I4 W1 ?- _) Q |
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狗仔卡
发表于 2019-12-3 14:46:00
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