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' D7 L7 Y. q5 g' e. X可能原因三个 :
: B3 r4 U: k0 U6 l9 q7 {' k% j" f7 B1. 匹配组件受Shielding Cover影响 以至于阻抗偏了
/ q/ g$ [: `9 c! y% u- A/ f5 h9 i3 M若Shielding Cover跟匹配组件太近 其寄生效应改变其电感或电容值
& J8 Q$ M, Z) |. o/ h4 ]以至于阻抗改变 那当然传导谐波变大3 t( e( o' ?: {8 X8 m+ S! }
尤其是早期0402组件更容易这样 但现在0201组件很少会这样了
+ w8 h( Y; ]7 M" \. Z5 x1 ~/ }2. RF 讯号泄漏到PA的Vcc
7 @0 l- N4 b+ D3 S1 k( ^当你盖上屏蔽罩时 PA会把RF讯号 辐射或耦合到屏蔽罩上方
# I+ Q! a' h6 T; @8 h2 C& `也就是说 屏蔽罩上方 会有残留的TX讯号
, W8 h2 Z* x5 W/ G, r h, B' W若屏蔽罩接地良好 那么这些残留的TX讯号 会通通流到GND% U' v& W1 j& i; Q7 f$ T- }" S
若屏蔽罩接地良好 那么这些残留的TX讯号
8 e) {5 p4 |0 H& y一部分流到GND 一部分会再反射0 R* t+ u7 i: U$ K1 k2 t% X$ R
若反射的TX讯号 打到PA的Vcc 那当然TX性能就劣化4 u. z) u4 t) O/ E3 }% v) E+ t
% d8 W# ?/ S4 f. g, r7 U
3. 屏蔽罩跟PA离太近 之间的寄生效应 改变了PA特性
7 r1 i, t2 C* V% a验证方式 :' h- G( @, a; A8 M0 i$ H- b, n' U
第一种现在很少见了 所以就不提
# l" c2 D3 F j( P' X3 q0 Y' q第二种的话 可以这样验证
. j; l( e" Y6 t: b; [因为你说没加屏蔽罩时 其传导杂散会比较好
% M: s+ W! |# ]' D因此 如果在没加屏蔽罩状况下 你用这种方式
+ A7 G6 F( a* P( M$ Y4 \5 z其传导杂散变得跟加了屏蔽罩时一样差
" _$ A5 U* T* a2 \那凶手就可能是来自这原因
6 U! @; ^& v9 _: W% l0 q( X值得注意的是 那个DC Block要加
$ V$ o" ]! Y' X' C7 d避免Vcc的直流电源 回灌到PA或CMW500
H( \2 l7 y" N2 h" k0 F6 Q6 c4 B% ]7 H: M0 h1 S$ J' r2 e
第三种的话 在没加屏蔽罩状况下+ a) S# |( s, H' X" U* g/ b
在PA上方先贴个胶带 再随便放个金属片/ e- m* d3 i* C3 ^. @/ e; }0 L
8 V0 I5 F0 l' s9 _' k一样 你说没加屏蔽罩时 其传导杂散会比较好! O% W; \9 g4 w' i/ H7 ^. i5 O
因此 如果在没加屏蔽罩状况下 你用这种方式
7 y H* Q; [1 L/ F/ x! U. k; p若其传导杂散变得跟加了屏蔽罩时一样差( J0 g+ z; q2 Y; `
那凶手就可能是来自这原因& G5 \8 y" R* g& O0 k( `8 Q
解决方案:
& R% \8 ]% U8 [. Z( z第一种现在很少见了 所以就不提. o t" T2 Z5 E! d1 f! p
第二种的话
8 D( t C* l F+ X5 G4 c' p# c; J0 T6 n$ @6 m
因为凶手是来自RF讯号灌入Vcc 所以你在Vcc那边- }4 S' Q1 a& N$ c! I
摆放一个落地电容 让灌入Vcc的RF讯号流到GND. Y, r8 x; E! J, j* z, g# y
既然你主频是DCS 以0201的电容来讲 你就放个18 pF
" F! N. ~# i* K* j# G$ _% l3 c) ~2 m4 c& `- j# } s
第三种只能改机构
( k4 @. n: x M9 f4 S @3 e- @2 h要嘛把屏蔽罩跟PA之间距离拉大& t: x. Q' s7 ?2 B# J' ?" H: t
不然就是PA上方直接开天窗( C9 T; S" g5 h6 l, w
% ?) e' ]( x3 O; n B' w$ V8 }
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