|
|
) b. x5 p% ?7 n0 T T
可能原因三个 :7 l& l x( F/ O! ~" I
1. 匹配组件受Shielding Cover影响 以至于阻抗偏了1 R2 S3 W7 x3 {) P- H& j
若Shielding Cover跟匹配组件太近 其寄生效应改变其电感或电容值% p7 ]# s1 i1 v' N/ `
以至于阻抗改变 那当然传导谐波变大! o3 H( K8 Y- Y' D& `1 k1 i0 Y$ \- F
尤其是早期0402组件更容易这样 但现在0201组件很少会这样了& o! B9 t; b8 n% Z5 U8 b" f
2. RF 讯号泄漏到PA的Vcc& r- J: H& ]1 l _1 j
当你盖上屏蔽罩时 PA会把RF讯号 辐射或耦合到屏蔽罩上方 A5 r: M9 n! y
也就是说 屏蔽罩上方 会有残留的TX讯号
8 J; {2 @. X+ o0 e% j若屏蔽罩接地良好 那么这些残留的TX讯号 会通通流到GND3 r% r }6 S6 Y$ N" l$ K1 S5 v* a
若屏蔽罩接地良好 那么这些残留的TX讯号% p% _7 C0 Q, n' ?
一部分流到GND 一部分会再反射
: c6 u) U; q. b4 }5 F' o若反射的TX讯号 打到PA的Vcc 那当然TX性能就劣化3 c4 q) J' \. [& x) r( a( }5 X. y; _( T
: L) @- h( A) f% ~) H
3. 屏蔽罩跟PA离太近 之间的寄生效应 改变了PA特性
5 Q9 b- @5 g* D验证方式 :
1 @9 O( E8 P( g5 A% s0 h9 `第一种现在很少见了 所以就不提
s* Y8 \ Z6 B' k; x1 M5 Q第二种的话 可以这样验证
; d! i& `0 T0 f! s因为你说没加屏蔽罩时 其传导杂散会比较好
: [$ s$ o; B4 x4 t4 n1 `因此 如果在没加屏蔽罩状况下 你用这种方式
; D0 y+ E- U. _- U; k' a, Z其传导杂散变得跟加了屏蔽罩时一样差2 D6 {6 |; ]& A- j& y) q
那凶手就可能是来自这原因- x. z9 D, X3 I% {; X
值得注意的是 那个DC Block要加
& z- z. y" O6 X, E3 ^3 m4 U避免Vcc的直流电源 回灌到PA或CMW500
, A( k k! o9 z s3 Y# O
0 j2 m, g) ]6 L/ E第三种的话 在没加屏蔽罩状况下
& @$ v# `( Y! d在PA上方先贴个胶带 再随便放个金属片
; O3 [5 D" X6 F9 Y( W
0 J" N n3 Q: M1 E5 a6 \一样 你说没加屏蔽罩时 其传导杂散会比较好" w' V5 c' J' w) f- U, }
因此 如果在没加屏蔽罩状况下 你用这种方式
+ h: S: D5 o, W7 W9 P& i若其传导杂散变得跟加了屏蔽罩时一样差* b' R; u$ C3 G' F C
那凶手就可能是来自这原因
! b1 s/ C+ C x解决方案:
" Y; D; P% O1 t; \ i/ e第一种现在很少见了 所以就不提
- o# k* d9 N9 Q" p- S第二种的话
3 s% R" P/ C7 T1 u" m- ]8 p9 P* U$ f8 ]7 C* O x* q
因为凶手是来自RF讯号灌入Vcc 所以你在Vcc那边& x+ b( O; R& i2 [6 N6 `
摆放一个落地电容 让灌入Vcc的RF讯号流到GND
3 ^8 Y0 T$ a( W( X! [既然你主频是DCS 以0201的电容来讲 你就放个18 pF4 k1 a6 [/ s0 P# r' t
# r: |- h3 x( x, k I1 Q
第三种只能改机构
. M% A; Z2 v8 o4 G要嘛把屏蔽罩跟PA之间距离拉大
0 Y" [. N( G' V( A. \& o不然就是PA上方直接开天窗8 ?/ ^2 Z% g7 O6 A/ B x
1 c) z4 ?7 B5 c# g& l8 ]: P
|
|