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# i, k4 V1 ]- N可能原因三个 :" p+ M) f! Q! Y4 ]4 q! D
1. 匹配组件受Shielding Cover影响 以至于阻抗偏了
9 Q/ f% {5 `1 }% ^$ Z, [* W( c4 B若Shielding Cover跟匹配组件太近 其寄生效应改变其电感或电容值
; ~* P6 a9 m; }0 A5 w" f* K7 F6 c以至于阻抗改变 那当然传导谐波变大; K7 ^) S1 w$ e( S' y0 e
尤其是早期0402组件更容易这样 但现在0201组件很少会这样了
1 o- g+ x" c9 x3 Y% O% p$ F2. RF 讯号泄漏到PA的Vcc
; `( U; B5 P* s: a( S当你盖上屏蔽罩时 PA会把RF讯号 辐射或耦合到屏蔽罩上方
( |% T" w: a2 H& y2 s7 P' o$ U! _也就是说 屏蔽罩上方 会有残留的TX讯号
3 N6 p+ g' Y7 ~; u: R% X若屏蔽罩接地良好 那么这些残留的TX讯号 会通通流到GND; G# \$ ?% E$ z* E6 z
若屏蔽罩接地良好 那么这些残留的TX讯号, A6 |; x6 q6 [3 A5 o! P3 o" Q
一部分流到GND 一部分会再反射2 B4 g7 s ?! |) Y7 C
若反射的TX讯号 打到PA的Vcc 那当然TX性能就劣化
$ Z9 A- s4 K$ j' v/ L/ F. E, R
3. 屏蔽罩跟PA离太近 之间的寄生效应 改变了PA特性
. J5 ~$ B3 @. S) N& z6 n C6 \6 @验证方式 :& ~# Q- R0 B0 a/ W% t8 v5 s* u
第一种现在很少见了 所以就不提
6 C/ i* q+ ^6 x J6 \/ H第二种的话 可以这样验证 5 \, _9 H v6 v r
因为你说没加屏蔽罩时 其传导杂散会比较好6 [& b0 y4 O; B* s! {( H
因此 如果在没加屏蔽罩状况下 你用这种方式' K) L; V+ Q8 I, k
其传导杂散变得跟加了屏蔽罩时一样差2 Z. l, l" S7 V) \( i9 u1 y: ?
那凶手就可能是来自这原因
( |) J( V g1 a9 M, P. ~值得注意的是 那个DC Block要加5 l1 M* a( |, N) T" u0 E
避免Vcc的直流电源 回灌到PA或CMW500. N) U: h; y/ J
& Q8 a: ]' O7 U! G, T0 p& N6 Y" y第三种的话 在没加屏蔽罩状况下
! F$ W6 u" [: r+ }8 T! K$ H# W在PA上方先贴个胶带 再随便放个金属片
] }. a' A& ]1 S8 t' ]9 U- E7 D e& Q9 J
一样 你说没加屏蔽罩时 其传导杂散会比较好
3 G, t) ], g/ b( h7 Q$ j因此 如果在没加屏蔽罩状况下 你用这种方式7 m) ?8 m1 j8 w2 r" x5 `- C
若其传导杂散变得跟加了屏蔽罩时一样差
# M. H) f/ B. g, `2 G那凶手就可能是来自这原因8 y/ K2 [' a2 `# f# ~6 \
解决方案:: I- q/ ^- ` d
第一种现在很少见了 所以就不提
* |- {+ _+ `% m1 }% y' h* h6 G第二种的话
$ t' w. R+ b; x; _$ ] ]& c- S1 ~) v3 G4 J& P: x4 n6 O( p1 ]
因为凶手是来自RF讯号灌入Vcc 所以你在Vcc那边% ]# [4 P& g* v, }+ ], i5 S
摆放一个落地电容 让灌入Vcc的RF讯号流到GND: n' ], o& a( f: T
既然你主频是DCS 以0201的电容来讲 你就放个18 pF J7 ~; ]# [- N! l% Y2 { o& q
$ X" ?+ `9 P3 y, J
第三种只能改机构
6 V* W, G' q: C要嘛把屏蔽罩跟PA之间距离拉大
4 D! v3 i4 c2 j9 O( A不然就是PA上方直接开天窗
9 ^3 c( B5 Y' u* Q- n# ]
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