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9 k- [( m4 \3 ?7 a
可能原因三个 :" B, |! C+ S6 r+ \6 V
1. 匹配组件受Shielding Cover影响 以至于阻抗偏了
4 k$ ]% N' t! c9 N5 P+ Z若Shielding Cover跟匹配组件太近 其寄生效应改变其电感或电容值
" o. d+ W! y4 l3 \! P$ i' U- y0 f以至于阻抗改变 那当然传导谐波变大
7 O* T7 {$ K- m尤其是早期0402组件更容易这样 但现在0201组件很少会这样了
/ G/ y) A7 N# Y9 O, m. ~2. RF 讯号泄漏到PA的Vcc
* K I9 R# Z1 M' _( [! _6 W当你盖上屏蔽罩时 PA会把RF讯号 辐射或耦合到屏蔽罩上方
1 P9 x) j) Y7 n" K9 y( W6 ?也就是说 屏蔽罩上方 会有残留的TX讯号
, D# i7 W* V9 v, O" k$ o5 U若屏蔽罩接地良好 那么这些残留的TX讯号 会通通流到GND
/ G+ P) a* n' D; }$ r! G若屏蔽罩接地良好 那么这些残留的TX讯号
! \* D' j- D3 ` y一部分流到GND 一部分会再反射& i% z3 H6 G8 Z$ {! q
若反射的TX讯号 打到PA的Vcc 那当然TX性能就劣化
0 k# F; Z% D2 R& w, }
2 B# G9 _: k1 @1 Y* |) O3. 屏蔽罩跟PA离太近 之间的寄生效应 改变了PA特性1 s) H# G& z, \ \1 e
验证方式 :
0 {/ c; O0 _2 X7 R第一种现在很少见了 所以就不提. P: f3 C# u5 `6 B+ V4 l+ |, n
第二种的话 可以这样验证 - Y1 c- C! n* D7 p! o# b
因为你说没加屏蔽罩时 其传导杂散会比较好
- {- [, ^3 q- q) H# _5 x' L因此 如果在没加屏蔽罩状况下 你用这种方式
+ r d& {. d& p其传导杂散变得跟加了屏蔽罩时一样差4 F+ a7 {; e! ?" K& F
那凶手就可能是来自这原因7 B- ?/ A! q4 D4 o, {5 X
值得注意的是 那个DC Block要加
$ Q' \: @: x% n& F" n- h避免Vcc的直流电源 回灌到PA或CMW500
6 x/ h# c" G" [6 i @7 S$ u* J
第三种的话 在没加屏蔽罩状况下
6 a8 v2 |9 l( V& R在PA上方先贴个胶带 再随便放个金属片
5 j/ G6 H4 T" x- p" r
) R. R+ }/ u, r6 X一样 你说没加屏蔽罩时 其传导杂散会比较好6 g" w8 b4 {6 r5 I- k( U$ M
因此 如果在没加屏蔽罩状况下 你用这种方式
6 N( ]& G$ S4 \/ d" D若其传导杂散变得跟加了屏蔽罩时一样差# W7 S9 ~. X. M7 I5 ]+ ~
那凶手就可能是来自这原因6 K8 g) ?2 Q3 T
解决方案:
" i: c, B. | O7 N( \第一种现在很少见了 所以就不提
$ C4 |8 x: G& K第二种的话
P$ p, Z2 t8 \ ], z5 e+ N n8 r. E5 ?1 B
因为凶手是来自RF讯号灌入Vcc 所以你在Vcc那边$ O$ y3 w* A3 c- i# x0 T' y
摆放一个落地电容 让灌入Vcc的RF讯号流到GND, P$ ~6 S2 P9 j( b# g/ P
既然你主频是DCS 以0201的电容来讲 你就放个18 pF
# \7 o. |1 V0 s( T! N6 S* J
1 X2 J2 l" x5 I* T' ]6 W" o第三种只能改机构
; z5 s3 e4 |4 E u2 \* K' a3 i* v要嘛把屏蔽罩跟PA之间距离拉大1 I. V4 b. \0 a; x% a* f i7 C
不然就是PA上方直接开天窗
" `- L) B/ w9 J, q& `: u, E# K$ ?, N0 }7 _5 a) }/ J5 R, k
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