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/ R* n3 w6 d. R2 z2 a6 `
可能原因三个 :- N. T5 O! S2 b) v/ J7 }
1. 匹配组件受Shielding Cover影响 以至于阻抗偏了, \9 ]& V) j/ G9 B) c) _
若Shielding Cover跟匹配组件太近 其寄生效应改变其电感或电容值
* o8 R* O9 T! [: K- ?以至于阻抗改变 那当然传导谐波变大6 H& w; D% u q( o, g+ m1 c" p
尤其是早期0402组件更容易这样 但现在0201组件很少会这样了
" m) ?1 q& N& N- s% u+ f2. RF 讯号泄漏到PA的Vcc& d* k# A6 A# { P2 \& M3 `* s6 n% n
当你盖上屏蔽罩时 PA会把RF讯号 辐射或耦合到屏蔽罩上方- _6 _5 q- V( {1 ~% d) M; X6 d
也就是说 屏蔽罩上方 会有残留的TX讯号: d5 K0 _( \9 ~& i% \
若屏蔽罩接地良好 那么这些残留的TX讯号 会通通流到GND
. e0 @0 K' C1 h若屏蔽罩接地良好 那么这些残留的TX讯号* ^( r' E: |9 X- [) w1 J7 f" I
一部分流到GND 一部分会再反射
! J& h0 L1 T! Y' c若反射的TX讯号 打到PA的Vcc 那当然TX性能就劣化
n* A. E% a( K* F/ j7 v4 P( |, C3 G9 N/ a" ?
3. 屏蔽罩跟PA离太近 之间的寄生效应 改变了PA特性1 N0 [$ n' d9 S
验证方式 :2 J' N7 } i) R m/ f
第一种现在很少见了 所以就不提
# i( q" p4 C: ^/ X第二种的话 可以这样验证
0 `5 x" s5 ]% ~因为你说没加屏蔽罩时 其传导杂散会比较好
/ b/ }; a% g% L因此 如果在没加屏蔽罩状况下 你用这种方式
. m$ u; ^* A$ v! N# k其传导杂散变得跟加了屏蔽罩时一样差
. U1 j: f. c; g8 @8 l- j那凶手就可能是来自这原因
2 [/ B" H# f' I- g( ~值得注意的是 那个DC Block要加
. a/ r. u% S1 ^. `! C* F2 y) j避免Vcc的直流电源 回灌到PA或CMW500" W! E& u5 B4 n& G; j9 B
* F& P1 J7 {5 z3 m# @1 x5 L" {& v第三种的话 在没加屏蔽罩状况下0 W8 R/ Q! i# x4 z: L' Q* C
在PA上方先贴个胶带 再随便放个金属片; P# ~" r1 n) H0 M
% {- r6 U5 D' w7 U% M: u. T- w3 S5 t2 a: ?一样 你说没加屏蔽罩时 其传导杂散会比较好% u8 C' k% j g- G5 M2 \5 [) D
因此 如果在没加屏蔽罩状况下 你用这种方式- C) u( k/ a! A- D/ u! m7 ]
若其传导杂散变得跟加了屏蔽罩时一样差; W( d+ V: x! u9 Q, |% F
那凶手就可能是来自这原因8 C! n0 D& B- t3 r' s X0 I
解决方案:: ?' C( A% |# p0 a0 l2 N
第一种现在很少见了 所以就不提
, b' C" a% A+ ~( h第二种的话: U; Z+ M! b# _" ~' D
+ t+ {1 a+ N) f% g
因为凶手是来自RF讯号灌入Vcc 所以你在Vcc那边
$ K: L) s( {& P) S& A4 z, E摆放一个落地电容 让灌入Vcc的RF讯号流到GND3 ]) r, M4 Y: t- v5 n7 J# k/ o3 H
既然你主频是DCS 以0201的电容来讲 你就放个18 pF1 l; c" i6 O) R6 j) L
1 U: l9 r% v3 V; i8 J4 s/ b2 \5 _第三种只能改机构& p& B# U( `$ X
要嘛把屏蔽罩跟PA之间距离拉大
; G$ w4 [! c- R* }! A" m2 M# _不然就是PA上方直接开天窗! }: U" ?. G" j2 {2 q" [
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