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4 K+ {. U- k; }6 m4 G0 R可能原因三个 :9 F# L# L2 `/ J. |- q4 h
1. 匹配组件受Shielding Cover影响 以至于阻抗偏了2 T% J: w1 m1 F) j" S+ E, s4 Y
若Shielding Cover跟匹配组件太近 其寄生效应改变其电感或电容值
) k2 X* q; Z- v& f* V4 P1 H以至于阻抗改变 那当然传导谐波变大3 \3 {* G0 D2 g9 I. j7 b: |5 o
尤其是早期0402组件更容易这样 但现在0201组件很少会这样了4 e) r; i3 v' A0 u; p2 y, K
2. RF 讯号泄漏到PA的Vcc, C- {7 ~& V0 i5 h" J) H$ M- I
当你盖上屏蔽罩时 PA会把RF讯号 辐射或耦合到屏蔽罩上方8 a1 E1 T; Q+ z" y4 Z: p. F
也就是说 屏蔽罩上方 会有残留的TX讯号/ F. ?/ g+ c+ p
若屏蔽罩接地良好 那么这些残留的TX讯号 会通通流到GND
% w6 z0 }8 I" c1 y6 Z若屏蔽罩接地良好 那么这些残留的TX讯号
+ k4 [2 Z4 Z" W" q [一部分流到GND 一部分会再反射 |/ b4 Z$ o W) o* ^ a% X
若反射的TX讯号 打到PA的Vcc 那当然TX性能就劣化 Z3 r, P: V" Z: n
' x. q2 G- s2 m+ I- t/ f4 ?9 X: P3. 屏蔽罩跟PA离太近 之间的寄生效应 改变了PA特性+ r; P* H* F9 y# G" Y1 C
验证方式 :$ ~) N7 u: i! n; }# A* w
第一种现在很少见了 所以就不提( b8 T2 D6 b2 S( O& O
第二种的话 可以这样验证 0 s& v1 g. u! W- t7 h$ v
因为你说没加屏蔽罩时 其传导杂散会比较好
% _4 p9 x5 F. A因此 如果在没加屏蔽罩状况下 你用这种方式
, ? E) Y% k6 H1 {0 L其传导杂散变得跟加了屏蔽罩时一样差
+ @" ]4 o1 L$ s, R6 x那凶手就可能是来自这原因& ]+ m( S4 p. f( R$ L6 m
值得注意的是 那个DC Block要加* J. y3 g/ ~+ \+ `3 J
避免Vcc的直流电源 回灌到PA或CMW500/ N$ t$ E/ g' O8 Q/ h
, n- c% S$ i+ N J' D5 G' J1 W
第三种的话 在没加屏蔽罩状况下0 k- e/ Q6 }- N' Y6 t, D
在PA上方先贴个胶带 再随便放个金属片9 I' w/ R/ o0 z9 d2 U; `# M7 B
; X4 w) o+ O9 s/ u1 `
一样 你说没加屏蔽罩时 其传导杂散会比较好) h6 f7 h8 T) [' ?; H2 a& `+ t( J
因此 如果在没加屏蔽罩状况下 你用这种方式
0 R! G& p) ~) X/ L# k6 e. R若其传导杂散变得跟加了屏蔽罩时一样差; ?! k7 y9 K5 N$ ?5 A- a5 f- U
那凶手就可能是来自这原因
5 a1 j3 L7 ^8 S/ @% ^ ^解决方案:
: g+ u6 @( r% A- ?7 ^2 L第一种现在很少见了 所以就不提
% J; e* h6 p! y! A( {9 b2 k6 p9 r, f第二种的话
8 n0 A5 y4 s5 F) r* K6 f& M* t
+ X3 k1 k4 s! R5 C$ L因为凶手是来自RF讯号灌入Vcc 所以你在Vcc那边
* }) c8 z9 @; ?3 K N* h" @摆放一个落地电容 让灌入Vcc的RF讯号流到GND
7 d9 I$ \, [4 Q! ]既然你主频是DCS 以0201的电容来讲 你就放个18 pF9 _. ?" m1 S6 \$ s% U
0 b2 e6 x; y4 D' a第三种只能改机构
) N3 [5 l2 G/ G2 _( i要嘛把屏蔽罩跟PA之间距离拉大
, R' A* ~5 U2 V0 Q" _! A8 l6 r6 ?不然就是PA上方直接开天窗
/ Z5 s# [4 E) P( H0 M6 P' R7 N/ ]& d3 I& ~$ l/ J* Z9 B
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