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, o U: y7 H$ v1 y3 @! x/ v
可能原因三个 :
1 b) I ^! a' h- h1. 匹配组件受Shielding Cover影响 以至于阻抗偏了, I2 B$ c) h, T8 |0 X8 K. ~
若Shielding Cover跟匹配组件太近 其寄生效应改变其电感或电容值* C* v# r0 z9 ?& U& g
以至于阻抗改变 那当然传导谐波变大
4 Z/ a# O1 S! V b9 x尤其是早期0402组件更容易这样 但现在0201组件很少会这样了 b9 W! a. D: @: O& Q
2. RF 讯号泄漏到PA的Vcc1 d4 |. m) g% K2 w
当你盖上屏蔽罩时 PA会把RF讯号 辐射或耦合到屏蔽罩上方- E! x! {' Q) b# P- c- ~
也就是说 屏蔽罩上方 会有残留的TX讯号
: M/ O" E, \0 o2 e* l5 W& R若屏蔽罩接地良好 那么这些残留的TX讯号 会通通流到GND& Z# D! z; P1 J+ {
若屏蔽罩接地良好 那么这些残留的TX讯号
: D7 r9 `6 K% L一部分流到GND 一部分会再反射8 Y! @; H/ N, @' m. X. p9 v) {
若反射的TX讯号 打到PA的Vcc 那当然TX性能就劣化- y- A# k. T+ }8 `) |7 o% T
# ^4 |1 Y% M) c3. 屏蔽罩跟PA离太近 之间的寄生效应 改变了PA特性
, C* w6 L5 v' h验证方式 :. p/ ]3 P" U6 y; T
第一种现在很少见了 所以就不提7 Z( \3 K% R: d1 d V
第二种的话 可以这样验证 : o8 c6 F+ ?9 \% s9 [/ v: N8 P
因为你说没加屏蔽罩时 其传导杂散会比较好6 }: H! h" I3 d
因此 如果在没加屏蔽罩状况下 你用这种方式% g7 K9 X2 q+ {; s' H; s3 W
其传导杂散变得跟加了屏蔽罩时一样差1 r9 T9 f: s% b% m
那凶手就可能是来自这原因5 Y6 L- }3 t q+ Z9 W
值得注意的是 那个DC Block要加) @4 t1 k; }4 e& ?& x z
避免Vcc的直流电源 回灌到PA或CMW500
! E3 E) `# u8 k7 Z
# P8 d% E0 w7 V0 p, ^- v; n第三种的话 在没加屏蔽罩状况下# @! V" ?& _; U9 }# e5 t
在PA上方先贴个胶带 再随便放个金属片1 J ]8 d+ [# E/ o3 U
) O) P% Y9 b+ ]( x一样 你说没加屏蔽罩时 其传导杂散会比较好
0 R& d) j z' S5 T# Y- j因此 如果在没加屏蔽罩状况下 你用这种方式# ]" W4 T; P2 c; v8 a6 J% x2 z
若其传导杂散变得跟加了屏蔽罩时一样差
% r' h( Z0 y) R1 E2 j: ?: @1 f. R, W那凶手就可能是来自这原因
4 o+ \5 n: }; Z解决方案:
A3 I; x/ U4 h; U+ i3 g( @第一种现在很少见了 所以就不提
- d. K0 x6 S4 ^8 i/ B) b第二种的话; I- X- w+ Z, q, h
8 e3 \, G% v4 l$ V6 K5 O9 O$ h9 {: P
因为凶手是来自RF讯号灌入Vcc 所以你在Vcc那边: P" \1 i% \7 r8 l# `
摆放一个落地电容 让灌入Vcc的RF讯号流到GND! e' j1 m$ N. c+ }/ X( V. x; y
既然你主频是DCS 以0201的电容来讲 你就放个18 pF
( s; R7 Z l) c: R' q1 D
|% W3 |% u- p6 k0 I第三种只能改机构
0 E8 g& Y2 o6 f* n; h$ A要嘛把屏蔽罩跟PA之间距离拉大
& K4 h; B3 u3 H) N; ]不然就是PA上方直接开天窗
3 r/ |8 ~0 F ]' |( X9 l* P/ i$ U7 w
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发表于 2019-12-3 14:46:00
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