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7 ^& A @3 T6 Y/ g! M& W
可能原因三个 :
4 f7 Z; Q3 g3 X4 W' Z1 f1. 匹配组件受Shielding Cover影响 以至于阻抗偏了6 C+ g8 a; K+ X- f# m: V0 U5 Q
若Shielding Cover跟匹配组件太近 其寄生效应改变其电感或电容值0 k9 P3 C: P/ f) m0 S1 a) K2 ^
以至于阻抗改变 那当然传导谐波变大
" p$ X$ O3 g. d( W8 U尤其是早期0402组件更容易这样 但现在0201组件很少会这样了
0 r& P. Z( e! g* U q& L& G* K2. RF 讯号泄漏到PA的Vcc! l8 Z7 r5 L0 ~8 A% g! Z. L
当你盖上屏蔽罩时 PA会把RF讯号 辐射或耦合到屏蔽罩上方! p* _% r/ a, j% e$ _
也就是说 屏蔽罩上方 会有残留的TX讯号$ r' ^% f) N: ~, o; d- D2 T
若屏蔽罩接地良好 那么这些残留的TX讯号 会通通流到GND
; c* ^) G: K: i" \3 R$ K2 C若屏蔽罩接地良好 那么这些残留的TX讯号% E$ L/ V0 \$ W7 N+ _
一部分流到GND 一部分会再反射
) V# [: [: n. m2 a; n+ V若反射的TX讯号 打到PA的Vcc 那当然TX性能就劣化
" W. J: n6 w- a3 ~) y" I8 `' [! a6 z! @, `
3. 屏蔽罩跟PA离太近 之间的寄生效应 改变了PA特性
. w% T8 @3 y1 p- C验证方式 :4 k) t9 ^6 z" P* X" [
第一种现在很少见了 所以就不提! M$ A1 U3 Q, ?3 w7 m e! ]4 A) }
第二种的话 可以这样验证 6 C& q7 c: K; Q& c6 m, X( d
因为你说没加屏蔽罩时 其传导杂散会比较好
) J2 O4 U: U4 [7 ~+ f因此 如果在没加屏蔽罩状况下 你用这种方式
* N8 V) s) O% c4 |其传导杂散变得跟加了屏蔽罩时一样差
6 u4 M9 n% ]! k* S9 C那凶手就可能是来自这原因
3 S7 ~8 H3 e) u; _值得注意的是 那个DC Block要加& I8 X( E$ `7 l1 I# @5 o
避免Vcc的直流电源 回灌到PA或CMW500
3 C7 q+ P% z4 E) a4 o# q- I/ N! H9 V% u* Y0 t5 ^. m2 G/ C( z4 _
第三种的话 在没加屏蔽罩状况下
/ a, k1 E9 ~! X/ Q# D7 o3 y在PA上方先贴个胶带 再随便放个金属片
8 C7 z9 d3 E! p0 R, b2 F+ M5 K3 E
一样 你说没加屏蔽罩时 其传导杂散会比较好
! E" x5 @5 ?5 T) T1 c因此 如果在没加屏蔽罩状况下 你用这种方式
( ~" Q& }7 u7 l- U: f1 {若其传导杂散变得跟加了屏蔽罩时一样差) X5 O6 M. }, W) u
那凶手就可能是来自这原因
' D/ I8 J* M5 ?/ G ^( \解决方案:
& [/ J" Q7 q2 I% u第一种现在很少见了 所以就不提
/ l' N2 n; ~: t6 i1 |, [- a第二种的话
8 c2 H+ y( m( q/ F" z$ J1 V/ e" q! Z
因为凶手是来自RF讯号灌入Vcc 所以你在Vcc那边
3 V, b( C6 p# N5 A1 A+ M摆放一个落地电容 让灌入Vcc的RF讯号流到GND
$ G( B& }& A- m: e0 Z, y既然你主频是DCS 以0201的电容来讲 你就放个18 pF
& Z3 ]$ d, n* o" @# q6 j, A) z5 k8 ^8 t8 W' W/ d! _6 S) {" L! G6 f0 ?! N
第三种只能改机构
5 j" \+ y# c% E4 l& [6 h( Z9 j$ z要嘛把屏蔽罩跟PA之间距离拉大" U2 Y7 C) t' n" G0 r/ i
不然就是PA上方直接开天窗
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