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' p; D+ c/ E, H$ n& x可能原因三个 :; m* Q; ~# s# v, |4 l
1. 匹配组件受Shielding Cover影响 以至于阻抗偏了# B" h- E1 O$ ~$ Q- O2 ]
若Shielding Cover跟匹配组件太近 其寄生效应改变其电感或电容值
* m) n2 q1 r; ]2 K以至于阻抗改变 那当然传导谐波变大
( Y$ J6 R" }$ e" P) B$ i8 M尤其是早期0402组件更容易这样 但现在0201组件很少会这样了( O' f% l2 y- G I
2. RF 讯号泄漏到PA的Vcc) f5 F8 L! z5 S5 E
当你盖上屏蔽罩时 PA会把RF讯号 辐射或耦合到屏蔽罩上方* z4 U* }3 a* b5 ?6 s
也就是说 屏蔽罩上方 会有残留的TX讯号
5 X# K( Y# {6 {. j3 q& q2 F1 Z若屏蔽罩接地良好 那么这些残留的TX讯号 会通通流到GND6 l0 y% _( h8 O! {) B! z
若屏蔽罩接地良好 那么这些残留的TX讯号! ?3 H0 v$ w& \
一部分流到GND 一部分会再反射
4 g0 Z" E" Q' z, k若反射的TX讯号 打到PA的Vcc 那当然TX性能就劣化7 Z, y4 m1 T9 ^1 B
/ k9 o7 }9 n* Y
3. 屏蔽罩跟PA离太近 之间的寄生效应 改变了PA特性
/ g& e3 ]! e! y2 [9 g+ P验证方式 :
3 p& E# F; A) h6 d第一种现在很少见了 所以就不提
" V) d5 S5 r. ~. U$ v+ w第二种的话 可以这样验证
. o! S7 U$ ~0 y i! O- E因为你说没加屏蔽罩时 其传导杂散会比较好
W$ o" A, _/ D7 Z% ^. c8 v7 ]9 J因此 如果在没加屏蔽罩状况下 你用这种方式
5 h7 w$ u, g7 [5 D" R4 a其传导杂散变得跟加了屏蔽罩时一样差
" L, U$ c) p, H: v3 n那凶手就可能是来自这原因+ `! l' ]4 D0 U' G3 {
值得注意的是 那个DC Block要加
" A4 C$ u' ?7 s避免Vcc的直流电源 回灌到PA或CMW500' Z- f% u9 j8 q5 Y% D8 ~' Z4 G7 Z; X
. ?0 n) w5 \0 m2 L; o+ f$ X
第三种的话 在没加屏蔽罩状况下
& [- U; t% e# f7 {3 ~1 }在PA上方先贴个胶带 再随便放个金属片* n7 T2 N! B" E, c" Q5 u
1 ~4 S2 p' y% A) B一样 你说没加屏蔽罩时 其传导杂散会比较好
$ U9 V( _+ c/ ^1 H( l; _% L6 `因此 如果在没加屏蔽罩状况下 你用这种方式
7 I7 Q, H& a5 m0 O" Q4 a若其传导杂散变得跟加了屏蔽罩时一样差
2 P. ~, o! a4 [. b2 L那凶手就可能是来自这原因; }% a- i- b+ G# Q0 P* M6 ^" E! k+ q! Y
解决方案:
% [& y/ C, I2 w, [/ f; f M- q第一种现在很少见了 所以就不提
% ^$ H8 `$ |( T第二种的话( ~! m7 B q& j; m" \* x) d+ q
4 \& I9 v6 `& U9 d因为凶手是来自RF讯号灌入Vcc 所以你在Vcc那边
* v# p- u O; j8 R; s( B( i摆放一个落地电容 让灌入Vcc的RF讯号流到GND: W4 X, p7 P) m6 A' U+ d$ {0 ?6 c
既然你主频是DCS 以0201的电容来讲 你就放个18 pF' u7 h) @8 V& r/ z
0 H8 n5 C6 E. S) O# h9 V8 e( k5 h第三种只能改机构
) T0 g1 s K$ B% M* p# {! \( K要嘛把屏蔽罩跟PA之间距离拉大
' k% H5 L: a& V1 T" |0 W不然就是PA上方直接开天窗3 R: C! l# {5 J9 h# N# b
3 S) c6 W) g. j0 m |
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