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/ e4 l; C8 q( E7 V7 [2 h
可能原因三个 :
* Q+ G0 E8 o/ \* ~7 d2 C1. 匹配组件受Shielding Cover影响 以至于阻抗偏了
; u/ S! L( M: Z% h8 K% ]若Shielding Cover跟匹配组件太近 其寄生效应改变其电感或电容值
# K1 A( c# c3 ^' E. f以至于阻抗改变 那当然传导谐波变大
4 o5 a& }; U0 ~5 e4 @+ o尤其是早期0402组件更容易这样 但现在0201组件很少会这样了7 s& }2 o0 h- O4 a4 Y
2. RF 讯号泄漏到PA的Vcc
J% `9 H- ~( L3 W/ E$ i: `/ V当你盖上屏蔽罩时 PA会把RF讯号 辐射或耦合到屏蔽罩上方' D# r" @4 c% N& o/ _- I' D
也就是说 屏蔽罩上方 会有残留的TX讯号0 o* o5 w4 e: _1 O+ x+ V9 M9 `
若屏蔽罩接地良好 那么这些残留的TX讯号 会通通流到GND
! x9 |& @+ r! j' h# G! F$ m1 M$ u, N若屏蔽罩接地良好 那么这些残留的TX讯号" J0 i i5 T: [9 v5 J% X6 E
一部分流到GND 一部分会再反射" N- [; t% E% \5 X4 g
若反射的TX讯号 打到PA的Vcc 那当然TX性能就劣化
& F7 x6 V& o% q; P+ \$ n* L
S% d' B5 @2 L9 D0 k+ }6 {8 Z3. 屏蔽罩跟PA离太近 之间的寄生效应 改变了PA特性
/ B/ v7 }: ?! I$ f验证方式 :
3 D# r$ M% |1 {8 t第一种现在很少见了 所以就不提
% q) a( X, u( G- c* Q& y6 W! J第二种的话 可以这样验证 + R* s% x9 e: v" s
因为你说没加屏蔽罩时 其传导杂散会比较好. `% k* T' O& Y+ s" G4 b$ A
因此 如果在没加屏蔽罩状况下 你用这种方式
- u' Z1 m1 O+ s `2 r! b8 ], I" n R其传导杂散变得跟加了屏蔽罩时一样差
' [9 h/ V( V. M2 ?- h那凶手就可能是来自这原因; @* w2 P( m$ R- T) g9 o4 g
值得注意的是 那个DC Block要加1 x3 L5 `/ b$ X' V/ B
避免Vcc的直流电源 回灌到PA或CMW500. J! X) ?9 \" x9 U- M- x) L' s
9 v9 i5 o4 O# I$ E第三种的话 在没加屏蔽罩状况下! D9 n4 c. w- X7 ^1 i; X5 Y
在PA上方先贴个胶带 再随便放个金属片
+ o& M+ M0 E- C0 \" v
/ g5 p1 ]' G& R% O- y( S% d- T一样 你说没加屏蔽罩时 其传导杂散会比较好% l5 ?8 m+ p) e8 ]9 e
因此 如果在没加屏蔽罩状况下 你用这种方式
( U6 E8 Q% r; m1 U; W若其传导杂散变得跟加了屏蔽罩时一样差
& Y& b4 I' q" p; k& D6 K7 i) n那凶手就可能是来自这原因8 S9 I0 q1 R# X9 n% _0 y& y
解决方案:" t; Y: n. ~: G* x" {9 F
第一种现在很少见了 所以就不提) f( O. S6 o/ S7 Y
第二种的话3 U8 U. t2 T3 q- Y+ O- ?
9 m+ g* `1 D, K# u% [* m& h4 M因为凶手是来自RF讯号灌入Vcc 所以你在Vcc那边: p+ h- [# E. |0 a, ^
摆放一个落地电容 让灌入Vcc的RF讯号流到GND
# O( ~& v8 L# R既然你主频是DCS 以0201的电容来讲 你就放个18 pF
1 \: u0 e& b1 p! H$ n! c) a F
& f2 G- q% d9 ^& ?/ C k第三种只能改机构) m) S2 t% D/ `; Q
要嘛把屏蔽罩跟PA之间距离拉大
1 u# I' u7 f' [, z不然就是PA上方直接开天窗
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