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本帖最后由 思睿达小妹妹 于 2023-3-24 16:44 编辑 ' ?0 \' v$ Y. C' J6 U2 L( n/ _
0 v- E8 E2 y8 \8 N在之前的文章中,我们介绍了本公司主推的CR6890H和电源IC XX5533的对比测试。结果是本公司主推的CR6890H效率更高。接下来,我们将介绍另外两款电源IC对比测试——公司主推的CR6842&XX2269对比测试。详细内容如下:
+ k- r Z# H0 c) [9 _
6 c- b0 ~: v' K u/ K1 w关于本公司主推CR6842——高集成度电流模式PWM控制器
: m+ Z% v2 w/ a3 T
2 P2 ^9 L7 z8 |( i4 _/ o. ~CR6842是一款高度集成的电流控制型 PWM 控制器,可用于中型到大型的离线式电源转化器。" I X4 \% y& L9 D* n$ j7 C- U
0 i+ l! K M: d/ n# B& X8 x为了减少待机功耗和提升效率,CR6842集成了多种工作模式。随着负载的变化,CR6842可以工作在三种不同的模式,并且每种模式都做了优化。当负载很重时,系统工作在传统的PWM(脉冲宽度调制)模式。当负载变轻时,系统进入PFM(脉冲频率调制)模式。在 PFM 模式下,随着负载的逐渐变轻,开关频率也逐渐的减小。CR6842 中独有的频率变换模块可以使开关频率平滑降低而不产生噪声。由于频率的降低,开关损耗也被有效的减小了。当负载继续降低而低于某一设定值时,系统进入PSM(跳频调制)模式。在PSM模式下,一些开关周期被跳过,这些周期内开关管完全关断,因此这种模式可进一步降低待机功耗。在上述的三种工作模式下,都集成了频率抖动功能,来提升系统的 EMI 特性。* ~; e0 P4 V9 c- ~
9 r. _ n( f; r3 h. R8 p
芯片还集成了恒功率限制模块来使系统在全电压范围(90V~264V)内输出恒定的功率。0 q4 L3 p+ }" \' R& |- Z
* E m% F( D; X! l5 vCR6842集成了多种功能和保护特性,包括欠压锁定(UVLO),VDD过压保护(OVP),软启,附加可编程过温保护(OTP),逐周期电流限制(OCP),过载保护(OLP),所有引脚悬空保护,RI引脚的对地短路保护,GATE端箝位,VDD箝位,前沿消隐。3 b( v6 ~+ |9 C2 o0 j y
' C$ A8 K6 a. _CR6842有SOP-8和DIP-8两种封装形式。
8 q( a" w( C4 d F5 U1 p; b4 I- J" {0 k. x: s
主要特点
0 \7 ^/ ~& s* R' ?& x6 H# d" U. {
- z9 A) x8 L o* x8 E' \● 低启动电流
! }5 H$ `: T* N5 @7 b+ x● 内置软启动, ~& O; }0 D1 g6 l/ ]) r3 I% V
● 绿色模式独有的变频和跳频工作模式
( C2 l' N# I1 W! S1 {* u. A& \● 良好的EMI特性9 D8 x( H$ |, \. D, X+ x
● 电流模式控制3 b2 X& [# q6 W
● 内置斜坡补偿
# L& n6 G' S; N# Y● 内置前沿消隐! B& c/ K) y/ |/ G
● 可编程开关频率
% |9 I% n( y; L j; f● 所有引脚的悬空保护
4 @, [6 x/ m# P, Y● 零噪声工作
9 e c# ?5 _! W- H8 N● 外置可编程过温保护* x0 _+ u, n# U. u0 O9 y
● VDD端过压保护
# M" J w0 t Z● 过载保护
. m7 D3 \( t- A/ h● 逐周期过流保护& x! Q1 V8 p4 p( M
8 s3 K$ O7 V1 N, M- ~. h
基本应用% y3 S: J3 s8 L5 z, U, U( G. g' _
0 R# p' ^9 G( L+ a$ K6 |' o/ l
离线式反激 AC/DC 变化器用于; q! t2 r ?! C. o0 w
● 电源适配器
1 I* P2 D: {# u* k8 a● 开放式电源! A" [2 F$ B$ d* t& [4 Q' J
● ATX待机电源
( B( @2 {5 G j● 电池充电器
# Y+ r/ X( K3 ^* }
. J+ |; ?( W/ w; l, s2 k: w" S5 L1 k引脚分布1 i# J0 S$ c; ^0 s8 p# w" }. C
7 ~ X. u* a/ o
引脚描述5 w% L; x# ^( Z
# K( g! @" {: [2 C
典型应用; R9 L# w3 V6 ?& Z
& X" P U' {3 sCR6842&XX2269对比测试报告
1 S! H9 K' f* {- m, U
4 j2 i' N6 n/ O2 O0 m h$ [2 O一、客户样机9 Y3 L* k: }3 U$ a% t* y; E U2 b
# h! p1 W3 H" A
输出电压18V、输出负载4A。
! ^) g+ {' k+ M% r$ t
9 y% n+ f+ y3 _$ _, s修改参数:直接替换IC,其他无更改。
- c \* N4 n! T" u* ~( A1 @. j+ T i, q
二、基本电性参数. i; }+ w. G) F6 Q5 D/ U8 i6 ^2 v
+ X) `' z+ A+ A$ @) C3 K
, o1 E9 `1 F( [& a0 k" |* x三、基本波形
; h p( P6 f8 f. n* _
' u% B& B8 a b/ L- [9 JXX2269 90V/60HZ输出纹波 f2 S6 s% @8 e3 j$ W
CR6842 90V/60HZ输出纹波 % U! C* e0 U6 ^- W9 r5 [( b- X0 o
XX2269 264V/50HZ输出纹波 0 E5 m5 w) D- F
CR6842 264V/50HZ输出纹波
& q9 z; k* @3 wXX2269 90V/60HZ MOS波形 6 w+ H4 k4 Y: \" C' u' q
CR6842 90V/60HZ MOS波形
+ z+ ?9 h1 Y6 h4 `' EXX2269 90V/60HZ 肖特基波形 & F0 @9 K" y' K+ F
CR6842 90V/60HZ 肖特基波形 : f: A/ o8 C& f6 e6 E* M
XX2269 90V/60HZ GATE波形 + }5 P7 c% t; d2 N) F
CR6842 90V/60HZ GATE波形 4 s, k! v9 g i1 F. s
XX2269 90V/60HZ CS波形
- ]' p3 x; J5 dCR6842 90V/60HZ CS波形
8 k" q/ F F d4 BXX2269 264V/50HZ MOS波形
$ g$ v! F0 _$ M X% MCR6842 264V/50HZ MOS波形
7 e7 `$ f5 B7 C: ~) g" q6 b, nXX2269 264V/50HZ 肖特基波形 % N6 [$ m. q9 ^
CR6842 264V/50HZ 肖特基波形
; J2 n( t& P8 e+ n+ NXX2269 264V/50HZ GATE波形
1 \, B# w( H a. OCR6842 264V/50HZ GATE波形 + a3 k2 K) e2 J2 h0 G$ P" {9 x
XX2269 264V/50HZ CS波形
! A- D2 X+ W" o+ PCR6842 264V/50HZ CS波形
: R& o( H- V5 B) j/ X+ Z对比结果
+ ^1 |' ^7 U. l2 `% K0 K0 h% Q. C9 h. d5 P
两者电性基本一致,但CR6842效率更高,推荐使用。1 ?7 P6 P$ D0 i; ?8 O& s! `
- ^0 b# F! B9 |# Y5 {' T) y |
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