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本帖最后由 思睿达小妹妹 于 2023-3-24 16:44 编辑 2 }- b" j, E' x, j+ ?& J3 Q
. n6 }0 `! Q' m5 V" y
在之前的文章中，我们介绍了本公司主推的CR6890H和电源IC XX5533的对比测试。结果是本公司主推的CR6890H效率更高。接下来，我们将介绍另外两款电源IC对比测试——公司主推的CR6842&XX2269对比测试。详细内容如下：5 [/ V' j; ]+ M y# l$ }- o% T1 E4 [
9 k0 c+ _( T8 J关于本公司主推CR6842——高集成度电流模式PWM控制器
1 k- ]1 i; D8 m( w& k% R4 b# u: q, O4 A
CR6842是一款高度集成的电流控制型 PWM 控制器，可用于中型到大型的离线式电源转化器。
8 k& H! r: W: Z5 Y: l3 y: r, Z6 ]+ K( L8 u
为了减少待机功耗和提升效率，CR6842集成了多种工作模式。随着负载的变化，CR6842可以工作在三种不同的模式，并且每种模式都做了优化。当负载很重时，系统工作在传统的PWM（脉冲宽度调制）模式。当负载变轻时，系统进入PFM（脉冲频率调制）模式。在 PFM 模式下，随着负载的逐渐变轻，开关频率也逐渐的减小。CR6842 中独有的频率变换模块可以使开关频率平滑降低而不产生噪声。由于频率的降低，开关损耗也被有效的减小了。当负载继续降低而低于某一设定值时，系统进入PSM（跳频调制）模式。在PSM模式下，一些开关周期被跳过，这些周期内开关管完全关断，因此这种模式可进一步降低待机功耗。在上述的三种工作模式下，都集成了频率抖动功能，来提升系统的 EMI 特性。) T/ y1 W) l7 K( U( C1 p( w$ q( ~
8 n9 ]6 G" s' D! E/ I2 z- q% K. P) w芯片还集成了恒功率限制模块来使系统在全电压范围（90V~264V）内输出恒定的功率。+ X8 ^7 X5 M" f+ ]2 H: f
; L9 Q1 V3 A1 C) cCR6842集成了多种功能和保护特性，包括欠压锁定（UVLO），VDD过压保护（OVP），软启，附加可编程过温保护（OTP），逐周期电流限制（OCP），过载保护（OLP），所有引脚悬空保护，RI引脚的对地短路保护，GATE端箝位，VDD箝位，前沿消隐。
! {- A" m, R! X2 P
4 ?. O( G7 R' V/ n7 v8 YCR6842有SOP-8和DIP-8两种封装形式。7 J( X7 r9 H- x4 C
, E* S: C# r4 m主要特点) x! c3 w5 z" W
1 o4 f) x: s0 \& ?● 低启动电流; f& J2 X U( M4 G
● 内置软启动$ S ^* r, c. u$ `2 \
● 绿色模式独有的变频和跳频工作模式
6 Z1 w/ n% f2 h( N● 良好的EMI特性
- c! \$ i9 v3 Z) f3 y' P( w( X● 电流模式控制) x& l+ ~- d# \6 y8 U0 G" f& y
● 内置斜坡补偿
" G' F: ~5 p: i6 S" ~● 内置前沿消隐: p1 P: }1 M$ C* W" B1 m. j- E
● 可编程开关频率
* [9 Z# ?# k$ I3 G* v: I5 r● 所有引脚的悬空保护: P) s5 z1 s4 F: e% f! g
● 零噪声工作
$ v y; K/ s) t* Y● 外置可编程过温保护
' K q2 t3 Y* R2 W7 P5 U, k, D● VDD端过压保护
3 B6 R) P; b& C' K2 W# t {' ?' t● 过载保护
% a! I! y! R+ B. a2 s, Z# p● 逐周期过流保护
* {: f7 b9 b) s0 b4 [9 F5 {0 w! @3 q6 o8 R
基本应用: E; R7 O+ \9 t* l+ a
: r% J9 \/ z* \7 K: G- L
离线式反激 AC/DC 变化器用于
4 o! P; |$ k1 e. p. L* O) y● 电源适配器
4 @0 {" x& J' v4 d$ F$ t" N8 Y/ m● 开放式电源& l Z+ v/ n5 s+ @. M
● ATX待机电源: B0 G j: w: ?4 i4 Z6 g/ Q
● 电池充电器
, N: p3 U s6 z. W, O) I ^. O+ {+ v( a/ D
引脚分布0 F$ ~' e- I6 O2 }+ h+ Q) D# _
0 b( |! a+ {& y1 y, k1 Z" M引脚描述6 ]! o; L4 `2 ]. @/ }
1 D. k( ^( L& T3 K典型应用7 R1 s. p* R, d: l' _
& a/ E& p( t2 B, |6 nCR6842&XX2269对比测试报告
; n0 {$ \ J+ c9 i/ S+ x: d! I# Y3 O! p7 O- a6 o8 B( \
一、客户样机
; h/ Y7 k. d. O; S+ }% X- h5 d( n
输出电压18V、输出负载4A。
& D( u& l$ h, k0 d/ O7 N' a- S8 C+ W# b
修改参数：直接替换IC，其他无更改。
5 o8 N9 T( }( y% u1 Q. J
) H" ?. ~3 W2 Q* U+ Z) J二、基本电性参数0 D, N2 \, v* D5 S" X% K# X: D
% c! [* N# e3 d, y- U
" q" R3 l2 Z: ?三、基本波形; p$ Z" w% X v) g1 Z$ `4 e- n
' O! H! k* d4 I. nXX2269 90V/60HZ输出纹波 5 o4 ~* G. g/ | A
CR6842 90V/60HZ输出纹波 ) I7 M( [ P8 B$ G6 N
XX2269 264V/50HZ输出纹波 ! V; }$ U4 S8 X( ]- D* ^( t- I
CR6842 264V/50HZ输出纹波 + k/ y/ q! D6 R# E4 y4 Y0 ^; H) s
XX2269 90V/60HZ MOS波形
* v8 l: M5 x2 n) v, JCR6842 90V/60HZ MOS波形
: a1 \7 K0 }# \" x1 j. FXX2269 90V/60HZ 肖特基波形
0 t) b, e; K5 L, sCR6842 90V/60HZ 肖特基波形
; H9 r% z4 v9 H7 wXX2269 90V/60HZ GATE波形 ( c' [+ L; c; g, j* i$ V% T6 v
CR6842 90V/60HZ GATE波形 - w& f" I; N: T! h7 N6 H
XX2269 90V/60HZ CS波形 * Z% O; J6 ?1 d* u& D( V
CR6842 90V/60HZ CS波形
" ]6 o' l# N1 ]! V) SXX2269 264V/50HZ MOS波形 7 u: L( R: J6 {
CR6842 264V/50HZ MOS波形 5 P: G- J/ I7 g u
XX2269 264V/50HZ 肖特基波形 ( W. c7 w; c6 o3 w8 R, y
CR6842 264V/50HZ 肖特基波形 2 H% q5 B) Z) L. r- ^ X) K3 @; ?
XX2269 264V/50HZ GATE波形
2 F' L% H5 H! C" T2 [+ tCR6842 264V/50HZ GATE波形 ' y$ W: B) |9 C p" d! w
XX2269 264V/50HZ CS波形
2 y$ f5 E8 G6 J; m3 GCR6842 264V/50HZ CS波形
+ w" B9 L+ ?/ T1 M1 v对比结果
" o5 k! F) l% p# M7 S& B+ k) l9 n" {& E
两者电性基本一致，但CR6842效率更高，推荐使用。
- c. j& |1 R4 _3 J: q
1 p. P0 T( W- Z: s' t T+ Z) M7 H |
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发表于 2023-3-24 16:41:01
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