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本帖最后由 思睿达小妹妹 于 2023-3-24 16:44 编辑
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在之前的文章中,我们介绍了本公司主推的CR6890H和电源IC XX5533的对比测试。结果是本公司主推的CR6890H效率更高。接下来,我们将介绍另外两款电源IC对比测试——公司主推的CR6842&XX2269对比测试。详细内容如下:
, |7 m4 c0 h t% g5 y U! b- d5 r a: `2 I6 Q; i, F5 F& ]
关于本公司主推CR6842——高集成度电流模式PWM控制器( Z( \ w4 F0 X* V
( H5 i: j# D/ O7 @& }0 N' H. {
CR6842是一款高度集成的电流控制型 PWM 控制器,可用于中型到大型的离线式电源转化器。
& X- M) }/ ]# e$ n, t
, N. |/ S" c5 R) z# h: B为了减少待机功耗和提升效率,CR6842集成了多种工作模式。随着负载的变化,CR6842可以工作在三种不同的模式,并且每种模式都做了优化。当负载很重时,系统工作在传统的PWM(脉冲宽度调制)模式。当负载变轻时,系统进入PFM(脉冲频率调制)模式。在 PFM 模式下,随着负载的逐渐变轻,开关频率也逐渐的减小。CR6842 中独有的频率变换模块可以使开关频率平滑降低而不产生噪声。由于频率的降低,开关损耗也被有效的减小了。当负载继续降低而低于某一设定值时,系统进入PSM(跳频调制)模式。在PSM模式下,一些开关周期被跳过,这些周期内开关管完全关断,因此这种模式可进一步降低待机功耗。在上述的三种工作模式下,都集成了频率抖动功能,来提升系统的 EMI 特性。 N0 z m$ {8 e) k/ p! Z, G X
. r+ }+ U5 ^+ K- f
芯片还集成了恒功率限制模块来使系统在全电压范围(90V~264V)内输出恒定的功率。
: n/ }5 m) F3 _9 u7 l+ M( ]0 o; z- V/ J/ [
CR6842集成了多种功能和保护特性,包括欠压锁定(UVLO),VDD过压保护(OVP),软启,附加可编程过温保护(OTP),逐周期电流限制(OCP),过载保护(OLP),所有引脚悬空保护,RI引脚的对地短路保护,GATE端箝位,VDD箝位,前沿消隐。; E* j' `6 P4 ]* _% [5 n S9 V
3 J' H, `# g0 e; n y0 J
CR6842有SOP-8和DIP-8两种封装形式。
4 [& ?: @4 l9 V, b- k2 J; M, a5 A, T/ ]: m9 h( Z3 A; V
主要特点+ j$ x9 }. j4 L$ h/ C. c
- x3 H5 g( P \3 I( u z
● 低启动电流: _$ w: U% N/ C! E2 w0 V
● 内置软启动
+ y; g" _) A$ H9 N+ s● 绿色模式独有的变频和跳频工作模式( e* D, N8 d9 y
● 良好的EMI特性
6 [8 b$ `" s# P2 l( ?, Q● 电流模式控制* g7 W" T0 p/ m! s1 ]8 R2 Q, j+ `! h
● 内置斜坡补偿
& M& _4 u7 Z' X$ \7 j! L7 ~' ]1 Z● 内置前沿消隐
: [* y& b' y5 y: ^● 可编程开关频率
3 v; V: }4 `6 {+ {. a6 M● 所有引脚的悬空保护
# ]7 X! T6 u5 v) H0 O( B+ i● 零噪声工作
# n, i% e, n1 S) J2 `) Y● 外置可编程过温保护
/ m' |" R: }" i0 c9 Y9 f● VDD端过压保护
m0 Q7 c1 t2 T. B3 l" k9 h● 过载保护8 Y2 t# m/ k: |% ~
● 逐周期过流保护( J; w+ B- ^: n# K& |
- h! F N0 x. `3 L: J$ E基本应用7 W4 m0 @7 n: }8 v( P3 Q
- _4 e/ F' y8 S, j* |离线式反激 AC/DC 变化器用于
8 w4 T6 s" V, v& u● 电源适配器 q+ F* B3 g% e% g' s8 v* f
● 开放式电源6 H2 M. u5 w! z& i& _/ @. N3 Z, S
● ATX待机电源
( B5 P3 G1 F1 D( i8 O● 电池充电器9 H3 q1 R+ t* M, x
B% ~9 ]3 L3 y4 k引脚分布' R8 E* H r( Q
! ]9 `" {. P6 c) d6 B引脚描述4 [& m% i$ t9 |6 y& }8 i; V
' e9 U% z7 d0 k7 W8 Q7 R6 Y7 W
典型应用- O1 p! O; `; T o" T) ~7 A/ D
; Y$ q. J$ Y4 a% u) U! y2 b
CR6842&XX2269对比测试报告5 M. T$ ]! ?" c/ a# K" n
$ D" a$ u* p. a$ b
一、客户样机
9 u9 @ {* p0 A
, `. m( o: R5 U3 @输出电压18V、输出负载4A。
) c% P% F, j1 s# }4 g
, e6 n: {( x+ M2 e [$ A# T修改参数:直接替换IC,其他无更改。5 \7 J. }4 m0 ]% ]7 U- C3 n' F
0 |: @" Y8 l' w6 j* L( i二、基本电性参数
) E: [6 P+ n2 g! o) H
/ p, P/ ]/ k; l1 a/ r( J. d% y. V0 a
三、基本波形
7 x' \! X& t* O# X
, S6 _* g$ |; L. c/ x i. l" E8 hXX2269 90V/60HZ输出纹波 . _% L4 a g5 t
CR6842 90V/60HZ输出纹波
) [% v2 H* f i0 S& a% kXX2269 264V/50HZ输出纹波
6 ~. _3 w" T: |. G9 R# |, sCR6842 264V/50HZ输出纹波
+ q0 y a( v' [/ Z1 g* n p; \; v: uXX2269 90V/60HZ MOS波形
0 Q' V" h% E1 ` a' V; ?6 m* V% ?CR6842 90V/60HZ MOS波形
) d9 C% U- z+ P3 B0 r* z6 dXX2269 90V/60HZ 肖特基波形 8 B$ l! F3 [' X) L1 r: W
CR6842 90V/60HZ 肖特基波形 5 v5 g! s2 X$ O3 O0 v$ A
XX2269 90V/60HZ GATE波形
( T8 |2 R' C1 M5 ` r8 JCR6842 90V/60HZ GATE波形
( g9 o; V& n. J2 Z2 A4 i. hXX2269 90V/60HZ CS波形 ^2 `* `$ ?. x, L, f
CR6842 90V/60HZ CS波形
! t" g0 E2 z, X1 i* ?) \* ^XX2269 264V/50HZ MOS波形 + ^$ `7 ^0 F2 Q/ t
CR6842 264V/50HZ MOS波形 8 b- h, x" P1 i2 E0 ]
XX2269 264V/50HZ 肖特基波形 5 B; N3 Y/ ~; D( u! J' R2 G
CR6842 264V/50HZ 肖特基波形 9 ]" a2 T( z$ L) z* s& `: [
XX2269 264V/50HZ GATE波形
6 G5 H9 o$ {1 g+ @. T( vCR6842 264V/50HZ GATE波形
k' q7 X2 W+ i* Y X4 }XX2269 264V/50HZ CS波形
4 P8 S8 x4 Y# W# rCR6842 264V/50HZ CS波形
* ?/ k1 S* L0 w2 {! r6 Q对比结果
" }; m3 y' P2 s0 N5 b* W2 i5 G4 y' D' W0 S8 V$ _# D
两者电性基本一致,但CR6842效率更高,推荐使用。
' J+ k7 O5 |6 F _: ^+ @) m2 I+ J7 E: M S& ?
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