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本帖最后由 思睿达小妹妹 于 2023-3-24 16:44 编辑 * i0 N# E: c! } J7 J0 e
1 E" w8 R8 l, b2 P) ] ~在之前的文章中,我们介绍了本公司主推的CR6890H和电源IC XX5533的对比测试。结果是本公司主推的CR6890H效率更高。接下来,我们将介绍另外两款电源IC对比测试——公司主推的CR6842&XX2269对比测试。详细内容如下:& j" W3 ]) f( Q/ X5 `6 O
9 a& Z9 Q/ C6 F# `3 m关于本公司主推CR6842——高集成度电流模式PWM控制器1 g* S* b" ]0 y
& D2 x0 X+ B+ p3 ]% C* W* r7 Q0 ~
CR6842是一款高度集成的电流控制型 PWM 控制器,可用于中型到大型的离线式电源转化器。
# M6 B- ^- @8 Q9 D- @1 e+ H4 [ i
为了减少待机功耗和提升效率,CR6842集成了多种工作模式。随着负载的变化,CR6842可以工作在三种不同的模式,并且每种模式都做了优化。当负载很重时,系统工作在传统的PWM(脉冲宽度调制)模式。当负载变轻时,系统进入PFM(脉冲频率调制)模式。在 PFM 模式下,随着负载的逐渐变轻,开关频率也逐渐的减小。CR6842 中独有的频率变换模块可以使开关频率平滑降低而不产生噪声。由于频率的降低,开关损耗也被有效的减小了。当负载继续降低而低于某一设定值时,系统进入PSM(跳频调制)模式。在PSM模式下,一些开关周期被跳过,这些周期内开关管完全关断,因此这种模式可进一步降低待机功耗。在上述的三种工作模式下,都集成了频率抖动功能,来提升系统的 EMI 特性。1 x: o% U# h3 J# E/ k/ N7 M! I
9 k7 Y' E% S' ]4 r) u' c8 g) b芯片还集成了恒功率限制模块来使系统在全电压范围(90V~264V)内输出恒定的功率。
' `% O' R! r% J- R) G/ l* d, p8 @0 ?- U; u
CR6842集成了多种功能和保护特性,包括欠压锁定(UVLO),VDD过压保护(OVP),软启,附加可编程过温保护(OTP),逐周期电流限制(OCP),过载保护(OLP),所有引脚悬空保护,RI引脚的对地短路保护,GATE端箝位,VDD箝位,前沿消隐。/ Q3 E+ q5 E! N6 @/ A6 ]8 c
& \2 f4 H) ^% [$ a6 eCR6842有SOP-8和DIP-8两种封装形式。+ K- R6 L: j2 {% B
" t4 }; U4 [$ V3 ~' e
主要特点- n9 E% F0 P* Y r4 J( H
4 P3 D9 x; z: X2 @● 低启动电流
: N: G5 F1 J4 X● 内置软启动
4 N. _' q. g* G8 O% m- { w( U: l● 绿色模式独有的变频和跳频工作模式
) K+ U( d( E& L0 | d' q3 V● 良好的EMI特性
, d' U8 N% b+ Z● 电流模式控制: a/ X8 d! _ A
● 内置斜坡补偿7 [( E. M/ x% u0 O/ _
● 内置前沿消隐. A, H7 f/ U" K
● 可编程开关频率
0 Z+ d5 d# ~ l8 r& W% k% N$ F5 L● 所有引脚的悬空保护- X9 e8 _5 W- W
● 零噪声工作
% D& D) B# ]) ^2 Z2 o+ t* q● 外置可编程过温保护
, m8 L* Q. B* W& o● VDD端过压保护4 k6 q1 a+ c# N7 D0 A; U
● 过载保护
* ~% I* E3 O% j● 逐周期过流保护
/ y; z' w7 o6 Q. b
5 C5 p7 f( v: n7 W/ @% n& {( {基本应用 z, t, u2 Y9 H
6 L7 _% u9 G% S! X$ U) n/ ^- B
离线式反激 AC/DC 变化器用于
- X7 O( K' I& n1 A) T● 电源适配器, Y* }9 j( M4 g. f+ V; Z
● 开放式电源
0 ^$ x3 @& y$ Q0 M5 m, S- v% K3 X- ^● ATX待机电源
$ K. L2 T8 o4 K) F! w0 @● 电池充电器/ t3 C- [9 e7 b% f! k0 V
$ O6 {, R, [: k7 _. E/ C' d
引脚分布7 B$ q2 S4 R* s( n: B6 V
/ l4 k2 x- ^+ E
引脚描述& N6 M( K" R! Q$ P+ x c; D3 R* b
, V2 J6 i7 k* }$ y& ?
典型应用0 k. _0 x( B7 X$ k: J1 c
7 J3 C: I+ t, q2 \7 T. H
CR6842&XX2269对比测试报告3 w* s$ R X1 T" b; e: G
7 m8 [- e+ Z! H$ O5 K$ y) K
一、客户样机/ N% O3 Q4 H; i9 G1 _# `. T
) s- d4 W8 B1 Y输出电压18V、输出负载4A。
4 S2 {# U! c1 g, D
6 \$ @: E/ H. i- c1 `1 P修改参数:直接替换IC,其他无更改。8 h) p" J+ m) r7 s, [: a7 P
1 C3 V9 I: |9 V2 S
二、基本电性参数) Y P: e+ R, A( \) P/ G) \/ H" {
& h7 \ z7 d' V. a6 h( F2 p' j
0 [! t5 e+ h8 M# [" P' c三、基本波形
# x `1 s- Q! }4 w' m4 T
; i& i: O4 b5 V0 Q) _# v5 qXX2269 90V/60HZ输出纹波 0 i8 M5 _6 u( p) R9 |
CR6842 90V/60HZ输出纹波 " e$ S. p: @4 r5 I3 \
XX2269 264V/50HZ输出纹波
0 u: i1 @: a% \# g* JCR6842 264V/50HZ输出纹波
% V: S7 Q* H J. ^+ m! QXX2269 90V/60HZ MOS波形 8 p) T% F1 f" v6 y9 W' T
CR6842 90V/60HZ MOS波形 + d* }8 v5 j7 M: l8 q# N7 W5 e
XX2269 90V/60HZ 肖特基波形
5 H0 j2 G9 K& [3 J# u+ Z9 g) fCR6842 90V/60HZ 肖特基波形
! Y2 I# S/ g& I( a7 k) xXX2269 90V/60HZ GATE波形 7 a2 ]4 k6 C) B& S
CR6842 90V/60HZ GATE波形 ) Q8 R& C" p& D; v
XX2269 90V/60HZ CS波形
; O1 e: T6 {$ W: n; b; D# WCR6842 90V/60HZ CS波形
" }. S8 _; j5 J1 ]XX2269 264V/50HZ MOS波形 ; J- k5 n0 Z, `" ~8 z
CR6842 264V/50HZ MOS波形 1 P6 R6 M9 M( p8 w5 D; t
XX2269 264V/50HZ 肖特基波形
' D# i" D/ b4 [& x d+ tCR6842 264V/50HZ 肖特基波形 ! a- R& e/ S& @( e; r
XX2269 264V/50HZ GATE波形
9 }4 a: i0 q& p. F+ r2 ?CR6842 264V/50HZ GATE波形 % Q8 E. E1 [2 @
XX2269 264V/50HZ CS波形
& u0 l8 i/ B. K9 k% p! OCR6842 264V/50HZ CS波形
7 i/ N: k9 s: _! K F对比结果# [) [% K; b5 s8 B; Y4 i, i
/ O9 b) M h- ]7 A
两者电性基本一致,但CR6842效率更高,推荐使用。
7 L( i/ G. a; `4 I' z
! a, R0 x: B+ V |
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