肖特基光电二极管的构造及缺陷是什么

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肖特基光电二极管的传导电压很低。肖特基二极管在电流通过时产生的电压降约为0.7-1.7V，与普通二极管相比，其电压降仅为0.15-0.45V。正因为如此，使用肖特基二极管可以提高系统的效率。接下来，我们主要来了解一下该种光电二极管的构造及缺陷。
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1、肖特基二极管的构造

肖特基二极管使用金属-半导体接合面作为肖特基势垒，以产生不同于一般光电二极管中半导体接合面所产生的P-N结的整流效果。

利用肖特基二极管的势垒特性，使其导通电压降较小，并可提高开关速度。

2、肖特基二极管的缺陷

肖特基二极管最大的缺点，就是其反偏较低，反漏电流较大。

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肖特基二极管采用硅和金属材料，其反向偏置额定耐压最高仅为50V(由于技术进步，目前最大可达200V)，且反向漏电流值具有正温度特性，易随温度升高而急剧增大，需注意热击穿的隐忧。

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为避免上述缺陷所带来的问题，实际使用时，肖特基光电二极管的反向偏置将大大小于额定值。

目前的技术还可以制造具有较高反向偏置的肖特基光电二极管，但其导通电压也将上升到与普通光电二极管相同的水平。同样，这个光电二极管在应用上没有优势——除了那些需要高速切换的场合。

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