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电子设计的接地技术有哪几种?

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发表于 2019-3-12 19:44:23 | 显示全部楼层 |阅读模式
电子设计的接地技术有哪几种?
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: s6 Y7 L9 n" r2 g* z! D. b9 I4 V在电子设计中,最常碰到的技术就是电路板的接地,从最常见的单模拟电路回路接地、单纯的数字电路回路接地到模拟数字电路的混合接地,从这些接地的方式中无不显示着电子设计的发展。如果你设计的产品还有其他的要求,例如经过EMC的检测,电路板的信号频率比较高(信号的上升时间为10ns甚至更低的数量级),那么,需要考虑的接地技术又要符合此时的因素。那么,今天就来分析说明下在这些因素的接地技术。
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在分析电路板的接地技术之前,首先要明白一个原因,接地技术是为了提高电路稳定的因素之一。在电路设计中,通过各种接地技术来减小环路,就是这种方法之一。
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# T$ q. I* \, Q9 y1 H' V现在简单说下减少地环路影响采取的技术。; }& n, f. S: }3 R& P6 j; m

( M/ R& m/ @( J. \- q% q# ?$ uA 采用光耦技术连接电路
' B8 g$ x9 F% t& A4 ~6 A* Y在设计电路中,为了充分保护后级电路免予受到前面电路的影响,光耦隔离技术是常用的方法之一。这种设计中,可以很好的减少发送电路中对接受电路的影响,正是由于光耦的引入,大大减少了地环路对电路的影响。; e2 {* v- y! g+ w* N
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B 采用隔离变压器技术连接电路+ _# ~+ E. |- N% e& G
这种方法中,采用1:1的变压器,这样隔离了发送电路和接收电路。使接收电路的接地回路大大减小。
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4 T" q3 S8 ^$ I4 c5 ZC 采用共模扼流圈
- R" m5 t, R1 K: @( C% V在电路设计中,接收电路通过共模扼流圈与发射电路相连,这样,可以使接收电路的回路大大减小,同时,也为接收电路的EMC检测提供良好的技术支持。
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) w8 S" E8 d( m. BD 采用平衡电路技术
2 y8 w' }) ^4 F- u8 z这种方法中,发送电路通常为多点并联的电源,通过各个相当于并联的模块电路,最后并联的各个模块并联单点接地。在平衡电路中,各个模块的电流流动互相不影响,从而提高系统的稳定性。$ B' @/ s2 W2 l6 `" J8 e* w
介绍完减小地环路的方法后,现在介绍下为了减少各种地的接地方法。8 @$ x9 Y  o7 b8 i/ i& ]3 d9 E( M

9 r. u9 e) f$ P" }, ]4 A" J一、浮地技术
% v1 M) h4 X# t在电子设计中,常用的一种方法是浮地技术,这种方法的电路板的信号地和外部的公共地不相连接,从而保证了电路的良好的隔离。电路与外部的地系统有良好的隔离,不易受外部地系统上干扰的影响,但是,电路上易积累静电从而产生静电干扰,有可能产生危险电压。小型低速(<1mhz)设备可以采用工作地浮地(或工作地单点接金属外壳)、金属外壳单点接大地。
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; X9 q- q7 j: q& n- a3 r* C二、串联单点接地
  Q5 Z2 d, e- d" i- Y! C' ^6 p这种接地方法是公司大牛推荐的一种接地方法,由于其简单,在电路板设计中不用注意那么多,所以会使用的比较多。但是,这种电路容易存在共阻抗耦合,使各个电路模块相互影响。9 R8 X+ N3 w3 L6 ?
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三、并联单点接地
$ l; L' p& x4 k+ L- j' F这种方法接地,虽然摆脱了串联单点接地的共阻抗耦合的问题,但是在实际的使用中,会引入接地线过多的烦心事,至于使用哪种,需要在实际的过程中综合评价。如果电路板面积允许,就使用并联模式,如果保持各个电路模块之间连接简单,那么采用串联模式。一般情况下,下载的板子中有电源模块,模拟电路模块,数字电路模块和保护电路模块,这种情况下,我采用并联单点接地的方法。% w) ?9 T0 m. a0 e6 W

: q5 B  y7 p6 c四、多点接地& M/ i1 O9 p% e: ?
多点基地技术在日常的设计中会使用的比较多,在多模块电路设计中使用的更多,这种接地方法可以有效地减少高频干扰问题,但是,也容易产生地环路的设计问题,这设计中要充分考虑到这一点,提高系统设计的稳定性。小型高速(>10MHz)设备的工作地应与其金属机壳实现多点接地,接地点的间距应小于最高工作频率波长的1/20,且金属外壳单点接大地。' H( A; Q7 g, `4 R

' Y/ i: Y- s6 ^0 B! V9 k总之,在电子电路设计中,最重要的一点是减小电路的回路面积,这对提高电子设计稳定性和提高电子系统EMC设计有着重要的作用。在实际的设计中,通过综合评价以上的各种技术,通过灵活使用,以便达到提高系统稳定性的目的。5 X1 {+ ~" J2 u- U, r1 c- v
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