|
|
$ g6 R7 h" v5 J/ }3 q从2003年底开始，随着摄像机一体机，特别是红外一体化在国内的迅速走红，红外发射管在安防行业的应用越来越普及，其主要用在红外一体机，红外灯等产品上。海盟企业于2003年底开始涉足红外一体机的生产与研化，积累了相当的经验，愿与各位同行共同探讨学习；
. N' m4 Y0 }9 y( M$ f从2004年初，我海盟研发部，采购部接受红外灯的选择采购及成品研发任务，接触了大量的生产厂家，集中了很多关于红外灯的资料；再加入自己这几年在红外灯市场上的摸爬滚打；有过很多的教训，也积累了很多的经验；
$ y; y0 |7 A* ]% w! y" \/ Z6 c( u
' B* ], \: M' V7 J/ S- c红外摄像机的最根本最新的问题，其实，对于我们有多年生产摄像机的厂家来说，在于红外灯的选择与低照度红外摄像像机的正确使用；选择红外灯不应有效果第一的误区，不一定完全在于他的红外效果，而他与摄像机的配合，及产品的稳定性，寿命长短及经济成本，都在考量之列；所以说，每一次选择，都是一种风险的尝试，海盟研发部门在几年的时间里，尝试了大大小小不下一百家红外灯种类；而我们的红外灯选择，生产，也换了五六种不同种类的红外灯源；
3 G( [" C- z5 y) E# A" Z
/ t5 e/ E X. D/ \
目前，红外一体机的制造集中在珠三角，大约有400家生产企业，其中以台湾、香港等外资企业势力较强，其产品全部外销，而其它绝大多数是中小型私人企业，其产品以内外销结合方式销售，而红外灯的制造企业以京津地区和东北地区为主，大约200家左右，其产品几乎全部内销。
5 W! t5 t5 n5 ]8 i/ p0 R
* X( q* b9 X; _. Z8 P N受国家相关政策的影响，安防行业还将有三到五年的高速发展期，将会有更多企业进入此行业。然而，目前很多企业技术不成熟，设计产品时进入误区，一心追求距离，希望找到距离又远监控范围又广的红外LED，其实这是不明智的，片面追求会导致大量弄虚作假甚至一些寿命短的产品出来，鉴于此，在此给更多的朋友介绍一些红外摄像机重要构成红外灯的知识及海盟几年来的红外灯选购得失，以及与低照度红外摄像机配合所应注意的问题，希望对大家有所帮助。 减少同行选择红外灯所走的弯路；
# E7 c7 J! W& |5 e9 _. ~
6 Z" ~' u) |& P2 f3 d5 ^一. 红外发射二极管（ LED ）红外灯的原理及特性
7 J, D0 O0 B1 _3 e/ Q5 [
; l9 Y/ u5 h! \$ N) J r) X, b红外灯按其红外光辐射机理分为半导体固体发光（红外发射二级管）红外灯和热辐射红外灯两种。其原理及特性我们介绍如下：
8 _4 T% F+ h9 ~9 v; e* J
0 n, M4 Z5 ? k+ n' U! y7 T I
由红外发光二级管矩阵组成发光体。红外发射二级管由红外辐射效率高的材料（常用砷化镓）制成 PN 结，外加正向偏压向 PN 结注入电流激发红外光。光谱功率分布为中心波长 830 ～ 950nm ，半峰带宽约 40nm 左右，它是窄带分布，为普通 CCD 黑白摄像机可感受的范围。其最大的优点是可以完全无红暴，（采用 940 ～ 950nm 波长红外管）或仅有微弱红暴（红暴为有可见红光）和寿命长。
$ |6 u H2 u7 I/ s6 x
" n) m6 L$ r. w5 r+ y+ m. z- \
红外发光二极管的发射功率用辐照度μ W/m2 表示。一般来说，其红外辐射功率与正向工作电流成正比，但在接近正向电流的最大额定值时，器件的温度因电流的热耗而上升，使光发射功率下降。红外二极管电流过小，将影响其辐射功率的发挥，但工作电流过大将影响其寿命，甚至使红外二极管烧毁。现在很厂家，不负责任的任意扩大发射功率，以求得红外距离的增加，其实是拔苗助长的短视行为，最终造成图象的高度刺眼泛白及寿命的减小
' z4 p6 b3 I3 f v' _1 K
" d: l- f8 F2 m }) C 当电压越过正向阈值电压（约 0.8V 左右）电流开始流动，而且是一很陡直的曲线，表明其工作电流对工作电压十分敏感。因此要求工作电压准确、稳定，否则影响辐射功率的发挥及其可靠性。辐射功率随环境温度的升高 ( 包括其本身的发热所产生的环境温度升高 ) 会使其辐射功率下降。红外灯特别是远距离红外灯，热耗是设计和选择时应注意的问题。
4 P9 H7 c! p9 o5 b. q
. M: S( Z" r0 h 红外二极管的最大辐射强度一般在光轴的正前方，并随辐射方向与光轴夹角的增加而减小。辐射强度为最大值的 50% 的角度称为半强度辐射角。不同封装工艺型号的红外发光二极管的辐射角度有所不同。
F4 p4 ~: I) E$ A- D& O( t
二、 发射管晶片的选择方法
- a8 O) x3 ]; N2 ^3 w; M
目前850nm发射管晶片主要由日本、台湾、韩国、德国、大陆企业提供，而台湾大陆企业的晶片，其外延片主要来自于日本和韩国，功率、光衰最好的是日本制造的，台湾鼎元的外延片来自于日本，其提供的晶片在该行业的口碑也较好。目前,日本晶片厂除对外提供外延之外，其已开始自己切割，这必将对台湾和大陆的晶片厂造成压力。
# b% r+ V, N+ \ j
' M3 L. _- {8 ^$ e. l5 _" J三、常用的850nm发射管的封装细则
9 ]) }' u! g4 J, k
. m- c" |* S$ h
目前在珠三角地区，做850nm发射管封装的公司很多，但是其懂得封装的细节，懂得封装细节对发射管影响的公司很少;要封装出品质好的IR发射管，经我们海盟选择的多家，有很多在产品生产工艺流程上把握不好，其实，在生产要要注意很多的细节的，首先要选好材料，主要材料是晶片、银浆、胶水、支架等；晶片的选择决定其功率、光衰，目前用日本和台湾的晶片最好；银浆的选择对其死灯现象影响较大，目前最好的银浆来自日本和英国；胶水决定其耐热性能，目前最好的胶水是台湾原厂的，其应力好，耐高温，封出的IR发射管表面偏雾和略偏黄，有的公司使用的胶水很透明有些偏兰的感觉，这种胶水用于一般的LED还可以，但不适合封装IR发射管，其不耐高温、进行 |
|
IP卡
狗仔卡
发表于 2006-11-29 22:35:51
提升卡
置顶卡
沉默卡
喧嚣卡
变色卡
显身卡
楼主