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关于稳定性和功耗问题,这两款芯片怎么选?看对比就懂了

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发表于 2023-4-27 10:50:21 | 显示全部楼层 |阅读模式
本帖最后由 思睿达小妹妹 于 2023-4-27 10:54 编辑 8 O. V! m6 X! t7 d6 p: u: _  p
3 d& |1 G% P3 r5 W
电源管理芯片的正确选择对电源适配器/充电器来说至关重要,它关系到电源适配器/充电器的稳定性、功耗和效率等问题。本篇文章将向您介绍本公司主推CR6853B和XX2263的对比测试报告,看看选择哪款电源管理芯片更合适。
+ C9 T, w( f& F$ F: g* C3 C: l! R0 x
+ V; X; H  e1 X3 a  \关于公司主推的CR6853B
( ^. q% r, D: H0 w) ^
% D: o- ]& \& ~) m. ?2 YCR6853B是一款高集成度,低功耗的电流模 PWM 控制芯片,该芯片适用于离线式 AC-DC 反激拓扑的小功率电源模块。芯片可以通过外接电阻改变工作频率;在轻载和无负载情况下自动进入 PFM 和 CRM,这样可以有效减小电源模块的待机功耗,达到绿色节能的目的。
8 L$ i  a% L9 ^& U( G9 O- p3 b' s; ~
CR6853B具有很低的启动电流,因此可以采用一个2兆欧姆的启动电阻。为了提高系统的稳定性,防止次谐波振荡,CR6853B内置了同步斜坡补偿电路;而动态峰值限制电路减小了在宽电压输入(90V~264V)时最大输出功率的变化;内置的前沿消隐电路可以消除开关管每次开启产生的干扰。CR6853B内置了多种保护功能:过压保护 、逐周期峰值电流限制、欠压锁定(可以用它实现短路和过流保护)以及输出驱动的高电平钳位在 18.0V 以下。而驱动输出采用的图腾柱和软驱动有效降低了开关噪声。CR6853B提供SOT23-6L,SOP-8L和DIP-8L无铅封装。
) L( B# L; g  D- t, a0 x
8 V7 _8 Q% G7 [2 ?9 t; v5 l% z$ R) o主要特点
: ?. e  p2 J/ I4 Z6 I! k0 P, U8 K* v+ S2 y
● 低成本、PWM&PFM&CRM (周期复位模式)控制
: |" I/ K0 `, r0 A● 低启动电流 (约3μA)
* c+ ^2 J' U: M6 _% M. L● 低工作电流 (约1.2mA)5 L# m0 l" c) T& \8 [4 X1 s- O1 a  Y
● 电流模式控制# g6 O3 n. M+ L: N5 T- F' U
● 内置同步斜坡补偿
( v- J4 ~$ F1 ~0 e* ^7 a' k, I● 低EMI技术% {- H  L; r1 E! l: V$ Q0 b/ m
● PWM频率外部可调# \/ _9 {0 C& F2 V& W. s* f
● 轻载工作无音频噪音
7 L" O  f. ^6 b$ S$ M( b# \. Y● 内置前沿消隐
1 H. S7 @8 m$ w' B8 h  |: U: n● 在输入90V~264V的宽电压下可实现恒定最大输出功率6 g6 D; S% U4 Z3 H# L
● GATE引脚驱动输出高电平钳位18.0V7 d# ]+ N, r# W: P& Q) V1 F% @
● VDD引脚过压保护34.0V
1 L1 [( P$ @7 B0 y4 S: N7 M● 欠压锁定(UVLO)、周期电流限制、短路保护、过载保护等保护功能
, {; V* h  N2 N● 具有自动恢复的保护功能
* Z9 I! Q" ~) h# g0 I3 @& O1 h● 高压BiCMOS工艺
, k. o9 S: \: o* {● SOT23-6L,SOP-8L ,DIP-8L 无铅封装
; k$ D+ v7 U, N! P& a) t) c8 X9 `* u9 B1 k& n* W4 }
应用
/ w1 E4 A" O# ?3 V" a
/ h* ?' Y) T0 `  J, ~( {* ^● AC/DC电源适配器
& o: S% ^4 [7 n● 电池充电器: m' l# z; U+ |9 ?
● 开放式电源
/ e. D6 u+ J1 `5 R● 备用开关电源
- ~! G  X0 s0 |2 _, U● 机顶盒开关电源
- @, j  Z9 \* v8 L7 j7 m7 s& j$ G● LED照明电源
$ a, d' a! G1 w$ t# q' [* u/ p; K/ C6 c6 b' @
管脚排列图
" o0 \8 K9 g& y# E* M  W) [% u1 _

; p; n1 @+ U( Z" [' m& u5 M) ~  u" c7 w3 W% T% M
引脚描述+ R) X4 N# _6 ?) h& V
  @7 I; T- M" m) K; m

: ?$ C/ [4 M' R
典型应用
- `3 k8 \& B. l  g' r
' `# `; c( h+ F: ^! p: c
CR6853B&XX2263对比测试! T4 ?" g/ H5 ?, [5 I% z

# R- f: G1 A4 m: l6 f) ]6 b一、样机规格
. N7 J  ?5 i8 u: N
( T  B6 b* S  _+ y输出电压13 V、输出负载1.5A、IC lot:6853N35。' n7 R4 n5 x: M4 {) `/ }
0 l1 D* C+ }7 F6 ^  V& `9 L

, G6 x4 {7 M1 l5 p- o0 i' J' j! t5 d6 S2 J
9 `0 b/ B/ z! Z

, B' V" g; i  L- w6 F6 c修改参数:直接替换IC,其他无更改。
4 |( j3 n7 r* \: G% l- x' S, K/ i  r! K; n' E! h9 J6 ~
二、基本电性参数7 m* B9 e' Q8 m5 M: W6 W
  u& G: M4 Q1 d! k2 S. j$ ]. e
' ?, }9 u7 W" b- [
三、基本波形7 E0 i: d# Y# K( N( O3 r) k

6 e4 i. c3 \$ _, M6 J5 a
XX2263 90V/60HZ输出纹波
; T) p5 {# D9 R+ O9 T& P
CR6853B 90V/60HZ输出纹波
( j0 a8 V, ^4 p' T1 w
XX2263 264V/50HZ输出纹波
+ ^7 Z. b" S, n% Y) ?9 p. r3 P
CR6853B 264V/50HZ输出纹波

  b- N4 F2 d- t8 d
XX2263 90V/60HZ MOS波形
6 m6 Q# F5 w+ l9 H' k
CR6853B 90V/60HZ MOS波形

8 d4 L, |/ ?$ C3 f, V1 J, `
XX2263 90V/60HZ 肖特基波形

7 X7 V% R3 o9 }9 ^
CR6853B 90V/60HZ 肖特基波形

% S* T$ W6 T8 L0 G' i3 O$ m
XX2263 90V/60HZ GATE波形

9 [) y( \/ ]# L
CR6853B 90V/60HZ GATE波形
. e3 I' h9 \4 Z- d5 F
XX2263 90V/60HZ CS波形
4 ^2 q! s" C- F' z4 i2 o9 Z
CR6853B 90V/60HZ CS波形

. z) V1 c8 W7 s% J/ ?* f) x! o
XX2263 264V/50HZ MOS波形
/ `3 {: [" ^2 t/ f! o
CR6853B 264V/50HZ MOS波形

8 h$ l  I# E. @6 g2 G  e& F" h9 W7 F
XX2263 264V/50HZ 肖特基波形
) }( j0 L8 \+ }$ g! _- ?
CR6853B 264V/50HZ 肖特基波形
2 v, Y( R( i  J3 F+ P/ T  \* n! O
XX2263 264V/50HZ GATE波形

1 t+ E: g1 p' a, o, i. x/ v
CR6853B 264V/50HZ GATE波形

! Q4 q1 a* E7 V& R1 v& i
XX2263 264V/50HZ CS波形

& m4 o) W5 g" P* {2 E: }
CR6853B 264V/50HZ CS波形

- t: c. W( J% |  M  r( f" |对比结果
* c, ]+ s9 \6 q+ D( W
( X' |7 I1 T; E两者电性基本一致,但公司主推的CR6853B效率更高,推荐使用。
% [: N5 Y1 W# ^& z7 m8 K; j  y% z/ I& B# U/ D, o

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