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关于稳定性和功耗问题,这两款芯片怎么选?看对比就懂了

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发表于 2023-4-27 10:50:21 | 显示全部楼层 |阅读模式
本帖最后由 思睿达小妹妹 于 2023-4-27 10:54 编辑
# i1 n9 S( {; J' U
6 @* I5 D$ F/ w& H) Y电源管理芯片的正确选择对电源适配器/充电器来说至关重要,它关系到电源适配器/充电器的稳定性、功耗和效率等问题。本篇文章将向您介绍本公司主推CR6853B和XX2263的对比测试报告,看看选择哪款电源管理芯片更合适。
  S, T, B' E, b4 R1 I0 t0 p' ^# V
关于公司主推的CR6853B
: g2 o3 j6 g% I5 K& `# k
" |2 s. e( i  e( p5 {7 S$ `CR6853B是一款高集成度,低功耗的电流模 PWM 控制芯片,该芯片适用于离线式 AC-DC 反激拓扑的小功率电源模块。芯片可以通过外接电阻改变工作频率;在轻载和无负载情况下自动进入 PFM 和 CRM,这样可以有效减小电源模块的待机功耗,达到绿色节能的目的。
# x3 I1 L2 I- g9 J# W
2 F. N6 w3 w  k. hCR6853B具有很低的启动电流,因此可以采用一个2兆欧姆的启动电阻。为了提高系统的稳定性,防止次谐波振荡,CR6853B内置了同步斜坡补偿电路;而动态峰值限制电路减小了在宽电压输入(90V~264V)时最大输出功率的变化;内置的前沿消隐电路可以消除开关管每次开启产生的干扰。CR6853B内置了多种保护功能:过压保护 、逐周期峰值电流限制、欠压锁定(可以用它实现短路和过流保护)以及输出驱动的高电平钳位在 18.0V 以下。而驱动输出采用的图腾柱和软驱动有效降低了开关噪声。CR6853B提供SOT23-6L,SOP-8L和DIP-8L无铅封装。
! u% ]/ i. J: i: A$ W  Q) Z0 Z% n7 D; r# r. D9 L
主要特点/ B2 B$ R) f8 G

% @/ g$ d( {7 m* f( g4 c' J● 低成本、PWM&PFM&CRM (周期复位模式)控制5 d5 F! K' s' W' A% n
● 低启动电流 (约3μA)
& f4 \( Y( _( X9 X% X6 U2 _● 低工作电流 (约1.2mA)2 {7 h9 q# V% @4 F
● 电流模式控制% ^# e+ w6 s2 }; o$ G
● 内置同步斜坡补偿4 B) d. ?4 R6 J0 J" T5 X$ O* j
● 低EMI技术1 v2 k4 ?9 q* `, t0 u$ X% g
● PWM频率外部可调
0 Q( _! g$ W0 N: C6 `  p: W1 d● 轻载工作无音频噪音
3 x  m" u' d( M! v● 内置前沿消隐0 Y" v0 C2 R, y
● 在输入90V~264V的宽电压下可实现恒定最大输出功率
/ S  j4 L8 P/ A● GATE引脚驱动输出高电平钳位18.0V* N- [+ X4 K& o0 r5 r4 u5 M( f, f
● VDD引脚过压保护34.0V
+ C: z7 t5 f& q● 欠压锁定(UVLO)、周期电流限制、短路保护、过载保护等保护功能
# ?2 f1 ?- @  V* o1 @6 v0 s. a● 具有自动恢复的保护功能7 Z$ Q6 n8 q- {4 ]
● 高压BiCMOS工艺3 [" X/ M5 U: h" U5 \5 b: K
● SOT23-6L,SOP-8L ,DIP-8L 无铅封装
8 m( A2 g! c2 E! w# k+ W" H* v% H+ ~+ ]9 I1 v; O/ p$ R/ @
应用  \5 r6 X5 E+ n, P$ M  M& N; Z, i; D
" [% \: o7 N. a- m) N( `
● AC/DC电源适配器2 L) X- q) @; m" S
● 电池充电器
$ k* }# ]' j) L8 d● 开放式电源
! C' R; D9 {) ^0 i● 备用开关电源& f+ V! X4 Z4 X# f
● 机顶盒开关电源1 N$ O4 l, H; G2 ^1 q7 Z' i
● LED照明电源; u% P2 o! {2 ~: q
6 O- X) Q: J( j9 z1 \! v
管脚排列图

6 G/ f. H/ J. c3 I: d

  t7 H6 t/ F9 l. g4 A. f, P1 x- J
引脚描述
. ?3 Q) L+ `5 l1 f) H% H" d  }# W* h0 Z" j2 s+ Q
- K8 e$ K  Q7 o! a5 ^+ z- u) E
典型应用
' u* K$ b# Y1 ^2 J# Q& z& T
$ ?/ \1 M1 ]" P, Y; y0 W  B
CR6853B&XX2263对比测试$ I8 J$ {4 O+ I2 \. T2 b
1 d8 D) E- ^$ X  q, p
一、样机规格* A& g- G+ \. I/ S5 U" X
* n% A- ?- h5 |7 _
输出电压13 V、输出负载1.5A、IC lot:6853N35。
, L! d  P( g1 N5 m! l3 n/ _2 A' z
* C* O% ^2 Y1 t+ }% s
1 L3 ?9 b( W/ f

) V# z8 L. ~0 |0 A* p修改参数:直接替换IC,其他无更改。" A* T% e* }5 C
" }" S( D( W6 }1 A) L
二、基本电性参数# a9 c. U  h2 E& }# ]6 s8 m

: \# j- e6 ?& v! \/ N1 t
9 x! y0 E: Y, N+ G2 L# T* g
三、基本波形/ ]- B8 h- N3 v2 w
& P6 Q/ Y) v1 c% }
XX2263 90V/60HZ输出纹波
% L/ P! I7 w3 p( h2 j
CR6853B 90V/60HZ输出纹波

0 G4 D9 G, L9 d
XX2263 264V/50HZ输出纹波
1 s( v4 z- H( w( o) c+ R  T& W
CR6853B 264V/50HZ输出纹波

3 g( z! ]: w% l* s) [, L4 z7 |
XX2263 90V/60HZ MOS波形

/ ?+ x+ |. {/ ~5 u4 f9 I5 Y- n" \# }, |
CR6853B 90V/60HZ MOS波形
5 Q1 b/ }& S4 g' D
XX2263 90V/60HZ 肖特基波形
# V8 J( ^# s3 }
CR6853B 90V/60HZ 肖特基波形

3 Y3 A. ~# h' n
XX2263 90V/60HZ GATE波形

& ^5 D, p  k) x9 N
CR6853B 90V/60HZ GATE波形

% K5 Z8 f$ L# Y  G* }9 t5 P; ~
XX2263 90V/60HZ CS波形

# {+ e8 j$ [  h. s! ?( o, T* L% u
CR6853B 90V/60HZ CS波形

2 \) K* O7 g  ^: z0 ]9 I4 d
XX2263 264V/50HZ MOS波形
  J) B  J+ D; i: O7 R0 P* @& I3 ~
CR6853B 264V/50HZ MOS波形

% `( v2 y  u" s# g# o3 h7 x
XX2263 264V/50HZ 肖特基波形

: t9 C- R# W* {* s/ ]. u! q8 d
CR6853B 264V/50HZ 肖特基波形
; _) G' N1 R+ h& i& `
XX2263 264V/50HZ GATE波形

" _- }" c8 f* W6 G+ \0 l) K
CR6853B 264V/50HZ GATE波形
/ k7 x# e& J# ]9 f. x7 X
XX2263 264V/50HZ CS波形

6 R: G2 J$ ~7 u8 i- \" v( n
CR6853B 264V/50HZ CS波形

% U* m" J3 z1 @对比结果
( N) Z8 ^& k$ n( e" M% W: p
; p  k4 Q, i+ b  f+ u) e两者电性基本一致,但公司主推的CR6853B效率更高,推荐使用。' g1 p! u0 w* G& |5 B% L( z; P& E
- k$ V. T/ i/ E0 Y! R( }" m

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