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关于稳定性和功耗问题,这两款芯片怎么选?看对比就懂了

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发表于 2023-4-27 10:50:21 | 显示全部楼层 |阅读模式
本帖最后由 思睿达小妹妹 于 2023-4-27 10:54 编辑
+ z( D3 C" L4 `& `+ F; }; o) W' g7 S0 d( t/ I1 `+ r( l3 Y0 ^. R3 R1 u
电源管理芯片的正确选择对电源适配器/充电器来说至关重要,它关系到电源适配器/充电器的稳定性、功耗和效率等问题。本篇文章将向您介绍本公司主推CR6853B和XX2263的对比测试报告,看看选择哪款电源管理芯片更合适。2 m4 O3 T2 g: a
% O7 j. ]& M" V" r3 W# C% p; _7 q
关于公司主推的CR6853B
/ F: m0 l" `3 t: y, H4 g! w
3 h1 s2 s8 w- T! VCR6853B是一款高集成度,低功耗的电流模 PWM 控制芯片,该芯片适用于离线式 AC-DC 反激拓扑的小功率电源模块。芯片可以通过外接电阻改变工作频率;在轻载和无负载情况下自动进入 PFM 和 CRM,这样可以有效减小电源模块的待机功耗,达到绿色节能的目的。
$ ^! z7 \. L& ?. t  M. X/ W+ r$ V, A4 D* d' F
CR6853B具有很低的启动电流,因此可以采用一个2兆欧姆的启动电阻。为了提高系统的稳定性,防止次谐波振荡,CR6853B内置了同步斜坡补偿电路;而动态峰值限制电路减小了在宽电压输入(90V~264V)时最大输出功率的变化;内置的前沿消隐电路可以消除开关管每次开启产生的干扰。CR6853B内置了多种保护功能:过压保护 、逐周期峰值电流限制、欠压锁定(可以用它实现短路和过流保护)以及输出驱动的高电平钳位在 18.0V 以下。而驱动输出采用的图腾柱和软驱动有效降低了开关噪声。CR6853B提供SOT23-6L,SOP-8L和DIP-8L无铅封装。5 ~9 o- D( C. p1 `7 D. `5 C4 T+ I

$ J4 z0 l' o3 O$ J; g7 ^- U主要特点: l) l! z; g  ^: J2 c2 z8 p

3 }( @! V/ E/ h9 A& [5 S- d● 低成本、PWM&PFM&CRM (周期复位模式)控制
3 V1 w+ w' ]% E" c● 低启动电流 (约3μA): `  g! g2 m( @' [) ~' b2 m. [6 v
● 低工作电流 (约1.2mA)
0 g: K; r! b6 J( |. P4 e" E● 电流模式控制2 r3 D  x9 r3 B. J  R- g: W# F* P3 e8 P
● 内置同步斜坡补偿; z7 M* v. ?1 S' c. q
● 低EMI技术" w  U3 [9 i' H
● PWM频率外部可调# N) j* V$ t6 N  c4 W+ b- ?
● 轻载工作无音频噪音4 p" q" _1 z6 D5 f
● 内置前沿消隐
9 ]1 P( |' L& E  Z1 v4 g  `● 在输入90V~264V的宽电压下可实现恒定最大输出功率) q) h) P- T! U$ r7 \* v
● GATE引脚驱动输出高电平钳位18.0V- _9 v' K! c1 \- @) N
● VDD引脚过压保护34.0V
- `" D/ \+ f/ P. o) k3 M7 \3 Y● 欠压锁定(UVLO)、周期电流限制、短路保护、过载保护等保护功能& r9 y* U) y. Z- t# [- k% q8 G
● 具有自动恢复的保护功能
$ R: H! Y& x0 e+ Z0 V- ~/ K" o● 高压BiCMOS工艺. M9 d) d2 V/ u: }% o4 r& P
● SOT23-6L,SOP-8L ,DIP-8L 无铅封装
* B1 G- R4 A6 v7 V
& _& I- i* ?6 V/ ?. F应用
8 N# \5 f, v# M9 l9 L. N! ?% j6 K7 O: O1 U; j
● AC/DC电源适配器
; p: ~& h0 M) n  R$ P6 ]  L8 C● 电池充电器% M: Y! ]7 I% }+ t0 ~1 t
● 开放式电源& b* H. C( m6 L  D
● 备用开关电源
: _) Y+ Y  t5 p1 R● 机顶盒开关电源
/ R6 V' O* Q8 i● LED照明电源5 H& b& \6 Y6 o3 h) _. X1 y

" y" X4 S( `$ v
管脚排列图
4 C3 m% Y7 F, y0 {' o- j0 f/ U+ p- e

* b" Z4 O5 n. @( x: O4 n  Z. Z9 l* i# `% c, I: E4 K8 m
引脚描述
4 E* u6 S# N* ?
: A+ }3 T& ]  M' [* r# y' E

/ J) |& i- c4 G
典型应用& @4 y4 w; O, s8 t  Z

: p6 a9 q; k6 y$ L, QCR6853B&XX2263对比测试4 X$ W- P' x: ^8 x; @& l
: m5 P  Z' }% C5 W
一、样机规格( h3 N+ S, H' f: m3 Y; [2 t# [$ l

5 s5 p- f/ n" q3 w" b" Y输出电压13 V、输出负载1.5A、IC lot:6853N35。) B3 i" [6 L2 Y+ A2 J
" f6 B3 n9 C# T2 f
8 V1 d1 d  S7 L

" m- G" G$ M- i4 a4 {: g: o5 L7 T; d
修改参数:直接替换IC,其他无更改。
; m, i: N/ y- i* i* h
8 ^! [3 f: s; h5 F二、基本电性参数7 x. C+ I' J% f1 I+ n' R
5 E6 b- z/ d& h9 ~
0 L9 X9 m6 O" m8 c' x
三、基本波形' I. y0 l6 z* o. X2 ]" U
" {3 O; w  a! A6 n0 M% t6 f
XX2263 90V/60HZ输出纹波
& a) J3 w: P: L- k
CR6853B 90V/60HZ输出纹波
  \6 i% Q+ z- c, V( s8 G, D/ u
XX2263 264V/50HZ输出纹波
% C4 ~' H8 L' V
CR6853B 264V/50HZ输出纹波
( A5 N# p0 b/ i# W
XX2263 90V/60HZ MOS波形

1 d7 x5 {3 L5 }7 \6 A# u
CR6853B 90V/60HZ MOS波形
; e2 |( ]" a- b! m" q
XX2263 90V/60HZ 肖特基波形
# f" c( K9 Z$ A( i, C
CR6853B 90V/60HZ 肖特基波形
& X' T( R; Q3 @1 s/ E3 ]" m4 R. M
XX2263 90V/60HZ GATE波形
1 e' s& ?; Z$ q( H- @/ z! ]2 g
CR6853B 90V/60HZ GATE波形

+ N% _8 |8 M% k9 ^, T, h
XX2263 90V/60HZ CS波形

. E0 u0 C9 k" s4 ^
CR6853B 90V/60HZ CS波形

& h+ E& C8 s! P  H: L! {$ B
XX2263 264V/50HZ MOS波形

$ U# U( R* @7 n+ L$ J# ^; {
CR6853B 264V/50HZ MOS波形
" m; A3 m/ ?7 X7 b& ?% z! G% r
XX2263 264V/50HZ 肖特基波形

8 W. r8 B3 j2 h) Z& q% h6 q7 u
CR6853B 264V/50HZ 肖特基波形

$ V; j6 P+ v) P' Q4 p9 P3 u
XX2263 264V/50HZ GATE波形
  z9 s6 f1 k: |0 M. @0 F) E
CR6853B 264V/50HZ GATE波形

) u8 ]& }* n" i% N# L/ q) L
XX2263 264V/50HZ CS波形
5 K* i5 a' b, I6 Y* [2 d' ~' s
CR6853B 264V/50HZ CS波形
* Q4 n; ~+ y( f
对比结果5 N9 b' G! r& W* f! g5 q& E

3 |3 f# ?* |( f4 |% A' R$ Q两者电性基本一致,但公司主推的CR6853B效率更高,推荐使用。
$ \. n8 Q2 v. F' @( a
# q1 n8 B0 n% S; U- A+ J1 @

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