关于稳定性和功耗问题，这两款芯片怎么选？看对比就懂了

思睿达小妹妹

  \! p. a% S, }
电源管理芯片的正确选择对电源适配器/充电器来说至关重要，它关系到电源适配器/充电器的稳定性、功耗和效率等问题。本篇文章将向您介绍本公司主推CR6853B和XX2263的对比测试报告，看看选择哪款电源管理芯片更合适。
* u0 M8 V9 q) b6 [# j
关于公司主推的CR6853B

4 o# K; S* ~: k8 _! ICR6853B是一款高集成度，低功耗的电流模 PWM 控制芯片，该芯片适用于离线式 AC-DC 反激拓扑的小功率电源模块。芯片可以通过外接电阻改变工作频率；在轻载和无负载情况下自动进入 PFM 和 CRM，这样可以有效减小电源模块的待机功耗，达到绿色节能的目的。

CR6853B具有很低的启动电流，因此可以采用一个2兆欧姆的启动电阻。为了提高系统的稳定性，防止次谐波振荡，CR6853B内置了同步斜坡补偿电路；而动态峰值限制电路减小了在宽电压输入(90V~264V)时最大输出功率的变化；内置的前沿消隐电路可以消除开关管每次开启产生的干扰。CR6853B内置了多种保护功能：过压保护 、逐周期峰值电流限制、欠压锁定（可以用它实现短路和过流保护）以及输出驱动的高电平钳位在 18.0V 以下。而驱动输出采用的图腾柱和软驱动有效降低了开关噪声。CR6853B提供SOT23-6L，SOP-8L和DIP-8L无铅封装。

主要特点
! a9 {$ O- H0 T, k
● 低成本、PWM&PFM&CRM (周期复位模式)控制
: ]4 h+ s# A1 e1 @- }+ ~) S4 j● 低启动电流 (约3μA)
3 W* t1 W' Z7 n: g● 低工作电流 (约1.2mA)
● 电流模式控制
● 内置同步斜坡补偿
$ n$ N5 {9 N) d. t/ M1 V) c● 低EMI技术
- N' N& d; f, ?7 F6 D● PWM频率外部可调
● 轻载工作无音频噪音
4 g. M% j* R- @  c( C% G6 _● 内置前沿消隐
2 u. b) }6 B& j● 在输入90V~264V的宽电压下可实现恒定最大输出功率
● GATE引脚驱动输出高电平钳位18.0V
+ g9 k3 P5 d0 p5 R● VDD引脚过压保护34.0V
● 欠压锁定(UVLO)、周期电流限制、短路保护、过载保护等保护功能
5 ~% L: k% A* @; g● 具有自动恢复的保护功能
3 ?9 \6 c$ W' i: m6 M( B) d# M● 高压BiCMOS工艺
: Q  b( l" N. G" u' B● SOT23-6L，SOP-8L ，DIP-8L 无铅封装
9 y; @" @& E  P
7 o- s1 r4 l7 j应用

4 ^' G6 {+ o8 t● AC/DC电源适配器
● 电池充电器
9 B2 o% V3 y/ M( b& i● 开放式电源
6 t) q& U$ q3 h" Q9 L● 备用开关电源
& R* L' |; I; ?$ }( D3 {" H0 }, D● 机顶盒开关电源
● LED照明电源
7 _' q9 f# f) l  [2 _/ j2 L
' N+ w1 j0 Q" f* y3 a) Y' w

管脚排列图

' y" s" U: \* a# ~0 ^% H

! {" F! a* v' f# l2 r
. G) c! V5 K: `7 U# v: H# K引脚描述

% q' O1 I- U/ {$ t& v( |/ j

典型应用
, p# N# e2 h1 S4 ]( X1 Q3 Q

; B5 {9 r& T% G3 e5 o5 t5 JCR6853B&XX2263对比测试
$ e* n( X6 V0 I8 \
一、样机规格
% u. ?" M1 W* `  Q% _
$ s$ i/ s6 {( n' y4 ]( W& ?输出电压13 V、输出负载1.5A、IC lot：6853N35。
  U. {& \* f, L5 ^& A

& N+ b% s! q$ N) z6 h$ F. M

% Z2 f  P  k1 Z; D5 w
5 W& b. L- a" A1 C5 ]修改参数：直接替换IC，其他无更改。

二、基本电性参数

7 v" c+ y' l7 |

三、基本波形

% S, F- i: {9 n( c$ J) K, W3 A3 I/ |( L

XX2263 90V/60HZ输出纹波

CR6853B 90V/60HZ输出纹波

XX2263 264V/50HZ输出纹波

. V& n1 |+ \2 G# N- N

CR6853B 264V/50HZ输出纹波

- c( E) i2 C# W7 X

XX2263 90V/60HZ MOS波形

CR6853B 90V/60HZ MOS波形

, t* C8 E  d! P. c' w

XX2263 90V/60HZ 肖特基波形

CR6853B 90V/60HZ 肖特基波形

; ~( W! ^; h+ S3 l

XX2263 90V/60HZ GATE波形

CR6853B 90V/60HZ GATE波形

! a- D) m0 _0 f% Q& @/ t

XX2263 90V/60HZ CS波形

$ [( G" A! T9 S, o

CR6853B 90V/60HZ CS波形

XX2263 264V/50HZ MOS波形

CR6853B 264V/50HZ MOS波形

XX2263 264V/50HZ 肖特基波形

0 a( s/ k  G2 P  S' g

CR6853B 264V/50HZ 肖特基波形

& S+ t' F3 r) z8 L

XX2263 264V/50HZ GATE波形

  s. Y; r3 t, ]. c0 z; L' l; n' N

CR6853B 264V/50HZ GATE波形

4 |, V& D2 P5 J% U2 z

XX2263 264V/50HZ CS波形

7 a3 P8 s) a& i% ?

CR6853B 264V/50HZ CS波形

% T/ f2 y! `( t$ ~3 G5 A对比结果
: H; B3 X" @* G
两者电性基本一致，但公司主推的CR6853B效率更高，推荐使用。