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关于稳定性和功耗问题,这两款芯片怎么选?看对比就懂了

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发表于 2023-4-27 10:50:21 | 显示全部楼层 |阅读模式
本帖最后由 思睿达小妹妹 于 2023-4-27 10:54 编辑
; t9 x' c1 z- s
3 ~" {7 ?$ A/ \* X4 D电源管理芯片的正确选择对电源适配器/充电器来说至关重要,它关系到电源适配器/充电器的稳定性、功耗和效率等问题。本篇文章将向您介绍本公司主推CR6853B和XX2263的对比测试报告,看看选择哪款电源管理芯片更合适。
6 F0 A4 ?+ D+ V3 V
; c  d# Z! Y- X. F关于公司主推的CR6853B. i# @  }# c$ ]* |( i, w' u

( Q0 [1 b5 c6 e& U3 R( ACR6853B是一款高集成度,低功耗的电流模 PWM 控制芯片,该芯片适用于离线式 AC-DC 反激拓扑的小功率电源模块。芯片可以通过外接电阻改变工作频率;在轻载和无负载情况下自动进入 PFM 和 CRM,这样可以有效减小电源模块的待机功耗,达到绿色节能的目的。
' b1 a/ |6 R" T. }2 D) K8 _* S+ I; U7 \0 ^/ `! V
CR6853B具有很低的启动电流,因此可以采用一个2兆欧姆的启动电阻。为了提高系统的稳定性,防止次谐波振荡,CR6853B内置了同步斜坡补偿电路;而动态峰值限制电路减小了在宽电压输入(90V~264V)时最大输出功率的变化;内置的前沿消隐电路可以消除开关管每次开启产生的干扰。CR6853B内置了多种保护功能:过压保护 、逐周期峰值电流限制、欠压锁定(可以用它实现短路和过流保护)以及输出驱动的高电平钳位在 18.0V 以下。而驱动输出采用的图腾柱和软驱动有效降低了开关噪声。CR6853B提供SOT23-6L,SOP-8L和DIP-8L无铅封装。
, a4 g9 R' C* G+ c5 Z+ K; F
0 q5 j3 Z9 ]/ y+ a: ^. `) D1 p主要特点6 {; g7 s3 ?  S6 x: t5 M' `7 B

& x2 n5 j3 s6 |+ T  o& \* k● 低成本、PWM&PFM&CRM (周期复位模式)控制" p5 M1 N) H5 u3 \% q# N$ k
● 低启动电流 (约3μA)
9 S- ^7 q% Q+ z8 S6 e. F2 d, @● 低工作电流 (约1.2mA)
1 E6 Q* k/ b. e0 K! r' q● 电流模式控制
5 w5 K0 t9 y/ i4 g  {4 _● 内置同步斜坡补偿- Z8 i2 N* o3 M0 y, @6 b/ i* i
● 低EMI技术) p# G) n9 \& n& e/ I
● PWM频率外部可调$ |( T$ n. N# `7 c& i
● 轻载工作无音频噪音
* N/ u2 S5 n$ i5 C7 o1 R. m: h● 内置前沿消隐5 m; G) y* O' ~6 S- G
● 在输入90V~264V的宽电压下可实现恒定最大输出功率0 D2 x0 x+ \- K! d, Y$ |$ h' [
● GATE引脚驱动输出高电平钳位18.0V8 ~9 b# m& `1 y7 i
● VDD引脚过压保护34.0V
* p) p/ g# ?1 X0 G1 p● 欠压锁定(UVLO)、周期电流限制、短路保护、过载保护等保护功能
+ j8 j! q( q3 v- P; |  V3 x+ T, H, J● 具有自动恢复的保护功能
7 M, V( ]* ~5 d: I0 r( u2 o● 高压BiCMOS工艺$ \8 Q1 |2 t0 l) l9 W& \1 S
● SOT23-6L,SOP-8L ,DIP-8L 无铅封装
8 O: Q! |) T0 M5 {& h+ z0 g. s: m) x7 j: v% ~! V
应用. \& T: H* C0 I: {+ j$ k4 n, k: z. E

& j& C9 n0 V1 g0 W$ H! D● AC/DC电源适配器/ x) G2 g+ c" w: I' j
● 电池充电器
, r$ f: i$ O2 s● 开放式电源
6 w5 t, K& d1 S; t+ v5 P- Q● 备用开关电源/ V" i* l8 W" ~) A( x; `5 x
● 机顶盒开关电源& G0 ^  U* p6 k. T- o) Z" D
● LED照明电源1 L' \; q# l. N! T5 {! ~

- _+ G! q; _  E6 q. Y/ G
管脚排列图

1 X2 _9 w( r; }! P8 k! Q
7 u+ s$ R# S' ~7 w2 c

' x* B. l( C" j. }4 t  Z: A- ^引脚描述: Q0 x6 u/ ?( {( y& ]" [
/ V5 T) x7 d# g# ?( k
- A* t$ h+ f& s9 N; B
典型应用- t4 z: @5 O- c
( W( U" r) Z# i; H
CR6853B&XX2263对比测试
: l  g  `$ o; R1 F( P5 v
" J# f4 @2 }2 i/ I$ z, B一、样机规格
& y" b. q! g2 z, e: F- Z9 E4 J+ d5 b/ Y  U9 k
输出电压13 V、输出负载1.5A、IC lot:6853N35。8 l$ B. F  p4 `- I% R
" R4 W; }) V/ S  W- s

! d- y& ~( x9 c" l
5 ~$ t  Z) h* J
5 D8 W2 y9 v; h
修改参数:直接替换IC,其他无更改。2 d) L6 |7 s/ o* ?( ^; l* \- ~. m
* A4 u) p! K5 e; L, j" G
二、基本电性参数: y7 ?0 f' V) p; E, {! K  m& y# I
' j. I- s& j3 S8 {

7 C9 @) P- R$ F9 ~8 A4 W/ \三、基本波形8 d& a0 P8 ?/ V5 N0 v. U
2 x5 T2 X1 e5 |: `4 F' J" }
XX2263 90V/60HZ输出纹波

5 u7 E( G+ y) e
CR6853B 90V/60HZ输出纹波

/ f4 V; d  r6 }/ H: G4 _
XX2263 264V/50HZ输出纹波

4 ]; T, U0 `  W, N
CR6853B 264V/50HZ输出纹波

5 c" Y# r4 d( x, e
XX2263 90V/60HZ MOS波形

- s4 J  e9 D2 K' e: j
CR6853B 90V/60HZ MOS波形
% G% S2 K  H# E& F" [  V+ `7 h* ]
XX2263 90V/60HZ 肖特基波形
# y0 n  W$ s- Q0 K9 v4 Y0 ~" [
CR6853B 90V/60HZ 肖特基波形
; g( K/ }- `6 U* R5 \
XX2263 90V/60HZ GATE波形
5 B' [, X; K+ G% U/ b8 m* v8 P
CR6853B 90V/60HZ GATE波形

# G9 l$ m, _. A' |! ^3 }
XX2263 90V/60HZ CS波形
/ }% q! w& @3 J) W2 w) x/ g
CR6853B 90V/60HZ CS波形
: \/ G5 J3 m* a
XX2263 264V/50HZ MOS波形
  s$ s# e8 n: K( L/ i6 t
CR6853B 264V/50HZ MOS波形

2 t: {$ g" ]" Y* f) @: ^: p4 M5 U
XX2263 264V/50HZ 肖特基波形

4 `4 I: T* F! X2 _% f# k
CR6853B 264V/50HZ 肖特基波形

5 x1 c2 M$ c# b% B* F
XX2263 264V/50HZ GATE波形

  s* Q0 C2 G7 I" E0 ^0 H# k
CR6853B 264V/50HZ GATE波形

# |1 U/ V7 s" ^& K& R9 |. Y$ G
XX2263 264V/50HZ CS波形

" l: a* a  i! l
CR6853B 264V/50HZ CS波形
6 q+ U: A: y7 m8 @
对比结果( m% u* Y/ ?, p: i- K; g; w! n
2 \  W! s7 g* Z1 m& C" K
两者电性基本一致,但公司主推的CR6853B效率更高,推荐使用。2 `* {0 O' Z8 p( _+ w2 K; B$ R
8 m  p/ `8 b+ k' \! A5 |- S6 U

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